JPH06169117A - Magnetoresistance effect material - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To obtain a magnetoresistance effect material of single structure having a large magnetoresistance changing rate at room temp. by a method wherein the material is composed of a ferromagnetic metal atoms and a non-magnetic metal atoms which is in a non-solid--solubility relation, in which they atomically do not mix both in solid phase and liquid phase, with the ferromagnetic metal atoms. CONSTITUTION:The magnetoresistance effective material is composed of ferromagnetic metal atoms such as Fe atoms, for example, non-magnetic atoms, which are in the relation of non-solid solution with the above-mentioned metal atoms, such as Ag atoms for example, and the desirable atomic weight ratio of the Ag atoms in the FeAg alloy is 60 to 85 atomic %. To be more precise, a single layer magnetic thin film 2, consisting of an FeAg alloy, is formed on the upper surface of a glass substrate 1 by vacuum deposition, and a magnetoresistance effect material is formed. The above- mentioned vacuum deposition is conducted by fusing Fe by the irradiation of an electron beam, and Ag is fused by resistance heating. The atomic weight compositional ratio of the magnetic thin film 2 is controlled based on the ratio of the vapor deposition speed of Fe and Ag. The magneresistance changing rate of the above-mentioned magnetoresistance effect magerial is 10% or higher, a also it can be manufactured easily.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗効果型ヘッド
（ＭＲヘッド）や磁気センサ（ＭＲセンサ）等に使用さ
れる磁気抵抗効果素子に用いて好適な磁気抵抗効果材料
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetoresistive effect material suitable for use in a magnetoresistive effect element used in a magnetoresistive effect type head (MR head), a magnetic sensor (MR sensor) or the like.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来、特公昭５８−３６４０６号公報等
に開示されている磁気抵抗効果型磁気ヘッドでは、ＭＲ
素子を形成する磁性材料としてＦｅ−Ｎｉ合金（パーマ
ロイ）が用いられている。2. Description of the Related Art In a conventional magnetoresistive effect magnetic head disclosed in Japanese Patent Publication No. 58-36406, the MR
Fe-Ni alloy (permalloy) is used as a magnetic material for forming the element.

【０００３】ＭＲ素子は磁場印加による磁性膜の電気抵
抗の変化を検出して磁界強度やその変化を測定するもの
であり、一般に室温における磁気抵抗変化率が大きいこ
とが要求される。The MR element measures the magnetic field strength and its change by detecting the change in the electric resistance of the magnetic film due to the application of a magnetic field, and is generally required to have a large magnetoresistance change rate at room temperature.

【０００４】しかしながら、上述したＦｅ−Ｎｉ合金
は、磁気抵抗変化率が２〜３％と小さく、ＭＲ素子とし
ては好ましくない。However, the Fe-Ni alloy described above has a small magnetoresistance change rate of 2 to 3% and is not preferable as an MR element.

【０００５】また、特開平４−４８７０８号公報には、
隣接する磁性薄膜間に非磁性薄膜が存在し、これら隣接
する磁性薄膜の保磁力が互いに異なる構成の磁性多層膜
が示されている。この磁性多層膜は、磁気抵抗変化率が
１０％前後と大きく、ＭＲ素子に用いて好適である。Further, Japanese Patent Laid-Open No. 4-48708 discloses that
There is shown a magnetic multilayer film in which a non-magnetic thin film exists between adjacent magnetic thin films and the coercive forces of these adjacent magnetic thin films are different from each other. This magnetic multilayer film has a large magnetoresistance change rate of about 10% and is suitable for use in an MR element.

【０００６】しかしながら、上記磁性多層膜は隣接する
磁性薄膜間に非磁性薄膜が存在し、しかもこれら隣接す
る磁性薄膜の保磁力が互いに異なるという複雑な構成を
しているため、製造工程が複雑になるという欠点があ
る。However, the above-mentioned magnetic multilayer film has a complicated structure in which non-magnetic thin films exist between adjacent magnetic thin films, and the coercive forces of these adjacent magnetic thin films are different from each other, which complicates the manufacturing process. There is a drawback that

【０００７】また、雑誌「ＰＨＹＳＩＣＡＬ ＲＥＶＩ
ＥＷ ＬＥＴＴＥＲＳ Ｖｏｌ．６８，Ｎｏ．２５，２
２ ＪＵＮＥ １９９２」の第３７４５頁〜第３７４８
頁には、Ｃｏ原子と、該Ｃｏ原子とは固相では原子的に
混合しないが、液相では原子的に混合する共晶の関係に
あるＣｕとよりなる磁気抵抗効果材料が示されている。
この磁気抵抗効果材料は１０Ｋの超低温では１０％以上
の大きい磁気抵抗変化率を示す。しかしながら、このＣ
ｏとＣｕとよりなる磁気抵抗効果材料は、室温において
は磁気抵抗変化率が６〜７％程度と小さい。In addition, the magazine "PHYSICAL REVI"
EW LETTERS Vol. 68, No. 25,2
2 JUNE 1992 ", pages 3745 to 3748.
The page shows a magnetoresistive material including Co atoms and Cu which does not mix atomically in the solid phase but mixes atomically in the liquid phase in a eutectic relationship. .
This magnetoresistive material shows a large magnetoresistance change rate of 10% or more at an ultralow temperature of 10K. However, this C
The magnetoresistive effect material composed of o and Cu has a small magnetoresistance change rate of about 6 to 7% at room temperature.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来例の
欠点に鑑み為されたものであり、室温においても磁気抵
抗変化率が大きく、且つ構造が簡単であり、容易に製造
することが可能である磁気抵抗効果材料を提供すること
を目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks of the prior art, and has a large magnetoresistance change rate even at room temperature, has a simple structure, and can be easily manufactured. The present invention is intended to provide a magnetoresistive effect material.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果材
料は、強磁性金属原子と、該強磁性金属原子とは固相及
び液相の両方で原子的に混合しない非固溶の関係にある
非磁性金属原子とからなることを特徴とする。The magnetoresistive material of the present invention has a ferromagnetic metal atom and a non-solid solution relationship in which the ferromagnetic metal atom is not atomically mixed in both the solid phase and the liquid phase. It is characterized by being composed of a certain non-magnetic metal atom.

【００１０】また、本発明の磁気抵抗効果材料は、強磁
性金属原子であるＦｅ原子と、該Ｆｅ原子とは非固溶の
関係にある非磁性金属原子であるＡｇ原子とからなるＦ
ｅＡｇ合金により構成され、該ＦｅＡｇ合金中における
Ａｇ原子の原子量比が６０〜８５ａｔ％であることを特
徴とする。Further, the magnetoresistive effect material of the present invention is composed of Fe atoms, which are ferromagnetic metal atoms, and F atoms, which are nonmagnetic metal atoms in a non-solid solution relationship with the Fe atoms.
The FeAg alloy is composed of an eAg alloy, and the atomic weight ratio of Ag atoms in the FeAg alloy is 60 to 85 at%.

【００１１】更に、本発明の磁気抵抗効果材料は、前記
ＦｅＡｇ合金に、強磁性金属原子であるＣｏ原子、Ｎｉ
原子、Ｃｕ原子、Ｚｎ原子のうちの何れかが添加されて
いることを特徴とする。Further, the magnetoresistive effect material of the present invention is obtained by adding Co atoms, which are ferromagnetic metal atoms, and Ni to the FeAg alloy.
It is characterized in that any one of atoms, Cu atoms and Zn atoms is added.

【００１２】また、本発明の磁気抵抗効果材料は、強磁
性金属原子であるＦｅ原子と、該Ｆｅ原子とは非固溶の
関係にある非磁性金属原子であるＢｉ原子とからなるＦ
ｅＢｉ合金により構成され、該ＦｅＢｉ合金中における
Ｂｉ原子の原子量比が６０〜８５ａｔ％であることを特
徴とする。Further, the magnetoresistive material of the present invention is composed of Fe atoms, which are ferromagnetic metal atoms, and Bi atoms, which are nonmagnetic metal atoms having a non-solid solution relationship with the Fe atoms.
It is composed of an eBi alloy, and the atomic weight ratio of Bi atoms in the FeBi alloy is 60 to 85 at%.

【００１３】更に、本発明の磁気抵抗効果材料は、前記
ＦｅＢｉ合金に、強磁性金属原子であるＣｏ原子、Ｎｉ
原子、Ｃｕ原子、Ｚｎ原子のうちの何れかが添加されて
いることを特徴とする。Further, the magnetoresistive effect material of the present invention is obtained by adding Co atoms, which are ferromagnetic metal atoms, and Ni to the FeBi alloy.
It is characterized in that any one of atoms, Cu atoms and Zn atoms is added.

【００１４】また、本発明の磁気抵抗効果材料は、強磁
性金属原子であるＦｅ原子と、該Ｆｅ原子とは非固溶の
関係にある非磁性金属原子であるＭｇ原子とからなるＦ
ｅＭｇ合金により構成され、該ＦｅＭｇ合金中における
Ｍｇ原子の原子量比が６０〜８５ａｔ％であることを特
徴とする。The magnetoresistive effect material of the present invention is composed of Fe atoms which are ferromagnetic metal atoms and Mg atoms which are nonmagnetic metal atoms which are in a non-solid solution relationship with the Fe atoms.
The FeMg alloy is characterized by having an atomic weight ratio of Mg atoms of 60 to 85 at%.

【００１５】更に、本発明の磁気抵抗効果材料は、前記
ＦｅＭｇ合金に、強磁性金属原子であるＣｏ原子、Ｎｉ
原子、Ｃｕ原子、Ｚｎ原子のうちの何れかが添加されて
いることを特徴とする。Further, the magnetoresistive effect material of the present invention is obtained by adding Co atoms, which are ferromagnetic metal atoms, and Ni to the FeMg alloy.
It is characterized in that any one of atoms, Cu atoms and Zn atoms is added.

【００１６】また、本発明の磁気抵抗効果材料は、強磁
性金属原子であるＦｅ原子と、該Ｆｅ原子とは非固溶の
関係にある非磁性金属原子であるＰｂ原子とからなるＦ
ｅＰｂ合金により構成され、該ＦｅＰｂ合金中における
Ｐｂ原子の原子量比が６０〜８５ａｔ％であることを特
徴とする。The magnetoresistive material of the present invention is composed of Fe atoms which are ferromagnetic metal atoms and Pb atoms which are nonmagnetic metal atoms which are in a non-solid solution relationship with the Fe atoms.
It is composed of an ePb alloy, and the atomic weight ratio of Pb atoms in the FePb alloy is 60 to 85 at%.

【００１７】更に、本発明の磁気抵抗効果材料は、前記
ＦｅＰｂ合金に、強磁性金属原子であるＣｏ原子、Ｎｉ
原子、Ｃｕ原子、Ｚｎ原子のうちの何れかが添加されて
いることを特徴とする。Further, the magnetoresistive effect material of the present invention is obtained by adding Co atoms, which are ferromagnetic metal atoms, and Ni to the FePb alloy.
It is characterized in that any one of atoms, Cu atoms and Zn atoms is added.

【００１８】また、本発明の磁気抵抗効果材料は、強磁
性金属原子であるＣｏ原子と、該Ｃｏ原子とは非固溶の
関係にある非磁性金属原子であるＡｇ原子とからなるＣ
ｏＡｇ合金により構成され、該ＣｏＡｇ合金中における
Ａｇ原子の原子量比が５４〜８８ａｔ％であることを特
徴とする。Further, the magnetoresistive effect material of the present invention comprises C, which is composed of a Co atom which is a ferromagnetic metal atom and an Ag atom which is a nonmagnetic metal atom which is in a non-solid solution relationship with the Co atom.
The CoAg alloy is characterized by having an atomic weight ratio of Ag atoms in the CoAg alloy of 54 to 88 at%.

【００１９】更に、本発明の磁気抵抗効果材料は、前記
ＣｏＡｇ合金に、強磁性金属原子であるＶ原子、Ｃｒ原
子、Ｍｎ原子のうちの何れかが添加されていることを特
徴とする。Further, the magnetoresistive effect material of the present invention is characterized in that any one of V atoms, Cr atoms and Mn atoms which are ferromagnetic metal atoms is added to the CoAg alloy.

【００２０】また、本発明の磁気抵抗効果材料は、強磁
性金属原子であるＣｏ原子と、該Ｃｏ原子とは非固溶の
関係にある非磁性金属原子であるＰｂ原子とからなるＣ
ｏＰｂ合金により構成され、該ＣｏＰｂ合金中における
Ｐｂ原子の原子量比が６８〜８２ａｔ％であることを特
徴とする。Further, the magnetoresistive effect material of the present invention is composed of a C atom which is a ferromagnetic metal atom and a Pb atom which is a nonmagnetic metal atom which is in a non-solid solution relationship with the Co atom.
It is composed of an oPb alloy, and the atomic weight ratio of Pb atoms in the CoPb alloy is 68 to 82 at%.

【００２１】更に、本発明の磁気抵抗効果材料は、前記
ＣｏＰｂ合金に、強磁性金属原子であるＶ原子、Ｃｒ原
子、Ｍｎ原子のうちの何れかが添加されていることを特
徴とする。Further, the magnetoresistive material of the present invention is characterized in that any one of V atoms, Cr atoms and Mn atoms which are ferromagnetic metal atoms is added to the CoPb alloy.

【００２２】また、本発明の磁気抵抗効果材料は、強磁
性金属原子であるＮｉ原子と、該Ｎｉ原子とは非固溶の
関係にある非磁性金属原子であるＡｇ原子とからなるＮ
ｉＡｇ合金により構成され、該ＮｉＡｇ合金にＮｉＶ中
におけるＶの原子量比が１５〜５５ａｔ％になるように
Ｖ原子が添加されていることを特徴とする。Further, the magnetoresistive effect material of the present invention is N composed of Ni atoms which are ferromagnetic metal atoms and Ag atoms which are nonmagnetic metal atoms which are in a non-solid solution relationship with the Ni atoms.
It is composed of an iAg alloy, and V atoms are added to the NiAg alloy so that the atomic weight ratio of V in NiV is 15 to 55 at%.

【００２３】また、本発明の磁気抵抗効果材料は、強磁
性金属原子であるＮｉ原子と、該Ｎｉ原子とは非固溶の
関係にある非磁性金属原子であるＡｇ原子とからなるＮ
ｉＡｇ合金により構成され、該ＮｉＡｇ合金にＮｉＣｒ
中におけるＣｒの原子量比が１８〜６９ａｔ％になるよ
うにＣｒ原子が添加されていることを特徴とする。Further, the magnetoresistive effect material of the present invention comprises N composed of Ni atoms, which are ferromagnetic metal atoms, and Ag atoms, which are nonmagnetic metal atoms having a non-solid solution relationship with the Ni atoms.
It is composed of iAg alloy, and NiCr is added to the NiAg alloy.
It is characterized in that Cr atoms are added so that the atomic weight ratio of Cr therein is 18 to 69 at%.

【００２４】また、本発明の磁気抵抗効果材料は、強磁
性金属原子であるＮｉ原子と、該Ｎｉ原子とは非固溶の
関係にある非磁性金属原子であるＡｇ原子とからなるＮ
ｉＡｇ合金により構成され、該ＮｉＡｇ合金にＮｉＭｎ
中におけるＭｎの原子量比が２４〜９２ａｔ％になるよ
うにＭｎ原子が添加されていることを特徴とする。Further, the magnetoresistive effect material of the present invention is N composed of Ni atoms which are ferromagnetic metal atoms and Ag atoms which are nonmagnetic metal atoms which are in a non-solid solution relationship with the Ni atoms.
It is composed of an iAg alloy, and NiMg is added to the NiAg alloy.
It is characterized in that Mn atoms are added so that the atomic weight ratio of Mn in the inside becomes 24-92 at%.

【００２５】[0025]

【作用】上記構成によれば、室温においても、磁性薄膜
中には強磁性金属原子、あるいは強磁性金属合金のグレ
イン（塊）が形成され、非磁性金属原子間を伝わる伝導
電子が前記グレインにより大きく散乱されるため、磁気
抵抗変化率が大きくなる。According to the above structure, grains of a ferromagnetic metal atom or a ferromagnetic metal alloy are formed in the magnetic thin film even at room temperature, and conduction electrons transmitted between non-magnetic metal atoms are generated by the grains. Because of the large scattering, the rate of change in magnetoresistance increases.

【００２６】[0026]

【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。EXAMPLES Examples of the present invention will be described in detail below.

【００２７】本実施例では、ガラスよりなる基板の上面
に、真空蒸着によりＦｅＡｇ合金よりなる単層の磁性薄
膜を成膜して磁気抵抗効果材料を形成した。尚、上記真
空蒸着は、Ｆｅを電子ビーム照射により溶融し、Ａｇを
抵抗加熱により溶融することにより行い、磁性薄膜の原
子量組成比の制御は、Ｆｅの蒸着速度とＡｇの蒸着速度
の比率により決定した。In this example, a magnetoresistive material was formed on the upper surface of a glass substrate by vacuum deposition of a single-layer magnetic thin film of FeAg alloy. The vacuum deposition is performed by melting Fe by electron beam irradiation and melting Ag by resistance heating, and controlling the atomic weight composition ratio of the magnetic thin film is determined by the ratio between the deposition rate of Fe and the deposition rate of Ag. did.

【００２８】本実施例では、まず、製造条件を変えて、
試料１及び試料２の磁性薄膜を形成した。In this embodiment, first, the manufacturing conditions are changed to
The magnetic thin films of Sample 1 and Sample 2 were formed.

【００２９】試料１ 基板上に真空度が１×１０^-5Ｔｏｒｒ、基板温度が室
温、蒸着速度が２Å／ｓｅｃ、Ｆｅの蒸着速度とＡｇの
蒸着速度の比率が１：３の成膜条件で、膜厚が４４０Å
であるＦｅＡｇ合金よりなる単層の磁性薄膜を形成し
た。Sample 1 Under the film forming conditions of a vacuum degree of 1 × 10 ⁻⁵ Torr, a substrate temperature of room temperature, a vapor deposition rate of 2Å / sec, and a ratio of Fe vapor deposition rate to Ag vapor deposition rate of 1: 3 on a substrate. , Film thickness is 440Å
A single-layer magnetic thin film made of FeAg alloy was formed.

【００３０】試料２ 基板上に真空度が２×１０^-5Ｔｏｒｒ、基板温度が室
温、蒸着速度が２Å／ｓｅｃ、Ｆｅの蒸着速度とＡｇの
蒸着速度の比率が１：２の成膜条件で、膜厚が１１５０
ÅであるＦｅＡｇ合金よりなる単層の磁性薄膜を形成し
た。Sample 2 Under the film forming conditions in which the degree of vacuum was 2 × 10 ^-5 Torr, the substrate temperature was room temperature, the vapor deposition rate was 2Å / sec, and the ratio of Fe vapor deposition rate to Ag vapor deposition rate was 1: 2 on the substrate. , Film thickness is 1150
A single-layer magnetic thin film made of FeAg alloy, which is Å, was formed.

【００３１】上記磁性薄膜を構成する強磁性金属原子で
あるＦｅ原子と、非磁性金属原子であるＡｇ原子とは固
相及び液相では原子的に混合しない非固溶の関係にあ
り、上述の製造方法で製造された磁性薄膜は、図１に示
すようにＡｇ原子の集まりの中にＦｅ原子のグレイン
（塊）３が形成される。尚、１は基板、２はＦｅＡｇの
磁性薄膜である。The Fe atom which is a ferromagnetic metal atom constituting the magnetic thin film and the Ag atom which is a non-magnetic metal atom have a non-solid solution relationship in which they are not atomically mixed in a solid phase and a liquid phase. In the magnetic thin film manufactured by the manufacturing method, grains (lumps) 3 of Fe atoms are formed in a group of Ag atoms as shown in FIG. In addition, 1 is a substrate and 2 is a magnetic thin film of FeAg.

【００３２】次に、上記試料１、試料２の磁性薄膜夫々
について、Ｘ線回折パターンを調べ、その結果を図２、
図３に示す。図２が試料１のＸ線回折パターン、図３が
試料２のＸ線回折パターンである。Next, the X-ray diffraction patterns of the magnetic thin films of Sample 1 and Sample 2 were examined, and the results are shown in FIG.
As shown in FIG. 2 is an X-ray diffraction pattern of Sample 1, and FIG. 3 is an X-ray diffraction pattern of Sample 2.

【００３３】試料１の磁性薄膜は、図２より、Ｘ線回折
パターンのピークが無く、アモルファス状態であること
が判る。また、試料２の磁性薄膜は、図３より、Ｘ線回
折パターンがＦｅの（１１０）面の弱いピーク（４４．
６°）とＡｇの（１１１）面の弱いピーク（３８．２
°）とを示し、結晶化度の低い結晶状態であることが判
る。また、図３がＦｅ固有のピークとＡｇ固有のピーク
とを示すことから、試料２の磁性薄膜を構成するＦｅ原
子とＡｇ原子とが非固溶の関係にあることが判る。It can be seen from FIG. 2 that the magnetic thin film of Sample 1 has no peak in the X-ray diffraction pattern and is in an amorphous state. Further, the magnetic thin film of Sample 2 has a weak peak (44.
6 °) and a weak peak (38.2) on the Ag (111) plane.
°), indicating that the crystalline state is low. Further, since FIG. 3 shows peaks peculiar to Fe and peaks peculiar to Ag, it is understood that the Fe atoms and Ag atoms forming the magnetic thin film of Sample 2 are in a non-solid solution relationship.

【００３４】次に、上記試料１、２の磁性薄膜夫々につ
いて、外部磁界を−２５０〜＋２５０Ｏｅまで変化させ
た時の磁気抵抗を４端子法により測定し、それにより磁
気抵抗変化率ΔＲ／Ｒを求めた。その結果を図４、図５
に示す。尚、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは、最大抵抗値を
Ｒｍａｘ、最小抵抗値をＲｍｉｎとし、Next, for each of the magnetic thin films of Samples 1 and 2 described above, the magnetic resistance when the external magnetic field was changed from −250 to +250 Oe was measured by the 4-terminal method, and the rate of change in magnetic resistance ΔR / R was obtained. I asked. The results are shown in FIGS.
Shown in. The rate of change in magnetic resistance ΔR / R is defined by the maximum resistance value Rmax and the minimum resistance value Rmin,

【００３５】[0035]

【数１】 として計算した。[Equation 1] Was calculated as

【００３６】図４から判るように、試料１の磁性薄膜
は、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒが１３％と大きく、磁気抵
抗効果材料に適している。As can be seen from FIG. 4, the magnetic thin film of Sample 1 has a large magnetoresistance change rate ΔR / R of 13% and is suitable for a magnetoresistance effect material.

【００３７】また、図５から判るように、試料２の磁性
薄膜は、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒが２０％と大きく、磁
気抵抗効果材料に適している。しかもこの値は、試料１
よりも大きく、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒの点において
は、試料２の方が試料１よりも磁気抵抗効果材料に適し
ていることが判る。As can be seen from FIG. 5, the magnetic thin film of Sample 2 has a large magnetoresistance change rate ΔR / R of 20% and is suitable for a magnetoresistance effect material. Moreover, this value is sample 1
It is found that Sample 2 is more suitable as a magnetoresistive material than Sample 1 in terms of the magnetoresistance change rate ΔR / R.

【００３８】次に、上記試料１、２の磁性薄膜夫々につ
いて、動作磁界強度を求めた。この動作磁界強度は、図
４、図５において、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒが急峻に変
化する磁場強度の幅ａである。Next, the operating magnetic field strength was determined for each of the magnetic thin films of Samples 1 and 2. This operating magnetic field strength is the width a of the magnetic field strength at which the magnetoresistance change rate ΔR / R sharply changes in FIGS. 4 and 5.

【００３９】試料１の磁性薄膜は、動作磁界強度が１６
０Ｏｅと小さく、磁気抵抗効果材料に適している。ま
た、試料２の磁性薄膜は、動作磁界強度が１００Ｏｅと
小さく、磁気抵抗効果型磁気ヘッドのＭＲ素子用の磁気
抵抗効果材料に適している。しかも、試料２の磁性薄膜
は動作磁界強度が試料１よりも小さく、この点において
も、試料１よりも磁気抵抗効果材料に適していることが
判る。The magnetic thin film of Sample 1 has an operating magnetic field strength of 16
It is as small as 0 Oe and is suitable for a magnetoresistive material. The magnetic thin film of Sample 2 has a small operating magnetic field strength of 100 Oe and is suitable for a magnetoresistive effect material for an MR element of a magnetoresistive effect type magnetic head. Moreover, the magnetic thin film of Sample 2 has a smaller operating magnetic field strength than Sample 1, and in this respect as well, it is understood that it is more suitable as a magnetoresistive material than Sample 1.

【００４０】以上のように、強磁性金属原子であるＦｅ
原子と、該Ｆｅ原子とは非固溶の関係にある非磁性金属
原子であるＡｇ原子とからなる磁性薄膜により形成した
本実施例の磁気抵抗効果材料は、磁気抵抗変化率ΔＲ／
Ｒが大きく、且つ動作磁界強度が小さく、磁気抵抗効果
型磁気ヘッドのＭＲ素子等に用いて好適である。しか
も、上記磁性薄膜は単層であるため、容易に製造するこ
とが可能であり、量産性にも優れている。As described above, Fe which is a ferromagnetic metal atom
The magnetoresistive effect material of the present embodiment formed by a magnetic thin film composed of an atom and an Ag atom which is a nonmagnetic metal atom having a non-solid solution relationship with the Fe atom has a magnetoresistive change rate ΔR /
Since R is large and the operating magnetic field strength is small, it is suitable for use as an MR element of a magnetoresistive effect magnetic head. Moreover, since the magnetic thin film is a single layer, it can be easily manufactured and is excellent in mass productivity.

【００４１】また、試料１に比べてＦｅの組成比が多
く、膜厚が厚く、更に磁性薄膜が結晶状態である試料２
の磁気抵抗効果材料は、試料１の磁気抵抗効果材料より
も、一層磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒが大きく、且つ動作磁
界強度が小さく、ＭＲ素子等に用いて好適である。Further, as compared with Sample 1, Sample 2 has a larger Fe composition ratio, a larger film thickness, and a magnetic thin film in a crystalline state.
The magnetoresistive effect material of No. 1 has a larger magnetoresistive change rate ΔR / R and a smaller operating magnetic field strength than the magnetoresistive effect material of Sample 1, and is suitable for use in an MR element or the like.

【００４２】次に、固相及び液相では原子的に混合しな
い非固溶の関係にある様々な強磁性金属原子Ａと非磁性
金属原子Ｂとを色々と組み合わせ、真空蒸着により結晶
状態にある様々な磁気抵抗効果材料Ａ_100-YＢ_Yを形成
し、各々の磁気抵抗効果材料Ａ _100-YＢ_Yについて、組成
比と室温（２０℃）における磁気抵抗変化率との関係を
調べた。その結果を以下に説明する。尚、以下に示す原
子量比とは、実際に形成された磁性薄膜をＥＰＭＡ（電
子プローブ微小分析法）により分析した値である。Next, the solid and liquid phases should not be atomically mixed.
Various non-solid-solution ferromagnetic metal atoms A and non-magnetic
Various combinations of metal atoms B and crystallized by vacuum evaporation
Various magnetoresistive effect materials A_100-YB_YForming
And each magnetoresistive effect material A _100-YB_YAbout the composition
The relationship between the ratio and the rate of change in magnetoresistance at room temperature (20 ° C)
Examined. The results will be described below. In addition, the following
The ratio of the amount of particles means that the magnetic thin film actually formed is
Child probe microanalysis method).

【００４３】図６は強磁性金属原子ＡであるＦｅ原子
と、該Ｆｅ原子とは非固溶の関係にある非磁性金属原子
ＢであるＡｇ原子とからなる磁性薄膜により形成した磁
気抵抗効果材料における磁気抵抗変化率ΔＲ／ＲとＡｇ
原子の原子量比との関係を示す図である。FIG. 6 is a magnetoresistive material formed by a magnetic thin film composed of Fe atoms, which are ferromagnetic metal atoms A, and Ag atoms, which are nonmagnetic metal atoms B in a non-solid solution relationship with the Fe atoms. Change rate ΔR / R and Ag
It is a figure which shows the relationship with the atomic weight ratio of an atom.

【００４４】図７は強磁性金属原子ＡであるＦｅ原子
と、該Ｆｅ原子とは非固溶の関係にある非磁性金属原子
ＢであるＢｉ原子とからなる磁性薄膜により形成した磁
気抵抗効果材料における磁気抵抗変化率ΔＲ／ＲとＢｉ
原子の原子量比との関係を示す図である。FIG. 7 is a magnetoresistive material formed by a magnetic thin film composed of Fe atoms, which are ferromagnetic metal atoms A, and Bi atoms, which are nonmagnetic metal atoms B that are in a non-solid solution relationship with the Fe atoms. Change rate ΔR / R and Bi
It is a figure which shows the relationship with the atomic weight ratio of an atom.

【００４５】図８は強磁性金属原子ＡであるＦｅ原子
と、該Ｆｅ原子とは非固溶の関係にある非磁性金属原子
ＢであるＭｇ原子とからなる磁性薄膜により形成した磁
気抵抗効果材料における磁気抵抗変化率ΔＲ／ＲとＭｇ
原子の原子量比との関係を示す図である。FIG. 8 shows a magnetoresistive effect material formed by a magnetic thin film composed of Fe atoms, which are ferromagnetic metal atoms A, and Mg atoms, which are nonmagnetic metal atoms B in a non-solid solution relationship with the Fe atoms. Change rate ΔR / R and Mg
It is a figure which shows the relationship with the atomic weight ratio of an atom.

【００４６】図９は強磁性金属原子ＡであるＦｅ原子
と、該Ｆｅ原子とは非固溶の関係にある非磁性金属原子
ＢであるＰｂ原子とからなる磁性薄膜により形成した磁
気抵抗効果材料における磁気抵抗変化率ΔＲ／ＲとＰｂ
原子の原子量比との関係を示す図である。FIG. 9 is a magnetoresistive material formed by a magnetic thin film composed of Fe atoms which are ferromagnetic metal atoms A and Pb atoms which are nonmagnetic metal atoms B which are in a non-solid solution relationship with the Fe atoms. Change rate ΔR / R and Pb
It is a figure which shows the relationship with the atomic weight ratio of an atom.

【００４７】図１０は強磁性金属原子ＡであるＣｏ原子
と、該Ｃｏ原子とは非固溶の関係にある非磁性金属原子
ＢであるＡｇ原子とからなる磁性薄膜により形成した磁
気抵抗効果材料における磁気抵抗変化率ΔＲ／ＲとＡｇ
原子の原子量比との関係を示す図である。FIG. 10 shows a magnetoresistive effect material formed by a magnetic thin film composed of a Co atom which is a ferromagnetic metal atom A and an Ag atom which is a non-magnetic metal atom B which is in a non-solid solution relationship with the Co atom. Change rate ΔR / R and Ag
It is a figure which shows the relationship with the atomic weight ratio of an atom.

【００４８】図１１は強磁性金属原子ＡであるＣｏ原子
と、該Ｃｏ原子とは非固溶の関係にある非磁性金属原子
ＢであるＰｂ原子とからなる磁性薄膜により形成した磁
気抵抗効果材料における磁気抵抗変化率ΔＲ／ＲとＰｂ
原子の原子量比との関係を示す図である。FIG. 11 is a magnetoresistive effect material formed by a magnetic thin film composed of a Co atom which is a ferromagnetic metal atom A and a Pb atom which is a nonmagnetic metal atom B which is in a non-solid solution relationship with the Co atom. Change rate ΔR / R and Pb
It is a figure which shows the relationship with the atomic weight ratio of an atom.

【００４９】上述の図６、図７、図８、図９、図１０、
図１１より、上記磁気抵抗効果材料の磁気抵抗変化率Δ
Ｒ／Ｒが１０％以上になる時の非磁性金属原子の原子量
比と求め、その結果を下記の表１に示す。The above-mentioned FIG. 6, FIG. 7, FIG. 8, FIG. 9, FIG.
From FIG. 11, the magnetoresistance change rate Δ of the magnetoresistance effect material is shown.
The atomic weight ratio of non-magnetic metal atoms when R / R was 10% or more was determined, and the results are shown in Table 1 below.

【００５０】[0050]

【表１】 上記表１から判るように、ＦｅＡｇ合金の磁性薄膜より
なる磁気抵抗効果材料では、Ａｇの原子量比が６０〜８
５ａｔ％の時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒが１０％以上を
示し、特に、Ａｇの原子量比が７３ａｔ％の時、磁気抵
抗変化率ΔＲ／Ｒは最大の１３．５％を示す。[Table 1] As can be seen from Table 1 above, in the magnetoresistive effect material composed of the magnetic thin film of FeAg alloy, the atomic weight ratio of Ag is 60-8.
The magnetic resistance change rate ΔR / R is 10% or more at 5 at%, and particularly, the magnetic resistance change rate ΔR / R shows the maximum value of 13.5% when the atomic weight ratio of Ag is 73 at%.

【００５１】また、ＦｅＢｉ合金の磁性薄膜よりなる磁
気抵抗効果材料では、Ｂｉの原子量比が６０〜８５ａｔ
％の時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒが１０％以上を示し、
特に、Ｂｉの原子量比が７１ａｔ％の時、磁気抵抗変化
率ΔＲ／Ｒは最大の１３．４％を示す。Further, in the magnetoresistive effect material composed of a magnetic thin film of FeBi alloy, the atomic weight ratio of Bi is 60 to 85 at.
%, The magnetic resistance change rate ΔR / R is 10% or more,
In particular, when the atomic weight ratio of Bi is 71 at%, the magnetoresistance change rate ΔR / R shows a maximum of 13.4%.

【００５２】また、ＦｅＭｇ合金の磁性薄膜よりなる磁
気抵抗効果材料では、Ｍｇの原子量比が６０〜８５ａｔ
％の時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒが１０％以上を示し、
特に、Ｍｇの原子量比が７３ａｔ％の時、磁気抵抗変化
率ΔＲ／Ｒは最大の１３．４％を示す。Further, in the magnetoresistive material made of a magnetic thin film of FeMg alloy, the atomic weight ratio of Mg is 60 to 85 at.
%, The magnetic resistance change rate ΔR / R is 10% or more,
In particular, when the atomic weight ratio of Mg is 73 at%, the magnetoresistance change rate ΔR / R shows a maximum of 13.4%.

【００５３】また、ＦｅＰｂ合金の磁性薄膜よりなる磁
気抵抗効果材料では、Ｐｂの原子量比が６０〜８５ａｔ
％の時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒが１０％以上を示し、
特に、Ｐｂの原子量比が７６ａｔ％の時、磁気抵抗変化
率ΔＲ／Ｒは最大の１３．６％を示す。Further, in the magnetoresistive effect material composed of the magnetic thin film of FePb alloy, the atomic weight ratio of Pb is 60 to 85 at.
%, The magnetic resistance change rate ΔR / R is 10% or more,
Particularly, when the atomic weight ratio of Pb is 76 at%, the magnetoresistance change rate ΔR / R shows a maximum of 13.6%.

【００５４】また、ＣｏＡｇ合金の磁性薄膜よりなる磁
気抵抗効果材料では、Ａｇの原子量比が５４〜８８ａｔ
％の時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒが１０％以上を示し、
特に、Ａｇの原子量比が７３ａｔ％の時、磁気抵抗変化
率ΔＲ／Ｒは最大の１８．７％を示す。Further, in the magnetoresistive material made of a magnetic thin film of CoAg alloy, the atomic weight ratio of Ag is 54 to 88 at.
%, The magnetic resistance change rate ΔR / R is 10% or more,
Particularly, when the atomic weight ratio of Ag is 73 at%, the magnetoresistance change rate ΔR / R shows a maximum of 18.7%.

【００５５】また、ＣｏＰｂ合金の磁性薄膜よりなる磁
気抵抗効果材料では、Ｐｂの原子量比が６８〜８２ａｔ
％の時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒが１０％以上を示し、
特に、Ｐｂの原子量比が７６ａｔ％の時、磁気抵抗変化
率ΔＲ／Ｒは最大の１１．３％を示す。Further, in the magnetoresistive effect material composed of the magnetic thin film of CoPb alloy, the atomic weight ratio of Pb is 68 to 82 at.
%, The magnetic resistance change rate ΔR / R is 10% or more,
In particular, when the atomic weight ratio of Pb is 76 at%, the magnetoresistance change rate ΔR / R shows a maximum of 11.3%.

【００５６】次に、上述の磁気抵抗効果材料Ａ_100-YＢ_Y
にＡとは別の様々な金属原子Ｃを添加して結晶状態にあ
る様々な磁気抵抗効果材料（Ａ_100-XＣ_X）_100-YＢ_Yを形
成し、各々の磁気抵抗効果材料（Ａ_100-XＣ_X）_100-YＢ_Y
について、組成比と室温（２０℃）における磁気抵抗変
化率ΔＲ／Ｒとの関係を調べた。その結果を以下に示
す。Next, the above-mentioned magnetoresistive material A _100-Y B _Y
In addition to A, various metal atoms C are added to form various magnetoresistive effect materials (A _100-X C _X ) _{100-Y BY} in the crystalline state, and each magnetoresistive effect material (A _100-X C _X ) _100-Y B _Y
The relationship between the composition ratio and the magnetoresistance change rate ΔR / R at room temperature (20 ° C.) was investigated. The results are shown below.

【００５７】図１２は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＦｅ原
子と金属原子ＣであるＣｏ原子とによりＦｅＣｏの強磁
性合金を形成し、該強磁性合金ＦｅＣｏとは非固溶の関
係にある非磁性金属原子ＢであるＡｇ原子とからなる磁
性薄膜により形成した磁気抵抗効果材料ＦｅＣｏＡｇに
おいて、（ＦｅＣｏ）₂₇Ａｇ₇₃とした場合における磁気
抵抗変化率ΔＲ／ＲとＦｅＣｏ中のＣｏの原子量比との
関係を示す図である。FIG. 12 shows the magnetoresistive material (A _100-X).
In C _X ) _{100-Y BY} , a ferromagnetic alloy of FeCo is formed by the Fe atom, which is the ferromagnetic metal atom A, and the Co atom, which is the metal atom C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy FeCo. In the magnetoresistive material FeCoAg formed of a magnetic thin film composed of Ag atoms which are certain non-magnetic metal atoms B, the magnetoresistance change rate ΔR / R when (FeCo) ₂₇ Ag ₇₃ and the atomic weight ratio of Co in FeCo are set. It is a figure which shows the relationship with.

【００５８】図１３は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＦｅ原
子と金属原子ＣであるＮｉ原子とによりＦｅＮｉの強磁
性合金を形成し、該強磁性合金ＦｅＮｉとは非固溶の関
係にある非磁性金属原子ＢであるＡｇ原子とからなる磁
性薄膜により形成した磁気抵抗効果材料ＦｅＮｉＡｇに
おいて、（ＦｅＮｉ）₂₇Ａｇ₇₃とした場合における磁気
抵抗変化率ΔＲ／ＲとＦｅＮｉ中のＮｉの原子量比との
関係を示す図である。FIG. 13 shows the magnetoresistive material (A _100-X).
In C _X ) _{100-Y BY} , a ferromagnetic alloy of FeNi is formed by the Fe atom, which is the ferromagnetic metal atom A, and the Ni atom, which is the metal atom C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy FeNi. In a magnetoresistive effect material FeNiAg formed by a magnetic thin film composed of a nonmagnetic metal atom B and Ag atom, the magnetoresistance change rate ΔR / R and the atomic weight ratio of Ni in FeNi in the case of (FeNi) ₂₇ Ag ₇₃ It is a figure which shows the relationship with.

【００５９】図１４は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＦｅ原
子と金属原子ＣであるＣｕ原子とによりＦｅＣｕの強磁
性合金を形成し、該強磁性合金ＦｅＣｕとは非固溶の関
係にある非磁性金属原子ＢであるＡｇ原子とからなる磁
性薄膜により形成した磁気抵抗効果材料ＦｅＣｕＡｇに
おいて、（ＦｅＣｕ）₂₇Ａｇ₇₃とした場合における磁気
抵抗変化率ΔＲ／ＲとＦｅＣｕ中のＣｕの原子量比との
関係を示す図である。FIG. 14 shows the magnetoresistive effect material (A _100-X).
In C _X ) _{100-Y BY} , a ferromagnetic alloy of FeCu is formed by the Fe atom, which is the ferromagnetic metal atom A, and the Cu atom, which is the metal atom C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy FeCu. In a magnetoresistive material FeCuAg formed of a magnetic thin film composed of Ag atoms which are certain non-magnetic metal atoms B, the magnetoresistance change rate ΔR / R and the atomic weight ratio of Cu in FeCu in the case of (FeCu) ₂₇ Ag ₇₃ It is a figure which shows the relationship with.

【００６０】図１５は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＦｅ原
子と金属原子ＣであるＺｎ原子とによりＦｅＺｎの強磁
性合金を形成し、該強磁性合金ＦｅＺｎとは非固溶の関
係にある非磁性金属原子ＢであるＡｇ原子とからなる磁
性薄膜により形成した磁気抵抗効果材料ＦｅＺｎＡｇに
おいて、（ＦｅＺｎ）₂₇Ａｇ₇₃とした場合における磁気
抵抗変化率ΔＲ／ＲとＦｅＺｎ中のＺｎの原子量比との
関係を示す図である。FIG. 15 shows the magnetoresistive effect material (A _100-X
In C _X ) _{100-Y BY} , a ferromagnetic alloy of FeZn is formed by the Fe atom, which is the ferromagnetic metal atom A, and the Zn atom, which is the metal atom C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy FeZn. In the magnetoresistive effect material FeZnAg formed by a magnetic thin film composed of a nonmagnetic metal atom B and Ag atom, the magnetoresistance change rate ΔR / R and the atomic weight ratio of Zn in FeZn in the case of (FeZn) ₂₇ Ag ₇₃ It is a figure which shows the relationship with.

【００６１】図１２、図１３、図１４、図１５から判る
ように、強磁性金属原子ＡであるＦｅ原子と、該Ｆｅ原
子とは非固溶の関係にある非磁性金属原子ＢであるＡｇ
原子とにより形成したＦｅＡｇ合金の磁性薄膜よりなる
磁気抵抗効果材料では、ＦｅＣｏ中におけるＣｏの原子
量比が任意になるようにＣｏを添加する、またはＦｅＮ
ｉ中におけるＮｉの原子量比が８８ａｔ％以下になるよ
うにＮｉを添加する、またはＦｅＣｕ中におけるＣｕの
原子量比が２０ａｔ％以下になるようにＣｕを添加す
る、またはＦｅＺｎ中におけるＺｎの原子量比が１５ａ
ｔ％以下になるようにＺｎを添加することにより、磁気
抵抗変化率ΔＲ／Ｒは金属原子Ｃを添加しない時の１
３．５％に比べて更に大きくなる。尚、Ｃｏ原子を８０
ａｔ％添加した時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは最大の２
０％を示し、また、Ｎｉ原子を７２ａｔ％添加した時、
磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは最大の１６．２％を示し、ま
た、Ｃｕ原子を６ａｔ％添加した時、磁気抵抗変化率Δ
Ｒ／Ｒは最大の１４．７％を示し、また、Ｚｎ原子を５
ａｔ％添加した時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは最大の１
４．７％を示す。As can be seen from FIGS. 12, 13, 14, and 15, Fe atoms, which are ferromagnetic metal atoms A, and Ag, which is a nonmagnetic metal atom B in a non-solid solution relationship with the Fe atoms.
In a magnetoresistive effect material composed of a magnetic thin film of a FeAg alloy formed with atoms, Co is added so that the atomic weight ratio of Co in FeCo becomes arbitrary, or FeN
Ni is added so that the atomic weight ratio of Ni in i is 88 at% or less, or Cu is added so that the atomic weight ratio of Cu in FeCu is 20 at% or less, or the atomic weight ratio of Zn in FeZn is 15a
By adding Zn so as to be t% or less, the magnetoresistance change rate ΔR / R is 1 when the metal atom C is not added.
It is even larger than 3.5%. In addition, Co atom is 80
When added at%, the magnetoresistance change rate ΔR / R is 2
0%, and when 72 at% of Ni atom is added,
The magnetoresistance change rate ΔR / R shows a maximum of 16.2%, and when the Cu atom is added at 6 at%, the magnetoresistance change rate ΔR / R is
R / R shows a maximum of 14.7%, and Zn atom is 5
When added at%, the magnetoresistance change rate ΔR / R is 1 at maximum.
Shows 4.7%.

【００６２】図１６は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＦｅ原
子と金属原子ＣであるＣｏ原子とによりＦｅＣｏの強磁
性合金を形成し、該強磁性合金ＦｅＣｏとは非固溶の関
係にある非磁性金属原子ＢであるＢｉ原子とからなる磁
性薄膜により形成した磁気抵抗効果材料ＦｅＣｏＢｉに
おいて、（ＦｅＣｏ）₂₉Ｂｉ₇₁とした場合における磁気
抵抗変化率ΔＲ／ＲとＦｅＣｏ中のＣｏの原子量比との
関係を示す図である。FIG. 16 shows the magnetoresistive material (A _100-X).
In C _X ) _{100-Y BY} , a ferromagnetic alloy of FeCo is formed by the Fe atom, which is the ferromagnetic metal atom A, and the Co atom, which is the metal atom C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy FeCo. In the magnetoresistive material FeCoBi formed by a magnetic thin film composed of a nonmagnetic metal atom B and Bi atom, the magnetoresistance change rate ΔR / R and the atomic ratio of Co in FeCo in the case of (FeCo) ₂₉ Bi _71. It is a figure which shows the relationship with.

【００６３】図１７は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＦｅ原
子と金属原子ＣであるＮｉ原子とによりＦｅＮｉの強磁
性合金を形成し、該強磁性合金ＦｅＮｉとは非固溶の関
係にある非磁性金属原子ＢであるＢｉ原子とからなる磁
性薄膜により形成した磁気抵抗効果材料ＦｅＮｉＢｉに
おいて、（ＦｅＮｉ）₂₉Ｂｉ₇₁とした場合における磁気
抵抗変化率ΔＲ／ＲとＦｅＮｉ中のＮｉの原子量比との
関係を示す図である。FIG. 17 shows the magnetoresistive material (A _100-X).
In C _X ) _{100-Y BY} , a ferromagnetic alloy of FeNi is formed by the Fe atom, which is the ferromagnetic metal atom A, and the Ni atom, which is the metal atom C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy FeNi. In the magnetoresistive effect material FeNiBi formed by a magnetic thin film composed of a non-magnetic metal atom B and Bi atom, the magnetoresistance change rate ΔR / R and the atomic weight ratio of Ni in FeNi in the case of (FeNi) ₂₉ Bi ₇₁ It is a figure which shows the relationship with.

【００６４】図１８は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＦｅ原
子と金属原子ＣであるＣｕ原子とによりＦｅＣｕの強磁
性合金を形成し、該強磁性合金ＦｅＣｕとは非固溶の関
係にある非磁性金属原子ＢであるＢｉ原子とからなる磁
性薄膜により形成した磁気抵抗効果材料ＦｅＣｕＢｉに
おいて、（ＦｅＣｕ）₂₉Ｂｉ₇₁とした場合における磁気
抵抗変化率ΔＲ／ＲとＦｅＣｕ中のＣｕの原子量比との
関係を示す図である。FIG. 18 shows the magnetoresistive effect material (A _100-X).
In C _X ) _{100-Y BY} , a ferromagnetic alloy of FeCu is formed by the Fe atom, which is the ferromagnetic metal atom A, and the Cu atom, which is the metal atom C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy FeCu. In a magnetoresistive material FeCuBi formed of a magnetic thin film composed of a non-magnetic metal atom B and a Bi atom, the magnetoresistance change rate ΔR / R and the atomic weight ratio of Cu in FeCu in the case of (FeCu) ₂₉ Bi ₇₁ It is a figure which shows the relationship with.

【００６５】図１９は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＦｅ原
子と金属原子ＣであるＺｎ原子とによりＦｅＺｎの強磁
性合金を形成し、該強磁性合金ＦｅＺｎとは非固溶の関
係にある非磁性金属原子ＢであるＢｉ原子とからなる磁
性薄膜により形成した磁気抵抗効果材料ＦｅＺｎＢｉに
おいて、（ＦｅＺｎ）₂₉Ｂｉ₇₁とした場合における磁気
抵抗変化率ΔＲ／ＲとＦｅＺｎ中のＺｎの原子量比との
関係を示す図である。FIG. 19 shows the magnetoresistive material (A _100-X).
In C _X ) _{100-Y BY} , a ferromagnetic alloy of FeZn is formed by the Fe atom, which is the ferromagnetic metal atom A, and the Zn atom, which is the metal atom C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy FeZn. In the magnetoresistive material FeZnBi formed of a magnetic thin film composed of a non-magnetic metal atom B and Bi atom, the magnetoresistance change rate ΔR / R and the atomic weight ratio of Zn in FeZn in the case of (FeZn) ₂₉ Bi _71. It is a figure which shows the relationship with.

【００６６】図１６、図１７、図１８、図１９から判る
ように、強磁性金属原子ＡであるＦｅ原子と、該Ｆｅ原
子とは非固溶の関係にある非磁性金属原子ＢであるＢｉ
原子とにより形成したＦｅＢｉ合金の磁性薄膜よりなる
磁気抵抗効果材料では、ＦｅＣｏ中におけるＣｏの原子
量比が６０ａｔ％以下になるようにＣｏを添加する、ま
たはＦｅＮｉ中におけるＮｉの原子量比が３０ａｔ％以
下になるようにＮｉを添加する、またはＦｅＣｕ中にお
けるＣｕの原子量比が２０ａｔ％以下になるようにＣｕ
を添加する、またはＦｅＺｎ中におけるＺｎの原子量比
が１５ａｔ％以下になるようにＺｎを添加することによ
り、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは金属原子Ｃを添加しない
時の１３．４％に比べて更に大きくなる。尚、Ｃｏ原子
を２５ａｔ％添加した時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは最
大の１５．１％を示し、また、Ｎｉ原子を１１ａｔ％添
加した時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは最大の１５．１％
を示し、また、Ｃｕ原子を６ａｔ％添加した時、磁気抵
抗変化率ΔＲ／Ｒは最大の１４．９％を示し、また、Ｚ
ｎ原子を４ａｔ％添加した時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒ
は最大の１４．９％を示す。As can be seen from FIGS. 16, 17, 18, and 19, the Fe atom, which is the ferromagnetic metal atom A, and the nonmagnetic metal atom B, which is in a non-solid solution relationship with the Fe atom, are Bi.
In a magnetoresistive effect material composed of a magnetic thin film of a FeBi alloy formed by using atoms, Co is added so that the atomic weight ratio of Co in FeCo is 60 at% or less, or the atomic weight ratio of Ni in FeNi is 30 at% or less. So that Ni is added, or the atomic weight ratio of Cu in FeCu is 20 at% or less.
Or by adding Zn such that the atomic weight ratio of Zn in FeZn is 15 at% or less, the magnetoresistance change rate ΔR / R is 13.4% as compared with 13.4% when the metal atom C is not added. It gets even bigger. The magnetic resistance change rate ΔR / R shows a maximum of 15.1% when Co atom is added at 25 at%, and the magnetic resistance change rate ΔR / R shows a maximum of 15% when Ni atom is added at 11 at%. .1%
In addition, when the Cu atom is added at 6 at%, the magnetoresistance change rate ΔR / R shows a maximum of 14.9%, and Z
Magnetoresistance change rate ΔR / R when n atom is added at 4 at%
Indicates a maximum of 14.9%.

【００６７】図２０は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＦｅ原
子と金属原子ＣであるＣｏ原子とによりＦｅＣｏの強磁
性合金を形成し、該強磁性合金ＦｅＣｏとは非固溶の関
係にある非磁性金属原子ＢであるＭｇ原子とからなる磁
性薄膜により形成した磁気抵抗効果材料ＦｅＣｏＭｇに
おいて、（ＦｅＣｏ）₂₇Ｍｇ₇₃とした場合における磁気
抵抗変化率ΔＲ／ＲとＦｅＣｏ中のＣｏの原子量比との
関係を示す図である。FIG. 20 shows the magnetoresistive effect material (A _100-X).
In C _X ) _{100-Y BY} , a ferromagnetic alloy of FeCo is formed by the Fe atom, which is the ferromagnetic metal atom A, and the Co atom, which is the metal atom C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy FeCo. In a magnetoresistive effect material FeCoMg formed by a magnetic thin film composed of a certain non-magnetic metal atom B, Mg atom, in the case of (FeCo) ₂₇ Mg ₇₃ , the magnetoresistive change rate ΔR / R and the atomic weight ratio of Co in FeCo It is a figure which shows the relationship with.

【００６８】図２１は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＦｅ原
子と金属原子ＣであるＮｉ原子とによりＦｅＮｉの強磁
性合金を形成し、該強磁性合金ＦｅＮｉとは非固溶の関
係にある非磁性金属原子ＢであるＭｇ原子とからなる磁
性薄膜により形成した磁気抵抗効果材料ＦｅＮｉＭｇに
おいて、（ＦｅＮｉ）₂₇Ｍｇ₇₃とした場合における磁気
抵抗変化率ΔＲ／ＲとＦｅＮｉ中のＮｉの原子量比との
関係を示す図である。FIG. 21 shows the magnetoresistive material (A _100-X).
In C _X ) _{100-Y BY} , a ferromagnetic alloy of FeNi is formed by the Fe atom, which is the ferromagnetic metal atom A, and the Ni atom, which is the metal atom C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy FeNi. In a magnetoresistive effect material FeNiMg formed by a magnetic thin film composed of a certain non-magnetic metal atom B, Mg atom, in the case of (FeNi) ₂₇ Mg ₇₃ , the magnetoresistance change rate ΔR / R and the atomic weight ratio of Ni in FeNi It is a figure which shows the relationship with.

【００６９】図２２は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＦｅ原
子と金属原子ＣであるＣｕ原子とによりＦｅＣｕの強磁
性合金を形成し、該強磁性合金ＦｅＣｕとは非固溶の関
係にある非磁性金属原子ＢであるＭｇ原子とからなる磁
性薄膜により形成した磁気抵抗効果材料ＦｅＣｕＭｇに
おいて、（ＦｅＣｕ）₂₇Ｍｇ₇₃とした場合における磁気
抵抗変化率ΔＲ／ＲとＦｅＣｕ中のＣｕの原子量比との
関係を示す図である。FIG. 22 shows the magnetoresistive material (A _100-X).
In C _X ) _{100-Y BY} , a ferromagnetic alloy of FeCu is formed by the Fe atom, which is the ferromagnetic metal atom A, and the Cu atom, which is the metal atom C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy FeCu. In the magnetoresistive material FeCuMg formed of a magnetic thin film composed of a certain non-magnetic metal atom B, Mg atom, in the case of (FeCu) ₂₇ Mg ₇₃ , the magnetoresistance change rate ΔR / R and the atomic weight ratio of Cu in FeCu. It is a figure which shows the relationship with.

【００７０】図２３は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＦｅ原
子と金属原子ＣであるＺｎ原子とによりＦｅＺｎの強磁
性合金を形成し、該強磁性合金ＦｅＺｎとは非固溶の関
係にある非磁性金属原子ＢであるＭｇ原子とからなる磁
性薄膜により形成した磁気抵抗効果材料ＦｅＺｎＭｇに
おいて、（ＦｅＺｎ）₂₇Ｍｇ₇₃とした場合における磁気
抵抗変化率ΔＲ／ＲとＦｅＺｎ中のＺｎの原子量比との
関係を示す図である。FIG. 23 shows the magnetoresistive material (A _100-X).
In C _X ) _{100-Y BY} , a ferromagnetic alloy of FeZn is formed by the Fe atom, which is the ferromagnetic metal atom A, and the Zn atom, which is the metal atom C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy FeZn. In a magnetoresistive effect material FeZnMg formed by a magnetic thin film composed of a certain non-magnetic metal atom B, Mg atom, in the case of (FeZn) ₂₇ Mg ₇₃ , the magnetoresistance change rate ΔR / R and the atomic weight ratio of Zn in FeZn It is a figure which shows the relationship with.

【００７１】図２０、図２１、図２２、図２３から判る
ように、強磁性金属原子ＡであるＦｅ原子と、該Ｆｅ原
子とは非固溶の関係にある非磁性金属原子ＢであるＭｇ
原子とにより形成したＦｅＭｇ合金の磁性薄膜よりなる
磁気抵抗効果材料では、ＦｅＣｏ中におけるＣｏの原子
量比が６０ａｔ％以下になるようにＣｏを添加する、ま
たはＦｅＮｉ中におけるＮｉの原子量比が３０ａｔ％以
下になるようにＮｉを添加する、またはＦｅＣｕ中にお
けるＣｕの原子量比が２０ａｔ％以下になるようにＣｕ
を添加する、またはＦｅＺｎ中におけるＺｎの原子量比
が１５ａｔ％以下になるようにＺｎを添加することによ
り、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは金属原子Ｃを添加しない
時の１３．４％に比べて更に大きくなる。尚、Ｃｏ原子
を２８ａｔ％添加した時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは最
大の１５．２％を示し、また、Ｎｉ原子を８ａｔ％添加
した時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは最大の１５．２％を
示し、また、Ｃｕ原子を８ａｔ％添加した時、磁気抵抗
変化率ΔＲ／Ｒは最大の１５％を示し、また、Ｚｎ原子
を８ａｔ％添加した時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは最大
の１４．８％を示す。As can be seen from FIGS. 20, 21, 22, and 23, the Fe atom, which is the ferromagnetic metal atom A, and the Mg atom, which is the nonmagnetic metal atom B in a non-solid solution relationship with the Fe atom.
In a magnetoresistive effect material composed of a magnetic thin film of a FeMg alloy formed with atoms, Co is added so that the atomic weight ratio of Co in FeCo is 60 at% or less, or the atomic weight ratio of Ni in FeNi is 30 at% or less. So that Ni is added, or the atomic weight ratio of Cu in FeCu is 20 at% or less.
Or by adding Zn such that the atomic weight ratio of Zn in FeZn is 15 at% or less, the magnetoresistance change rate ΔR / R is 13.4% as compared with 13.4% when the metal atom C is not added. It gets even bigger. When the Co atom is added at 28 at%, the magnetoresistive change rate ΔR / R shows a maximum of 15.2%, and when the Ni atom is added at 8 at%, the magnetoresistive change rate ΔR / R reaches a maximum of 15%. 0.2%, and when the Cu atom was added at 8 at%, the magnetoresistance change rate ΔR / R showed a maximum of 15%, and when the Zn atom was added at 8 at%, the magnetoresistance change rate ΔR / R was shown. Indicates a maximum of 14.8%.

【００７２】図２４は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＦｅ原
子と金属原子ＣであるＣｏ原子とによりＦｅＣｏの強磁
性合金を形成し、該強磁性合金ＦｅＣｏとは非固溶の関
係にある非磁性金属原子ＢであるＰｂ原子とからなる磁
性薄膜により形成した磁気抵抗効果材料ＦｅＣｏＰｂに
おいて、（ＦｅＣｏ）₂₄Ｐｂ₇₆とした場合における磁気
抵抗変化率ΔＲ／ＲとＦｅＣｏ中のＣｏの原子量比との
関係を示す図である。FIG. 24 shows the magnetoresistive material (A _100-X).
In C _X ) _{100-Y BY} , a ferromagnetic alloy of FeCo is formed by the Fe atom, which is the ferromagnetic metal atom A, and the Co atom, which is the metal atom C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy FeCo. In the magnetoresistive effect material FeCoPb formed of a magnetic thin film composed of a nonmagnetic metal atom B and Pb atom, the magnetoresistance change rate ΔR / R and the atomic ratio of Co in FeCo in the case of (FeCo) ₂₄ Pb _76. It is a figure which shows the relationship with.

【００７３】図２５は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＦｅ原
子と金属原子ＣであるＮｉ原子とによりＦｅＮｉの強磁
性合金を形成し、該強磁性合金ＦｅＮｉとは非固溶の関
係にある非磁性金属原子ＢであるＮｉ原子とからなる磁
性薄膜により形成した磁気抵抗効果材料ＦｅＮｉＰｂに
おいて、（ＦｅＮｉ）₂₄Ｐｂ₇₆とした場合における磁気
抵抗変化率ΔＲ／ＲとＦｅＮｉ中のＮｉの原子量比との
関係を示す図である。FIG. 25 shows the magnetoresistive effect material (A _100-X).
In C _X ) _{100-Y BY} , a ferromagnetic alloy of FeNi is formed by the Fe atom, which is the ferromagnetic metal atom A, and the Ni atom, which is the metal atom C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy FeNi. In a magnetoresistive material FeNiPb formed of a magnetic thin film composed of a nonmagnetic metal atom B and Ni atom, the magnetoresistance change rate ΔR / R and the atomic weight ratio of Ni in FeNi in the case of (FeNi) ₂₄ Pb _76. It is a figure which shows the relationship with.

【００７４】図２６は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＦｅ原
子と金属原子ＣであるＣｕ原子とによりＦｅＣｕの強磁
性合金を形成し、該強磁性合金ＦｅＣｕとは非固溶の関
係にある非磁性金属原子ＢであるＰｂ原子とからなる磁
性薄膜により形成した磁気抵抗効果材料ＦｅＣｕＰｂに
おいて、（ＦｅＣｕ）₂₄Ｐｂ₇₆とした場合における磁気
抵抗変化率ΔＲ／ＲとＦｅＣｕ中のＣｕの原子量比との
関係を示す図である。FIG. 26 shows the magnetoresistive effect material (A _100-X).
In C _X ) _{100-Y BY} , a ferromagnetic alloy of FeCu is formed by the Fe atom, which is the ferromagnetic metal atom A, and the Cu atom, which is the metal atom C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy FeCu. In the magnetoresistive material FeCuPb formed of a magnetic thin film composed of a certain non-magnetic metal atom B and Pb atom, the magnetoresistance change rate ΔR / R and the atomic weight ratio of Cu in FeCu in the case of (FeCu) ₂₄ Pb _76. It is a figure which shows the relationship with.

【００７５】図２７は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＦｅ原
子と金属原子ＣであるＺｎ原子とによりＦｅＺｎの強磁
性合金を形成し、該強磁性合金ＦｅＺｎとは非固溶の関
係にある非磁性金属原子ＢであるＰｂ原子とからなる磁
性薄膜により形成した磁気抵抗効果材料ＦｅＺｎＰｂに
おいて、（ＦｅＺｎ）₂₄Ｐｂ₇₆とした場合における磁気
抵抗変化率ΔＲ／ＲとＦｅＺｎ中のＺｎの原子量比との
関係を示す図である。FIG. 27 shows the magnetoresistive material (A _100-X).
In C _X ) _{100-Y BY} , a ferromagnetic alloy of FeZn is formed by the Fe atom, which is the ferromagnetic metal atom A, and the Zn atom, which is the metal atom C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy FeZn. In the magnetoresistive material FeZnPb formed of a magnetic thin film composed of a certain nonmagnetic metal atom B and Pb atom, the magnetoresistance change rate ΔR / R and the atomic weight ratio of Zn in FeZn when (FeZn) ₂₄ Pb ₇₆ is used. It is a figure which shows the relationship with.

【００７６】図２４、図２５、図２６、図２７から判る
ように、強磁性金属原子ＡであるＦｅ原子と、該Ｆｅ原
子とは非固溶の関係にある非磁性金属原子ＢであるＰｂ
原子とにより形成したＦｅＰｂ合金の磁性薄膜よりなる
磁気抵抗効果材料では、ＦｅＣｏ中におけるＣｏの原子
量比が６０ａｔ％以下になるようにＣｏを添加する、ま
たはＦｅＮｉ中におけるＮｉの原子量比が３０ａｔ％以
下になるようにＮｉを添加する、またはＦｅＣｕ中にお
けるＣｕの原子量比が２０ａｔ％以下になるようにＣｕ
を添加する、またはＦｅＺｎ中におけるＺｎの原子量比
が１５ａｔ％以下になるようにＺｎを添加することによ
り、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは金属原子Ｃを添加しない
時の１３．６％に比べて更に大きくなる。尚、Ｃｏ原子
を２５ａｔ％添加した時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは最
大の１５．２％を示し、また、Ｎｉ原子を１２ａｔ％添
加した時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは最大の１５．１％
を示し、また、Ｃｕ原子を７ａｔ％添加した時、磁気抵
抗変化率ΔＲ／Ｒは最大の１５％を示し、また、Ｚｎ原
子を７ａｔ％添加した時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは最
大の１４．９％を示す。As can be seen from FIGS. 24, 25, 26, and 27, the Fe atom, which is the ferromagnetic metal atom A, and the Pb, which is the nonmagnetic metal atom B, which has a non-solid solution relationship with the Fe atom.
In a magnetoresistive effect material composed of a magnetic thin film of FePb alloy formed with atoms, Co is added so that the atomic weight ratio of Co in FeCo is 60 at% or less, or the atomic weight ratio of Ni in FeNi is 30 at% or less. So that Ni is added, or the atomic weight ratio of Cu in FeCu is 20 at% or less.
Or by adding Zn such that the atomic weight ratio of Zn in FeZn is 15 at% or less, the magnetoresistance change rate ΔR / R is 13.6% compared to when the metal atom C is not added. It gets even bigger. The magnetic resistance change rate ΔR / R shows a maximum of 15.2% when Co atom is added at 25 at%, and the magnetic resistance change rate ΔR / R shows a maximum of 15% when Ni atom is added at 12 at%. .1%
Further, when the Cu atom is added at 7 at%, the magnetoresistance change rate ΔR / R shows a maximum of 15%, and when the Zn atom is added at 7 at%, the magnetoresistance change rate ΔR / R shows the maximum. It shows 14.9%.

【００７７】図２８は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＣｏ原
子と金属原子ＣであるＶ原子とによりＣｏＶの強磁性合
金を形成し、該強磁性合金ＣｏＶとは非固溶の関係にあ
る非磁性金属原子ＢであるＡｇ原子とからなる磁性薄膜
により形成した磁気抵抗効果材料ＣｏＶＡｇにおいて、
（ＣｏＶ）₂₇Ａｇ₇₃とした場合における磁気抵抗変化率
ΔＲ／ＲとＣｏＶ中のＶの原子量比との関係を示す図で
ある。FIG. 28 shows the magnetoresistive effect material (A _100-X
C _X ) _100-Y B _Y forms a ferromagnetic alloy of CoV with Co atoms that are ferromagnetic metal atoms A and V atoms that are metal atoms C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy CoV. In a magnetoresistive material CoVAg formed by a magnetic thin film composed of Ag atoms which are certain non-magnetic metal atoms B,
It is a diagram showing a relationship between the atomic weight ratio of V in the magnetoresistance ratio [Delta] R / R and CoV in case of the (CoV) ₂₇ Ag _73.

【００７８】図２９は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＣｏ原
子と金属原子ＣであるＣｒ原子とによりＣｏＣｒの強磁
性合金を形成し、該強磁性合金ＣｏＣｒとは非固溶の関
係にある非磁性金属原子ＢであるＡｇ原子とからなる磁
性薄膜により形成した磁気抵抗効果材料ＣｏＣｒＡｇに
おいて、（ＣｏＣｒ）₂₇Ａｇ₇₃とした場合における磁気
抵抗変化率ΔＲ／ＲとＣｏＣｒ中のＣｒの原子量比との
関係を示す図である。FIG. 29 shows the magnetoresistive material (A _100-X).
C _X ) _100-Y B _Y forms a ferromagnetic alloy of CoCr by Co atoms that are ferromagnetic metal atoms A and Cr atoms that are metal atoms C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy CoCr. In the magnetoresistive material CoCrAg formed by a magnetic thin film composed of a non-magnetic metal atom B and Ag atom, the magnetoresistance change rate ΔR / R and the atomic weight ratio of Cr in CoCr in the case of (CoCr) ₂₇ Ag ₇₃ It is a figure which shows the relationship with.

【００７９】図３０は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＣｏ原
子と金属原子ＣであるＭｎ原子とによりＣｏＭｎの強磁
性合金を形成し、該強磁性合金ＣｏＭｎとは非固溶の関
係にある非磁性金属原子ＢであるＡｇ原子とからなる磁
性薄膜により形成した磁気抵抗効果材料ＣｏＭｎＡｇに
おいて、（ＣｏＭｎ）₂₇Ａｇ₇₃とした場合における磁気
抵抗変化率ΔＲ／ＲとＣｏＭｎ中のＭｎの原子量比との
関係を示す図である。FIG. 30 shows the magnetoresistive material (A _100-X).
C _X ) _100-Y B _Y forms a ferromagnetic alloy of CoMn with Co atoms that are ferromagnetic metal atoms A and Mn atoms that are metal atoms C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy CoMn. In the magnetoresistive material CoMnAg formed of a magnetic thin film composed of Ag atoms which are certain non-magnetic metal atoms B, in the case of (CoMn) ₂₇ Ag ₇₃ , the magnetoresistance change rate ΔR / R and the atomic weight ratio of Mn in CoMn. It is a figure which shows the relationship with.

【００８０】図２８、図２９、図３０から判るように、
強磁性金属原子ＡであるＣｏ原子と、該Ｃｏ原子とは非
固溶の関係にある非磁性金属原子ＢであるＡｇ原子とに
より形成したＣｏＡｇ合金の磁性薄膜よりなる磁気抵抗
効果材料では、ＣｏＶ中におけるＶの原子量比が３０ａ
ｔ％以下になるようにＶを添加する、またはＣｏＣｒ中
におけるＣｒの原子量比が３７ａｔ％以下になるように
Ｃｒを添加する、またはＣｏＭｎ中におけるＭｎの添加
量が４１ａｔ％以下になるようにＭｎを添加することに
より、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは金属原子Ｃを添加しな
い時の１８．７％に比べて更に大きくなる。尚、Ｖ原子
を２０ａｔ％添加した時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは最
大の２０％を示し、また、Ｃｒ原子を３０ａｔ％添加し
た時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは最大の２０％を示し、
また、Ｍｎ原子を３２ａｔ％添加した時、磁気抵抗変化
率ΔＲ／Ｒは最大の２０％を示す。As can be seen from FIGS. 28, 29 and 30,
A magnetoresistive effect material composed of a magnetic thin film of a CoAg alloy formed by a Co atom which is a ferromagnetic metal atom A and an Ag atom which is a non-magnetic metal atom B in a non-solid solution relationship with the Co atom The atomic weight ratio of V in the inside is 30a
V is added so as to be t% or less, or Cr is added so that the atomic ratio of Cr in CoCr is 37 at% or less, or Mn is added so that the added amount of Mn in CoMn is 41 at% or less. The addition rate of .DELTA.R / R is further increased as compared with 18.7% when the metal atom C is not added. The magnetic resistance change rate ΔR / R shows a maximum of 20% when V atom is added at 20 at%, and the magnetic resistance change rate ΔR / R shows a maximum of 20% when Cr atom is added at 30 at%. Shows,
Further, when 32 at% of Mn atom is added, the magnetoresistance change rate ΔR / R shows a maximum of 20%.

【００８１】図３１は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＣｏ原
子と金属原子ＣであるＶ原子とによりＣｏＶの強磁性合
金を形成し、該強磁性合金ＣｏＶとは非固溶の関係にあ
る非磁性金属原子ＢであるＰｂ原子とからなる磁性薄膜
により形成した磁気抵抗効果材料ＣｏＶＰｂにおいて、
（ＣｏＶ）₂₄Ｐｂ₇₆とした場合における磁気抵抗変化率
ΔＲ／ＲとＣｏＶ中のＶの原子量比との関係を示す図で
ある。FIG. 31 shows the magnetoresistive material (A _100-X).
C _X ) _100-Y B _Y forms a ferromagnetic alloy of CoV with Co atoms that are ferromagnetic metal atoms A and V atoms that are metal atoms C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy CoV. In a magnetoresistive material CoVPb formed by a magnetic thin film composed of Pb atoms which are certain non-magnetic metal atoms B,
FIG. 7 is a diagram showing a relationship between a magnetoresistance change rate ΔR / R and an atomic weight ratio of V in CoV in the case of (CoV) ₂₄ Pb ₇₆ .

【００８２】図３２は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＣｏ原
子と金属原子ＣであるＣｒ原子とによりＣｏＣｒの強磁
性合金を形成し、該強磁性合金ＣｏＣｒとは非固溶の関
係にある非磁性金属原子ＢであるＰｂ原子とからなる磁
性薄膜により形成した磁気抵抗効果材料ＣｏＣｒＰｂに
おいて、（ＣｏＣｒ）₂₄Ｐｂ₇₆とした場合における磁気
抵抗変化率ΔＲ／ＲとＣｏＣｒ中のＣｒの原子量比との
関係を示す図である。FIG. 32 shows the magnetoresistive material (A _100-X).
C _X ) _100-Y B _Y forms a ferromagnetic alloy of CoCr by Co atoms that are ferromagnetic metal atoms A and Cr atoms that are metal atoms C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy CoCr. In a magnetoresistive material CoCrPb formed of a magnetic thin film composed of a certain non-magnetic metal atom B and Pb atom, the magnetoresistive change rate ΔR / R and the atomic weight ratio of Cr in CoCr when (CoCr) ₂₄ Pb ₇₆ is used. It is a figure which shows the relationship with.

【００８３】図３３は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＣｏ原
子と金属原子ＣであるＭｎ原子とによりＣｏＭｎの強磁
性合金を形成し、該強磁性合金ＣｏＭｎとは非固溶の関
係にある非磁性金属原子ＢであるＰｂ原子とからなる磁
性薄膜により形成した磁気抵抗効果材料ＣｏＭｎＰｂに
おいて、（ＣｏＭｎ）₂₄Ｐｂ₇₆とした場合における磁気
抵抗変化率ΔＲ／ＲとＣｏＭｎ中のＭｎの原子量比との
関係を示す図である。FIG. 33 shows the magnetoresistive effect material (A _100-X).
C _X ) _100-Y B _Y forms a ferromagnetic alloy of CoMn with Co atoms that are ferromagnetic metal atoms A and Mn atoms that are metal atoms C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy CoMn. In the magnetoresistive material CoMnPb formed of a magnetic thin film composed of a non-magnetic metal atom B and Pb atom, the magnetoresistance change rate ΔR / R and the atomic weight ratio of Mn in CoMn in the case of (CoMn) ₂₄ Pb _76. It is a figure which shows the relationship with.

【００８４】図３１、図３２、図３３から判るように、
強磁性金属原子ＡであるＣｏ原子と、該Ｃｏ原子とは非
固溶の関係にある非磁性金属原子ＢであるＰｂ原子とに
より形成したＣｏＰｂ合金の磁性薄膜よりなる磁気抵抗
効果材料では、ＣｏＶ中におけるＶの原子量比が３５ａ
ｔ％以下になるようにＶを添加する、またはＣｏＣｒ中
におけるＣｒの原子量比が４６ａｔ％以下になるように
Ｃｒを添加する、またはＣｏＭｎ中におけるＭｎの添加
量が７０ａｔ％以下になるようにＭｎを添加することに
より、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは金属原子Ｃを添加しな
い時の１１．３％に比べて更に大きくなる。尚、Ｖ原子
を２０ａｔ％添加した時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは最
大の１４．９％を示し、また、Ｃｒ原子を２６ａｔ％添
加した時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは最大の１４．３％
を示し、また、Ｍｎ原子を２８ａｔ％添加した時、磁気
抵抗変化率ΔＲ／Ｒは最大の１４．９％を示す。As can be seen from FIGS. 31, 32 and 33,
In the magnetoresistive material including a magnetic thin film of a CoPb alloy formed by Co atoms that are ferromagnetic metal atoms A and Pb atoms that are non-magnetic metal atoms B that are in a non-solid solution relationship with the Co atoms, CoV The atomic weight ratio of V is 35a
V is added so as to be t% or less, or Cr is added so that the atomic weight ratio of Cr in CoCr is 46 at% or less, or Mn is added so that the addition amount of Mn in CoMn is 70 at% or less. The addition rate of .DELTA.R / R becomes larger than 11.3% when the metal atom C is not added. The magnetic resistance change rate ΔR / R shows a maximum of 14.9% when V atoms are added at 20 at%, and the magnetic resistance change rate ΔR / R shows a maximum of 14% when Cr atoms are added at 26 at%. .3%
In addition, when the Mn atom is added at 28 at%, the magnetoresistance change rate ΔR / R shows the maximum value of 14.9%.

【００８５】図３４は強磁性金属原子ＡであるＮｉ原子
と、該Ｎｉ原子とは非固溶の関係にある非磁性金属原子
ＢであるＡｇ原子とからなる磁性薄膜により形成した磁
気抵抗効果材料における磁気抵抗変化率ΔＲ／ＲとＡｇ
原子の原子量比との関係を示す図である。FIG. 34 shows a magnetoresistive effect material formed by a magnetic thin film composed of a Ni atom which is a ferromagnetic metal atom A and an Ag atom which is a non-magnetic metal atom B having a non-solid solution relationship with the Ni atom. Change rate ΔR / R and Ag
It is a figure which shows the relationship with the atomic weight ratio of an atom.

【００８６】図３４から判るように、ＮｉＡｇ合金の磁
性薄膜よりなる磁気抵抗効果材料では、Ａｇの原子量比
が７０〜７５ａｔ％の時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒが６
％以上の高い値を示し、特に、Ａｇの原子量比が７３ａ
ｔ％の時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは最大の６．５％を
示す。このように、ＮｉＡｇ合金の磁性薄膜よりなる磁
気抵抗効果材料では、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは１０％
以上の値を示さないが、以下に示すように金属原子Ｃを
添加することにより、室温においても、磁気抵抗変化率
ΔＲ／Ｒが１０％以上の高い値を示す。As can be seen from FIG. 34, in the magnetoresistive effect material composed of the magnetic thin film of NiAg alloy, the magnetoresistive change rate ΔR / R is 6 when the atomic weight ratio of Ag is 70 to 75 at%.
% Or more, especially when the atomic weight ratio of Ag is 73a
At t%, the magnetoresistance change rate ΔR / R shows a maximum of 6.5%. As described above, in the magnetoresistive effect material composed of the magnetic thin film of NiAg alloy, the magnetoresistive change rate ΔR / R is 10%.
Although the above values are not shown, by adding the metal atom C as shown below, the magnetoresistance change rate ΔR / R shows a high value of 10% or more even at room temperature.

【００８７】図３５は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＮｉ原
子と金属原子ＣであるＶ原子とによりＮｉＶの強磁性合
金を形成し、該強磁性合金ＮｉＶとは非固溶の関係にあ
る非磁性金属原子ＢであるＡｇ原子とからなる磁性薄膜
により形成した磁気抵抗効果材料ＮｉＶＡｇにおいて、
（ＮｉＶ）₂₇Ａｇ₇₃とした場合における磁気抵抗変化率
ΔＲ／ＲとＮｉＶ中のＶの原子量比との関係を示す図で
ある。FIG. 35 shows the magnetoresistive effect material (A _100-X).
C _X ) _{100-Y BY} forms a ferromagnetic alloy of NiV with Ni atoms that are ferromagnetic metal atoms A and V atoms that are metal atoms C, and is in a non-solid solution relationship with the ferromagnetic alloy NiV. In a magnetoresistive material NiVAg formed of a magnetic thin film composed of Ag atoms which are certain non-magnetic metal atoms B,
FIG. 4 is a diagram showing a relationship between a magnetoresistance change rate ΔR / R and an atomic weight ratio of V in NiV when (NiV) ₂₇ Ag ₇₃ is used.

【００８８】図３６は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＮｉ原
子と金属原子ＣであるＣｒ原子とによりＮｉＣｒの強磁
性合金を形成し、該強磁性合金ＮｉＣｒとは非固溶の関
係にある非磁性金属原子ＢであるＡｇ原子とからなる磁
性薄膜により形成した磁気抵抗効果材料ＮｉＣｒＡｇに
おいて、（ＮｉＣｒ）₂₇Ａｇ₇₃とした場合における磁気
抵抗変化率ΔＲ／ＲとＮｉＣｒ中のＣｒの原子量比との
関係を示す図である。FIG. 36 shows the magnetoresistive material (A _100-X).
In C _X ) _{100-Y BY} , a ferromagnetic alloy of NiCr is formed by Ni atoms that are ferromagnetic metal atoms A and Cr atoms that are metal atoms C, and the ferromagnetic alloy NiCr is in a non-solid solution relationship. In a magnetoresistive material NiCrAg formed of a magnetic thin film composed of a non-magnetic metal atom B and Ag atom, the magnetoresistance change rate ΔR / R and the atomic weight ratio of Cr in NiCr in the case of (NiCr) ₂₇ Ag _73. It is a figure which shows the relationship with.

【００８９】図３７は上記磁気抵抗効果材料（Ａ_100-X
Ｃ_X）_100-YＢ_Yにおいて強磁性金属原子ＡであるＮｉ原
子と金属原子ＣであるＭｎ原子とによりＮｉＭｎの強磁
性合金を形成し、該強磁性合金ＮｉＭｎとは非固溶の関
係にある非磁性金属原子ＢであるＡｇ原子とからなる磁
性薄膜により形成した磁気抵抗効果材料ＮｉＭｎＡｇに
おいて、（ＮｉＭｎ）₂₇Ａｇ₇₃とした場合における磁気
抵抗変化率ΔＲ／ＲとＮｉＭｎ中のＭｎの原子量比との
関係を示す図である。FIG. 37 shows the magnetoresistive material (A _100-X).
In C _X ) _{100-Y BY} , a ferromagnetic alloy of NiMn is formed by Ni atoms that are ferromagnetic metal atoms A and Mn atoms that are metal atoms C, and the ferromagnetic alloy NiMn is in a non-solid solution relationship. In the magnetoresistive material NiMnAg formed by a magnetic thin film composed of a nonmagnetic metal atom B and Ag atom, the magnetoresistance change rate ΔR / R and the atomic weight ratio of Mn in NiMn in the case of (NiMn) ₂₇ Ag _73. It is a figure which shows the relationship with.

【００９０】図３５、図３６、図３７から判るように、
強磁性金属原子ＡであるＮｉ原子と、該Ｎｉ原子とは非
固溶の関係にある非磁性金属原子ＢであるＡｇ原子とに
より形成したＮｉＡｇ合金の磁性薄膜よりなる磁気抵抗
効果材料では、ＮｉＶ中におけるＶの原子量比が１５〜
５５ａｔ％になるようにＶを添加する、またはＮｉＣｒ
中におけるＣｒの原子量比が１８〜６９ａｔ％になるよ
うにＣｒを添加する、またはＮｉＭｎ中におけるＭｎの
原子量比が２４〜９２ａｔ％になるようにＭｎを添加す
ることにより、磁気抵抗変化率原子量比が１０％以上の
大きな値を示す。尚、Ｖの原子量比が３８ａｔ％の時、
磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは最大の１３．８％を示し、ま
た、Ｃｒ原子を４１ａｔ％添加した時、磁気抵抗変化率
ΔＲ／Ｒは最大の１４％を示し、また、Ｍｎ原子を６４
ａｔ％添加した時、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは最大の１
３．５％を示す。As can be seen from FIGS. 35, 36 and 37,
A magnetoresistive effect material composed of a magnetic thin film of a NiAg alloy formed by Ni atoms that are ferromagnetic metal atoms A and Ag atoms that are non-magnetic metal atoms B in a non-solid solution relationship with the Ni atoms is NiV. The atomic weight ratio of V in is 15 ~
V is added so as to be 55 at%, or NiCr
The ratio of atomic resistance of magnetoresistance is changed by adding Cr so that the atomic weight ratio of Cr in Cr is 18 to 69 at%, or by adding Mn such that the atomic weight ratio of Mn in NiMn is 24 to 92 at%. Shows a large value of 10% or more. When the atomic weight ratio of V is 38 at%,
The magnetoresistive change rate ΔR / R shows a maximum of 13.8%, and when Cr atom is added at 41 at%, the magnetoresistive change rate ΔR / R shows a maximum of 14%, and the Mn atom shows 64%.
When at% is added, the maximum magnetoresistance change rate ΔR / R is 1
Shows 3.5%.

【００９１】[0091]

【発明の効果】本発明によれば、磁気抵抗変化率が１０
％以上と大きく、ＭＲ素子等に用いて好適であり、しか
も容易に製造することが可能であり、量産性にも優れた
磁気抵抗効果材料を提供し得る。According to the present invention, the magnetoresistance change rate is 10%.
%, It is suitable for use in MR elements and the like, can be easily manufactured, and can provide a magnetoresistive effect material excellent in mass productivity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の磁気抵抗効果材料の構成を示す概略断
面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a magnetoresistive material of the present invention.

【図２】試料１の磁気抵抗効果材料のＸ線回折パターン
を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an X-ray diffraction pattern of a magnetoresistive effect material of Sample 1.

【図３】試料２の磁気抵抗効果材料のＸ線回折パターン
を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an X-ray diffraction pattern of a magnetoresistive material of Sample 2.

【図４】試料１の磁気抵抗効果材料の磁気抵抗変化率を
示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a magnetoresistance change rate of a magnetoresistive material of Sample 1.

【図５】試料２の磁気抵抗効果材料の磁気抵抗変化率を
示す図である。5 is a diagram showing a magnetoresistance change rate of a magnetoresistive material of Sample 2. FIG.

【図６】ＦｅＡｇ合金よりなる磁気抵抗効果材料のＡｇ
の原子量比と磁気抵抗変化率との関係を示す図である。FIG. 6 Ag of a magnetoresistive material made of FeAg alloy
It is a figure which shows the relationship between the atomic weight ratio of and a magnetoresistance change rate.

【図７】ＦｅＢｉ合金よりなる磁気抵抗効果材料のＢｉ
の原子量比と磁気抵抗変化率との関係を示す図である。FIG. 7: Bi of a magnetoresistive effect material made of FeBi alloy
It is a figure which shows the relationship between the atomic weight ratio of and a magnetoresistance change rate.

【図８】ＦｅＭｇ合金よりなる磁気抵抗効果材料のＭｇ
の原子量比と磁気抵抗変化率との関係を示す図である。FIG. 8: Mg as a magnetoresistive material made of FeMg alloy
It is a figure which shows the relationship between the atomic weight ratio of and a magnetoresistance change rate.

【図９】ＦｅＰｂ合金よりなる磁気抵抗効果材料のＰｂ
の原子量比と磁気抵抗変化率との関係を示す図である。FIG. 9: Pb of a magnetoresistive effect material made of FePb alloy
It is a figure which shows the relationship between the atomic weight ratio of and a magnetoresistance change rate.

【図１０】ＣｏＡｇ合金よりなる磁気抵抗効果材料のＡ
ｇの原子量比と磁気抵抗変化率との関係を示す図であ
る。FIG. 10: A of a magnetoresistive material made of CoAg alloy
It is a figure which shows the relationship between the atomic weight ratio of g, and the magnetoresistance change rate.

【図１１】ＣｏＰｂ合金よりなる磁気抵抗効果材料のＰ
ｂの原子量比と磁気抵抗変化率との関係を示す図であ
る。FIG. 11 P of a magnetoresistive effect material made of a CoPb alloy
It is a figure which shows the relationship between the atomic weight ratio of b, and a magnetoresistance change rate.

【図１２】ＦｅＣｏＡｇ合金よりなる磁気抵抗効果材料
のＦｅＣｏ中のＣｏの原子量比と磁気抵抗変化率との関
係を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of Co in FeCo of the magnetoresistive material made of FeCoAg alloy and the rate of change in magnetoresistance.

【図１３】ＦｅＮｉＡｇ合金よりなる磁気抵抗効果材料
のＦｅＮｉ中のＮｉの原子量比と磁気抵抗変化率との関
係を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of Ni in FeNi of the magnetoresistive effect material made of FeNiAg alloy and the magnetoresistance change rate.

【図１４】ＦｅＣｕＡｇ合金よりなる磁気抵抗効果材料
のＦｅＣｕ中のＣｕの原子量比と磁気抵抗変化率との関
係を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of Cu in FeCu of the magnetoresistive effect material made of FeCuAg alloy and the magnetoresistance change rate.

【図１５】ＦｅＺｎＡｇ合金よりなる磁気抵抗効果材料
のＦｅＺｎ中のＺｎの原子量比と磁気抵抗変化率との関
係を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of Zn in FeZn of the magnetoresistive material made of FeZnAg alloy and the magnetoresistance change rate.

【図１６】ＦｅＣｏＢｉ合金よりなる磁気抵抗効果材料
のＦｅＣｏ中のＣｏの原子量比と磁気抵抗変化率との関
係を示す図である。FIG. 16 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of Co in FeCo of a magnetoresistive material made of FeCoBi alloy and the rate of change in magnetoresistance.

【図１７】ＦｅＮｉＢｉ合金よりなる磁気抵抗効果材料
のＦｅＮｉ中のＮｉの原子量比と磁気抵抗変化率との関
係を示す図である。FIG. 17 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of Ni in FeNi of the magnetoresistive material made of FeNiBi alloy and the magnetoresistance change rate.

【図１８】ＦｅＣｕＢｉ合金よりなる磁気抵抗効果材料
のＦｅＣｕ中のＣｕの原子量比と磁気抵抗変化率との関
係を示す図である。FIG. 18 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of Cu in FeCu of the magnetoresistive effect material made of FeCuBi alloy and the magnetoresistance change rate.

【図１９】ＦｅＺｎＢｉ合金よりなる磁気抵抗効果材料
のＦｅＺｎ中のＺｎの原子量比と磁気抵抗変化率との関
係を示す図である。FIG. 19 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of Zn in FeZn of the magnetoresistive effect material made of FeZnBi alloy and the magnetoresistance change rate.

【図２０】ＦｅＣｏＭｇ合金よりなる磁気抵抗効果材料
のＦｅＣｏ中のＣｏの原子量比と磁気抵抗変化率との関
係を示す図である。FIG. 20 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of Co in FeCo of a magnetoresistive material made of a FeCoMg alloy and the rate of change in magnetoresistance.

【図２１】ＦｅＮｉＭｇ合金よりなる磁気抵抗効果材料
のＦｅＮｉ中のＮｉの原子量比と磁気抵抗変化率との関
係を示す図である。FIG. 21 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of Ni in FeNi of the magnetoresistive material made of FeNiMg alloy and the rate of change in magnetoresistance.

【図２２】ＦｅＣｕＭｇ合金よりなる磁気抵抗効果材料
のＦｅＣｕ中のＣｕの原子量比と磁気抵抗変化率との関
係を示す図である。FIG. 22 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of Cu in FeCu of the magnetoresistive effect material made of FeCuMg alloy and the rate of change in magnetoresistance.

【図２３】ＦｅＺｎＭｇ合金よりなる磁気抵抗効果材料
のＦｅＺｎ中のＺｎの原子量比と磁気抵抗変化率との関
係を示す図である。FIG. 23 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of Zn in FeZn of the magnetoresistive effect material made of FeZnMg alloy and the magnetoresistance change rate.

【図２４】ＦｅＣｏＰｂ合金よりなる磁気抵抗効果材料
のＦｅＣｏ中のＣｏの原子量比と磁気抵抗変化率との関
係を示す図である。FIG. 24 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of Co in FeCo of the magnetoresistive material made of FeCoPb alloy and the rate of change in magnetoresistance.

【図２５】ＦｅＮｉＰｂ合金よりなる磁気抵抗効果材料
のＦｅＮｉ中のＮｉの原子量比と磁気抵抗変化率との関
係を示す図である。FIG. 25 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of Ni in FeNi of the magnetoresistive material made of FeNiPb alloy and the rate of change in magnetoresistance.

【図２６】ＦｅＣｕＰｂ合金よりなる磁気抵抗効果材料
のＦｅＣｕ中のＣｕの原子量比と磁気抵抗変化率との関
係を示す図である。FIG. 26 is a diagram showing a relationship between the atomic weight ratio of Cu in FeCu of the magnetoresistive effect material made of FeCuPb alloy and the magnetoresistance change rate.

【図２７】ＦｅＺｎＰｂ合金よりなる磁気抵抗効果材料
のＦｅＺｎ中のＺｎの原子量比と磁気抵抗変化率との関
係を示す図である。FIG. 27 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of Zn in FeZn of the magnetoresistive material made of FeZnPb alloy and the magnetoresistance change rate.

【図２８】ＣｏＶＡｇ合金よりなる磁気抵抗効果材料の
ＣｏＶ中のＶの原子量比と磁気抵抗変化率との関係を示
す図である。FIG. 28 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of V in CoV of a magnetoresistive material made of a CoVAg alloy and the rate of change in magnetoresistance.

【図２９】ＣｏＣｒＡｇ合金よりなる磁気抵抗効果材料
のＣｏＣｒ中のＣｒの原子量比と磁気抵抗変化率との関
係を示す図である。FIG. 29 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of Cr in CoCr of a magnetoresistive effect material made of a CoCrAg alloy and the rate of change in magnetoresistance.

【図３０】ＣｏＭｎＡｇ合金よりなる磁気抵抗効果材料
のＣｏＭｎ中のＭｎの原子量比と磁気抵抗変化率との関
係を示す図である。FIG. 30 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of Mn in CoMn of the magnetoresistive material made of a CoMnAg alloy and the rate of change in magnetoresistance.

【図３１】ＣｏＶＰｂ合金よりなる磁気抵抗効果材料の
ＣｏＶ中のＶの原子量比と磁気抵抗変化率との関係を示
す図である。FIG. 31 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of V in CoV of a magnetoresistive material made of a CoVPb alloy and the magnetoresistance change rate.

【図３２】ＣｏＣｒＰｂ合金よりなる磁気抵抗効果材料
のＣｏＣｒ中のＣｒの原子量比と磁気抵抗変化率との関
係を示す図である。FIG. 32 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of Cr in CoCr of the magnetoresistive effect material made of CoCrPb alloy and the rate of change in magnetoresistance.

【図３３】ＣｏＭｎＰｂ合金よりなる磁気抵抗効果材料
のＣｏＭｎ中のＭｎの原子量比と磁気抵抗変化率との関
係を示す図である。FIG. 33 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of Mn in CoMn of the magnetoresistive material made of CoMnPb alloy and the magnetoresistance change rate.

【図３４】ＮｉＡｇ合金よりなる磁気抵抗効果材料のＡ
ｇの原子量比と磁気抵抗変化率との関係を示す図であ
る。FIG. 34: A of a magnetoresistive effect material made of a NiAg alloy
It is a figure which shows the relationship between the atomic weight ratio of g, and the magnetoresistance change rate.

【図３５】ＮｉＶＡｇ合金よりなる磁気抵抗効果材料の
ＮｉＶ中のＶの原子量比と磁気抵抗変化率との関係を示
す図である。FIG. 35 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of V in NiV of a magnetoresistive effect material made of a NiVAg alloy and the magnetoresistance change rate.

【図３６】ＮｉＣｒＡｇ合金よりなる磁気抵抗効果材料
のＮｉＣｒ中のＣｒの原子量比と磁気抵抗変化率との関
係を示す図である。FIG. 36 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of Cr in NiCr of the magnetoresistive effect material made of NiCrAg alloy and the magnetoresistance change rate.

【図３７】ＮｉＭｎＡｇ合金よりなる磁気抵抗効果材料
のＮｉＭｎ中のＭｎの原子量比と磁気抵抗変化率との関
係を示す図である。FIG. 37 is a diagram showing the relationship between the atomic weight ratio of Mn in NiMn of the magnetoresistive material made of NiMnAg alloy and the magnetoresistance change rate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 基板 ２ 磁性薄膜 1 substrate 2 magnetic thin film

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 強磁性金属原子と、該強磁性金属原子と
は固相及び液相の両方で原子的に混合しない非固溶の関
係にある非磁性金属原子とからなる磁気抵抗効果材料。1. A magnetoresistive effect material comprising a ferromagnetic metal atom and a nonmagnetic metal atom in a non-solid solution relationship in which the ferromagnetic metal atom is not atomically mixed in both a solid phase and a liquid phase. 【請求項２】 強磁性金属原子であるＦｅ原子と、該Ｆ
ｅ原子とは非固溶の関係にある非磁性金属原子であるＡ
ｇ原子とからなるＦｅＡｇ合金により構成され、該Ｆｅ
Ａｇ合金中におけるＡｇ原子の原子量比が６０〜８５ａ
ｔ％であることを特徴とする磁気抵抗効果材料。2. An Fe atom which is a ferromagnetic metal atom and the F atom.
A is a non-magnetic metal atom that is in a non-solid solution relationship with the e atom.
FeAg alloy composed of g atoms,
The atomic weight ratio of Ag atoms in the Ag alloy is 60 to 85a.
A magnetoresistive effect material characterized by being t%. 【請求項３】 前記ＦｅＡｇ合金に、強磁性金属原子で
あるＣｏ原子、Ｎｉ原子、Ｃｕ原子、Ｚｎ原子のうちの
何れかが添加されていることを特徴とする請求項２記載
の磁気抵抗効果材料。3. The magnetoresistive effect according to claim 2, wherein any one of ferromagnetic metal atoms of Co atom, Ni atom, Cu atom, and Zn atom is added to the FeAg alloy. material. 【請求項４】 強磁性金属原子であるＦｅ原子と、該Ｆ
ｅ原子とは非固溶の関係にある非磁性金属原子であるＢ
ｉ原子とからなるＦｅＢｉ合金により構成され、該Ｆｅ
Ｂｉ合金中におけるＢｉ原子の原子量比が６０〜８５ａ
ｔ％であることを特徴とする磁気抵抗効果材料。4. An Fe atom, which is a ferromagnetic metal atom, and the F atom.
B is a non-magnetic metal atom that has a non-solid solution relationship with the e atom.
FeBi alloy composed of i atom
The atomic weight ratio of Bi atoms in the Bi alloy is 60 to 85a.
A magnetoresistive effect material characterized by being t%. 【請求項５】 前記ＦｅＢｉ合金に、強磁性金属原子で
あるＣｏ原子、Ｎｉ原子、Ｃｕ原子、Ｚｎ原子のうちの
何れかが添加されていることを特徴とする請求項４記載
の磁気抵抗効果材料。5. The magnetoresistive effect according to claim 4, wherein any one of Co atom, Ni atom, Cu atom and Zn atom which are ferromagnetic metal atoms is added to the FeBi alloy. material. 【請求項６】 強磁性金属原子であるＦｅ原子と、該Ｆ
ｅ原子とは非固溶の関係にある非磁性金属原子であるＭ
ｇ原子とからなるＦｅＭｇ合金により構成され、該Ｆｅ
Ｍｇ合金中におけるＭｇ原子の原子量比が６０〜８５ａ
ｔ％であることを特徴とする磁気抵抗効果材料。6. An Fe atom, which is a ferromagnetic metal atom, and the F atom.
M is a non-magnetic metal atom that has a non-solid solution relationship with the e atom.
FeMg alloy composed of g atoms,
The atomic weight ratio of Mg atoms in the Mg alloy is 60 to 85a.
A magnetoresistive effect material characterized by being t%. 【請求項７】 前記ＦｅＭｇ合金に、強磁性金属原子で
あるＣｏ原子、Ｎｉ原子、Ｃｕ原子、Ｚｎ原子のうちの
何れかが添加されていることを特徴とする請求項６記載
の磁気抵抗効果材料。7. The magnetoresistive effect according to claim 6, wherein any one of Co atom, Ni atom, Cu atom, and Zn atom which is a ferromagnetic metal atom is added to the FeMg alloy. material. 【請求項８】 強磁性金属原子であるＦｅ原子と、該Ｆ
ｅ原子とは非固溶の関係にある非磁性金属原子であるＰ
ｂ原子とからなるＦｅＰｂ合金により構成され、該Ｆｅ
Ｐｂ合金中におけるＰｂ原子の原子量比が６０〜８５ａ
ｔ％であることを特徴とする磁気抵抗効果材料。8. An Fe atom which is a ferromagnetic metal atom and the F atom.
P is a non-magnetic metal atom that is in a non-solid solution relationship with the e atom.
FePb alloy composed of b atoms
The atomic weight ratio of Pb atoms in the Pb alloy is 60 to 85a.
A magnetoresistive effect material characterized by being t%. 【請求項９】 前記ＦｅＰｂ合金に、強磁性金属原子で
あるＣｏ原子、Ｎｉ原子、Ｃｕ原子、Ｚｎ原子のうちの
何れかが添加されていることを特徴とする請求項８記載
の磁気抵抗効果材料。9. The magnetoresistive effect according to claim 8, wherein any one of ferromagnetic metal atoms of Co atom, Ni atom, Cu atom, and Zn atom is added to the FePb alloy. material. 【請求項１０】 強磁性金属原子であるＣｏ原子と、該
Ｃｏ原子とは非固溶の関係にある非磁性金属原子である
Ａｇ原子とからなるＣｏＡｇ合金により構成され、該Ｃ
ｏＡｇ合金中におけるＡｇ原子の原子量比が５４〜８８
ａｔ％であることを特徴とする磁気抵抗効果材料。10. A CoAg alloy composed of a Co atom which is a ferromagnetic metal atom and an Ag atom which is a non-magnetic metal atom which is in a non-solid solution relationship with the Co atom.
The atomic weight ratio of Ag atoms in the oAg alloy is 54 to 88.
A magnetoresistive effect material characterized by being at%. 【請求項１１】 前記ＣｏＡｇ合金に、強磁性金属原子
であるＶ原子、Ｃｒ原子、Ｍｎ原子のうちの何れかが添
加されていることを特徴とする請求項１０記載の磁気抵
抗効果材料。11. The magnetoresistive effect material according to claim 10, wherein any one of V atoms, Cr atoms and Mn atoms which are ferromagnetic metal atoms is added to the CoAg alloy. 【請求項１２】 強磁性金属原子であるＣｏ原子と、該
Ｃｏ原子とは非固溶の関係にある非磁性金属原子である
Ｐｂ原子とからなるＣｏＰｂ合金により構成され、該Ｃ
ｏＰｂ合金中におけるＰｂ原子の原子量比が６８〜８２
ａｔ％であることを特徴とする磁気抵抗効果材料。12. A CoPb alloy composed of a Co atom which is a ferromagnetic metal atom and a Pb atom which is a non-magnetic metal atom which is in a non-solid solution relationship with the Co atom.
The atomic weight ratio of Pb atoms in the oPb alloy is 68 to 82.
A magnetoresistive effect material characterized by being at%. 【請求項１３】 前記ＣｏＰｂ合金に、強磁性金属原子
であるＶ原子、Ｃｒ原子、Ｍｎ原子のうちの何れかが添
加されていることを特徴とする請求項１２記載の磁気抵
抗効果材料。13. The magnetoresistive material according to claim 12, wherein any one of V atoms, Cr atoms and Mn atoms which are ferromagnetic metal atoms is added to the CoPb alloy. 【請求項１４】 強磁性金属原子であるＮｉ原子と、該
Ｎｉ原子とは非固溶の関係にある非磁性金属原子である
Ａｇ原子とからなるＮｉＡｇ合金により構成され、該Ｎ
ｉＡｇ合金にＮｉＶ中におけるＶの原子量比が１５〜５
５ａｔ％になるようにＶ原子が添加され、磁気抵抗変化
率が１０％以上であることを特徴とする磁気抵抗効果材
料。14. A NiAg alloy composed of a Ni atom which is a ferromagnetic metal atom and an Ag atom which is a non-magnetic metal atom which is in a non-solid solution relationship with the Ni atom.
The atomic weight ratio of V in NiV to the iAg alloy is 15 to 5
A magnetoresistive effect material, wherein V atoms are added so as to be 5 at%, and the magnetoresistive change rate is 10% or more. 【請求項１５】 強磁性金属原子であるＮｉ原子と、該
Ｎｉ原子とは非固溶の関係にある非磁性金属原子である
Ａｇ原子とからなるＮｉＡｇ合金により構成され、該Ｎ
ｉＡｇ合金にＮｉＣｒ中におけるＣｒの原子量比が１８
〜６９ａｔ％になるようにＣｒ原子が添加され、磁気抵
抗変化率が１０％以上であることを特徴とする磁気抵抗
効果材料。15. A NiAg alloy composed of a Ni atom which is a ferromagnetic metal atom and an Ag atom which is a non-magnetic metal atom in a non-solid solution relationship with the Ni atom,
The atomic weight ratio of Cr in NiCr to the iAg alloy is 18
A magnetoresistive effect material, wherein Cr atoms are added so as to be 69 at% and a magnetoresistive change rate is 10% or more. 【請求項１６】 強磁性金属原子であるＮｉ原子と、該
Ｎｉ原子とは非固溶の関係にある非磁性金属原子である
Ａｇ原子とからなるＮｉＡｇ合金により構成され、該Ｎ
ｉＡｇ合金にＮｉＭｎ中におけるＭｎの原子量比が２４
〜９２ａｔ％になるようにＭｎ原子が添加され、磁気抵
抗変化率が１０％以上であることを特徴とする磁気抵抗
効果材料。16. A NiAg alloy composed of a Ni atom which is a ferromagnetic metal atom and an Ag atom which is a non-magnetic metal atom which is in a non-solid solution relationship with the Ni atom.
In the iAg alloy, the atomic weight ratio of Mn in NiMn is 24.
A magnetoresistive effect material, wherein Mn atoms are added so as to be up to 92 at%, and the magnetoresistance change rate is 10% or more.