JPH06152105A - プリント配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 狭ピッチの実装端子を有する片面または両面
実装用プリント配線板を提供する。 【構成】 絶縁基材１７の表面に実装端子部１５ａ，導
体回路部１４ａおよび金属薄膜を転写し、その転写金属
薄膜の表面のうち、実装端子部を取り囲む表面部分１
２'bを除いた他の表面部分１２'aにレジスト層１８を形
成して領域１９を枠取りする。領域１９内の転写金属薄
膜の部分１２'bをエッチング除去して実装端子部１５ａ
の表面を露出させる。ついで、転写金属薄膜の残余部分
１２'aから通電して、実装端子部１５ａの表面に半田を
電着する。レジスト層１８，転写金属薄膜の残余部分１
２'aを順次除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はプリント配線板の製造方
法に関し、更に詳しくは、狭ピッチの実装端子を備えた
表面実装用のプリント配線板を製造する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、表面実装用プリント配線板を
製造するためには、多くの方法が適用されているが、そ
の代表例としては、導体回路のうち実装端子を形成すべ
き部分に半田をのせて実装端子とするＳＣＬ法（Solder
coat levelar 法）がある。しかしながら、ＳＣＬ法で
製造した表面実装用プリント配線板は、それにスルーホ
ールが形成されているか形成されていないかにかかわら
ず、最終的に形成される半田層が、両面においてまた同
一面内において均一となりにくく、その厚みにばらつき
を生ずる。このような状態にある半田層の上に表面実装
部品の端子を載せてリフロー炉に送入すると、炉内で半
田が溶融する際に、半田溶融の時間差に起因するマンハ
ッタン現象が多発するようになる。

【０００３】このような表面実装部品の実装時における
トラブルを解消するために、導体回路における実装端子
を形成する部分（以後、実装端子部という）の上に電解
めっき法で膜厚のばらつきが小さい半田層を形成して実
装端子とするプリント配線板が提案されている（特願昭
６３−３１３８４１号公報参照）。このプリント配線板
は次のようにして製造される。それをスルーホールのな
い片面実装用のプリント配線板の場合につき、図面に則
して説明する。

【０００４】まず、上記公報に記載されている方法によ
って、絶縁基材１の片面に導体回路部２，実装端子部３
および金属薄膜４を転写してフラッシュ面を有する素材
が用意される（図３９）。その後、金属薄膜４の表面の
うち、実装端子部３に相当する部分を除いた残余の表面
に、半田めっき用のレジスト層５を形成する（図４
０）。このとき、実装端子部３の縁部３ａとレジスト層
５の縁部５ａとは図の幅方向で互いに位置ずれをしない
ようにレジスト層５が形成される。

【０００５】ついで、金属薄膜４を陰極にして半田めっ
き浴中で電解めっきを行う。金属薄膜４は絶縁基材１の
全面を被覆しているので、実装端子部３の上の金属薄膜
部分にのみ半田が電着して厚みのばらつきが小さい半田
層６が形成される（図４１）。このとき、電解めっきの
条件を適宜に選定することにより、半田層６の厚みを任
意に変えることができる。

【０００６】その後、まず、適宜なエッチャントでレジ
スト層５をエッチング除去したのち、更に別のエッチャ
ントでレジスト層５の下に位置する金属薄膜４をエッチ
ング除去する（図４２，図４３）。かくして、実装端子
部３の上には、金属薄膜４を介して、厚みのばらつきが
小さい半田層６が形成されることになり、これが実装端
子として機能する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記した方法は、半田
層６が電解めっき法で形成されるので、その厚みのばら
つきが小さく、しかもその厚みを任意の厚みに調整する
ことができるという利点を備えている。しかし、この方
法でプリント配線板を実際に製造する場合には次のよう
な問題が発生してくる。

【０００８】すなわち、図４０で示したように、半田め
っき用レジスト層５を形成する場合、その縁部５ａと金
属薄膜４の下に隠れている実装端子部３の縁部３ａとの
間では、位置ずれを起こさないようにすることが必要に
なる。仮に、これらの縁部３ａ，５ａとの間で位置ずれ
が起こっていると、半田層６は実装端子部３の直上に形
成されることなく、図４２，図４３において、左右のい
ずれかの方向に位置ずれした状態で形成されることにな
り、正規の設計回路の状態から逸脱することになる。

【０００９】そして、実装端子の間のピッチが比較的広
いプリント配線板の場合は、レジスト層５と実装端子部
３との位置ずれが多少起こっても、さほど大きな不都合
を生ずることはないが、しかし狭ピッチの実装端子を形
成しようとする場合には、微小の位置ずれであっても隣
りあう実装端子の間がショートしてしまうというような
事態が起こる。

【００１０】したがって、上記した方法で狭ピッチの実
装端子を形成するときには、そのピッチの狭さに応じ
て、レジスト層５を極めて厳しい寸法精度で形成しなけ
ればならない。現在、表面実装用のプリント配線板にお
いては、実装密度の向上が１つの目標になっているが、
そのために、ますます狭ピッチの実装端子の形成が求め
られている。しかし、上記した方法の場合、レジスト層
５と実装端子部３との位置ずれが略皆無となるようにレ
ジスト層５を形成して上記要請に応えることは極めて困
難である。

【００１１】本発明は、特願昭６３−３１３８４１号公
報に記載の方法における上記した問題を解決し、ピッチ
幅が0.５mm以下であるような狭ピッチの実装端子の形成
も可能である表面実装用プリント配線板の製造方法の提
供を目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段・作用】上記した目的を達
成するために、本発明においては、まず、第１の製造方
法として、平板状導電基材の表面に金属薄膜を形成する
工程（以下、Ａ₁ 工程という）；前記金属薄膜の表面の
うち、導体回路部および実装端子部の非形成個所をレジ
ストマスクで被覆することにより導体回路および実装端
子のパターンを形成させたのち、前記導体回路および実
装端子のパターンの形成個所に、めっき法で導体金属層
を形成する工程（以下、Ａ₂ 工程という）；前記レジス
トマスクを除去したのち、前記導体金属層の表面に絶縁
基材を圧着または加熱圧着して一体化する工程（以下、
Ａ₃ 工程という）；得られた一体化物から前記平板状導
電基材のみを剥離除去することにより、前記絶縁基材の
片面に前記導体金属層および前記金属薄膜を転写して配
線板用素材にする工程（以下、Ａ₄ 工程という）；前記
素材の転写金属薄膜の表面のうち、前記実装端子部の形
成個所に相当する表面部分とこれを取り囲む所望広さの
領域を除いた表面部分をレジストマスクで被覆してレジ
スト層を形成する工程（以下、Ａ₅ 工程という）；前記
実装端子部が内在する領域内に位置する転写金属薄膜の
部分をエッチング除去して、実装端子部の導体金属層の
表面を露出させる工程（以下、Ａ₆ 工程という）；実装
端子部の導体金属層の表面に、電解めっき法により、前
記導体金属層の導体金属とは異種または同種の金属また
は合金を電着して、実装端子用金属層を形成する工程
（以下、Ａ₇ 工程という）；ならびに、前記レジスト層
および前記転写金属薄膜の残余部分を順次除去して導体
回路を露出させる工程（以下、Ａ₈ 工程という）；を必
須の工程として具備することを特徴とするプリント配線
板の製造方法が提供され、また、第２の製造方法として
は、平板状導電基材の表面に金属薄膜を形成する工程
（以下、Ｂ₁ 工程という）；前記金属薄膜の表面のう
ち、導体回路部および実装端子部の非形成個所をレジス
トマスクで被覆することにより導体回路および実装端子
のパターンを形成させたのち、前記導体回路および実装
端子のパターンの形成個所に、めっき法で導体金属層を
形成する工程（以下、Ｂ₂ 工程という）；前記レジスト
マスクを除去したのち、前記導体金属層の表面を絶縁基
材の両面に圧着または加熱圧着して一体化する工程（以
下、Ｂ₃ 工程という）；得られた一体化物から前記平板
状導電基材のみを剥離除去することにより、前記絶縁基
材の両面に前記導体金属層および前記金属薄膜を転写し
て配線板用素材にする工程（以下、Ｂ₄ 工程という）；
前記素材の転写金属薄膜の所定個所にスルーホール用穴
を穿設したのち、前記スルーホール用穴の表面に無電解
めっきで導電性を付与する工程（以下、Ｂ₅ 工程とい
う）；前記素材の転写金属薄膜の表面のうち、前記実装
端子部の形成個所に相当する表面部分とこれを取り囲む
所望広さの領域を除いた表面部分、および前記スルーホ
ール用穴の開口部をレジストマスクで被覆してエッチン
グレジスト層を形成する工程（以下、Ｂ₆ 工程とい
う）；前記実装端子部が内在する領域内に位置する転写
金属薄膜の部分をエッチング除去して、実装端子部の導
体金属層の表面を露出させる工程（以下、Ｂ₇ 工程とい
う）；前記エッチングレジスト層を除去して、転写金属
薄膜の残余部分を露出させる工程（以下、Ｂ₈ 工程とい
う）；前記転写金属薄膜の残余部分の表面および縁部を
覆い、かつ前記スルーホール用穴の開口部は覆わずにめ
っきレジスト層を形成する工程（以下、Ｂ₉ 工程とい
う）；実装端子部の導体金属層の表面および前記スルー
ホール用穴の表面に、電解めっき法により、前記導体金
属層の導体金属とは異種または同種の金属または合金を
電着して、実装端子用金属層およびめっきスルーホール
を形成する工程（以下、Ｂ₁₀工程という）；ならびに、
前記めっきレジスト層および前記転写金属薄膜の残余部
分を順次除去して導体回路を露出させる工程（以下、Ｂ
₁₁工程という）；を必須の工程として具備することを特
徴とするプリント配線板の製造方法が提供される。

【００１３】これら２つの製造方法のうち、第１の製造
方法は片面実装用プリント配線板の製造方法であり、第
２の製造方法は、両面実装でかつスルーホールが形成さ
れているプリント配線板の製造方法である。まず、第１
の製造方法につき、図面に則して詳細に説明する。Ａ₁
工程においては、平板状の導電基材１１の表面の実質的
に全面に亘って、金属薄膜１２が形成される（図１）。
金属薄膜１２の形成は、通常、電解めっき，無電解めっ
きを問わずめっき法で行われる。

【００１４】このＡ₁ 工程で用いる導電基材１１として
は、剛性を有する単板、例えば、有効寸法が最大１２２
０×１０２０mm，厚み１〜１０mmの範囲にある適宜な大
きさの平板からなり、例えばここに電解めっき法で金属
薄膜１２を形成する場合、そのときに使用する薬品に対
する耐薬品性，耐電食性を有するものが望ましく、例え
ば、ステンレススチール板（ハードニング処理を施した
ＳＵＳ６３０が好適である），ニッケル板，チタン板ま
たはチタン合金板，銅板または銅合金板等をあげること
ができる。

【００１５】この導電基材１１の表面の汚れ，酸化皮膜
を除去するとともに、該表面に所要の粗度を与える前処
理が施される。すなわち、導電基材１１の表面を0.０８
〜0.２３μｍの範囲の粗度で研磨することが望ましい。
この導電基材１１の表面粗度は、導電基材１１上に形成
される金属薄膜１２の導電基材表面への密度強度や金属
薄膜１２内のピンホールの発生状況、更には金属薄膜１
２の表面粗度にも影響を与える。また、上述の粗度規定
範囲は、Ａ₂ 工程で後述する導体金属層を形成するとき
に導電基材１１から剥離せず、しかも、後述するＡ₄ 工
程の転写工程で導電基材１１と金属薄膜１２が容易に剥
離できる程度の密着性が得られるように設定される。

【００１６】導電基材１１の表面に金属薄膜１２を形成
するために電解めっき法を適用する場合、そのめっき法
としては、いわゆる、高速めっき法が好適である。な
お、金属薄膜１２としては、厚みが３μｍ以内の銅薄
膜，ニッケル薄膜であることが好ましい。ここで、高速
めっき法は、導電基材１１を陰極とし、これに所定間隔
を置いて平板状の不溶性陽極を対向して配置し、両極間
に高速で電解液を通流せしめて電解めっきを行う方法で
ある。

【００１７】例えば、金属薄膜１２として銅薄膜を形成
するときの高速めっき条件としては、４５〜７０℃のめ
っき浴を陰極（導電基材１１）の表面において乱流状
態、すなわち、電極間距離３〜３０mm，電極に対するめ
っき浴の接液スピードが2.６〜２0.０ｍ／sec になるよ
うに供給する。このとき、めっき浴としては、例えば、
硫酸銅めっき浴，ピロリン酸銅めっき浴等を使用し、陰
極電流密度0.１５〜4.０Ａ／cm² で電流を流して、銅薄
膜の形成速度が２５〜１００μｍ／min となるように設
定することが望ましい。

【００１８】また、金属薄膜１２としてニッケル薄膜を
形成する場合の高速めっき条件としては、陰極と陽極と
を３００〜３５０mm離間させ、この電極間に４０〜４８
℃のめっき浴を供給してエア攪拌を行えばよい。このと
き、めっき浴としては、例えば、硫酸ニッケル，スルフ
ァミン酸ニッケル等を使用し、陰極電流密度2.２〜4.０
Ａ／cm² で電流を流して、ニッケル膜の形成速度が0.８
〜1.５μｍ／min となるように設定することが好まし
い。

【００１９】なお、ステンレススチール板，ニッケル板
等の導電基材１１の場合には、その表面に金属間化合
物，または非金属介在物，偏析，気孔等の欠陥が存在し
ているが、これらの欠陥は溶製時や圧延時等に混入，発
生するもので、導電基材１１の前述したような表面処理
だけでは解消し得ないものである。これらの欠陥は後述
する導体金属層にピンホールを生じさせる原因となる。
しかしながら、Ａ₁ 工程の場合、導電基材１１の表面に
形成させた金属薄膜１２の表面は電気化学的に平滑であ
るため、この上に形成される後述の導体金属層には、ピ
ンホールの発生が起こらなくなる。

【００２０】Ａ₂ 工程では、導体回路部と実装端子部と
を含む導体金属層が形成される。まず、図２で示したよ
うに、金属薄膜１２の表面のうち、導体回路部の形成個
所１４および実装端子部の形成個所１５にすべき部分を
除いた他の表面（非形成個所）をレジストマスク１３で
被覆することにより導体回路および実装端子のパターン
を形成させる。このレジストマスク１３は、従来から知
られているホトレジスト法，印刷法などによって形成す
ればよい。

【００２１】ついで、図３で示したように、めっき法に
よって、導体回路のパターンの形成個所１４および実装
端子のパターンの形成個所１５に例えば銅のような導体
金属を被着して、導体回路部１４ａおよび実装端子部１
５ａから成る導体金属層１６を形成する。この場合に適
用するめっき法としては、電解めっき法，無電解めっき
法のいずれであってもよい。

【００２２】銅で導体金属層１６を形成する場合、この
工程における電解めっき法としては、通常のめっき法で
あってもよいが、Ａ₁ 工程で説明した高速めっき法であ
ることが好ましい。その高速めっき法で用いるめっき浴
としては、銅濃度0.２０〜2.０mol/l,好ましくは0.３５
〜0.９８mol/l,および硫酸濃度５０〜２２０ｇ／ｌを含
有する硫酸銅めっき浴が望ましく、更には、めっきの均
一性を確保するために***国ＬＰＷ社製のCUPPORAPID H
s(商品名）を1.５ｍｌ／ｌ添加したものであることが好
ましい。また、ピロリン酸銅液等の通常のめっき浴を使
用してもよい。電流密度は、0.１５〜４Ａ／cm² ，電極
に対するめっき浴の接液スピードは2.６〜２０ｍ／sec,
浴温は４５〜７０℃，好ましくは６０〜６５℃となるよ
うにそれぞれ設定する。

【００２３】Ａ₃ 工程では、Ａ₂ 工程までの過程で金属
薄膜１２の表面に形成された導体金属層１６と絶縁基材
が一体化される。まず、図４で示したように、レジスト
マスク１３と導体金属層１６から成る表面からレジスト
マスク１３のみが除去されて、導体金属層１６が金属薄
膜１２の表面に突設した状態で残置せしめられる。

【００２４】具体的には、上記表面に、苛性ソーダのよ
うなレジストマスク１３のみを溶解する溶解液をスプレ
ーしたり、またはＡ₂ 工程で得られた図３の板体を上記
溶解液中に浸漬すればよい。ついで、図５で示したよう
に、導体金属層１６の表面を絶縁基材１７の片面に圧着
または加熱圧着して、全体を一体化する。

【００２５】絶縁基材１７としては、電気絶縁性であれ
ば有機材料，無機材料のいずれのものでもよく、例え
ば、ガラス，エポキシ系樹脂，フェノール系樹脂，ポリ
イミド系樹脂，ポリエステル系樹脂，アラミド樹脂等の
材料を用いることができる。また、鉄，アルミ等の導電
性材料の表面にホーロウを被覆して絶縁性にしたものや
アルミ表面にアルマイト処理を施して表面を絶縁性にし
た材料であってもよい。このＡ₃ 工程においては、一般
には、ガラス布等にエポキシ樹脂を含浸させてこれを半
硬化状態（Ｂステージ状態）にしたプリプレグを用い、
これに、金属薄膜１２の表面から突起している導体金属
層１６が没入する状態（図５に示すような状態）で接着
・一体化されていることが好ましい。

【００２６】なお、このＡ₃ 工程を行うに先立ち、Ａ₂
工程の図３で示した状態にある導体金属層１６の表面を
粗面化しておくと、絶縁基材１７との密着性が向上して
好適である。この場合の粗面化方法としては、前記導体
金属層１６を陰極としてその表面に電解めっきを施すこ
とが好ましい。

【００２７】このときのめっき条件としては、電流密度
が0.２６〜0.８５Ａ／cm² ，電極間距離が２６〜５０m
m，電極に対するめっき浴の接液スピードが0.６〜1.５m
/secとなるようにそれぞれ設定し、また、めっき浴とし
ては、特に限定されないが、例えば、硫酸銅８０〜１５
０ｇ／ｌ，硫酸４０〜８０ｇ／ｌ，および硝酸カリウム
２５〜５０ｇ／ｌよりなる混合溶液等を使用すればよ
い。

【００２８】このような条件で行う粗面化処理により、
導体金属層１６の表面には平均粒径で１〜５μｍの析出
物が突起して電着し、絶縁基材１７との密着性が向上す
る。なお、上述した粗面化処理後の導体金属層１６の粗
面化面にクロメート処理を施すと、銅と絶縁基材１７中
の樹脂または接着剤との親和性が増大し、ピーリング強
度はもとよりのこと、導体金属層１６の耐熱性（例え
ば、半田耐熱性）も１５％程度向上するという利点があ
る。このクロメート処理は、具体的には、0.７〜１２ｇ
／ｌ濃度の重クロム酸カリウム溶液に常温で５〜４５秒
間浸漬するか、市販の電解クロメート処理液にてクロメ
ート処理を施せばよい。

【００２９】Ａ₄ 工程では、Ａ₃ 工程で得られた一体化
物（図５で示したもの）から導電基材１１のみが剥離除
去され、以後の工程で用いる片面実装用の配線板用素材
が製造される。この配線板用素材は、図６の断面図およ
び図７の部分平面図で示したように、絶縁基材１７の片
面に、導体回路部１４ａと実装端子部１５ａから成る導
体金属層１６が埋設された状態で転写され、その全面が
同じく転写された転写金属薄膜１２’で被覆されたフラ
ッシュ面になっている。

【００３０】Ａ₅ 工程は本発明方法における最も重要な
工程であって、この工程では転写金属薄膜１２’の表面
のうち後述する領域を除いた残余の表面部分にレジスト
層，この場合にはエッチング兼めっきレジスト層１８が
形成される。すなわち、図８の断面図および図９の部分
平面図で示したように、転写金属薄膜１２’の表面のう
ち、実装端子部１５ａ，１５ａが形成されている個所に
相当する部分とこれを取り囲むような領域１９を除いた
表面部分１２'aをレジストマスクで被覆してエッチング
兼めっきレジスト層が形成される。

【００３１】この場合、領域１９の広さは適宜であって
よく、要は、実装端子部１５ａの隣りに位置する導体回
路部１４ａに相当する個所は含まない広さであればよ
い。したがって、転写金属薄膜１２’のうちの部分１
２'bは領域１９から露出していて、残余部分１２'aは全
てエッチング兼めっきレジスト層１８によって被覆され
ている。

【００３２】Ａ₆ 工程は、実装端子部１５ａの表面を露
出させる工程である。すなわち、図１０の断面図および
図１１の部分平面図で示したように、図８で示した実装
端子部１５ａが内在する領域１９から露出している転写
金属薄膜の部分１２'bをエッチング除去する。実装端子
部１５ａの表面１５ｂと絶縁基材１７の表面１７ａが露
出する。

【００３３】実装端子部１５ａの尾部１５ｃは領域１９
の枠外で転写金属薄膜の残余部分１２'aと一体になって
いるので、この実装端子部１５ａには、前記残余部分１
２'aからの通電が可能な状態になっている。Ａ₇ 工程
は、図１２の断面図および図１３の部分平面図で示した
ように、Ａ₆工程によって露出させた実装端子部の表面
１５ｂの上に、実装端子部の構成金属とは異種または同
種の金属または合金から成る実装端子用金属層２０を形
成する工程である。この実装端子用金属層２０は通常実
装端子部の構成金属と異なる半田で構成される。しか
し、前記実装端子部を単に検査用端子との接触を目的と
したり、液晶モジュールの端子と接続させるためには、
同種の金属または合金でよい。

【００３４】この実装端子用金属層２０を形成する場合
は、転写金属薄膜の残余部分１２'aから通電する電解め
っき法が適用される。めっきする金属が半田である場合
には、用いる半田めっき浴としては、ホウフッ酸系のめ
っき浴であることが好ましく、例えば、ＨＢＦ₄ 濃度２
３０〜２５０ｇ／ｌ，Ｓｎ²⁺１1.５〜１3.５ｇ／ｌ，Ｐ
ｂ²⁺8.０〜１0.０ｇ／ｌの組成浴をあげることができ
る。また、このときの電流密度は0.５〜２Ａ／dm² が好
適である。

【００３５】このＡ₇ 工程における実装端子用金属層２
０は、実装端子部１５ａの表面１５ｂおよび尾部１５ｃ
の表面にのみ形成され、しかもその表面は平滑でその厚
みはすべての個所で均一になる。そして、めっき時間を
変化させることにより、実装端子用金属層２０の厚みを
適宜に変化させることができる。Ａ₈ 工程は、Ａ₇ 工程
の終了後、エッチング兼めっきレジスト層１８と転写金
属薄膜の残余部分１２'aを順次除去して導体回路を露出
させ、目的とする片面実装用のプリント配線板にする工
程である。

【００３６】すなわち、図１４の断面図および図１５の
部分平面図で示したように、まず、適宜なエッチャント
で図１２，図１３で示したエッチング兼めっきレジスト
層１８をエッチング除去する。ついで、図１６の断面図
および図１７の部分平面図で示したように、他の適宜な
エッチャントで転写金属薄膜の残余部分１２'aをエッチ
ング除去する。

【００３７】かくして、実装端子部１５ａの表面には実
装端子用金属層２０が形成されている実装端子とフラッ
シュ面の導体回路部１４ａを有するプリント配線板が得
られる。つぎに、前記した第１の製造方法における以下
のような問題を解消するために有効な改良された方法に
ついて説明する。

【００３８】すなわち、第１の製造方法のＡ₇ 工程（図
１２，図１３）において電解めっき法で実装端子部の表
面１５ｂに実装端子用金属層２０を形成する場合、転写
金属薄膜の残余部分１２'aから通電するので、めっきさ
れる金属は、実装端子部１５ａの表面１５ｂに電着する
だけでなく、図１２で示したように、転写金属薄膜の残
余部分１２'aの縁部１２'cにも電着する。

【００３９】したがって、Ａ₈ 工程でエッチング兼めっ
きレジスト層１８，転写金属薄膜の残余部分１２'aを除
去すると、図１８の断面図および図１９の部分平面図で
示したように、領域１９の周囲に沿って、実装端子用金
属と同種の金属の層２０’が枠状に残留する。この枠状
の金属層２０’は後ほど、例えばブラッシングして除去
される。

【００４０】改良された製造方法は、上記した枠状の金
属層２０’の発生を防止する方法である。この方法で
は、Ａ₆ 工程までは第１の製造方法と同様に進めること
によって、図１０，図１１で示したように、実装端子部
１５ａの表面１５ｂを露出させる。なお、この方法にお
いては、Ａ₅ 工程で領域１９の形成に用いるレジスト剤
としては、第１の製造方法で用いたエッチング兼めっき
用レジスト剤であってもよいが、単に、エッチング用の
レジスト剤であってもよい。

【００４１】以後はＡ₅ 工程でエッチングレジストを用
いた場合について説明する。Ａ₆ 工程終了後は、まず、
Ａ₆ −１工程として、図２０の断面図および図２１の部
分平面図で示したように、エッチングレジスト層１８が
除去され、転写金属薄膜の残余部分１２'aを露出させ
る。ついでＡ₆ −２工程として、前記した転写金属薄膜
の残余部分１２'aの表面とその縁部１２'cを被覆して実
装端子用金属層用のめっきレジスト層２１を形成する。
したがって、このＡ₆ −２工程においては、実装端子部
１５ａとこれを取り囲む領域１９’は、Ａ₅ 工程で形成
した領域（図８，図９）１９よりも若干狭くなってい
る。

【００４２】このＡ₆ −２工程の終了後は、第１の製造
方法の場合と同じように、Ａ₇ 工程に移送して実装端子
部の表面１５ｂへ電解めっき法で実装端子用金属層が形
成される。この電解めっきにおいて、転写金属薄膜の残
余部分１２'aの縁部１２'cはめっきレジスト層２１で被
覆されているので、ここに実装端子用金属が電着するこ
とはなく、図１８および図１９で示したような枠状の該
金属層２０’が残留するという問題は解消する。

【００４３】次に、第２の製造方法を説明する。第２の
製造方法におけるＢ₁ 工程，Ｂ₂ 工程は、それぞれ第１
の製造方法におけるＡ₁ 工程，Ａ₂ 工程と同じである。
Ｂ₃ 工程は、図２４で示したように、絶縁基材１７の両
面にＢ₂ 工程で製造した導体金属層１６を圧着または加
熱圧着して一体化する工程である。

【００４４】この工程で用いる絶縁基材１７の種類や一
体化のための条件などは前記したＡ ₃ 工程と同じであれ
ばよい。Ｂ₄ 工程は、Ｂ₃ 工程で得られた一体化物（図
２４で示したもの）から導電基材１１のみが剥離除去さ
れ、以後の工程で用いる両面実装用の配線板素材を製造
する工程である。

【００４５】この素材は、図２５で示したように、導体
金属層１６および金属薄膜１２が絶縁基材１７の両面に
転写されることにより、その両面は転写金属薄膜１２’
によってフラッシュ面になっている。Ｂ₅ 工程は、スル
ーホール用穴を穿設し、その表面に導電性を付与する工
程である。

【００４６】すなわち、図２６で示したように、所定の
導体回路部を貫通してスルーホール用穴２２を形成し、
ついで、スルーホール用穴２２の表面２２ａに無電解め
っきによって、例えば化学銅を析出させて導電層２３を
形成する。Ｂ₆ 工程は、第１の製造方法におけるＡ₅ 工
程に相当する工程で、転写金属薄膜１２’の表面にエッ
チングレジスト層２４を形成して実装端子部が内在する
領域１９が形成される。用いるレジスト剤は、第１の製
造方法で用いたエッチング兼めっき用レジスト剤であっ
てもよい。

【００４７】このとき、スルーホール用穴２２の開口部
２２ｂを封鎖するようにしてエッチングレジスト層２４
が形成される（図２７）。エッチングレジスト層２４の
形成には、通常、ドライフィルムが用いられる。Ｂ₇ 工
程は、図２８で示したように、領域１９の個所に存在す
る転写金属薄膜を、それを溶解する適宜なエッチャント
でエッチング除去して、実装端子部１５ａの表面１５ｂ
を露出させる工程である。

【００４８】このとき、スルーホール用穴２２の開口部
２２ｂはエッチングレジスト層２４で封鎖されているの
でエッチャントはスルーホール用穴２２内に浸入しな
い。そのため、スルーホール用穴２２の表面２２ａに析
出形成されている導電層２３はエッチングされることな
くそのままの状態で残留する。Ｂ₈ 工程は、図２９で示
したように、エッチングレジスト層２４を除去して、転
写金属薄膜の残余部分１２'aを露出させる工程である。

【００４９】Ｂ₉ 工程は、Ｂ₈ 工程で露出させた転写金
属薄膜の残余部分を被覆して、めっきレジスト層を形成
する工程である。このときのめっきレジスト層２５は、
図３０で示したように、転写金属薄膜の残余部分１２'a
の表面と縁部１２'cを被覆して形成されるが、スルーホ
ール用穴２２が形成されている残余部分では、スルーホ
ール用穴の開口部２２ｂを封鎖しないように形成され
る。

【００５０】Ｂ₁₀工程は、第１の製造方法におけるＡ₇
工程に相当する工程である。この工程では、図３１に示
したように、実装端子部１５ａの表面１５ｂに実装端子
部を構成する金属と異種または同種の金属または合金を
電解めっき法で電着して実装端子用金属層２０が形成さ
れるが、同時に、スルーホール用穴２２の導電層２３の
上にも同種の金属が電着するので、ここにも該金属層２
０が形成されめっきスルーホールとなる。

【００５１】Ｂ₁₁工程では、まず、めっきレジスト層２
５が除去され、つづけて転写金属薄膜の残余部分１２'a
が除去され導体回路が露出される。その結果、図３２で
示したように、実装端子部１５ａの上に実装端子用金属
層２０が形成されて実装端子になっていて、またスルー
ホールの表面にも同種の金属層２０が形成されている両
面実装用のプリント配線板が得られる。

【００５２】なお、上記した第１および第２の方法にお
いて、独立した実装端子部への実装端子用金属層の形成
は次のようにして行えばよい。すなわち、まず、導体回
路部や実装端子部の配線設計時に、独立実装端子部を通
常長さが0.２〜1.０mm程度であるリード部を有するよう
な形状に設計する。したがって、Ａ₄ 工程の転写工程が
終了すると、図３３で示したように、フラッシュな転写
金属薄膜１２’の下には、リード部１５'cが尾のように
延びている独立実装端子部１５'aが位置する。

【００５３】ついで、Ａ₅ 工程においてエッチング兼め
っきレジスト層またはエッチングレジスト層１８で領域
１９を形成するときに、図３４で示したように、独立実
装端子部のリード部１５'cを横切るような形状で領域１
９を形成する。その後、Ａ₆ 工程で領域１９内の転写金
属薄膜の部分１２'bを除去して、実装端子部１５ａおよ
び独立実装端子部１５'aの表面１５ｂ，１５'bを、図３
５で示したように露出させる。

【００５４】このとき、独立実装端子部１５'aのリード
部１５'cの末端は、転写金属薄膜の残余部分１２'aと接
続しているので、この残余部分１２'aからリード部１
５'cの末端を介して独立実装端子部１５'aに通電するこ
とができる。すなわち、独立実装端子部の表面１５'bに
も電解めっき法によって実装端子用金属層を形成するこ
とができる。

【００５５】なお、以上詳述した第１および第２の製造
方法において、領域１９内の転写金属薄膜の部分をエッ
チング除去して実装端子部１５ａの表面１５ｂを露出さ
せるとき（第１の方法の場合はＡ₆ 工程，第３の方法で
はＢ₇ 工程）に、転写金属薄膜の部分のみをエッチング
除去するだけではなく、更に実装端子部１５ａの一部も
エッチングしてその層厚を薄くし、その後、その上に実
装端子用金属を電着することにより、全体が平滑回路面
または実装端子が全体面から凹没しているプリント配線
板を製造することもできる。

【００５６】その製造方法を、第１の製造方法の場合に
ついて説明する。すなわち、図１０で示したＡ₆ 工程に
おいて、領域１９内の転写金属薄膜の部分１２'bをエッ
チング除去したのち更なるエッチングを行うことによ
り、実装端子部１５ａの表面部分の導体金属をエッチン
グ除去して図１０の場合よりも薄層の実装端子部１５ａ
にする。したがって、領域１９内では、実装端子部１５
ａが、図３６で示したように、凹没した状態になる。

【００５７】ついで、Ａ₇ 工程によって、前記した実装
端子部１５ａの表面に実装端子用金属を電解めっき法で
電着する。このとき、めっき時間を管理することによっ
て該金属層の厚みを調節することができるので、例えば
図３７で示したように該金属層２０の表面２０ａと絶縁
基材１７の表面１７ａが同一面になるようにめっきすれ
ば、全体を平滑回路にすることができる。また、図３８
で示したように、該金属層２０の厚みを薄くすれば、そ
の表面２０ａが絶縁基材１７の表面１７ａよりも凹没し
ている回路にすることもできる。

【００５８】とくに、後者の凹没回路の場合、部品を表
面実装したときに、その端子は凹没回路の中に位置して
全体が多少揺動しても実装部品の端子がずれることはな
く、極めて高い信頼性の下で表面実装が可能となるので
好適である。

【００５９】

【発明の実施例】

実施例１ 第１の製造方法によって以下の工程でプリント配線板を
製造した。 １）Ａ₁ 工程 導電基材１１としてハードニング処理を施したＳＵＳ６
３０の単板を用意し、その表面にオシレーション付ロー
タリ羽布研磨装置を用いて研磨処理を施し、0.１μｍの
表面粗度にした。ついで、硫酸濃度２００ｇ／ｌ，銅濃
度0.５mol/l の硫酸銅めっき浴を用い、極間距離４mm，
電流密度0.８Ａ／cm² ，接液スピード７ｍ／sec で高速
めっきを行い、厚み３μｍの銅薄膜１２を形成した。

【００６０】２）Ａ₂ 工程 Ａ₁ 工程で形成した銅薄膜の表面に、ドライフィルムを
レジスト剤として厚み４０μｍのレジストマスクによる
導体回路および実装端子のパターン１３を形成し（図
２）、ついで、硫酸濃度１００ｇ／ｌ，銅濃度0.５mol/
l の硫酸銅めっき浴を用い、極間距離１１mm，電流密度
0.２Ａ／cm² ，接液スピード７ｍ／sec の条件で高速め
っきを行い、前記レジストマスクパターン１３以外の個
所に厚み３５〜４０μｍの銅層を導体回路層１６として
形成した（図３）。ついで、硫酸銅１００ｇ／ｌ，硫酸
５０ｇ／ｌ，硝酸カリウム３０ｇ／ｌの混合液を用いた
ノジェラめっきを行い、前記導体回路層の表面に厚み３
μｍで銅を堆積せしめて粗面化した。

【００６１】３）Ａ₃ 工程 Ａ₂ 工程で得られた板体を、２％苛性ソーダ水溶液から
成る剥離液に浸漬して、前記レジストマスク１３を剥離
除去して導体回路部１４ａ，実装端子部１５ａを残した
（図４）。ついで、導体回路層１６の表面に、ガラス繊
維−エポキシ樹脂板（商品名：ＧＦＰＬ−１７０ 三菱
瓦斯化学社製）の絶縁基材１７を当接し、全体を温度１
７０℃，圧２５Kg/cm²で熱圧着して一体化物とした（図
５）。

【００６２】４）Ａ₄ 工程 Ａ₃ 工程で得られた一体化物からＳＵＳ６３０の単板１
１のみを剥離した。ガラス繊維−エポキシ樹脂板の片面
は、全面が転写された銅薄膜１２’で被覆された（図
６，図７）。なお、この実装端子部１５ａ，１５ａのピ
ッチ間隔、また実装端子部１５ａと導体回路部１４ａの
ピッチ間隔はいずれも0.５mmに設計されている。

【００６３】５）Ａ₅ 工程 実装端子部１５ａ，１５ａを取り囲み、縦1.５mm，横１
2.５mmの矩形領域１９を除いた転写金属薄膜１２’の表
面に、エッチング用と半田めっき用の両方に併用できる
厚み４０mmのドライフィルム（商品名：富士フィルムＡ
６４０）を貼着してレジスト層１８を形成した（図８，
図９）。

【００６４】６）Ａ₆ 工程 ４3.３ｇ／ｌのＣｕ(NH₃)₄Ｃｌ液をエッチャントにし
て、領域１９から露出している転写銅薄膜の部分をエッ
チング除去して、実装端子部１５ａ，１５ａの表面１５
ｂ，１５ｂを露出させた（図１０，図１１）。 ７）Ａ₇ 工程 転写銅薄膜１２’の残余部分１２'aを陰極にし、フッ化
物を含まず、Ｓｎ²⁺１２〜２０ｇ／ｌ，Ｐｂ⁺²８〜１３
ｇ／ｌから成る半田めっき浴を用い、電流密度1.５Ａ／
dm² で半田めっきを行い、実装端子部の表面１５ｂ，１
５ｂに平均の厚み１５μｍの半田めっき層２０，２０を
形成した（図１２，図１３）。

【００６５】８）Ａ₈ 工程 約２％苛性ソーダ液を用いてレジスト層１８を剥離除去
し（図１４，図１５）、更に４3.３ｇ／ｌのＣｕ(NH₃)₄
Ｃｌ液を用いて、転写銅薄膜の残余部分１２'aをエッチ
ング除去して導体回路を露出させた（図１６，図１
７）。実装端子部１５ａ，１５ａの上には、全く位置ず
れを生ずることなく、均一な厚みの半田めっき層２０，
２０が形成された。すなわち、ピッチ間隔が0.５μｍで
ある狭ピッチの実装端子が形成された。

【００６６】なお、領域１９の縁に沿って、図１８と図
１９で示したような枠状の半田めっき層２０’が形成さ
れたが、これは、全体のブラッシング処理時に容易に除
去することができた。 実施例２ Ａ₆ 工程までは実施例１と同様の工程を経由して、領域
１９内に実装端子部１５ａ，１５ａの表面１５ｂ，１５
ｂを露出させた（図１０，図１１）。

【００６７】１）Ａ₆ −１工程 ついで、約２％の苛性ソーダ液を用いてレジスト層１８
を剥離除去して、転写銅薄膜の残余部分１２'aを露出さ
せた（図２０，図２１）。 ２）Ａ₆ −２工程 Ａ₆ −１工程で露出せしめた転写銅薄膜の残余部分１
２'aの表面と縁部１２'cを厚み４０μｍの半田めっき用
レジスト（商品名：富士フィルムＡ６４０）で被覆して
レジスト層２１を形成した（図２２，図２３）。

【００６８】このとき、実装端子部を内在する領域１９
は領域１９’へと若干狭くなる。ついで、実施例１と同
様にしてＡ₇ 工程，Ａ₈ 工程を行なって、図１６，図１
７で示したように、狭ピッチ（ピッチ0.１５mm）の実装
端子を形成した。なお、実施例２においては、実施例１
のような枠状の半田めっき層２０’は形成されなかった
ので、そのブラッシングは全く不要であった。

【００６９】実施例３ 実施例１と同様にして、図４で示したような導体金属層
１６を形成し、これを実施例１で用いた絶縁基材１７の
両面にＡ₃ 工程の条件で熱圧着して図２４で示すような
一体化物を製造したのち、単板１１を剥離除去して図２
５で示すような両面実装用の配線板用素材を製造した。
このときの実装端子部間のピッチ，実装端子部と導体回
路部との間隔はいずれも0.１５mmに設計されている。

【００７０】１）Ｂ₅ 工程 Ｂ₄ 工程で得られた素材に電気ドリルで孔径0.４mmのス
ルーホール用穴２２を穿設し、更に、無電解めっきを施
して、スルーホール用穴２２の壁面に化学銅を析出させ
て表面２２ａに導電性を付与した（図２６）。 ２）Ｂ₆ 工程 ついで、実施例１の場合と同じ広さの、実装端子部が内
在する領域１９を除いた転写銅薄膜の表面に、スルーホ
ール用穴の開口部２２ｂも封鎖して、レジスト剤（商品
名：富士フィルムＡ６４０）で厚み４０μｍのエッチン
グレジスト層２４を形成した（図２７）。

【００７１】３）Ｂ₇ 工程 領域１９から露出している転写銅薄膜の部分を実施例１
のＡ₈ 工程で用いた銅エッチャントによってエッチング
除去し、実装端子部１５ａ，１５ａの表面を露出させた
（図２８）。 ４）Ｂ₈ 工程 エッチングレジスト層２５を約２％の苛性ソーダ液を用
いて剥離除去し、転写銅薄膜の残余部分１２'aを露出さ
せ、同時にスルーホール用穴２２の開口部２２ｂも開放
した（図２９）。

【００７２】５）Ｂ₉ 工程 ついで、転写銅薄膜の残余部分１２'aの表面と領域１９
の縁を形成する縁部１２'cを半田めっき用のレジスト剤
（商品名：富士フィルムＡ６４０）で被覆して、厚み４
０μｍのめっきレジスト層２５を形成した（図３０）。
実装端子部を取り囲んで形成された領域１９’は、領域
１９よりも縦，横で約0.２mm狭くなっただけである。

【００７３】６）Ｂ₁₀工程 実施例１のＡ₇ 工程と同じ条件で半田めっきを行い、実
装端子部の表面１５ｂ，スルーホール用穴２２の表面に
厚みが１０〜１５μｍである半田めっき層２０を形成し
た（図３１）。 ７）Ｂ₁₁工程 苛性ソーダでまずめっきレジスト層２５を除去し、つい
で、実施例１のＡ₆ 工程で用いたエッチャントで転写銅
薄膜の残余部分１２'aを除去して導体回路を露出させた
（図３２）。

【００７４】かくして、実装端子部１５ａと位置ずれを
起こさずかつ厚みが均一な半田めっき層２０が形成され
ていて、しかも狭ピッチ（0.１５mm）である実装端子を
備え、スルーホールにも半田めっき層が形成されている
両面実装用のプリント配線板が得られた。

【００７５】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明方
法によれば、実装端子部の上に形成する半田のような実
装端子用金属層は、電解めっき法で形成されるので、実
装端子部と実装端子用金属層との間ではそもそもが位置
ずれを起こさない。そして、実装端子部の周囲に形成す
る領域は、実装端子部を取り囲んでいさえすればよいの
であるから、その広さは適宜であればよく、格別の寸法
精度を要求されるものではない。したがって、ピッチ0.
５mm以下である狭ピッチの実装端子も、確実に形成する
ことができ、その工業的価値は極めて大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】導電基材の表面に金属薄膜を形成した状態を示
す断面図である。

【図２】金属薄膜の上にレジストマスクを形成した状態
を示す断面図である。

【図３】導体金属層を形成した状態を示す断面図であ
る。

【図４】レジストマスクを除去して導体金属層が突起し
た状態を示す断面図である。

【図５】導体金属層を絶縁基材と一体化した状態を示す
断面図である。

【図６】図５の一体化物から導電基材を剥離除去した片
面実装用の配線板用素材の断面図である。

【図７】図６の配線板用素材の部分平面図である。

【図８】転写金属薄膜の上にエッチング兼めっきレジス
ト層を形成して実装端子部を取り囲む領域を形成した状
態を示す断面図である。

【図９】図８の素材の部分平面図である。

【図１０】実装端子部を取り囲む領域内の転写金属薄膜
を除去して実装端子部の表面を露出させた状態を示す断
面図である。

【図１１】図１０の素材の部分平面図である。

【図１２】実装端子部の表面に実装端子用金属層を形成
した状態を示す断面図である。

【図１３】図１２の素材の部分平面図である。

【図１４】エッチング兼めっきレジスト層を除去した状
態を示す断面図である。

【図１５】図１３の素材の部分平面図である。

【図１６】転写金属薄膜の残余部分を除去して成る本発
明の片面実装用プリント配線板を示す断面図である。

【図１７】図１６のプリント配線板の部分平面図であ
る。

【図１８】枠状の金属層が形成されたプリント配線板を
示す断面図である。

【図１９】図１８のプリント配線板の部分平面図であ
る。

【図２０】第１の製造方法の改良方法でエッチングレジ
スト層を除去した状態を示す断面図である。

【図２１】図２０の素材の部分平面図である。

【図２２】第１の製造方法の改良方法で、転写金属薄膜
の残余部分の表面とその縁部にめっきレジスト層を形成
した状態を示す断面図である。

【図２３】図２２の素材の部分平面図である。

【図２４】絶縁基材の両面に導体金属層を一体化した状
態を示す断面図である。

【図２５】図２４の一体化物から導電基材を剥離除去し
た状態を示す断面図である。

【図２６】スルーホール用穴を穿設しそこに導電性を付
与した状態を示す断面図である。

【図２７】転写金属薄膜の上にエッチングレジスト層を
形成して実装端子部を取り囲む領域を形成した状態を示
す断面図である。

【図２８】実装端子部を取り囲む領域内の転写金属薄膜
を除去して実装端子部の表面を露出させた状態を示す断
面図である。

【図２９】エッチングレジスト層を除去して転写金属薄
膜の残余部分を露出させた状態を示す断面図である。

【図３０】転写金属薄膜の残余部分の表面および縁部を
被覆してめっきレジスト層を形成した状態を示す断面図
である。

【図３１】実装端子部の表面に実装端子用金属層を形成
した状態を示す断面図である。

【図３２】第２の製造方法による本発明の両面実装用プ
リント配線板の断面図である。

【図３３】独立実装端子部を有する配線板用素材の部分
平面図である。

【図３４】図３３の素材に実装端子部を取り囲む領域を
形成した状態を示す部分平面図である。

【図３５】図３４の領域内に実装端子部の表面を露出さ
せた状態を示す部分平面図である。

【図３６】実装端子部のエッチング量を多くしてその表
面を凹没させた状態を示す断面図である。

【図３７】実装端子の面が絶縁基材の面と同一面になっ
ている状態を示す断面図である。

【図３８】実装端子の面が絶縁基材の面より凹没してい
る状態を示す断面図である。

【図３９】従来の方法において、絶縁基材に導体金属層
と金属薄膜を転写した状態を示す断面図である。

【図４０】図３９の素材の表面にレジストマスクを形成
した状態を示す断面図である。

【図４１】実装端子用金属層を形成した状態を示す断面
図である。

【図４２】レジストマスクを除去した状態を示す断面図
である。

【図４３】従来の方法で得られた片面実装用プリント配
線板の断面図である。

【符号の説明】

１ 絶縁基材 ２ 導体回路部 ３ 実装端子部 ３ａ 実装端子部の縁部 ４ 金属薄膜 ５ レジスト層 ５ａ レジスト層の縁部 ６ 半田層 １１ 平板状導電基材 １２ 金属薄膜 １２’転写金属薄膜 １２'a 転写金属薄膜の残余部分 １２'b 領域１９内で露出する転写金属薄膜の部分 １２'c 転写金属薄膜の縁部 １３ レジストマスク １４ 導体回路部を形成する個所 １４ａ 導体回路部 １５ 実装端子部を形成する個所 １５ａ 実装端子部 １５ｂ 実装端子部１５ａの表面 １５ｃ 実装端子部１５ａの尾部 １５'a 独立実装端子部 １５'b 独立実装端子部１５'aの表面 １５'c 独立実装端子部１５'aのリード部 １６ 導体金属層 １７ 絶縁基材 １７ａ 絶縁基材の表面 １８ エッチング兼めっきレジスト層，エッチングレジ
スト層 １９ 実装端子部１５を取り囲んで転写金属薄膜の上に
形成される領域 １９’ めっきレジスト層２１で取り囲まれた領域 ２０ 実装端子用金属層 ２０’枠状の金属層 ２１ めっきレジスト層 ２２ スルーホール用穴 ２２ａ スルーホール用穴の表面 ２２ｂ スルーホール用穴の開口部 ２３ 導電層（化学銅） ２４ エッチングレジスト層 ２５ めっきレジスト層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村上 圭一 神奈川県綾瀬市大上５丁目14番15号 名幸 電子工業株式会社内 (72)発明者 三木 利郎 東京都港区新橋１丁目14番１号 東亞合成 化学工業株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 平板状導電基材の表面に金属薄膜を形成
   する工程；前記金属薄膜の表面のうち、導体回路部およ
   び実装端子部の非形成個所をレジストマスクで被覆する
   ことにより導体回路および実装端子のパターンを形成さ
   せたのち、前記導体回路および実装端子のパターンの形
   成個所に、めっき法で導体金属層を形成する工程；前記
   レジストマスクを除去したのち、前記導体金属層の表面
   に絶縁基材を圧着または加熱圧着して一体化する工程；
   得られた一体化物から前記平板状導電基材のみを剥離除
   去することにより、前記絶縁基材の片面に前記導体金属
   層および前記金属薄膜を転写して配線板用素材にする工
   程；前記素材の転写金属薄膜の表面のうち、前記実装端
   子部の形成個所に相当する表面部分とこれを取り囲む所
   望広さの領域を除いた表面部分をレジストマスクで被覆
   してレジスト層を形成する工程；前記実装端子部が内在
   する領域内に位置する転写金属薄膜の部分をエッチング
   除去して、実装端子部の導体金属層の表面を露出させる
   工程；実装端子部の導体金属層の表面に、電解めっき法
   により、前記導体金属層の導体金属とは異種または同種
   の金属または合金を電着して、実装端子用金属層を形成
   する工程；ならびに、前記レジスト層および前記転写金
   属薄膜の残余部分を順次除去して導体回路を露出させる
   工程；を必須の工程として具備することを特徴とするプ
   リント配線板の製造方法。
2. 【請求項２】 平板状導電基材の表面に金属薄膜を形成
   する工程；前記金属薄膜の表面のうち、導体回路部およ
   び実装端子部の非形成個所をレジストマスクで被覆する
   ことにより導体回路および実装端子のパターンを形成さ
   せたのち、前記導体回路および実装端子のパターンの形
   成個所に、めっき法で導体金属層を形成する工程；前記
   レジストマスクを除去したのち、前記導体金属層の表面
   を絶縁基材の両面に圧着または加熱圧着して一体化する
   工程；得られた一体化物から前記平板状導電基材のみを
   剥離除去することにより、前記絶縁基材の両面に前記導
   体金属層および前記金属薄膜を転写して配線板用素材に
   する工程；前記素材の転写金属薄膜の所定個所にスルー
   ホール用穴を穿設したのち、前記スルーホール用穴の表
   面に無電解めっきで導電性を付与する工程；前記素材の
   転写金属薄膜の表面のうち、前記実装端子部の形成個所
   に相当する表面部分とこれを取り囲む所望広さの領域を
   除いた表面部分、および前記スルーホール用穴の開口部
   をレジストマスクで被覆してエッチングレジスト層を形
   成する工程；前記実装端子部が内在する領域内に位置す
   る転写金属薄膜の部分をエッチング除去して、実装端子
   部の導体金属層の表面を露出させる工程；前記エッチン
   グレジスト層を除去して、転写金属薄膜の残余部分を露
   出させる工程；前記転写金属薄膜の残余部分の表面およ
   び縁部を覆い、かつ前記スルーホール用穴の開口部は覆
   わずにめっきレジスト層を形成する工程；実装端子部の
   導体金属層の表面および前記スルーホール用穴の表面
   に、電解めっき法により、前記導体金属層の導体金属と
   は異種または同種の金属または合金を電着して、実装端
   子用金属層およびめっきスルーホールを形成する工程；
   ならびに、前記めっきレジスト層および前記転写金属薄
   膜の残余部分を順次除去して導体回路を露出させる工
   程；を必須の工程として具備することを特徴とするプリ
   ント配線板の製造方法。