JPH06169079A - Manufacture of solid-state image pickup device - Google Patents
Manufacture of solid-state image pickup deviceInfo
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- JPH06169079A JPH06169079A JP4341333A JP34133392A JPH06169079A JP H06169079 A JPH06169079 A JP H06169079A JP 4341333 A JP4341333 A JP 4341333A JP 34133392 A JP34133392 A JP 34133392A JP H06169079 A JPH06169079 A JP H06169079A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置の製造方
法に関し、特にアルミシャント構造のアルミニウム配線
形成に関する固体撮像装置の製造方法である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a solid-state image pickup device, and more particularly to a method for manufacturing a solid-state image pickup device for forming aluminum wiring having an aluminum shunt structure.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の固体撮像装置の一つに、いわゆる
アルミシャント構造のＣＣＤ撮像素子がある。アルミシ
ャント構造は、垂直ＣＣＤの転送駆動電圧パルスの伝播
遅延を低減するために垂直ＣＣＤの転送電極を接続する
機能と、垂直ＣＣＤを遮光する機能とを持たせたアルミ
ニウム配線で形成される。この種のＣＣＤ撮像素子は、
例えば高速フレームシフトを必要とするハイビジョン用
の撮像素子に用いられている。2. Description of the Related Art One of conventional solid-state image pickup devices is a CCD image pickup device having a so-called aluminum shunt structure. The aluminum shunt structure is formed of aluminum wiring having a function of connecting the transfer electrodes of the vertical CCD in order to reduce the propagation delay of the transfer drive voltage pulse of the vertical CCD and a function of shielding the vertical CCD from light. This type of CCD image sensor
For example, it is used in high-definition image pickup devices that require high-speed frame shift.
【０００３】上記のようなＣＣＤ撮像素子の垂直転送方
向のフォトセンサ間には、２層構造の転送電極を水平方
向に接続する信号線が形成されている。この信号線は、
各層の転送電極を接続しているので２層構造に形成され
ている。このため、信号線上に形成されている絶縁膜の
上面は、フォトセンサ上に形成されている絶縁膜の上面
よりも高くなっている。Between the photosensors in the vertical transfer direction of the CCD image pickup device as described above, signal lines for connecting the transfer electrodes of the two-layer structure in the horizontal direction are formed. This signal line is
Since the transfer electrodes of each layer are connected to each other, a two-layer structure is formed. Therefore, the upper surface of the insulating film formed on the signal line is higher than the upper surface of the insulating film formed on the photo sensor.
【０００４】また上記アルミニウム配線は、隣り合う別
のアルミニウム配線と電気的に分離される必要がある。
したがって、垂直転送方向のセンサ間上に配設されてい
る信号線上に、上記アルミニウム配線で遮光パターンを
形成することができない。このため、信号線の部分で反
射した光は、垂直ＣＣＤに入り込み、大きなスミアを発
生させる。Further, the aluminum wiring needs to be electrically separated from another adjacent aluminum wiring.
Therefore, it is not possible to form the light-shielding pattern with the aluminum wiring on the signal line provided between the sensors in the vertical transfer direction. Therefore, the light reflected by the signal line portion enters the vertical CCD and causes a large smear.
【０００５】そこで、信号線上のアルミニウム配線の間
隔を狭く形成することが提案されている。その方法とし
ては、信号線上のアルミニウム配線間隔を狭く形成した
マスクを用いてレジスト膜を感光した後、現像処理し
て、エッチングマスクパターンを形成する。Therefore, it has been proposed to form the aluminum wiring on the signal line at a narrow interval. As the method, a resist film is exposed using a mask formed with a narrow aluminum wiring interval on the signal line, and then development processing is performed to form an etching mask pattern.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記固
体撮像装置では、信号線上に形成される絶縁膜の上面が
フォトセンサ上に形成される絶縁膜の上面よりも高くな
っているので、アルミニウム配線を形成する際に成膜す
るレジスト膜の膜厚は、信号線上が薄くなり、フォトセ
ンサ上が厚くなる。このように、レジスト膜厚が異なる
ために、レジスト膜を現像処理して形成されるエッチン
グマスクパターンは、露光時に生じる定在波効果やバル
ク効果等の影響をうける。例えば、フォトセンサ上の開
口パターンの寸法が設計寸法になるように露光すると信
号線上のスリットパターンの寸法が設計寸法より外れ
る。逆に、信号線上のスリットパターンを設計寸法にな
るように露光するとフォトセンサ上の開口パターンの寸
法が設計寸法より外れる。However, in the above solid-state image pickup device, since the upper surface of the insulating film formed on the signal line is higher than the upper surface of the insulating film formed on the photo sensor, the aluminum wiring is not used. The thickness of the resist film formed during formation is thin on the signal line and thick on the photo sensor. As described above, since the resist film thicknesses are different, the etching mask pattern formed by developing the resist film is affected by the standing wave effect, the bulk effect, and the like that occur during exposure. For example, when exposure is performed so that the size of the opening pattern on the photosensor becomes the design size, the size of the slit pattern on the signal line deviates from the design size. On the contrary, when the slit pattern on the signal line is exposed to the designed size, the size of the opening pattern on the photosensor deviates from the designed size.
【０００７】この結果、スリットパターンが幅広く形成
された場合には、垂直転送方向の画素間上におけるエッ
チングによって形成されるアルミニウム配線の間隔は広
くなる。このため、この部分より光が垂直ＣＣＤに漏れ
て入り込み、大きなスミアを発生させる。またスリット
パターンが十分に形成されない場合には、エッチングに
よって形成されるアルミニウム配線は、垂直転送方向の
センサ間上で短絡する。As a result, when the slit pattern is formed wide, the intervals of the aluminum wiring formed by etching above the pixels in the vertical transfer direction become wide. Therefore, light leaks from this portion and enters the vertical CCD, causing a large smear. If the slit pattern is not sufficiently formed, the aluminum wiring formed by etching is short-circuited between the sensors in the vertical transfer direction.
【０００８】本発明は、アルミニウム配線が短絡するこ
となくスミアを防止するのに優れた固体撮像装置の製造
方法を提供することを目的とする。An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a solid-state image pickup device which is excellent in preventing smear without short-circuiting aluminum wiring.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされた固体撮像装置の製造方法である。
すなわち、第１の工程で、固体撮像装置の転送電極を覆
う状態に形成した絶縁膜上に、配線形成膜を成膜する。
次いで第２の工程で、配線形成膜の上面にエッチングマ
スク形成膜を成膜する。続いて第３の工程で、センサ開
口用のフォトマスクを用いて、固体撮像装置のフォトセ
ンサ上のエッチングマスク形成膜を露光して開口パター
ン像を形成するとともに、スリット形成用のフォトマス
クを用いて、フォトセンサ間のエッチングマスク形成膜
にスリットパターン像を形成する。その後第４の工程
で、エッチングマスク形成膜を現像処理してエッチング
マスクパターンを形成した後、第５の工程で、エッチン
グマスクパターンを用いて配線形成膜をエッチングして
遮光兼駆動用のアルミニウム配線を形成する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a method for manufacturing a solid-state image pickup device, which has been made to achieve the above object.
That is, in the first step, the wiring forming film is formed on the insulating film formed so as to cover the transfer electrodes of the solid-state imaging device.
Next, in a second step, an etching mask forming film is formed on the upper surface of the wiring forming film. Subsequently, in a third step, a photomask for sensor opening is used to expose the etching mask forming film on the photosensor of the solid-state imaging device to form an opening pattern image, and a photomask for slit formation is used. Then, a slit pattern image is formed on the etching mask forming film between the photosensors. Then, in a fourth step, the etching mask forming film is developed to form an etching mask pattern, and in a fifth step, the wiring forming film is etched using the etching mask pattern to shield and drive aluminum wiring. To form.
【００１０】[0010]
【作用】上記製造方法では、センサ開口用のフォトマス
クを用いて、固体撮像装置のフォトセンサ上のエッチン
グマスク形成膜を露光して開口パターン像を形成すると
ともに、スリット形成用のフォトマスクを用いて、フォ
トセンサ間のエッチングマスク形成膜を露光してスリッ
トパターン像を形成することにより、それぞれの露光を
最適条件で行える。このため、形成されるエッチングマ
スクパターンは設計寸法通りになる。したがって、エッ
チングによって形成されるアルミニウム配線のフォトセ
ンサ間の寸法は設計値通りに、狭く形成される。In the above manufacturing method, the photomask for forming the sensor opening is used to expose the etching mask forming film on the photosensor of the solid-state image pickup device to form the opening pattern image, and the photomask for forming the slit is used. By exposing the etching mask forming film between the photosensors to form a slit pattern image, each exposure can be performed under optimum conditions. Therefore, the etching mask pattern to be formed has the designed size. Therefore, the dimension between the photosensors of the aluminum wiring formed by etching is narrowed as designed.
【００１１】[0011]
【実施例】本発明の実施例を図１の製造工程図により説
明する。なお図の（１），（２）は概略断面図で示し、
図の（３）〜（６）はレイアウト図で示す。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to the manufacturing process chart of FIG. In addition, (1) and (2) of the figure are shown in schematic cross-sectional views,
Layouts (3) to (6) in the figure are shown.
【００１２】図１の（１）に示すように、第１の工程で
は、例えば通常のスパッタ法によって、固体撮像装置１
の転送電極１１を覆う状態に形成した絶縁膜１２上に、
アルミニウム製の配線形成膜２１を成膜する。As shown in (1) of FIG. 1, in the first step, the solid-state image pickup device 1 is formed by, for example, an ordinary sputtering method.
On the insulating film 12 formed to cover the transfer electrode 11 of
A wiring forming film 21 made of aluminum is formed.
【００１３】次いで図１の（２）に示す第２の工程を行
う。この工程では、まず通常のレジスト塗布技術によっ
て、配線形成膜２１の上面に、例えばレジストからなる
エッチングマスク形成膜２２を成膜する。Then, the second step shown in FIG. 1B is performed. In this step, first, an etching mask forming film 22 made of, for example, a resist is formed on the upper surface of the wiring forming film 21 by a normal resist coating technique.
【００１４】続いて図１の（３）に示す第３の工程を行
う。この工程では、センサ開口用のフォトマスク（図示
せず）を用いた通常の感光技術によって、固体撮像装置
のフォトセンサ１３上に成膜されているエッチングマス
ク形成膜２２ａ（２２）を露光する。そして当該エッチ
ングマスク形成膜２２ａに開口パターン像４１（１点鎖
線の斜線で示す部分）を形成する。上記露光条件は、当
該エッチングマスク形成膜２２ａに形成される開口パタ
ーン像４１の寸法が設計寸法になるように設定される。
またこの露光では、転送電極１１を水平方向に接続して
いる信号線１４上のエッチングマスク形成膜２２ｂ（２
２）へはパターン像を形成しない。Subsequently, the third step shown in FIG. 1C is performed. In this step, the etching mask forming film 22a (22) formed on the photosensor 13 of the solid-state imaging device is exposed by a normal photosensing technique using a photomask (not shown) for sensor openings. Then, an opening pattern image 41 (a portion indicated by a one-dot chain line hatched) is formed on the etching mask forming film 22a. The exposure conditions are set so that the size of the opening pattern image 41 formed on the etching mask forming film 22a becomes the design size.
Further, in this exposure, the etching mask forming film 22b (2) on the signal line 14 connecting the transfer electrode 11 in the horizontal direction is formed.
No pattern image is formed on 2).
【００１５】さらに図１の（４）に示すように、スリッ
トパターン用のフォトマスク（図示せず）を用いて、フ
ォトセンサ１３ａ（１３），１３ｂ（１３）間上に成膜
されているエッチングマスク形成膜２２ｂ（２２）を露
光する。そして当該エッチングマスク形成膜２２ｂにス
リットパターン像４２（破線の斜線で示す部分）を形成
する。上記露光条件は、当該エッチングマスク形成膜２
２ｂに形成されるスリットパターン像４２の寸法が設計
寸法になるように設定される。この露光では、フォトセ
ンサ１３上のエッチングマスク形成膜２２ａへはパター
ン像を形成しない。ただし、スリットパターン像４２の
両端側の部分は開口パターン像４１（１点鎖線の斜線で
示す部分）に重なり合う状態に形成される。Further, as shown in (4) of FIG. 1, an etching film is formed between the photosensors 13a (13) and 13b (13) using a photomask (not shown) for the slit pattern. The mask forming film 22b (22) is exposed. Then, a slit pattern image 42 (a portion indicated by a dashed diagonal line) is formed on the etching mask forming film 22b. The exposure conditions are the etching mask forming film 2
The dimension of the slit pattern image 42 formed on 2b is set to be the design dimension. In this exposure, no pattern image is formed on the etching mask forming film 22a on the photo sensor 13. However, the portions on both ends of the slit pattern image 42 are formed in a state of overlapping with the opening pattern image 41 (portion indicated by a dashed line).
【００１６】次いで図１の（５）に示す第４の工程を行
う。この工程では、通常の現像処理によって、上記エッ
チングマスク形成膜（２２）でエッチングマスクパター
ン２３を形成する。Next, the fourth step shown in FIG. 1 (5) is performed. In this step, the etching mask pattern 23 is formed by the etching mask forming film (22) by a normal developing process.
【００１７】その後図１の（６）に示す第５の工程を行
う。この工程では、通常のエッチングとして、例えば有
磁場マイクロ波プラズマエッチング装置（図示せず）を
用いて、配線形成膜（２１）で遮光兼駆動用のアルミニ
ウム配線２４を形成する。Thereafter, a fifth step shown in FIG. 1 (6) is performed. In this step, as the normal etching, for example, a magnetic field microwave plasma etching apparatus (not shown) is used to form the light-shielding and driving aluminum wiring 24 in the wiring forming film (21).
【００１８】上記第５の工程では、有磁場マイクロ波プ
ラズマエッチング装置を用いたが、例えば他のドライエ
ッチング装置として、例えば、反応性イオンエッチング
装置，電子サイクロトロン共鳴イオンエッチング装置等
のプラズマを発生してエッチングを行う装置を用いるこ
とも可能である。In the fifth step, the magnetic field microwave plasma etching apparatus is used. However, as another dry etching apparatus, for example, a reactive ion etching apparatus, an electron cyclotron resonance ion etching apparatus, or the like is used to generate plasma. It is also possible to use an apparatus for performing etching.
【００１９】上記製造方法では、フォトセンサ１３上の
エッチングマスク形成膜２２ａの露光には、開口パター
ン像４１を形成するセンサ開口用のフォトマスク４１を
用いて行い、フォトセンサ１３ａ，１３ｂ間のエッチン
グマスク形成膜２２ｂの露光には、スリットパターン像
４２を形成するスリット形成用のフォトマスク４２を用
いて行うことにより、それぞれの露光を最適条件で行え
る。このため、フォトセンサ１３ａ，１３ｂ間に形成さ
れている信号線１４によって、フォトセンサ１３上のエ
ッチングマスク形成膜２２ａとフォトセンサ１３ａ，１
３ｂ間のエッチングマスク形成膜２２ｂとの高さが異な
っていても、設計寸法通りのパターン像を得ることが可
能になる。したがって、露光後の現像処理によって形成
されるエッチングマスクパターン２３は設計寸法通りに
なる。In the above manufacturing method, the etching mask forming film 22a on the photosensor 13 is exposed using the photomask 41 for the sensor opening which forms the opening pattern image 41, and the etching between the photosensors 13a and 13b is performed. The exposure of the mask forming film 22b is performed using the photomask 42 for forming the slit pattern image 42 so that each exposure can be performed under the optimum conditions. Therefore, the signal line 14 formed between the photosensors 13a and 13b causes the etching mask forming film 22a on the photosensor 13 and the photosensors 13a and 1b.
Even if the height between the 3b and the etching mask forming film 22b is different, it is possible to obtain a pattern image as designed. Therefore, the etching mask pattern 23 formed by the developing process after the exposure has the designed size.
【００２０】[0020]
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
フォトセンサ上のエッチングマスク形成膜と垂直転送方
向のフォトセンサ間上のエッチングマスク形成膜とを露
光する際に、フォトマスクを代えて露光するので、露光
後の現像処理によってエッチングマスクパターンを設計
寸法通りに形成できる。したがって、エッチングによっ
て、フォトセンサ間のＡｌ配線の間隔を狭く形成できる
ので、従来この部分で発生していたるスミアを大幅に低
減することが可能になる。よって、固体撮像装置の品質
の向上が図れる。As described above, according to the present invention,
When the etching mask forming film on the photosensor and the etching mask forming film between the photosensors in the vertical transfer direction are exposed, the photomask is replaced and the exposure is performed. Therefore, the etching mask pattern is designed by the development process after the exposure. Can be formed as streets. Therefore, the interval of the Al wiring between the photosensors can be narrowed by the etching, so that it is possible to significantly reduce the smear which has been conventionally generated in this portion. Therefore, the quality of the solid-state imaging device can be improved.
【図１】実施例の製造工程図である。FIG. 1 is a manufacturing process diagram of an example.
１ 固体撮像装置 １１ 転送電極 １２ 絶縁膜 １３ フォトセンサ ２１ 配線形成膜 ２２ エッチングマスク形成膜 ２３ エッチングマスクパターン ２４ 遮光兼駆動用のアルミニウム配線 ４１ 開口パターン像 ４２ スリットパターン像 1 Solid-State Imaging Device 11 Transfer Electrode 12 Insulating Film 13 Photo Sensor 21 Wiring Forming Film 22 Etching Mask Forming Film 23 Etching Mask Pattern 24 Aluminum Wiring for Shading and Driving 41 Opening Pattern Image 42 Slit Pattern Image
Claims (1)
成した絶縁膜上に、配線形成膜を成膜する第１の工程
と、 前記配線形成膜の上面にエッチングマスク形成膜を成膜
する第２の工程と、 センサ開口用のフォトマスクを用いて、前記固体撮像装
置のフォトセンサ上の前記エッチングマスク形成膜を露
光して開口パターン像を形成するとともに、スリット形
成用のフォトマスクを用いて、フォトセンサ間の前記エ
ッチングマスク形成膜を露光してスリットパターン像を
形成する第３の工程と、 前記露光したエッチングマスク形成膜を現像処理してエ
ッチングマスクパターンを形成する第４の工程と、 前記エッチングマスクパターンを用いて前記配線形成膜
をエッチングして遮光兼駆動用のアルミニウム配線を形
成する第５の工程とを行うことを特徴とする固体撮像装
置の製造方法。1. A first step of forming a wiring forming film on an insulating film formed so as to cover a transfer electrode of a solid-state imaging device, and an etching mask forming film is formed on an upper surface of the wiring forming film. Second step: Using a photomask for sensor opening, the etching mask forming film on the photosensor of the solid-state imaging device is exposed to form an opening pattern image, and a photomask for slit formation is used. And a third step of exposing the etching mask forming film between the photosensors to form a slit pattern image, and a fourth step of developing the exposed etching mask forming film to form an etching mask pattern. And a fifth step of etching the wiring forming film using the etching mask pattern to form aluminum wiring for light shielding and driving. Method for manufacturing a solid-state imaging device according to claim.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4341333A JPH06169079A (en) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | Manufacture of solid-state image pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4341333A JPH06169079A (en) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | Manufacture of solid-state image pickup device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06169079A true JPH06169079A (en) | 1994-06-14 |
Family
ID=18345249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4341333A Pending JPH06169079A (en) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | Manufacture of solid-state image pickup device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06169079A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6097433A (en) * | 1996-06-10 | 2000-08-01 | Nec Corporation | Solid state imaging apparatus having a plurality of metal wirings for supplying driving pulses to transfer electrodes of vertical CCD registers |
| US7470965B2 (en) | 2003-09-11 | 2008-12-30 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device |
| US10265662B2 (en) | 2012-10-12 | 2019-04-23 | The Regents Of The University Of California | Polyaniline membranes, uses, and methods thereto |
| US10456755B2 (en) | 2013-05-15 | 2019-10-29 | The Regents Of The University Of California | Polyaniline membranes formed by phase inversion for forward osmosis applications |
| US10532328B2 (en) | 2014-04-08 | 2020-01-14 | The Regents Of The University Of California | Polyaniline-based chlorine resistant hydrophilic filtration membranes |
-
1992
- 1992-11-27 JP JP4341333A patent/JPH06169079A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6097433A (en) * | 1996-06-10 | 2000-08-01 | Nec Corporation | Solid state imaging apparatus having a plurality of metal wirings for supplying driving pulses to transfer electrodes of vertical CCD registers |
| US7470965B2 (en) | 2003-09-11 | 2008-12-30 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device |
| US10265662B2 (en) | 2012-10-12 | 2019-04-23 | The Regents Of The University Of California | Polyaniline membranes, uses, and methods thereto |
| US10780404B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-09-22 | The Regents Of The University Of California | Polyaniline membranes, uses, and methods thereto |
| US10456755B2 (en) | 2013-05-15 | 2019-10-29 | The Regents Of The University Of California | Polyaniline membranes formed by phase inversion for forward osmosis applications |
| US10532328B2 (en) | 2014-04-08 | 2020-01-14 | The Regents Of The University Of California | Polyaniline-based chlorine resistant hydrophilic filtration membranes |
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