JPH06177434A - 青色発光素子及びその製造方法 - Google Patents
青色発光素子及びその製造方法Info
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- JPH06177434A JPH06177434A JP35194792A JP35194792A JPH06177434A JP H06177434 A JPH06177434 A JP H06177434A JP 35194792 A JP35194792 A JP 35194792A JP 35194792 A JP35194792 A JP 35194792A JP H06177434 A JPH06177434 A JP H06177434A
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- compound semiconductor
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 導電性接着剤を用いて確実にＬＥＤチップの
電極層とリードフレームとを接続でき、しかも、短絡を
防止できる青色発光素子を提供すると共に、量産性に優
れた青色発光素子の製造方法を提供する。 【構成】 青色発光素子は、ＬＥＤチップが、透光性基
板と、この透光性基板上に積層されたｎ型及びｐ型窒化
ガリウム系化合物半導体層と、透光性基板から離れた面
上であってエッチングによりｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体層の一部を取り除きかれて露出したｎ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体層の部位と、ｐ型窒化ガリウム系化
合物半導体層上とに夫々形成された一対の電極層とを有
してなり、ＬＥＤチップの一対の電極層が導電性接着剤
層を介して一対のリードフレームに夫々電気的に接続さ
れている青色発光素子において、一対の電極層を除くｎ
型及びｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上には、絶縁
性保護膜が形成されてなることを特徴としている。
電極層とリードフレームとを接続でき、しかも、短絡を
防止できる青色発光素子を提供すると共に、量産性に優
れた青色発光素子の製造方法を提供する。 【構成】 青色発光素子は、ＬＥＤチップが、透光性基
板と、この透光性基板上に積層されたｎ型及びｐ型窒化
ガリウム系化合物半導体層と、透光性基板から離れた面
上であってエッチングによりｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体層の一部を取り除きかれて露出したｎ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体層の部位と、ｐ型窒化ガリウム系化
合物半導体層上とに夫々形成された一対の電極層とを有
してなり、ＬＥＤチップの一対の電極層が導電性接着剤
層を介して一対のリードフレームに夫々電気的に接続さ
れている青色発光素子において、一対の電極層を除くｎ
型及びｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上には、絶縁
性保護膜が形成されてなることを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ｐ−ｎ接合の窒化ガリ
ウム系化合物半導体層を有した青色発光素子及びその製
造方法に関する。
ウム系化合物半導体層を有した青色発光素子及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】青色ＬＥＤ（発光ダイオード）、青色Ｌ
Ｄ（レーザーダイオード）等の青色発光デバイスの材料
としてＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＧａＡｌＮ等の窒化ガリウ
ム系化合物半導体が最近注目されている。
Ｄ（レーザーダイオード）等の青色発光デバイスの材料
としてＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＧａＡｌＮ等の窒化ガリウ
ム系化合物半導体が最近注目されている。
【０００３】窒化ガリウム系化合物半導体の中、例え
ば、ＧａＮを用いた従来の青色ＬＥＤ素子の製造方法に
沿って、簡単に構造を説明すると、透光性基板としてサ
ファイア基板を用い、このサフャイア基板上に、ｎ型Ｇ
ａＮ層、ｎ型ＩｎＧａＮ層及びｐ型ＧａＮ層を順次積層
し、次いで、ｎ型ＩｎＧａＮ層とｐ型ＧａＮ層及びｎ型
ＧａＮ層の一部をエッチングにより取り除き、露出され
たｎ型ＧａＮ層上及びｐ型ＧａＮ層上に、アルミニウム
及びニッケルからなる電極層を形成し、これら電極層
を、離間した一対のリードフレーム上にインジウム金属
層により溶着する。即ち、インジウム金属層によって、
サフャイア基板と、サフャイア基板上に形成されたｎ型
ＧａＮ層、ｎ型ＩｎＧａＮ層及びｐ型ＧａＮ層とを有す
るＬＥＤチップを一対のリードフレームに電極層を介し
て固着している。
ば、ＧａＮを用いた従来の青色ＬＥＤ素子の製造方法に
沿って、簡単に構造を説明すると、透光性基板としてサ
ファイア基板を用い、このサフャイア基板上に、ｎ型Ｇ
ａＮ層、ｎ型ＩｎＧａＮ層及びｐ型ＧａＮ層を順次積層
し、次いで、ｎ型ＩｎＧａＮ層とｐ型ＧａＮ層及びｎ型
ＧａＮ層の一部をエッチングにより取り除き、露出され
たｎ型ＧａＮ層上及びｐ型ＧａＮ層上に、アルミニウム
及びニッケルからなる電極層を形成し、これら電極層
を、離間した一対のリードフレーム上にインジウム金属
層により溶着する。即ち、インジウム金属層によって、
サフャイア基板と、サフャイア基板上に形成されたｎ型
ＧａＮ層、ｎ型ＩｎＧａＮ層及びｐ型ＧａＮ層とを有す
るＬＥＤチップを一対のリードフレームに電極層を介し
て固着している。
【０００４】しかしながら、このようなインジウム金属
層の溶着では、電極層の形成のため、溶解したインジウ
ムが固体化するまでの間、ＬＥＤチップとリードフレー
ムとを保持し続けなければならず、量産性に乏しいとい
う問題があり、しかも、その機械的強度も低いという問
題がある。このため、インジウムの代わりに、短時間で
量産性のある導電性接着剤、例えば、銀ペーストによっ
て、ＬＥＤチップをリードフレームに固着することが切
望されるが、このような銀ペーストでは、銀ペーストが
電極層をはみ出して形成され、例えば、ｐ型ＧａＮ層の
電極層からはみ出した銀ペーストがｎ型ＧａＮ層と短絡
するという可能性があり、信頼性の点から導電性接着剤
を使用できないという問題があった。
層の溶着では、電極層の形成のため、溶解したインジウ
ムが固体化するまでの間、ＬＥＤチップとリードフレー
ムとを保持し続けなければならず、量産性に乏しいとい
う問題があり、しかも、その機械的強度も低いという問
題がある。このため、インジウムの代わりに、短時間で
量産性のある導電性接着剤、例えば、銀ペーストによっ
て、ＬＥＤチップをリードフレームに固着することが切
望されるが、このような銀ペーストでは、銀ペーストが
電極層をはみ出して形成され、例えば、ｐ型ＧａＮ層の
電極層からはみ出した銀ペーストがｎ型ＧａＮ層と短絡
するという可能性があり、信頼性の点から導電性接着剤
を使用できないという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明はこの
ような事情を鑑みて成されたものであり、その目的とす
るところは、導電性接着剤を用いて確実にＬＥＤチップ
の電極層とリードフレームとを接続でき、しかも、短絡
を防止できる青色発光素子を提供すると共に、量産性に
優れた青色発光素子の製造方法を提供するものである。
ような事情を鑑みて成されたものであり、その目的とす
るところは、導電性接着剤を用いて確実にＬＥＤチップ
の電極層とリードフレームとを接続でき、しかも、短絡
を防止できる青色発光素子を提供すると共に、量産性に
優れた青色発光素子の製造方法を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の青色発光素子
は、ＬＥＤチップが、透光性基板と、この透光性基板上
に積層されたｎ型及びｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
層と、透光性基板から離れた面上であってエッチングに
よりｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部を取り除
きかれて露出したｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層の
部位と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上とに夫々
形成された一対の電極層とを有してなり、ＬＥＤチップ
の一対の電極層が導電性接着剤層を介して一対のリード
フレームに夫々電気的に接続されている青色発光素子に
おいて、一対の電極層を除くｎ型及びｐ型窒化ガリウム
系化合物半導体層上には、絶縁性保護膜が形成されてな
ることを特徴としている。
は、ＬＥＤチップが、透光性基板と、この透光性基板上
に積層されたｎ型及びｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
層と、透光性基板から離れた面上であってエッチングに
よりｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部を取り除
きかれて露出したｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層の
部位と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上とに夫々
形成された一対の電極層とを有してなり、ＬＥＤチップ
の一対の電極層が導電性接着剤層を介して一対のリード
フレームに夫々電気的に接続されている青色発光素子に
おいて、一対の電極層を除くｎ型及びｐ型窒化ガリウム
系化合物半導体層上には、絶縁性保護膜が形成されてな
ることを特徴としている。
【０００７】上記青色発光素子において、好適には、絶
縁性保護膜がポリイミドからなっており、一方、導電性
接着剤層が銀ペーストからなっている。
縁性保護膜がポリイミドからなっており、一方、導電性
接着剤層が銀ペーストからなっている。
【０００８】また、本発明の青色発光素子の製造方法
は、ＬＥＤチップが、透光性基板と、この透光性基板上
に積層されたｎ型及びｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
層と、エッチングによりｐ型窒化ガリウム系化合物半導
体層の一部を取り除きかれて露出したｎ型窒化ガリウム
系化合物半導体層の部位と、ｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体層上とに夫々形成された一対の電極層とを有して
なるＬＥＤチップを形成した後、上記一対の電極層を除
く上記ＬＥＤチップにおける透光性基板と反対する面上
に、ポリイミドからなる絶縁性保護膜を形成することを
特徴としている。
は、ＬＥＤチップが、透光性基板と、この透光性基板上
に積層されたｎ型及びｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
層と、エッチングによりｐ型窒化ガリウム系化合物半導
体層の一部を取り除きかれて露出したｎ型窒化ガリウム
系化合物半導体層の部位と、ｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体層上とに夫々形成された一対の電極層とを有して
なるＬＥＤチップを形成した後、上記一対の電極層を除
く上記ＬＥＤチップにおける透光性基板と反対する面上
に、ポリイミドからなる絶縁性保護膜を形成することを
特徴としている。
【０００９】
【作用】本発明の青色発光素子では、ＬＥＤチップにお
ける透光性基板から遠ざかる面上に絶縁性保護膜が形成
されていることにより、導電性接着剤が電極層からはみ
出たとしても、化合物半導体層と接触することがないの
で、化合物半導体層と短絡することがない。
ける透光性基板から遠ざかる面上に絶縁性保護膜が形成
されていることにより、導電性接着剤が電極層からはみ
出たとしても、化合物半導体層と接触することがないの
で、化合物半導体層と短絡することがない。
【００１０】また、本発明の青色発光素子の製造方法で
は、電極層とリードフレームとを接続するのに導電性接
着剤を使用することにより、従来のようにインジウム金
属層を用いて接続するのに対し、時間的短縮と機械的強
度の向上が得られる。
は、電極層とリードフレームとを接続するのに導電性接
着剤を使用することにより、従来のようにインジウム金
属層を用いて接続するのに対し、時間的短縮と機械的強
度の向上が得られる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明の一実施
例について説明する。
例について説明する。
【００１２】図１には、本発明の青色発光素子の断面図
が示されており、この青色発光素子は、ＬＥＤチップ２
を含んでいる。このＬＥＤチップ２は、透光性基板とし
てのサフャイア基板４と、ｐ−ｎ接合窒化ガリウム系の
化合物半導体層とを有しており、化合物半導体層は、サ
フャイア基板４上に順次積層されたｎ型ＧａＮ層６、ｎ
型ＩｎＧａＮ層８及びｐ型ＧａＮ層１０とからなってい
る。図１から明らかなように、ｐ型ＧａＮ層１０にはニ
ッケルからなる電極層１２が積層され、一方、ｎ型Ｇａ
Ｎ層６は、好適なエッチングによりｎ型ＩｎＧａＮ層８
及びｐ型ＧａＮ層１０の一部を取り除かれた位置でアル
ミニウムからなる電極層１４が設けられている。
が示されており、この青色発光素子は、ＬＥＤチップ２
を含んでいる。このＬＥＤチップ２は、透光性基板とし
てのサフャイア基板４と、ｐ−ｎ接合窒化ガリウム系の
化合物半導体層とを有しており、化合物半導体層は、サ
フャイア基板４上に順次積層されたｎ型ＧａＮ層６、ｎ
型ＩｎＧａＮ層８及びｐ型ＧａＮ層１０とからなってい
る。図１から明らかなように、ｐ型ＧａＮ層１０にはニ
ッケルからなる電極層１２が積層され、一方、ｎ型Ｇａ
Ｎ層６は、好適なエッチングによりｎ型ＩｎＧａＮ層８
及びｐ型ＧａＮ層１０の一部を取り除かれた位置でアル
ミニウムからなる電極層１４が設けられている。
【００１３】ニッケル電極層１２及びアルミニウム電極
層１４を除く、透光性基板４から遠ざかるＬＥＤチップ
２の一側面、即ち、エッチングによりｎ型ＩｎＧａＮ層
８及びｐ型ＧａＮ層１０の一部を取り除かれたｎ型Ｇａ
Ｎ層６上及びｐ型ＧａＮ層１０上には、ポリイミドから
なる絶縁性保護膜１６が形成されている。この絶縁性保
護膜１６は、とりわけ、導電性接着剤層２０によるｎ型
ＧａＮ層６とｎ型ＩｎＧａＮ層８又はｐ型ＧａＮ層１０
との短絡が生じないように、必ずしもポリイミドでな
く、例えば、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ等からなっていてもよ
い。そして、ニッケル電極層１２及びアルミニウム電極
層１４は、夫々、銀ペーストからなる導電性接着剤層１
８、２０を介して一対のリードフレーム２２、２４に溶
着されている。即ち、一対のリードフレーム２２、２４
には導電性接着剤層１８、２０及び電気層１２、１４を
介してＬＥＤチップ２を固着している。図１中には図示
しないが、このようなＬＥＤチップ２とリードフレーム
２２、２４上には、ＬＥＤチップ２からの光を集光する
ためにレンズ状に形成されたモールドが設けられてい
る。
層１４を除く、透光性基板４から遠ざかるＬＥＤチップ
２の一側面、即ち、エッチングによりｎ型ＩｎＧａＮ層
８及びｐ型ＧａＮ層１０の一部を取り除かれたｎ型Ｇａ
Ｎ層６上及びｐ型ＧａＮ層１０上には、ポリイミドから
なる絶縁性保護膜１６が形成されている。この絶縁性保
護膜１６は、とりわけ、導電性接着剤層２０によるｎ型
ＧａＮ層６とｎ型ＩｎＧａＮ層８又はｐ型ＧａＮ層１０
との短絡が生じないように、必ずしもポリイミドでな
く、例えば、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ等からなっていてもよ
い。そして、ニッケル電極層１２及びアルミニウム電極
層１４は、夫々、銀ペーストからなる導電性接着剤層１
８、２０を介して一対のリードフレーム２２、２４に溶
着されている。即ち、一対のリードフレーム２２、２４
には導電性接着剤層１８、２０及び電気層１２、１４を
介してＬＥＤチップ２を固着している。図１中には図示
しないが、このようなＬＥＤチップ２とリードフレーム
２２、２４上には、ＬＥＤチップ２からの光を集光する
ためにレンズ状に形成されたモールドが設けられてい
る。
【００１４】このように構成された青色発光素子では、
例え、導電性接着剤層１８、２０が電極層１２、１４の
領域を多少越えて形成されたとしても、絶縁性保護膜１
６によって導電性接着剤層１８、２０がＬＥＤチップ２
の化合物半導体層と接触することがないから、短絡を防
止することができる。しかも、発光させると順方向電圧
５Ｖで、発光波長４３０ｎｍ、発光出力２００μＷであ
った。
例え、導電性接着剤層１８、２０が電極層１２、１４の
領域を多少越えて形成されたとしても、絶縁性保護膜１
６によって導電性接着剤層１８、２０がＬＥＤチップ２
の化合物半導体層と接触することがないから、短絡を防
止することができる。しかも、発光させると順方向電圧
５Ｖで、発光波長４３０ｎｍ、発光出力２００μＷであ
った。
【００１５】次に、このように構成される青色発光素子
の製造方法について説明するが、具体的製造方法に先立
ち、一般的な製造方法について説明すると、サファイア
基板４上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層する方法
には、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ法等の気相成長法により形成
することができ、ｎ型不純物としては、Ｓｉ、ｐ型不純
物としてはＭｇ、Ｚｎ等がよく知られている。
の製造方法について説明するが、具体的製造方法に先立
ち、一般的な製造方法について説明すると、サファイア
基板４上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層する方法
には、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ法等の気相成長法により形成
することができ、ｎ型不純物としては、Ｓｉ、ｐ型不純
物としてはＭｇ、Ｚｎ等がよく知られている。
【００１６】高抵抗なｉ型ＧａＮ層を低抵抗なｐ型にす
るには、例えば、特開平２−２５７６７９号公報に記載
されているように電子線照射を行っても良いし、また、
本出願人が先に出願した特願平３−３５７０４６号に記
載したアニーリング法を用いることができる。
るには、例えば、特開平２−２５７６７９号公報に記載
されているように電子線照射を行っても良いし、また、
本出願人が先に出願した特願平３−３５７０４６号に記
載したアニーリング法を用いることができる。
【００１７】ｎ型ＧａＮ層６が露出するまでｎ型ＩｎＧ
ａＮ層８を含めｐ型ＧａＮ層１０をエッチングして取り
除くには、例えば硫酸とリン酸によるウエットエッチン
グ法、或いは特開平３−１０８７７９号公報に開示され
るようなドライエッチング法を用いることができる。
ａＮ層８を含めｐ型ＧａＮ層１０をエッチングして取り
除くには、例えば硫酸とリン酸によるウエットエッチン
グ法、或いは特開平３−１０８７７９号公報に開示され
るようなドライエッチング法を用いることができる。
【００１８】ｐ型ＧａＮ層１０の電極層１２及びｎ型Ｇ
ａＮ層６の電極層１４には、例えばニッケル、アルミニ
ウムを用い、蒸着により形成することができる。
ａＮ層６の電極層１４には、例えばニッケル、アルミニ
ウムを用い、蒸着により形成することができる。
【００１９】絶縁性保護膜１６は、とりわけ、導電性接
着剤層２０によるｎ型ＧａＮ層６とｎ型ＩｎＧａＮ層８
又はｐ型ＧａＮ層１０との短絡が生じないように、例え
ば、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ、ポリイミド等から形成する。
着剤層２０によるｎ型ＧａＮ層６とｎ型ＩｎＧａＮ層８
又はｐ型ＧａＮ層１０との短絡が生じないように、例え
ば、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ、ポリイミド等から形成する。
【００２０】導電性接着剤１８、２０には、リードフレ
ーム２２、２４と電極層１２、１４を電気的に接続でき
る材料であって、短時間にＬＥＤチップ２とリードフレ
ーム２２、２４とを固着できる材料が好ましく、例え
ば、銀ペースト、半田等を選定することができる。
ーム２２、２４と電極層１２、１４を電気的に接続でき
る材料であって、短時間にＬＥＤチップ２とリードフレ
ーム２２、２４とを固着できる材料が好ましく、例え
ば、銀ペースト、半田等を選定することができる。
【００２１】以下、具体的な製造方法について説明する
と、まず、サファイア基板４のＣ面にＭＯＣＶＤ装置を
用いてＧａＮバッファ層を２００オングストロームの膜
厚で成長させ、その上にＳｉをドープしたｎ型ＧａＮ層
６を４μｍの膜厚で、その上にＳｉをドープしたｎ型Ｉ
ｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層８を２００オングストロームの膜厚
で、さらにその上にＭｇをドープしたｐ型ＧａＮ層１０
を０．５μｍの膜厚で順に成長させる。
と、まず、サファイア基板４のＣ面にＭＯＣＶＤ装置を
用いてＧａＮバッファ層を２００オングストロームの膜
厚で成長させ、その上にＳｉをドープしたｎ型ＧａＮ層
６を４μｍの膜厚で、その上にＳｉをドープしたｎ型Ｉ
ｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層８を２００オングストロームの膜厚
で、さらにその上にＭｇをドープしたｐ型ＧａＮ層１０
を０．５μｍの膜厚で順に成長させる。
【００２２】ｐ型ＧａＮ層１０成長後、ウエハを装置か
ら取り出し、新たに電子線照射装置にいれて、７００℃
で電子線照射を行い、ｐ型ＧａＮ層１０をさらに低抵抗
化する。
ら取り出し、新たに電子線照射装置にいれて、７００℃
で電子線照射を行い、ｐ型ＧａＮ層１０をさらに低抵抗
化する。
【００２３】次に、ｐ型ＧａＮ層１０の上にフォトレジ
ストにより所定のパターンを形成し、ｐ型ＧａＮ層１０
の一部をｎ型Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層８を含めｎ型ＧａＮ層
６に達するまでエッチングする。
ストにより所定のパターンを形成し、ｐ型ＧａＮ層１０
の一部をｎ型Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層８を含めｎ型ＧａＮ層
６に達するまでエッチングする。
【００２４】エッチング終了後、レジストを剥離し、再
度フォトレジストで電極パターンを作成して、蒸着によ
りｎ型ＧａＮ層６にアルミニウム電極層１４と、ｐ型Ｇ
ａＮ層１０にニッケル電極層１２を形成する。さらにそ
の上に両電極層１２、１４の一部を除きポリイミドから
なる絶縁性保護膜１６を形成する。その後、ウエハをダ
イシングによりチップ状にカットする。
度フォトレジストで電極パターンを作成して、蒸着によ
りｎ型ＧａＮ層６にアルミニウム電極層１４と、ｐ型Ｇ
ａＮ層１０にニッケル電極層１２を形成する。さらにそ
の上に両電極層１２、１４の一部を除きポリイミドから
なる絶縁性保護膜１６を形成する。その後、ウエハをダ
イシングによりチップ状にカットする。
【００２５】カットしたＬＥＤチップ２を図１に示すよ
うに、サファイア基板４側を発光面にして、リードフレ
ーム２２、２４に取り付ける。この場合、銀ペーストに
より導電性接着剤層１８、２２を形成することにより、
電極層１２、１４とリードフレーム２２、２４とを夫々
電気的に接続する。最後に、エポキシ樹脂により全体を
レンズ形状にしてモールドを形成し、これにより、青色
発光素子とする。
うに、サファイア基板４側を発光面にして、リードフレ
ーム２２、２４に取り付ける。この場合、銀ペーストに
より導電性接着剤層１８、２２を形成することにより、
電極層１２、１４とリードフレーム２２、２４とを夫々
電気的に接続する。最後に、エポキシ樹脂により全体を
レンズ形状にしてモールドを形成し、これにより、青色
発光素子とする。
【００２６】この製造方法によれば、従来の如く、絶縁
性保護膜１６を形成することなくインジウム金属層を溶
着させる方法に比べて、圧倒的な時間的短縮と高い歩留
が達成でき、しかも、ＬＥＤチップ２とリードフレーム
２２、２４との機械的強度の優れると共に、電極での短
絡が少なくて信頼性の向上した青色発光素子が得られ
る。
性保護膜１６を形成することなくインジウム金属層を溶
着させる方法に比べて、圧倒的な時間的短縮と高い歩留
が達成でき、しかも、ＬＥＤチップ２とリードフレーム
２２、２４との機械的強度の優れると共に、電極での短
絡が少なくて信頼性の向上した青色発光素子が得られ
る。
【００２７】
【発明の効果】上述したように、本発明の青色発光素子
では、ＬＥＤチップとリードフレームとの機械的強度が
優れ、電極での短絡が少なくて信頼性が向上する。ま
た、本発明の製造方法によれば、圧倒的な時間的短縮と
高い歩留が達成できる。
では、ＬＥＤチップとリードフレームとの機械的強度が
優れ、電極での短絡が少なくて信頼性が向上する。ま
た、本発明の製造方法によれば、圧倒的な時間的短縮と
高い歩留が達成できる。
【図１】本発明の一実施例による青色発光素子を示す断
面図である。
面図である。
２ ＬＥＤチップ ４ 透光性基板（サファイヤ基板） ６ ｎ型ＧａＮ層 ８ ｎ型ＩｎＧａＮ層 １０ ｐ型ＧａＮ層 １２、１４ 電極層 １６ 絶縁性保護膜 １８、２０ 導電性接着剤層 ２２、２４ リードフレーム
Claims (3)
- 【請求項１】 ＬＥＤチップが、透光性基板と、この透
光性基板上に積層されたｎ型及びｐ型窒化ガリウム系化
合物半導体層と、上記透光性基板から離れた面上であっ
てエッチングによりｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
の一部を取り除かれて露出したｎ型窒化ガリウム系化合
物半導体層の部位と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
層上とに夫々形成された一対の電極層とを有してなり、
上記ＬＥＤチップの一対の電極層が導電性接着剤層を介
して一対のリードフレームに夫々電気的に接続されてい
る青色発光素子において、 上記一対の電極層を除くｎ型及びｐ型窒化ガリウム系化
合物半導体層上には、絶縁性保護膜が形成されてなるこ
とを特徴とする青色発光素子。 - 【請求項２】 上記絶縁性保護膜がポリイミドからなっ
ており、一方、上記導電性接着剤層が銀ペーストからな
っていることを特徴とする請求項１に記載の青色発光素
子。 - 【請求項３】 ＬＥＤチップが、透光性基板と、この透
光性基板上に積層されたｎ型及びｐ型窒化ガリウム系化
合物半導体層と、エッチングによりｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層の一部を取り除かれて露出したｎ型窒化
ガリウム系化合物半導体層の部位と、ｐ型窒化ガリウム
系化合物半導体層上とに夫々形成された一対の電極層と
を有してなるＬＥＤチップを形成した後、上記一対の電
極層を除く上記ＬＥＤチップにおける透光性基板と反対
する面上に、ポリイミドからなる絶縁性保護膜を形成す
ることを特徴とする青色発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35194792A JP2914065B2 (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | 青色発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35194792A JP2914065B2 (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | 青色発光素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177434A true JPH06177434A (ja) | 1994-06-24 |
| JP2914065B2 JP2914065B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=18420719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35194792A Expired - Lifetime JP2914065B2 (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | 青色発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2914065B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0927639A (ja) * | 1995-07-12 | 1997-01-28 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| US5693963A (en) * | 1994-09-19 | 1997-12-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Compound semiconductor device with nitride |
| EP0911888A2 (en) * | 1994-03-22 | 1999-04-28 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting semiconductor device using group III nitrogen compound |
| US6265726B1 (en) | 1994-03-22 | 2001-07-24 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting aluminum gallium indium nitride compound semiconductor device having an improved luminous intensity |
| JP2003007929A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体チップとその製造方法 |
| KR20030073054A (ko) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | 에피밸리 주식회사 | 반도체 엘이디 소자 및 그 제조 방법 |
| KR100407773B1 (ko) * | 2001-01-05 | 2003-12-01 | 럭스피아 주식회사 | ＧａＮ 발광 소자 및 그 패키지 |
| JP2004343139A (ja) * | 2001-11-19 | 2004-12-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体発光素子 |
| JP2005005727A (ja) * | 2001-11-19 | 2005-01-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体発光素子 |
| JP2005150386A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US7554126B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-06-30 | Panasonic Corporation | Semiconductor light-emitting element, manufacturing method and mounting method of the same and light-emitting device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| JP4632690B2 (ja) | 2004-05-11 | 2011-02-16 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置とその製造方法 |
-
1992
- 1992-12-08 JP JP35194792A patent/JP2914065B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7138286B2 (en) | 1994-03-22 | 2006-11-21 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III nitrogen compound |
| US7332366B2 (en) | 1994-03-22 | 2008-02-19 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III nitrogen compound |
| US7001790B2 (en) | 1994-03-22 | 2006-02-21 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting aluminum gallium indium nitride compound semiconductor device having an improved luminous intensity |
| EP0911888A3 (en) * | 1994-03-22 | 1999-06-23 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting semiconductor device using group III nitrogen compound |
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| US7867800B2 (en) | 1994-03-22 | 2011-01-11 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III nitrogen compound |
| US5693963A (en) * | 1994-09-19 | 1997-12-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Compound semiconductor device with nitride |
| JPH0927639A (ja) * | 1995-07-12 | 1997-01-28 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| KR100407773B1 (ko) * | 2001-01-05 | 2003-12-01 | 럭스피아 주식회사 | ＧａＮ 발광 소자 및 그 패키지 |
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| JP4529319B2 (ja) * | 2001-06-27 | 2010-08-25 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体チップとその製造方法 |
| JP2005005727A (ja) * | 2001-11-19 | 2005-01-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体発光素子 |
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| US7554126B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-06-30 | Panasonic Corporation | Semiconductor light-emitting element, manufacturing method and mounting method of the same and light-emitting device |
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| JP2914065B2 (ja) | 1999-06-28 |
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