JPH06184747A - Gas gate and vacuum treatment device having this gate - Google Patents
Gas gate and vacuum treatment device having this gateInfo
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- JPH06184747A JPH06184747A JP34076292A JP34076292A JPH06184747A JP H06184747 A JPH06184747 A JP H06184747A JP 34076292 A JP34076292 A JP 34076292A JP 34076292 A JP34076292 A JP 34076292A JP H06184747 A JPH06184747 A JP H06184747A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ガスゲートおよび該ガ
スゲートを備えた真空処理装置に関し、特にシート状基
体に連続的に膜を形成する成膜装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas gate and a vacuum processing apparatus equipped with the gas gate, and more particularly to a film forming apparatus for continuously forming a film on a sheet-shaped substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、真空処理装置として、例えばスル
ー方式の成膜装置において、真空処理室をスリット状の
分離通路によって分離し、さらに、該分離通路内に分離
用ガス（掃気用ガス）を流し込む、または排気手段を設
けることにより、隣り合う真空処理室の圧力変動及びガ
スの混入によるコンタミの発生を防ぐ構造をとってい
る。しかし、この構造のものは、分離用ガスの流量や排
気量を調整して分離性を得るしかなく、十分な分離性が
得られなくなることがあるため、ガスゲートを交換する
ことで、スリット状の分離通路の長さを長くしたり、開
口を狭くしたりすることによって、コンダクタンスを変
更させている。2. Description of the Related Art Conventionally, as a vacuum processing apparatus, for example, in a through type film forming apparatus, a vacuum processing chamber is separated by a slit-shaped separation passage, and a separation gas (scavenging gas) is further provided in the separation passage. The structure is provided to prevent the occurrence of contamination due to pressure fluctuations and admixture of gas in the adjacent vacuum processing chambers by pouring in or providing an exhaust means. However, in the case of this structure, there is no choice but to obtain the separability by adjusting the flow rate and the exhaust amount of the separation gas, and there is a case where sufficient separability cannot be obtained. The conductance is changed by increasing the length of the separation passage or narrowing the opening.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術のものは、コストが嵩む上、成膜の条件変更等の
際に、コンダクタンスを変更するためにガスゲートを交
換するという対応が困難であり、また、ガスゲートを安
全上オーバースペックな仕様で設計する必要がある。さ
らに、分離通路が常時開放されて、真空処理室間が分離
通路で常時連通されているため、真空処理室の修理及び
調整や、基体及びターゲットの交換の度に装置全体が大
気に開放されてしまい、再始動時の立ち上げに時間がか
かるという問題点もある。However, in the above-mentioned prior art, in addition to the increase in cost, it is difficult to replace the gas gate in order to change the conductance when changing the film forming conditions, In addition, it is necessary to design the gas gate with over-specification specifications for safety. Further, since the separation passage is always open and the vacuum processing chambers are constantly communicated with each other by the separation passage, the entire apparatus is opened to the atmosphere each time the vacuum processing chamber is repaired or adjusted, or the substrate and the target are replaced. There is also a problem that it takes time to start up when restarting.
【０００４】本発明は、上記従来技術の有する問題点に
鑑みてなされたものであり、隣り合う真空チャンバー間
でのガスの相互混入を効果的に防ぎ、コンパクトで低コ
ストなガスゲートおよび該ガスゲートを用いた真空処理
装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems of the prior art, and it is possible to effectively prevent mutual mixing of gases between adjacent vacuum chambers and to provide a compact and low-cost gas gate and a gas gate. An object is to provide a vacuum processing apparatus used.
【０００５】また、本発明の他の目的は、広範囲の条件
下でも優れた分離性能によって所望の分離性が得られ、
さらには、隣り合う真空チャンバーの分離性能の向上を
図ることにより基体及びターゲットの交換や処理室内の
メンテナンス等の際に全装置内を開放することなく、目
的の真空チャンバーのみを大気開放にすれば済む、稼働
率の高い真空処理装置を提供することにある。Another object of the present invention is to obtain a desired separability due to excellent separation performance even under a wide range of conditions.
Further, by improving the separation performance of the adjacent vacuum chambers, it is possible to open only the target vacuum chamber to the atmosphere without opening the inside of the entire device when exchanging the substrate and the target or maintaining the processing chamber. An object is to provide a vacuum processing apparatus that has a high operating rate.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、隣り合う真空チャンバー間を分離用ガスに
より分離する、スリット状の分離通路が形成されたガス
ゲートにおいて、コンダクタンスを任意に変化させるこ
とができるコンダクタンス可変機構を備えたことを特徴
とするものである。According to the present invention for achieving the above object, the conductance is arbitrarily changed in a gas gate having a slit-shaped separation passage for separating adjacent vacuum chambers by a separation gas. It is characterized in that it is provided with a conductance varying mechanism capable of controlling.
【０００７】また、複数の成膜室と、少なくとも１つ
の、隣り合う成膜室を接続する本発明のガスゲートとを
備え、基体を搬送させて前記複数の成膜室を順次通過さ
せ、前記基体上に膜を形成するものである。[0007] A plurality of film forming chambers and at least one gas gate of the present invention for connecting adjacent film forming chambers are provided, and the substrate is transported to sequentially pass through the plurality of film forming chambers. A film is formed on top.
【０００８】さらに、複数の成膜室のうち最上流側の成
膜室に基体を供給するための供給室と、最下流側の成膜
室から基体を取り出すための取り出し室とを備え、前記
供給室及び前記取り出し室の少なくとも１つは、本発明
のガスゲートを介して対応する成膜室に接続されてい
る。Further, a supply chamber for supplying the substrate to the most upstream film forming chamber among the plurality of film forming chambers and a take-out chamber for taking out the substrate from the most downstream film forming chamber are provided. At least one of the supply chamber and the take-out chamber is connected to the corresponding film forming chamber via the gas gate of the present invention.
【０００９】[0009]
【作用】上記のとおり構成された本発明は、隣り合う真
空チャンバーを接続する、スリット状の分離通路が形成
されたガスゲートに、該分離通路のコンダクタンス可変
機構を有するものであり、これを操作して分離通路の開
口面積を変化させることにより、隣り合う真空チャンバ
ー間でのガスの相互混入を効果的に防ぐものである。さ
らは、ガスゲートに内蔵されているコンダクタンス可変
機構を操作して、分離通路を閉じて、目的の真空チャン
バーを隣りの真空チャンバーから分離し、目的の真空チ
ャンバーのみの大気開放もしくは真空放置を可能とし、
メンテナンス等の時間を短縮させ、リーク用ガスを節約
し、装置の稼働率を向上させるものである。According to the present invention constructed as described above, a gas gate having a slit-shaped separation passage for connecting adjacent vacuum chambers has a conductance varying mechanism for the separation passage. By changing the opening area of the separation passage by means of the above, it is possible to effectively prevent mutual mixing of gas between adjacent vacuum chambers. In addition, by operating the conductance variable mechanism built in the gas gate, the separation passage is closed, the target vacuum chamber is separated from the adjacent vacuum chamber, and only the target vacuum chamber can be opened to the atmosphere or left in vacuum. ,
It shortens maintenance time, saves leakage gas, and improves the operating rate of the equipment.
【００１０】[0010]
【実施例】次に、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００１１】図１は本発明の真空処理装置としての、機
能性堆積膜の連続的製造装置の一実施例の構成図ある。FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of an apparatus for continuously producing a functionally deposited film as a vacuum processing apparatus of the present invention.
【００１２】図１に示すように、符号４，６はＲＦプラ
ズマＣＶＤ法による成膜室、符号５はマイクロ波プラズ
マＣＶＤ法による成膜室、符号２，３はそれぞれ帯状基
体１の供給室、巻き取り室（取り出し室）である。複数
の成膜室４，５，６の隣り合う成膜室は、後述する本発
明のガスゲート８，９によってそれぞれ接続され、供給
室２と成膜室４、及び成膜室６と巻き取り室３も本発明
のガスゲート７，１０でそれぞれ接続されている。符号
１は帯状基体であり、供給室２から巻き取り室３に至る
までに３つの成膜室４，５，６を通過して、その表面
に、三層の機能性堆積膜、例えばＰＩＮ構造の太陽電池
用半導体膜が形成される。As shown in FIG. 1, reference numerals 4 and 6 are film forming chambers by the RF plasma CVD method, reference numeral 5 is a film forming chamber by the microwave plasma CVD method, reference numerals 2 and 3 are supply chambers for the strip-shaped substrate 1, respectively. It is a take-up room. Adjacent film forming chambers of the plurality of film forming chambers 4, 5 and 6 are respectively connected by gas gates 8 and 9 of the present invention described later, and the supply chamber 2 and the film forming chamber 4 and the film forming chamber 6 and the winding chamber are connected. 3 are also connected by the gas gates 7 and 10 of the present invention. Reference numeral 1 denotes a strip-shaped substrate, which passes through three film forming chambers 4, 5 and 6 from the supply chamber 2 to the winding chamber 3 and has a three-layer functional deposited film, for example, a PIN structure, on the surface thereof. The semiconductor film for a solar cell is formed.
【００１３】符号４〜６の各成膜室には、帯状基体１を
加熱する加熱ヒーター２２，２３，２４と、不図示のガ
ス供給手段から供給される成膜ガスを成膜室に導入する
ガス導入管２７，２８，２９と、不図示の排気手段によ
り成膜室を排気する排気管１５，１６，１７とがそれぞ
れ設けられている。また、成膜室４，６には成膜ガスに
エネルギーを与えて放電を生起する、ＲＦ電力を供給す
る放電電極２５，２６がそれぞれ設けられ、成膜室５に
はマイクロ波電力を供給する導波管３０が設けられ、成
膜室４，６ではＲＦプラズマＣＶＤ法による膜堆積が、
成膜室５では、マイクロ波ＣＶＤ法による膜堆積が行わ
れる。各ガスゲート７，８，９，１０には分離用ガス導
入管１１，１２，１３，１４から分離用ガス（掃気用ガ
ス）が導入され、該分離用ガスの流れが、隣り合う成膜
室４，５，６での成膜ガスの混入・拡散や成膜室４，６
とその隣りの供給室２，巻き取り室３で間のガスの混入
・拡散を阻止する。また、符号１４ａ，１４ｂは、供給
室２及び巻き取り室３の排気を行う排気管であり、符号
１５，１６，１７，１８ａ，１８ｂは各成膜室４，５，
６及び供給室２及び巻き取り室３内の圧力を計測するた
めの圧力計である。Heaters 22, 23, 24 for heating the strip-shaped substrate 1 and film forming gases supplied from a gas supply means (not shown) are introduced into the film forming chambers 4 to 6, respectively. Gas introducing pipes 27, 28, 29 and exhaust pipes 15, 16, 17 for exhausting the film forming chamber by an exhaust means (not shown) are provided, respectively. Further, the film forming chambers 4 and 6 are respectively provided with discharge electrodes 25 and 26 for supplying RF power which gives energy to the film forming gas to cause discharge, and the film forming chamber 5 is supplied with microwave power. A waveguide 30 is provided, and film deposition by the RF plasma CVD method is performed in the film deposition chambers 4 and 6.
In the film forming chamber 5, film deposition by the microwave CVD method is performed. Separation gas (scavenging gas) is introduced into the gas gates 7, 8, 9, and 10 from the separation gas introduction pipes 11, 12, 13, and 14, and the separation gas flows in the adjacent film forming chambers 4. , 5 and 6 mixing and diffusion of film forming gas and film forming chambers 4 and 6
The mixing and diffusion of the gas between the supply chamber 2 and the winding chamber 3 adjacent to it are prevented. Further, reference numerals 14a and 14b are exhaust pipes for exhausting the supply chamber 2 and the winding chamber 3, and reference numerals 15, 16, 17, 18a and 18b are respective film forming chambers 4, 5, and 5.
6 is a pressure gauge for measuring the pressure inside the supply chamber 2 and the winding chamber 3.
【００１４】次に、本発明のガスゲート７，８，９，１
０について、成膜室４，５間のガスゲート８を例に挙げ
て詳述する。Next, the gas gates 7, 8, 9, 1 of the present invention
No. 0 will be described in detail by taking the gas gate 8 between the film forming chambers 4 and 5 as an example.
【００１５】図２は図１に示した成膜室４，５間のガス
ゲート８の要部拡大断面図であり、分離通路が全開にな
っている状態を示しており、図３は図２のＸ−Ｘ線断面
図であり、図４は図２の詳細を示す拡大斜視図であり、
分離通路がコンダクタンス可変部によって約半分だけ閉
ざされている状態を示しており、図５は図４のコンダク
タンス可変機構の拡大図である。FIG. 2 is an enlarged sectional view of a main part of the gas gate 8 between the film forming chambers 4 and 5 shown in FIG. 1, showing a state in which the separation passage is fully opened, and FIG. 3 is shown in FIG. FIG. 4 is a sectional view taken along line XX, FIG. 4 is an enlarged perspective view showing details of FIG. 2,
FIG. 5 shows a state in which the separation passage is closed by about half by the conductance varying unit, and FIG. 5 is an enlarged view of the conductance varying mechanism of FIG.
【００１６】図２乃至図５に示すように、ガスゲート８
は２つの成膜室４（成膜室５は不図示）に着脱可能に取
り付けられており、ガスゲート８の両端と成膜室４，５
との間にＯリング４２がそれぞれ設けられている。スリ
ット状の分離通路３５内を帯状基体１が通過し、この帯
状基体１は、裏面側より複数のマグネット３３の磁石に
より上部フランジ３１に接触支持される。分離用ガス導
入部３４ａ，３４ｂには分離用ガス導入管１２（図１参
照）が接続される。この分離用ガス導入管１２は、複数
の吐出口１２ｂが形成されたガス吐出部１２ａを有して
いる。上部フランジ３１としては、成膜に適した温度に
加熱された帯状基体１と長時間接触しても熱変形や摩耗
の少ないものとしてアルミナ等のセラミックス、石英等
のガラス、あるいは、これらの複合材料等が挙げられ
る。As shown in FIGS. 2 to 5, the gas gate 8
Is detachably attached to two film forming chambers 4 (the film forming chamber 5 is not shown), and both ends of the gas gate 8 and the film forming chambers 4 and 5 are attached.
O-rings 42 are respectively provided between and. The strip-shaped substrate 1 passes through the slit-shaped separation passage 35, and the strip-shaped substrate 1 is supported in contact with the upper flange 31 by the magnets of the plurality of magnets 33 from the back surface side. A separation gas introduction pipe 12 (see FIG. 1) is connected to the separation gas introduction portions 34a and 34b. The separation gas introduction pipe 12 has a gas discharge portion 12a having a plurality of discharge ports 12b formed therein. As the upper flange 31, ceramics such as alumina, glass such as quartz, or a composite material thereof, which is less likely to be thermally deformed or worn even if it is in contact with the belt-shaped substrate 1 heated to a temperature suitable for film formation for a long time Etc.
【００１７】ガスゲート８の成膜室４側には、分離通路
３５を開閉するコンダクタンス可変機構３６が設けられ
ている。このコンダクタンス可変機構３６は、密封部材
としてのＯリング３９を備えた、支持部３７を介して一
端が下部フランジ３２に固定されたコンダクタンス可変
部３８を備えている。コンダクタンス可変部３８の上端
には回転自在なベアリング４９を介してガイド板４７が
取り付けられている。また、コンダクタンス可変部３８
の上端部下面には、両端がベアリング４０を介して２つ
の円柱部材４６（１つの円柱部材は不図示）に支持され
た棒部材４８か固定されている。２つの円柱部材４６
は、各別のエアシリンダ４４のロッド４５に固着され、
上下移動されて所望の位置に保持され、この際、コンダ
クタンス可変部３８は支持部３７を支点として回動し、
分離通路３５が開閉されて、コンダクタンスを任意に変
化させることができる。図２の状態では、コンダクタン
ス可変部３８は最下方に位置し、分離通路３５が全開状
態となっている状態を示し、図４及び図５の状態では、
コンダクタンス可変部３８は中間部に位置し、分離通路
３５が半開状態となっている状態を示している。エアシ
リンダ４４のロッド４５と下部フランジ３２との間は図
示しないシール材によって密封されている。On the film forming chamber 4 side of the gas gate 8, a conductance variable mechanism 36 for opening and closing the separation passage 35 is provided. The conductance varying mechanism 36 includes a conductance varying portion 38 having an O-ring 39 as a sealing member and one end of which is fixed to the lower flange 32 via a support portion 37. A guide plate 47 is attached to the upper end of the conductance varying unit 38 via a rotatable bearing 49. Further, the conductance varying unit 38
On the lower surface of the upper end of the rod member 48, a bar member 48, whose both ends are supported by two columnar members 46 (one columnar member not shown) via bearings 40, is fixed. Two cylindrical members 46
Is fixed to the rod 45 of each different air cylinder 44,
It is moved up and down and held at a desired position, and at this time, the conductance varying section 38 rotates about the supporting section 37 as a fulcrum,
By opening and closing the separation passage 35, the conductance can be arbitrarily changed. In the state of FIG. 2, the conductance varying unit 38 is located at the lowermost position, and the separation passage 35 is in the fully opened state. In the states of FIGS. 4 and 5,
The conductance variable portion 38 is located in the middle portion, and the separation passage 35 is in a half-opened state. A space between the rod 45 of the air cylinder 44 and the lower flange 32 is sealed by a sealing material (not shown).
【００１８】コンダクタンス可変部３８は板状のアルミ
ニウム板から構成されており、その一面には溝４３が矩
形環状に形成されている。そして、この溝４３には密封
部材としてのＯリング３９がはめ込まれている。図４及
び図５の状態の状態からコンダクタンス可変部３８がさ
らに上方に回動すると、コンダクタンス可変部３８のＯ
リング３９が、上部フランジ３１と下部フランジ３２に
またがって設けられた矩形環状のゴムシート３１ｂに押
し付けられることで、分離通路３５がコンダクタンス可
変部３８によって完全に閉じられる。符号３１ａは上部
フランジ３１の下面に形成された切り欠きである。The conductance varying section 38 is made of a plate-shaped aluminum plate, and a groove 43 is formed in a rectangular ring shape on one surface thereof. An O-ring 39 as a sealing member is fitted in the groove 43. When the conductance varying unit 38 is rotated further upward from the state shown in FIG. 4 and FIG.
When the ring 39 is pressed against the rectangular annular rubber sheet 31b provided over the upper flange 31 and the lower flange 32, the separation passage 35 is completely closed by the conductance varying section 38. Reference numeral 31a is a notch formed on the lower surface of the upper flange 31.
【００１９】本発明のガスゲートは、各成膜室の間、成
膜室と基板の供給室との間、基板の巻き取り室（取り出
し）と成膜室との間に設けられるものであるが、上記実
施例のように、全てのガスゲートに本発明を適用する必
要はなく、本発明のガスゲートを全ての成膜室間のみに
設けたり、所望の各成膜室間のみに設けたり、さらに
は、成膜室と基板の供給室との間のみ、基板の巻き取り
室と成膜室との間のみ、あるいは、それらの組み合せて
もよい。また、上記した成膜装置はロールトゥロール方
式のものであるが、これに限られず、スルー方式の成膜
装置にも本発明を適用できる。The gas gate of the present invention is provided between each film forming chamber, between the film forming chamber and the substrate supply chamber, and between the substrate winding chamber (takeout) and the film forming chamber. It is not necessary to apply the present invention to all gas gates as in the above embodiment, and the gas gates of the present invention may be provided only between all film forming chambers, or only between desired film forming chambers, and May be provided only between the film forming chamber and the substrate supply chamber, only between the substrate winding chamber and the film forming chamber, or a combination thereof. Further, although the above-mentioned film forming apparatus is of a roll-to-roll type, the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to a through-type film forming apparatus.
【００２０】図１乃至図５に示した成膜装置を用い、以
下に示す操作によって帯状基体１上にｎ、ｉ、ｐのアモ
ルファスシリコン膜を連続的に形成した。幅３０ｃｍ、
長さ５０ｍ、厚さ０．２ｍｍのステンレス製の帯状基体
１を、供給室２から巻き出され、３つの成膜室４，５，
６を順次通過して、巻き取り室３で巻き取られるように
セットした。なお、供給室２、各成膜室４，５，６及び
巻き取り室３間を連絡するガスゲート７，８，９，１０
の分離通路３５のスリット高さはすべて３．５ｍｍ、ス
リット部分の長さは４０ｃｍとした。Using the film forming apparatus shown in FIGS. 1 to 5, an amorphous silicon film of n, i and p was continuously formed on the belt-shaped substrate 1 by the following operation. Width 30 cm,
A stainless steel strip-shaped substrate 1 having a length of 50 m and a thickness of 0.2 mm is unwound from a supply chamber 2 and three film forming chambers 4, 5,
It was set so as to be wound up in the winding room 3 after passing through 6 sequentially. In addition, gas gates 7, 8, 9, 10 that connect the supply chamber 2, the film forming chambers 4, 5, 6 and the winding chamber 3 to each other.
The heights of the slits in the separation passage 35 were all 3.5 mm, and the length of the slit portion was 40 cm.
【００２１】次に、各室２，３，４，５，６の真空チャ
ンバーをそれぞれの排気管１４ａ，１５，１６，１７，
１４ｂで十分に排気した後、引き続き排気しながら各成
膜室４，５，６へガス導入管２７，２８，２９から、そ
れぞれの成膜ガスを導入し、圧力計１９，２０，２１を
確認しつつ排気量を調節して各成膜室４，５，６を所定
の圧力に調整した。ガスゲート７，８，９，１０の分離
通路３５には分離用ガスとしてＨ2を流量１００ｓｃｃ
ｍで流しておいた。Next, the vacuum chambers of the chambers 2, 3, 4, 5, 6 are connected to the exhaust pipes 14a, 15, 16, 17, respectively.
After sufficiently exhausting at 14b, while continuously exhausting, introduce the respective film forming gases into the film forming chambers 4, 5, 6 from the gas introducing pipes 27, 28, 29, and check the pressure gauges 19, 20, 21. At the same time, the exhaust amount was adjusted to adjust the film forming chambers 4, 5 and 6 to a predetermined pressure. In the separation passage 35 of the gas gates 7, 8, 9 and 10, H 2 as a separation gas is supplied at a flow rate of 100 sccc.
I washed away with m.
【００２２】加熱ヒーター２２，２３，２４で帯状基体
１の裏面から所定の温度で加熱し、放電電極２５，２６
からＲＦ電力を、導波管３０からマイクロ波電力を導入
して各成膜室４，５，６内にプラズマ放電を生起し、帯
状基体１を一定速度で搬送して帯状基体１上にｎ、ｉ、
ｐ型のアモルファスシリコン膜を連続的に形成した。各
成膜室４，５，６での作製条件を表１に示す。The heaters 22, 23, 24 heat the strip-shaped substrate 1 from the back surface thereof at a predetermined temperature, and the discharge electrodes 25, 26 are heated.
RF power from the waveguide 30 and microwave power from the waveguide 30 to generate plasma discharge in each of the film forming chambers 4, 5 and 6, and the strip-shaped substrate 1 is conveyed at a constant speed to n on the strip-shaped substrate 1. , I,
A p-type amorphous silicon film was continuously formed. Table 1 shows the manufacturing conditions in the film forming chambers 4, 5, and 6.
【００２３】[0023]
【表１】 上記方法で得られたアモルファスシリコン膜を堆積した
帯状基体をロール・ツー・ロール装置から取り出し、９
×３０ｃｍの大きさに切り離し、シングルチャンバーの
真空蒸着装置（不図示）に入れ、真空蒸着法により表２
に示す条件でＩＴＯ透明導電膜を積層し、図６に示す太
陽電池を作製した。図６において、５０は基体、５１は
ｎ型層、５２はｉ型層、５３はｐ型層、５４はＩＴＯ透
明導電膜である。[Table 1] The strip-shaped substrate on which the amorphous silicon film deposited by the above method was taken out from the roll-to-roll apparatus,
Separated into a size of 30 cm, placed in a single-chamber vacuum vapor deposition device (not shown), and vacuum-deposited in Table 2
The ITO transparent conductive films were laminated under the conditions shown in to prepare the solar cell shown in FIG. In FIG. 6, 50 is a base, 51 is an n-type layer, 52 is an i-type layer, 53 is a p-type layer, and 54 is an ITO transparent conductive film.
【００２４】[0024]
【表２】 次に、本発明のガスゲートの分離機能の性能評価の実験
を行ったので、その説明を行う。[Table 2] Next, an experiment of performance evaluation of the separation function of the gas gate of the present invention was conducted, which will be described.
【００２５】（実験例１）図７は、本発明のガスゲート
のガス分離機能の性能を試験する試験装置の模式図であ
る。(Experimental Example 1) FIG. 7 is a schematic view of a test apparatus for testing the performance of the gas separation function of the gas gate of the present invention.
【００２６】第１の真空チャンバー６０及び第２の真空
チャンバー６１はそれぞれ図１に示した成膜室４，５，
６と同様の構成のものであり、各真空チャンバー６０，
６１，の内部には、各ガス導入部６６，６８からそれぞ
れ試験ガスが導入され、各試験ガスは各排気口６５，６
７から排出される。各真空チャンバ−６０，６１は、本
発明のガスゲート６３により連通され、ガスゲート６３
には２個の分離用ガス導入部６９（１つの分離用ガス導
入部は不図示）から分離用ガスが供給される。この試験
装置ガスゲート６３は、図１２に示すように、従来のガ
スゲート６３Ｘと交換して装着できるようになってお
り、図１２に示す従来の試験装置で後述する比較実験を
行った。The first vacuum chamber 60 and the second vacuum chamber 61 are respectively the film forming chambers 4, 5 shown in FIG.
6 has the same configuration as that of the vacuum chambers 60,
The test gas is introduced into the interior of 61 from the gas introduction parts 66 and 68, and the test gas is exhausted from the exhaust ports 65 and 6 respectively.
Emitted from 7. The respective vacuum chambers 60 and 61 are connected by the gas gate 63 of the present invention, and the gas gate 63
Is supplied with a separation gas from two separation gas introduction sections 69 (one separation gas introduction section is not shown). As shown in FIG. 12, this test apparatus gas gate 63 can be replaced with a conventional gas gate 63X and can be mounted, and a comparative experiment to be described later was performed using the conventional test apparatus shown in FIG.
【００２７】第１の真空チャンバー６０には四重極質量
分析装置６４が取り付けられており、この四重極質量分
析装置６４により第１の真空チャンバー６７内部のガス
の質量が分析される。また、基体６２はガスゲート６３
を貫通して設置される。使用したガスゲート６３は幅２
００ｍｍ、長さ４００ｍｍ、スリット高さ８ｍｍのもの
であり、分離用ガス（掃気用ガス）のガス吐出部は、幅
方向に５ｍｍ間隔にφ１ｍｍの吐出口を複数設けたもの
である。基体６２はガスゲート６３の上部フランジに内
蔵されている複数のマグネットによって把持された構造
となっている。A quadrupole mass spectrometer 64 is attached to the first vacuum chamber 60, and the mass of the gas inside the first vacuum chamber 67 is analyzed by the quadrupole mass spectrometer 64. The base 62 is a gas gate 63.
Is installed through. The gas gate 63 used has a width of 2
It has a length of 00 mm, a length of 400 mm and a slit height of 8 mm, and the gas discharge portion for the separation gas (scavenging gas) is provided with a plurality of φ1 mm discharge ports at 5 mm intervals in the width direction. The base 62 has a structure held by a plurality of magnets built in the upper flange of the gas gate 63.
【００２８】実験は次のように行った。第１の真空チャ
ンバー６０にＨｅガスを２００ｓｃｃｍで導入し、圧力
を１Ｐａに設定し、第２の真空チャンバ−６１にＨ2ガ
スを２００ｓｃｃｍで導入し、圧力を１００Ｐａに設定
した。ガスゲート６３には分離用ガスＨ2を一定流量で
供給する。このとき、第２の真空チャンバ−６１から第
１の真空チャンバ−６０へ進入してくるＨｅガスの量を
質量分析装置６４により測定したＨｅガスの信号強度と
の比（Ｈ2／Ｈｅ）として求めた実験結果を図８に示
す。The experiment was conducted as follows. He gas was introduced into the first vacuum chamber 60 at 200 sccm and the pressure was set to 1 Pa, and H 2 gas was introduced into the second vacuum chamber-61 at 200 sccm and the pressure was set to 100 Pa. Separation gas H 2 is supplied to the gas gate 63 at a constant flow rate. At this time, the ratio of the He gas entering the first vacuum chamber-60 from the second vacuum chamber 61 to the signal intensity of the He gas measured by the mass spectrometer 64 (H 2 / He). The experimental results thus obtained are shown in FIG.
【００２９】図８は、この装置においてコンダクタンス
可変機構を駆動させ、一方の開口部のスリット高さすな
わちコンダクタンスを変化させることによって、分離性
にあたえる影響をとった結果を示すグラフである。この
グラフは分離用ガス流量６００ｓｃｃｍのときのデータ
であり、これにおいてはスリット高さ３ｍｍ以下にすれ
ば分離用ガス流量６００ｓｃｃｍでも必要な分離性が得
られることがわかる。FIG. 8 is a graph showing the results of the separation effect by driving the conductance variable mechanism in this apparatus and changing the slit height of one opening, that is, the conductance. This graph is data when the flow rate of the separation gas is 600 sccm, and it can be seen that when the slit height is 3 mm or less, the required separability can be obtained even when the flow rate of the separation gas is 600 sccm.
【００３０】（実験例２）図７に示した上記の装置を用
いて、隣り合うチャンバー６０，６１を分離する実験を
行った。このとき、基体６２は、コンダクタンス可変機
構２２とガスゲート６３の通路壁面との間にはさまれた
まま保持されており、コンダクタンス可変機構２２の、
基体６２及びガスゲート６３に接触する部分はＯリング
状のシール材によって各室の圧力を保持できるような構
成になっている（図４及び図５参照）。(Experimental Example 2) An experiment for separating the adjacent chambers 60 and 61 was conducted by using the above apparatus shown in FIG. At this time, the base 62 is held while being sandwiched between the conductance varying mechanism 22 and the passage wall surface of the gas gate 63, and
The portion that contacts the base 62 and the gas gate 63 has a structure capable of holding the pressure of each chamber by an O-ring seal material (see FIGS. 4 and 5).
【００３１】コンダクタンス可変機構３６を駆動させ
て、ガスゲート６３の開口部を基体１４をはさみながら
密閉し、第２の真空チャンバー６１をＮ2によって大気
圧付近までリークしていったときの、第１の真空チャン
バー６０の圧力変動を測定した結果を図９に示す。この
ときのコンダクタンス可変機構のシール面へかかる押し
付け力は３．５Ｋｇ／ｃｍ、基体６２の厚みは０．１２
５ｍｍであり、第１の真空チャンバー６０は圧力１Ｐａ
のときの排気速度の設定を変えずに行った。この結果か
ら、第１の真空チャンバー６０への影響は排気性能内で
抑えられるレベルにあると判断でき、隣り合う真空チャ
ンバーの大きな圧力差をも問題なく分離できることがわ
かった。When the conductance varying mechanism 36 is driven to seal the opening of the gas gate 63 while sandwiching the substrate 14, and the second vacuum chamber 61 is leaked to near atmospheric pressure by N 2 , the first FIG. 9 shows the measurement result of the pressure fluctuation in the vacuum chamber 60. At this time, the pressing force applied to the seal surface of the conductance variable mechanism is 3.5 kg / cm, and the thickness of the substrate 62 is 0.12.
5 mm, the first vacuum chamber 60 has a pressure of 1 Pa
It was performed without changing the setting of the exhaust speed at the time. From this result, it can be determined that the influence on the first vacuum chamber 60 is at a level that can be suppressed within the exhaust performance, and it is found that a large pressure difference between the adjacent vacuum chambers can be separated without any problem.
【００３２】（実験例３）上記実験結果を踏まえ、真空
処理装置にて装置の稼動確認実験を行った。この装置
は、図１に示したように、基体の表面に積層膜を堆積す
る処理を行うものであり、基体の供給室２及び巻取り室
３と３つの成膜室４，５，６の各間をガスゲートで連結
させたものである。本実験では、基体交換時に供給室２
及び巻取り室３のみ大気解放ができるように、基体の供
給室２及び巻取り室３のガスゲートに本発明のガスゲー
トを採用して行った。従来は、基体交換の際に装置全体
をリークしなければならなかったため、交換後の装置立
ち上げの際に安全な真空度や処理温度に到達するまでに
１．５時間かかった。しかし、本発明のガスゲートを使
用することによって、成膜室の状態を装置稼動時に近い
状態にたもちながら、基体供給室２、巻取り室３のみ開
放することができたため、立ち上げの時間が約３０分に
なり大きく短縮することができた。これによって、表３
に示すように稼動率が向上した。(Experimental Example 3) Based on the above experimental results, an operation confirmation experiment of the apparatus was conducted in the vacuum processing apparatus. As shown in FIG. 1, this apparatus performs a process of depositing a laminated film on the surface of a substrate, and includes a substrate supply chamber 2 and a winding chamber 3 and three film forming chambers 4, 5 and 6. Each of these is connected by a gas gate. In this experiment, the supply chamber 2
Also, the gas gate of the present invention was adopted as the gas gates of the substrate supply chamber 2 and the winding chamber 3 so that only the winding chamber 3 could be exposed to the atmosphere. Conventionally, since it was necessary to leak the entire apparatus when exchanging the substrate, it took 1.5 hours to reach a safe vacuum degree and a processing temperature when starting up the apparatus after the exchange. However, by using the gas gate of the present invention, it was possible to open only the substrate supply chamber 2 and the winding chamber 3 while keeping the state of the film forming chamber close to the state when the apparatus was in operation, so the startup time was about It was 30 minutes and could be shortened significantly. This gives Table 3
The operating rate was improved as shown in.
【００３３】[0033]
【表３】 （比較例）図１２に示す、従来のガスゲート６３Ｘを備
えた試験装置において、第１の真空チャンバー６０Ｘに
はＨ2ガスを、第２の真空チャンバー６１ＸにはＨｅガ
スをガス導入部６６Ｘ，６８Ｘからそれぞれ導入し、ガ
スゲート６３Ｘにおいては掃気用ガスとしてＨ2ガスを
吐出させる。このとき、第１の真空チャンバー６０Ｘの
圧力は１Ｐａ、第２の真空チャンバー６１Ｘの圧力は１
００Ｐａに保つように排気系６５Ｘ，６７Ｘの排気速度
を設定し、ガスゲート６３Ｘの分離用ガス（掃気用ガ
ス）導入部６９Ｘから流入するガスの流量を変化させた
ときの、第２の真空チャンバー６１Ｘから第１の真空チ
ャンバー６０Ｘへ流れ込むＨｅ量を四重極質量分析装置
６４Ｘによって測定した。この結果を図１３に示す。[Table 3] (Comparative Example) In the test apparatus having the conventional gas gate 63X shown in FIG. 12, H2 gas is supplied to the first vacuum chamber 60X, and He gas is supplied to the second vacuum chamber 61X from the gas introducing portions 66X and 68X. Each is introduced, and H2 gas is discharged as a scavenging gas at the gas gate 63X. At this time, the pressure in the first vacuum chamber 60X is 1 Pa and the pressure in the second vacuum chamber 61X is 1 Pa.
The second vacuum chamber 61X when the exhaust rates of the exhaust systems 65X and 67X are set so as to be maintained at 00 Pa and the flow rate of the gas flowing from the separation gas (scavenging gas) introduction portion 69X of the gas gate 63X is changed. The amount of He flowing into the first vacuum chamber 60X from was measured by a quadrupole mass spectrometer 64X. The result is shown in FIG.
【００３４】ある製造装置の設計上において、１０4以
上の分離性能が得られれば実使用レベルにあると判断で
きる値であるとされており、このテスト条件では、分離
用ガスを流量９００ｓｃｃｍ以上で流入させないと、分
離性能がクリアできないことがわかる。なお、ガスゲー
トの幅、長さ、スリット高さ及び分離用ガスの吐出口等
は上記実験例と同様であり、真空チャンバー内の設定圧
力等も同様である。According to the design of a certain manufacturing apparatus, if a separation performance of 10 4 or more is obtained, it can be judged that it is at a practical use level. Under this test condition, the separation gas is supplied at a flow rate of 900 sccm or more. It can be seen that the separation performance cannot be cleared without inflow. The width and length of the gas gate, the height of the slit, the discharge port of the separating gas, and the like are the same as those in the above-described experimental example, and the set pressure and the like in the vacuum chamber are also the same.
【００３５】図１０は、本発明のガスゲートの他の実施
例の詳細を示す斜視図であり、分離通路がコンダクタン
ス可変部によって約半分だけ閉ざされている状態を示し
ている。また、図１１は図１０のコンダクタンス可変機
構の拡大図であり、分離通路がコンダクタンス可変部に
よって完全に閉ざされている状態を示している。FIG. 10 is a perspective view showing the details of another embodiment of the gas gate of the present invention, showing a state in which the separation passage is closed by about half by the conductance variable portion. FIG. 11 is an enlarged view of the conductance varying mechanism of FIG. 10, showing a state in which the separation passage is completely closed by the conductance varying unit.
【００３６】図１０及び図１１に示すように、本実施例
のガスゲート８７は、ダブルアクション方式と呼ばれる
ものであり、コンダクタンス可変部８４が矢印Ａ方向に
移動した後、矢印Ｃ方向に移動して、コンダクタンス可
変部８４の矩形環状のゴムシート８１が、上部フランジ
７１と下部フランジ７９とにまたがって設けられた矩形
環状のゴムシート７７に押し付けられることにより、分
離通路８９が閉ざされるものである。詳述すると、エア
シリンダ７３のロッド８３にはコンダクタンス可変部８
４が設けられており、コンダクタンス可変部８４はエア
シリンダ７３によって上下移動され、さらに、図示しな
い水平駆動部によってエアシリンダ７３のロッド８３及
びコンダクタンス可変部８４が水平方向（矢印Ｃ方向及
び反矢印Ｃ方向）に移動される。コンダクタンス可変部
８４には、ローラ８８がばねを介して支持されている。
このローラ８８は帯状基体７０を押し上げるものであ
る。エアシリンダ７３のロッド８３はベローズで支持さ
れ、水平方向に移動できる。その他の構成は図２乃至図
５に示したガスゲートと同一である。As shown in FIGS. 10 and 11, the gas gate 87 of this embodiment is of a double action type, in which the conductance varying section 84 moves in the direction of arrow A and then moves in the direction of arrow C. The rectangular annular rubber sheet 81 of the conductance varying section 84 is pressed against the rectangular annular rubber sheet 77 provided over the upper flange 71 and the lower flange 79, whereby the separation passage 89 is closed. More specifically, the conductance variable portion 8 is attached to the rod 83 of the air cylinder 73.
4, the conductance variable portion 84 is moved up and down by the air cylinder 73, and the rod 83 of the air cylinder 73 and the conductance variable portion 84 are moved in the horizontal direction (arrow C direction and counter arrow C direction) by a horizontal drive portion (not shown). Direction). A roller 88 is supported by the conductance varying unit 84 via a spring.
The roller 88 pushes up the belt-shaped substrate 70. The rod 83 of the air cylinder 73 is supported by a bellows and can move in the horizontal direction. Other configurations are the same as those of the gas gate shown in FIGS. 2 to 5.
【００３７】上記各実施例において、コンダクタンス可
変機構は、例えばガスゲートの両端部もしくは一方の端
部に設けてもよいし、ガスゲート内の適当な位置に備え
たものであってもよい。また、コンダクタンス可変機構
は、スライドタイプのシングルアクションやダブルアク
ションの他に、バタフライ方式のものでもよい。これに
関しては 基体の形状・材質等によって適切なものを使
用するのが好ましい。さらに、バタフライ方式の機構を
採用する場合には、望ましくは、このコンダクタンス可
変機構を隣り合う各真空チャンバーの圧力条件を考慮し
た向きに設置するとよい。In each of the above embodiments, the conductance varying mechanism may be provided at both ends or one end of the gas gate, or may be provided at an appropriate position in the gas gate. Further, the conductance variable mechanism may be a butterfly type in addition to the slide type single action or double action. In this regard, it is preferable to use an appropriate material depending on the shape and material of the substrate. Further, when the butterfly type mechanism is adopted, it is desirable to install the conductance varying mechanism in an orientation in consideration of the pressure conditions of the adjacent vacuum chambers.
【００３８】[0038]
【発明の効果】本発明は、以上説明したとおり構成され
ているので、ガスゲートがコンダクタンス可変機構を有
することにより、短いガスゲートを用いても、少ない量
の分離用ガスで必要なガス分離性能が得られので、従来
の装置よりも低コストでコンパクトなガスゲートおよび
真空処理装置を達成することができるという効果を奏す
る。さらに、コンダクタンス可変機構で隣り合う真空チ
ャンバーの分離を確実にできることにより、分離用ガス
を節約できるとともに、目的の真空チャンバーのみを開
放することができ、その結果、装置の稼働率が大幅に向
上するという効果も奏する。EFFECTS OF THE INVENTION Since the present invention is configured as described above, the gas gate has the conductance varying mechanism, so that the required gas separation performance can be obtained with a small amount of separation gas even if a short gas gate is used. Therefore, it is possible to achieve a gas gate and a vacuum processing apparatus that are lower in cost and more compact than conventional apparatuses. Furthermore, by ensuring the separation of adjacent vacuum chambers with a conductance variable mechanism, it is possible to save the gas for separation and open only the target vacuum chamber, resulting in a significant improvement in the operating rate of the device. It also has the effect.
【図１】本発明の真空処理装置としての、機能性堆積膜
の連続的製造装置の一実施例の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of an apparatus for continuously producing a functionally deposited film as a vacuum processing apparatus of the present invention.
【図２】図１に示した成膜室４，５間のガスゲート８の
要部拡大断面図であり、分離通路が全開になっている状
態を示している。2 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a gas gate 8 between the film forming chambers 4 and 5 shown in FIG. 1, showing a state in which a separation passage is fully opened.
【図３】図２のＸ−Ｘ線断面図である。3 is a cross-sectional view taken along line XX of FIG.
【図４】図２の詳細を示す拡大斜視図であり、分離通路
がコンダクタンス可変部によって約半分だけ閉ざされて
いる状態を示している。FIG. 4 is an enlarged perspective view showing details of FIG. 2, showing a state in which the separation passage is closed by about half by the conductance variable portion.
【図５】図４のコンダクタンス可変機構の拡大図であ
る。5 is an enlarged view of the conductance variable mechanism of FIG.
【図６】本発明の機能性堆積膜の連続的製造装置で作製
した太陽電池の層構造を示す概略断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing the layer structure of a solar cell manufactured by the continuous functional film deposition apparatus of the present invention.
【図７】本発明のガスゲートの性能の評価を行うための
試験装置の概略図である。FIG. 7 is a schematic diagram of a test apparatus for evaluating the performance of the gas gate of the present invention.
【図８】図７に示した試験装置を用いてガスゲートの性
能実験を行った結果を示すグラフである。8 is a graph showing the results of a performance test of a gas gate using the test apparatus shown in FIG.
【図９】図７に示した試験装置を用いてガスゲートの別
な性能実験を行った結果を示すグラフである。9 is a graph showing the results of another performance test of the gas gate using the test apparatus shown in FIG.
【図１０】本発明のガスゲートの他の実施例の詳細を示
す拡大斜視図であり、分離通路がコンダクタンス可変部
によって約半分だけ閉ざされている状態を示している。FIG. 10 is an enlarged perspective view showing details of another embodiment of the gas gate of the present invention, showing a state where the separation passage is closed by about half by the conductance variable portion.
【図１１】図１０のコンダクタンス可変機構の拡大図で
あり、分離通路がコンダクタンス可変部によって完全に
閉ざされている状態を示している。11 is an enlarged view of the conductance varying mechanism of FIG. 10, showing a state in which the separation passage is completely closed by the conductance varying unit.
【図１２】従来のガスゲートの性能の評価を行うための
試験装置の概略図である。FIG. 12 is a schematic diagram of a test apparatus for evaluating the performance of a conventional gas gate.
【図１３】図１２に示した試験装置を用いてガスゲート
の性能実験を行った結果を示すグラフである。13 is a graph showing the results of a performance test of a gas gate using the test apparatus shown in FIG.
１ 帯状基体 ２ 供給室（送り出し
室） ３ 巻き取り室 ４，５，６ 成膜室 ７，８，９，１０ ガスゲート １１，１２，１３，１４ 分離用ガス導入管 １２ａ ガス吐出部 １２ｂ 吐出口 １４ａ，１４ｂ，１５，１６，１７ 排気管 １８ａ，１８ｂ，１９，２０，２１ 圧力計 ２２，２３，２４ 加熱ヒ−タ− ２５，２６ 放電電極 ２７，２８，２９ ガス導入管 ３０ 導波管 ３１ 上部フランジ ３１ａ 切り欠き ３１ｂ ゴムシート ３２ 下部フランジ ３３ マグネット ３４ａ，３４ｂ 分離用ガス導入部 ３５ 分離通路（スリッ
ト） ３６ コンダクタンス可
変機構 ３７ 支持部 ３７ａ シ−ル部材 ３８ コンダクタンス可
変部 ３９ Ｏリング ４０ ベアリング ４１ 駆動部 ４２ Ｏリング ４３ 溝 ４４ エアシリンダ ４５ ロッド ４６ 円柱部材 ４７ ガイド部材 ４８ 棒部材 ４９ ベアリング ５０ 基体 ５１ ｎ型層 ５２ ｉ型層 ５３ ｐ型層 ５４ ＩＴＯ透明電極 ６０，６１ 真空チャンバ− ６２ 基体 ６３ ガスゲ−ト ６４ 四重極質量分析装
置 ６５，６７ 排気系（排気口） ６６，６８ ガス導入部 ６９ 分離用ガス導入部 ７０ 帯状基体 ７１ 上部フランジ ７２ 下部フランジ ７３ エアシリンダ ７４ 成膜室 ７５ Ｏリング ７６ 切り欠き ７７ ゴムシート ８０ Ｏリング ８１ ゴムシート ８２ ガス吐出部 ８３ ロッド ８４ コンダクタンス可
変部 ８５ 吐出口 ８６ コンダクタンス可
変機構 ８７ ガスゲート ８８ ローラ ８９ 分離通路 ９０ 分離用ガス導入管1 band-shaped substrate 2 supply chamber (sending chamber) 3 winding chamber 4,5, 6 film forming chamber 7, 8, 9, 10 gas gate 11, 12, 13, 14 separation gas introduction pipe 12a gas discharge part 12b discharge port 14a , 14b, 15, 16, 17 Exhaust pipe 18a, 18b, 19, 20, 21 Pressure gauge 22, 23, 24 Heating heater 25, 26 Discharge electrode 27, 28, 29 Gas introduction pipe 30 Waveguide 31 Upper part Flange 31a Notch 31b Rubber sheet 32 Lower flange 33 Magnets 34a, 34b Separation gas introduction part 35 Separation passage (slit) 36 Conductance variable mechanism 37 Support part 37a Seal member 38 Conductance variable part 39 O-ring 40 Bearing 41 Drive part 42 O-ring 43 Groove 44 Air cylinder 45 Rod 46 Column member 47 Guide member 48 bar member 49 bearing 50 substrate 51 n-type layer 52 i-type layer 53 p-type layer 54 ITO transparent electrode 60,61 vacuum chamber-62 substrate 63 gas gate 64 quadrupole mass spectrometer 65,67 exhaust system (exhaust port ) 66, 68 Gas introduction part 69 Separation gas introduction part 70 Belt-shaped substrate 71 Upper flange 72 Lower flange 73 Air cylinder 74 Film forming chamber 75 O-ring 76 Notch 77 Rubber sheet 80 O-ring 81 Rubber sheet 82 Gas discharge part 83 Rod 84 Conductance variable part 85 Discharge port 86 Conductance variable mechanism 87 Gas gate 88 Roller 89 Separation passage 90 Separation gas introduction pipe
Claims (3)
により分離する、スリット状の分離通路が形成されたガ
スゲートにおいて、 コンダクタンスを任意に変化させることができるコンダ
クタンス可変機構を備えたことを特徴とするガスゲー
ト。1. A gas gate provided with a slit-shaped separation passage for separating adjacent vacuum chambers by a separation gas is provided with a conductance variable mechanism capable of arbitrarily changing the conductance. Gas gate.
り合う成膜室を接続する請求項１に記載のガスゲートと
を備え、基体を搬送させて前記複数の成膜室を順次通過
させ、前記基体上に膜を形成する真空処理装置。2. A plurality of film forming chambers, and at least one gas gate according to claim 1, which connects adjacent film forming chambers, wherein the substrate is transported to sequentially pass through the plurality of film forming chambers. A vacuum processing apparatus for forming a film on the substrate.
基体を供給するための供給室と、最下流側の成膜室から
基体を取り出すための取り出し室とを備え、前記供給室
及び前記取り出し室の少なくとも１つは、請求項１に記
載のガスゲートを介して対応する成膜室に接続されてい
る請求項２に記載の真空処理装置。3. A supply chamber for supplying a substrate to the film forming chamber on the most upstream side of the plurality of film forming chambers, and a take-out chamber for taking out the substrate from the film forming chamber on the most downstream side, wherein: The vacuum processing apparatus according to claim 2, wherein at least one of the supply chamber and the extraction chamber is connected to the corresponding film forming chamber via the gas gate according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34076292A JPH06184747A (en) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | Gas gate and vacuum treatment device having this gate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34076292A JPH06184747A (en) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | Gas gate and vacuum treatment device having this gate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06184747A true JPH06184747A (en) | 1994-07-05 |
Family
ID=18340069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34076292A Pending JPH06184747A (en) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | Gas gate and vacuum treatment device having this gate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06184747A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1992
- 1992-12-21 JP JP34076292A patent/JPH06184747A/en active Pending
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