JPH06172533A - 光導波路形成用高分子及びポリシロキサン系光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路形成用高分子及びポリシロキサン系光導波路の製造方法Info
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- JPH06172533A JPH06172533A JP4350132A JP35013292A JPH06172533A JP H06172533 A JPH06172533 A JP H06172533A JP 4350132 A JP4350132 A JP 4350132A JP 35013292 A JP35013292 A JP 35013292A JP H06172533 A JPH06172533 A JP H06172533A
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- polysiloxane
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 可視〜近赤外域にわたり低損失で、耐熱性に
優れたポリシロキサン系光導波路の製法、及びそれに有
用な高分子を提供する。 【構成】 一般式（化１）：−〔−Ｓｉ（−Ｒ1 ）（−
Ｒ2 ）−Ｏ−〕100-m −〔−Ｓｉ（−Ｒ3 ）｛−Ｒ4 −
Ｃ（Ｚ）2 Ｃｌ｝−Ｏ−〕m −又はその相当する環状ポ
リシロキサン〔式中Ｒ1 〜Ｒ3 は−Ｃn Ｙ2n+1又は−Ｃ
6 Ｙ5 （ＹはＨ、Ｄ又はハロゲン、Ｃ6 はベンゼン環、
ｎは５以下の正の整数）、Ｒ4 は−Ｃ6 Ｙ4 −、ＺはＨ
又はＤ、ｍ＜１００、Ｙは少なくとも一部はＤ〕なる繰
返し単位をもつ（共）重合体なる光導波路形成用高分
子。コア部分の形成を、遠紫外線又は電子線照射で、使
用する高分子の不溶化と、不要部分の除去によって行う
ポリシロキサン系光導波路の製法。
優れたポリシロキサン系光導波路の製法、及びそれに有
用な高分子を提供する。 【構成】 一般式（化１）：−〔−Ｓｉ（−Ｒ1 ）（−
Ｒ2 ）−Ｏ−〕100-m −〔−Ｓｉ（−Ｒ3 ）｛−Ｒ4 −
Ｃ（Ｚ）2 Ｃｌ｝−Ｏ−〕m −又はその相当する環状ポ
リシロキサン〔式中Ｒ1 〜Ｒ3 は−Ｃn Ｙ2n+1又は−Ｃ
6 Ｙ5 （ＹはＨ、Ｄ又はハロゲン、Ｃ6 はベンゼン環、
ｎは５以下の正の整数）、Ｒ4 は−Ｃ6 Ｙ4 −、ＺはＨ
又はＤ、ｍ＜１００、Ｙは少なくとも一部はＤ〕なる繰
返し単位をもつ（共）重合体なる光導波路形成用高分
子。コア部分の形成を、遠紫外線又は電子線照射で、使
用する高分子の不溶化と、不要部分の除去によって行う
ポリシロキサン系光導波路の製法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光集積回路用導波路な
どに使用可能なポリシロキサン系光学部品及びその製造
方法に関する。
どに使用可能なポリシロキサン系光学部品及びその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光学部品あるいは光ファイバの基材とし
ては、光伝送損失が小さく、伝送帯域が広いという特徴
をもつ石英ガラスや多成分ガラス等の無機系の材料が広
く使用されているが、最近ではプラスチック系の材料も
開発され、無機系のものに比較して加工性や価格の点で
優れていることから、性能のよい光導波路用材料として
注目されている。例えば、ポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）あるいはポリスチレンのような透明性に優
れたプラスチックをコアとし、そのコア成分よりも屈折
率の低いプラスチックをクラッド成分としたコアークラ
ッド構造からなる平板型光導波路が作製されている〔特
開平３−１８８４０２号〕。しかし、これら従来のプラ
スチック光導波路では、導波損失と耐熱性が無機系の材
料に及ばないという問題がある。すなわち、導波損失の
問題に関して言えば、導波路内の光の伝達は導波路の一
端に入射させた光を長さ方向に沿って内部を全反射させ
て行うが、光が伝達するに当り光の吸収あるいは散乱に
よって光が減衰される度合が、プラスチック中では無機
系材料に比較して大きい。特に、通信に用いられる光の
波長が６５０nm〜１６００nmにあることから、この波長
領域におけるプラスチックの低損失化が必要であった。
また、耐熱性の問題に関して言えば、プラスチックのガ
ラス転移温度が一般に１００℃前後であるため、耐熱温
度の上限は７０℃程度であり、プラスチック導波路を実
用的なものとして使用することが困難であった。これら
の問題を解決する材料として、可視〜近赤外域にわたっ
て低損失であり耐熱性に優れるポリシロキサンを使用す
ることができる（特開平３−４３４２３号）。この材料
を用いてプラスチック光導波路を製造するには、クラッ
ドとなる低屈折率のポリシロキサンと、コアとなる高屈
折率のポリシロキサンが必要である。まず、基板上に低
屈折率のポリシロキサンの層を形成し、次いで、この上
にコアとなる高屈折率のポリシロキサンの層を形成した
のち、この層を従来の微細加工技術を用いて所望のコア
形状に微細加工する。具体的には、ポリシロキサン層の
上に更に感光性レジストの層を形成し、レジストの露光
・現像により形成されたレジストパターンをマスクとし
て、有機溶媒を用いたウェットエッチング、あるいは、
反応性イオンエッチングのようなドライエッチングによ
りポリシロキサン層の微細加工を行う。しかしながら、
ポリシロキサンの微細加工には、以下に述べるような困
難が伴う。すなわち、ウェットエッチング法を採用すれ
ば、有機溶媒による等方的なエッチングのためにコアの
断面形状を適正な方形に加工することが困難である。ま
た、異方性のドライエッチング法を採用しても、エッチ
ング速度が小さく、コアの微細加工を行うのに長時間を
要するという欠点があった。
ては、光伝送損失が小さく、伝送帯域が広いという特徴
をもつ石英ガラスや多成分ガラス等の無機系の材料が広
く使用されているが、最近ではプラスチック系の材料も
開発され、無機系のものに比較して加工性や価格の点で
優れていることから、性能のよい光導波路用材料として
注目されている。例えば、ポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）あるいはポリスチレンのような透明性に優
れたプラスチックをコアとし、そのコア成分よりも屈折
率の低いプラスチックをクラッド成分としたコアークラ
ッド構造からなる平板型光導波路が作製されている〔特
開平３−１８８４０２号〕。しかし、これら従来のプラ
スチック光導波路では、導波損失と耐熱性が無機系の材
料に及ばないという問題がある。すなわち、導波損失の
問題に関して言えば、導波路内の光の伝達は導波路の一
端に入射させた光を長さ方向に沿って内部を全反射させ
て行うが、光が伝達するに当り光の吸収あるいは散乱に
よって光が減衰される度合が、プラスチック中では無機
系材料に比較して大きい。特に、通信に用いられる光の
波長が６５０nm〜１６００nmにあることから、この波長
領域におけるプラスチックの低損失化が必要であった。
また、耐熱性の問題に関して言えば、プラスチックのガ
ラス転移温度が一般に１００℃前後であるため、耐熱温
度の上限は７０℃程度であり、プラスチック導波路を実
用的なものとして使用することが困難であった。これら
の問題を解決する材料として、可視〜近赤外域にわたっ
て低損失であり耐熱性に優れるポリシロキサンを使用す
ることができる（特開平３−４３４２３号）。この材料
を用いてプラスチック光導波路を製造するには、クラッ
ドとなる低屈折率のポリシロキサンと、コアとなる高屈
折率のポリシロキサンが必要である。まず、基板上に低
屈折率のポリシロキサンの層を形成し、次いで、この上
にコアとなる高屈折率のポリシロキサンの層を形成した
のち、この層を従来の微細加工技術を用いて所望のコア
形状に微細加工する。具体的には、ポリシロキサン層の
上に更に感光性レジストの層を形成し、レジストの露光
・現像により形成されたレジストパターンをマスクとし
て、有機溶媒を用いたウェットエッチング、あるいは、
反応性イオンエッチングのようなドライエッチングによ
りポリシロキサン層の微細加工を行う。しかしながら、
ポリシロキサンの微細加工には、以下に述べるような困
難が伴う。すなわち、ウェットエッチング法を採用すれ
ば、有機溶媒による等方的なエッチングのためにコアの
断面形状を適正な方形に加工することが困難である。ま
た、異方性のドライエッチング法を採用しても、エッチ
ング速度が小さく、コアの微細加工を行うのに長時間を
要するという欠点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような現
状にかんがみてなされたものであり、その目的は可視〜
近赤外域にわたり低損失であり、しかも耐熱性に優れた
プラスチック光導波路を、効率よく簡便に製造する方法
を提供することにある。
状にかんがみてなされたものであり、その目的は可視〜
近赤外域にわたり低損失であり、しかも耐熱性に優れた
プラスチック光導波路を、効率よく簡便に製造する方法
を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明の第１の発明は光導波路形成用高分子に関する発明
であって、下記一般式（化１）あるいは（化２）：
発明の第１の発明は光導波路形成用高分子に関する発明
であって、下記一般式（化１）あるいは（化２）：
【０００５】
【化１】
【０００６】
【化２】
【０００７】〔式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は同一又は異な
り、Ｃn Ｙ2n+1（Ｙは水素、重水素、又はハロゲン、ｎ
は５以下の正の整数）で表されるアルキル基、重水素化
アルキル基、又はハロゲン化アルキル基、あるいはＣ6
Ｙ5 （Ｙは水素、重水素、又はハロゲン）で表されるフ
ェニル基、重水素化フェニル基、又はハロゲン化フェニ
ル基、Ｒ4 はＣ6 Ｙ4 （Ｙは水素、重水素、又はハロゲ
ン）で表されるフェニレン基、重水素化フェニレン基、
又はハロゲン化フェニレン基、Ｚは水素あるいは重水
素、ｍは１００未満の正の数であり、Ｙはすべて、ある
いは一部が重水素である〕で表される繰返し単位を有す
る重合体、あるいは、一般式（化１）又は（化２）で表
される繰返し単位を有する共重合体であることを特徴と
する。そして、本発明の第２の発明はポリシロキサン系
光導波路の製造方法に関する発明であって、基板上に下
層クラッド層を形成する工程、コア部分を形成する工
程、上層クラッドを形成する工程、を包含するポリシロ
キサン系光導波路の製造方法において、該コア部分の形
成を、遠紫外線あるいは電子線の照射による高分子の不
溶化工程と、不要部分の除去の工程により行うことを特
徴とする。
り、Ｃn Ｙ2n+1（Ｙは水素、重水素、又はハロゲン、ｎ
は５以下の正の整数）で表されるアルキル基、重水素化
アルキル基、又はハロゲン化アルキル基、あるいはＣ6
Ｙ5 （Ｙは水素、重水素、又はハロゲン）で表されるフ
ェニル基、重水素化フェニル基、又はハロゲン化フェニ
ル基、Ｒ4 はＣ6 Ｙ4 （Ｙは水素、重水素、又はハロゲ
ン）で表されるフェニレン基、重水素化フェニレン基、
又はハロゲン化フェニレン基、Ｚは水素あるいは重水
素、ｍは１００未満の正の数であり、Ｙはすべて、ある
いは一部が重水素である〕で表される繰返し単位を有す
る重合体、あるいは、一般式（化１）又は（化２）で表
される繰返し単位を有する共重合体であることを特徴と
する。そして、本発明の第２の発明はポリシロキサン系
光導波路の製造方法に関する発明であって、基板上に下
層クラッド層を形成する工程、コア部分を形成する工
程、上層クラッドを形成する工程、を包含するポリシロ
キサン系光導波路の製造方法において、該コア部分の形
成を、遠紫外線あるいは電子線の照射による高分子の不
溶化工程と、不要部分の除去の工程により行うことを特
徴とする。
【０００８】本発明者らは前記問題を解決するために鋭
意検討・研究を重ねた結果、レジストの助けを借りて加
工される従来のポリシロキサンとは異なり、遠紫外線や
電子線により自らが不溶化し、直接的な加工を可能にす
るポリシロキサンを用いることによって、前述の問題を
解決できることを見出した。
意検討・研究を重ねた結果、レジストの助けを借りて加
工される従来のポリシロキサンとは異なり、遠紫外線や
電子線により自らが不溶化し、直接的な加工を可能にす
るポリシロキサンを用いることによって、前述の問題を
解決できることを見出した。
【０００９】すなわち、本発明では、従来行われてきた
ポリシロキサンの光導波路への加工が、まず感光性レジ
スト層の形成と露光・現像によるレジストマスクの形
成、次いで有機溶媒による従来のウェットエッチング法
や反応性イオンエッチングのようなドライエッチング法
を用いて行われるために、加工手順が煩雑になるだけで
なく、導波路形状の制御性や加工効率が極めて低いのに
対し、遠紫外線あるいは電子線の照射により不溶化する
ポリシロキサンを用いて、直接的にコア部を形成するも
のである。本発明の発明者らは、このようなポリシロキ
サンと加工手法を採用することで、導波路の断面形状を
適正に保ち、加工の効率を向上させられることを見出し
た。
ポリシロキサンの光導波路への加工が、まず感光性レジ
スト層の形成と露光・現像によるレジストマスクの形
成、次いで有機溶媒による従来のウェットエッチング法
や反応性イオンエッチングのようなドライエッチング法
を用いて行われるために、加工手順が煩雑になるだけで
なく、導波路形状の制御性や加工効率が極めて低いのに
対し、遠紫外線あるいは電子線の照射により不溶化する
ポリシロキサンを用いて、直接的にコア部を形成するも
のである。本発明の発明者らは、このようなポリシロキ
サンと加工手法を採用することで、導波路の断面形状を
適正に保ち、加工の効率を向上させられることを見出し
た。
【００１０】本発明による光導波路は、基板上への下層
クラッドの形成、コア部の形成、上層クラッドの形成、
の３工程を経て製造される。以下、順を追って本発明の
光導波路及びその製造方法をより詳細に説明する。
クラッドの形成、コア部の形成、上層クラッドの形成、
の３工程を経て製造される。以下、順を追って本発明の
光導波路及びその製造方法をより詳細に説明する。
【００１１】下層クラッドを形成するための基板として
は、平滑な表面を有するものであれば特に限定されない
が、例えば、シリコンウェハー、石英ガラス、多成分ガ
ラス、プラスチック板、プラスチックフィルム、セラミ
ックス、金属板、鉱物、あるいは、これらの材質を組合
せたものを用いることができる。
は、平滑な表面を有するものであれば特に限定されない
が、例えば、シリコンウェハー、石英ガラス、多成分ガ
ラス、プラスチック板、プラスチックフィルム、セラミ
ックス、金属板、鉱物、あるいは、これらの材質を組合
せたものを用いることができる。
【００１２】これらの上に形成するクラッド用のポリシ
ロキサンとしては、次に述べるコア部に用いようとする
ポリシロキサンに比較して低屈折率であれば特に限定さ
れないが、例えば、ポリフェニルシルセスキオキサン、
ポリジフェニルシロキサン、トリクロロフェニルシラン
とジクロロジフェニルシランをモノマーとするものの共
重合体、などを用いることができる。基板上のクラッド
層は、例えば、上記のクラッド用ポリシロキサンを含む
溶液を基板上にスピンコートしたのち乾燥する、あるい
は、該溶液中に基板を浸漬したのち乾燥することにより
形成することができる。すなわち、本発明において下層
クラッド層の形成方法は限定されるものではない。基板
上に形成する下層クラッドは、単一組成でも、複数のポ
リシロキサンの混合でもよい。また、複数のポリシロキ
サンの積層したものでもよい。
ロキサンとしては、次に述べるコア部に用いようとする
ポリシロキサンに比較して低屈折率であれば特に限定さ
れないが、例えば、ポリフェニルシルセスキオキサン、
ポリジフェニルシロキサン、トリクロロフェニルシラン
とジクロロジフェニルシランをモノマーとするものの共
重合体、などを用いることができる。基板上のクラッド
層は、例えば、上記のクラッド用ポリシロキサンを含む
溶液を基板上にスピンコートしたのち乾燥する、あるい
は、該溶液中に基板を浸漬したのち乾燥することにより
形成することができる。すなわち、本発明において下層
クラッド層の形成方法は限定されるものではない。基板
上に形成する下層クラッドは、単一組成でも、複数のポ
リシロキサンの混合でもよい。また、複数のポリシロキ
サンの積層したものでもよい。
【００１３】上述の方法により形成された下層クラッド
上にコア層が形成される。本発明のポリシロキサン系光
導波路を作製するのに必要な光導波路形成用高分子とし
ては、上に述べた下層クラッドよりも大きい屈折率をも
ち、遠紫外線あるいは電子線の照射により不溶化するも
のが用いられ、そのようなものとしては、前記一般式
（化１）あるいは（化２）で表される繰返し単位を有す
る重合体、あるいは、一般式（化１）又は（化２）で表
される繰返し単位の共重合体が挙げられる。具体的に
は、例えば、クロロメチル化ポリフェニルシルセスキオ
キサン、クロロメチル化ポリジフェニルシロキサン、な
どのフェニル基の水素の一部を重水素化したものを用い
ることができる。ｎが６以上ではポリマーのガラス転移
温度が低下して耐熱性に問題が生じるため、ｎは５以下
が望ましい。コア層の形成は、下層クラッドの場合と同
様にスピンコートや溶液中への浸漬により行うことがで
きる。また、コア層の組成は、単一でも複数のポリシロ
キサンの混合でもよい。このようにして形成されたコア
層の所望の部分に遠紫外線あるいは電子線が照射され
る。遠紫外線照射の場合には、コア層の上にマスクを重
ねるか、スパッタなどによりマスクパターンが形成さ
れ、水銀灯や市販の露光装置からの遠紫外線が照射され
る。電子線照射の場合には、電子線描画装置を用いてコ
ア層の上に直接所望のパターン状に電子線が照射され
る。これらの工程を経て、遠紫外線あるいは電子線が照
射された部分のポリシロキサンが不溶化し、この部分以
外の不要なポリシロキサンを溶解除去することにより、
光が導波するコア部が形成される。不要なポリシロキサ
ンの溶解除去には、基板全体を溶媒中に浸漬する方法
や、コア層に溶媒を噴霧する方法などを用いることがで
きる。
上にコア層が形成される。本発明のポリシロキサン系光
導波路を作製するのに必要な光導波路形成用高分子とし
ては、上に述べた下層クラッドよりも大きい屈折率をも
ち、遠紫外線あるいは電子線の照射により不溶化するも
のが用いられ、そのようなものとしては、前記一般式
（化１）あるいは（化２）で表される繰返し単位を有す
る重合体、あるいは、一般式（化１）又は（化２）で表
される繰返し単位の共重合体が挙げられる。具体的に
は、例えば、クロロメチル化ポリフェニルシルセスキオ
キサン、クロロメチル化ポリジフェニルシロキサン、な
どのフェニル基の水素の一部を重水素化したものを用い
ることができる。ｎが６以上ではポリマーのガラス転移
温度が低下して耐熱性に問題が生じるため、ｎは５以下
が望ましい。コア層の形成は、下層クラッドの場合と同
様にスピンコートや溶液中への浸漬により行うことがで
きる。また、コア層の組成は、単一でも複数のポリシロ
キサンの混合でもよい。このようにして形成されたコア
層の所望の部分に遠紫外線あるいは電子線が照射され
る。遠紫外線照射の場合には、コア層の上にマスクを重
ねるか、スパッタなどによりマスクパターンが形成さ
れ、水銀灯や市販の露光装置からの遠紫外線が照射され
る。電子線照射の場合には、電子線描画装置を用いてコ
ア層の上に直接所望のパターン状に電子線が照射され
る。これらの工程を経て、遠紫外線あるいは電子線が照
射された部分のポリシロキサンが不溶化し、この部分以
外の不要なポリシロキサンを溶解除去することにより、
光が導波するコア部が形成される。不要なポリシロキサ
ンの溶解除去には、基板全体を溶媒中に浸漬する方法
や、コア層に溶媒を噴霧する方法などを用いることがで
きる。
【００１４】これらの上に形成する上層クラッド用のポ
リシロキサンとしては、上述のコア部に用いたポリシロ
キサンに比較して低屈折率であれば特に限定されない
が、下層と同じものを使うことが望ましい。上層クラッ
ド層は、例えば、上記のポリシロキサンを含む溶液を基
板上にスピンコートしたのち乾燥する、あるいは、該溶
液中に基板を浸漬したのち乾燥する。など、下層クラッ
ドを形成したときと同様の方法で形成することができ
る。すなわち、本発明において上層クラッド層の形成方
法は限定されるものではない。形成される上層クラッド
は、単一組成でも、複数のポリシロキサンの混合でもよ
く、複数のポリシロキサンの積層したものでもよい。
リシロキサンとしては、上述のコア部に用いたポリシロ
キサンに比較して低屈折率であれば特に限定されない
が、下層と同じものを使うことが望ましい。上層クラッ
ド層は、例えば、上記のポリシロキサンを含む溶液を基
板上にスピンコートしたのち乾燥する、あるいは、該溶
液中に基板を浸漬したのち乾燥する。など、下層クラッ
ドを形成したときと同様の方法で形成することができ
る。すなわち、本発明において上層クラッド層の形成方
法は限定されるものではない。形成される上層クラッド
は、単一組成でも、複数のポリシロキサンの混合でもよ
く、複数のポリシロキサンの積層したものでもよい。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に具体的に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１６】実施例１ クロロメチル化ポリ重フェニルシルセスキオキサン（ク
ロロメチル化率１０％）をコア成分、ポリ重フェニルシ
ルセスキオキサンを下層及び上層クラッド成分とする光
導波路を製造した。前述の２種のポリマーをメチルイソ
ブチルケトン溶液とした。まずクラッド成分ポリマーを
シリコン基板上に約２０μｍの厚さに塗布した。加熱・
乾燥処理後、下層クラッド層上にコア成分ポリマーを約
８μｍの厚さに塗布した。この上に８μｍのパターンを
有するフォトマスクを重ねて遠紫外線照射による不溶化
処理を行ったのち、メチルイソブチルケトンを噴霧する
ことにより、不溶化されなかった部分のコア成分を除去
し、コア部分ポリマーを長さ５０mm、幅８μｍ、高さ８
μｍの直線矩形パターンに加工した。この上にクラッド
成分を塗布して導波路を得た。波長１３００nmの光を導
波路の一端から入射させ、他端から出てくる光量を測定
することにより導波路の損失を計算したところ、導波損
失は０．３dB／cm以下であった。また、−２０℃〜１５
０℃の熱サイクル試験を１０回行った後の導波損失の増
加は認められなかった。
ロロメチル化率１０％）をコア成分、ポリ重フェニルシ
ルセスキオキサンを下層及び上層クラッド成分とする光
導波路を製造した。前述の２種のポリマーをメチルイソ
ブチルケトン溶液とした。まずクラッド成分ポリマーを
シリコン基板上に約２０μｍの厚さに塗布した。加熱・
乾燥処理後、下層クラッド層上にコア成分ポリマーを約
８μｍの厚さに塗布した。この上に８μｍのパターンを
有するフォトマスクを重ねて遠紫外線照射による不溶化
処理を行ったのち、メチルイソブチルケトンを噴霧する
ことにより、不溶化されなかった部分のコア成分を除去
し、コア部分ポリマーを長さ５０mm、幅８μｍ、高さ８
μｍの直線矩形パターンに加工した。この上にクラッド
成分を塗布して導波路を得た。波長１３００nmの光を導
波路の一端から入射させ、他端から出てくる光量を測定
することにより導波路の損失を計算したところ、導波損
失は０．３dB／cm以下であった。また、−２０℃〜１５
０℃の熱サイクル試験を１０回行った後の導波損失の増
加は認められなかった。
【００１７】実施例２〜４ 実施例１と同様にシリコンウェハー上に、種々の条件で
光導波路を製造した。いずれの場合も、コア材はクラッ
ド材中の芳香環の一部をクロルメチル化した材料とし
た。製造条件をまとめて表１及び表２に示す。
光導波路を製造した。いずれの場合も、コア材はクラッ
ド材中の芳香環の一部をクロルメチル化した材料とし
た。製造条件をまとめて表１及び表２に示す。
【００１８】
【表１】 表 １ ──────────────────────────────────── 実施例番号 ク ラ ッ ド 材 クロルメチル化率 ──────────────────────────────────── １ 重水素化ポリフェニルシルセスキオキサン １０％ ２ 重水素化ポリジフェニルシルセスキオキサン ２２％ ３ 重水素化トリクロロフェニルシランと重水素 化ジクロロジフェニルシランから得られる共 重合体 １７％ ４ 重水素化ポリメチルフェニルシルセスキオキ サン ３１％ ────────────────────────────────────
【００１９】
【表２】 表 ２ ──────────────────────────────────── 実施例番号 溶 媒 不溶化方法 コアの現像方法 ──────────────────────────────────── １ メチルイソブチルケトン 遠紫外線照射 溶媒を噴霧 ２ メチルイソブチルケトン 遠紫外線照射 溶媒を噴霧 ３ メチルイソブチルケトン 遠紫外線照射 溶媒を噴霧 ４ メチルエチルケトン 電子線照射 溶媒に浸漬 ────────────────────────────────────
【００２０】製造した光導波路を用いて実施例１と同様
の方法で導波損失と耐熱性を評価したところ、いずれの
光導波路も非常に低導波損失かつ高耐熱性であることが
確認された。
の方法で導波損失と耐熱性を評価したところ、いずれの
光導波路も非常に低導波損失かつ高耐熱性であることが
確認された。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるポリ
シロキサン系光導波路は、従来のプラスチック光導波路
に比較して可視〜近赤外域において極めて優れた光伝送
特性を有すると共に、高温に長時間さらされても性能の
低下が著しく少ない。このため、近赤外域における光集
積回路用部品、あるいは、近赤外光域用光源を用いる数
１００ｍの距離間の光信号伝送媒体として安定して使用
しうるという利点がある。また、その製造工程において
所望の部分のみの不溶化による直接的な導波路加工手順
を用いるため、製造工程の簡略化が可能であると共に、
導波路形状の制御性を向上させることができる。すなわ
ちこれらの高分子材料及び光導波路の製造方法により、
経済性に優れたローカルエリアネットワークなどの光信
号伝送システムを構成できる利点がある。
シロキサン系光導波路は、従来のプラスチック光導波路
に比較して可視〜近赤外域において極めて優れた光伝送
特性を有すると共に、高温に長時間さらされても性能の
低下が著しく少ない。このため、近赤外域における光集
積回路用部品、あるいは、近赤外光域用光源を用いる数
１００ｍの距離間の光信号伝送媒体として安定して使用
しうるという利点がある。また、その製造工程において
所望の部分のみの不溶化による直接的な導波路加工手順
を用いるため、製造工程の簡略化が可能であると共に、
導波路形状の制御性を向上させることができる。すなわ
ちこれらの高分子材料及び光導波路の製造方法により、
経済性に優れたローカルエリアネットワークなどの光信
号伝送システムを構成できる利点がある。
Claims (2)
- 【請求項１】 下記一般式（化１）あるいは（化２）： 【化１】 【化２】 〔式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は同一又は異なり、Ｃn Ｙ
2n+1（Ｙは水素、重水素、又はハロゲン、ｎは５以下の
正の整数）で表されるアルキル基、重水素化アルキル
基、又はハロゲン化アルキル基、あるいはＣ6 Ｙ5 （Ｙ
は水素、重水素、又はハロゲン）で表されるフェニル
基、重水素化フェニル基、又はハロゲン化フェニル基、
Ｒ4 はＣ6 Ｙ4 （Ｙは水素、重水素、又はハロゲン）で
表されるフェニレン基、重水素化フェニレン基、又はハ
ロゲン化フェニレン基、Ｚは水素あるいは重水素、ｍは
１００未満の正の数であり、Ｙはすべて、あるいは一部
が重水素である〕で表される繰返し単位を有する重合
体、あるいは、一般式（化１）又は（化２）で表される
繰返し単位を有する共重合体であることを特徴とする光
導波路形成用高分子。 - 【請求項２】 基板上に下層クラッド層を形成する工
程、コア部分を形成する工程、上層クラッドを形成する
工程、を包含するポリシロキサン系光導波路の製造方法
において、該コア部分の形成を、遠紫外線あるいは電子
線の照射による高分子の不溶化工程と、不要部分の除去
の工程により行うことを特徴とするポリシロキサン系光
導波路の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP35013292A JP3273519B2 (ja) | 1992-12-04 | 1992-12-04 | ポリシロキサン系光導波路の製造方法 |
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