JPH06164249A - 可変利得増幅回路 - Google Patents
可変利得増幅回路Info
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- JPH06164249A JPH06164249A JP4338129A JP33812992A JPH06164249A JP H06164249 A JPH06164249 A JP H06164249A JP 4338129 A JP4338129 A JP 4338129A JP 33812992 A JP33812992 A JP 33812992A JP H06164249 A JPH06164249 A JP H06164249A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0261—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
- H03G1/0082—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using bipolar transistor-type devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 携帯電話等の電池駆動型の電子機器における
１〜２ＧＨｚ帯域の高周波電力増幅回路に用いて好適
な、低消費電力動作，低電圧動作，ＩＣ容易な可変利得
増幅回路を提供する。 【構成】 エミッタ接地型トランジスタ１のベースとグ
ランドとの間に可変電流源６を設け、この電流源６の電
流の増減制御により、トランジスタ１のベースバイアス
電流の分流電流の制御を行って、回路利得を制御する。 【効果】 トランジスタ１のエミッタが直接接地可能
で、バイパスコンデンサ不要となりＩＣ化容易となり、
トランジスタ１のベース電流の制御を行うために制御電
力が極めて小となり、また電源間にトランジスタ１のみ
の１段構成であるので、低電圧化ができる。
１〜２ＧＨｚ帯域の高周波電力増幅回路に用いて好適
な、低消費電力動作，低電圧動作，ＩＣ容易な可変利得
増幅回路を提供する。 【構成】 エミッタ接地型トランジスタ１のベースとグ
ランドとの間に可変電流源６を設け、この電流源６の電
流の増減制御により、トランジスタ１のベースバイアス
電流の分流電流の制御を行って、回路利得を制御する。 【効果】 トランジスタ１のエミッタが直接接地可能
で、バイパスコンデンサ不要となりＩＣ化容易となり、
トランジスタ１のベース電流の制御を行うために制御電
力が極めて小となり、また電源間にトランジスタ１のみ
の１段構成であるので、低電圧化ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は可変利得増幅回路に関
し、特にエミッタ接続型の高周波増幅用の可変利得増幅
回路に関するものである。
し、特にエミッタ接続型の高周波増幅用の可変利得増幅
回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の可変利得増幅回路の例を
図７に示す。図７において（Ａ）はその概念図であり、
（Ｂ）はその具体的回路の例を示す図である。コレクタ
に増幅出力４を導出する増幅用トランジスタ１はエミッ
タ接地型として動作し、増幅入力３はベースへ印加され
る。このベースには固定バイアス用抵抗５３，５４が接
続されている。尚、２はコレクタ負荷抵抗である。
図７に示す。図７において（Ａ）はその概念図であり、
（Ｂ）はその具体的回路の例を示す図である。コレクタ
に増幅出力４を導出する増幅用トランジスタ１はエミッ
タ接地型として動作し、増幅入力３はベースへ印加され
る。このベースには固定バイアス用抵抗５３，５４が接
続されている。尚、２はコレクタ負荷抵抗である。
【０００３】トランジスタ１のエミッタとグランドとの
間には、この増幅回路の利得を制御するための可変電流
源７が設けられている。この電流源７は（Ｂ）に示す如
くベースに可変制御電圧７２が印加された電流源トラン
ジスタ７１からなり、このトランジスタ７１が増幅用ト
ランジスタ１のエミッタとグランドとの間に挿入接続さ
れている。
間には、この増幅回路の利得を制御するための可変電流
源７が設けられている。この電流源７は（Ｂ）に示す如
くベースに可変制御電圧７２が印加された電流源トラン
ジスタ７１からなり、このトランジスタ７１が増幅用ト
ランジスタ１のエミッタとグランドとの間に挿入接続さ
れている。
【０００４】そして、この電流源７を交流的にバイパス
して、増幅用トランジスタ１をエミッタ接地型として動
作させるべく、この電流源７に並列にコンデンサ８が設
けられている。
して、増幅用トランジスタ１をエミッタ接地型として動
作させるべく、この電流源７に並列にコンデンサ８が設
けられている。
【０００５】かかる構成において、可変制御電圧７２を
制御することにより、トランジスタ７１の電流値がそれ
に応じて変化し、その結果増幅用トランジスタ１からな
る増幅回路の利得が可変制御されることになる。
制御することにより、トランジスタ７１の電流値がそれ
に応じて変化し、その結果増幅用トランジスタ１からな
る増幅回路の利得が可変制御されることになる。
【０００６】他の従来の可変利得増幅回路の例として、
図８に示すいわゆるギルバートマルチプライヤと称され
る乗算器タイプのものがある。この回路は“Ｓｉｌｃｏ
ｎＢｉｐｏｌａｒ Ｆｉｘｅｄ ａｎｄ Ｖａｒｉａｂ
ｌｅ Ｇａｉｎ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ ＭＭＩＣｓ Ｆ
ｏｒ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ａｎｄ Ｌｉｇｈｔｗａｖ
ｅ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ｕｐ ｔｏ ６ＧＨ
ｚ”，ＩＥＥＥ ＭＴＴ−Ｓ Ｄｉｇｅｓｔ，‘８９，
ｐｐ１０９−１１２の論文に開示されている。
図８に示すいわゆるギルバートマルチプライヤと称され
る乗算器タイプのものがある。この回路は“Ｓｉｌｃｏ
ｎＢｉｐｏｌａｒ Ｆｉｘｅｄ ａｎｄ Ｖａｒｉａｂ
ｌｅ Ｇａｉｎ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ ＭＭＩＣｓ Ｆ
ｏｒ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ａｎｄ Ｌｉｇｈｔｗａｖ
ｅ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ｕｐ ｔｏ ６ＧＨ
ｚ”，ＩＥＥＥ ＭＴＴ−Ｓ Ｄｉｇｅｓｔ，‘８９，
ｐｐ１０９−１１２の論文に開示されている。
【０００７】差動対トランジスタ３０，３１のベース間
には差動入力３６，３７が印加されており、また他の差
動対トランジスタ３２，３３のベース間にも差動入力３
６，３７が印加されている。そしてトランジスタ３０と
３３とのコレクタが共通接続されて一方の出力３９とな
り、トランジスタ３１と３２とのコレクタが共通接続さ
れて他方の出力３８となっている。尚、４２，４３は負
荷抵抗を示す。
には差動入力３６，３７が印加されており、また他の差
動対トランジスタ３２，３３のベース間にも差動入力３
６，３７が印加されている。そしてトランジスタ３０と
３３とのコレクタが共通接続されて一方の出力３９とな
り、トランジスタ３１と３２とのコレクタが共通接続さ
れて他方の出力３８となっている。尚、４２，４３は負
荷抵抗を示す。
【０００８】そして、差動対トランジスタ３０，３１の
エミッタ共通接続点に電流を供給するトランジスタ３４
と、差動対３２，３３のエミッタ共通接続点に電流を供
給するトランジスタ３５とが設けられ、これ等両トラン
ジスタ３４，３５のベース間に差動入力４０，４１が印
加されている。この両トランジスタ３４，３５のエミッ
タ共通接続点とグランドとの間に定電流源４４が設けら
れている。
エミッタ共通接続点に電流を供給するトランジスタ３４
と、差動対３２，３３のエミッタ共通接続点に電流を供
給するトランジスタ３５とが設けられ、これ等両トラン
ジスタ３４，３５のベース間に差動入力４０，４１が印
加されている。この両トランジスタ３４，３５のエミッ
タ共通接続点とグランドとの間に定電流源４４が設けら
れている。
【０００９】かかる構成において、差動入力３６，３７
に印加される制御電圧によって差動入力４０，４１に印
加される交流信号の増幅利得を可変制御することがで
き、また、逆に差動入力４０，４１に制御電圧を印加す
ることによって、差動入力３６，３７へ印加される交流
信号の増幅利得を可変制御することができるようになっ
ている。
に印加される制御電圧によって差動入力４０，４１に印
加される交流信号の増幅利得を可変制御することがで
き、また、逆に差動入力４０，４１に制御電圧を印加す
ることによって、差動入力３６，３７へ印加される交流
信号の増幅利得を可変制御することができるようになっ
ている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図７に示した可変利得
増幅回路においては、高周波増幅に用いる場合には、増
幅用トランジスタ１のエミッタを交流的に接地すること
が必須となり、そのためにコンデンサ８が必要であるた
めに、ＬＳＩ化には不向きである。
増幅回路においては、高周波増幅に用いる場合には、増
幅用トランジスタ１のエミッタを交流的に接地すること
が必須となり、そのためにコンデンサ８が必要であるた
めに、ＬＳＩ化には不向きである。
【００１１】例えば、入力３に印加される信号が１ＧＨ
ｚのとき、このコンデンサ８の値は、インピーダンスと
して１Ω程度にするには、１７０ｐＦとする必要があ
り、よってコンデンサ８の面積がＩＣチップ面積の大半
を占めることになってしまい、ＬＳＩ化には全く不向き
となるのである。
ｚのとき、このコンデンサ８の値は、インピーダンスと
して１Ω程度にするには、１７０ｐＦとする必要があ
り、よってコンデンサ８の面積がＩＣチップ面積の大半
を占めることになってしまい、ＬＳＩ化には全く不向き
となるのである。
【００１２】また、増幅用トランジスタ１と電流源トラ
ンジスタ７１とを２段の直列接続構成とする必要上、回
路電源を低電圧とすることが困難になる。特に、携帯電
話等に代表される電池駆動の電子機器に用いる場合に
は、電源電圧を低くすることが必須条件となることから
も、図７の増幅回路構成は不適となる。
ンジスタ７１とを２段の直列接続構成とする必要上、回
路電源を低電圧とすることが困難になる。特に、携帯電
話等に代表される電池駆動の電子機器に用いる場合に
は、電源電圧を低くすることが必須条件となることから
も、図７の増幅回路構成は不適となる。
【００１３】一方、図８の増幅回路は差動回路であるた
めにＬＳＩ化には極めて適したものであるが、トランジ
スタをこれまた電源間に２段の直列接続構成（縦積み構
成）としているために、低電圧化が困難となる。また、
この回路は定電流源４４の一定電流で常に動作している
ので、高利得の場合には勿論、低利得の場合にも同一電
流を消費しており、よって低消費電力化も困難であり、
やはり携帯用電子機器には不向きである。
めにＬＳＩ化には極めて適したものであるが、トランジ
スタをこれまた電源間に２段の直列接続構成（縦積み構
成）としているために、低電圧化が困難となる。また、
この回路は定電流源４４の一定電流で常に動作している
ので、高利得の場合には勿論、低利得の場合にも同一電
流を消費しており、よって低消費電力化も困難であり、
やはり携帯用電子機器には不向きである。
【００１４】そこで、本発明はこの様な従来技術の欠点
を解決すべくなされたものであって、その目的とすると
ころは、低電圧化，低消費電力化，ＩＣ容易化の全てを
満足した電池駆動の携帯用電子機器に好適な可変利得増
幅回路を提供することである。
を解決すべくなされたものであって、その目的とすると
ころは、低電圧化，低消費電力化，ＩＣ容易化の全てを
満足した電池駆動の携帯用電子機器に好適な可変利得増
幅回路を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明による可変利得増
幅回路は、コレクタに増幅出力を導出するエミッタ接地
型の増幅用トランジスタと、前記トランジスタのベース
と基準電位点との間に設けられ前記トランジスタのベー
スバイアス電流を可変制御する可変電流源とを含むこと
を特徴とする。
幅回路は、コレクタに増幅出力を導出するエミッタ接地
型の増幅用トランジスタと、前記トランジスタのベース
と基準電位点との間に設けられ前記トランジスタのベー
スバイアス電流を可変制御する可変電流源とを含むこと
を特徴とする。
【００１６】
【実施例】以下に本発明について図面を参照しつつ詳細
に説明する。
に説明する。
【００１７】図１は本発明の一実施例の原理を説明する
回路図である。エミッタ接地型増幅用トランジスタ１の
コレクタには負荷２が接続され、この負荷２により増幅
出力４が取出される。トランジスタ１のベースにはベー
スバイアス回路５が設けられると共に、このベースバイ
アス電流を制御して増幅利得を可変するための可変電流
源６が設けられている。
回路図である。エミッタ接地型増幅用トランジスタ１の
コレクタには負荷２が接続され、この負荷２により増幅
出力４が取出される。トランジスタ１のベースにはベー
スバイアス回路５が設けられると共に、このベースバイ
アス電流を制御して増幅利得を可変するための可変電流
源６が設けられている。
【００１８】図１の例では、この可変電流源６はベース
とグランド電位点との間に設けられており、よって、こ
の可変電流源６によりトランジスタ１のベースバイアス
電流を分流制御する構成となっている。すなわち、可変
電流源６の電流を増加させれば、バイアス回路５からの
ベースバイアス供給電流がそれだけ余計に電流源６によ
り分流吸収されて結果的にベースバイアス電流は減少す
る。逆に、可変電流源６の電流を減少させれば、バイア
ス回路５からのベースバイアス供給電流の電流源６によ
る分流吸収はそれだけ減り、結果的にベースバイアス電
流は増大する。
とグランド電位点との間に設けられており、よって、こ
の可変電流源６によりトランジスタ１のベースバイアス
電流を分流制御する構成となっている。すなわち、可変
電流源６の電流を増加させれば、バイアス回路５からの
ベースバイアス供給電流がそれだけ余計に電流源６によ
り分流吸収されて結果的にベースバイアス電流は減少す
る。逆に、可変電流源６の電流を減少させれば、バイア
ス回路５からのベースバイアス供給電流の電流源６によ
る分流吸収はそれだけ減り、結果的にベースバイアス電
流は増大する。
【００１９】この様に、可変電流源６の電流制御によっ
て、増幅用トランジスタ１のベースバイアス供給電流が
分流制御されて利得制御が可能となるのである。
て、増幅用トランジスタ１のベースバイアス供給電流が
分流制御されて利得制御が可能となるのである。
【００２０】図２は本発明の他の実施例の原理を説明す
る回路図であり、図１と同等部分は同一符号により示し
ている。この回路では、可変電流源６をトランジスタ１
のベースと回路電源電圧との間に設け、図１の例とは逆
に、この可変電流源６の電流をトランジスタ１のベース
バイアス電流として供給するようにしている。
る回路図であり、図１と同等部分は同一符号により示し
ている。この回路では、可変電流源６をトランジスタ１
のベースと回路電源電圧との間に設け、図１の例とは逆
に、この可変電流源６の電流をトランジスタ１のベース
バイアス電流として供給するようにしている。
【００２１】すなわち、可変電流源６の電流を増加させ
れば、それだけトランジスタ１にはベースバイアス電流
が余計に供給されて増加し、逆に可変電流源６の電流を
減少させれば、トランジスタ１へのベースバイアス電流
はそれだけ減少する。この様に、可変電流源６の電流制
御によって、増幅用トランジスタ１への供給ベースバイ
アス電流が増減制御されて利得制御が可能となるのであ
る。
れば、それだけトランジスタ１にはベースバイアス電流
が余計に供給されて増加し、逆に可変電流源６の電流を
減少させれば、トランジスタ１へのベースバイアス電流
はそれだけ減少する。この様に、可変電流源６の電流制
御によって、増幅用トランジスタ１への供給ベースバイ
アス電流が増減制御されて利得制御が可能となるのであ
る。
【００２２】図３及び図４は図１の回路の具体例を夫々
示す図である。図３を参照すると、増幅用トランジスタ
１のベースバイアス回路５は自己バイアス方式となって
おり、コレクタとベースとの間の抵抗５１と、ベースと
グランドとの間の抵抗５２とからなっている。
示す図である。図３を参照すると、増幅用トランジスタ
１のベースバイアス回路５は自己バイアス方式となって
おり、コレクタとベースとの間の抵抗５１と、ベースと
グランドとの間の抵抗５２とからなっている。
【００２３】可変電流源６は電流源トランジスタ６１
と、このトランジスタ６１のコレクタ抵抗６４と、ベー
スバイアス抵抗６２，６３とからなっている。そして、
このトランジスタ６１のベース入力電圧６５を制御する
ことにより、トランジスタ６１のコレクタ電流がそれに
応じて変化することになり、結果としてトランジスタ１
のベースバイアス電流の分流制御がなされる。
と、このトランジスタ６１のコレクタ抵抗６４と、ベー
スバイアス抵抗６２，６３とからなっている。そして、
このトランジスタ６１のベース入力電圧６５を制御する
ことにより、トランジスタ６１のコレクタ電流がそれに
応じて変化することになり、結果としてトランジスタ１
のベースバイアス電流の分流制御がなされる。
【００２４】図４を参照すると、可変電流源６をカレン
トミラー回路として構成しており、電流源トランジスタ
６１とベース共通のダイオード接続構成のトランジスタ
６６を追加し、このトランジスタ６６のベース入力電圧
６５を抵抗６２を介して制御することで、カレントミラ
ー回路のミラー電流をそれに応じて変化するようにして
いる。
トミラー回路として構成しており、電流源トランジスタ
６１とベース共通のダイオード接続構成のトランジスタ
６６を追加し、このトランジスタ６６のベース入力電圧
６５を抵抗６２を介して制御することで、カレントミラ
ー回路のミラー電流をそれに応じて変化するようにして
いる。
【００２５】この様に、可変電流源６をカレントミラー
回路として構成することにより、ベース入力電圧６５
（制御電圧）とトランジスタ６１の電流（ミラー電流）
との関係が略リニアとなり、好適となる。
回路として構成することにより、ベース入力電圧６５
（制御電圧）とトランジスタ６１の電流（ミラー電流）
との関係が略リニアとなり、好適となる。
【００２６】図６に図４の回路の利得可変特性を示して
いる。横軸がカレントミラー制御入力電圧６５（Ｖ）で
あり、縦軸が利得（ｄＢ）である。信号周波数はｆ＝１
ＧＨｚとしている。この様に、利得の可変範囲が２０ｄ
Ｂと広くなっており、携帯電話等の高周波帯域の可変利
得増幅回路として好適である。
いる。横軸がカレントミラー制御入力電圧６５（Ｖ）で
あり、縦軸が利得（ｄＢ）である。信号周波数はｆ＝１
ＧＨｚとしている。この様に、利得の可変範囲が２０ｄ
Ｂと広くなっており、携帯電話等の高周波帯域の可変利
得増幅回路として好適である。
【００２７】図５は図２の回路の具体例を示しており、
図１〜図４と同等部分は同一符号により示す。トランジ
スタ１のベースと回路電源電圧との間の可変電流源６
を、図４と同様にカレントミラー回路構成として、制御
電圧とミラー電流との関係を略リニアとしたものであ
る。
図１〜図４と同等部分は同一符号により示す。トランジ
スタ１のベースと回路電源電圧との間の可変電流源６
を、図４と同様にカレントミラー回路構成として、制御
電圧とミラー電流との関係を略リニアとしたものであ
る。
【００２８】本例では、カレントミラー用のトランジス
タ６７，６８は共にＰＮＰトランジスタとなっており、
制御電圧６５を抵抗６９を介してダイオード構成のトラ
ンジスタ６８のベース電圧とし、トランジスタ６７のミ
ラー電流を抵抗７０を介してトランジスタ１のベースへ
供給するようにしたものである。この回路の動作は図２
のそれと同一である。
タ６７，６８は共にＰＮＰトランジスタとなっており、
制御電圧６５を抵抗６９を介してダイオード構成のトラ
ンジスタ６８のベース電圧とし、トランジスタ６７のミ
ラー電流を抵抗７０を介してトランジスタ１のベースへ
供給するようにしたものである。この回路の動作は図２
のそれと同一である。
【００２９】以上に示した本発明による可変利得増幅回
路は、エミッタ接地型増幅回路であり、増幅用トランジ
スタ１のエミッタは直接基準電位点の１つであるグラン
ドに接続できるので、交流接地用のコンデンサが不要と
なり、ＩＣ化が容易となる。
路は、エミッタ接地型増幅回路であり、増幅用トランジ
スタ１のエミッタは直接基準電位点の１つであるグラン
ドに接続できるので、交流接地用のコンデンサが不要と
なり、ＩＣ化が容易となる。
【００３０】また、トランジスタを電源間で直列に（縦
積みに）接続する必要がないので、低電圧動作が可能に
なり、また、利得制御を増幅用トランジスタ１のコレク
タ電流ではなくベース電流で行っているので、制御入力
６５の駆動能力は極めて小さくなり、更に図８の差動方
式の乗算器タイプの回路の様に、利得制御時にコレクタ
電流を他へバイパスすることはないので、低消費電力化
が可能となっている。
積みに）接続する必要がないので、低電圧動作が可能に
なり、また、利得制御を増幅用トランジスタ１のコレク
タ電流ではなくベース電流で行っているので、制御入力
６５の駆動能力は極めて小さくなり、更に図８の差動方
式の乗算器タイプの回路の様に、利得制御時にコレクタ
電流を他へバイパスすることはないので、低消費電力化
が可能となっている。
【００３１】尚、上記実施例では、増幅用トランジスタ
１のベースバイアスを自己バイアス方式として回路性能
を向上させているが、他のバイアス方式である例えば固
定バイアス方式等を用いても同様な効果が得られるもの
である。
１のベースバイアスを自己バイアス方式として回路性能
を向上させているが、他のバイアス方式である例えば固
定バイアス方式等を用いても同様な効果が得られるもの
である。
【００３２】
【発明の効果】叙上の如く、本発明によれば、エミッタ
接地型増幅トランジスタのベースバイアスを増減制御す
るための可変電流源を、このトランジスタのベースと基
準電位点（電源電圧やグランド）との間に設ける構成と
したので、トランジスタのコレクタ電流を制御する必要
がなくなって利得制御のための駆動電力が極めて小とな
り、低消費電力となるという効果がある。
接地型増幅トランジスタのベースバイアスを増減制御す
るための可変電流源を、このトランジスタのベースと基
準電位点（電源電圧やグランド）との間に設ける構成と
したので、トランジスタのコレクタ電流を制御する必要
がなくなって利得制御のための駆動電力が極めて小とな
り、低消費電力となるという効果がある。
【００３３】また、交流信号接地用のバイパスコンデン
サを用いる必要がないので、ＬＳＩ化に極めて適した回
路となり、また、トランジスタを電源間に直列に接続す
る必要がないので、低電圧動作可能となり、携帯用電子
機器等の電池駆動用の増幅回路に極めて好適なものとな
るという効果がある。
サを用いる必要がないので、ＬＳＩ化に極めて適した回
路となり、また、トランジスタを電源間に直列に接続す
る必要がないので、低電圧動作可能となり、携帯用電子
機器等の電池駆動用の増幅回路に極めて好適なものとな
るという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を説明する図である。
【図２】本発明の他の実施例を説明する図である。
【図３】図１の回路の具体例を示す図である。
【図４】図１の回路の他の具体例を示す図である。
【図５】図２の回路の具体例を示す図である。
【図６】図４の回路の特性例を示す図である。
【図７】（Ａ）は従来の可変利得増幅回路の基本構成を
示す図、（Ｂ）はその具体例を示す回路図である。
示す図、（Ｂ）はその具体例を示す回路図である。
【図８】従来の可変利得増幅回路の他の例を示す回路図
である。
である。
１ 増幅用エミッタ接地トランジスタ ２ コレクタ負荷 ３ 増幅入力 ４ 増幅出力 ５ ベースバイアス回路 ６ 可変電流源 ５１，５２ ベースバイアス抵抗 ６１，６７ 電流源トランジスタ ６５ 制御入力電圧 ６６，６８ ダイオード接続構成トランジスタ
Claims (5)
- 【請求項１】 コレクタに増幅出力を導出するエミッタ
接地型の増幅用トランジスタと、前記トランジスタのベ
ースと基準電位点との間に設けられ前記トランジスタの
ベースバイアス電流を可変制御する可変電流源とを含む
ことを特徴とする可変利得増幅回路。 - 【請求項２】 前記可変電流源は前記トランジスタのベ
ースとグランド電位点との間に設けられ、この可変電流
源により前記ベースへの供給バイアス電流を分流制御す
るよう構成されていることを特徴とする請求項１記載の
可変利得増幅回路。 - 【請求項３】 前記可変電流源は前記トランジスタのベ
ースと回路電源電圧との間に設けられ、この可変電流源
により前記ベースバイアス電流の供給制御をなすよう構
成されていることを特徴とする請求項１記載の可変利得
増幅回路。 - 【請求項４】 前記可変電流源は、前記ベースと前記基
準電位点との間に接続された電流源トランジスタと、こ
の電流源トランジスタのベース電位を可変制御する制御
手段とを有することを特徴とする請求項１〜３いずれか
に記載の可変利得増幅回路。 - 【請求項５】 前記可変電流源は、前記ベースと前記基
準電位点との間に接続された電流源トランジスタと、こ
の電流源トランジスタと共にカレントミラー回路を構成
するダイオード接続構成のトランジスタと、このカレン
トミラー回路のミラー電流を可変制御する制御手段とを
有することを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の
可変利得増幅回路。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP4338129A JPH06164249A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | 可変利得増幅回路 |
| EP93119045A EP0599327A1 (en) | 1992-11-25 | 1993-11-25 | Variable gain amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4338129A JPH06164249A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | 可変利得増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH06164249A true JPH06164249A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18315190
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP4338129A Pending JPH06164249A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | 可変利得増幅回路 |
Country Status (2)
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| JP (1) | JPH06164249A (ja) |
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