JPH06201590A - Chemical sensor device - Google Patents
Chemical sensor deviceInfo
- Publication number
- JPH06201590A JPH06201590A JP34876592A JP34876592A JPH06201590A JP H06201590 A JPH06201590 A JP H06201590A JP 34876592 A JP34876592 A JP 34876592A JP 34876592 A JP34876592 A JP 34876592A JP H06201590 A JPH06201590 A JP H06201590A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic
- gas
- carbons
- electron
- sensor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By The Use Of Chemical Reactions (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はアモルファスシリコンカ
ーバイド（ａ−Ｓｉ1-x Ｃx 、ただし０＜Ｘ＜１。以
下、ａ−ＳｉＣと表す。）を用いたケミカルセンサーデ
バイスに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical sensor device using amorphous silicon carbide (a-Si 1-x C x , 0 <X <1, hereinafter a-SiC).
【０００２】[0002]
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】フタロシ
アニンなどの有機π共役分子や高分子半導体は、ハロゲ
ン、酸素、塩化水素、二酸化チッ素、一酸化チッ素など
の電子受容性の気体検出用のケミカルセンサー材料とし
て利用性が大きい（A.W.Snow and W.R.Barger, in " Ph
thalocyanines: Properties and Applications," edite
d by C.C.Leznoff and A.B.P.Lever (VCH, New York, 1
989), Chap.5. ）。一般的にｐ型であるこれら半導体物
質が電子受容体に曝露されると、有機π電子系から電子
受容体への電子の供与が起り、電荷移動を生じる結果、
導電性が高まる。すなわち、これらの材料を利用したケ
ミカルセンサーデバイスは、一般に気体の吸着中に生じ
る有機物質の導電性の変化または可視光吸収スペクトル
の変化をモニターするという原理に基づくものである
が、再現性、吸着の可逆性および感度の点で問題が多
い。BACKGROUND OF THE INVENTION Organic π-conjugated molecules such as phthalocyanine and polymer semiconductors are used for detecting electron-accepting gases such as halogen, oxygen, hydrogen chloride, nitrogen dioxide, and nitrogen monoxide. Has a great utility as a chemical sensor material for (AWSnow and WRBarger, in "Ph
thalocyanines: Properties and Applications, "edite
d by CCLeznoff and ABPLever (VCH, New York, 1
989), Chap.5.). When these p-type semiconductor materials are exposed to electron acceptors, electron donation from the organic π-electron system to the electron acceptors occurs, resulting in charge transfer.
Increases conductivity. That is, a chemical sensor device using these materials is generally based on the principle of monitoring the change in the conductivity of an organic substance or the change in the visible light absorption spectrum that occurs during the adsorption of gas. There are many problems in terms of reversibility and sensitivity.
【０００３】本発明者らは芳香族化合物を炭素源として
製造したａ−ＳｉＣが、気体または液体状の電子受容体
に曝露されると容易に可逆的な導電性変化ならびに分光
特性変化を生じることを発見し、これがケミカルセンサ
ーデバイスに応用できることに着目した。The present inventors have found that a-SiC produced using an aromatic compound as a carbon source easily undergoes reversible conductivity change and spectral property change when exposed to a gas or liquid electron acceptor. Was discovered and focused on its application to chemical sensor devices.
【０００４】ａ−ＳｉＣは従来、シラン（ＳｉＨ4 ）と
メタン等の炭化水素ガスとの混合物をプラズマ分解する
（Y.Tawada, H.Okamoto, and Y.Hamakawa, Appl.Phys.L
ett.Vol.39, p.237 (1981) ）か、テトラメチルシラン
などのメチルシラン化合物のプラズマ分解による（H.Mu
nekata, S.Murasato, and H.Kukimoto, Appl.Phys.Let
t. Vol.37, p.536 (1980)）か、あるいはメタンとアル
ゴンの混合ガス中での、ケイ素のマグネトロンスパッタ
リングによって得られている（N.Saito, T.Goto,Y.Tomi
oka, and T.Yamaguchi, J.Appl.Phys. Vol.69, p.1518
(1991) ）。これらの技術によると、面積が大きく、安
定性かつ再現性の高い薄膜が得られ、薄膜素子の大量生
産にきわめて適している。Conventionally, a-SiC plasma decomposes a mixture of silane (SiH 4 ) and a hydrocarbon gas such as methane (Y.Tawada, H.Okamoto, and Y.Hamakawa, Appl.Phys.L).
Vol.39, p.237 (1981)) or by plasma decomposition of methylsilane compounds such as tetramethylsilane (H. Mu
nekata, S.Murasato, and H.Kukimoto, Appl.Phys.Let
Vol. 37, p. 536 (1980)) or by magnetron sputtering of silicon in a mixed gas of methane and argon (N.Saito, T.Goto, Y.Tomi).
oka, and T. Yamaguchi, J. Appl. Phys. Vol.69, p.1518
(1991)). According to these techniques, a thin film having a large area, stability and high reproducibility can be obtained, and it is extremely suitable for mass production of thin film elements.
【０００５】本発明は、芳香族炭素化合物を用いて製造
した、ｓｐ2 炭素含量の高いａ−ＳｉＣを用い、再現
性、吸着の可逆性および感度の優れたケミカルセンサー
デバイスを提供するものである。The present invention provides a chemical sensor device excellent in reproducibility, reversibility of adsorption and sensitivity by using a-SiC having a high sp 2 carbon content, which is produced by using an aromatic carbon compound. .
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段と作用】上記の課題を解決
するために、本発明のケミカルセンサーデバイスは、ｓ
ｐ2軌道を有する炭素（以下、ｓｐ2 炭素と表す。）の
含量が５原子％以上であるａ−ＳｉＣを用いることを特
徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, the chemical sensor device of the present invention is
It is characterized by using a-SiC in which the content of carbon having a p 2 orbital (hereinafter referred to as sp 2 carbon) is 5 atomic% or more.
【０００７】そして本発明のケミカルセンサーデバイス
は、導電性、分光特性、色、質量のうち、一つ以上の変
化をモニターすることによって、電子受容種または電子
供与種を検出することができる。The chemical sensor device of the present invention can detect electron accepting species or electron donating species by monitoring changes in one or more of conductivity, spectral characteristics, color and mass.
【０００８】本発明のケミカルセンサーデバイスに用い
られるａ−ＳｉＣは、芳香族炭素含有源を用いて製造す
ることができる。具体的には、例えばシランと芳香族炭
素化合物の気体からなる混合ガスを、水素ガスまたはヘ
リウムやアルゴン等の不活性ガスの存在下または不存在
下に、プラズマ分解すればよい。ここで芳香族炭素含有
源とは、芳香族炭素を含む有機化合物全般を示し、常温
常圧で液体、固体、気体のいずれのものも用いることが
できる。The a-SiC used in the chemical sensor device of the present invention can be produced using an aromatic carbon-containing source. Specifically, for example, a gas mixture of silane and an aromatic carbon compound gas may be plasma decomposed in the presence or absence of hydrogen gas or an inert gas such as helium or argon. Here, the aromatic carbon-containing source refers to all organic compounds containing aromatic carbon, and any one of liquid, solid, and gas at room temperature and normal pressure can be used.
【０００９】上記の芳香族炭素含有源のうち、芳香族炭
化水素の例としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、
エチルベンゼン、エチルトルエン、エチルイソプロピル
ベンゼン、ビフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニ
ルメタン、スチレン、テトラフェニルエチレン、フェニ
ルアセチレン、ジフェニルアセチレン、ナフタレン、ア
ントラセン、テトラセン、ペンタセン、フェナントレ
ン、ペリレン、ピレン、クリセン、テトラリン、アズレ
ン、１−メチルナフタレン等が挙げられ、芳香族炭化水
素の誘導体の例としては、フェノール、アニリン、ハロ
ベンゼン、ニトロベンゼン、ジニトロクロロベンゼン、
ｍ−クレゾール、ベンジルアルコール、トルイジン、安
息香酸、トリフェニルカルビノール、フェニルエーテ
ル、アセトフェノン、クロロナフタレン、ニトロナフタ
レン、ナフトキノン、ナフトール、アントラキノン等を
挙げることができる。中でも、キシレンは好ましいもの
の一つである。Of the above aromatic carbon-containing sources, examples of aromatic hydrocarbons include benzene, toluene, xylene,
Ethylbenzene, ethyltoluene, ethylisopropylbenzene, biphenyl, diphenylmethane, triphenylmethane, styrene, tetraphenylethylene, phenylacetylene, diphenylacetylene, naphthalene, anthracene, tetracene, pentacene, phenanthrene, perylene, pyrene, chrysene, tetralin, azulene, 1 -Methylnaphthalene and the like, and examples of derivatives of aromatic hydrocarbons include phenol, aniline, halobenzene, nitrobenzene, dinitrochlorobenzene,
Examples thereof include m-cresol, benzyl alcohol, toluidine, benzoic acid, triphenylcarbinol, phenyl ether, acetophenone, chloronaphthalene, nitronaphthalene, naphthoquinone, naphthol and anthraquinone. Among them, xylene is one of the preferable ones.
【００１０】常温常圧で固体である芳香族炭素含有源の
例としては、インドール、フタロシアニン、ポルフィリ
ン、メロシアニン、クマリン、フェロセン、アゾピリジ
ン、インダンスレン、ジフェニルシランジオール、シラ
シクロペンタジエン等が挙げられ、常温常圧で液体であ
る芳香族炭素含有源の例としては、ピリジン、ピロー
ル、フラン、チオフェン、ピコリン、キノリン、フェニ
ルスルフィド、フェニルシラン、ジフェニルシラン、ジ
フェニルテトラメチルジシラザン、（フェニルセレノメ
チル）トリメチルシラン、クロロジメチルペンタフルオ
ロフェニルシラン等が挙げられる。しかし本発明に用い
られる芳香族炭素含有源は、上記の化合物に限定される
ものではない。Examples of the aromatic carbon-containing source which is solid at normal temperature and pressure include indole, phthalocyanine, porphyrin, merocyanine, coumarin, ferrocene, azopyridine, indanthrene, diphenylsilanediol, silacyclopentadiene, and the like. Examples of the aromatic carbon-containing source that is liquid at normal temperature and pressure include pyridine, pyrrole, furan, thiophene, picoline, quinoline, phenylsulfide, phenylsilane, diphenylsilane, diphenyltetramethyldisilazane, and (phenylselenomethyl) trimethyl. Examples thereof include silane and chlorodimethylpentafluorophenylsilane. However, the aromatic carbon-containing source used in the present invention is not limited to the above compounds.
【００１１】本発明のケミカルセンサーデバイスに用い
られるａ−ＳｉＣは、上記のようにプラズマ分解法によ
り得られるが、別法として、炭化水素を含む雰囲気中で
ターゲットにケイ素を用いるスパッタリングによっても
得ることができる。このときの基板の温度は７７〜６７
３Ｋとすることができる。The a-SiC used in the chemical sensor device of the present invention is obtained by the plasma decomposition method as described above, but as an alternative method, it can be obtained by sputtering using silicon as a target in an atmosphere containing hydrocarbon. You can At this time, the substrate temperature is 77 to 67.
It can be 3K.
【００１２】また、前記ａ−ＳｉＣの光学バンドギャッ
プは、１．８〜４．０ｅＶが好ましく、より好ましくは
２．６〜３．５ｅＶである。また、前記ａ−ＳｉＣの炭
素含量は、ａ−Ｓｉ1-x Ｃx におけるＸの値が０．０５
〜０．９９であることが好ましく、特にＸ＝０．４〜
０．９が好ましい。The optical band gap of the a-SiC is preferably 1.8 to 4.0 eV, more preferably 2.6 to 3.5 eV. The carbon content of the a-SiC is 0.05 when the value of X in a-Si 1-x C x is 0.05.
It is preferable that it is -0.99, Especially, X = 0.4-
0.9 is preferred.
【００１３】さらに、前記ａ−ＳｉＣは、ホウ素含有物
質でｐ型に、あるいはリン含有物質でｎ型にドーピング
してもよく、あるいはハロゲン、ＴＣＮＱ等の電子受容
体でドーピングしてもよい。ドーパントはプラズマ分解
時の混合ガスに添加することもできるが、後処理として
蒸着することもできる。ドーピング後のａ−ＳｉＣの暗
導電率は１０-2〜１０-12 Ｓ／ｃｍの範囲にあることが
望ましい。Further, the a-SiC may be doped with a boron-containing substance to be p-type or with a phosphorus-containing substance to be n-type, or may be doped with an electron acceptor such as halogen or TCNQ. The dopant can be added to the mixed gas at the time of plasma decomposition, or can be vapor-deposited as a post-treatment. The dark conductivity of a-SiC after doping is preferably in the range of 10 -2 to 10 -12 S / cm.
【００１４】本発明のケミカルセンサーデバイスで、水
素やアンモニアのような電子供与種を検出する場合はｐ
型にドーピングされたａ−ＳｉＣ薄膜を用いればよい。When detecting an electron donating species such as hydrogen or ammonia with the chemical sensor device of the present invention, p
An a-SiC thin film doped in the mold may be used.
【００１５】ｓｐ2 炭素含量の高いアモルファスシリコ
ンが電子受容種または電子供与種に曝露された場合に生
じる導電率、分光光学特性、色の変化は、薄膜のπ共役
炭素系から検出する分子への電荷移動によるものと考え
られる。The changes in conductivity, spectroscopic properties, and color that occur when amorphous silicon with a high sp 2 carbon content is exposed to electron-accepting or electron-donating species are transferred to the molecule to be detected from the π-conjugated carbon system of the thin film. It is thought to be due to charge transfer.
【００１６】[0016]
【実施例】シランガスとキシレンガスの混合物を、温度
２００℃でＲＦグロー放電によって分解することによっ
て、光学バンドギャップ３．５ｅＶと３．０ｅＶのａ−
ＳｉＣ薄膜を得た。薄膜形成条件は、周波数１３．５６
ＭＨｚ、ＲＦパワー１０Ｗ、ガス圧０．５５Ｔｏｒｒ、
シランガス流速５ｓｃｃｍ、キシレンガス流速は順に９
ｓｃｃｍおよび１ｓｃｃｍ、キシレン分圧は順に０．６
４および０．１７であり、生成した薄膜の厚さは約１〜
２μｍであった。基板は、電気的および光学的特性測定
用試料にはコーニング製ガラス７０５９を用い、フーリ
エ変換赤外スペクトル測定およびＸ線光電子分光分析用
には結晶シリコンを用いた。EXAMPLE A mixture of silane gas and xylene gas was decomposed by RF glow discharge at a temperature of 200 ° C. to obtain a- with optical band gaps of 3.5 eV and 3.0 eV.
A SiC thin film was obtained. The thin film formation condition is a frequency of 13.56.
MHz, RF power 10 W, gas pressure 0.55 Torr,
Silane gas flow rate 5 sccm, xylene gas flow rate 9 in order
sccm and 1 sccm, xylene partial pressure is 0.6 in order
4 and 0.17, and the thickness of the produced thin film is about 1 to
It was 2 μm. As a substrate, Corning glass 7059 was used as a sample for measuring electrical and optical characteristics, and crystalline silicon was used for Fourier transform infrared spectrum measurement and X-ray photoelectron spectroscopy analysis.
【００１７】図１は３．５ｅＶの光学バンドギャップを
もつ薄膜を、室温でヨウ素気体に連続曝露し、１０分ご
とに測定した可視・紫外線吸収スペクトルを示してい
る。３６０ｎｍに現われる強いピークは曝露時間約４０
分で飽和する。同時に、薄膜の色が無色から黄橙色に変
化する。FIG. 1 shows a visible / ultraviolet absorption spectrum obtained by continuously exposing a thin film having an optical band gap of 3.5 eV to iodine gas at room temperature and measuring every 10 minutes. The strong peak appearing at 360 nm has an exposure time of about 40.
Saturate in minutes. At the same time, the color of the thin film changes from colorless to yellow-orange.
【００１８】図２は光学バンドギャップ３．０ｅＶの薄
膜を、同様に室温でヨウ素気体に連続曝露し、１０分ご
とに測定した可視・紫外線吸収スペクトルを示してい
る。３６０ｎｍに同様なピークが現われるが、こちらは
約６０分後に飽和に達する。ここでも無色から黄橙色へ
と色の変化が見られる。FIG. 2 shows a visible / ultraviolet absorption spectrum of a thin film having an optical band gap of 3.0 eV, which was similarly continuously exposed to iodine gas at room temperature and measured every 10 minutes. A similar peak appears at 360 nm, but it reaches saturation after about 60 minutes. Here too, the color changes from colorless to yellow-orange.
【００１９】図３は光学バンドギャップ３．０ｅＶの薄
膜を、室温でヨウ素気体に曝露した時に生じた導電率
（σ）の変化を示している。導電率は蒸着金電極を用い
て測定した。導電率は曝露前の約１０-14 Ｓ／ｃｍか
ら、２００分間のうちに約１０-4Ｓ／ｃｍへ増大した。
後述する２．６ｅＶおよび３．５ｅＶの光学バンドギャ
ップをもつ薄膜も同様に、ヨウ素気体に曝露するとσ値
の大きな変化を生じる。さらに、ヨウ素の溶液によって
も同様な変化が生じる。FIG. 3 shows the change in conductivity (σ) that occurred when a thin film having an optical band gap of 3.0 eV was exposed to iodine gas at room temperature. The conductivity was measured using a vapor deposition gold electrode. The conductivity increased from about 10 -14 S / cm before exposure to about 10 -4 S / cm in 200 minutes.
Similarly, a thin film having an optical band gap of 2.6 eV and 3.5 eV, which will be described later, also undergoes a large change in σ value when exposed to iodine gas. Furthermore, a similar change occurs with a solution of iodine.
【００２０】上記のような吸収スペクトルと導電率の変
化は、室温で空気中に放置するとゆるやかな可逆性を示
し、真空中で加温すると可逆反応は加速される。このよ
うな変化は、これまでどのようなａ−ＳｉＣについても
報告されていない。The above-mentioned changes in the absorption spectrum and the conductivity show a mild reversibility when left in air at room temperature, and the reversible reaction is accelerated when heated in vacuum. Such changes have not been reported so far for any a-SiC.
【００２１】図４および図５は、キシレンガス分率を
０．６４と０．１６として製造された、光学バンドギャ
ップ３．５ｅＶと２．６ｅＶの薄膜のフーリェ変換赤外
スペクトルを示している。これらの薄膜の炭素含量は、
Ｘ線光電子分光分析で測定すると、ａ−Ｓｉ1-x Ｃx に
おけるＸの値がそれぞれ０．９０と０．４４である。フ
ーリェ変換赤外スペクトルは、これらの薄膜が、従来の
炭素源から製造されたａ−ＳｉＣに通常見られるＳｉＨ
ならびに−ＣＨおよび−ＣＳｉ等の飽和結合以外に、か
なりの量の不飽和結合、すなわち＝ＣＨおよびＣ＝Ｃ等
の芳香族結合およびオレフィン結合を含んでいることを
示している。これらの薄膜中の総結合炭素に対するｓｐ
2 炭素の割合は、フーリェ変換赤外スペクトルのピーク
から約３０％と推定される。このように、これらの薄膜
は共役π電子炭素系と無機Ｓｉ−Ｃ骨格との組合わせを
含むものである。FIGS. 4 and 5 show Fourier transform infrared spectra of thin films having optical band gaps of 3.5 eV and 2.6 eV, produced with xylene gas fractions of 0.64 and 0.16, respectively. The carbon content of these films is
When measured by X-ray photoelectron spectroscopy, the values of X in a-Si 1-x C x are 0.90 and 0.44, respectively. Fourier Transform Infrared Spectra show that these thin films have the SiH normally found in a-SiC made from conventional carbon sources.
And, in addition to saturated bonds such as -CH and -CSi, contain significant amounts of unsaturated bonds, ie aromatic and olefinic bonds such as = CH and C = C. Sp for total bound carbon in these films
The proportion of 2 carbons is estimated to be about 30% from the peak of the Fourier transform infrared spectrum. As such, these thin films include a combination of a conjugated π-electron carbon system and an inorganic Si—C skeleton.
【００２２】ヨウ素気体に曝露した場合に見られる上記
のような変化は、これらの薄膜のπ共役電子系に由来す
る可能性が高く、３６０ｎｍに見られる新しいピークは
π共役炭素系からヨウ素分子への電荷移動によるものと
考えられる。これはａ−ＳｉＣのバンドギャップ内でエ
ネルギーの電荷移動状態を生じ、半導体におけるホール
形成のための活性化エネルギーを減少させ、その結果導
電性が大きくなる。したがって、もし非芳香族炭素源か
ら適当な条件下に、ある程度以上の量のｓｐ2炭素含量
をもつａ−ＳｉＣを作ることができるならば、それも同
様の効果をもつと考えられる。The above-mentioned changes observed when exposed to iodine gas are likely to be derived from the π-conjugated electron system of these thin films, and the new peak at 360 nm changes from the π-conjugated carbon system to the iodine molecule. It is thought that this is due to the charge transfer. This causes a charge transfer state of energy within the band gap of a-SiC, which reduces the activation energy for hole formation in the semiconductor, resulting in increased conductivity. Therefore, if it is possible to produce a-SiC with a certain amount or more of sp 2 carbon content from a non-aromatic carbon source under appropriate conditions, it is considered to have the same effect.
【００２３】[0023]
【発明の効果】上記のように、本発明のケミカルセンサ
ーデバイスによれば、可逆性のある吸着によって、ハロ
ゲン、酸素、塩化水素、二酸化チッ素、一酸化チッ素な
どの電子受容体または水素やアンモニアのような電子供
与体を優れた感度で検出でき、検出の再現性も優れてい
る。As described above, according to the chemical sensor device of the present invention, hydrogen, an electron acceptor such as halogen, oxygen, hydrogen chloride, nitrogen dioxide, and nitrogen monoxide, or hydrogen is absorbed by reversible adsorption. An electron donor such as ammonia can be detected with excellent sensitivity, and detection reproducibility is also excellent.
【図１】３．５ｅＶの光学バンドギャップをもつａ−Ｓ
ｉＣ薄膜を室温でヨウ素の気体に曝露した際の、１０分
毎の可視・紫外線吸収スペクトルである。FIG. 1 aS with an optical bandgap of 3.5 eV
It is a visible / ultraviolet absorption spectrum every 10 minutes when the iC thin film is exposed to iodine gas at room temperature.
【図２】３．０ｅＶの光学バンドギャップをもつａ−Ｓ
ｉＣ薄膜を室温でヨウ素の気体に曝露した際の、１０分
毎の可視・紫外線吸収スペクトルである。FIG. 2 aS having an optical bandgap of 3.0 eV
It is a visible / ultraviolet absorption spectrum every 10 minutes when the iC thin film is exposed to iodine gas at room temperature.
【図３】３．０ｅＶの光学バンドギャップをもつａ−Ｓ
ｉＣ薄膜を室温でヨウ素の気体に曝露したときの導電率
（σ）の経時変化である。FIG. 3 aS having an optical bandgap of 3.0 eV
It is a change with time of electric conductivity (σ) when the iC thin film is exposed to iodine gas at room temperature.
【図４】３．５ｅＶの光学バンドギャップをもつａ−Ｓ
ｉＣ薄膜のフーリエ変換赤外スペクトルである。FIG. 4 is an aS having an optical bandgap of 3.5 eV.
It is a Fourier-transform infrared spectrum of an iC thin film.
【図５】２．６ｅＶの光学バンドギャップをもつａ−Ｓ
ｉＣ薄膜のフーリエ変換赤外スペクトルである。FIG. 5 aS with an optical bandgap of 2.6 eV.
It is a Fourier-transform infrared spectrum of an iC thin film.
Claims (3)
ルファスシリコンカーバイドを用いたケミカルセンサー
デバイス。1. A chemical sensor device using amorphous silicon carbide having an sp 2 carbon content of 5 atomic% or more.
ＳｉＣを用いたケミカルセンサーデバイス。2. An a- produced using an aromatic carbon-containing source.
A chemical sensor device that uses SiC.
以上をモニターする請求項１または２に記載のケミカル
センサーデバイス。3. The chemical sensor device according to claim 1, which monitors at least one of conductivity, spectral characteristics, color, and mass.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34876592A JPH06201590A (en) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | Chemical sensor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34876592A JPH06201590A (en) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | Chemical sensor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06201590A true JPH06201590A (en) | 1994-07-19 |
Family
ID=18399216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34876592A Pending JPH06201590A (en) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | Chemical sensor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06201590A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012117601A1 (en) * | 2011-03-01 | 2012-09-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Carbon-content-percentage acquisition device and carbon-content-percentage acquisition method |
-
1992
- 1992-12-28 JP JP34876592A patent/JPH06201590A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012117601A1 (en) * | 2011-03-01 | 2012-09-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Carbon-content-percentage acquisition device and carbon-content-percentage acquisition method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Watanabe et al. | The synthesis, crystal structure and charge-transport properties of hexacene | |
| Yamada et al. | Photochemical synthesis of pentacene and its derivatives | |
| Yang et al. | Heptagon‐Embedded Pentacene: Synthesis, Structures, and Thin‐Film Transistors of Dibenzo [d, d′] benzo [1, 2‐a: 4, 5‐a′] dicycloheptenes | |
| Shi et al. | Photoelectrical response in single‐layer graphene transistors | |
| Kearns et al. | Electrical properties of organic solids. II. effects of added electron acceptor on metal‐free phthalocyanine | |
| Guo et al. | High‐performance phototransistors based on organic microribbons prepared by a solution self‐assembly process | |
| Inokuchi et al. | Electrical conductivity of organic semiconductors | |
| US7982039B2 (en) | N-type semiconductors and related devices | |
| Gu et al. | Synthesis, molecular packing, and thin film transistors of dibenzo [a, m] rubicenes | |
| Youn et al. | Diperfluorophenyl fused thiophene semiconductors for n‐type organic thin film transistors (OTFTs) | |
| Kim et al. | Highly sensitive phototransistor with crystalline microribbons from new π-extended pyrene derivative via solution-phase self-assembly | |
| Wu et al. | Solution‐Grown Organic Single‐Crystal Field‐Effect Transistors with Ultrahigh Response to Visible‐Blind and Deep UV Signals | |
| Sbargoud et al. | Diindeno [1, 2-b: 2′, 1′-n] perylene: a closed shell related Chichibabin's hydrocarbon, the synthesis, molecular packing, electronic and charge transport properties | |
| Chen et al. | Enhanced chemosensing of ammonia based on the novel molecular semiconductor-doped insulator (MSDI) heterojunctions | |
| Zhao et al. | High‐Performance UV‐Sensitive Organic Phototransistors Based on Benzo [1, 2‐b: 4, 5‐b′] dithiophene Dimers Linked with Unsaturated Bonds | |
| Zheng et al. | Nonlocal response in infrared detector with semiconducting carbon nanotubes and graphdiyne | |
| Gim et al. | Organic dye graphene hybrid structures with spectral color selectivity | |
| Nishi et al. | Evidence for the atmospheric p-type doping of titanyl phthalocyanine thin film by oxygen observed as the change of interfacial electronic structure | |
| Nishi et al. | Oxygen effects on the interfacial electronic structure of titanyl phthalocyanine film: p-Type doping, band bending and Fermi level alignment | |
| Zhang et al. | A centrosymmetric organic semiconductor with donor–acceptor interaction for highly photostable organic transistors | |
| Wan et al. | Junction‐Enhanced Polarization Sensitivity in Self‐Powered Near‐Infrared Photodetectors Based on Sb2Se3 Microbelt/n‐GaN Heterojunction | |
| Bala et al. | Low‐Temperature Plasma‐Assisted Growth of Large‐Area MoS2 for Transparent Phototransistors | |
| Liu et al. | Cation–π interaction assisted molecule attachment and Photocarrier transfer in rhodamine/graphene Heterostructures | |
| Videlot-Ackermann et al. | Environmentally stable organic thin-films transistors: Terminal styryl vs central divinyl benzene building blocks for p-type oligothiophene semiconductors | |
| Lin et al. | Tunable Photoelectric Properties of n‐Type Semiconducting Polymer: Small Molecule Blends for Red Light Sensing Phototransistors |