JPH06163708A - 金属膜の堆積方法 - Google Patents
金属膜の堆積方法Info
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- JPH06163708A JPH06163708A JP31740192A JP31740192A JPH06163708A JP H06163708 A JPH06163708 A JP H06163708A JP 31740192 A JP31740192 A JP 31740192A JP 31740192 A JP31740192 A JP 31740192A JP H06163708 A JPH06163708 A JP H06163708A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 平坦で、かつ、配線抵抗が低い金属膜を簡易
に堆積する 【構成】 半導体基板５２の上方の絶縁膜５８にヴィア
孔５８ａを形成する。絶縁膜５８上に金属アルコキシド
を含む溶液を塗布した後に乾燥し、金属化合物を含む薄
膜５０を絶縁膜５８上及びヴィア孔５８ａ内に形成す
る。ＣＶＤ法を用いて絶縁膜５８上及びヴィア孔５８ａ
内にＡｌを堆積する。金属化合物の薄膜６０は、極めて
薄く、かつ、均一に形成され得るものである。したがっ
て、平滑で、実効的抵抗の低い金属膜６２を、特殊な装
置を用いることなく形成することができる。殊に、ヴィ
ア孔５８ａの側壁からもプラグ用のＡｌ層が成長するの
で、ヴィア孔５８ａが存在する場合にも、ヴィア孔５８
ａの上側の部分の金属膜６２を平坦なものとすることが
できる。
に堆積する 【構成】 半導体基板５２の上方の絶縁膜５８にヴィア
孔５８ａを形成する。絶縁膜５８上に金属アルコキシド
を含む溶液を塗布した後に乾燥し、金属化合物を含む薄
膜５０を絶縁膜５８上及びヴィア孔５８ａ内に形成す
る。ＣＶＤ法を用いて絶縁膜５８上及びヴィア孔５８ａ
内にＡｌを堆積する。金属化合物の薄膜６０は、極めて
薄く、かつ、均一に形成され得るものである。したがっ
て、平滑で、実効的抵抗の低い金属膜６２を、特殊な装
置を用いることなく形成することができる。殊に、ヴィ
ア孔５８ａの側壁からもプラグ用のＡｌ層が成長するの
で、ヴィア孔５８ａが存在する場合にも、ヴィア孔５８
ａの上側の部分の金属膜６２を平坦なものとすることが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置内において
配線として使用する金属膜の堆積方法に関するものであ
り、特に、微細化が進んだ場合にも高い信頼性と低い抵
抗をもつＡｌ層もしくはＡｌ合金層の堆積方法に関する
ものである。
配線として使用する金属膜の堆積方法に関するものであ
り、特に、微細化が進んだ場合にも高い信頼性と低い抵
抗をもつＡｌ層もしくはＡｌ合金層の堆積方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、有機Ａｌ化合物ガスを原料とする
ＣＶＤによってＡｌもしくはＡｌ合金を堆積する場合、
平滑な膜を得るために、ＴｉＣｌ4 等を用いて基板の前
処理を行ったり、ＴｉＮ膜を下地として形成した後に大
気にさらすことなくＡｌを堆積することが行われていた
（文献「June 11-12, 1991 VMIC Conference TH-0359-0
/91/0000-0089 $01.00 C 1991 IEEE, PP 89-95」参
照）。
ＣＶＤによってＡｌもしくはＡｌ合金を堆積する場合、
平滑な膜を得るために、ＴｉＣｌ4 等を用いて基板の前
処理を行ったり、ＴｉＮ膜を下地として形成した後に大
気にさらすことなくＡｌを堆積することが行われていた
（文献「June 11-12, 1991 VMIC Conference TH-0359-0
/91/0000-0089 $01.00 C 1991 IEEE, PP 89-95」参
照）。
【０００３】図２に、下地用のＴｉＮ膜を形成する場合
について具体的に説明する。図２（ａ）は、ヴィア孔形
成後を示す。Ｓｉ基板２上に下地絶縁膜４とパターンニ
ングされた下層金属配線６とが形成され、これらを覆う
ように層間絶縁膜８が形成されている。層間絶縁膜８に
はヴィア孔８ａが形成されている。図２（ｂ）の工程で
は、スパッタによってＴｉＮの薄膜層１０を形成する。
図２（ｃ）の工程では、薄膜層１０上及びヴィア孔８内
にＣＶＤ−Ａｌ層１２を成長させる。
について具体的に説明する。図２（ａ）は、ヴィア孔形
成後を示す。Ｓｉ基板２上に下地絶縁膜４とパターンニ
ングされた下層金属配線６とが形成され、これらを覆う
ように層間絶縁膜８が形成されている。層間絶縁膜８に
はヴィア孔８ａが形成されている。図２（ｂ）の工程で
は、スパッタによってＴｉＮの薄膜層１０を形成する。
図２（ｃ）の工程では、薄膜層１０上及びヴィア孔８内
にＣＶＤ−Ａｌ層１２を成長させる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＴｉＣｌ4 等
によって基板表面の前処理を行う方法では十分に平坦な
膜を得ることはできなかった。また、下地としてＴｉＮ
膜を用いる方法では、付随するヴィア孔内にも均一な成
膜を行うためにＴｉＮ膜を例えば１００ｎｍ以上に厚く
する必要があり、実効的な配線抵抗の増大を招くという
問題があった。しかもこの方法では、ＴｉＮスパッタと
Ａｌ−ＣＶＤとを同一真空中で行う特殊な装置を必要と
する。
によって基板表面の前処理を行う方法では十分に平坦な
膜を得ることはできなかった。また、下地としてＴｉＮ
膜を用いる方法では、付随するヴィア孔内にも均一な成
膜を行うためにＴｉＮ膜を例えば１００ｎｍ以上に厚く
する必要があり、実効的な配線抵抗の増大を招くという
問題があった。しかもこの方法では、ＴｉＮスパッタと
Ａｌ−ＣＶＤとを同一真空中で行う特殊な装置を必要と
する。
【０００５】そこで、本発明は、従来の金属膜の堆積方
法の欠点を解消することを目的とし、平坦で、かつ、配
線抵抗が低い金属膜を簡易に堆積し得る方法を提供する
ことを目的とする。
法の欠点を解消することを目的とし、平坦で、かつ、配
線抵抗が低い金属膜を簡易に堆積し得る方法を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る金属膜の堆積方法は、（ａ）金属アル
コキシド及びキレートの少なくとも一方を含む溶液を表
面上に塗布することによって、金属化合物を含む薄膜を
表面に形成する工程と、（ｂ）有機Ａｌ化合物ガスを原
料とするＣＶＤによって、表面にＡｌ及びＡｌ合金の少
なくとも一方を堆積する工程とを含むこととしている。
め、本発明に係る金属膜の堆積方法は、（ａ）金属アル
コキシド及びキレートの少なくとも一方を含む溶液を表
面上に塗布することによって、金属化合物を含む薄膜を
表面に形成する工程と、（ｂ）有機Ａｌ化合物ガスを原
料とするＣＶＤによって、表面にＡｌ及びＡｌ合金の少
なくとも一方を堆積する工程とを含むこととしている。
【０００７】
【作用】上記した金属膜の堆積方法によれば、金属アル
コキシド及びキレートの少なくとも一方を含む溶液の塗
布することにより、金属化合物を含む薄膜を極めて薄く
かつ均一に形成することができる。したがって、Ａｌ及
びＡｌ合金の少なくとも一方をＣＶＤを用いて堆積する
ことにより、平滑で、実効的な抵抗の低い金属膜を、特
殊な装置を用いることなく形成することができる。
コキシド及びキレートの少なくとも一方を含む溶液の塗
布することにより、金属化合物を含む薄膜を極めて薄く
かつ均一に形成することができる。したがって、Ａｌ及
びＡｌ合金の少なくとも一方をＣＶＤを用いて堆積する
ことにより、平滑で、実効的な抵抗の低い金属膜を、特
殊な装置を用いることなく形成することができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例について説明す
る。
る。
【０００９】図１に、実施例に係る金属膜の形成方法の
具体的な工程を示す。図１（ａ）は、ヴィア孔の形成直
前の工程を示す。Ｓｉ基板５２上にＳｉＯ2 の下地絶縁
膜５４が堆積されている。下地絶縁膜５４上には、適当
にパターンニングされたＡｌの下層金属配線５６が形成
されている。下地絶縁膜５４及び下層金属配線５６を覆
うようにＳｉＯ2 の層間絶縁膜５８が堆積されている。
具体的な工程を示す。図１（ａ）は、ヴィア孔の形成直
前の工程を示す。Ｓｉ基板５２上にＳｉＯ2 の下地絶縁
膜５４が堆積されている。下地絶縁膜５４上には、適当
にパターンニングされたＡｌの下層金属配線５６が形成
されている。下地絶縁膜５４及び下層金属配線５６を覆
うようにＳｉＯ2 の層間絶縁膜５８が堆積されている。
【００１０】図１（ｂ）は、ヴィア孔の形成工程を示
す。層間絶縁膜５８上にレジストパターンを形成た後、
ドライエッチング法を用いてヴィア孔５８ａを形成す
る。
す。層間絶縁膜５８上にレジストパターンを形成た後、
ドライエッチング法を用いてヴィア孔５８ａを形成す
る。
【００１１】図１（ｃ）は、金属化合物の薄膜の形成工
程を示す。Ｔｉアルコキシドをエトキシエタノール，イ
ソプロピルアルコールやキシレン等に溶かした溶液
（０．１〜１％）を、スピンコート方式を用いて層間絶
縁膜５８全体に亘って塗布し乾燥させる。これを大気中
に放置すると、水蒸気で加水分解・重合し、ガラス質の
薄膜層６０が形成される。Ｔｉアルコキシドとして、例
えばテトライソプロポキシチタン（Ｔｉ（ＯｉＣ
3 Ｈ7 ）4 ）、テトラプトキシチタン（Ｔｉ（ＯＣ4 Ｈ
9）4 ）等を使用することができる。得られた薄膜層６
０を３５０〜５００℃に加熱すると（酸化雰囲気中が望
ましい）、内部の有機成分が揮散して完全な金属酸化物
膜が形成される。この場合、ヴィア孔５８ａにもＴｉア
ルコキシドが塗布されているので、ヴィア孔５８ａの側
壁及び底面にも金属酸化物膜６０を形成することができ
る。金属酸化物膜６０の厚さは条件によって異なるが、
１０ｎｍ以下の極めて薄い膜を均一に形成することも可
能である。
程を示す。Ｔｉアルコキシドをエトキシエタノール，イ
ソプロピルアルコールやキシレン等に溶かした溶液
（０．１〜１％）を、スピンコート方式を用いて層間絶
縁膜５８全体に亘って塗布し乾燥させる。これを大気中
に放置すると、水蒸気で加水分解・重合し、ガラス質の
薄膜層６０が形成される。Ｔｉアルコキシドとして、例
えばテトライソプロポキシチタン（Ｔｉ（ＯｉＣ
3 Ｈ7 ）4 ）、テトラプトキシチタン（Ｔｉ（ＯＣ4 Ｈ
9）4 ）等を使用することができる。得られた薄膜層６
０を３５０〜５００℃に加熱すると（酸化雰囲気中が望
ましい）、内部の有機成分が揮散して完全な金属酸化物
膜が形成される。この場合、ヴィア孔５８ａにもＴｉア
ルコキシドが塗布されているので、ヴィア孔５８ａの側
壁及び底面にも金属酸化物膜６０を形成することができ
る。金属酸化物膜６０の厚さは条件によって異なるが、
１０ｎｍ以下の極めて薄い膜を均一に形成することも可
能である。
【００１２】図１（ｄ）は、層間絶縁膜５８上に金属膜
を堆積させる工程を示す。有機Ａｌ化合物ガスを原料と
するＣＶＤを用いて層間絶縁膜５８上にＡｌ膜６２を堆
積させる。原料としては、ジメチルアルミニウムハイド
ライド，トリイソブチルアルミニウム，トリメチルアミ
ンアラン，ジメチルエチルアミンアラン，トリエチルア
ルミニウムとジメチルアルミニウムハイドライドとの分
子間化合物等を使用することができ、さらに水素ガスを
添加することが好ましい。この場合、ヴィア孔５８ａの
底面および側面にも導電性の薄膜層６０が存在するの
で、ヴィア孔５８ａの側壁及び底面から均一にＡｌ層が
堆積する。この結果、ヴィア孔５８ａ径の１／２以上の
膜厚の堆積を行えばヴィア孔５８ａがＡｌで埋め込まれ
るばかりでなく、ヴィア孔５８ａの存在にかかわらず一
様な厚さのＡｌ膜６２を堆積することができる。
を堆積させる工程を示す。有機Ａｌ化合物ガスを原料と
するＣＶＤを用いて層間絶縁膜５８上にＡｌ膜６２を堆
積させる。原料としては、ジメチルアルミニウムハイド
ライド，トリイソブチルアルミニウム，トリメチルアミ
ンアラン，ジメチルエチルアミンアラン，トリエチルア
ルミニウムとジメチルアルミニウムハイドライドとの分
子間化合物等を使用することができ、さらに水素ガスを
添加することが好ましい。この場合、ヴィア孔５８ａの
底面および側面にも導電性の薄膜層６０が存在するの
で、ヴィア孔５８ａの側壁及び底面から均一にＡｌ層が
堆積する。この結果、ヴィア孔５８ａ径の１／２以上の
膜厚の堆積を行えばヴィア孔５８ａがＡｌで埋め込まれ
るばかりでなく、ヴィア孔５８ａの存在にかかわらず一
様な厚さのＡｌ膜６２を堆積することができる。
【００１３】以上の方法によれば、金属化合物の薄膜層
６０を、簡単な工程で、極めて薄く、かつ、均一に形成
することができる。よって、平滑で、実効的抵抗の低い
金属膜（Ａｌ膜６２）を、特殊な装置を用いることなく
薄膜層６０上に堆積することができる。殊に、ヴィア孔
５８ａの側壁からもプラグ用のＡｌ膜が堆積するので、
ヴィア孔５８ａの上側の部分を平坦に堆積することがで
きる。
６０を、簡単な工程で、極めて薄く、かつ、均一に形成
することができる。よって、平滑で、実効的抵抗の低い
金属膜（Ａｌ膜６２）を、特殊な装置を用いることなく
薄膜層６０上に堆積することができる。殊に、ヴィア孔
５８ａの側壁からもプラグ用のＡｌ膜が堆積するので、
ヴィア孔５８ａの上側の部分を平坦に堆積することがで
きる。
【００１４】なおここでは、ガラス質の薄膜層６０形成
後に加熱し、完全な金属酸化物膜にしてからＣＶＤを行
なった例を示したが加熱を行わない場合にも、均一なＡ
ｌ膜を堆積させることは可能であった。ただし、再現性
よく均一なＡｌ膜を得るためには加熱が有効であった。
また、金属酸化物膜形成後にさらに、水素等の還元性雰
囲気中で例えば４００℃程度の温度で加熱処理し、Ｔｉ
の一部を還元して金属酸化物膜６０の導電性を高くする
こともできる。このことによりさらに平滑なＡｌ膜６２
を堆積することができる。
後に加熱し、完全な金属酸化物膜にしてからＣＶＤを行
なった例を示したが加熱を行わない場合にも、均一なＡ
ｌ膜を堆積させることは可能であった。ただし、再現性
よく均一なＡｌ膜を得るためには加熱が有効であった。
また、金属酸化物膜形成後にさらに、水素等の還元性雰
囲気中で例えば４００℃程度の温度で加熱処理し、Ｔｉ
の一部を還元して金属酸化物膜６０の導電性を高くする
こともできる。このことによりさらに平滑なＡｌ膜６２
を堆積することができる。
【００１５】以上の方法によって得られたＡｌ膜６２
は、このＡｌ膜６２上に適当なレジストパターンを形成
し、ドライエッチングを施してパターンニングする。な
お、薄膜層６０自体を予めパターンニングしておけば、
この薄膜層６０上にのみＡｌ膜６２を選択堆積させてパ
ターニングされた配線を得ることができる。このことに
より、高価な装置を必要とするＡｌ膜のドライエッチン
グを使用することなく、配線を形成することができる。
具体的には、層間絶縁膜５８の表面全体にレジスト層を
形成し、露光を行った後にレジスト層のパターンニング
を行う。次に、スピンコート方式を用い、層間絶縁膜５
８全体に亘ってＴｉアルコキシド等を塗布し、薄膜層６
０を形成する。その後、レジスト層とその上の薄膜層６
０を除去し、加熱処理を行った後、Ａｌ膜６２を選択成
長させる。
は、このＡｌ膜６２上に適当なレジストパターンを形成
し、ドライエッチングを施してパターンニングする。な
お、薄膜層６０自体を予めパターンニングしておけば、
この薄膜層６０上にのみＡｌ膜６２を選択堆積させてパ
ターニングされた配線を得ることができる。このことに
より、高価な装置を必要とするＡｌ膜のドライエッチン
グを使用することなく、配線を形成することができる。
具体的には、層間絶縁膜５８の表面全体にレジスト層を
形成し、露光を行った後にレジスト層のパターンニング
を行う。次に、スピンコート方式を用い、層間絶縁膜５
８全体に亘ってＴｉアルコキシド等を塗布し、薄膜層６
０を形成する。その後、レジスト層とその上の薄膜層６
０を除去し、加熱処理を行った後、Ａｌ膜６２を選択成
長させる。
【００１６】本発明は上記実施例に限定されるものでは
ない。例えばＴｉアルコキシドのかわりに、Ｔｉキレー
ト、Ｚｒアルコキシド、Ａｌアルコキシド、Ａｌキレー
ト等を用いることができる。この場合も、上記したＴｉ
アルコキシドと同様の処理を行う。Ｔｉキレートとし
て、ビスアセチルアセトナトジイソプロポキシチタン
（Ｔｉ（Ｏi Ｃ3 Ｈ7 ）2 （ＣＨ3 ＣＯＣＨＣＯＣ
Ｈ3 ）2 ）、テトラキスアセチルアセトナトチタン（Ｔ
ｉ（ＣＨ3 ＣＯＣＨＣＯＣＨ3 ）2 ）等を用いることが
できる。Ｚｒアルコキシドとして、テトラブトキシジル
コニウム（Ｚｒ（ＯＣ4 Ｈ9 ）4 ）等を用いることがで
きる。Ａｌアルコキシド、キレートとして、ビスアセチ
ルアセトナトイソプロポキシアルミニウム（Ａｌ（Ｏi
Ｃ3 Ｈ7 ）（ＣＨ3 ＣＯＣＨＣＯＣＨ3 ）2 ）等を用い
ることができる。なお、これらはいずれも粘性の高い液
体である。
ない。例えばＴｉアルコキシドのかわりに、Ｔｉキレー
ト、Ｚｒアルコキシド、Ａｌアルコキシド、Ａｌキレー
ト等を用いることができる。この場合も、上記したＴｉ
アルコキシドと同様の処理を行う。Ｔｉキレートとし
て、ビスアセチルアセトナトジイソプロポキシチタン
（Ｔｉ（Ｏi Ｃ3 Ｈ7 ）2 （ＣＨ3 ＣＯＣＨＣＯＣ
Ｈ3 ）2 ）、テトラキスアセチルアセトナトチタン（Ｔ
ｉ（ＣＨ3 ＣＯＣＨＣＯＣＨ3 ）2 ）等を用いることが
できる。Ｚｒアルコキシドとして、テトラブトキシジル
コニウム（Ｚｒ（ＯＣ4 Ｈ9 ）4 ）等を用いることがで
きる。Ａｌアルコキシド、キレートとして、ビスアセチ
ルアセトナトイソプロポキシアルミニウム（Ａｌ（Ｏi
Ｃ3 Ｈ7 ）（ＣＨ3 ＣＯＣＨＣＯＣＨ3 ）2 ）等を用い
ることができる。なお、これらはいずれも粘性の高い液
体である。
【００１７】また、Ｗキレートの場合、メタンタングス
テン酸アンモニウム（（ＮＨ4 ）2ＷＯ4 ）の水溶液を
上記と同様に使用する。この場合、結晶核が生じやすい
ので、（ａ）水中で長く煮沸する、（ｂ）陽イオン交換
樹脂を通す、などの方法で一部或いは全部がＷＯ3 ・ｘ
Ｈ2 Ｏのコロイドを作ってやると、均質な塗布膜ができ
る。なお、金属がＴｉの場合、４００℃の水素処理では
あまり還元の効果がないが、金属がＷの場合、４００℃
の水素処理でも十分な効果がある。
テン酸アンモニウム（（ＮＨ4 ）2ＷＯ4 ）の水溶液を
上記と同様に使用する。この場合、結晶核が生じやすい
ので、（ａ）水中で長く煮沸する、（ｂ）陽イオン交換
樹脂を通す、などの方法で一部或いは全部がＷＯ3 ・ｘ
Ｈ2 Ｏのコロイドを作ってやると、均質な塗布膜ができ
る。なお、金属がＴｉの場合、４００℃の水素処理では
あまり還元の効果がないが、金属がＷの場合、４００℃
の水素処理でも十分な効果がある。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る金属膜
の堆積方法によれば、金属アルコキシド及びキレートの
少なくとも一方を含む溶液の塗布することにより、金属
化合物を含む薄膜を極めて薄くかつ均一に形成すること
ができる。したがって、Ａｌ及びＡｌ合金の少なくとも
一方をＣＶＤを用いて堆積することにより、平滑で、実
効的な抵抗の低い金属膜を、特殊な装置を用いることな
く形成することができる。
の堆積方法によれば、金属アルコキシド及びキレートの
少なくとも一方を含む溶液の塗布することにより、金属
化合物を含む薄膜を極めて薄くかつ均一に形成すること
ができる。したがって、Ａｌ及びＡｌ合金の少なくとも
一方をＣＶＤを用いて堆積することにより、平滑で、実
効的な抵抗の低い金属膜を、特殊な装置を用いることな
く形成することができる。
【００１９】
【図１】実施例の形成工程を示した図である。
【図２】従来の金属膜の形成工程を示した図である。
５２…半導体基板、５８…絶縁膜、５８ａ…ヴィア孔、
６０…薄膜、６２…Ａｌの金属膜。
６０…薄膜、６２…Ａｌの金属膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近藤 英一 千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎製 鉄株式会社技術研究本部内 (72)発明者 太田 与洋 千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎製 鉄株式会社技術研究本部内
Claims (1)
- 【請求項１】 金属アルコキシド及びキレートの少なく
とも一方を含む溶液を表面上に塗布することによって、
金属化合物を含む薄膜を該表面に形成する工程と、 有機Ａｌ化合物ガスを原料とするＣＶＤによって、前記
表面にＡｌ及びＡｌ合金の少なくとも一方を堆積する工
程と、を含むことを特徴とする金属膜の堆積方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31740192A JPH06163708A (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 金属膜の堆積方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31740192A JPH06163708A (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 金属膜の堆積方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163708A true JPH06163708A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18087836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31740192A Pending JPH06163708A (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 金属膜の堆積方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163708A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0398221A1 (de) * | 1989-05-16 | 1990-11-22 | Akzo Nobel N.V. | Garn aus Kern-Mantel-Fäden und Verfahren zu dessen Herstellung |
-
1992
- 1992-11-26 JP JP31740192A patent/JPH06163708A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0398221A1 (de) * | 1989-05-16 | 1990-11-22 | Akzo Nobel N.V. | Garn aus Kern-Mantel-Fäden und Verfahren zu dessen Herstellung |
| WO1990014452A1 (de) * | 1989-05-16 | 1990-11-29 | Akzo N.V. | Garn aus kern-mantel-fäden und verfahren zu dessen herstellung |
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