JPH06201533A - Method and device for evaluating wafer end face strength - Google Patents
Method and device for evaluating wafer end face strengthInfo
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Devices, Machine Parts, Or Other Structures Thereof (AREA)
- Investigating Strength Of Materials By Application Of Mechanical Stress (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウェーハの端
面強度の評価方法及び装置に係り、ボックス内に固定し
たウェーハ端面に例えばＳｉＣセラミックス製ピンを一
定の衝撃力で衝突させて、カケ、ワレを検出するまでの
衝突回数あるいは発生したパーティクル数をカウントす
ることにより、簡単な操作で短時間で確実かつ正確なウ
ェーハ端面の強度を評価することが可能なウェーハ端面
強度評価方法とその装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for evaluating the end face strength of a semiconductor wafer. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a wafer edge surface strength evaluation method and apparatus capable of reliably and accurately evaluating the strength of a wafer edge surface in a short time by a simple operation by counting the number of collisions or the number of generated particles until the detection.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体ウェーハは、インゴットから切り
出された後、洗浄や鏡面研磨、さらに酸化膜の形成や鏡
面研磨等の種々のプロセスを経て、所要特性を有する半
導体ウェーハに形成される。例えば、洗浄時や搬送時に
キャリアケース内周面に当接したり、上記の鏡面研磨時
にはウェーハの端面がホルダー内周面に当接したりする
が、端面強度が不足すると端面のカケ、ワレの発生、パ
ーティクルの発生による汚染等の問題を生じる。2. Description of the Related Art A semiconductor wafer is cut out from an ingot and then subjected to various processes such as cleaning, mirror polishing, oxide film formation and mirror polishing to form a semiconductor wafer having desired characteristics. For example, during cleaning or during transport, it may come into contact with the inner peripheral surface of the carrier case, or at the time of mirror-polishing, the end surface of the wafer may come into contact with the inner peripheral surface of the holder, but if the end surface strength is insufficient, the end surface may crack or crack. This causes problems such as contamination due to the generation of particles.
【０００３】半導体ウェーハの端面は、面取りにより強
度が向上するが、端面の面取り形状、その表面粗さ及び
蓄積した歪により、強度の向上差が大変大きいことが知
られている。また、上記の如く各プロセスにより、キズ
などが発生すると端面の強度変化が起こることが知られ
ている。The strength of the end face of a semiconductor wafer is improved by chamfering, but it is known that the difference in improvement in strength is very large due to the chamfered shape of the end face, its surface roughness and accumulated strain. Further, it is known that the strength of the end face changes when scratches or the like occur due to each process as described above.
【０００４】従って、半導体ウェーハが受ける各種プロ
セスに応じて、要求される端面強度を得るために適切な
面取りを施す必要があり、また、面取りにより得られた
端面強度の評価を事前にかつ正確に行っておく必要があ
る。かかる端面強度の評価として一般的には、一定の衝
撃を与えたときに発生する、端面のカケ、ワレもしく
は、発生するパーティクルの２種類が用いられる。Therefore, it is necessary to appropriately chamfer in order to obtain the required end face strength according to various processes that the semiconductor wafer undergoes, and to evaluate the end face strength obtained by the chamfering beforehand and accurately. I need to go. As the evaluation of the strength of the end surface, generally, two kinds of particles, that is, chipping, cracking of the end surface or particles generated when a constant impact is applied, are used.
【０００５】端面のカケ、ワレを検出する方法として、
図２に示す如く、一定の傾斜角をもった板上をすべら
せ、ＳｉＣセラミックスのようなピンに衝突させカケ、
ワレが、発生するまでの回数をカウントする方法があ
る。また、図３に示す如く、一定の距離からＳｉＣセラ
ミックスのピン上にウェーハを落下させ、その直下にモ
ニターウェーハを置き、ウェーハ端面より発生したパー
ティクルをモニターウェーハ上に落下させ、そのウェー
ハ上のパーティクルを面検機で測定する方法がある。As a method for detecting cracks and cracks on the end surface,
As shown in FIG. 2, slide on a plate having a constant inclination angle, and collide with a pin such as SiC ceramics, causing chipping,
There is a method of counting the number of times until cracks occur. Further, as shown in FIG. 3, a wafer is dropped on a pin of SiC ceramics from a certain distance, a monitor wafer is placed immediately below the pin, particles generated from the end face of the wafer are dropped on the monitor wafer, and particles on the wafer are dropped. There is a method of measuring with a surface inspection machine.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】端面のカケ、ワレを検
出する方法には、 １）ウェーハが板上を滑るために、ピンに当たるウェー
ハの箇所が一定しない、 ２）１回滑らせると、ピンでバウンドして、数回当たっ
てしまう、 ３）毎回、人の手で所定の位置まで動かすため、手間が
かかる、 ４）ウェーハの自重により、衝撃力が変化するという種
々の問題がある。 従って、端面の面取り形状、その表面粗さ及び蓄積した
歪により、強度の向上差があるとされているが、上記理
由により評価のばらつきが極めて大きく、正確に評価す
ることができない。The methods for detecting chipping and cracks on the end surface are as follows: 1) the wafer slides on the plate, so that the position of the wafer that hits the pin is not constant; There are various problems that it bounces and hits several times, 3) it takes time to move it to a predetermined position with a human hand every time, and 4) the impact force changes due to the weight of the wafer. Therefore, it is said that there is a difference in improvement in strength due to the chamfered shape of the end face, its surface roughness, and accumulated strain, but due to the above reasons, the variation in evaluation is so large that accurate evaluation cannot be performed.
【０００７】また、発生するパーティクル数をカウント
する方法は、 ａ）モニターウェーハが評価するウェーハと同じ枚数が
必要、 ｂ）パーティクルの落下付着したウェーハを面検機まで
移動させるため、時間がかかり信頼性が低い、 ｃ）ウェーハの自重により、衝撃力が変化するという種
々の問題があり、上述の如く、評価のばらつきが極めて
大きく、正確に評価することができない。The method for counting the number of particles generated is as follows: a) The number of wafers to be evaluated is the same as the number of wafers to be evaluated. B) Dropped and adhered particles are moved to a surface inspection machine, which is time-consuming and reliable. There are various problems that the impact force changes due to the self-weight of the wafer, and as described above, the variations in evaluation are extremely large, and accurate evaluation cannot be performed.
【０００８】この発明は、端面のカケ、ワレを検出する
方法及び発生するパーティクル数をカウントするウェー
ハ端面の強度評価方法の上記問題を解消し、簡単な操作
で短時間で確実かつ正確なウェーハ端面の強度を評価す
ることが可能なウェーハ端面強度評価方法とその装置の
提供を目的としている。The present invention solves the above problems of the method for detecting chipping and cracks on the edge surface and the method for evaluating the strength of the edge surface of the wafer for counting the number of generated particles, and it is a simple operation for a reliable and accurate wafer edge surface in a short time. It is an object of the present invention to provide a wafer edge surface strength evaluation method and apparatus capable of evaluating the strength of a wafer.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】この発明は、ボックス内
に固定したウェーハ端面に硬質ピンを一定の衝撃力で衝
突させ、衝突部にカケ、ワレを検出センサーにより検出
するまで該衝突を繰り返し、検出と同時に停止してそれ
までの衝突回数により、ウェーハ端面の強度を評価する
ことを特徴とするウェーハ端面強度評価方法である。According to the present invention, a hard pin is made to collide with a wafer end face fixed in a box by a constant impact force, and the collision is repeated until a chip or crack is detected by a detection sensor, This is a wafer edge surface strength evaluation method characterized in that the strength of the wafer edge surface is evaluated by stopping at the same time as the detection and by the number of collisions up to that point.
【００１０】第２の発明は、ボックス内に固定したウェ
ーハ端面に硬質ピンを一定の衝撃力で衝突させるに際
し、硬質ピンとウェーハの衝突部下方にパーティクルカ
ウンターのノズルを設置し、所定回数の衝突間に発生し
たパーティクル数をカウントし、ウェーハ端面の強度を
評価することを特徴とするウェーハ端面強度評価方法で
ある。According to a second aspect of the present invention, when a hard pin is made to collide with an end surface of a wafer fixed in a box with a constant impact force, a nozzle of a particle counter is installed below a collision portion between the hard pin and the wafer, and a predetermined number of collisions are performed. It is a method for evaluating the strength of a wafer end surface, which is characterized by counting the number of particles generated in the wafer and evaluating the strength of the wafer end surface.
【００１１】第３の発明は、密閉可能なボックス内にウ
ェーハを固定する載置台を配設し、ボックス外に配置し
たモーター駆動のカムに当接しかつ圧縮バネにて付勢し
たシャフトの他端側をボックスを貫通して往復直線移動
可能に配置し、シャフトのボックス内先端を硬質ピンを
固着して、ボックス内に固定したウェーハ端面に硬質ピ
ンを一定の衝撃力で間欠衝突可能にした構成からなり、
ボックス内に該衝突部のカケ、ワレを検出する検出セン
サーと該衝突部下方にパーティクル捕集用ダクトを設置
したことを特徴とするウェーハ端面強度評価装置であ
る。According to a third aspect of the present invention, a mounting table for fixing a wafer is arranged in a hermetically sealed box, and the other end of a shaft is in contact with a motor-driven cam arranged outside the box and is urged by a compression spring. Arranged so that it can reciprocate linearly through the box, the tip of the shaft inside the box is fixed with a hard pin, and the hard pin can intermittently collide with the wafer end face fixed in the box with a constant impact force. Consists of
The wafer edge surface strength evaluation device is characterized in that a detection sensor for detecting chipping and cracks in the collision portion and a particle collecting duct are installed below the collision portion in the box.
【００１２】この発明において、ウェーハを固定する方
法としては特に限定しないが、ボックス内で可動部が少
なく、パーティクル等を発生させない構成が望ましく、
実施例に示すバキューム法等が最も好ましい。In the present invention, the method of fixing the wafer is not particularly limited, but it is desirable that the number of movable parts in the box is small and particles are not generated.
The vacuum method and the like shown in the examples are the most preferable.
【００１３】この発明において、ウェーハを固定して一
定の衝撃力で硬質ピンを衝突させることが最も重要であ
り、硬質ピンを機械的に保持して可動にする機械機構に
は、ハンマー型、シャフト直動型等、公知の機械機構を
採用することができるが、ボックス内に配置する機械作
動部が少なく、パーティクル等を発生させない構成が望
ましく、実施例に示すボックス外に配置したモーター駆
動のカムに当接しかつ圧縮バネにて付勢したシャフトの
他端側をボックスを貫通して往復直線移動可能にする構
成が好ましい。また、硬質ピンの材質は、ウェーハより
硬質であれば、いずれの金属やセミックスでも適用可能
であるが、ＳｉＣセラミックス製ピンが確実かつ正確な
強度評価に最適である。In the present invention, it is most important to fix the wafer and allow the hard pins to collide with a constant impact force. The mechanical mechanism for mechanically holding and moving the hard pins includes a hammer type and a shaft. Although a known mechanical mechanism such as a direct-acting type can be adopted, it is desirable to have a configuration that does not generate particles and the like because there are few mechanical operating parts arranged in the box, and a motor-driven cam arranged outside the box shown in the embodiment It is preferable that the other end side of the shaft that is in contact with and is urged by the compression spring penetrates the box and can reciprocate linearly. Further, as long as the material of the hard pin is harder than the wafer, any metal or semix can be applied, but the SiC ceramic pin is most suitable for reliable and accurate strength evaluation.
【００１４】この発明によるウェーハ端面強度評価装置
の一構成例を図面に基づいて詳述する。図１のＡはこの
発明によるウェーハ端面強度評価装置の正面説明図、Ｂ
は同上面説明図である。基台１上にウェーハスタンド２
を立設し、これを覆う如く密閉ボックス３を形成してあ
り、ウェーハスタンド２の上面に吸引孔が配置され、同
吸引孔が密閉ボックス３外の真空チャックと配管接続さ
れ、載置したウェーハ４をバキューム吸着する構成から
なる。A structural example of the wafer edge surface strength evaluation apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. 1A is a front explanatory view of a wafer edge surface strength evaluation apparatus according to the present invention, B
FIG. 3 is an explanatory view of the same top surface. Wafer stand 2 on base 1
And a closed box 3 is formed so as to cover the wafer. A suction hole is arranged on the upper surface of the wafer stand 2, and the suction hole is pipe-connected to a vacuum chuck outside the closed box 3 to mount the wafer on the wafer. 4 is vacuum-adsorbed.
【００１５】また、基台１上にはモーター５が駆動軸６
を垂直にして配置され、駆動軸６には偏心カム部材７が
装着され、また基台１上に立設された一対のシャフトス
タンド８，９に駆動用シャフト１０が水平移動可能に支
持されて、駆動用シャフト１０の中央部に固着したブロ
ック１１とシャフトスタンド８間に押圧バネ１２を配置
してブロック１１が前記カム部材７に当接可能にしてあ
る。On the base 1, a motor 5 is provided with a drive shaft 6
Is arranged vertically, the eccentric cam member 7 is mounted on the drive shaft 6, and the drive shaft 10 is supported by a pair of shaft stands 8 and 9 erected on the base 1 so as to be horizontally movable. A pressing spring 12 is arranged between the block 11 fixed to the central portion of the drive shaft 10 and the shaft stand 8 so that the block 11 can come into contact with the cam member 7.
【００１６】さらに、駆動用シャフト１０の密閉ボック
ス２側先端部にもブロック１３が固着されて、この上部
にピン保持用シャフト１４が水平に装着してあり、シャ
フト先端は密閉ボックス２の側壁を貫通して、上記のウ
ェーハスタンド２に載置したウェーハ４の端面に直径方
向から当接可能に配置してある。またブロック１３の下
方にはフォトマイクロスイッチ１５が配置してあり、ブ
ロック１３の近接をカウントする構成である。また、密
閉ボックス２外でピン保持用シャフト１４には戻しバネ
１６が巻回配置してあり、シャフト先端にはＳｉＣセラ
ミックス製ピン１７が固着してある。Further, a block 13 is fixed to the tip end of the drive shaft 10 on the side of the closed box 2, and a pin holding shaft 14 is horizontally mounted on the upper portion of the block 13. It is arranged so as to penetrate therethrough and come into contact with the end surface of the wafer 4 placed on the wafer stand 2 in the diametrical direction. A photo micro switch 15 is arranged below the block 13 to count the proximity of the block 13. A return spring 16 is wound around the pin holding shaft 14 outside the closed box 2, and a pin 17 made of SiC ceramics is fixed to the tip of the shaft.
【００１７】密閉ボックス２内にはウェーハスタンド２
に載置したウェーハ４の所定の衝突予定端面とこれに対
向配置してあるピン保持用シャフト１４のピン１７との
下方にパーティクル捕集用ダクト１８を設置して、外部
のパーティクルカウンターからの吸引配管と接続してあ
る。さらに、ウェーハ４の衝突予定端面にレーザー光が
到達するように、密閉ボックス２内の一方側面にレーザ
ー透過型センサーの投光器１９が配置され、その対向内
側面に受光器２０を配置して、検出センサーを構成して
ある。A wafer stand 2 is provided in the closed box 2.
A particle collecting duct 18 is installed below a predetermined collision end face of the wafer 4 placed on the wafer 4 and a pin 17 of a pin holding shaft 14 arranged opposite to the end face, and suction from an external particle counter is performed. It is connected to piping. Further, a projector 19 of a laser transmission type sensor is arranged on one side surface of the closed box 2 and a light receiver 20 is arranged on the opposite inner side surface thereof so that the laser light reaches the end surface of the wafer 4 to be collided for detection. The sensor is configured.
【００１７】上述の構成において、モーター５の回転で
偏心カム部材７がブロック１１を押して図で左行きし押
圧バネ１２を圧縮するが、カム部材７の当接が外れると
押圧バネ１２により駆動用シャフト１０及びピン保持用
シャフト１４が図で右行きし、所定の圧力でピン保持用
シャフト１４のピン１７がウェーハ４の衝突予定端面に
衝突し、この際、戻しバネ１６が作用してピン保持用シ
ャフト１４及び駆動用シャフト１０が図で左行きし始め
ると、再びカム部材７がブロック１１を押して行くた
め、ピン１７は一定間隔で一定の衝突力でウェーハ４の
衝突予定端面に衝突することができ、その回数はブロッ
ク１３の近接を検知するフォトマイクロスイッチ１５で
カウントすることができる。In the above-described structure, the rotation of the motor 5 causes the eccentric cam member 7 to push the block 11 to the left in the figure to compress the pressing spring 12, but when the cam member 7 is disengaged, the pressing spring 12 drives it. The shaft 10 and the pin holding shaft 14 go to the right in the figure, and the pin 17 of the pin holding shaft 14 collides with the end surface of the wafer 4 that is supposed to collide with a predetermined pressure. At this time, the return spring 16 acts to hold the pin. When the drive shaft 14 and the drive shaft 10 start moving to the left in the figure, the cam member 7 pushes the block 11 again, so that the pin 17 collides with the collision end face of the wafer 4 with a constant collision force at constant intervals. The photomicro switch 15 for detecting the proximity of the block 13 can count the number of times.
【００１８】また、一対の投光器１９と受光器２０から
なるレーザー透過型検出センサーで、ウェーハ衝突部に
カケ、ワレを検出でき、検出すると同時にモーター５を
停止させるように制御器を設定すると良い。さらに、ピ
ン１７の衝突により発生したパーティクルは、パーティ
クル捕集用ダクト１８から外部のパーティクルカウンタ
ーへ移送されて、そのパーティクル数をカウントする。Further, it is preferable that the laser transmission type detection sensor consisting of a pair of light projector 19 and light receiver 20 can detect a crack or a crack on the wafer collision portion, and the controller should be set so as to stop the motor 5 at the same time. Further, the particles generated by the collision of the pin 17 are transferred from the particle collecting duct 18 to an external particle counter, and the number of particles is counted.
【００１９】[0019]
【作用】この発明は、ボックス内にウェーハを固定し、
モーター駆動によりＳｉＣセラミックスのピンをウェー
ハ端面に衝突させ、その回数をカウントし、検出センサ
ーにより、ウェーハ衝突部にカケ、ワレを検出すると同
時に停止し、その時カウンターも停止することと、ピン
とウェーハの衝突部下にパーティクルカウンターと接続
したパーーティクル捕集用ダクトを設置し、カウンター
により設定した回数衝突させ、その時、発生したパーテ
ィクル数をカウントすることを特徴とし、以下の作用、
効果を奏する。 Ａ）ウェーハを固定し、一定の衝撃力で硬質ピンを衝突
させることにより、ウェーハ自重による影響を受けず、 Ｂ）ウェーハを固定するため、一定箇所に衝撃を与える
ことが可能となり、 Ｃ）駆動部に圧縮バネを取りつけてモーター駆動するこ
とで、ピンとウェーハがバウンドすることを防止でき、
正確な強度評価を行うことができる。 Ｄ）ウェーハ端面にピンを衝突させて、カケ、ワレなど
が発生する回数をカウントすることにより、確実にかつ
正確な強度評価を行うことができ、工数の低減、省力化
が達成できる。 Ｅ）ウェーハ端面にスピンを衝突させてパーティクルを
が発生させ、ボックス内にパーティクルカウンターのノ
ズルを配置しており、そのパーティクルを容易にカウン
トすることが可能で、確実にかつ正確な強度評価を行う
ことができ、工数の低減、省力化が達成できる。The present invention fixes the wafer in the box,
The pins of the SiC ceramics are made to collide with the end surface of the wafer by the motor drive, the number of times is counted, and the detection sensor detects any cracks or cracks in the wafer collision part and at the same time it stops, and at that time the counter also stops and the collision of the pin and the wafer. A particle collection duct connected to a subordinate particle counter is installed, and the counter is made to collide for a number of times set, and at that time, the number of generated particles is counted, and the following action is taken.
Produce an effect. A) The wafer is fixed and the hard pins are collided with a constant impact force so that it is not affected by the weight of the wafer. B) The wafer is fixed, so it is possible to give an impact to a certain point, and C) Drive. By attaching a compression spring to the part and driving the motor, it is possible to prevent the pins and the wafer from bouncing.
Accurate strength evaluation can be performed. D) By colliding a pin with the end surface of the wafer and counting the number of times chipping, cracking, etc. occur, it is possible to perform reliable and accurate strength evaluation, and reduce man-hours and save labor. E) Particles are generated by causing spin to collide with the wafer end surface, and a particle counter nozzle is arranged in the box. It is possible to easily count the particles and perform reliable and accurate strength evaluation. It is possible to reduce man-hours and save labor.
【００２１】[0021]
実施例１ 前述した図１のウェーハ端面強度評価装置を用い、６イ
ンチシリコンウェーハをバキュームで固定し、ＳｉＣセ
ラミックス製ピンでウェーハ端面に強さ２０ｇで１分間
に１２０回衝突させ、衝突部にカケ、ワレを検出するま
での回数をカウントし、端面形状のちがうウェーハ３種
類を評価して表１に示す結果が得られた。図２に示す従
来方法でも同様の試験を行い、端面形状のちがうウェー
ハ３種類を評価した結果を表１に示す。なお、端面形状
は、端面の両エッジ部をテーパーさせたテーパー型、端
面の両エッジ部をテーパーさせかつテーパー間を丸めた
テーパーラウンド型、端面全体を丸めたフルラウンド型
の３種である。Example 1 Using the wafer edge strength evaluation apparatus of FIG. 1 described above, a 6-inch silicon wafer was fixed by vacuum, and a SiC ceramic pin was made to collide with the wafer edge 120 times at a strength of 20 g for 120 times per minute, and the collision part was cracked. , The number of times until the crack was detected was counted, and three types of wafers having different end face shapes were evaluated, and the results shown in Table 1 were obtained. Table 1 shows the results of performing the same test with the conventional method shown in FIG. 2 and evaluating three types of wafers having different end face shapes. There are three types of end face shapes: a taper type in which both edge parts of the end face are tapered, a taper round type in which both edge parts of the end face are tapered and the interval between the tapers is rounded, and a full round type in which the entire end face is rounded.
【００２２】[0022]
【表１】 [Table 1]
【００２３】実施例２ 前述した図１のウェーハ端面強度評価装置を用い、６イ
ンチシリコンウェーハをバキュームで固定し、ＳｉＣの
ピンでウェーハ端面に強さ２０ｇで一回衝突させ、その
時発生したパーティクル数をカウントし、端面の粗さの
違うウェーハを３種類評価した。表２のような結果が得
られた。図３に示す従来方法でも同様の試験を行い、端
面形状の違うウェーハ３種類を評価した結果を表２に示
す。Example 2 Using the wafer edge surface strength evaluation apparatus of FIG. 1 described above, a 6-inch silicon wafer was fixed with a vacuum, and a SiC pin was made to collide with the wafer edge surface once with a strength of 20 g, and the number of particles generated at that time Was counted, and three types of wafers having different end surface roughness were evaluated. The results shown in Table 2 were obtained. Table 2 shows the results of the same test conducted by the conventional method shown in FIG. 3 and the evaluation of three types of wafers having different end face shapes.
【００２４】[0024]
【表２】 [Table 2]
【００２５】[0025]
【発明の効果】この発明による半導体ウェーハの端面強
度の評価方法及び装置は、ボックス内に固定したウェー
ハ端面に例えばＳｉＣセラミックス製ピンを一定の衝撃
力で衝突させて、カケ、ワレを検出するまでの衝突回数
あるいは発生したパーティクル数をカウントすることに
より、実施例に明らかな如く、端面形状、表面粗さの違
いによる端面強度の差の評価がウェーハ自重の影響を受
けず、かつバラツキが小さく、正確な評価できるように
なった。また、従来方法や装置に比較し、評価時間が１
／４〜１／６で行えるようになった。さらに、この発明
により簡単な操作で短時間で確実かつ正確なウェーハ端
面の強度を評価することが可能になったため、半導体ウ
ェーハが受ける各種プロセスに応じて、要求される端面
強度を得るのに最適な面取り形状や表面粗さなどを予め
評価しておくことができ、各ウェーハに最適な面取り施
すことにより、プロセス中のパーティクル発生を著しく
低減できる。The method and apparatus for evaluating the strength of the end surface of a semiconductor wafer according to the present invention is applied until a chip or a crack is detected by causing a pin made of SiC ceramics to collide with the end surface of a wafer fixed in a box with a constant impact force. By counting the number of collisions or the number of generated particles, as is clear from the examples, the end surface shape, the evaluation of the difference in the end surface strength due to the difference in the surface roughness is not affected by the weight of the wafer, and the variation is small. It became possible to make an accurate evaluation. In addition, compared to conventional methods and devices, the evaluation time is 1
It became possible to do it from / 4 to 1/6. Furthermore, since the present invention makes it possible to evaluate the strength of the wafer edge surface reliably and accurately in a short time with a simple operation, it is optimal for obtaining the required edge strength according to various processes that the semiconductor wafer undergoes. The chamfered shape and surface roughness can be evaluated in advance. By optimally chamfering each wafer, generation of particles during the process can be significantly reduced.
【図１】Ａはこの発明によるウェーハ端面強度評価装置
の上面説明図であり、Ｂはその正面説明図である。FIG. 1A is a top explanatory view of a wafer edge surface strength evaluation device according to the present invention, and B is a front explanatory view thereof.
【図２】従来の端面のカケ、ワレを検出する方法に使用
する装置例の斜視説明図である。FIG. 2 is a perspective explanatory view of an example of an apparatus used in a conventional method for detecting chipping and cracks on an end face.
【図３】従来の発生するパーティクル数をカウントする
方法に使用する装置例の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of an example of a device used in a conventional method for counting the number of particles generated.
１ 基台 ２ ウェーハスタンド ３ 密閉ボックス ４ ウェーハ ５ モーター ６ 駆動軸 ７ 偏心カム部材 ８，９ シャフトスタンド １０ 駆動用シャフト １１，１３ ブロック １２ 押圧バネ １４ ピン保持用シャフト １５ フォトマイクロスイッチ １６ 戻しバネ １７ ピン １８ パーティクル捕集用ダクト １９ 投光器 ２０ 受光器 1 Base 2 Wafer Stand 3 Sealing Box 4 Wafer 5 Motor 6 Drive Shaft 7 Eccentric Cam Member 8, 9 Shaft Stand 10 Drive Shaft 11, 13 Block 12 Pressing Spring 14 Pin Holding Shaft 15 Photomicro Switch 16 Return Spring 17 Pin 18 Particle collecting duct 19 Emitter 20 Light receiver
Claims (3)
質ピンを一定の衝撃力で衝突させ、衝突部にカケ、ワレ
を検出センサーにより検出するまで該衝突を繰り返し、
検出と同時に停止してそれまでの衝突回数により、ウェ
ーハ端面の強度を評価することを特徴とするウェーハ端
面強度評価方法。1. A hard pin is made to collide with an end face of a wafer fixed in a box with a constant impact force, and the collision is repeated until a crack or a crack is detected by a detection sensor at the collision portion,
A method for evaluating the strength of a wafer end surface, which comprises simultaneously stopping the detection and evaluating the strength of the wafer end surface based on the number of collisions up to that time.
質ピンを一定の衝撃力で衝突させるに際し、該ピンとウ
ェーハの衝突部下方にパーティクルカウンターのノズル
を設置し、所定回数の衝突間に発生したパーティクル数
をカウントし、ウェーハ端面の強度を評価することを特
徴とするウェーハ端面強度評価方法。2. When a hard pin is made to collide with a wafer end face fixed in a box with a constant impact force, a nozzle of a particle counter is installed below the collision portion between the pin and the wafer, and particles generated during a predetermined number of collisions. A method for evaluating the strength of a wafer end surface, which comprises counting the number and evaluating the strength of the wafer end surface.
する載置台を配設し、ボックス外に配置したモーター駆
動のカムに当接しかつ圧縮バネにて付勢したシャフトの
他端側をボックスを貫通して往復直線移動可能に配置
し、シャフトのボックス内先端を硬質ピンを固着して、
ボックス内に固定したウェーハ端面に硬質ピンを一定の
衝撃力で間欠衝突可能にした構成からなり、ボックス内
に該衝突部のカケ、ワレを検出する検出センサーと該衝
突部下方にパーティクル捕集用ダクトを設置したことを
特徴とするウェーハ端面強度評価装置。3. A mounting table for fixing a wafer is provided in a hermetically sealed box, and the other end of a shaft which is in contact with a motor-driven cam arranged outside the box and is urged by a compression spring is attached to the box. It is arranged so that it can reciprocate linearly through it, and a hard pin is fixed to the tip of the shaft inside the box,
It consists of a hard pin that can intermittently collide with the wafer end face fixed in the box with a constant impact force, a detection sensor to detect chipping and cracks in the collision part inside the box, and a particle collection below the collision part A wafer end face strength evaluation device characterized in that a duct is installed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35819892A JPH06201533A (en) | 1992-12-26 | 1992-12-26 | Method and device for evaluating wafer end face strength |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35819892A JPH06201533A (en) | 1992-12-26 | 1992-12-26 | Method and device for evaluating wafer end face strength |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06201533A true JPH06201533A (en) | 1994-07-19 |
Family
ID=18458040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35819892A Pending JPH06201533A (en) | 1992-12-26 | 1992-12-26 | Method and device for evaluating wafer end face strength |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06201533A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010230646A (en) * | 2009-03-04 | 2010-10-14 | Avanstrate Inc | Method and device for measuring particle-on-glass plate end face |
| JP2010283151A (en) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Evaluation device for semiconductor wafer |
| JP2011027430A (en) * | 2009-07-21 | 2011-02-10 | Sumco Corp | Instrument and method for measuring mechanical strength of silicon wafer |
| US10605782B2 (en) | 2016-04-08 | 2020-03-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Wedge tapping device for rotating electrical machine, wedge inspection system for rotating electrical machine and wedge tapping method for rotating electrical machine |
-
1992
- 1992-12-26 JP JP35819892A patent/JPH06201533A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010230646A (en) * | 2009-03-04 | 2010-10-14 | Avanstrate Inc | Method and device for measuring particle-on-glass plate end face |
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| JP2011027430A (en) * | 2009-07-21 | 2011-02-10 | Sumco Corp | Instrument and method for measuring mechanical strength of silicon wafer |
| US10605782B2 (en) | 2016-04-08 | 2020-03-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Wedge tapping device for rotating electrical machine, wedge inspection system for rotating electrical machine and wedge tapping method for rotating electrical machine |
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