JPH06178555A - Micromotor - Google Patents

Micromotor

Info

Publication number
JPH06178555A
JPH06178555A JP3801993A JP3801993A JPH06178555A JP H06178555 A JPH06178555 A JP H06178555A JP 3801993 A JP3801993 A JP 3801993A JP 3801993 A JP3801993 A JP 3801993A JP H06178555 A JPH06178555 A JP H06178555A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rotor
magnetic
magnetic bubble
micromotor
loop
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3801993A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akira Yasutake
昭 安武
Toshio Iino
俊雄 飯野
Koji Sawai
恒治 澤井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yokogawa Electric Corp filed Critical Yokogawa Electric Corp
Priority to JP3801993A priority Critical patent/JPH06178555A/en
Publication of JPH06178555A publication Critical patent/JPH06178555A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

PURPOSE:To measure the angle and speed of rotation of a micromotor without contact by disposing a permanent magnet on a rotor, transferring a magnetic bubble along a transfer element loop in response to a rotating magnetic field produced by revolutions of the rotor, and reading a bit pattern of the magnetic bubble. CONSTITUTION:A ferromagnetlc thin film 11 is formed on a surface of revolution of a rotor 1, and a magnetic bubble element 12 is disposed on a semiconductor substrate 5. A pattern in which transfer elements made of magnetic materials are formed in the shape of a loop is formed along a plane 16 of the magnetic bubble element 12 which is in contact with the semiconductor substrate 5. When a rotating magnetic field is applied, the magnetic bubble element 12 is transferred along the transfer element loop, and a magnetic bubble detector substrate detects the magnetic bubble element 12 which is being transferred along the transfer element loop pattern. An angle of revolution of the rotor 1 of a micromotor is measured from this detected signal via a signal processing circuit that calculates an angle of revolution of the rotor 1.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、シリコンマイクロマシ
ーニング技術(以下、単にSiマイクロマシーニング技
術と記す)によって製作されたマイクロモータに関す
る。更に詳述すると、このモータにおけるロータの回転
角度(回転位置)を測定できる機能を持ったマイクロモ
ータに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a micromotor manufactured by a silicon micromachining technique (hereinafter simply referred to as Si micromachining technique). More specifically, the present invention relates to a micromotor having a function of measuring the rotation angle (rotational position) of the rotor in this motor.

【0002】[0002]

【従来の技術】シリコン基板にマイクロ・メートル(以
下、μmと記す)オーダの電子機械構造を3次元的に作
り込み、例えば直径100μm程度の微小形状のモータ
(以下、マイクロモータと記す)を形成することが実現
されている。
2. Description of the Related Art An electromechanical structure of the order of micrometer (hereinafter referred to as μm) is three-dimensionally formed on a silicon substrate to form a micro-shaped motor having a diameter of about 100 μm (hereinafter referred to as micromotor). Has been realized.

【0003】Siマイクロマシーニング技術によるマイ
クロモータの製造は、通常のLSIとはやや異なる。L
SIはシリコン基板の深さ方向をせいぜい数μmしか使
用しないのに対し、Siマイクロマシーニング技術は、
深さ100μmもの構造物を作る。
The manufacture of a micromotor by the Si micromachining technology is slightly different from that of an ordinary LSI. L
While SI uses only a few μm in the depth direction of the silicon substrate at most, Si micromachining technology
Create a structure with a depth of 100 μm.

【0004】図6は、日経エレクトロニクス1989.8.21
(No.480)の頁130〜131に記載された、マイクロモータ
の外観図であり、図7は、図6のA−A’の断面図であ
る。図6と図7に示されたマイクロモータは、シリコン
基板5上に直径100μmのロータ1と、ステータ2
と、ベアリング3と、犠牲層6,7などが3次元的に形
成されたものである。
FIG. 6 shows the Nikkei Electronics 1989.8.21
FIG. 7 is an external view of the micromotor described on pages 130 to 131 of (No. 480), and FIG. 7 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG. The micromotor shown in FIGS. 6 and 7 has a rotor 1 having a diameter of 100 μm and a stator 2 on a silicon substrate 5.
The bearing 3, the sacrificial layers 6 and 7 are three-dimensionally formed.

【0005】図6,図7のモータは、次のように製作さ
れる。例えばフォトリソグラフィ技術を用いて、シリコ
ン基板上に薄膜のデポジション(堆積)とエッチングを
繰り返して、立体構造を作る。そして、ロータ1が自由
に動く空間を作るため(シリコン基板から分離して自由
に動く構造を基板上に作り込むため)、犠牲層エッチン
グと言う技術を用いる。この犠牲層6,7は、モータの
製作過程でデポジットするが、最後には、エッチングで
除去する層である。
The motor shown in FIGS. 6 and 7 is manufactured as follows. For example, using photolithography technology, deposition (deposition) and etching of a thin film are repeated on a silicon substrate to form a three-dimensional structure. Then, in order to create a space in which the rotor 1 can move freely (in order to form a structure that is separated from the silicon substrate and can move freely on the substrate), a technique called sacrificial layer etching is used. The sacrificial layers 6 and 7 are layers that are deposited during the manufacturing process of the motor, but are finally removed by etching.

【0006】このモータは、モータの中心に対して点対
称の位置にある一対のステータ・ポールに電圧を印加す
ると、ロータ1は、静電引力でステータ2に引きつけら
れる。そして電圧印加を時間とともに順次隣のステータ
・ポールにずらしていくことで、静電引力に引きつけら
れてロータ1は、連続回転する。ロータ1には、ブッシ
ング(突起)4が設けられ、この部分だけが窒化膜の絶
縁層8に接触することで、摩擦を少なくしている。
[0006] In this motor, when a voltage is applied to a pair of stator poles located symmetrically with respect to the center of the motor, the rotor 1 is attracted to the stator 2 by electrostatic attraction. Then, by sequentially shifting the voltage application to the adjacent stator pole with time, the rotor 1 is continuously attracted by the electrostatic attraction. The rotor 1 is provided with a bushing (projection) 4, and only this portion comes into contact with the insulating layer 8 of the nitride film to reduce friction.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】モータを適切に制御す
るには、ロータ1の回転角度(又は回転位置)を測定す
る必要がある。一般のモータにおける回転角度の測定
は、シャフトに取り付けられたエンコーダを用いて行
う。しかし、マイクロモータの回転角度を検出するエン
コーダは、現在ではまだ存在しない。
In order to properly control the motor, it is necessary to measure the rotation angle (or rotation position) of the rotor 1. The rotation angle of a general motor is measured using an encoder attached to the shaft. However, an encoder for detecting the rotation angle of the micromotor does not yet exist at present.

【0008】本発明の目的は、ロータの回転角度や回転
速度を検出できる機能を有したマイクロモータを提供す
ることである。
An object of the present invention is to provide a micromotor having a function of detecting the rotation angle and rotation speed of a rotor.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の第1では、半導体の基板上に、この
基板と平行な回転面を持つロータと、このロータを回転
駆動させるステータとを3次元的に形成することで構成
された微小モータにおいて、前記ロータの回転面に設け
られ、磁気を帯びた材料で形成された薄膜(11)と、前記
半導体の基板上に設けられた磁気バブル素子(12)と、前
記半導体の基板と接する磁気バブル素子の面(16)に沿っ
て設けられ、磁性材料で構成された転送素子(30)がルー
プ状に形成されたパターン(29)と、前記薄膜からの回転
磁界を受けて、前記転送素子のループ・パターンに沿っ
て移動した磁気バブルを検出する検出手段(31)と、この
検出手段の出力信号から前記ロータの回転角度を算出す
る信号処理回路(32)と、を備えたことを特徴とするもの
である。本発明の第2では、磁気バブル素子(12a )が設
けられるGGG(ガドリニウム−ガリウム−ガーネッ
ト)基板(33)上に、この基板と平行な回転面を持つロー
タと、このロータを回転駆動させるステータとを3次元
的に形成したことを特徴とするものである。
In order to achieve such an object, according to the first aspect of the present invention, a rotor having a rotating surface parallel to the substrate on a semiconductor substrate and the rotor is rotationally driven. In a micromotor configured by forming a stator three-dimensionally, a thin film (11) provided on a rotating surface of the rotor and formed of a magnetic material, and a thin film (11) provided on the semiconductor substrate. A magnetic bubble element (12) and a transfer element (30) made of a magnetic material, which is provided along the surface (16) of the magnetic bubble element in contact with the semiconductor substrate, and has a pattern (29) formed in a loop shape. ), And receiving a rotating magnetic field from the thin film, detecting means (31) for detecting the magnetic bubble that has moved along the loop pattern of the transfer element, and the rotation angle of the rotor from the output signal of this detecting means. Equipped with a signal processing circuit (32) to calculate It is characterized by what you got. According to a second aspect of the present invention, a GGG (gadolinium-gallium-garnet) substrate (33) provided with a magnetic bubble element (12a) is provided with a rotor having a rotation surface parallel to the substrate and a stator for rotationally driving the rotor. And are formed three-dimensionally.

【0010】[0010]

【作用】磁気を帯びた薄膜がロータの回転面に取り付け
られているので、半導体基板の面に対し、平行な面内磁
界を発生させる。そしてロータが回転することにより、
この面内磁界は回転する。
Since the magnetic thin film is attached to the rotating surface of the rotor, an in-plane magnetic field parallel to the surface of the semiconductor substrate is generated. And by the rotation of the rotor,
This in-plane magnetic field rotates.

【0011】一方、この半導体基板の面に沿って、転送
素子のループ・パターンが設けられている。この転送素
子のループ・パターンには、磁気バブルが散在してお
り、面内磁界の回転、つまりロータの回転とともに、磁
気バブルは、転送素子ループを巡回する。
On the other hand, the loop pattern of the transfer element is provided along the surface of the semiconductor substrate. Magnetic bubbles are scattered in the loop pattern of the transfer element, and the magnetic bubbles circulate in the transfer element loop along with the rotation of the in-plane magnetic field, that is, the rotation of the rotor.

【0012】この巡回は、面内磁界の回転数に応じてい
るので、転送素子のループ・パターン上の或る点に検出
手段を設け、これを通過する磁気バブルを検出手段で検
出することで、面内磁界、即ち、ロータの回転数(回転
角度でもある)を知ることができる。また、単位時間当
たりの回転角度を算出することにより、回転速度を測定
することもできる。
Since this circulation depends on the number of rotations of the in-plane magnetic field, detection means is provided at a certain point on the loop pattern of the transfer element, and the magnetic bubble passing therethrough is detected by the detection means. , The in-plane magnetic field, that is, the number of rotations (also the rotation angle) of the rotor can be known. The rotation speed can also be measured by calculating the rotation angle per unit time.

【0013】また、GGG(ガドリニウム−ガリウム−
ガーネット)基板上に磁気バブル素子を形成した後に、
このGGG基板の同一面上のマイクロモータを形成する
ことにより、GGG基板をSi基板5に固定する組立工
程が不要で、ロータと磁気バブル素子とのアライメント
が性格且つ容易にできる。
Further, GGG (gadolinium-gallium-
Garnet) After forming the magnetic bubble element on the substrate,
By forming the micromotor on the same surface of the GGG substrate, the assembly process for fixing the GGG substrate to the Si substrate 5 is not necessary, and the alignment between the rotor and the magnetic bubble element can be made characteristically and easily.

【0014】[0014]

【実施例】図1は本発明に係るマイクロモータの第1の
実施例を示す断面図、図2は図1の平面図,図3は磁気
バブルを用いて回転角度を測定する原理を説明する図、
図4は磁気バブル素子の面16に設けられる転送素子の
ループ・パターンを示す図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of a micromotor according to the present invention, FIG. 2 is a plan view of FIG. 1, and FIG. 3 explains the principle of measuring a rotation angle using a magnetic bubble. Figure,
FIG. 4 is a diagram showing a loop pattern of the transfer element provided on the surface 16 of the magnetic bubble element.

【0015】図1のマイクロモータが図7と異なる点
は、 (a) ロータ1の回転面上に強磁性体の薄膜11を設け
たこと (b) 半導体の基板5上に磁気バブル素子12を設けた
こと (c) 半導体の基板5と接する磁気バブル素子12の面
16に沿って、磁性材料で構成された転送素子がループ
状に形成されたパターン29を設けたこと(図4参照) (d) 薄膜11からの回転磁界を受けて、転送素子のル
ープ・パターンに沿って移動する磁気バブルを検出する
検出手段31を設けたこと(図4参照) 更に、本発明のマイクロモータは、図1から得られる出
力信号を受けて (e) 検出手段31の出力信号から、ロータ1の回転角
度や回転速度等を算出する信号処理回路32を設けてい
る。
The micromotor of FIG. 1 differs from that of FIG. 7 in that (a) a ferromagnetic thin film 11 is provided on the rotating surface of the rotor 1 (b) a magnetic bubble element 12 is provided on a semiconductor substrate 5. Provided (c) A pattern 29 having transfer elements made of a magnetic material formed in a loop shape was provided along the surface 16 of the magnetic bubble element 12 in contact with the semiconductor substrate 5 (see FIG. 4). d) The detection means 31 for detecting a magnetic bubble moving along the loop pattern of the transfer element in response to the rotating magnetic field from the thin film 11 is provided (see FIG. 4). (E) A signal processing circuit 32 for calculating the rotation angle, the rotation speed, etc. of the rotor 1 from the output signal of the detecting means 31 is provided.

【0016】図1に設けた強磁性体の薄膜11と、磁気
バブル素子12により、マイクロモータにおけるロータ
1の回転角度(回転位置)や回転速度を検出する動作原
理を図3と図4を参照しながら説明する。
The operation principle for detecting the rotation angle (rotation position) and the rotation speed of the rotor 1 in the micromotor by the ferromagnetic thin film 11 and the magnetic bubble element 12 provided in FIG. 1 are referred to FIGS. 3 and 4. While explaining.

【0017】図3は、図1や図2における強磁性体薄膜
11と、磁気バブル素子12と、バイアス磁石13,1
5とを抜き出した図である。なお、図3で示した読み出
しコイル17,18は、図1では、その図示を省略して
いる。また、図3では、動作を分かり易くするため強磁
性体薄膜11を、独立して描いたが、実際は、図1や図
2の如くSi基板5上に設けたマイクロモータのロータ
1上に配置されている(図3では、このSi基板5上に
設けたマイクロモータの図示も省略している)。
FIG. 3 shows the ferromagnetic thin film 11 shown in FIGS. 1 and 2, the magnetic bubble element 12, and the bias magnets 13 and 1.
It is the figure which extracted 5 and. The read coils 17 and 18 shown in FIG. 3 are not shown in FIG. Further, in FIG. 3, the ferromagnetic thin film 11 is drawn independently for the sake of easy understanding of the operation, but in reality, it is arranged on the rotor 1 of the micromotor provided on the Si substrate 5 as shown in FIGS. (The illustration of the micromotor provided on the Si substrate 5 is also omitted in FIG. 3).

【0018】図4は、図1〜図3の磁気バブル素子12
の面16の部分に形成された転送素子ループのパターン
例を示す図である。
FIG. 4 shows the magnetic bubble element 12 of FIGS.
It is a figure which shows the pattern example of the transfer element loop formed in the part of the surface 16 of FIG.

【0019】図3において、12は磁気バブル素子であ
り、磁気バブルを発生する材料で構成される。磁気バブ
ルは、適当な強さの垂直磁界(バイアス磁界)を加える
ことにより、GGG(ガドリニウム−ガリウム−ガーネ
ット)上に数μmエピタキシャル成長させた垂直磁化膜
の中に筒状の形で発生する。この磁気バブル素子12に
は、磁気バブル検出器31(図4参照)が設けられてい
る。この磁気バブル検出器31は、磁気抵抗素子(例え
ばパーマロイ)等で構成され、この磁気バブル検出器3
1の所を磁気バブル26,27,28,…が通過する
と、その際、その抵抗値が変化するので、抵抗値を信号
処理回路32で観測することで、磁気バブルが通過した
ことを検出できる。
In FIG. 3, reference numeral 12 is a magnetic bubble element, which is made of a material that generates magnetic bubbles. A magnetic bubble is generated in a cylindrical shape in a perpendicular magnetic film epitaxially grown on GGG (gadolinium-gallium-garnet) by several μm by applying a perpendicular magnetic field (bias magnetic field) having an appropriate strength. The magnetic bubble element 12 is provided with a magnetic bubble detector 31 (see FIG. 4). The magnetic bubble detector 31 is composed of a magnetic resistance element (for example, permalloy) or the like.
When the magnetic bubbles 26, 27, 28, ... Pass through 1, the resistance value changes at that time. Therefore, by observing the resistance value with the signal processing circuit 32, the passage of the magnetic bubble can be detected. .

【0020】磁気バブル素子12には、図4に示す如
く、薄膜のパーマロイで構成された転送素子30が、ル
ープ状に形成される。そして回転磁界が加えられると、
転送素子ループに沿って磁気バブル26,27,28,
…が転送される。図4では、1つの転送素子ループを示
したが、実際の磁気バブル素子12上には、複数の転送
素子ループが設けられる。各転送素子ループ上には、例
えば特殊なビットパターン(メモリホイールのビットパ
ターン)で磁気バブルが書き込まれている。なお、磁気
バブル素子12が、配置されている平面を便宜上x−y
平面と呼ぶ。
As shown in FIG. 4, the magnetic bubble element 12 is formed with a transfer element 30 made of thin film permalloy in a loop shape. And when a rotating magnetic field is applied,
Along the transfer element loop, magnetic bubbles 26, 27, 28,
... is transferred. Although one transfer element loop is shown in FIG. 4, a plurality of transfer element loops are provided on the actual magnetic bubble element 12. On each transfer element loop, for example, a magnetic bubble is written with a special bit pattern (memory wheel bit pattern). The plane on which the magnetic bubble element 12 is arranged is referred to as xy for convenience.
Call it the plane.

【0021】13,15は2枚1組のバイアス磁石であ
り、磁気バブル素子12に対し、垂直な一定の磁界(バ
イアス磁界)を与え、バブル状の磁区を保持する(磁気
バブルが消失しないように)作用を有するものである。
Numerals 13 and 15 are a set of two bias magnets, which give a constant magnetic field (bias magnetic field) perpendicular to the magnetic bubble element 12 to hold bubble-shaped magnetic domains (to prevent magnetic bubbles from disappearing). To).

【0022】17,18は読み出しコイルであり、図3
の如く、磁気バブル素子12の周囲に互いに直交するよ
うな位置関係で配置される。この読み出しコイル17,
18は、強磁性体薄膜11(ロータ1でもある)の回転
角度(回転位置)を読出す時に使われるものである。つ
まり、現在、強磁性体薄膜11が、如何なる回転位置に
いるかを、読みに行かない場合、この読み出しコイルの
電流は、ゼロである。
Reference numerals 17 and 18 denote read coils, which are shown in FIG.
As described above, the magnetic bubble elements 12 are arranged around the magnetic bubble element 12 in a positional relationship orthogonal to each other. This read coil 17,
Reference numeral 18 is used when reading the rotation angle (rotation position) of the ferromagnetic thin film 11 (also the rotor 1). In other words, if it is not possible to read what rotational position the ferromagnetic thin film 11 is currently at, the current of the read coil is zero.

【0023】一方、強磁性体薄膜11の回転角度を読出
す時、図示しないコントローラは、互いに90°位相が
異なる交流電流を2つの読み出しコイル17,18に流
す。これにより、2つの読み出しコイル17,18が囲
む空間には回転磁界が発生し、磁気バブル26,27,
28,…を強制的に転送素子ループ29上で転送させ
る。なお、コントローラは、加える交流電流の周期の数
を制御することで、磁気バブルを所定の転送ステップ数
(例えば3)だけ移動させることができる。読み出し動
作は、後述する。なお、ロータ1が回転する場合と、読
み出しコイル17,18が動作する場合とで、どちらも
回転磁界が発生するが、理解の混乱を避けるため、読み
出しコイル17,18が動作した時生じる回転磁界を
“読み出し用回転磁界”と言う。
On the other hand, when reading the rotation angle of the ferromagnetic thin film 11, a controller (not shown) causes alternating currents having 90 ° different phases to flow through the two reading coils 17 and 18. As a result, a rotating magnetic field is generated in the space surrounded by the two read coils 17 and 18, and the magnetic bubbles 26, 27, and
.. are forcibly transferred on the transfer element loop 29. The controller can move the magnetic bubble by a predetermined number of transfer steps (for example, 3) by controlling the number of cycles of the applied alternating current. The read operation will be described later. A rotating magnetic field is generated both when the rotor 1 rotates and when the read coils 17 and 18 operate, but in order to avoid confusion in understanding, the rotating magnetic field generated when the read coils 17 and 18 operate. Is called the "reading rotating magnetic field".

【0024】11は強磁性体薄膜であり、図1のロータ
1に取り付けられた永久磁石である。この強磁性体薄膜
11は、図3の如く磁化されている。図2に示すように
ロータ1は、上から見ると複数の突起を有した形状をし
ている。強磁性体薄膜11は、このロータ1の上面に設
けられており、各突起部が、交互にN,S,N,S,…
となるように磁化されている。
Reference numeral 11 denotes a ferromagnetic thin film, which is a permanent magnet attached to the rotor 1 of FIG. The ferromagnetic thin film 11 is magnetized as shown in FIG. As shown in FIG. 2, the rotor 1 has a shape having a plurality of protrusions when viewed from above. The ferromagnetic thin film 11 is provided on the upper surface of the rotor 1, and the protrusions are alternately N, S, N, S, ...
Is magnetized so that

【0025】この強磁性体薄膜11は、磁気バブル素子
12の面16に対し、平行な面内磁界を与えるもので、
ロータ1が回転することによりこの面内磁界は回転する
(図4参照)。各磁気バブル26,27,28,…は、
1ステップ/1回転磁場で転送素子ループを巡回する。
図3は8極に着磁された強磁性体薄膜の例であり、この
場合、ロータ1が1回転すると、各磁気バブル26,2
7,28,…は、転送素子30の4個分を移動する。
This ferromagnetic thin film 11 gives an in-plane magnetic field parallel to the surface 16 of the magnetic bubble element 12,
This in-plane magnetic field rotates as the rotor 1 rotates (see FIG. 4). Each magnetic bubble 26, 27, 28, ...
The transfer element loop is circulated with one step / one rotating magnetic field.
FIG. 3 shows an example of a ferromagnetic thin film magnetized with 8 poles. In this case, when the rotor 1 makes one revolution, each magnetic bubble 26, 2
, 28, ... Move four transfer elements 30.

【0026】図4に示す転送素子ループには、例えば
『メモリホイールの原理』に基づいた特殊配列パターン
の磁気バブルが予め書き込まれている。この特殊配列パ
ターンとは、全ビットパターンの中の或る位置から切り
出した連続するビットパターンが他のどの位置から切り
出した同ビット数のパターンとも同じにならないという
特徴を持ったパターンである。従って、或る決まった位
置から連続する数ビットのパターンを読出すことで、そ
のループのシフト量を知ることができる。
In the transfer element loop shown in FIG. 4, magnetic bubbles having a special arrangement pattern based on, for example, "the principle of the memory wheel" are written in advance. This special array pattern is a pattern having the characteristic that a continuous bit pattern cut out from a certain position in all bit patterns is not the same as a pattern with the same number of bits cut out from any other position. Therefore, the shift amount of the loop can be known by reading a pattern of several consecutive bits from a certain fixed position.

【0027】磁気バブルは、転送素子ループ29上の或
る位置に配置された磁気バブル検出器31で検出され
る。磁気バブル検出器31は、これが配置されている位
置に磁気バブルが移動してくると、その旨を示す電気信
号を出力するものである。
The magnetic bubble is detected by a magnetic bubble detector 31 arranged at a certain position on the transfer element loop 29. When the magnetic bubble moves to the position where it is arranged, the magnetic bubble detector 31 outputs an electric signal indicating that fact.

【0028】以上のような磁気バブル素子12におい
て、転送素子ループ上には、『メモリホイールの原理』
により定まる、例えば、1ループ8ビットのビットパタ
ーン(01110100)が、磁気バブルの有無により
形成されている。図4に示す実施例では、もっと多数の
ビット(例えば、49ビット前後)であるが、ここで
は、発明を分かり易くするため8ビットで説明する。
In the magnetic bubble element 12 as described above, the "principle of the memory wheel" is provided on the transfer element loop.
For example, a bit pattern (01110100) of 8 bits per loop is formed depending on the presence or absence of magnetic bubbles. In the embodiment shown in FIG. 4, a larger number of bits (for example, around 49 bits) are used, but here, in order to make the invention easier to understand, 8 bits will be described.

【0029】この8ビットのパターンを形成する磁気バ
ブルは、強磁性体薄膜11が回転すると、その回転に応
じて転送素子ループ29上を巡回する。例えば、ロータ
1が10回転すると、この10回転に応じた位置に前記
8ビットのパターンの磁気バブルは移動している。
When the ferromagnetic thin film 11 rotates, the magnetic bubble forming the 8-bit pattern circulates on the transfer element loop 29 according to the rotation. For example, when the rotor 1 rotates 10 times, the 8-bit magnetic bubble moves to a position corresponding to the 10 rotations.

【0030】そこで、ロータ1の現在位置(回転角度)
を測定するため、読み出しコイル17,18を動作させ
て“読み出し用回転磁界”を発生させ、磁気バブルを例
えば3個の転送素子分だけ順にその位置を移動させる。
従って、磁気バブル検出器31からは、3個の時系列の
ビットパターンが読み出され、このパターンからメモリ
ホイールの原理により、ロータ1の回転角度を知ること
ができる。なお、ビットパターンの読み出し後は、逆方
向の“読み出し用回転磁界”を発生させ、例えば3個の
転送素子分だけ、磁気バブルを逆向きに転送し、読み出
し前の位置まで戻す。
Therefore, the current position (rotation angle) of the rotor 1
In order to measure, the read coils 17 and 18 are operated to generate a "reading rotating magnetic field", and the position of the magnetic bubble is sequentially moved by, for example, three transfer elements.
Therefore, three time-series bit patterns are read from the magnetic bubble detector 31, and the rotation angle of the rotor 1 can be known from this pattern by the principle of the memory wheel. After reading the bit pattern, a "rotating magnetic field for reading" in the reverse direction is generated, and the magnetic bubbles are transferred in the reverse direction by, for example, three transfer elements and returned to the position before the read.

【0031】以上のように、本発明では、(イ) シリコ
ン半導体の基板5の上に設けられた磁気バブル素子12
と、(ロ) このシリコン半導体の基板5と接する磁気バ
ブル素子の面16に沿って設けられ、磁性材料で構成さ
れた転送素子30がループ状に形成されたパターン29
と、(ハ) マイクロモータのロータ1の回転面に設けら
れ、磁気を帯びた材料で形成された薄膜11からの回転
磁界を受けて、転送素子30のループ・パターンに沿っ
て移動する磁気バブル26,27,28,…を検出する
磁気バブル検出器31と、(ニ) この磁気バブル検出器
31の出力信号からロータ1の回転角度を算出する信号
処理回路32と、を備えているので、被接触で、マイク
ロモータのロータ1の回転角度を測定できる。なお、単
位時間当たりの回転角度を測定することで、回転速度を
測定することもできる。
As described above, according to the present invention, (a) the magnetic bubble element 12 provided on the silicon semiconductor substrate 5 is used.
(B) A pattern 29 in which a transfer element 30 made of a magnetic material is provided along the surface 16 of the magnetic bubble element in contact with the silicon semiconductor substrate 5 and formed in a loop shape.
(C) A magnetic bubble that moves along the loop pattern of the transfer element 30 by receiving the rotating magnetic field from the thin film 11 formed on the rotor 1 of the micromotor and formed of a magnetic material. Since the magnetic bubble detector 31 for detecting 26, 27, 28, ... and (d) the signal processing circuit 32 for calculating the rotation angle of the rotor 1 from the output signal of the magnetic bubble detector 31, The contact angle allows the rotation angle of the rotor 1 of the micromotor to be measured. The rotation speed can also be measured by measuring the rotation angle per unit time.

【0032】次に、図1のマイクロモータを作り出す製
造プロセスを説明する。既知のSiマイクロマシーニン
グ技術を用いて、マイクロモータの構造物をつくる。そ
して、その製造工程中、マイクロモータのロータ1の上
にリング状のパターンである強磁性体の薄膜11を形成
する。強磁性体には、保磁力、残留磁束密度が大きく永
久磁石に適している硬磁性材料を用いる。
Next, a manufacturing process for producing the micromotor of FIG. 1 will be described. The known Si micromachining technology is used to create the micromotor structure. Then, during the manufacturing process, a ferromagnetic thin film 11 having a ring-shaped pattern is formed on the rotor 1 of the micromotor. A hard magnetic material having a large coercive force and residual magnetic flux density and suitable for a permanent magnet is used for the ferromagnetic material.

【0033】このように形成したリング状の強磁性体薄
膜11に外部から磁界を与えて、これを磁化し、永久磁
石にする。この永久磁石の薄膜11は、図3を用いて説
明した回転磁石として機能する。磁気バブル素子12を
その膜面が回転磁界ベクトルと同一平面となるように、
バイアス磁石13,15と共に配置する。
A magnetic field is externally applied to the ring-shaped ferromagnetic thin film 11 formed in this way to magnetize it to form a permanent magnet. The thin film 11 of the permanent magnet functions as the rotating magnet described with reference to FIG. The magnetic bubble element 12 has its film surface flush with the rotating magnetic field vector.
It is arranged together with the bias magnets 13 and 15.

【0034】次に製造プロセスの具体例を説明する。 (1) シリコン基板5の上に窒化膜の絶縁層8を形成す
る。 (2) この窒化膜の絶縁層8の上に第1犠牲層であるS
iO2 の膜を一様に設ける。その後、この一様に設けた
第1犠牲層にフォトリソグラフィーの処理を施して所望
の形状に感光し、不要な第1犠牲層の部分をエッチング
で除去する。その結果、この(2)の工程で残された第
1犠牲層7は、例えば図1の如くなる。 (3) 次にステータ2と、ロータ1用の多結晶Siの膜
を前記(2)の工程で得られた第1犠牲層の上に領域を
分けて一様に設ける。そして(2)と同様に、フォトリ
ソグラフィーの処理を施して所望の形状に感光し、不要
な部分をエッチングで除去する。その結果、この(3)
の工程で形成されたステータ2と、ロータ1は、例えば
図1の如くなる。 (4) 次に、上記(3)の工程で得られたロータ1の上
面に強磁性体薄膜11を一様に設ける。そして、フォト
リソグラフィーの処理を施して所望の形状に感光し、不
要な部分をエッチングで除去する。その結果、この
(4)の工程で形成された強磁性体薄膜11は、例えば
図1の如くなる。 (5) 次に、上記(1),(3)及び(4)の工程で得
られたロータ1と、ステータ2と、強磁性体薄膜11と
絶縁膜8の上から第2犠牲層6であるSiO2 の膜を一
様に設ける。そして上述と同様な処理を施して不要な部
分をエッチングで除去する。その結果、この(5)の工
程で残された第2犠牲層6は、図1の如くなる。 (6) 次に、ベアリング用の多結晶Siの膜を上記
(5)の工程で得られた第2犠牲層6と絶縁膜8の上に
設ける。そして上述と同様な処理を施して不要な部分を
エッチングで除去する。その結果、この(6)の工程で
形成されたベアリング3は、図1の如くなる。 (7) 次に、強磁性体薄膜11を図2の如く8極に着磁
する。 (8) 次に、第1と第2犠牲層6,7をエッチングによ
り総て除去する。従って、強磁性体薄膜11が設けられ
たロータ1は、周囲から物理的に離された状態となり、
自由に回転し得るようになる。 (9) 同一平面上に磁気バブル素子12を接着配置す
る。
Next, a specific example of the manufacturing process will be described. (1) An insulating layer 8 of a nitride film is formed on the silicon substrate 5. (2) S that is the first sacrificial layer on the insulating layer 8 of the nitride film
iO 2 film uniformly provided. After that, the uniformly provided first sacrificial layer is subjected to photolithography to expose it to a desired shape, and unnecessary portions of the first sacrificial layer are removed by etching. As a result, the first sacrificial layer 7 left in the step (2) becomes, for example, as shown in FIG. (3) Next, the stator 2 and the polycrystalline Si film for the rotor 1 are uniformly provided in separate regions on the first sacrificial layer obtained in the step (2). Then, similarly to (2), a photolithography process is performed to expose a desired shape, and unnecessary portions are removed by etching. As a result, this (3)
The stator 2 and the rotor 1 formed in the above process are as shown in FIG. 1, for example. (4) Next, the ferromagnetic thin film 11 is uniformly provided on the upper surface of the rotor 1 obtained in the above step (3). Then, a photolithography process is performed to expose a desired shape, and unnecessary portions are removed by etching. As a result, the ferromagnetic thin film 11 formed in the step (4) becomes, for example, as shown in FIG. (5) Next, the rotor 1, the stator 2, the ferromagnetic thin film 11 and the insulating film 8 obtained in the above steps (1), (3) and (4) are formed on the second sacrificial layer 6 from above. A certain SiO 2 film is provided uniformly. Then, the same processing as described above is performed to remove unnecessary portions by etching. As a result, the second sacrificial layer 6 left in the step (5) becomes as shown in FIG. (6) Next, a polycrystalline Si film for bearing is provided on the second sacrificial layer 6 and the insulating film 8 obtained in the above step (5). Then, the same processing as described above is performed to remove unnecessary portions by etching. As a result, the bearing 3 formed in the step (6) becomes as shown in FIG. (7) Next, the ferromagnetic thin film 11 is magnetized into 8 poles as shown in FIG. (8) Next, the first and second sacrificial layers 6 and 7 are all removed by etching. Therefore, the rotor 1 provided with the ferromagnetic thin film 11 is physically separated from the surroundings,
It will be able to rotate freely. (9) The magnetic bubble element 12 is bonded and arranged on the same plane.

【0035】なお上述では、読み出しコイル17,18
を用いて、ロータ1(強磁性体薄膜11)の回転角度を
読出す動作例を説明した。つまり、磁気バブル26,2
7,28,…で形成されるビットパターンを読出す際、
強制的に磁気バブルを転送させて磁気バブル検出器31
の所を通過させ、このパターンを読み取る動作である。
In the above description, the read coils 17 and 18 are used.
The operation example of reading the rotation angle of the rotor 1 (ferromagnetic thin film 11) has been described with reference to FIG. That is, the magnetic bubbles 26, 2
When reading the bit pattern formed by 7, 28, ...
Magnetic bubble detector 31 forcibly transferring magnetic bubbles
It is an operation to read this pattern by passing through.

【0036】このビットパターン読み出しのため、磁気
バブル26,27,28,…の強制的な転送を、読み出
しコイル17,18から回転磁界を発生させて行うので
なく、直接マイクロモータのロータ1を回転させて、磁
気バブル26,27,28,…を強制的に転送するよう
にしてもよい。このようにすると、読み出しコイルを不
要とすることができ、部品数を削減できる。
In order to read this bit pattern, the magnetic bubbles 26, 27, 28, ... Are not forcibly transferred by generating a rotating magnetic field from the read coils 17, 18, but the rotor 1 of the micromotor is directly rotated. Then, the magnetic bubbles 26, 27, 28, ... May be forcibly transferred. In this way, the read coil can be eliminated and the number of parts can be reduced.

【0037】なお、強磁性体薄膜11の着磁の極数を増
加させると、ロータ1の1回転内の位置が分かるので、
簡易的に回転角度を知ることができる。例えば、4極着
磁すると、測定角度の分解能は、180°である。ま
た、8極着磁を行うと、測定角度の分解能は、90°で
ある。
When the number of magnetic poles of the ferromagnetic thin film 11 is increased, the position of the rotor 1 within one rotation can be known.
The rotation angle can be easily known. For example, when 4-pole magnetization is performed, the resolution of the measurement angle is 180 °. Further, when 8-pole magnetization is performed, the resolution of the measurement angle is 90 °.

【0038】また、上述では、磁気バブル素子12をマ
イクロモータと同一のSi基板5上に配置した例で説明
したが、別の基板上に配置してもよい。ただし、この
際、マイクロモータのロータ1の回転面と概略同一の平
面上に、転送素子ループパターンの形成される面が位置
するように配置する必要がある。
In the above description, the magnetic bubble element 12 is arranged on the same Si substrate 5 as the micromotor, but it may be arranged on another substrate. However, at this time, it is necessary to dispose the surface on which the transfer element loop pattern is formed on a plane substantially the same as the rotation surface of the rotor 1 of the micromotor.

【0039】さらに、上述の実施例では磁気バブル素子
12のGGG基板をSi基板5に固定する構成を取って
いるため、この組立工程が必要になる。ここで、図5は
前記組立工程を不要とした本発明に係るマイクロモータ
の第2の実施例を示す断面図である。
Further, in the above-mentioned embodiment, since the GGG substrate of the magnetic bubble element 12 is fixed to the Si substrate 5, this assembling step is necessary. Here, FIG. 5 is a sectional view showing a second embodiment of the micromotor according to the present invention which does not require the assembling step.

【0040】図5において1〜4,6〜7及び11は図
1と同一符号を付してあり、8aは窒化膜の絶縁層、1
2aは磁気バブル素子、13a及び15aはバイアス磁
石、33はGGG基板である。
In FIG. 5, reference numerals 1 to 4, 6 to 7 and 11 are the same as those in FIG. 1, and 8a is an insulating layer of a nitride film, and 1a.
2a is a magnetic bubble element, 13a and 15a are bias magnets, and 33 is a GGG substrate.

【0041】図5に示す第2の実施例が図1等に示す第
1に実施例と異なる点はGGG基板33上に磁気バブル
素子12aを形成した後に、このGGG基板33の同一
面上のマイクロモータを形成した点である。即ち以下に
示すような製造プロセスによって製造される。
The second embodiment shown in FIG. 5 is different from the first embodiment shown in FIG. 1 and the like in that after the magnetic bubble element 12a is formed on the GGG substrate 33, the same surface of the GGG substrate 33 is formed. This is the point of forming a micromotor. That is, it is manufactured by the following manufacturing process.

【0042】第2の実施例の製造プロセスの具体例を説
明する。 (1) GGG基板33上に磁気バブル素子12aを形成
し、その表面に窒化膜の絶縁層8aを形成する。 (2) この窒化膜の絶縁層8aの上に第1犠牲層SiO
2 膜7を形成し、エッチングする。その際に、第1犠牲
層7のパターンは磁気バブル素子12aのパターンにア
ライメントする。 (3) ステータ2、ロータ1用Si膜を形成し、エッチ
ングする。 (4) 強磁性体薄膜11を形成し、エッチングする。 (5) 第1犠牲層SiO2 膜8を形成し、エッチングす
る。 (6) ベアリング用のSi膜を形成し、エッチングす
る。 (7) 回転磁石を8極着磁する。 (8) 第1、第2犠牲層6及び7をエッチングにより総
て除去する。 (9) ダイシングの後、配線し、バイアス磁石13a及
び15a中に取り付ける。
A specific example of the manufacturing process of the second embodiment will be described. (1) The magnetic bubble element 12a is formed on the GGG substrate 33, and the insulating layer 8a of the nitride film is formed on the surface thereof. (2) The first sacrificial layer SiO is formed on the insulating layer 8a of the nitride film.
2 Film 7 is formed and etched. At that time, the pattern of the first sacrificial layer 7 is aligned with the pattern of the magnetic bubble element 12a. (3) Form a Si film for the stator 2 and rotor 1 and etch it. (4) Form the ferromagnetic thin film 11 and etch it. (5) The first sacrificial layer SiO 2 film 8 is formed and etched. (6) Form a Si film for a bearing and etch it. (7) Magnetize the rotating magnet with 8 poles. (8) All the first and second sacrificial layers 6 and 7 are removed by etching. (9) After dicing, wire and attach in the bias magnets 13a and 15a.

【0043】また、図5に示す第2の実施例の動作につ
いては図1等に示す第1に実施例と同一であるので説明
は省略する。
The operation of the second embodiment shown in FIG. 5 is the same as that of the first embodiment shown in FIG.

【0044】この結果、上述の製造プロセスからも明ら
かなようにGGG基板33をSi基板5に固定する組立
工程が不要となる。また、マイクロモータの構成要素で
あるロータ1と回転数検出器の構成要素である磁気バブ
ル素子12aとのアライメントが正確且つ容易にでき
る。さらに、同一のGGG基板33に形成することによ
り小型化が可能となる。
As a result, the assembly process for fixing the GGG substrate 33 to the Si substrate 5 becomes unnecessary as is clear from the above manufacturing process. In addition, the rotor 1 which is a component of the micromotor and the magnetic bubble element 12a which is a component of the rotation speed detector can be accurately and easily aligned. Further, by forming them on the same GGG substrate 33, the size can be reduced.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上説明したように本発明では、マイク
ロモータのロータ1上に永久磁石(強磁性体薄膜11)
を設けた。従って、ロータ1の回転により回転磁界が発
生し、これに応じて、磁気バブル26,27,28,…
は、転送素子ループ29上を転送される。従って、磁気
バブル26,27,28,…のビットパターンを読み取
ることで、マイクロモータのロータ1の回転角度を測定
できる。この測定動作は、被接触の測定である。従っ
て、微小な力で回転しているマイクロモータのロータに
ほとんど影響を与えることなく、回転角度、回転速度を
測定できる。
As described above, in the present invention, the permanent magnet (ferromagnetic thin film 11) is provided on the rotor 1 of the micromotor.
Was set up. Therefore, the rotating magnetic field is generated by the rotation of the rotor 1, and accordingly, the magnetic bubbles 26, 27, 28, ...
Are transferred on the transfer element loop 29. Therefore, the rotation angle of the rotor 1 of the micromotor can be measured by reading the bit pattern of the magnetic bubbles 26, 27, 28, .... This measurement operation is a contact measurement. Therefore, the rotation angle and the rotation speed can be measured with almost no influence on the rotor of the micromotor rotating with a small force.

【0046】また、GGG基板上に磁気バブル素子12
aを形成した後に、このGGG基板33の同一面上にマ
イクロモータを形成することにより、工数が減り、アラ
イメントが正確且つ容易になり、小型化も可能となる。
The magnetic bubble element 12 is formed on the GGG substrate.
By forming a micromotor on the same surface of the GGG substrate 33 after forming a, the number of steps is reduced, the alignment is accurate and easy, and the size can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係るマイクロモータの第1の実施例を
示す断面図
FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of a micromotor according to the present invention.

【図2】図1の平面図FIG. 2 is a plan view of FIG.

【図3】磁気バブル素子を用いて回転角度を測定する原
理を説明する図
FIG. 3 is a diagram illustrating the principle of measuring a rotation angle using a magnetic bubble element.

【図4】磁気バブル素子の面16に設けられる転送素子
のループ・パターンを示す図
FIG. 4 is a diagram showing a loop pattern of a transfer element provided on a surface 16 of a magnetic bubble element.

【図5】本発明に係るマイクロモータの第2の実施例を
示す断面図
FIG. 5 is a sectional view showing a second embodiment of the micromotor according to the present invention.

【図6】マイクロモータの斜視図FIG. 6 is a perspective view of a micromotor.

【図7】従来のマイクロモータの断面図FIG. 7 is a sectional view of a conventional micromotor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ロータ 2 ステータ 3 ベアリング 4 ブッシング 5 シリコン基板 6,7 犠牲層 8,8a 絶縁層 11 強磁性体薄膜 12,12a 磁気バブル素子 13,13a,15,15a バイアス磁石 16 磁気バブル素子の面 17,18 読み出しコイル 26,27,28 磁気バブル 29 パターン 30 転送素子 31 検出手段 32 信号処理回路 33 GGG基板 1 rotor 2 stator 3 bearing 4 bushing 5 silicon substrate 6,7 sacrificial layer 8,8a insulating layer 11 ferromagnetic thin film 12,12a magnetic bubble element 13,13a, 15,15a bias magnet 16 magnetic bubble element surface 17,18 Read coil 26, 27, 28 Magnetic bubble 29 Pattern 30 Transfer element 31 Detecting means 32 Signal processing circuit 33 GGG substrate

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体の基板上に、この基板と平行な回転
面を持つロータと、このロータを回転駆動させるステー
タとを3次元的に形成することで構成された微小モータ
において、 前記ロータの回転面に設けられ、磁気を帯びた材料で形
成された薄膜(11)と、 前記半導体の基板上に設けられた磁気バブル素子(12)
と、 前記半導体の基板と接する磁気バブル素子の面(16)に沿
って設けられ、磁性材料で構成された転送素子(30)がル
ープ状に形成されたパターン(29)と、 前記薄膜からの回転磁界を受けて、前記転送素子のルー
プ・パターンに沿って移動した磁気バブルを検出する検
出手段(31)と、 この検出手段の出力信号から前記ロータの回転角度を算
出する信号処理回路(32)と、 を備えたマイクロモータ。
1. A micromotor constituted by three-dimensionally forming, on a semiconductor substrate, a rotor having a rotation surface parallel to the substrate and a stator for rotationally driving the rotor, the rotor comprising: A thin film (11) provided on a rotating surface and formed of a magnetic material, and a magnetic bubble element (12) provided on the semiconductor substrate.
A pattern (29) provided along the surface (16) of the magnetic bubble element in contact with the semiconductor substrate and having a transfer element (30) formed of a magnetic material in a loop, and from the thin film. Detecting means (31) that receives a rotating magnetic field and detects magnetic bubbles that have moved along the loop pattern of the transfer element, and a signal processing circuit (32) that calculates the rotation angle of the rotor from the output signal of this detecting means (31). ), And a micromotor with.
【請求項2】磁気バブル素子(12a )が設けられるGGG
(ガドリニウム−ガリウム−ガーネット)基板(33)上
に、この基板と平行な回転面を持つロータと、このロー
タを回転駆動させるステータとを3次元的に形成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のマイクロモ
ータ。
2. A GGG provided with a magnetic bubble element (12a).
A three-dimensionally formed rotor (gadolinium-gallium-garnet) substrate (33) having a rotation surface parallel to the substrate and a stator for rotationally driving the rotor. The micromotor according to item 1.
JP3801993A 1992-10-09 1993-02-26 Micromotor Pending JPH06178555A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3801993A JPH06178555A (en) 1992-10-09 1993-02-26 Micromotor

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27186292 1992-10-09
JP4-271862 1992-10-09
JP3801993A JPH06178555A (en) 1992-10-09 1993-02-26 Micromotor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06178555A true JPH06178555A (en) 1994-06-24

Family

ID=26377194

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3801993A Pending JPH06178555A (en) 1992-10-09 1993-02-26 Micromotor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06178555A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0619642B1 (en) Micro-motor and method of fabrication
JPH11513797A (en) Position detection encoder
JP2002522792A (en) Magnetic field sensor with giant magnetoresistive material or spin tunnel junction and sensitivity perpendicular to the layer
JPH09510775A (en) Device for detecting rotational or angular movement
JPH0658766A (en) Absolute position detector and motor control apparatus
KR100212345B1 (en) Integrated data storage disk and disk drive
JP2009122041A (en) Composite sensor
JP2007225536A (en) Device for detecting rotary motion
JPH0763505A (en) Detecting device for movable body displacement
US7356922B2 (en) Method of fabricating a rate gyroscope and accelerometer multisensor
JP2001194182A (en) Magnetic sensor
JPH11233338A (en) Multipolar magnetic ping
JPH06178555A (en) Micromotor
JPH05336726A (en) Rotation detector
Choi et al. A magnetically excited and sensed MEMS-based resonant compass
JPS6349948Y2 (en)
JPH11295403A (en) Apparatus for evaluating permanent magnet
JP2004181547A (en) Electromagnetic actuator, and sensor for dynamic quantity
JPH10227807A (en) Rotation sensor
JP4273938B2 (en) Magnetic encoder alignment apparatus and method
JPH0552584A (en) Magnetic encoder
JP6824484B1 (en) Magnetic linear position detector
JPS6111982Y2 (en)
JPH0357332B2 (en)
JPH09269205A (en) Magnetic rotation sensor