JPH06202145A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
- Publication number
- JPH06202145A JPH06202145A JP40616390A JP40616390A JPH06202145A JP H06202145 A JPH06202145 A JP H06202145A JP 40616390 A JP40616390 A JP 40616390A JP 40616390 A JP40616390 A JP 40616390A JP H06202145 A JPH06202145 A JP H06202145A
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- JP
- Japan
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- electrodes
- crystal display
- liquid crystal
- thin film
- film transistors
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Liquid Crystal (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
［目的］ 構造的に改善されその不良率を低減された液
晶表示素子を得る。 ［構成］ 本発明はマトリックス状をなす多数の信号電
極と走査電極、同時に作動される４個の薄膜トランジス
タを一組とする多数組の薄膜トランジスタ、前記４個の
薄膜トランジスタと連結された４個一組の画素電極を多
数組具備して構成されており、また、この４個一組の副
画素の多数組が前記多数の信号電極と多数の走査電極の
交差部の周りに配列されるか、前記多数の信号電極と走
査電極により区画された空間部内にそれぞれ位置される
ように形成されている。
晶表示素子を得る。 ［構成］ 本発明はマトリックス状をなす多数の信号電
極と走査電極、同時に作動される４個の薄膜トランジス
タを一組とする多数組の薄膜トランジスタ、前記４個の
薄膜トランジスタと連結された４個一組の画素電極を多
数組具備して構成されており、また、この４個一組の副
画素の多数組が前記多数の信号電極と多数の走査電極の
交差部の周りに配列されるか、前記多数の信号電極と走
査電極により区画された空間部内にそれぞれ位置される
ように形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子に係り、特
にアクチブマトリックス型の液晶表示素子に関する。
にアクチブマトリックス型の液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、画素ごとにスイッチング素子を
有するアクチブマトリックス型の液晶表示素子は、スイ
ッチング素子を持たない単純マトリックス型の液晶表示
素子とは異なり、画素間のクロストークの少ない長所を
有するので、主に動的な画像を表示するＴＶ用画像表示
装置として使われている。
有するアクチブマトリックス型の液晶表示素子は、スイ
ッチング素子を持たない単純マトリックス型の液晶表示
素子とは異なり、画素間のクロストークの少ない長所を
有するので、主に動的な画像を表示するＴＶ用画像表示
装置として使われている。
【０００３】このようなアクチブマトリックス型液晶表
示素子は、図３に示すように、Ｘ−Ｙマトリックス状に
走査電極と信号電極とが配列されている。これらの走査
電極（Ｙ1 、Ｙ2 …ＹN)と信号電極（Ｘ1 、Ｘ2 …ＸM)
により形成される各空間には、走査電極（Ｙ1 、Ｙ2 …
ＹN)と信号電極（Ｘ１ 、Ｘ2 …ＸM)とのそれぞれに、
各ゲート電極（Ｇ11、Ｇ12…ＧMN) と各ソース電極（Ｓ
11、Ｓ12…ＳMN）とが連結されるスイッチング素子とし
ての薄膜トランジスタ（Ｑ11、Ｑ12、…Ｑ1N、Ｑ21…Ｑ
2N、ＱM1、ＱM2、…ＱMN) と、この薄膜トランジスタ
（Ｑ11、Ｑ12、…Ｑ1N、Ｑ21、…Ｑ2N、ＱM1…ＱMN) の
ドレーン電極（Ｄ11、Ｄ12、…Ｄ1N、Ｄ21…Ｄ2N、ＤM
1、ＤM2…ＤMN) に連結される画素電極（Ｐ11、Ｐ12…
Ｐ1N、Ｐ21、…Ｐ2N、ＰM1、ＰM2…ＰMN) が備えられる
という構造を有している。
示素子は、図３に示すように、Ｘ−Ｙマトリックス状に
走査電極と信号電極とが配列されている。これらの走査
電極（Ｙ1 、Ｙ2 …ＹN)と信号電極（Ｘ1 、Ｘ2 …ＸM)
により形成される各空間には、走査電極（Ｙ1 、Ｙ2 …
ＹN)と信号電極（Ｘ１ 、Ｘ2 …ＸM)とのそれぞれに、
各ゲート電極（Ｇ11、Ｇ12…ＧMN) と各ソース電極（Ｓ
11、Ｓ12…ＳMN）とが連結されるスイッチング素子とし
ての薄膜トランジスタ（Ｑ11、Ｑ12、…Ｑ1N、Ｑ21…Ｑ
2N、ＱM1、ＱM2、…ＱMN) と、この薄膜トランジスタ
（Ｑ11、Ｑ12、…Ｑ1N、Ｑ21、…Ｑ2N、ＱM1…ＱMN) の
ドレーン電極（Ｄ11、Ｄ12、…Ｄ1N、Ｄ21…Ｄ2N、ＤM
1、ＤM2…ＤMN) に連結される画素電極（Ｐ11、Ｐ12…
Ｐ1N、Ｐ21、…Ｐ2N、ＰM1、ＰM2…ＰMN) が備えられる
という構造を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする問題点】このような構造の液
晶表示素子は、各画素をスイッチングする薄膜トランジ
スタが部分的な欠陥によって作動不能状態になる場合が
多いという短所を有している。このような薄膜トランジ
スタの欠陥は画素電極の機能停止を意味することであっ
て、完全な画像の実現が不可能になる。
晶表示素子は、各画素をスイッチングする薄膜トランジ
スタが部分的な欠陥によって作動不能状態になる場合が
多いという短所を有している。このような薄膜トランジ
スタの欠陥は画素電極の機能停止を意味することであっ
て、完全な画像の実現が不可能になる。
【０００５】従って、従来には前述したような薄膜トラ
ンジスタの欠陥による液晶表示素子全体の不良化を防ぐ
ため、図３に示した従来の液晶表示素子の場合、隣接さ
れた４つの画素が同時に動作されるように隣接された２
つの走査電極（例えばＹ1 とＹ2 、Ｙ3 とＹ4 、ＹN-1
とＹN 走査電極）と、２つの信号電極（例えばＸ1 とＸ
2 、Ｘ3 とＸ4 、ＸN-1 とＸM 信号電極）を共通に隣接
してこれに走査電圧と信号電圧が隣接された走査電極と
信号電極にそれぞれ同時に印加されるようにしている。
ンジスタの欠陥による液晶表示素子全体の不良化を防ぐ
ため、図３に示した従来の液晶表示素子の場合、隣接さ
れた４つの画素が同時に動作されるように隣接された２
つの走査電極（例えばＹ1 とＹ2 、Ｙ3 とＹ4 、ＹN-1
とＹN 走査電極）と、２つの信号電極（例えばＸ1 とＸ
2 、Ｘ3 とＸ4 、ＸN-1 とＸM 信号電極）を共通に隣接
してこれに走査電圧と信号電圧が隣接された走査電極と
信号電極にそれぞれ同時に印加されるようにしている。
【０００６】このような従来の液晶表示素子は、多発す
る薄膜トランジスタの欠陥を予め考慮して、いずれか１
つの薄膜トランジスタに欠陥が生じて画素のスイッチン
グが不可能となった際、同一の信号が印加されるその周
りの残りの３つの薄膜トランジスタによって残りの３つ
の画素が駆動されるようにされている。
る薄膜トランジスタの欠陥を予め考慮して、いずれか１
つの薄膜トランジスタに欠陥が生じて画素のスイッチン
グが不可能となった際、同一の信号が印加されるその周
りの残りの３つの薄膜トランジスタによって残りの３つ
の画素が駆動されるようにされている。
【０００７】従って、前述した液晶表示素子は１つの画
素が隣接された４つの画素により構成されているものな
ので、結局その構造が複雑であるという短所を有してい
る。また、信号電極と走査電極との間の交差点数が外の
一般の液晶素子に比べて４倍になるので、交差部位での
電極の短絡による製品の不良率が自然に高くなるという
不都合もあった。
素が隣接された４つの画素により構成されているものな
ので、結局その構造が複雑であるという短所を有してい
る。また、信号電極と走査電極との間の交差点数が外の
一般の液晶素子に比べて４倍になるので、交差部位での
電極の短絡による製品の不良率が自然に高くなるという
不都合もあった。
【０００８】本発明の目的は構造的に改善されその不良
率が低減されるようになった液晶表示素子を提供するこ
とである。
率が低減されるようになった液晶表示素子を提供するこ
とである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前述の問題点を解決する
ために請求項１に記載の本発明の液晶表示素子は、一側
基板にＸ−Ｙマトリックス状で配置される多数の信号電
極と走査電極と、前記多数の信号電極と多数の走査電極
のうち選択された１つの信号電極と１つの走査電極とに
より同時に作動される４個の薄膜トランジスタを１組と
する多数組の薄膜トランジスタと、前記各薄膜トランジ
スタのドレーンにそれぞれ接続される４個の副画素より
なる画素電極を多数組具備することによって形成されて
いる。
ために請求項１に記載の本発明の液晶表示素子は、一側
基板にＸ−Ｙマトリックス状で配置される多数の信号電
極と走査電極と、前記多数の信号電極と多数の走査電極
のうち選択された１つの信号電極と１つの走査電極とに
より同時に作動される４個の薄膜トランジスタを１組と
する多数組の薄膜トランジスタと、前記各薄膜トランジ
スタのドレーンにそれぞれ接続される４個の副画素より
なる画素電極を多数組具備することによって形成されて
いる。
【００１０】また、請求項２に記載の本発明の液晶表示
素子は、前記１組の薄膜トランジスタと、これにそれぞ
れ接続され１組をなす４個の副画素の多数組が、前記多
数の信号電極と多数の走査電極との交差部の周囲に配列
されていることを特徴とする。
素子は、前記１組の薄膜トランジスタと、これにそれぞ
れ接続され１組をなす４個の副画素の多数組が、前記多
数の信号電極と多数の走査電極との交差部の周囲に配列
されていることを特徴とする。
【００１１】また、請求項３に記載の本発明の液晶表示
素子は、前記１組の薄膜トランジスタと、これにそれぞ
れ接続される１組の画素電極が、前記多数の信号電極と
多数の走査電極により区画された空間部内にそれぞれ位
置されていることを特徴とする。
素子は、前記１組の薄膜トランジスタと、これにそれぞ
れ接続される１組の画素電極が、前記多数の信号電極と
多数の走査電極により区画された空間部内にそれぞれ位
置されていることを特徴とする。
【００１２】
【作用】請求項１から３に記載された本発明の液晶表示
素子は、走査電極と信号電極の１つの交差部分を中心と
してこの周りに同時に動作される４つの副画素が形成さ
れているので、従来の液晶表示素子より走査電極と信号
電極の数が半分ぐらいに減る。また、一つの画素が同時
作動される４つの副画素より構成されるので、いずれか
１つの副画素が動作されなくても、その残りの副画素が
動作されるようになっているから完全な画像の表示が可
能になる。
素子は、走査電極と信号電極の１つの交差部分を中心と
してこの周りに同時に動作される４つの副画素が形成さ
れているので、従来の液晶表示素子より走査電極と信号
電極の数が半分ぐらいに減る。また、一つの画素が同時
作動される４つの副画素より構成されるので、いずれか
１つの副画素が動作されなくても、その残りの副画素が
動作されるようになっているから完全な画像の表示が可
能になる。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の一実施例を図１および図２に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１４】本発明の液晶表示素子は一般の液晶表示素
子が持つ要素を有している。すなわち、図１に示したよ
うにＸ−Ｙマトリックス状で走査電極（Ｙ1 、Ｙ2 、…
ＹN)と信号電極（Ｘ1 、Ｘ2 、…ＸM)が配列され、これ
らの走査電極（Ｙ1 、Ｙ2 、…ＹN)と信号電極（Ｘ1 、
Ｘ2 、…ＸM)の各交差点の周りには、この走査電極（Ｙ
1 、Ｙ2 、…ＹN)と信号電極（Ｘ1 、Ｘ2 、…ＸM)との
それぞれに各ゲート電極Ｇと各ソース電極Ｓが連結され
るスイッチング素子としての４個の薄膜トランジスタＱ
が設けられている。そして、各薄膜トランジスタＱの各
ドレーンＤには交差点を中心としてその周りに備えられ
た４個の副画素ＳＰが接続されている。従って、このよ
うな画素配列によれば液晶表示素子の１画素Ｐは４個の
副画素ＳＰ、ＳＰ、ＳＰ、ＳＰによって構成される。ま
た、この基板に対応する別の透明性基板に共通電極を形
成した後、両基板を一定間隔で固定して周縁部をシーリ
ング（ｓｅａｌｉｎｇ）し、その後その内部空間に液晶
を充填して製品を完成する。
子が持つ要素を有している。すなわち、図１に示したよ
うにＸ−Ｙマトリックス状で走査電極（Ｙ1 、Ｙ2 、…
ＹN)と信号電極（Ｘ1 、Ｘ2 、…ＸM)が配列され、これ
らの走査電極（Ｙ1 、Ｙ2 、…ＹN)と信号電極（Ｘ1 、
Ｘ2 、…ＸM)の各交差点の周りには、この走査電極（Ｙ
1 、Ｙ2 、…ＹN)と信号電極（Ｘ1 、Ｘ2 、…ＸM)との
それぞれに各ゲート電極Ｇと各ソース電極Ｓが連結され
るスイッチング素子としての４個の薄膜トランジスタＱ
が設けられている。そして、各薄膜トランジスタＱの各
ドレーンＤには交差点を中心としてその周りに備えられ
た４個の副画素ＳＰが接続されている。従って、このよ
うな画素配列によれば液晶表示素子の１画素Ｐは４個の
副画素ＳＰ、ＳＰ、ＳＰ、ＳＰによって構成される。ま
た、この基板に対応する別の透明性基板に共通電極を形
成した後、両基板を一定間隔で固定して周縁部をシーリ
ング（ｓｅａｌｉｎｇ）し、その後その内部空間に液晶
を充填して製品を完成する。
【００１５】以上のような構造において、１つの交差点
を中心としてその周りに配置される４個の副画素電極と
４個の薄膜トランジスタは前述した構造とは異なり、図
２に示したような形態で配置することもできる。すなわ
ち、信号電極（Ｘ1 …ＸM)と走査電極（Ｙ1 …ＹN)とに
より区画された空間内に、同時に作動される４個の副画
素ＳＰと４個の薄膜トランジスタＱが位置され、その中
央には垂直・水平方向にこの信号電極（Ｘ1 …ＸM)と走
査電極（Ｙ1 …ＹN)とからそれぞれ延長された副信号電
極（Ｘ1'…ＸM') と副走査電極（Ｙ1'…ＹN') とが互い
に食違うように交差配置され、４個の薄膜トランジスタ
Ｑのソース電極Ｓとゲート電極Ｇは副信号電極（Ｘ1'…
ＸM') と副走査電極（Ｙ1'…ＹN') とにそれぞれ接続さ
れている。
を中心としてその周りに配置される４個の副画素電極と
４個の薄膜トランジスタは前述した構造とは異なり、図
２に示したような形態で配置することもできる。すなわ
ち、信号電極（Ｘ1 …ＸM)と走査電極（Ｙ1 …ＹN)とに
より区画された空間内に、同時に作動される４個の副画
素ＳＰと４個の薄膜トランジスタＱが位置され、その中
央には垂直・水平方向にこの信号電極（Ｘ1 …ＸM)と走
査電極（Ｙ1 …ＹN)とからそれぞれ延長された副信号電
極（Ｘ1'…ＸM') と副走査電極（Ｙ1'…ＹN') とが互い
に食違うように交差配置され、４個の薄膜トランジスタ
Ｑのソース電極Ｓとゲート電極Ｇは副信号電極（Ｘ1'…
ＸM') と副走査電極（Ｙ1'…ＹN') とにそれぞれ接続さ
れている。
【００１６】以上のような構造において、副走査電極
（Ｙ1'…ＹN') と副信号電極（Ｘ1'…ＸM') とは前述の
走査電極（Ｙ1 、Ｙ2 、…ＹN)および信号電極（Ｘ1 、
Ｘ2 、…ＸM)とそれぞれ一体をなすものであって、走査
電極と信号電極とを形成する際同時に形成される。すな
わち、副走査電極は走査電極から延長形成されたもの
で、副信号電極は信号電極から延長形成されたものであ
る。
（Ｙ1'…ＹN') と副信号電極（Ｘ1'…ＸM') とは前述の
走査電極（Ｙ1 、Ｙ2 、…ＹN)および信号電極（Ｘ1 、
Ｘ2 、…ＸM)とそれぞれ一体をなすものであって、走査
電極と信号電極とを形成する際同時に形成される。すな
わち、副走査電極は走査電極から延長形成されたもの
で、副信号電極は信号電極から延長形成されたものであ
る。
【００１７】これらの電極の形成工程において、蝕刻パ
ターンを走査電極と副走査電極、そして信号電極と副信
号電極にそれぞれ対応されるように形成すべきであると
ころ、前述の実施例に比べて製造加工上難しい点は存し
ないが、ただし前述の実施例に比べてパターン構造が多
少複雑である。
ターンを走査電極と副走査電極、そして信号電極と副信
号電極にそれぞれ対応されるように形成すべきであると
ころ、前述の実施例に比べて製造加工上難しい点は存し
ないが、ただし前述の実施例に比べてパターン構造が多
少複雑である。
【００１８】なお、本発明は前記各実施例に限定される
ものではなく、必要に応じて変更することができる。
ものではなく、必要に応じて変更することができる。
【００１９】
【発明の効果】前述した通りの本発明の液晶表示素子
は、走査電極と信号電極の１つの交差部分を中心として
この周りに同時に動作される４つの副画素が形成される
ことによって従来の液晶表示素子より走査電極と信号電
極の数が半分ぐらいに減る。従って、本発明の液晶表示
素子は従来の液晶表示素子、すなわち１つの画素が幾つ
かの副画素よりなる従来の液晶表示素子に比べてその構
造が簡単になり、結局従来に比べて不良率が少なくな
る。また、１つの画素が同時に作動される４つの副画素
より構成されるので、いずれか１つの副画素が動作され
なくても、その残りの副画素が動作されるようになって
いるから完全な画像の表示が可能になる等の効果を奏す
る。
は、走査電極と信号電極の１つの交差部分を中心として
この周りに同時に動作される４つの副画素が形成される
ことによって従来の液晶表示素子より走査電極と信号電
極の数が半分ぐらいに減る。従って、本発明の液晶表示
素子は従来の液晶表示素子、すなわち１つの画素が幾つ
かの副画素よりなる従来の液晶表示素子に比べてその構
造が簡単になり、結局従来に比べて不良率が少なくな
る。また、１つの画素が同時に作動される４つの副画素
より構成されるので、いずれか１つの副画素が動作され
なくても、その残りの副画素が動作されるようになって
いるから完全な画像の表示が可能になる等の効果を奏す
る。
【図１】本発明の液晶表示素子の一実施例を示す等価回
路図
路図
【図２】本発明の他の実施例を示す等価回路図
【図３】従来の液晶表示素子の等価回路図
Ｄ ドレーン Ｇ ゲート電極 Ｑ トランジスタ Ｓ ソース電極 ＳＰ 副画素 Ｙ1 、Ｙ2 、…ＹN 走査電極 Ｘ1 、Ｘ2 、…ＸM 信号電極 Ｘ1'…ＸM' 副信号電極 Ｙ1'…ＹN' 副走査電極
Claims (3)
- 【請求項１】 一側基板にＸ−Ｙマトリックス状で配置
される多数の信号電極と走査電極と、 前記多数の信号電極と多数の走査電極のうち選択された
１つの信号電極と１つの走査電極とにより同時に作動さ
れる４個の薄膜トランジスタを１組とする多数組の薄膜
トランジスタと、 前記各薄膜トランジスタのドレーンにそれぞれ接続され
る４個の副画素よりなる画素電極を多数組具備すること
を特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】 前記１組の薄膜トランジスタと、これに
それぞれ接続され１組をなす４個の副画素の多数組が、
前記多数の信号電極と多数の走査電極の交差部の周囲に
配列されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶
表示素子。 - 【請求項３】 前記１組の薄膜トランジスタと、これに
それぞれ接続される１組の画素電極が、前記多数の信号
電極と多数の走査電極により区画された空間部内にそれ
ぞれ位置されていることを特徴とする請求項１に記載の
液晶表示素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890019182A KR910012770A (ko) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 액정표시장치 |
| KR1989-19182 | 1989-12-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06202145A true JPH06202145A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=19293349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40616390A Pending JPH06202145A (ja) | 1989-12-22 | 1990-12-25 | 液晶表示素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06202145A (ja) |
| KR (1) | KR910012770A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001021892A (ja) * | 1999-06-08 | 2001-01-26 | Robert Bosch Gmbh | 液晶表示器 |
| JP2005055897A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-03 | Samsung Electronics Co Ltd | 多重ドメイン液晶表示装置 |
| KR100552291B1 (ko) * | 1998-07-23 | 2006-05-23 | 삼성전자주식회사 | 광시야각 액정 표시 장치 |
| US7585703B2 (en) | 2002-11-19 | 2009-09-08 | Ishikawa Seisakusho, Ltd. | Pixel control element selection transfer method, pixel control device mounting device used for pixel control element selection transfer method, wiring formation method after pixel control element transfer, and planar display substrate |
-
1989
- 1989-12-22 KR KR1019890019182A patent/KR910012770A/ko not_active Application Discontinuation
-
1990
- 1990-12-25 JP JP40616390A patent/JPH06202145A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100552291B1 (ko) * | 1998-07-23 | 2006-05-23 | 삼성전자주식회사 | 광시야각 액정 표시 장치 |
| JP2001021892A (ja) * | 1999-06-08 | 2001-01-26 | Robert Bosch Gmbh | 液晶表示器 |
| JP4550227B2 (ja) * | 1999-06-08 | 2010-09-22 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 液晶表示器 |
| US7585703B2 (en) | 2002-11-19 | 2009-09-08 | Ishikawa Seisakusho, Ltd. | Pixel control element selection transfer method, pixel control device mounting device used for pixel control element selection transfer method, wiring formation method after pixel control element transfer, and planar display substrate |
| JP2005055897A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-03 | Samsung Electronics Co Ltd | 多重ドメイン液晶表示装置 |
| US7847906B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-12-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910012770A (ko) | 1991-08-08 |
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