JPH06152241A - 電圧制御型発振器 - Google Patents
電圧制御型発振器Info
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- JPH06152241A JPH06152241A JP4293173A JP29317392A JPH06152241A JP H06152241 A JPH06152241 A JP H06152241A JP 4293173 A JP4293173 A JP 4293173A JP 29317392 A JP29317392 A JP 29317392A JP H06152241 A JPH06152241 A JP H06152241A
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- JP
- Japan
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- section
- controlled oscillator
- circuit
- silver
- voltage controlled
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
- H05K1/0298—Multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】高調波成分やスプリアス成分を除去した発振出
力がえられ、且つ小型化された電圧制御型発振器を提供
する。 【構成】本発明は、ストリップライン２１から成る共振
回路部１１を有するＶＣＯ部１０と、複数のＬ−Ｃ回路
から成るＢＰＦ部１４とを多層回路基板の基板本体２に
構成した電圧制御型発振器であって、前記基板本体２を
低温焼成可能な誘電体層を複数積層するとともに、銀系
又は銅系導体からなるストリップライン２１を挟持する
２つの誘電体層２ｂ、２ｃを、銀系又は銅系導体から成
る２つのアース電極層２２、２３で挟持して共振回路部
１１を配置し、誘電体層２ｂ、２ｃ間にスパイラル状コ
イル２５、２６とアース電極層２２、２３間で所定容量
を発生するコンデンサ電極パターン２７、２８を夫々形
成して、ＢＰＦ部１４の一部を基板本体２の内部に配置
した。
力がえられ、且つ小型化された電圧制御型発振器を提供
する。 【構成】本発明は、ストリップライン２１から成る共振
回路部１１を有するＶＣＯ部１０と、複数のＬ−Ｃ回路
から成るＢＰＦ部１４とを多層回路基板の基板本体２に
構成した電圧制御型発振器であって、前記基板本体２を
低温焼成可能な誘電体層を複数積層するとともに、銀系
又は銅系導体からなるストリップライン２１を挟持する
２つの誘電体層２ｂ、２ｃを、銀系又は銅系導体から成
る２つのアース電極層２２、２３で挟持して共振回路部
１１を配置し、誘電体層２ｂ、２ｃ間にスパイラル状コ
イル２５、２６とアース電極層２２、２３間で所定容量
を発生するコンデンサ電極パターン２７、２８を夫々形
成して、ＢＰＦ部１４の一部を基板本体２の内部に配置
した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ストリップラインから
成る共振回路部を有する電圧制御型発振回路部（以下、
ＶＣＯ部という）とバンドパスフィルタ回路部（以下、
ＢＰＦ部という）とを多層回路基板に形成した電圧制御
型発振器に関するものである。
成る共振回路部を有する電圧制御型発振回路部（以下、
ＶＣＯ部という）とバンドパスフィルタ回路部（以下、
ＢＰＦ部という）とを多層回路基板に形成した電圧制御
型発振器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】移動体通信機器などに多用されている電
圧制御型発振器は、図３に示すスパーヘテロダイン方式
の受発信方式の一部（図中の点線部分）に使用されてい
た。
圧制御型発振器は、図３に示すスパーヘテロダイン方式
の受発信方式の一部（図中の点線部分）に使用されてい
た。
【０００３】例えば受信方式においては、アンテナ（Ａ
ＮＴ）から検波された無線信号は、高周波増幅器（ＲＦ
増幅）で増幅され、所定チャンネルの周波数の信号がバ
ンドパスフィルタ（ＢＰＦ）で選択される。このＢＰＦ
を通過する信号は、例えば携帯用電話の場合、８００Ｍ
Ｈｚ前後の高い周波数である。これを音声に変化するた
めに、ミキサー（ＭＩＸ）で中間周波におとされ、中間
増幅器（ＩＦ増幅）で増幅され、復調器（ＤＥＴ）で復
調されていた。
ＮＴ）から検波された無線信号は、高周波増幅器（ＲＦ
増幅）で増幅され、所定チャンネルの周波数の信号がバ
ンドパスフィルタ（ＢＰＦ）で選択される。このＢＰＦ
を通過する信号は、例えば携帯用電話の場合、８００Ｍ
Ｈｚ前後の高い周波数である。これを音声に変化するた
めに、ミキサー（ＭＩＸ）で中間周波におとされ、中間
増幅器（ＩＦ増幅）で増幅され、復調器（ＤＥＴ）で復
調されていた。
【０００４】この時、中間周波の周波数変換するため
に、電圧制御型発振回路（ＶＣＯ部）からの局発振の信
号がＭＩＸに入力する。この電圧制御型発振回路の信号
は、発振周波数の高調波成分やスプリアス成分が除去、
或いは充分に減衰されていることが重要となる。
に、電圧制御型発振回路（ＶＣＯ部）からの局発振の信
号がＭＩＸに入力する。この電圧制御型発振回路の信号
は、発振周波数の高調波成分やスプリアス成分が除去、
或いは充分に減衰されていることが重要となる。
【０００５】しかし、電圧制御型発振回路を有する電圧
制御型発振器が小型化されると、高調波成分やスプリア
ス成分の除去が充分に行えない。このため、電圧制御型
発振回路の出力段にバンドパスフィルタ（ＢＰＦ部）を
接続して、高調波成分やスプリアス成分を除去してい
た。
制御型発振器が小型化されると、高調波成分やスプリア
ス成分の除去が充分に行えない。このため、電圧制御型
発振回路の出力段にバンドパスフィルタ（ＢＰＦ部）を
接続して、高調波成分やスプリアス成分を除去してい
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする問題点】しかし、ＢＰＦ部を
ＶＣＯ部に接続しようとしても、単板の誘電体基板上に
ＢＰＦ部を構成する複数のＬ−Ｃ共振回路や複数の誘電
体共振器する必要があり、基板の形状が大きくなってし
まう。
ＶＣＯ部に接続しようとしても、単板の誘電体基板上に
ＢＰＦ部を構成する複数のＬ−Ｃ共振回路や複数の誘電
体共振器する必要があり、基板の形状が大きくなってし
まう。
【０００７】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たものであり、高調波成分やスプリアス成分を除去した
局発振信号がえられ、且つ小型化された電圧制御型発振
器を提供することにある。
たものであり、高調波成分やスプリアス成分を除去した
局発振信号がえられ、且つ小型化された電圧制御型発振
器を提供することにある。
【０００８】
【問題点を解決するための手段】本発明は、 共振回路
部を含む電圧制御型発振回路部とＬ−Ｃ回路からなるバ
ンドパスフィルタ回路部とを多層回路基板に構成した電
圧制御型発振器であって、前記多層回路基板を低温焼成
可能な誘電体層を複数積層して形成するとともに、前記
共振回路部を銀系又は銅系導体から成る２つのアース電
極層間に銀系又は銅系のストリップラインを配すること
によって形成し、且つ前記バンドパスフィルタ回路部の
Ｌ−Ｃ回路をアース電極層の一方に対し、間に誘電体層
を挟んでコンデンサ電極が接続されたコイルを配置させ
ることによって形成した電圧制御型発振器である。
部を含む電圧制御型発振回路部とＬ−Ｃ回路からなるバ
ンドパスフィルタ回路部とを多層回路基板に構成した電
圧制御型発振器であって、前記多層回路基板を低温焼成
可能な誘電体層を複数積層して形成するとともに、前記
共振回路部を銀系又は銅系導体から成る２つのアース電
極層間に銀系又は銅系のストリップラインを配すること
によって形成し、且つ前記バンドパスフィルタ回路部の
Ｌ−Ｃ回路をアース電極層の一方に対し、間に誘電体層
を挟んでコンデンサ電極が接続されたコイルを配置させ
ることによって形成した電圧制御型発振器である。
【０００９】
【作用】本発明の電圧制御型発振器によれば、低温焼成
可能な誘電体層を複数積層して構成された多層回路基板
内に、ＶＣＯ部の共振回路部、特にストリップラインが
形成され、さらに、ＢＰＦ部のＬ−Ｃ共振回路が配置さ
れている。従って、低温焼成可能な誘電体層で基板を構
成しているので、ストリップラインやＢＰＦ部のＬ（イ
ンダクタンス成分）−Ｃ（容量成分）の各パターンが銀
系又は銅系導体で構成され、高周波特性が向上する。
可能な誘電体層を複数積層して構成された多層回路基板
内に、ＶＣＯ部の共振回路部、特にストリップラインが
形成され、さらに、ＢＰＦ部のＬ−Ｃ共振回路が配置さ
れている。従って、低温焼成可能な誘電体層で基板を構
成しているので、ストリップラインやＢＰＦ部のＬ（イ
ンダクタンス成分）−Ｃ（容量成分）の各パターンが銀
系又は銅系導体で構成され、高周波特性が向上する。
【００１０】また、基板本体の表面に、専有面積が広い
共振回路部のストリップラインを形成する必要がないた
め、基板全体、即ち発振器の小型化が達成できる。
共振回路部のストリップラインを形成する必要がないた
め、基板全体、即ち発振器の小型化が達成できる。
【００１１】さらに、ＢＰＦ部のインダクタンス成分を
発生するコイルと接続するコンデンサ電極パターンが基
板内部に配置されているため、基板全体の小型化が達成
できる。
発生するコイルと接続するコンデンサ電極パターンが基
板内部に配置されているため、基板全体の小型化が達成
できる。
【００１２】しかも、コンデンサ電極パターンとストリ
ップラインを挟持する一方のアース電極層との間で容量
成分を得るので、他方のコンデンサ電極を形成する必要
がなく、積層数の低減が図れることになる。
ップラインを挟持する一方のアース電極層との間で容量
成分を得るので、他方のコンデンサ電極を形成する必要
がなく、積層数の低減が図れることになる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の電圧制御型発振器を図面に基
づいて詳説する。
づいて詳説する。
【００１４】図１は、電圧制御型発振器の回路図であ
り、図２は電圧制御型発振器の分解斜視図である。
り、図２は電圧制御型発振器の分解斜視図である。
【００１５】電圧制御型発振器は、共振回路部１１と、
負性抵抗回路部１２と、増幅回路部１３とから成るＶＣ
Ｏ部１０と複数のＬ−Ｃ共振回路部から成るＢＰＦ部１
４とから構成されている。
負性抵抗回路部１２と、増幅回路部１３とから成るＶＣ
Ｏ部１０と複数のＬ−Ｃ共振回路部から成るＢＰＦ部１
４とから構成されている。
【００１６】基本的な動作としては、ＶＣＯ部１０の共
振回路部１１のストリップラインＳＬ１とバリキャップ
ダイオードＤＶが並列的に接続されており、発振周波数
を制御する制御電圧がＶＴ端子に入力されると、バリキ
ャップダイオードＤＶの容量が可変してストリップライ
ンＳＬ１と共動して所定周波数で共振をおこなう。この
信号が、トランジスタＱ1 などから成る負性抵抗回路部
１２及び増幅トランジスタＱ2 などから成る増幅回路部
１３で、所定周波数の発振信号をＢＰＦ部１４に出力す
る。
振回路部１１のストリップラインＳＬ１とバリキャップ
ダイオードＤＶが並列的に接続されており、発振周波数
を制御する制御電圧がＶＴ端子に入力されると、バリキ
ャップダイオードＤＶの容量が可変してストリップライ
ンＳＬ１と共動して所定周波数で共振をおこなう。この
信号が、トランジスタＱ1 などから成る負性抵抗回路部
１２及び増幅トランジスタＱ2 などから成る増幅回路部
１３で、所定周波数の発振信号をＢＰＦ部１４に出力す
る。
【００１７】さらに、この発振出力をＢＰＦ部１４で、
所定周波数帯域のみを通過させて、所定発振周波数以外
の高調波成分やスプリアス成分を除去または減衰させ
る。
所定周波数帯域のみを通過させて、所定発振周波数以外
の高調波成分やスプリアス成分を除去または減衰させ
る。
【００１８】これにより、移動帯通信のスーパーヘテロ
ダイン方式において、安定した局発振信号をＭＩＸに供
給できるものとなる。
ダイン方式において、安定した局発振信号をＭＩＸに供
給できるものとなる。
【００１９】このような図１に示す電圧制御型発振器
（図３の点線部分）は、図２に示すように多層回路基板
の基板本体２内部及び主面上の所定回路によって構成さ
れ、シールドケース３０が被覆されて構成されている。
（図３の点線部分）は、図２に示すように多層回路基板
の基板本体２内部及び主面上の所定回路によって構成さ
れ、シールドケース３０が被覆されて構成されている。
【００２０】多層化された基板本体２は、例えば３層の
誘電体層２ａ〜２ｃから成り、基板本体２の内部には共
振回路部１１のストリップライン（ＳＬ１）２１、第１
のアース電極層２２、ビアホール２４、さらにＢＰＦ部
１４を構成するＬ−Ｃ共振回路部、実際には、インダク
タンスＬ1 、Ｌ2 となるスパイラル状のコイルパターン
２５、２６、容量Ｃ１２、Ｃ１３を発生する一方のコン
デンサ電極パターン２７、２８が形成されている。
誘電体層２ａ〜２ｃから成り、基板本体２の内部には共
振回路部１１のストリップライン（ＳＬ１）２１、第１
のアース電極層２２、ビアホール２４、さらにＢＰＦ部
１４を構成するＬ−Ｃ共振回路部、実際には、インダク
タンスＬ1 、Ｌ2 となるスパイラル状のコイルパターン
２５、２６、容量Ｃ１２、Ｃ１３を発生する一方のコン
デンサ電極パターン２７、２８が形成されている。
【００２１】基板本体２の一方主面には、表面配線パタ
ーン２９が形成され、さらに、基板本体２の他方主面に
は、第２のアース電極層２３が形成されている。
ーン２９が形成され、さらに、基板本体２の他方主面に
は、第２のアース電極層２３が形成されている。
【００２２】尚、基板本体２の一方主面に形成した表面
配線パターン２９には、基板本体２の内部に形成された
以外の回路を構成するために、各種電子部品、バリキャ
ップダイオードＤＶ、チップコンデンサーＣ、チップ抵
抗Ｒ、トランジスタＴｒなどが搭載されている。
配線パターン２９には、基板本体２の内部に形成された
以外の回路を構成するために、各種電子部品、バリキャ
ップダイオードＤＶ、チップコンデンサーＣ、チップ抵
抗Ｒ、トランジスタＴｒなどが搭載されている。
【００２３】基板本体２は、所定誘電率を有し、且つ低
温で焼成可能なガラス−セラミック材料、例えばＳｉＯ
2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 、ＺｎＯなどのから成るガラ
ス成分とアルミナ粉末などから成る無機物フィラーの混
合した基板材料が挙げられる。その成分比率は、ガラス
成分が２０〜８０ｗｔ％、アルミナ粉末などの無機物フ
ィラーが３０〜７０ｗｔ％であり、このような基板材料
をグリンーシート化して、複数枚積層し、焼成すること
により、達成されるが、その焼成温度は約８００〜１０
００℃という低温で焼成される。
温で焼成可能なガラス−セラミック材料、例えばＳｉＯ
2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 、ＺｎＯなどのから成るガラ
ス成分とアルミナ粉末などから成る無機物フィラーの混
合した基板材料が挙げられる。その成分比率は、ガラス
成分が２０〜８０ｗｔ％、アルミナ粉末などの無機物フ
ィラーが３０〜７０ｗｔ％であり、このような基板材料
をグリンーシート化して、複数枚積層し、焼成すること
により、達成されるが、その焼成温度は約８００〜１０
００℃という低温で焼成される。
【００２４】基板本体２の製造方法は、上述の誘電体層
２ａ〜２ｃとなる夫々のグリーンシート上に、例えば銀
系導体材料のペーストによりストリップライン２１、ア
ース電極層２２、スパイラル状のコイルパターン２５、
２６、コンデンサ電極パターン２７、２８を印刷形成す
る。具体的には、各グリーンシートには、所定接続が達
成されるようにパンチ加工を施してビアホール２４が形
成されるスルーホールを形成して、該スルーホールに例
えば銀系導体ペーストを充填する。また、誘電体層２ｂ
となるグリーンシート上にビアホール２４の周囲を除い
て略全面にアース電極層２２を形成する。また、誘電体
層２ｃとなるグリーンシート上に所定形状のストリップ
ライン２１及びコイルパターン２５、２６、コンデンサ
電極パターン２７、２８を形成する。
２ａ〜２ｃとなる夫々のグリーンシート上に、例えば銀
系導体材料のペーストによりストリップライン２１、ア
ース電極層２２、スパイラル状のコイルパターン２５、
２６、コンデンサ電極パターン２７、２８を印刷形成す
る。具体的には、各グリーンシートには、所定接続が達
成されるようにパンチ加工を施してビアホール２４が形
成されるスルーホールを形成して、該スルーホールに例
えば銀系導体ペーストを充填する。また、誘電体層２ｂ
となるグリーンシート上にビアホール２４の周囲を除い
て略全面にアース電極層２２を形成する。また、誘電体
層２ｃとなるグリーンシート上に所定形状のストリップ
ライン２１及びコイルパターン２５、２６、コンデンサ
電極パターン２７、２８を形成する。
【００２５】その後、積層順序を考慮して、誘電体層２
ａ〜２ｃを積層して一体化し、酸化性雰囲気中、例えば
９００℃で焼成する。これにより基板本体２の両最外表
面に位置する誘電体層２ａ、２ｃの表面には、ストリッ
プライン２１、アース電極層２２から延びるビアホール
２４が露出している。
ａ〜２ｃを積層して一体化し、酸化性雰囲気中、例えば
９００℃で焼成する。これにより基板本体２の両最外表
面に位置する誘電体層２ａ、２ｃの表面には、ストリッ
プライン２１、アース電極層２２から延びるビアホール
２４が露出している。
【００２６】次に、焼成された基板本体１の一方主面
に、銅系導体で表面配線パターン２９が印刷・焼成され
る。また、基板本体１の他方主面に、銅系導体でアース
電極層２３が印刷・焼成される。この時、焼成条件とし
ては、非酸化性雰囲気で、７８０℃未満の温度で焼成す
る。尚、表面配線パターン２９、アース電極層２３の材
料として、銀系（銀、又は銀−パラジウムなどの銀合
金）であれば、酸化性雰囲気で、９００℃程度で焼成す
る。
に、銅系導体で表面配線パターン２９が印刷・焼成され
る。また、基板本体１の他方主面に、銅系導体でアース
電極層２３が印刷・焼成される。この時、焼成条件とし
ては、非酸化性雰囲気で、７８０℃未満の温度で焼成す
る。尚、表面配線パターン２９、アース電極層２３の材
料として、銀系（銀、又は銀−パラジウムなどの銀合
金）であれば、酸化性雰囲気で、９００℃程度で焼成す
る。
【００２７】基板本体２の一方主面に形成した表面配線
パターン２９上には、図１に示す共振回路部１１の一
部、負性抵抗回路部１２、増幅回路部１３、ＢＰＦ部１
４の一部となるバリキャップダイオードＤＶ、チップコ
ンデンサーＣ、抵抗Ｒ、トランジスタＴｒなどが半田接
合される。図２では、ＢＰＦ部１４の入出力コンデンサ
やＬ−Ｃ共振回路の結合用コンデンサとなるチップコン
デンサＣのみが表記されているが、その他に、ＶＣＯ部
１０の共振回路部１１のストリップライン２１を除くチ
ップコンデンサＣやバリキャップダイオードＤＶが配置
され、また負性抵抗部１２、増幅回路部１３を構成する
チップコンデンサーＣ、抵抗Ｒ、トランジスタＴｒなど
が配置されている。
パターン２９上には、図１に示す共振回路部１１の一
部、負性抵抗回路部１２、増幅回路部１３、ＢＰＦ部１
４の一部となるバリキャップダイオードＤＶ、チップコ
ンデンサーＣ、抵抗Ｒ、トランジスタＴｒなどが半田接
合される。図２では、ＢＰＦ部１４の入出力コンデンサ
やＬ−Ｃ共振回路の結合用コンデンサとなるチップコン
デンサＣのみが表記されているが、その他に、ＶＣＯ部
１０の共振回路部１１のストリップライン２１を除くチ
ップコンデンサＣやバリキャップダイオードＤＶが配置
され、また負性抵抗部１２、増幅回路部１３を構成する
チップコンデンサーＣ、抵抗Ｒ、トランジスタＴｒなど
が配置されている。
【００２８】尚、上述の抵抗Ｒとしては、チップ抵抗器
以外に、厚膜抵抗体膜で構成しても構わない。この場
合、基板本体２を作成する際に基板本体２の一方主面に
同時に形成される。具体的には、表面配線パターン２９
を形成する工程で、六硼化ランタン（非酸化性雰囲気で
の焼成に適している）や酸化ルテニウム（酸化性雰囲気
での焼成に適している）から成る抵抗体材料ペーストを
印刷・焼成して形成される。
以外に、厚膜抵抗体膜で構成しても構わない。この場
合、基板本体２を作成する際に基板本体２の一方主面に
同時に形成される。具体的には、表面配線パターン２９
を形成する工程で、六硼化ランタン（非酸化性雰囲気で
の焼成に適している）や酸化ルテニウム（酸化性雰囲気
での焼成に適している）から成る抵抗体材料ペーストを
印刷・焼成して形成される。
【００２９】以上の構成により、ストリップライン２１
は、誘電体層２ｂと２ｃとの間に挟持され、この誘電体
層２ｂ、２ｃを第１のアース電極層２２と第２のアース
電極層２３とで挟持されている。これにより、図１に示
す共振回路部１１のストリップラインＳＬ１が構成され
ることになる。また、誘電体層２ｂと２ｃとの間に形成
された２つのコイルパターン２５、２６と、コンデンサ
電極パターン２７、２８が構成され、このコイルパター
ン２５の一端とコンデンサ電極パターン２７とが、コイ
ルパターン２６一端とコンデンサ電極パターン２８とが
互いに接続されている。また、この接続されたコイルパ
ターン２５、２６の一端部分は、夫々、誘電体層２ａ表
面の配線パターン２９にビアホール２４を介して接続さ
れ、また、コイルパターン２５、２６の他端部分は、夫
々、誘電体層２ｂ、２ｃ表面のアース電極層２２、２３
にビアホール２４を介して接続されている。さらに、コ
ンデンサ電極パターン２７、２８は、誘電体層２ｂ及び
２ｃを介してアース電極層２２、２３に夫々対向してそ
の対向面積に比例した容量成分Ｃが形成されている。こ
れにより、コイルパターン２５、２６によってＢＰＦ部
１４のインダクタンス成分（Ｌ）が、またコンデンサ電
極パターン２７、２８とアース電極層２２、２３とでＢ
ＰＦ部１４の容量成分（Ｃ）が形成され、夫々が接続し
て、２つのＬ−Ｃ共振回路が構成されている。
は、誘電体層２ｂと２ｃとの間に挟持され、この誘電体
層２ｂ、２ｃを第１のアース電極層２２と第２のアース
電極層２３とで挟持されている。これにより、図１に示
す共振回路部１１のストリップラインＳＬ１が構成され
ることになる。また、誘電体層２ｂと２ｃとの間に形成
された２つのコイルパターン２５、２６と、コンデンサ
電極パターン２７、２８が構成され、このコイルパター
ン２５の一端とコンデンサ電極パターン２７とが、コイ
ルパターン２６一端とコンデンサ電極パターン２８とが
互いに接続されている。また、この接続されたコイルパ
ターン２５、２６の一端部分は、夫々、誘電体層２ａ表
面の配線パターン２９にビアホール２４を介して接続さ
れ、また、コイルパターン２５、２６の他端部分は、夫
々、誘電体層２ｂ、２ｃ表面のアース電極層２２、２３
にビアホール２４を介して接続されている。さらに、コ
ンデンサ電極パターン２７、２８は、誘電体層２ｂ及び
２ｃを介してアース電極層２２、２３に夫々対向してそ
の対向面積に比例した容量成分Ｃが形成されている。こ
れにより、コイルパターン２５、２６によってＢＰＦ部
１４のインダクタンス成分（Ｌ）が、またコンデンサ電
極パターン２７、２８とアース電極層２２、２３とでＢ
ＰＦ部１４の容量成分（Ｃ）が形成され、夫々が接続し
て、２つのＬ−Ｃ共振回路が構成されている。
【００３０】尚、基板本体２の表面に形成した３つのチ
ップコンデンサＣ１１、Ｃ１４、ＣＣ１５は、ＢＰＦ部
１４の入出力コンデンサＣ１１、Ｃ１５と、２つのＬ−
Ｃ共振回路を結合する結合用コンデンサＣ１４である。
また、入出力コンデンサＣ１１、Ｃ１５や結合用コンデ
ンサＣ１４を、上述のＬ−Ｃ共振回路のＣ成分と同様
に、基板本体２の内部に形成しても構わないし、さら
に、帯域特性に応じて、Ｌ−Ｃ共振回路を２つ以上形成
しても構わない。
ップコンデンサＣ１１、Ｃ１４、ＣＣ１５は、ＢＰＦ部
１４の入出力コンデンサＣ１１、Ｃ１５と、２つのＬ−
Ｃ共振回路を結合する結合用コンデンサＣ１４である。
また、入出力コンデンサＣ１１、Ｃ１５や結合用コンデ
ンサＣ１４を、上述のＬ−Ｃ共振回路のＣ成分と同様
に、基板本体２の内部に形成しても構わないし、さら
に、帯域特性に応じて、Ｌ−Ｃ共振回路を２つ以上形成
しても構わない。
【００３１】上述の発振器において、ＶＣＯ部１０の出
力段に接続されるＢＰＦ部１４を１つの多層回路基板で
構成できるため、有効に高調波成分やスプリアス成分を
除去でき、さらに取扱が容易な発振器となる。
力段に接続されるＢＰＦ部１４を１つの多層回路基板で
構成できるため、有効に高調波成分やスプリアス成分を
除去でき、さらに取扱が容易な発振器となる。
【００３２】また、共振回路部１１を構成するストリッ
プライン２１及びそのストリップライン２１を挟持する
ように配置されたアース電極層２２、２３が、銀系又は
銅系の高周波特性に優れた導体材料、銀系、又は銅系
で、その一部が低温で焼成可能な基板材料と同時に一体
的に形成され、しかも基板本体２内部に配置されている
ため、良好な電気的な特性で、製造工程が簡略化し、発
振器全体を小型化することができる。
プライン２１及びそのストリップライン２１を挟持する
ように配置されたアース電極層２２、２３が、銀系又は
銅系の高周波特性に優れた導体材料、銀系、又は銅系
で、その一部が低温で焼成可能な基板材料と同時に一体
的に形成され、しかも基板本体２内部に配置されている
ため、良好な電気的な特性で、製造工程が簡略化し、発
振器全体を小型化することができる。
【００３３】さらに、このＢＰＦ部１４のコイルパター
ン２５、２６及びそれと接続する一方のコンデンサ電極
パターン２７、２８が基板本体２の内部に、しかも容量
成分を構成するように、コンデンサ電極パターン２７、
２８が上述のアース電極層２２、２１３と対向するよう
に配置されているため、基板本体２の表面に、比較的面
積を要するコイルパターン２５、２６及びコンデンサ電
極パターン２７、２８を排除することができるため、発
振器の一層の小型化することができる。
ン２５、２６及びそれと接続する一方のコンデンサ電極
パターン２７、２８が基板本体２の内部に、しかも容量
成分を構成するように、コンデンサ電極パターン２７、
２８が上述のアース電極層２２、２１３と対向するよう
に配置されているため、基板本体２の表面に、比較的面
積を要するコイルパターン２５、２６及びコンデンサ電
極パターン２７、２８を排除することができるため、発
振器の一層の小型化することができる。
【００３４】尚、コイルパターン２５、２６として、ス
パイラル状で示したが、その他にストリップライン型の
コイルパターンであっても構わない。このようにスパイ
ラル状又はストリップライン型であれば、２の誘電体層
によって挟まれる１つの層間で形成することができ、ヘ
リカル型のように複数の層間に跨がってコイルが形成さ
れることがないため、製造工程における簡略化及び信頼
性の向上することになる。
パイラル状で示したが、その他にストリップライン型の
コイルパターンであっても構わない。このようにスパイ
ラル状又はストリップライン型であれば、２の誘電体層
によって挟まれる１つの層間で形成することができ、ヘ
リカル型のように複数の層間に跨がってコイルが形成さ
れることがないため、製造工程における簡略化及び信頼
性の向上することになる。
【００３５】尚、上述の実施例では、第２のアース電極
層２３が基板本体２の裏面側に露出するように形成され
ているが、このアース電極層２３にさらに誘電体層を重
畳するように配置して、その誘電体層側に、裏面側の所
定回路、例えば、図３に示すＰＬＬ回路やローパスフィ
ルタ（ＬＰＦ）を形成しても構わない。これらの回路は
デジタル的に動作し、また比較的に低い周波数で動作さ
れる回路であり、このように構成すれば、基板本体の表
面側の高周波動作の回路から発生する高周波成分のノイ
ズが、基板本体２の内部のアース電極層２２、２３によ
って遮断され、互いの回路が安定した動作を行わせるこ
とができる。
層２３が基板本体２の裏面側に露出するように形成され
ているが、このアース電極層２３にさらに誘電体層を重
畳するように配置して、その誘電体層側に、裏面側の所
定回路、例えば、図３に示すＰＬＬ回路やローパスフィ
ルタ（ＬＰＦ）を形成しても構わない。これらの回路は
デジタル的に動作し、また比較的に低い周波数で動作さ
れる回路であり、このように構成すれば、基板本体の表
面側の高周波動作の回路から発生する高周波成分のノイ
ズが、基板本体２の内部のアース電極層２２、２３によ
って遮断され、互いの回路が安定した動作を行わせるこ
とができる。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、高調波
成分やスプリアス成分を除去した発振出力がえられ、且
つ小型化された電圧制御型発振器となる。
成分やスプリアス成分を除去した発振出力がえられ、且
つ小型化された電圧制御型発振器となる。
【図１】本発明の電圧制御型発振器に係る発振回路図を
示す。
示す。
【図２】本発明の電圧制御型発振器の分解斜視図であ
る。
る。
【図３】典型的なスーパヘテロダイン方式のブロック回
路図である。
路図である。
１０・・・・電圧制御型発振回路部 １１・・・・共振回路部 １２・・・・負性抵抗回路部 １３・・・・増幅回路部 １４・・・・ハンドパスフィルタ部 ２ ・・・・基板本体 ２１・・・・ストリップライン ２２、２３・・・アース電極層 ２４・・・・・・ビアホール ２５、２６・・・コイルパターン ２７、２８・・・コンデンサ電極パターン ２９・・・・・・表面配線パターン ３０・・・・・・シールドケース ＤＶ・・・・バリキャプダイオード Ｃ・・・・・・コンデンサ Ｒ・・・・・・抵抗
Claims (1)
- 【請求項１】 共振回路部を含む電圧制御型発振回路部
とＬ−Ｃ回路からなるバンドパスフィルタ回路部とを多
層回路基板に構成した電圧制御型発振器であって、 前記多層回路基板を低温焼成可能な誘電体層を複数積層
して形成するとともに、前記共振回路部を銀系又は銅系
導体から成る２つのアース電極層間に銀系又は銅系のス
トリップラインを配することによって形成し、且つ前記
バンドパスフィルタ回路部のＬ−Ｃ回路をアース電極層
の一方に対し、間に誘電体層を挟んでコンデンサ電極が
接続されたコイルを配置させることによって形成したこ
とを特徴とする電圧制御型発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4293173A JPH06152241A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 電圧制御型発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4293173A JPH06152241A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 電圧制御型発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06152241A true JPH06152241A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17791359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4293173A Pending JPH06152241A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 電圧制御型発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06152241A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112444767A (zh) * | 2019-08-30 | 2021-03-05 | 通用电气精准医疗有限责任公司 | 用于磁共振成像的射频功率变换器和射频发射*** |
-
1992
- 1992-10-30 JP JP4293173A patent/JPH06152241A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112444767A (zh) * | 2019-08-30 | 2021-03-05 | 通用电气精准医疗有限责任公司 | 用于磁共振成像的射频功率变换器和射频发射*** |
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