JPH06204562A - 青色ルミネセンス装置 - Google Patents
青色ルミネセンス装置Info
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- JPH06204562A JPH06204562A JP34876492A JP34876492A JPH06204562A JP H06204562 A JPH06204562 A JP H06204562A JP 34876492 A JP34876492 A JP 34876492A JP 34876492 A JP34876492 A JP 34876492A JP H06204562 A JPH06204562 A JP H06204562A
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- Japan
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- carbon
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 青色の発光を生じるフォトルミネセンス装置
およびエレクトロルミネセンス装置を提供する。 【構成】 ｓｐ２炭素含有量が５原子％以上であるアモ
ルファスシリコンカ−バイドを用いてフォトルミネセン
ス装置およびエレクトロルミネセンス装置を構成する。
およびエレクトロルミネセンス装置を提供する。 【構成】 ｓｐ２炭素含有量が５原子％以上であるアモ
ルファスシリコンカ−バイドを用いてフォトルミネセン
ス装置およびエレクトロルミネセンス装置を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は青色ルミネセンスをも
つアモルファスシリコンカーバイドを利用したフォトル
ミネセンス装置およびエレクトロルミネセンス装置に関
するものである。
つアモルファスシリコンカーバイドを利用したフォトル
ミネセンス装置およびエレクトロルミネセンス装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】アモルフ
ァスシリコンカーバイド（ａ−Ｓｉ1-x Ｃx 、ただし０
＜Ｘ＜１。以下、単にａ−ＳｉＣと表す。）は、可視領
域にピークを有する、強くかつ広い帯域のルミネセンス
をもっているので、エレクトロルミネセンス材料として
極めて有望であることが知られている（Y.Hamakawa et
al.,J.Non-Cryst.Solids,p.115,180(1989); Y.Hamakaw
a,D.Kruangam,T.Toyama,M.Yoshimi,S.Paasche,and H.Ok
amoto,Optoelection.-Dev.Technol.Vol.4,p.281(1989);
H.Munekata & H.Kukimoto, Appl.Phys.Lett.p.42,432
(1983); C.Adachi et al.,Jpn.J.Appl.Phys.,p.27,L269
(1988); C.Adachi et al.,Appl.Phys.Lett.,p.55,1489
(1989); H.Shimizu et al.,J.Non-Cryst.Solids,137&13
8,1275(1991) ）。図１（ａ）はａ−ＳｉＣを利用した
フォトルミネセンス装置、図１（ｂ）〜（ｄ）、および
図２（ａ）〜（ｄ）は、同じくエレクトロルミネセンス
装置の一例を示す図である。（図中、ａ−ＳｉＣ：Ｈは
水素添加アモルファスシリコンを表している。）ａ−Ｓ
ｉＣは従来、シラン（ＳｉＨ４）とメタンなどの炭化水
素ガスの混合物をプラズマ分解する（Y.Tawada,H.Okamo
to,and Y.Hamakawa,Appl.Phys.Lett.Vol.39,p.237(198
1) ）か、テトラメチルシランなどのメチルシランをプ
ラズマ分解する（H.Munekata,S.Murasato,and H.Kukimo
to,Appl.Phys.Lett.Vol.37,p.536(1980); H.Munekata,
A.Shiosaki,and H.Kukimoto,J.Lumin.Vol.24/25,p.43(1
981);H.Munekata and H.Kukimoto,Appl.Phys.Lett.Vol.
42,p.432(1983)）か、あるいはメタンとアルゴンの混合
気体中で行なわれるケイ素のマグネトロンスパッタリン
グ（N.Saito,T.Goto,Y.Tomioka,and T.Yamaguchi,J.App
l.Phys.Vol.69,p.1518(1991)）によって得られ、炭素含
量と炭素源ガスを変化させることにより、フォトルミネ
センスおよびエレクトロルミネセンスのピーク位置を変
化させることが可能である。しかし、実用的なエレクト
ロルミネセンス装置を実現するためには、青色の発光を
得ることが重要な要件である。今日までのところ、ａ−
ＳｉＣで青色のフォトルミネセンスないしエレクトロル
ミネセンスを得たという報告はなく、これまで報告され
た最も短いピーク波長は５００ｎｍであった。
ァスシリコンカーバイド（ａ−Ｓｉ1-x Ｃx 、ただし０
＜Ｘ＜１。以下、単にａ−ＳｉＣと表す。）は、可視領
域にピークを有する、強くかつ広い帯域のルミネセンス
をもっているので、エレクトロルミネセンス材料として
極めて有望であることが知られている（Y.Hamakawa et
al.,J.Non-Cryst.Solids,p.115,180(1989); Y.Hamakaw
a,D.Kruangam,T.Toyama,M.Yoshimi,S.Paasche,and H.Ok
amoto,Optoelection.-Dev.Technol.Vol.4,p.281(1989);
H.Munekata & H.Kukimoto, Appl.Phys.Lett.p.42,432
(1983); C.Adachi et al.,Jpn.J.Appl.Phys.,p.27,L269
(1988); C.Adachi et al.,Appl.Phys.Lett.,p.55,1489
(1989); H.Shimizu et al.,J.Non-Cryst.Solids,137&13
8,1275(1991) ）。図１（ａ）はａ−ＳｉＣを利用した
フォトルミネセンス装置、図１（ｂ）〜（ｄ）、および
図２（ａ）〜（ｄ）は、同じくエレクトロルミネセンス
装置の一例を示す図である。（図中、ａ−ＳｉＣ：Ｈは
水素添加アモルファスシリコンを表している。）ａ−Ｓ
ｉＣは従来、シラン（ＳｉＨ４）とメタンなどの炭化水
素ガスの混合物をプラズマ分解する（Y.Tawada,H.Okamo
to,and Y.Hamakawa,Appl.Phys.Lett.Vol.39,p.237(198
1) ）か、テトラメチルシランなどのメチルシランをプ
ラズマ分解する（H.Munekata,S.Murasato,and H.Kukimo
to,Appl.Phys.Lett.Vol.37,p.536(1980); H.Munekata,
A.Shiosaki,and H.Kukimoto,J.Lumin.Vol.24/25,p.43(1
981);H.Munekata and H.Kukimoto,Appl.Phys.Lett.Vol.
42,p.432(1983)）か、あるいはメタンとアルゴンの混合
気体中で行なわれるケイ素のマグネトロンスパッタリン
グ（N.Saito,T.Goto,Y.Tomioka,and T.Yamaguchi,J.App
l.Phys.Vol.69,p.1518(1991)）によって得られ、炭素含
量と炭素源ガスを変化させることにより、フォトルミネ
センスおよびエレクトロルミネセンスのピーク位置を変
化させることが可能である。しかし、実用的なエレクト
ロルミネセンス装置を実現するためには、青色の発光を
得ることが重要な要件である。今日までのところ、ａ−
ＳｉＣで青色のフォトルミネセンスないしエレクトロル
ミネセンスを得たという報告はなく、これまで報告され
た最も短いピーク波長は５００ｎｍであった。
【０００３】本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、芳
香族化合物を炭素源として、ルミネセンスのエネルギー
ギャップが２．５ｅＶより大きいａ−ＳｉＣを得ること
に成功した。本発明は、このａ−ＳｉＣを用いた青色の
発光色を持つフォトルミネセンス装置およびエレクトロ
ルミネセンス装置を提供するものである。
香族化合物を炭素源として、ルミネセンスのエネルギー
ギャップが２．５ｅＶより大きいａ−ＳｉＣを得ること
に成功した。本発明は、このａ−ＳｉＣを用いた青色の
発光色を持つフォトルミネセンス装置およびエレクトロ
ルミネセンス装置を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段と作用】上記の課題を解決
するために、本発明のフォトルミネセンス装置およびエ
レクトロルミネセンス装置（本明細書では、以下、両者
を総称してルミネセンス装置と言う。）は、ｓｐ２軌道
を有する炭素（以下、単にｓｐ２炭素と表す。）の含有
量が５原子％以上であるａ−ＳｉＣを含むことを特徴と
する。
するために、本発明のフォトルミネセンス装置およびエ
レクトロルミネセンス装置（本明細書では、以下、両者
を総称してルミネセンス装置と言う。）は、ｓｐ２軌道
を有する炭素（以下、単にｓｐ２炭素と表す。）の含有
量が５原子％以上であるａ−ＳｉＣを含むことを特徴と
する。
【０００５】また、本発明のルミネセンス装置に用いら
れるａ−ＳｉＣは、芳香族炭素含有源を用いて製造する
ことができる。具体的には、例えば、シランガス単独、
またはシランガスに水素、ヘリウム、アルゴンその他の
不活性ガスを混ぜたものと、芳香族炭素含有源のガスと
の混合気体をプラズマ分解法で分解することによって得
られるが、別法として炭化水素を含む雰囲気中で、ケイ
素をターゲットとしてスパッタリングすることによって
も得ることができる。基板の温度は１０〜４００℃とす
ることができる。
れるａ−ＳｉＣは、芳香族炭素含有源を用いて製造する
ことができる。具体的には、例えば、シランガス単独、
またはシランガスに水素、ヘリウム、アルゴンその他の
不活性ガスを混ぜたものと、芳香族炭素含有源のガスと
の混合気体をプラズマ分解法で分解することによって得
られるが、別法として炭化水素を含む雰囲気中で、ケイ
素をターゲットとしてスパッタリングすることによって
も得ることができる。基板の温度は１０〜４００℃とす
ることができる。
【０００６】前記芳香族炭素含有源とは、芳香族炭素を
含む有機化合物全般を示し、常温常圧で液体、固体、気
体のいずれであってもよい。
含む有機化合物全般を示し、常温常圧で液体、固体、気
体のいずれであってもよい。
【０００７】上記の芳香族炭素含有源のうち、芳香族炭
化水素の例としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、
エチルベンゼン、エチルトルエン、エチルイソプロピル
ベンゼン、ビフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニ
ルメタン、スチレン、テトラフェニルエチレン、フェニ
ルアセチレン、ジフェニルアセチレン、ナフタレン、ア
ントラセン、テトラセン、ペンタセン、フェナントレ
ン、ペリレン、ピレン、クリセン、テトラリン、アズレ
ン、１−メチルナフタレン等が挙げられ、芳香族炭化水
素の誘導体の例としては、フェノール、アニリン、ハロ
ベンゼン、ニトロベンゼン、ジニトロクロロベンゼン、
ｍ−クレゾール、ベンジルアルコール、トルイジン、安
息香酸、トリフェニルカルビノール、フェニルエーテ
ル、アセトフェノン、クロロナフタレン、ニトロナフタ
レン、ナフトキノン、ナフトール、アントラキノン等が
挙げられる。中でも、キシレンは好ましいものの一つで
ある。
化水素の例としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、
エチルベンゼン、エチルトルエン、エチルイソプロピル
ベンゼン、ビフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニ
ルメタン、スチレン、テトラフェニルエチレン、フェニ
ルアセチレン、ジフェニルアセチレン、ナフタレン、ア
ントラセン、テトラセン、ペンタセン、フェナントレ
ン、ペリレン、ピレン、クリセン、テトラリン、アズレ
ン、１−メチルナフタレン等が挙げられ、芳香族炭化水
素の誘導体の例としては、フェノール、アニリン、ハロ
ベンゼン、ニトロベンゼン、ジニトロクロロベンゼン、
ｍ−クレゾール、ベンジルアルコール、トルイジン、安
息香酸、トリフェニルカルビノール、フェニルエーテ
ル、アセトフェノン、クロロナフタレン、ニトロナフタ
レン、ナフトキノン、ナフトール、アントラキノン等が
挙げられる。中でも、キシレンは好ましいものの一つで
ある。
【０００８】常温常圧で固体である芳香族炭素含有源の
例としては、インドール、フタロシアニン、ポルフィリ
ン、メロシアニン、クマリン、フェロセン、アゾピリジ
ン、インダンスレン、ジフェニルシランジオール、シラ
シクロペンタジエン等が挙げられ、常温常圧で液体であ
る芳香族炭素含有源の例としては、ピリジン、ピロー
ル、フラン、チオフェン、ピコリン、キノリン、フェニ
ルスルフィド、フェニルシラン、ジフェニルシラン、ジ
フェニルテトラメチルジシラザン、（フェニルセレノメ
チル）トリメチルシラン、クロロジメチルペンタフルオ
ロフェニルシラン等が挙げられる。しかし本発明に用い
られる芳香族炭素含有源は、上記の化合物に限定される
ものではない。
例としては、インドール、フタロシアニン、ポルフィリ
ン、メロシアニン、クマリン、フェロセン、アゾピリジ
ン、インダンスレン、ジフェニルシランジオール、シラ
シクロペンタジエン等が挙げられ、常温常圧で液体であ
る芳香族炭素含有源の例としては、ピリジン、ピロー
ル、フラン、チオフェン、ピコリン、キノリン、フェニ
ルスルフィド、フェニルシラン、ジフェニルシラン、ジ
フェニルテトラメチルジシラザン、（フェニルセレノメ
チル）トリメチルシラン、クロロジメチルペンタフルオ
ロフェニルシラン等が挙げられる。しかし本発明に用い
られる芳香族炭素含有源は、上記の化合物に限定される
ものではない。
【０００９】一方、本発明のルミネセンス装置に用いら
れるａ−ＳｉＣはバンドギャップが１．８〜４．０ｅＶ
であることが好ましく、より好ましくは２．４〜３．５
ｅＶである。
れるａ−ＳｉＣはバンドギャップが１．８〜４．０ｅＶ
であることが好ましく、より好ましくは２．４〜３．５
ｅＶである。
【００１０】また、前記ａ−ＳｉＣの炭素含有量は、ａ
−Ｓｉ1-x Ｃx においてＸ＝０．０５〜０．９９である
ことが好ましく、より好ましくはＸ＝０．４〜０．９で
ある。
−Ｓｉ1-x Ｃx においてＸ＝０．０５〜０．９９である
ことが好ましく、より好ましくはＸ＝０．４〜０．９で
ある。
【００１１】また、前記ａ−ＳｉＣは、ホウ素含有物
質、リン含有物質、および種々の電子受容体、すなわ
ち、ハロゲン、ＴＣＮＱ、ＮＯ２、ＮＨ３などでドーピ
ングすることができる。すなわち、ジボランなどのホウ
素含有ドーパントでドーピングされてｐ型になっていて
もよく、ホスフィンなどのリン含有ドーパントを用いて
ドーピングされてｎ型になっていてもよい。ドーパント
は、プラズマ分解時に混合気体中に加えてもよく、後処
理として蒸着してもよい。また、ヨウ素や塩素などのハ
ロゲンやＴＣＮＱ等の電子受容種で後処理方式で分子ド
ーピングされて、導電性の電荷移動コンプレクスを形成
していてもよい。
質、リン含有物質、および種々の電子受容体、すなわ
ち、ハロゲン、ＴＣＮＱ、ＮＯ２、ＮＨ３などでドーピ
ングすることができる。すなわち、ジボランなどのホウ
素含有ドーパントでドーピングされてｐ型になっていて
もよく、ホスフィンなどのリン含有ドーパントを用いて
ドーピングされてｎ型になっていてもよい。ドーパント
は、プラズマ分解時に混合気体中に加えてもよく、後処
理として蒸着してもよい。また、ヨウ素や塩素などのハ
ロゲンやＴＣＮＱ等の電子受容種で後処理方式で分子ド
ーピングされて、導電性の電荷移動コンプレクスを形成
していてもよい。
【００１２】さらに、前記ａ−ＳｉＣの固有光導電率
は、１０−７〜１０−１０Ｓ／ｃｍの範囲が好ましく、
ドーピング後の暗導電率は１０−２Ｓ／ｃｍ以下、好ま
しくは１０−１２Ｓ／ｃｍ以上である。
は、１０−７〜１０−１０Ｓ／ｃｍの範囲が好ましく、
ドーピング後の暗導電率は１０−２Ｓ／ｃｍ以下、好ま
しくは１０−１２Ｓ／ｃｍ以上である。
【００１３】従来報告されているａ−ＳｉＣ薄膜には、
無視し得る程度のｓｐ２炭素しか含まれていないので、
青色発光を生じる遷移に関与する励起準位とｓｐ２炭素
の原子軌道とが深く関係していることが考えられる。し
たがって、もしある程度以上のｓｐ２炭素含有量を持つ
ａ−ＳｉＣを非芳香族炭素源から適当な条件下に製造す
れば、それもまた青色ルミネセンスを示す可能性が高
い。
無視し得る程度のｓｐ２炭素しか含まれていないので、
青色発光を生じる遷移に関与する励起準位とｓｐ２炭素
の原子軌道とが深く関係していることが考えられる。し
たがって、もしある程度以上のｓｐ２炭素含有量を持つ
ａ−ＳｉＣを非芳香族炭素源から適当な条件下に製造す
れば、それもまた青色ルミネセンスを示す可能性が高
い。
【００１４】
【実施例】温度２００℃でシランガスとキシレンガスの
混合物をＲＦグロー放電分解に付すことにより，ａ−Ｓ
ｉＣの薄膜を得た。キシレンガス分率は、０．６４およ
び０．１６とし、得られた薄膜の光学的バンドギャップ
はそれぞれ３．５ｅＶおよび２．６ｅＶであった。ＲＦ
電極の周波数は１３．５６ＭＨｚ、ＲＦパワーは１０Ｗ
とした。
混合物をＲＦグロー放電分解に付すことにより，ａ−Ｓ
ｉＣの薄膜を得た。キシレンガス分率は、０．６４およ
び０．１６とし、得られた薄膜の光学的バンドギャップ
はそれぞれ３．５ｅＶおよび２．６ｅＶであった。ＲＦ
電極の周波数は１３．５６ＭＨｚ、ＲＦパワーは１０Ｗ
とした。
【００１５】図３は光学的バンドギャップ３．５ｅＶの
薄膜の発光スペクトルを示している。測定はＸｅ／Ｈｇ
ランプと３６０ｎｍの狭帯域バンドパスフィルターから
なる励起源を用いて室温で行なった。この薄膜は肉眼で
も強く見える青色の発光を生じ、そのピーク波長は４７
５ｎｍ（２．６１ｅＶ）であった。
薄膜の発光スペクトルを示している。測定はＸｅ／Ｈｇ
ランプと３６０ｎｍの狭帯域バンドパスフィルターから
なる励起源を用いて室温で行なった。この薄膜は肉眼で
も強く見える青色の発光を生じ、そのピーク波長は４７
５ｎｍ（２．６１ｅＶ）であった。
【００１６】図４は光学的バンドギャップ２．６ｅＶの
薄膜の、室温で測定した発光スペクトルを示している。
この場合も同様に青い発光が見られ、そのピーク波長は
４７５ｎｍであった。Ｘ線光電子分光法で測定したこれ
らの薄膜の炭素含量は、バンドギャップ３．５ｅＶと
２．６ｅＶの薄膜について、ａ−Ｓｉ1-x Ｃx における
Ｘの値がそれぞれ０．９０および０．４４であった。両
者の中間のバンドギャップを持つサンプルもまた同様な
ルミネセンス特性を示す。
薄膜の、室温で測定した発光スペクトルを示している。
この場合も同様に青い発光が見られ、そのピーク波長は
４７５ｎｍであった。Ｘ線光電子分光法で測定したこれ
らの薄膜の炭素含量は、バンドギャップ３．５ｅＶと
２．６ｅＶの薄膜について、ａ−Ｓｉ1-x Ｃx における
Ｘの値がそれぞれ０．９０および０．４４であった。両
者の中間のバンドギャップを持つサンプルもまた同様な
ルミネセンス特性を示す。
【００１７】従来、ａ−ＳｉＣについて報告されている
最も短いピーク波長は、テトラメチルシランから作られ
た薄膜の５００ｎｍであり、これは白色のルミネセンス
を与えるものである。従ってキシレンを原料とする前記
薄膜は青色発光ａ−ＳｉＣとしては最初のものであっ
て、青色発光ルミネセンス装置の発光層として、大きな
利用可能性を持っている。さらに、キシレンを原料とす
る上記薄膜の青い放出光は、これまで作られたａ−Ｓｉ
Ｃの放出光波長のうち最短の発光ピーク半値が２００ｎ
ｍ強であるのに対し、約１００ｎｍという狭い半値を示
すという優れた特性を有する。
最も短いピーク波長は、テトラメチルシランから作られ
た薄膜の５００ｎｍであり、これは白色のルミネセンス
を与えるものである。従ってキシレンを原料とする前記
薄膜は青色発光ａ−ＳｉＣとしては最初のものであっ
て、青色発光ルミネセンス装置の発光層として、大きな
利用可能性を持っている。さらに、キシレンを原料とす
る上記薄膜の青い放出光は、これまで作られたａ−Ｓｉ
Ｃの放出光波長のうち最短の発光ピーク半値が２００ｎ
ｍ強であるのに対し、約１００ｎｍという狭い半値を示
すという優れた特性を有する。
【００１８】図５および図６は、薄膜の結合形状をフー
リエ変換赤外分光法で調べたもので、バンドギャップ
３．５ｅＶと２．６ｅＶの薄膜のスペクトルをそれぞれ
示している。これらのスペクトルから、上記薄膜は、従
来の炭素源から作られたａ−ＳｉＣ中に見られるＳｉＨ
ならびに−ＣＨおよび−ＣＳｉ等の飽和結合、言い換え
ればｓｐ３炭素以外に、かなりの割合の＝ＣＨおよびＣ
＝Ｃ等の芳香族結合、オレフィン結合等の不飽和結合、
すなわちｓｐ２炭素を含むことが分かる。全結合炭素中
に占めるｓｐ２炭素の百分比は、これらの薄膜の場合、
赤外ピークから推定して約３０％である。
リエ変換赤外分光法で調べたもので、バンドギャップ
３．５ｅＶと２．６ｅＶの薄膜のスペクトルをそれぞれ
示している。これらのスペクトルから、上記薄膜は、従
来の炭素源から作られたａ−ＳｉＣ中に見られるＳｉＨ
ならびに−ＣＨおよび−ＣＳｉ等の飽和結合、言い換え
ればｓｐ３炭素以外に、かなりの割合の＝ＣＨおよびＣ
＝Ｃ等の芳香族結合、オレフィン結合等の不飽和結合、
すなわちｓｐ２炭素を含むことが分かる。全結合炭素中
に占めるｓｐ２炭素の百分比は、これらの薄膜の場合、
赤外ピークから推定して約３０％である。
【００１９】
【発明の効果】本発明のフォトルミネセンス装置および
エレクトロルミネセンス装置は、ａ−ＳｉＣ薄膜が高い
ｓｐ２炭素含有量を有し、青色の発光色を有するので、
有機／無機ヘテロジャンクションエレクトロルミネセン
ス装置の有機導体や有機光導体とのインターフェイスに
とりわけ適していると考えられる。
エレクトロルミネセンス装置は、ａ−ＳｉＣ薄膜が高い
ｓｐ２炭素含有量を有し、青色の発光色を有するので、
有機／無機ヘテロジャンクションエレクトロルミネセン
ス装置の有機導体や有機光導体とのインターフェイスに
とりわけ適していると考えられる。
【図１】本発明のａ−ＳｉＣを適用できる（ａ）フォト
ルミネセンスおよび（ｂ）〜（ｄ）エレクトロルミネセ
ンス装置装置の一例を示す図である。
ルミネセンスおよび（ｂ）〜（ｄ）エレクトロルミネセ
ンス装置装置の一例を示す図である。
【図２】本発明のａ−ＳｉＣを適用できるエレクトロル
ミネセンス装置の一例を示す図である。
ミネセンス装置の一例を示す図である。
【図３】光学的バンドギャップ３．５ｅＶのａ−ＳｉＣ
薄膜の室温で測定された発光ススペクトルである。
薄膜の室温で測定された発光ススペクトルである。
【図４】光学的バンドギャップ２．６ｅＶのａ−ＳｉＣ
薄膜の室温で測定した発光スペクトルである。
薄膜の室温で測定した発光スペクトルである。
【図５】光学的バンドギャップ３．５ｅＶのａ−ＳｉＣ
薄膜のフーリエ変換赤外スペクトルを示す。
薄膜のフーリエ変換赤外スペクトルを示す。
【図６】光学的バンドギャップ２．６ｅＶのａ−ＳｉＣ
薄膜のフーリエ変換赤外スペクトルを示す。
薄膜のフーリエ変換赤外スペクトルを示す。
Claims (5)
- 【請求項１】 ｓｐ２炭素含有量が５原子％以上である
アモルファスシリコンカ−バイドを含むフォトルミネセ
ンス装置またはエレクトロルミネセンス装置。 - 【請求項２】 芳香族炭素含有源を用いて製造されたア
モルファスシリコンカーバイドを含むフォトルミネセン
ス装置またはエレクトロルミネセンス装置。 - 【請求項３】 前記芳香族炭素含有源が、芳香族炭化水
素またはその誘導体である請求項２に記載の装置。 - 【請求項４】 アモルファスシリコンカーバイドが１．
８〜４．０ｅＶのバンドギャップを有する請求項１〜３
のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項５】 アモルファスシリコンカーバイドの炭素
含有量が、化学式ａ−Ｓｉ1-x Ｃx においてＸ＝０．０
５〜０．９９である請求項１〜３のいずれか一項に記載
の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34876492A JPH06204562A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 青色ルミネセンス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34876492A JPH06204562A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 青色ルミネセンス装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204562A true JPH06204562A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=18399209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34876492A Pending JPH06204562A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 青色ルミネセンス装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06204562A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4441973A1 (de) * | 1994-11-25 | 1996-05-30 | Tuhh Tech Gmbh | Lichtwellenleitende Struktur auf einem Substrat |
| WO2004095591A1 (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-04 | Hoya Corporation | 発光ダイオード |
-
1992
- 1992-12-28 JP JP34876492A patent/JPH06204562A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4441973A1 (de) * | 1994-11-25 | 1996-05-30 | Tuhh Tech Gmbh | Lichtwellenleitende Struktur auf einem Substrat |
| DE4441973C2 (de) * | 1994-11-25 | 2000-01-05 | Tuhh Tech Gmbh | Lichtwellenleitende Struktur auf einem Substrat |
| WO2004095591A1 (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-04 | Hoya Corporation | 発光ダイオード |
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