JPH06155253A - ウエハの製造方法 - Google Patents
ウエハの製造方法Info
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- JPH06155253A JPH06155253A JP34150292A JP34150292A JPH06155253A JP H06155253 A JPH06155253 A JP H06155253A JP 34150292 A JP34150292 A JP 34150292A JP 34150292 A JP34150292 A JP 34150292A JP H06155253 A JPH06155253 A JP H06155253A
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- Japan
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- wafer
- orientation flat
- ingot
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハの欠けを防止することが可能なウエハ
の製造方法を提供する。 【構成】 オリエンテーションフラット加工工程とウエ
ハの切断工程との間に、及び／又は所定の厚みに切断さ
れたウエハの円周加工工程とラッピング工程との間に、
オリエンテーションフラット部の端部を研磨する工程を
含む。
の製造方法を提供する。 【構成】 オリエンテーションフラット加工工程とウエ
ハの切断工程との間に、及び／又は所定の厚みに切断さ
れたウエハの円周加工工程とラッピング工程との間に、
オリエンテーションフラット部の端部を研磨する工程を
含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に使用され
るウエハの製造方法に関する。
るウエハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９は、従来のウエハの製造方法を示す
フローチャートである。先ず引き上げ法によりインゴッ
トを生成し、結晶方位の確認及び比抵抗のチェックを行
った後、外周研削によりインゴットの断面が真円になる
ように成形する。そしてカップ状のダイヤモンド砥石を
用いて、ウエハの結晶方位の基準面をつくるためにオリ
エンテーションフラット加工を行う。このオリエンテー
ションフラット部は主に半導体装置の製造におけるマス
ク位置基準として使用される。このインゴットは洗浄し
た後、円周刃型切断機により所定の厚みに切断する。そ
してさらに洗浄を行った後、図10に示すベベリング機で
外周の角部のベベリング加工（面取り加工）を行う。こ
のベベリング機は、所定の厚みに切断されたウエハＷを
真空チャック11により水平に保持し、鼓型をした通常の
ラウンド砥石12を水平方向に回転してウエハＷの外周部
の面取り加工を行うものである。
フローチャートである。先ず引き上げ法によりインゴッ
トを生成し、結晶方位の確認及び比抵抗のチェックを行
った後、外周研削によりインゴットの断面が真円になる
ように成形する。そしてカップ状のダイヤモンド砥石を
用いて、ウエハの結晶方位の基準面をつくるためにオリ
エンテーションフラット加工を行う。このオリエンテー
ションフラット部は主に半導体装置の製造におけるマス
ク位置基準として使用される。このインゴットは洗浄し
た後、円周刃型切断機により所定の厚みに切断する。そ
してさらに洗浄を行った後、図10に示すベベリング機で
外周の角部のベベリング加工（面取り加工）を行う。こ
のベベリング機は、所定の厚みに切断されたウエハＷを
真空チャック11により水平に保持し、鼓型をした通常の
ラウンド砥石12を水平方向に回転してウエハＷの外周部
の面取り加工を行うものである。
【０００３】そしてこの後両面ラッピング，エッチング
及び鏡面研磨が施され、φ６″Siウエハを例にすると厚
み 0.625mm，オリエンテーションフラット部の長さ45〜
50mmに仕上げられる。このウエハの形状を図11に示す。
図11(a) はウエハの平面図であり、図11(b) は側面図で
ある。図11においてウエハの半径をａ、オリエンテーシ
ョンフラット部の長さをｂとすると、オリエンテーショ
ンフラット部の端部であるＩ部におけるオリエンテーシ
ョンフラット線と極近傍の円周の接線とがなす角度αは
以下の式で求められる。 α＝ sin-1（ｂ／２ａ） 但し（π／２）＜α＜π 一般的なφ６″Siウエハの値を代入するとα≒ 160°で
ある。
及び鏡面研磨が施され、φ６″Siウエハを例にすると厚
み 0.625mm，オリエンテーションフラット部の長さ45〜
50mmに仕上げられる。このウエハの形状を図11に示す。
図11(a) はウエハの平面図であり、図11(b) は側面図で
ある。図11においてウエハの半径をａ、オリエンテーシ
ョンフラット部の長さをｂとすると、オリエンテーショ
ンフラット部の端部であるＩ部におけるオリエンテーシ
ョンフラット線と極近傍の円周の接線とがなす角度αは
以下の式で求められる。 α＝ sin-1（ｂ／２ａ） 但し（π／２）＜α＜π 一般的なφ６″Siウエハの値を代入するとα≒ 160°で
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが従来方法によ
り製造されたウエハは、円周部は滑らかに研削されてい
るが、図11に示すＩ部は角の処理が行われず（α≒ 160
°）、角張ったままその後の加工工程へ搬送される。そ
うするとこの搬送途中，治具への取り付け時またはラッ
ピング，ポリッシング等の加工中に前記Ｉ部で欠け（チ
ッピング）を生じ易い。通常、ラッピング，ポリッシン
グで使用される研磨砥粒の粒径は大きくても数μm 程度
であるのに対し、このような欠けで生じる粒は数百μm
程度であることがある。この粒が加工液中に含まれると
他のウエハ表面に大きな傷をつけ、量産性向上に悪影響
を及ぼすことになる。本発明は、斯かる事情に鑑みてな
されたものであり、オリエンテーションフラット部の端
部を加工する工程を加えることにより、ウエハの欠けを
防止することが可能なウエハの製造方法を提供すること
を目的とする。
り製造されたウエハは、円周部は滑らかに研削されてい
るが、図11に示すＩ部は角の処理が行われず（α≒ 160
°）、角張ったままその後の加工工程へ搬送される。そ
うするとこの搬送途中，治具への取り付け時またはラッ
ピング，ポリッシング等の加工中に前記Ｉ部で欠け（チ
ッピング）を生じ易い。通常、ラッピング，ポリッシン
グで使用される研磨砥粒の粒径は大きくても数μm 程度
であるのに対し、このような欠けで生じる粒は数百μm
程度であることがある。この粒が加工液中に含まれると
他のウエハ表面に大きな傷をつけ、量産性向上に悪影響
を及ぼすことになる。本発明は、斯かる事情に鑑みてな
されたものであり、オリエンテーションフラット部の端
部を加工する工程を加えることにより、ウエハの欠けを
防止することが可能なウエハの製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係るウエハの製
造方法は、インゴットを円柱状に研削する第１工程と、
第１工程を経たインゴットにオリエンテーションフラッ
ト部を形成する第２工程と、第２工程を経たインゴット
をウエハに切断する第３工程と、前記ウエハの円周をベ
ベリング加工する第４工程と、第４工程を経たウエハに
ラッピングを施す第５工程とを含むウエハの製造方法に
おいて、前記第２工程と前記第３工程との間及び／又は
前記第４工程と前記第５工程との間に前記オリエンテー
ションフラット部の端部を研磨する工程を含むことを特
徴とする。
造方法は、インゴットを円柱状に研削する第１工程と、
第１工程を経たインゴットにオリエンテーションフラッ
ト部を形成する第２工程と、第２工程を経たインゴット
をウエハに切断する第３工程と、前記ウエハの円周をベ
ベリング加工する第４工程と、第４工程を経たウエハに
ラッピングを施す第５工程とを含むウエハの製造方法に
おいて、前記第２工程と前記第３工程との間及び／又は
前記第４工程と前記第５工程との間に前記オリエンテー
ションフラット部の端部を研磨する工程を含むことを特
徴とする。
【０００６】
【作用】本発明にあっては、結晶方位の基準面であるオ
リエンテーションフラット部とその他の円周部とがなす
境界の曲線不連続部を補正するので、その後のウエハの
搬送途中，治具への取り付け時またはラッピング，ポリ
ッシング等の加工中に起こる欠けを防止することができ
る。
リエンテーションフラット部とその他の円周部とがなす
境界の曲線不連続部を補正するので、その後のウエハの
搬送途中，治具への取り付け時またはラッピング，ポリ
ッシング等の加工中に起こる欠けを防止することができ
る。
【０００７】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図１は本発明に係るウエハの製造
方法を示すフローチャートである。先ず引き上げ法によ
りインゴットを生成し、結晶方位の確認及び比抵抗のチ
ェックを行った後、外周研削によりインゴットの断面が
真円になるように成形する。そしてカップ状のダイヤモ
ンド砥石を用いて、ウエハの結晶方位の基準面をつくる
ためにオリエンテーションフラット加工を行う。このオ
リエンテーションフラット部は主に半導体装置の製造に
おけるマスク位置基準として使用される。
き具体的に説明する。図１は本発明に係るウエハの製造
方法を示すフローチャートである。先ず引き上げ法によ
りインゴットを生成し、結晶方位の確認及び比抵抗のチ
ェックを行った後、外周研削によりインゴットの断面が
真円になるように成形する。そしてカップ状のダイヤモ
ンド砥石を用いて、ウエハの結晶方位の基準面をつくる
ためにオリエンテーションフラット加工を行う。このオ
リエンテーションフラット部は主に半導体装置の製造に
おけるマスク位置基準として使用される。
【０００８】このオリエンテーションフラット加工の
後、図２に示す装置にて後述する加工を行い（本加工
１）、洗浄する。次にこのインゴットは円周刃型切断機
により所定の厚みに切断し、洗浄した後、図11に示すベ
ベリング機で外周の角部の面取り加工を行う。このベベ
リング機は、所定の長さに切断されたウエハＷを真空チ
ャック11により水平に保持し、鼓型をした通常のラウン
ド砥石12を水平方向に回転してウエハＷの外周部のベベ
リング加工（面取り加工）を行うものである。
後、図２に示す装置にて後述する加工を行い（本加工
１）、洗浄する。次にこのインゴットは円周刃型切断機
により所定の厚みに切断し、洗浄した後、図11に示すベ
ベリング機で外周の角部の面取り加工を行う。このベベ
リング機は、所定の長さに切断されたウエハＷを真空チ
ャック11により水平に保持し、鼓型をした通常のラウン
ド砥石12を水平方向に回転してウエハＷの外周部のベベ
リング加工（面取り加工）を行うものである。
【０００９】このベベリング加工の後、図３に示す装置
にて後述する加工を行う（本加工２）。そしてこの後両
面ラッピング，エッチング及び鏡面研磨が施され、φ
６″Siウエハを例にすると厚み 0.625mm，オリエンテー
ションフラット部の長さ45〜50mmに仕上げられる。この
ウエハの形状を図４に示す。図４(a) はウエハの平面図
であり、図４(b) は側面図である。
にて後述する加工を行う（本加工２）。そしてこの後両
面ラッピング，エッチング及び鏡面研磨が施され、φ
６″Siウエハを例にすると厚み 0.625mm，オリエンテー
ションフラット部の長さ45〜50mmに仕上げられる。この
ウエハの形状を図４に示す。図４(a) はウエハの平面図
であり、図４(b) は側面図である。
【００１０】図２は本発明方法における前記本加工１に
用いる装置及びその実施状態をを示す斜視図である。図
中１は、円柱状のシリコンロッドであり、側面の一部は
オリエンテーションフラット加工され、オリエンテーシ
ョンフラット部1aを形成している。このシリコンロッド
１の結晶軸と平行に、円柱状の２本のローラ２，２が配
設されている。このローラ２，２間に、研磨砥粒を付着
させたフィルム状のポリッシャ３を渡して巻きつけてあ
り、矢符で示す如く同方向に回転するようになしてあ
る。そしてさらに研磨砥粒を含む研磨液を吹き付ける研
磨液ノズルＳが、その吹き付け口を研磨位置に向けた態
様で設置されている。
用いる装置及びその実施状態をを示す斜視図である。図
中１は、円柱状のシリコンロッドであり、側面の一部は
オリエンテーションフラット加工され、オリエンテーシ
ョンフラット部1aを形成している。このシリコンロッド
１の結晶軸と平行に、円柱状の２本のローラ２，２が配
設されている。このローラ２，２間に、研磨砥粒を付着
させたフィルム状のポリッシャ３を渡して巻きつけてあ
り、矢符で示す如く同方向に回転するようになしてあ
る。そしてさらに研磨砥粒を含む研磨液を吹き付ける研
磨液ノズルＳが、その吹き付け口を研磨位置に向けた態
様で設置されている。
【００１１】以上の如き構成の装置において、ローラ
２，２を矢符方向へ回転させてポリッシャ３をシリコン
ロッド１のエッジ部1b上でスライドさせ、研磨液ノズル
Ｓより研磨液を吹き付け、さらにシリコンロッド１を白
抜矢符方向へ移動させてエッジ部1bの研磨を行う。なお
ポリッシャ３に代えて、気孔があるポリッシャを用い砥
粒を含む加工液を供給し研磨を行ってもよい。前記角度
βは適当な条件で設定すればよい。
２，２を矢符方向へ回転させてポリッシャ３をシリコン
ロッド１のエッジ部1b上でスライドさせ、研磨液ノズル
Ｓより研磨液を吹き付け、さらにシリコンロッド１を白
抜矢符方向へ移動させてエッジ部1bの研磨を行う。なお
ポリッシャ３に代えて、気孔があるポリッシャを用い砥
粒を含む加工液を供給し研磨を行ってもよい。前記角度
βは適当な条件で設定すればよい。
【００１２】図３は本発明方法における前記本加工２に
用いる装置及びその実施状態をを示す模式図であり、図
３(a) は平面図、図３(b) は側面図である。図中Ｗは、
オリエンテーションフラット部Ｗa が形成され、ベベリ
ング加工されたウエハであり、真空チャック５にて水平
に保持されている。そしてウエハＷの結晶軸と平行に円
柱状の２本のローラ４，４が、オリエンテーションフラ
ット部Ｗa の両エッジ部Ｗb ，Ｗb と接するように配設
されている。このローラ４，４には研磨パッドを貼り付
けてあり、矢符で示す如く逆方向に回転するようになし
てある。また両エッジ部Ｗb ，Ｗb に接するように位置
調節可能になしてある。
用いる装置及びその実施状態をを示す模式図であり、図
３(a) は平面図、図３(b) は側面図である。図中Ｗは、
オリエンテーションフラット部Ｗa が形成され、ベベリ
ング加工されたウエハであり、真空チャック５にて水平
に保持されている。そしてウエハＷの結晶軸と平行に円
柱状の２本のローラ４，４が、オリエンテーションフラ
ット部Ｗa の両エッジ部Ｗb ，Ｗb と接するように配設
されている。このローラ４，４には研磨パッドを貼り付
けてあり、矢符で示す如く逆方向に回転するようになし
てある。また両エッジ部Ｗb ，Ｗb に接するように位置
調節可能になしてある。
【００１３】以上の如き構成の装置において、ローラ
４，４を矢符方向へ回転させ、ウエハＷをこのローラ
４，４に押しつけることでエッジ部Ｗb の研磨を行う。
４，４を矢符方向へ回転させ、ウエハＷをこのローラ
４，４に押しつけることでエッジ部Ｗb の研磨を行う。
【００１４】図５，図６は本発明方法における前記本加
工１に用いる第２，第３の装置及びその実施状態をを示
す斜視図である。図中１は、円柱状のシリコンロッドで
あり、側面の一部はオリエンテーションフラット加工さ
れ、オリエンテーションフラット部1aを形成している。
工１に用いる第２，第３の装置及びその実施状態をを示
す斜視図である。図中１は、円柱状のシリコンロッドで
あり、側面の一部はオリエンテーションフラット加工さ
れ、オリエンテーションフラット部1aを形成している。
【００１５】図５においてオリエンテーションフラット
部1aの１エッジ部1bに接するように、従来オリエンテー
ションフラット加工に用いられているカップ型砥石６を
配設してある。このカップ型砥石６はその取り付け角度
（回転軸角度）を変えて研磨角度を変更することが可能
な構成としてある。このような装置においてカップ型砥
石６を回転させつつ、シリコンロッド１を白抜矢符方向
へ移動させてエッジ部1bの研磨を行う。また取り付け角
度が異なる複数のカップ型砥石を取り付ける構成として
もよい。
部1aの１エッジ部1bに接するように、従来オリエンテー
ションフラット加工に用いられているカップ型砥石６を
配設してある。このカップ型砥石６はその取り付け角度
（回転軸角度）を変えて研磨角度を変更することが可能
な構成としてある。このような装置においてカップ型砥
石６を回転させつつ、シリコンロッド１を白抜矢符方向
へ移動させてエッジ部1bの研磨を行う。また取り付け角
度が異なる複数のカップ型砥石を取り付ける構成として
もよい。
【００１６】図６においてオリエンテーションフラット
部1aの１エッジ部1bに接するように、複数の円柱状のロ
ーラ７，７，７がその取り付け角度（回転軸角度）を異
ならせて配設されている。このローラ７，７，７表面に
は研磨パッドが巻き付けられている。
部1aの１エッジ部1bに接するように、複数の円柱状のロ
ーラ７，７，７がその取り付け角度（回転軸角度）を異
ならせて配設されている。このローラ７，７，７表面に
は研磨パッドが巻き付けられている。
【００１７】本発明方法を用いて製造したウエハのチッ
ピング性試験を、図７に示す試験器により行った。図７
(a) は側面図を示し、図７(b) は平面図を示す。図中17
は、ウエハＷより硬度が高い石英盤であり、その上に、
図面において左右方向にウエハＷの直径より少し大きい
間隔で２つのガイド18a, 18bが設置されている。ガイド
18a は固定されており、ガイド18b はウエハＷの直径に
応じて矢符で示す方向へ位置調節を行うことが可能なよ
うになしてある。そしてガイド18a, 18bの間隔のほぼ中
央に、ウエハＷの厚みより少し大きい間隔で２本の支柱
19，19が設置されている。これら２本の支柱19，19間の
所定の高さの位置にはピン20が貫通されている。このよ
うに四方を制限された空間にウエハＷを、その平面が垂
直になるように挿入すると、前記所定高さにおいてウエ
ハＷは支持される。
ピング性試験を、図７に示す試験器により行った。図７
(a) は側面図を示し、図７(b) は平面図を示す。図中17
は、ウエハＷより硬度が高い石英盤であり、その上に、
図面において左右方向にウエハＷの直径より少し大きい
間隔で２つのガイド18a, 18bが設置されている。ガイド
18a は固定されており、ガイド18b はウエハＷの直径に
応じて矢符で示す方向へ位置調節を行うことが可能なよ
うになしてある。そしてガイド18a, 18bの間隔のほぼ中
央に、ウエハＷの厚みより少し大きい間隔で２本の支柱
19，19が設置されている。これら２本の支柱19，19間の
所定の高さの位置にはピン20が貫通されている。このよ
うに四方を制限された空間にウエハＷを、その平面が垂
直になるように挿入すると、前記所定高さにおいてウエ
ハＷは支持される。
【００１８】この状態でピン20を抜き去るとウエハＷは
ガイド18a, 18bに沿って落下する。このとき石英盤17は
ウエハＷより硬度が高いため、石英盤17は欠けることな
くウエハＷが欠けるようになっている。ウエハＷの加工
条件は以下の通りである。 材料 ６インチSiウエハ(100) 比抵抗10
Ωcm Ｐ型 ベルト砥石送り速度 ３ｍ／分 砥粒粒度 ＃６０００ 押し付け力 約４００ｇｆ／cm2 ロッド押し出し速度 ５０cm／分
ガイド18a, 18bに沿って落下する。このとき石英盤17は
ウエハＷより硬度が高いため、石英盤17は欠けることな
くウエハＷが欠けるようになっている。ウエハＷの加工
条件は以下の通りである。 材料 ６インチSiウエハ(100) 比抵抗10
Ωcm Ｐ型 ベルト砥石送り速度 ３ｍ／分 砥粒粒度 ＃６０００ 押し付け力 約４００ｇｆ／cm2 ロッド押し出し速度 ５０cm／分
【００１９】測定点は図４に示すようにオリエンテーシ
ョンフラット部の中央部をＡ，エッジ部をＢとして、そ
こから約45°毎に４点とりＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆの６
点である。Ｆ点におけるチッピング発生数を１として、
これに対する相対値でチッピング発生数を棒グラフで表
したものを図８に示す。白抜きは従来方法による結果で
あり、斜線有りは本発明方法による結果である。本発明
方法，従来方法のいずれの場合もＢ点における値が最も
高いが、従来方法ではＦ点の８倍であったものが、本発
明方法では３倍程度にまで改善されている。このように
本発明方法を実施するとチッピング発生数は軽減してい
ることが判る。
ョンフラット部の中央部をＡ，エッジ部をＢとして、そ
こから約45°毎に４点とりＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆの６
点である。Ｆ点におけるチッピング発生数を１として、
これに対する相対値でチッピング発生数を棒グラフで表
したものを図８に示す。白抜きは従来方法による結果で
あり、斜線有りは本発明方法による結果である。本発明
方法，従来方法のいずれの場合もＢ点における値が最も
高いが、従来方法ではＦ点の８倍であったものが、本発
明方法では３倍程度にまで改善されている。このように
本発明方法を実施するとチッピング発生数は軽減してい
ることが判る。
【００２０】なお以上の結果は本加工２のみを実施した
場合の結果であり、本加工１のみを実施した場合も同様
の効果が得られ、本加工１，２を併用した場合はよりよ
い効果が得られる。
場合の結果であり、本加工１のみを実施した場合も同様
の効果が得られ、本加工１，２を併用した場合はよりよ
い効果が得られる。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明に係るウエハの製造
方法では、オリエンテーションフラット部の端部を加工
する工程を有するので、この部分で多く発生していた欠
けを軽減し、歩留りを向上することができる等、本発明
は優れた効果を奏する。
方法では、オリエンテーションフラット部の端部を加工
する工程を有するので、この部分で多く発生していた欠
けを軽減し、歩留りを向上することができる等、本発明
は優れた効果を奏する。
【図１】本発明に係るウエハの製造方法を示すフローチ
ャートである。
ャートである。
【図２】本発明方法における本加工１の実施に使用する
装置を示す斜視図である。
装置を示す斜視図である。
【図３】本発明方法における本加工２の実施に使用する
装置を示す斜視図である。
装置を示す斜視図である。
【図４】本発明方法により得られるウエハを示す平面図
及び側面図である。
及び側面図である。
【図５】本発明方法における本加工１の実施に使用する
装置の第２実施例を示す斜視図である。
装置の第２実施例を示す斜視図である。
【図６】本発明方法における本加工１の実施に使用する
装置の第３実施例を示す斜視図である。
装置の第３実施例を示す斜視図である。
【図７】チッピング性試験を行う試験器を示す模式図で
ある。
ある。
【図８】チッピング発生数を示す棒グラフである。
【図９】従来のウエハの製造方法を示すフローチャート
である。
である。
【図１０】ベベリング機を示す模式図である。
【図１１】従来方法により得られるウエハを示す平面図
及び側面図である。
及び側面図である。
Ｗ ウエハ Ｓ 研磨液ノズル １ シリコンロッド 1a，Ｗa オリエンテーションフラット部 1b，Ｗb エッジ部 ２，４，６，７ ローラ ３ ポリッシャ ５ 真空チャック
Claims (1)
- 【請求項１】 インゴットを円柱状に研削する第１工程
と、第１工程を経たインゴットにオリエンテーションフ
ラット部を形成する第２工程と、第２工程を経たインゴ
ットをウエハに切断する第３工程と、前記ウエハの円周
をベベリング加工する第４工程と、第４工程を経たウエ
ハにラッピングを施す第５工程とを含むウエハの製造方
法において、前記第２工程と前記第３工程との間及び／
又は前記第４工程と前記第５工程との間に前記オリエン
テーションフラット部の端部を研磨する工程を含むこと
を特徴とするウエハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34150292A JPH06155253A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | ウエハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34150292A JPH06155253A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | ウエハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06155253A true JPH06155253A (ja) | 1994-06-03 |
Family
ID=18346561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34150292A Pending JPH06155253A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | ウエハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06155253A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011013754A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | 電気化学工業株式会社 | Ｌｅｄ搭載用ウエハとその製造方法、及びそのウエハを用いたｌｅｄ搭載構造体 |
-
1992
- 1992-11-27 JP JP34150292A patent/JPH06155253A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011013754A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | 電気化学工業株式会社 | Ｌｅｄ搭載用ウエハとその製造方法、及びそのウエハを用いたｌｅｄ搭載構造体 |
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