JPH06163321A - Composite part of high-frequency lc - Google Patents
Composite part of high-frequency lcInfo
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- JPH06163321A JPH06163321A JP4317056A JP31705692A JPH06163321A JP H06163321 A JPH06163321 A JP H06163321A JP 4317056 A JP4317056 A JP 4317056A JP 31705692 A JP31705692 A JP 31705692A JP H06163321 A JPH06163321 A JP H06163321A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、多層基板にコイルＬと
コンデンサＣとを実装した高周波ＬＣ複合部品（例え
ば、高周波ＬＣフィルタ）に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high frequency LC composite component (for example, a high frequency LC filter) in which a coil L and a capacitor C are mounted on a multilayer substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図８、図９は従来例を示した図であり、
図８、図９中、１は多層基板、１−１〜１−７は、多層
基板の第１〜第７層（誘電体層）、２はコイルパター
ン、３はコンデンサ電極パターン、４はＧＮＤ電極パタ
ーン、５は中継用パッド、６はビア（Ｖｉａ）、７は側
面電極（外部端子）、Ｌ１はコイル、Ｃ１、Ｃ２はコン
デンサ、ＩＮは入力端子、ＯＵＴは出力端子を示す。2. Description of the Related Art FIGS. 8 and 9 are views showing a conventional example.
In FIGS. 8 and 9, 1 is a multilayer substrate, 1-1 to 1-7 are first to seventh layers (dielectric layers) of the multilayer substrate, 2 is a coil pattern, 3 is a capacitor electrode pattern, and 4 is GND. Electrode pattern, 5 is a relay pad, 6 is a via (Via), 7 is a side surface electrode (external terminal), L1 is a coil, C1 and C2 are capacitors, IN is an input terminal, and OUT is an output terminal.
【０００３】：従来例１の説明・・・図８参照 従来例１の説明図を図８に示す。従来、コイルＬとコン
デンサを用いた高周波ＬＣフィルタとして、多層基板を
用いたＳＭＤタイプの部品（表面実装部品）が開発され
ていた。その内、小型ＳＭＤ化した高周波ＬＣフィルタ
の１例（断面図）を図８に示す。Description of Conventional Example 1--See FIG. 8 An explanatory view of Conventional Example 1 is shown in FIG. Conventionally, an SMD type component (surface mount component) using a multilayer substrate has been developed as a high frequency LC filter using a coil L and a capacitor. Among them, FIG. 8 shows an example (cross-sectional view) of a high-frequency LC filter that has been made into a small SMD.
【０００４】この小型ＳＭＤ化した高周波ＬＣフィルタ
は、導体パターンにより形成したコイル部及びコンデン
サ部を多層基板１に内蔵し、該多層基板１の外部に、側
面電極７を形成したものである。具体的には、次の通り
である。In this small SMD high frequency LC filter, a coil portion and a capacitor portion formed by a conductor pattern are built in a multi-layer substrate 1, and a side electrode 7 is formed outside the multi-layer substrate 1. Specifically, it is as follows.
【０００５】すなわち、多層基板１の第１層１−１は、
保護層として使用し、第２層１−２、第３層１−３上
に、それぞれコイルパターン（導体パターン）２を形成
し、これらのコイルパターン２間をビア６によって接続
し、コイル部を形成する。That is, the first layer 1-1 of the multilayer substrate 1 is
Used as a protective layer, a coil pattern (conductor pattern) 2 is formed on each of the second layer 1-2 and the third layer 1-3, and the coil patterns 2 are connected by vias 6 to form a coil portion. Form.
【０００６】また、多層基板１の第４層１−４と第５層
１−５上には、コンデンサ電極パターン３を形成し、第
６層１−６上に、ＧＮＤ電極パターン４を形成する。そ
して、これらコンデンサ電極パターン３と、ＧＮＤ電極
パターン（導体パターン）４により、コンデンサを形成
して、コンデンサ部とする。The capacitor electrode pattern 3 is formed on the fourth layer 1-4 and the fifth layer 1-5 of the multi-layer substrate 1, and the GND electrode pattern 4 is formed on the sixth layer 1-6. . Then, a capacitor is formed by the capacitor electrode pattern 3 and the GND electrode pattern (conductor pattern) 4 to form a capacitor portion.
【０００７】上記コイル部とコンデンサ部とは、所定の
パターン間をビア６によって接続すると共に、コイル部
とコンデンサ部の所定の導体パターン部分を、側面電極
７に接続し、ＳＭＤ化した高周波ＬＣフィルタとする。The coil portion and the capacitor portion are connected to each other by a via 6 between predetermined patterns, and the predetermined conductor pattern portions of the coil portion and the capacitor portion are connected to a side surface electrode 7 to form an SMD high frequency LC filter. And
【０００８】この場合、コイル部には、複数のコイルを
設定し、コンデンサ部にも、複数のコンデンサを設定し
てある。この部品（高周波ＬＣフィルタ）は、下側（マ
ザーボードへの実装面側）にコンデンサ部を配置（多層
基板の積層方向で、向かい合った位置に配置）し、その
上側にコイル部を配置した構造（上下にＬとＣを配置）
として小型化している。In this case, a plurality of coils are set in the coil portion, and a plurality of capacitors are also set in the capacitor portion. In this component (high-frequency LC filter), a capacitor section is arranged on the lower side (mounting surface side to the mother board) (arranged at a position facing each other in the stacking direction of the multilayer substrate), and a coil section is arranged on the upper side thereof ( (Place L and C on the top and bottom)
Has been miniaturized as.
【０００９】：従来例２の説明・・・図９参照 従来例２の説明図を図９に示す。図９Ａは高周波ＬＣフ
ィルタの断面図、図９Ｂは高周波ＬＣフィルタの等価回
路である。Description of Conventional Example 2--See FIG. 9 An explanatory view of Conventional Example 2 is shown in FIG. 9A is a cross-sectional view of the high frequency LC filter, and FIG. 9B is an equivalent circuit of the high frequency LC filter.
【００１０】この例は、多層基板１を使用し、小型、Ｓ
ＭＤ化した高周波フィルタの例であるが、コイル及びコ
ンデンサの構造が、上記従来例１とは異なる例である。
図示のように、多層基板１の第１層１−１は保護層とし
て使用し、第２層１−２、第３層１−３、第４層１−４
上には、それぞれコイルパターン２を形成する。In this example, the multilayer substrate 1 is used, and the size is small and S
This is an example of an MD-type high frequency filter, but is an example in which the structures of the coil and the capacitor are different from those of the above-mentioned conventional example 1.
As shown, the first layer 1-1 of the multilayer substrate 1 is used as a protective layer, and the second layer 1-2, the third layer 1-3, and the fourth layer 1-4 are used.
The coil pattern 2 is formed on each of them.
【００１１】そして、これらの各コイルパターン２間を
ビア（図示省略）によって接続し、１つのコイルを形成
して、コイル部とする。また、多層基板１の第５層１−
５、第６層１−６上には、コンデンサ電極パターン（導
体パターン）３を形成し、第７層１−７上には、ＧＮＤ
電極パターン４を形成する。そして、上記コンデンサ電
極パターン３とＧＮＤ電極パターン４とで、コンデンサ
を形成し、コンデンサ部とする。Then, the respective coil patterns 2 are connected by vias (not shown) to form one coil to form a coil portion. In addition, the fifth layer 1-of the multilayer substrate 1
5, the capacitor electrode pattern (conductor pattern) 3 is formed on the sixth layer 1-6, and the GND is formed on the seventh layer 1-7.
The electrode pattern 4 is formed. Then, the capacitor electrode pattern 3 and the GND electrode pattern 4 form a capacitor to form a capacitor portion.
【００１２】上記コイル部とコンデンサ部は、上記パタ
ーンの所定部分をビア６によって接続し、更に、コイル
部とコンデンサ部の所定の部分を側面電極（図示省略）
に接続する。The coil portion and the capacitor portion connect predetermined portions of the pattern by vias 6, and further, the predetermined portions of the coil portion and the capacitor portion are side electrodes (not shown).
Connect to.
【００１３】上記のように構成した高周波ＬＣフィルタ
の等価回路は、図９Ｂのようになる。すなわち、上記コ
イル部は、コイルＬ１で構成し、コンデンサ部は、コン
デンサＣ１、Ｃ２で構成する。An equivalent circuit of the high frequency LC filter configured as above is shown in FIG. 9B. That is, the coil section is composed of the coil L1, and the capacitor section is composed of the capacitors C1 and C2.
【００１４】この部品（高周波ＬＣフィルタ）は、下側
（マザーボードへの実装面側）にコンデンサ部を配置
（多層基板の積層方向で、向かい合った位置に配置）
し、その上側にコイル部を配置した構造（上下にＬとＣ
を配置）として小型化している。In this component (high-frequency LC filter), the capacitor portion is arranged on the lower side (mounting surface side on the mother board) (arranged at positions facing each other in the stacking direction of the multilayer substrates).
And the coil part is arranged on the upper side (upper and lower L and C
(Arranged) has been miniaturized.
【００１５】[0015]
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のも
のにおいては、次のような課題があった。 ：高周波フィルタを小型、ＳＭＤ化するには、上記従
来例のように、コイル部と、コンデンサ部を上下関係
（マザーボードの取り付け面側が下側）に配置する必要
がある。SUMMARY OF THE INVENTION The above-mentioned conventional devices have the following problems. In order to reduce the size and size of the high-frequency filter, it is necessary to arrange the coil part and the capacitor part in a vertical relationship (the mounting surface side of the motherboard is on the lower side) as in the conventional example.
【００１６】この場合、コイル部がコンデンサ部に近づ
いた配置となり、特に、コイル部の下側のコイルパター
ン（例えば、図９の第４層１−４上のコイルパターン
２）と、コンデンサ部の上側のコンデンサ電極パターン
（例えば、図９の第４層１−５上のコンデンサ電極パタ
ーン３）とは、極めて接近し、かつ向かい合って配置さ
れる。In this case, the coil portion is arranged close to the capacitor portion, and in particular, the coil pattern on the lower side of the coil portion (for example, the coil pattern 2 on the fourth layer 1-4 in FIG. 9) and the capacitor portion are arranged. The capacitor electrode pattern on the upper side (for example, the capacitor electrode pattern 3 on the fourth layer 1-5 in FIG. 9) is arranged very close to and facing each other.
【００１７】従って、コイル部とコンデンサ部の導体パ
ターン間に浮遊容量が発生し、コイルの持つインピーダ
ンスが低下する。 ：上記コイルのインピーダンス低下分は、コイルパタ
ーンを若干大きくすることにより補償出来る。しかし実
際には、コイルパターンを大きくすると、コイルパター
ンが長く（導体長が長く）なり、コイルの実抵抗が増大
する。その結果、コイルのＱが低下する。Therefore, stray capacitance is generated between the conductor patterns of the coil portion and the capacitor portion, and the impedance of the coil is lowered. : The decrease in the impedance of the coil can be compensated by slightly increasing the coil pattern. However, in reality, when the coil pattern is made larger, the coil pattern becomes longer (the conductor length becomes longer), and the actual resistance of the coil increases. As a result, the Q of the coil is reduced.
【００１８】：コイルのＱが低下すると、フィルタに
おける挿入損失が増大し、減衰帯における十分な減衰量
が得にくくなる。特に、周波数が高くなると、これらの
欠点も大きくなる。If the Q of the coil decreases, the insertion loss in the filter increases, and it becomes difficult to obtain a sufficient amount of attenuation in the attenuation band. Especially, as the frequency increases, these drawbacks also increase.
【００１９】本発明は、このような従来の課題を解決
し、小型、ＳＭＤ化したＬＣ複合部品におけるコイルの
高Ｑ化を実現することを目的とする。It is an object of the present invention to solve such a conventional problem and to realize a high Q of a coil in a compact and SMD LC composite component.
【００２０】[0020]
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図であり、図１中、図８、図９と同じものは、同一符号
で示してある。また、１−８は多層基板の第８層（誘電
体層）を示す。FIG. 1 is a diagram for explaining the principle of the present invention. In FIG. 1, the same parts as those in FIGS. 8 and 9 are designated by the same reference numerals. Further, 1-8 indicates the eighth layer (dielectric layer) of the multilayer substrate.
【００２１】本発明は上記の課題を解決するため、次の
ように構成した。 ：複数の誘電体層１−１〜１−８を積層した多層基板
を具備し、該多層基板の一部の誘電体層１−１〜１−４
上に、コイルＬを構成する導体パターン２を設定したコ
イル部と、別の誘電体層１−６〜１−８上に、コンデン
サＣを構成する導体パターン３、４を設定したコンデン
サ部とを設けると共に、該コイル部と、コンデンサ部と
を、多層基板の積層方向で向かい合った位置に配置した
高周波ＬＣ複合部品において、上記コイル部と、コンデ
ンサ部との間に、該コイル部及びコンデンサ部間の間隔
を大きくするスペーサ層１−５を設定した。In order to solve the above problems, the present invention has the following configuration. A multi-layer substrate in which a plurality of dielectric layers 1-1 to 1-8 are laminated, and some of the dielectric layers 1-1 to 1-4 are included in the multi-layer substrate.
A coil portion on which the conductor pattern 2 forming the coil L is set, and a capacitor portion on which the conductor patterns 3 and 4 forming the capacitor C are set on another dielectric layer 1-6 to 1-8. In a high frequency LC composite component in which the coil section and the capacitor section are provided at positions facing each other in the stacking direction of the multilayer substrate, the coil section and the capacitor section are provided between the coil section and the capacitor section. The spacer layers 1-5 were set to increase the distance between the two.
【００２２】（２）構成（１）において、スペーサ層１
−５を、上記コンデンサ部を構成する誘電体層１−６〜
１−８の誘電率（ε1 ）よりも、低い誘電率（ε2 ）の
低誘電率材料で構成した（ε1 ＞ε2 ）。(2) In the configuration (1), the spacer layer 1
-5 is a dielectric layer 1-6 which constitutes the above capacitor section
It was composed of a low dielectric constant material having a dielectric constant (ε 2 ) lower than the dielectric constant (ε 1 ) of 1-8 (ε 1 > ε 2 ).
【００２３】[0023]
【作用】上記構成に基づく本発明の作用を、図１に基づ
いて説明する。コイル部とコンデンサ部との間にスペー
サ層を設定すると、コイル導体と、コンデンサ電極を構
成する導体との間の間隔が大きくなる。このため、上記
両導体間の浮遊容量を低下させる（スペーサ層を設けな
いものに比べて）事が出来る。The operation of the present invention based on the above configuration will be described with reference to FIG. When the spacer layer is set between the coil portion and the capacitor portion, the distance between the coil conductor and the conductor forming the capacitor electrode becomes large. For this reason, it is possible to reduce the stray capacitance between the two conductors (compared to the one without the spacer layer).
【００２４】従って、従来のように、コイルの持つイン
ピーダンスの低下も殆どなく、コイルパターンの実抵抗
を増やさないで済む。その結果、コイルのＱを低下させ
ないで済む。Therefore, unlike the prior art, the impedance of the coil is hardly reduced, and the actual resistance of the coil pattern need not be increased. As a result, it is not necessary to reduce the Q of the coil.
【００２５】また、スペーサ層を低誘電率材料で構成す
れば、より一層、コイルのＱを低下させないで済む。更
に、この場合、全体の厚みを厚くすることなく、コイル
の高Ｑ化が達成可能となる。If the spacer layer is made of a low dielectric constant material, the Q of the coil will not be further reduced. Further, in this case, a high Q of the coil can be achieved without increasing the overall thickness.
【００２６】以上のように、本発明の高周波ＬＣフィル
タでは、小型、ＳＭＤ化したＬＣ複合部品におけるコイ
ルの高Ｑ化を実現することが可能となる。As described above, according to the high frequency LC filter of the present invention, it is possible to realize the high Q of the coil in the small-sized and SMD-type LC composite component.
【００２７】[0027]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。 （第１実施例の説明）図２、図３は、第１実施例の説明
図（その１、その２）であり、図２は高周波ＬＣフィル
タの分解斜視図、図３Ａは高周波ＬＣフィルタの斜視図
（完成品の外観図）、図３Ｂは図３ＡのＸ−Ｙ線断面
図、図３Ｃは等価回路である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (Explanation of First Embodiment) FIGS. 2 and 3 are explanatory views (No. 1 and No. 2) of the first embodiment. FIG. 2 is an exploded perspective view of a high frequency LC filter, and FIG. 3A is a high frequency LC filter. FIG. 3B is a perspective view (outside view of the finished product), FIG. 3B is a sectional view taken along the line XY of FIG. 3A, and FIG. 3C is an equivalent circuit.
【００２８】図２、図３中、図１、及び図８、図９と同
じものは、同一符号で示してある。また、７−１（Ｉ
Ｎ）、７−２（ＯＵＴ）、７−３（ＧＮＤ）は側面電極
（外部端子）である。In FIGS. 2 and 3, the same parts as those in FIGS. 1, 8 and 9 are designated by the same reference numerals. In addition, 7-1 (I
N), 7-2 (OUT), 7-3 (GND) are side surface electrodes (external terminals).
【００２９】第１実施例は、多層基板に、コイルＬとコ
ンデンサＣとを実装して、小型ＳＭＤ化した高周波ＬＣ
フィルタの１例であり、以下、詳細に説明する。図２に
示したように、多層基板は、第１層１−１〜第８層１−
８（誘電体層）で構成する。各層上に形成する導体パタ
ーンは次の通りである。The first embodiment is a high-frequency LC miniaturized by mounting a coil L and a capacitor C on a multi-layer substrate to make a compact SMD.
This is an example of a filter and will be described in detail below. As shown in FIG. 2, the multilayer substrate includes a first layer 1-1 to an eighth layer 1-
8 (dielectric layer). The conductor pattern formed on each layer is as follows.
【００３０】多層基板の第１層（最上層）１−１は、保
護層として使用するものであり、導体等のパターニング
はしない。第２層１−２、第３層１−３、第４層１−４
上には、それぞれ導体の印刷等により、コイルパターン
（導体パターン）２を形成し、これらの各コイルパター
ン間をビア（図２の点線部分）によって接続し、コイル
部とする。この場合、コイル部は、１つのコイルＬ１で
構成する。The first layer (uppermost layer) 1-1 of the multi-layer substrate is used as a protective layer, and the conductor or the like is not patterned. Second layer 1-2, third layer 1-3, fourth layer 1-4
A coil pattern (conductor pattern) 2 is formed on each by printing a conductor or the like, and these coil patterns are connected by vias (dotted line portions in FIG. 2) to form a coil portion. In this case, the coil unit is composed of one coil L1.
【００３１】第５層１−５は、スペーサ層（ダミー層）
として使用するものであり、この層には、導体により中
継用パッド５を形成するだけで、他の導体パターン等は
形成しない。The fifth layer 1-5 is a spacer layer (dummy layer).
In this layer, only the relay pad 5 is formed of a conductor, and no other conductor pattern or the like is formed.
【００３２】第６層１−６には、導体の印刷等により、
コンデンサ電極パターン（導体パターン）３を形成する
と共に、導体により中継用パッド５を形成する。第７層
１−７には、コンデンサ電極パターン３を形成し、第８
層１−８には、ＧＮＤ電極パターン４を形成する。The sixth layer 1-6 is formed by printing a conductor or the like.
The capacitor electrode pattern (conductor pattern) 3 is formed, and the relay pad 5 is formed of a conductor. A capacitor electrode pattern 3 is formed on the seventh layer 1-7,
The GND electrode pattern 4 is formed on the layers 1-8.
【００３３】そして、第６層１−６、及び第７層１−７
に形成したコンデンサ電極パターン３の間で、コンデン
サＣ１を形成し、第７層１−７に形成したコンデンサ電
極パターン３と、第８層１−８に形成したＧＮＤ電極パ
ターン４との間で、コンデンサＣ２を形成する。The sixth layer 1-6 and the seventh layer 1-7
The capacitor C1 is formed between the capacitor electrode patterns 3 formed on the second layer 1-7, and the capacitor electrode pattern 3 formed on the seventh layer 1-7 and the GND electrode pattern 4 formed on the eighth layer 1-8, The capacitor C2 is formed.
【００３４】この場合、コンデンサ部は、上記コンデン
サＣ１、Ｃ２の２つのコンデンサで構成する。また、上
記第４層１−４に形成したコイルパターン２の端部と、
第７層１−７に形成したコンデンサ電極パターン３と
を、中継用パッド５を介してビア６（図２の点線部分：
図３Ｂ参照）により接続し、コイル部とコンデンサ部と
を接続する。In this case, the capacitor section is composed of the two capacitors C1 and C2. In addition, an end portion of the coil pattern 2 formed on the fourth layer 1-4,
The capacitor electrode pattern 3 formed on the seventh layer 1-7 and the via 6 via the relay pad 5 (indicated by a dotted line in FIG. 2:
3B) to connect the coil part and the capacitor part.
【００３５】上記のようにして、コイル部とコンデンサ
部を形成した各層を積層した多層基板１（図３Ａ参照）
の側面には、側面電極（外部端子）７−１〜７−３を形
成し、ＳＭＤ化した高周波ＬＣフィルタとする。As described above, the multi-layer substrate 1 in which the layers forming the coil portion and the capacitor portion are laminated (see FIG. 3A)
Side surface electrodes (external terminals) 7-1 to 7-3 are formed on the side surfaces of the SMD-type high frequency LC filter.
【００３６】この場合、側面電極７−１は入力端子（Ｉ
Ｎ）、７−２は出力端子（ＯＵＴ）、７−３はＧＮＤ端
子（ＧＮＤ）である。以上の構成による小型、ＳＭＤ化
した高周波ＬＣフィルタの等価回路は、図３Ｃのように
なる。In this case, the side surface electrode 7-1 is connected to the input terminal (I
N) and 7-2 are output terminals (OUT) and 7-3 are GND terminals (GND). An equivalent circuit of the small-sized, SMD-type high-frequency LC filter having the above configuration is shown in FIG. 3C.
【００３７】上記のように、コイル部とコンデンサ部と
の間に、スペーサ層１−５を設定したので、コイル部と
コンデンサ部間の間隔（距離）を大きくする事が出来
る。すなわち、第４層１−４に形成したコイルパターン
２と、第６層１−６に形成したコンデンサ電極パターン
３との間は、スペーサ層１−５の厚みの分だけ離れるこ
とになる。Since the spacer layer 1-5 is set between the coil portion and the capacitor portion as described above, the distance (distance) between the coil portion and the capacitor portion can be increased. That is, the coil pattern 2 formed on the fourth layer 1-4 and the capacitor electrode pattern 3 formed on the sixth layer 1-6 are separated by the thickness of the spacer layer 1-5.
【００３８】従って、上記従来例と比べて、コイルパタ
ーン２と、コンデンサ電極パターン３との間の浮遊容量
が減少する。その結果、コイルの低Ｑ化を防止出来る。
上記スペーサ層の厚みは、コイルをパターニングした層
と同等、ないしはそれよりも厚い事が必要である。ま
た、必要な厚みを得るために、複数枚の誘電体シートを
積層して、スペーサ層を構成することも可能である。Therefore, compared with the conventional example, the stray capacitance between the coil pattern 2 and the capacitor electrode pattern 3 is reduced. As a result, the Q reduction of the coil can be prevented.
It is necessary that the spacer layer has a thickness equal to or greater than that of the coil-patterned layer. Further, in order to obtain a required thickness, it is possible to stack a plurality of dielectric sheets to form a spacer layer.
【００３９】しかし、スペーサ層である第５層１−５の
厚みが、あまり厚すぎると、脱バインダー処理及び焼成
コントロールが困難となる。従って、フィルタ全体の形
状を考えた上で決定する必要がある。However, if the thickness of the fifth layer 1-5, which is the spacer layer, is too thick, it becomes difficult to control the binder removal and control the firing. Therefore, it is necessary to determine it after considering the shape of the entire filter.
【００４０】目安としては、例えば、全体の厚みが２ｍ
ｍ以下になるように、設定されるべきである。 （第２実施例の説明）図４は第２実施例の説明図（高周
波ＬＣフィルタの分解斜視図）であり、図４中、図１〜
図３と同じものは同一符号で示してある。As a guide, for example, the total thickness is 2 m.
It should be set to be m or less. (Explanation of the Second Embodiment) FIG. 4 is an explanatory view of the second embodiment (an exploded perspective view of a high-frequency LC filter).
The same parts as those in FIG. 3 are designated by the same reference numerals.
【００４１】第２実施例は、上記第１実施例のスペーサ
層の構造を変えた例であり、他の構成は、第１実施例と
同じである。この例では、多層基板の第５層１−５に設
定したスペーサ層（誘電体層）１−５のみを、コンデン
サ部を構成する第６層１−６〜第８層１−８の誘電率
（ε1）よりも低い誘電率（ε2 ）の低誘電率材料で構
成する（ε1 ＞ε2 ）。The second embodiment is an example in which the structure of the spacer layer of the first embodiment is changed, and the other structure is the same as that of the first embodiment. In this example, only the spacer layer (dielectric layer) 1-5 set as the fifth layer 1-5 of the multi-layer substrate has the dielectric constants of the sixth layer 1-6 to the eighth layer 1-8 constituting the capacitor section. It is composed of a low dielectric constant material having a dielectric constant (ε 2 ) lower than (ε 1 ) (ε 1 > ε 2 ).
【００４２】このようにすれば、コイル部とコンデンサ
部との間の浮遊容量を極めて少なくする事が出来る。な
お、この実施例では、スペーサ層１−５以外の各層は、
製造を容易にするため、同一誘電率材料（誘電率ε1 ）
を使用する。By doing so, the stray capacitance between the coil portion and the capacitor portion can be extremely reduced. In this embodiment, each layer other than the spacer layers 1-5 is
Same dielectric constant material (dielectric constant ε 1 ) for easy manufacturing
To use.
【００４３】（第３実施例の説明）図５、図６は、第３
実施例の説明図（その１、その２）であり、図５は高周
波ＬＣフィルタの分解斜視図、図６Ａは高周波ＬＣフィ
ルタの斜視図（完成品の外観図）、図６Ｂは図３ＡのＸ
−Ｙ線断面図である。図５、図６中、図１〜図４と同じ
ものは、同一符号で示してある。(Description of Third Embodiment) FIGS. 5 and 6 show a third embodiment.
5A and 5B are explanatory views (No. 1 and No. 2) of the embodiment, FIG. 5 is an exploded perspective view of the high-frequency LC filter, FIG. 6A is a perspective view of the high-frequency LC filter (an external view of the finished product), and FIG. 6B is X of FIG. 3A.
It is a -Y line sectional view. 5 and 6, the same components as those in FIGS. 1 to 4 are designated by the same reference numerals.
【００４４】第３実施例は、第２実施例（図４参照）に
おいて、第４層１−４の誘電体層と、第５層１−５のス
ペーサ層とを兼用（同一誘電体層を使用）した例であ
る。従って、図５の多層基板は、誘電体層が１層少なく
なっており、第４層に、スペーサ層１−５を設定してあ
る。In the third embodiment, in the second embodiment (see FIG. 4), the dielectric layer of the fourth layer 1-4 and the spacer layer of the fifth layer 1-5 are also used (the same dielectric layer is used). Used). Therefore, the multilayer substrate of FIG. 5 has one less dielectric layer, and the spacer layer 1-5 is set as the fourth layer.
【００４５】なお、図５では、図４の１−４、１−５を
一緒にして、１−５で示してあり、第５層〜第７層も、
図４に合わせて、１−６、１−７、１−８で示してあ
る。従って、第３実施例では、第１層１−１が保護層
で、第２層１−２、第３層１−３、及び第４層１−５が
コイル部である。In FIG. 5, 1-4 and 1-5 in FIG. 4 are shown together as 1-5, and the fifth to seventh layers are also
In accordance with FIG. 4, reference numerals 1-6, 1-7 and 1-8 are shown. Therefore, in the third embodiment, the first layer 1-1 is the protective layer, and the second layer 1-2, the third layer 1-3, and the fourth layer 1-5 are the coil portions.
【００４６】また、第４層１−５がスペーサ層となって
おり、その下側の第５層１−６、第６層１−７、及び第
７層１−８がコンデンサ部となっている。上記のよう
に、第４層１−５は、コイル部とコンデンサ部との間に
ある層（誘電体層）であるから、この層をスペーサ層と
して使用するものである。The fourth layer 1-5 serves as a spacer layer, and the fifth layer 1-6, the sixth layer 1-7, and the seventh layer 1-8 below the spacer layer serve as a capacitor portion. There is. As described above, since the fourth layer 1-5 is a layer (dielectric layer) between the coil portion and the capacitor portion, this layer is used as a spacer layer.
【００４７】そして、第４層１−５のスペーサ層（誘電
体層）のみを、コンデンサ部を構成する第５層１−６〜
第７層１−８の誘電率（ε1 ）よりも低い誘電率
（ε2 ）の低誘電率材料で構成する（ε1 ＞ε2 ）。Then, only the spacer layer (dielectric layer) of the fourth layer 1-5 is included in the fifth layer 1-6 to 5-6 which constitute the capacitor section.
It is composed of a low dielectric constant material having a dielectric constant (ε 2 ) lower than the dielectric constant (ε 1 ) of the seventh layer 1-8 (ε 1 > ε 2 ).
【００４８】このようにすれば、全体の厚みを厚くする
ことなく（従来例と同じ）、コイル部とコンデンサ部と
の間の浮遊容量を少なくする事が出来る。なお、この実
施例では、スペーサ層１−５以外の各層は、製造を容易
にするため、同一誘電率材料（誘電率ε1 ）を使用す
る。また、スペーサ層の厚みは第２実施例と同様にす
る。By doing so, it is possible to reduce the stray capacitance between the coil section and the capacitor section without increasing the overall thickness (same as the conventional example). In this embodiment, each layer other than the spacer layers 1-5 uses the same dielectric constant material (dielectric constant ε 1 ) for easy manufacturing. The thickness of the spacer layer is the same as in the second embodiment.
【００４９】（高周波ＬＣフィルタの特性の説明）上記
実施例の高周波ＬＣフィルタの特性（通過帯域特性）を
図７に示す。この通過帯域特性は、実測データによる特
性例である。なお、比較のため、従来例の特性も併せて
示した。(Description of Characteristics of High-Frequency LC Filter) FIG. 7 shows the characteristics (pass band characteristics) of the high-frequency LC filter of the above embodiment. This pass band characteristic is an example of a characteristic based on actual measurement data. For comparison, the characteristics of the conventional example are also shown.
【００５０】図７において、横軸は周波数（ｆＭ
ＨZ ）、縦軸は減衰量（ｄＢ）を示す。また、図の点線
で示したの特性は、上記従来例２（図９参照）の通過
帯域特性であり、実線で示したの特性は、上記第１実
施例（図２、図３参照）の通過帯域特性である。In FIG. 7, the horizontal axis represents frequency (fM
H Z ), and the vertical axis represents the attenuation amount (dB). The characteristic indicated by the dotted line in the figure is the pass band characteristic of the above-mentioned conventional example 2 (see FIG. 9), and the characteristic indicated by the solid line is that of the first embodiment (see FIG. 2 and FIG. 3). It is a pass band characteristic.
【００５１】なお、図７の特性を測定するに当たり、減
衰帯の周波数（ｆr ）と通過帯の周波数（ｆp ）を合わ
せるため、コイルのパターニングは、第１実施例では、
従来例２に比べて、形状的に若干小さくしている。In measuring the characteristics of FIG. 7, in order to match the frequency (f r ) of the attenuation band with the frequency (f p ) of the pass band, the patterning of the coil is performed in the first embodiment.
The shape is slightly smaller than that of Conventional Example 2.
【００５２】この高周波フィルタの特徴は、通過帯（周
波数ｆp ）と減衰帯（周波数ｆr ）を有する通過帯域特
性となっていることである。の従来例の特性（点線の
特性）では、減衰帯（周波数ｆr ）において、２０ｄＢ
帯域巾（Δｆ１）が狭く、かつ最大減衰量も大きくな
い。また、通過帯（周波数ｆp ）においては、挿入損失
が大きかった。The characteristic of this high frequency filter is that it has a pass band characteristic having a pass band (frequency f p ) and an attenuation band (frequency f r ). In the characteristic of the conventional example (characteristic of the dotted line), 20 dB in the attenuation band (frequency f r ).
The bandwidth (Δf1) is narrow and the maximum attenuation is not large. In addition, the insertion loss was large in the pass band (frequency f p ).
【００５３】上記従来例の特性に対して、に示した第
１実施例の特性では、スペーサ層を設定したため、図示
のような特性になっている。すなわち、減衰帯（周波数
ｆr）において、２０ｄＢ帯域巾（Δｆ２）は、上記Δ
ｆ１より大きくとることが出来（Δｆ２＞Δｆ１）、か
つ最大減衰量も、に比べて大きくなっている。In contrast to the characteristics of the conventional example, the characteristics of the first embodiment shown in (1) have the characteristics shown in the figure because the spacer layer is set. That is, in the attenuation band (the frequency f r), 20 dB bandwidth (.DELTA.f2) is the Δ
It can be set larger than f1 (Δf2> Δf1), and the maximum attenuation amount is also larger than.
【００５４】また、通過帯（周波数ｆp ）においては、
に比べて挿入損失を小さくする事が出来ている。上記
特性により、第１実施例の高周波ＬＣフィルタでは、従
来例２に比べて、コイルの高Ｑ化が達成出来ていること
が実証出来た。In the pass band (frequency f p ),
Insertion loss can be reduced compared to. From the above characteristics, it was proved that the high-frequency LC filter of the first embodiment could achieve higher Q of the coil than the conventional example 2.
【００５５】（他の実施例）以上実施例について説明し
たが、本発明は次のようにしても実施可能である。 ：高周波ＬＣフィルタに限らず、コイル、コンデンサ
等を使用した他のＬＣ複合部品に適用可能である。(Other Embodiments) Although the embodiments have been described above, the present invention can be implemented as follows. : Not limited to the high frequency LC filter, it can be applied to other LC composite parts using a coil, a capacitor and the like.
【００５６】：第２実施例（図４参照）において、第
４層１−４の誘電体層も、第５層１−５のスペーサ層と
同じ低誘電率材料で構成しても良い。In the second embodiment (see FIG. 4), the dielectric layer of the fourth layer 1-4 may be made of the same low dielectric constant material as the spacer layer of the fifth layer 1-5.
【００５７】[0057]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。 ：上記第１実施例のように、コイル部とコンデンサ部
との間にスペーサ層を設けたことにより、コイル部とコ
ンデンサ部間の浮遊容量を少なくする事が出来る。As described above, the present invention has the following effects. : By providing the spacer layer between the coil portion and the capacitor portion as in the first embodiment, the stray capacitance between the coil portion and the capacitor portion can be reduced.
【００５８】従って、コイルの高Ｑ化が図れるため、挿
入損失が低下し、所定の減衰特性が確保出来る。 ：上記第２実施例のように、スペーサ層を低誘電率材
で構成すれば、第１実施例よりも、更に、コイル部とコ
ンデンサ部間の浮遊容量を少なくする事が出来る。この
ため、更にコイルの高Ｑ化が図れる。Therefore, since the Q of the coil can be increased, the insertion loss is reduced and a predetermined damping characteristic can be secured. When the spacer layer is made of a low dielectric constant material as in the second embodiment, the stray capacitance between the coil portion and the capacitor portion can be further reduced as compared with the first embodiment. Therefore, the Q of the coil can be further increased.
【００５９】：第３実施例のように、コイル部とコン
デンサ部との間にある誘電体層をスペーサ層とし、該ス
ペーサ層に、低誘電率材料を用いれば、全体の厚みを厚
くすることなく、コイルの高Ｑ化が達成出来る。As in the third embodiment, if the dielectric layer between the coil section and the capacitor section is used as a spacer layer and a low dielectric constant material is used for the spacer layer, the overall thickness can be increased. Therefore, high Q of the coil can be achieved.
【図１】本発明の原理説明図である。FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention.
【図２】本発明の第１実施例の説明図（その１）であ
る。FIG. 2 is an explanatory diagram (1) of the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第１実施例の説明図（その２）であ
る。FIG. 3 is an explanatory diagram (2) of the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第２実施例の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a second embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第３実施例の説明図（その１）であ
る。FIG. 5 is an explanatory diagram (Part 1) of the third embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第３実施例の説明図（その２）であ
る。FIG. 6 is an explanatory view (No. 2) of the third embodiment of the present invention.
【図７】通過帯域特性を示した図である。FIG. 7 is a diagram showing pass band characteristics.
【図８】従来例１の説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram of Conventional Example 1.
【図９】従来例２の説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram of Conventional Example 2.
１−１〜１−８ 多層基板の第１層〜第８層（誘電体
層） １−５ 第５層（スペーサ層） ２ コイルパターン（導体パターン） ３ コンデンサ電極パターン ４ ＧＮＤ電極パターン1-1 to 1-8 First layer to eighth layer (dielectric layer) of multilayer substrate 1-5 Fifth layer (spacer layer) 2 Coil pattern (conductor pattern) 3 Capacitor electrode pattern 4 GND electrode pattern
Claims (2)
層した多層基板を具備し、 該多層基板の一部の誘電体層（１−１〜１−４）上に、
コイル（Ｌ）を構成する導体パターン（２）を設定した
コイル部と、 別の誘電体層（１−６〜１−８）上に、コンデンサ
（Ｃ）を構成する導体パターン（３、４）を設定したコ
ンデンサ部とを設けると共に、 該コイル部と、コンデンサ部とを、多層基板の積層方向
で向かい合った位置に配置した高周波ＬＣ複合部品にお
いて、 上記コイル部と、コンデンサ部との間に、該コイル部及
びコンデンサ部間の間隔を大きくするスペーサ層（１−
５）を設定したことを特徴とする高周波ＬＣ複合部品。1. A multi-layer substrate having a plurality of dielectric layers (1-1 to 1-8) laminated, wherein a part of the multi-layer substrate has dielectric layers (1-1 to 1-4),
A conductor pattern (3, 4) forming a capacitor (C) on a coil portion in which a conductor pattern (2) forming the coil (L) is set and another dielectric layer (1-6 to 1-8). In a high-frequency LC composite component in which the coil section and the capacitor section are arranged at positions facing each other in the stacking direction of the multilayer substrate, the coil section and the capacitor section are provided between the coil section and the capacitor section. A spacer layer (1-
A high frequency LC composite part characterized by setting 5).
８）の誘電率（ε1 ）よりも、低い誘電率（ε2 ）の低
誘電率材料で構成した（ε1 ＞ε2 ）ことを特徴とする
請求項１記載の高周波ＬＣ複合部品。2. The spacer layer (1-5) is used as a dielectric layer (1-6 to 1- 1) constituting the capacitor section.
The high frequency LC composite component according to claim 1, wherein the high frequency LC composite component is composed of a low dielectric constant material having a lower dielectric constant (ε 2 ) than the dielectric constant (ε 1 ) of 8) (ε 1 > ε 2 ).
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4317056A JPH06163321A (en) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | Composite part of high-frequency lc |
| PCT/JP1993/000321 WO1993019527A1 (en) | 1992-03-19 | 1993-03-18 | Hybrid coupler |
| US08/117,139 US5382925A (en) | 1992-03-19 | 1993-03-18 | Hybrid coupler |
| EP93906788A EP0585469B1 (en) | 1992-03-19 | 1993-03-18 | Hybrid coupler |
| DE69321907T DE69321907T2 (en) | 1992-03-19 | 1993-03-18 | HYBRID COUPLER |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4317056A JPH06163321A (en) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | Composite part of high-frequency lc |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163321A true JPH06163321A (en) | 1994-06-10 |
Family
ID=18083931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4317056A Pending JPH06163321A (en) | 1992-03-19 | 1992-11-26 | Composite part of high-frequency lc |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163321A (en) |
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1992
- 1992-11-26 JP JP4317056A patent/JPH06163321A/en active Pending
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