JPH06151552A - 半導体製造装置およびそれを用いた半導体製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 マルチチャンバ装置において、半導体ウエハ
を外部に取り出すことなく検査可能とする。 【構成】 半導体集積回路装置の製造工程において用い
るマルチチャンバ装置１において、ウエハ搬送チャンバ
２の外周に、半導体ウエハの検査を行う機能を有する検
査チャンバ８を設け、半導体ウエハに対する処理および
検査を一貫して行うことが可能な構造とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置および
それを用いた半導体製造技術に関し、装置本体に複数の
プロセスチャンバを有するマルチチャンバ装置に適用し
て有効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】マルチチャンバ装置は、今後の半導体製
造装置の発展形態の１つとして、１９８０年代の後半頃
から、国内外の半導体装置メーカから堤案され、製作さ
れている。これは、マルチチャンバ装置が、以下に示す
ような優れた特徴を有するからである。

【０００３】（１）マルチチャンバ装置は、真空または
不活性ガス雰囲気中において半導体ウエハの一貫処理を
行うことができ、各層の形成に際し外界からの汚染等を
防ぐことができるので、半導体集積回路装置の品質の向
上および安定化を図ることが可能である。

【０００４】（２）マルチチャンバ装置は、装置本体内
での一貫処理が可能なので、半導体ウエハを搬送するの
に要する時間を短くすることができ、全体として製造時
間を短縮することが可能である。

【０００５】（３）マルチチャンバ装置は、新プロセス
に対応する際、装置全体を新規に製造し直すのではな
く、ウエハ搬送室、ロードロック室等は従来のものをそ
のまま用い、変更を必要とするプロセスチャンバだけを
新規に製作し直せば良い。

【０００６】このため、新プロセスに対応可能なマルチ
チャンバ装置を比較的短時間で製造でき、新プロセスの
導入に迅速に対応することが可能である。また、新プロ
セスに対応可能なマルチチャンバ装置の製造費用を比較
的低く抑えることができ、新プロセスの導入に比較的安
価に対応することが可能である。

【０００７】ところで、従来のマルチチャンバ装置は、
例えばウエハ搬送チャンバと、その周囲に設置された複
数台のプロセスチャンバと、ウエハ搬送チャンバの周囲
に各１式ずつ設置されたローダおよびアンローダとから
構成されていた。

【０００８】ウエハ搬送チャンバは、室内に設置された
ウエハ搬送ロボットによって半導体ウエハを所定のプロ
セスチャンバ等に搬送するための構成部である。プロセ
スチャンバは、半導体ウエハに対して、例えば薄膜形成
等のような所定の処理を施すための構成部である。

【０００９】なお、マルチチャンバ装置については、例
えば株式会社プレスジャーナル、１９９０年８月２０日
発行、「月刊 セミコンダクタワールド(Semiconductor
World) １９９０年９月号」Ｐ１０３〜Ｐ１３９に記載
があり、半導体製造プロセスにおけるマルチチャンバ装
置の重要性等について説明されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体集積
回路装置の製造プロセスにおいては、半導体集積回路装
置の信頼性や歩留りを向上させる等のような観点から製
造処理だけでなく検査も行う必要がある。特に、複数台
のマルチチャンバ装置を搬送室を介して接続した場合に
は、一貫処理工程が長くなるので、途中、必ず検査工程
が必要になる。

【００１１】ところが、上記従来のマルチチャンバ装置
においては、装置内に半導体ウエハの検査を行うための
検査部を設置することについての考慮がなされていなか
った。すなわち、従来のマルチチャンバ装置において
は、検査工程をも含めた一貫処理が行えなかった。

【００１２】このため、従来は、検査を行う場合、一
旦、半導体ウエハをマルチチャンバ装置の外部に取り出
さなければならなかった。しかし、そのようにすると、
例えば外気によって半導体ウエハが汚染されたり、半導
体ウエハ上に自然酸化膜が形成され、膜質が劣化した
り、素子を構成する膜の厚さが規定値と異なってしまっ
たりする不具合が生じ、半導体集積回路装置の信頼性お
よび歩留りが低下する問題があった。

【００１３】本発明は上記課題に着目してなされたもの
であり、その目的は、複数のプロセスチャンバを有する
半導体製造装置において、半導体ウエハを外部に取り出
すことなく検査することのできる技術を提供することに
ある。

【００１４】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１６】すなわち、請求項１記載の発明は、半導体
ウエハに対して所定の処理を施す複数のプロセスチャン
バと、前記プロセスチャンバとは別に１台以上設けら
れ、かつ、前記半導体ウエハに対して１以上のプロセス
評価を行うための検査機能を備える検査チャンバと、前
記半導体ウエハを前記プロセスチャンバおよび前記検査
チャンバに搬送するための搬送機能を備えるウエハ搬送
チャンバとを設けた半導体製造装置構造とするものであ
る。

【００１７】請求項２記載の発明は、前記検査チャンバ
における検査結果に基づいて、前記半導体ウエハを搬送
すべきプロセスチャンバを判断し、かつ、その判断結果
を前記ウエハ搬送室の搬送制御部に伝送するとともに、
搬送対象のプロセスチャンバにおける半導体ウエハの処
理条件を設定し、かつ、その設定結果を搬送対象のプロ
セスチャンバの処理制御部に伝送するための主制御部を
設けた半導体製造装置構造とするものである。

【００１８】請求項４記載の発明は、半導体ウエハに対
して所定の処理を施す複数のプロセスチャンバと、半導
体ウエハを搬送するための搬送機能を備えるウエハ搬送
チャンバとを設けた複数の装置本体を、連結チャンバを
介して連結するとともに、前記連結チャンバに、前記半
導体ウエハに対して１以上のプロセス評価を行うための
検査機能を持たせた半導体製造装置構造とするものであ
る。

【００１９】

【作用】上記した請求項１記載の発明によれば、複数の
プロセスチャンバを有する半導体製造装置において、検
査工程をも含めた自動一貫処理が可能となる。すなわ
ち、当該半導体製造装置において、半導体ウエハを外部
に取り出すことなく検査することが可能となる。

【００２０】上記した請求項２記載の発明によれば、検
査工程および検査工程によって判明した誤り部分の修正
工程等をも含めた自動一貫処理が可能となる。

【００２１】上記した請求項４記載の発明によれば、半
導体ウエハを連結チャンバを通じて搬送する際に同時に
検査を行うことができるので、連結チャンバに検査機能
を持たせない場合に比べて、当該半導体製造装置による
半導体集積回路装置の全体としての製造時間を短縮する
ことが可能となる。

【００２２】

【実施例１】図１は本発明の一実施例である半導体製造
装置の説明図、図２は検査チャンバの説明図、図３は半
導体製造方法のフロー図、図４，図６〜図８は所定工程
時の半導体製造装置における半導体ウエハの位置と半導
体ウエハ断面構造とを示した説明図、図５はプロセスチ
ャンバと搬送チャンバとの間における半導体ウエハの搬
送方法の説明図である。

【００２３】図１に示す本実施例１のマルチチャンバ装
置（半導体製造装置）１は、例えば半導体ウエハ（図１
には図示せず）の洗浄、酸化、膜付けおよび検査を連続
的に一貫して処理することが可能な構造となっている。

【００２４】マルチチャンバ装置１を構成するウエハ搬
送チャンバ２の周囲には、ウエハローダ３と、ウエハア
ンローダ４と、洗浄チャンバ( プロセスチャンバ）５
と、酸化チャンバ( プロセスチャンバ）６と、膜付けチ
ャンバ( プロセスチャンバ）７と、検査チャンバ８とが
設置されている。

【００２５】ウエハ搬送チャンバ２は、半導体ウエハを
所定の位置に搬送するための構成部であり、その内部に
は、半導体ウエハを搬送するための伸縮可能なアーム２
ａと、半導体ウエハを載置するための試料台２ｂとが設
置されている。

【００２６】ウエハ搬送チャンバ２は、アーム制御系２
ｃおよびバルブ開閉制御系２ｄによって制御されるよう
になっている。アーム制御系２ｃおよびバルブ開閉制御
系２ｄは、搬送チャンバ用ＣＰＵ２ｅの制御下にある。

【００２７】ウエハローダ３は、半導体ウエハをマルチ
チャンバ装置１内に搬入するための構成部である。ウエ
ハローダ３とウエハ搬送チャンバ２との間にはゲートバ
ルブ３ａが設置されている。ウエハローダ３の内部に
は、試料台３ｂが設置されている。試料台３ｂ上には、
半導体ウエハが載置されるようになっている。

【００２８】ウエハローダ３は、試料台制御系３ｃによ
って制御されるようになっている。

【００２９】試料台制御系３ｃは半導体ウエハの保持お
よびウエハ搬送チャンバ２との半導体ウエハの受渡し等
を制御するものである。試料台制御系３ｃは、ウエハロ
ーダ用ＣＰＵ３ｄの制御下にある。

【００３０】ウエハアンローダ４は、半導体ウエハをマ
ルチチャンバ装置１の外部に搬出するための構成部であ
る。ウエハアンローダ４とウエハ搬送チャンバ２との間
にはゲートバルブ４ａが設置されている。ウエハアンロ
ーダ４の内部には、試料台４ｂが設置されている。試料
台４ｂ上には、半導体ウエハが載置されるようになって
いる。

【００３１】ウエハアンローダ４は、試料台制御系４ｃ
によって制御されるようになっている。試料台制御系４
ｃは、半導体ウエハの保持およびウエハ搬チャンバ２と
の半導体ウエハの受渡し等を制御するものである。試料
台制御系４ｃは、ウエハアンローダ用ＣＰＵ４ｄの制御
下にある。

【００３２】洗浄チャンバ５は、半導体ウエハに対して
洗浄処理を施すための構成部である。洗浄チャンバ５と
ウエハ搬送チャンバ２との間にはゲートバルブ５ａが設
置されている。洗浄チャンバ５の内部には、試料台５ｂ
が設置されている。試料台５ｂ上には、半導体ウエハが
載置されるようになっている。

【００３３】洗浄チャンバ５は、試料台制御系５ｃおよ
びプロセス制御系５ｄによって制御されるようになって
いる。試料台制御系５ｃは半導体ウエハの保持およびウ
エハ搬送チャンバ２との半導体ウエハの受渡し等を制御
し、プロセス制御系５ｄは半導体ウエハを洗浄処理する
場合の方法を制御するものである。試料台制御系５ｃお
よびプロセス制御系５ｄは、洗浄チャンバ用ＣＰＵ（処
理制御部）５ｅの制御下にある。

【００３４】酸化チャンバ６は、半導体ウエハに対して
酸化処理を施し、半導体ウエハ上に例えば二酸化ケイ素
等のような絶縁膜（図１には図示せず）を形成するため
の構成部である。酸化チャンバ６とウエハ搬送チャンバ
２との間にはゲートバルブ６ａが設置されている。酸化
チャンバ６の内部には、試料台６ｂが設置されている。
試料台６ｂ上には、半導体ウエハが載置されるようにな
っている。

【００３５】酸化チャンバ６は、試料台制御系６ｃおよ
びプロセス制御系６ｄによって制御されるようになって
いる。試料台制御系６ｃは半導体ウエハの保持およびウ
エハ搬送チャンバ２との半導体ウエハの受渡し等を制御
し、プロセス制御系６ｄは半導体ウエハを酸化処理する
場合の方法を制御するものである。試料台制御系６ｃお
よびプロセス制御系６ｄは、酸化チャンバ用ＣＰＵ（処
理制御部）６ｅの制御下にある。

【００３６】膜付けチャンバ７は、酸化チャンバ６にお
いて半導体ウエハ上に形成された絶縁膜上に、例えばポ
リシリコン等を堆積するための構成部である。膜付けチ
ャンバ７とウエハ搬送チャンバ２との間にはゲートバル
ブ７ａが設置されている。膜付けチャンバ７の内部に
は、試料台７ｂが設置されている。試料台７ｂ上には、
半導体ウエハが載置されるようになっている。

【００３７】膜付けチャンバ７は、試料台制御系７ｃお
よびプロセス制御系７ｄによって制御されるようになっ
ている。試料台制御系７ｃは半導体ウエハの保持および
ウエハ搬送チャンバ２との半導体ウエハの受渡し等を制
御し、プロセス制御系７ｄは半導体ウエハを膜付け処理
する場合の方法を制御するものである。試料台制御系７
ｃおよびプロセス制御系７ｄは、膜付けチャンバ用ＣＰ
Ｕ（処理制御部）７ｅの制御下にある。

【００３８】検査チャンバ８は、半導体ウエハに対して
所定の検査を行う構成部である。すなわち、本実施例１
のマルチチャンバ装置１においては、検査をも含めた自
動一貫処理が可能な構造となっている。

【００３９】検査チャンバ８とウェハ搬送チャンバ２と
の間にはゲートバルブ８ａがあり、検査チャンバ８の内
部には、試料台８ｂが設置されている。試料台８ｂ上に
は、半導体ウエハが載置されるようになっている。

【００４０】検査チャンバ８は、試料台制御系８ｃおよ
び検査制御系８ｄによって制御されるようになってい
る。試料台制御系８ｃは半導体ウェハの保持およびウェ
ハ搬送チャンバ２との半導体ウエハの受渡し等を制御
し、検査制御系８ｄは半導体ウエハを検査する場合の方
法を制御するものである。また、試料台制御系８ｃおよ
び検査制御系８ｄは、検査チャンバ用ＣＰＵ８ｅの制御
下にある。

【００４１】搬送チャンバ用ＣＰＵ２ｅ、ウエハローダ
用ＣＰＵ３ｄ、ウエハアンローダ用ＣＰＵ４ｄ、洗浄チ
ャンバ用ＣＰＵ５ｅ、酸化チャンバ用ＣＰＵ６ｅ、膜付
けチャンバ用ＣＰＵ７ｅ、検査チャンバ用ＣＰＵ８ｅ
は、全体制御用ＣＰＵ（主制御部）９の管理下にある。

【００４２】ここで、検査チャンバ８の例を図２に示
す。本実施例１においては、検査チャンバ８に、例えば
光学式の膜厚測定装置が設置されている。その構成は次
の通りである。

【００４３】試料台８ｂ上に載置された半導体ウエハ１
０の上方には、光学系１１が設置されている。光学系１
１は、検査に際し、光学系１１の下部に設置された対物
レンズ１１ａを半導体ウエハ１０に近接させることが可
能なように、高さ方向に上下動可能な状態で設置されて
いる。

【００４４】光学系１１と検査チャンバ８の内部とは、
ベローズ１２を介して分離されている。ベローズ１２
は、その伸縮によって光学系の上下動を吸収するととも
に、検査チャンバ８の内部の雰囲気と外部の雰囲気とを
遮断する機能を備えている。

【００４５】すなわち、本実施例１のマルチチャンバ装
置１の検査チャンバ８においては、半導体ウエハ１０の
周辺を、管理された環境に保ちながら検査することが可
能となっている。したがって、検査チャンバ８の内部の
雰囲気を真空に保つことも可能であるし、また、窒素
（Ｎ₂)ガスや水素（Ｈ₂)ガス等のような不活性ガス雰囲
気に保つことも可能となっている。

【００４６】なお、検査チャンバ８のみならず、搬送チ
ャンバ２および他のプロセスチャンバも必要に応じて室
内の雰囲気を窒素ガスや水素ガス等のような不活性ガス
雰囲気にすることが可能な構造となっている。

【００４７】次に、本実施例１のマルチチャンバ装置１
を用いた半導体製造方法を、図３の命令に沿って図１、
図４〜図８によって説明する。

【００４８】図３は、一例として実行するプロセスフロ
ー図である。このプロセスフローは、図１の全体制御用
ＣＰＵ９によって管理される。したがって、処理は図３
のプロセスフローの開始命令（１００）から完了命令
（１１０）の命令をもとに実行される。

【００４９】そして、それぞれの命令（１００〜１１
０）は、その１つ前の命令が終了したという情報を受信
した後は、当該命令を自動的に処理し、完了命令（１１
０）を実行するまで続行するものとする。なお、各プロ
セスチャンバ５〜７は、操作開始時点には使用可能の状
態にあり、また、半導体ウエハを処理した後も直に使用
可能状態になるものとする。

【００５０】まず、図４（ａ）の左は、半導体ウエハ１
０が、ウエハローダ３の試料台３ｂに設置されている状
態を示している。図４（ａ）の右は、その時の半導体ウ
エハ１０の断面図である。

【００５１】半導体ウエハ１０は、例えばシリコン（Ｓ
ｉ）単結晶からなる厚い半導体基板からなり、その主面
上には薄い自然酸化膜１３が形成されている。この状態
で、作業者は開始命令を入力することができる。

【００５２】命令が入力されると（１００）、図１に示
した全体制御用ＣＰＵ９は、図３のプロセスフローに従
い、入力が開始命令であるかどうかを判断する。入力が
開始命令であるとすると、ウエハロード命令へ進行す
る。

【００５３】全体制御用ＣＰＵ９は、その信号を図１に
示したウエハローダ用ＣＰＵ３ｄに送信する。ウエハロ
ーダ用ＣＰＵ３ｄは、試料台３ｂにある半導体ウエハ１
０をウエハ搬送チャンバ２へ送ることができる状態にあ
ることを確認する。確認後、ウエハローダ用ＣＰＵ３ｄ
は、確認信号を全体制御用ＣＰＵ９に送信する（１０
１）。

【００５４】全体制御用ＣＰＵ９は、ウエハ搬送チャン
バ２に、図３のプロセスフローの検査命令を送信する。
搬送チャンバ用ＣＰＵ２ｅは、ウエハ搬送チャンバ２と
ウエハローダ３との間でイコライゼーション（等圧化処
理）等を実行した後、ゲートバルブ３ａを開け、アーム
２ａをウエハローダ３に入れ、半導体ウエハ１０をウエ
ハローダ３の試料台３ｂからウエハ搬送チャンバ２の試
料台２ｂに移し、アーム２ａを引き抜き、ゲートバルブ
３ａを閉じる。

【００５５】次に、搬送チャンバ用ＣＰＵ２ｅは、検査
チャンバ８が使用可能であることを確認した後、ウエハ
搬送チャンバ２と検査チャンバ８との間でイコライゼー
ション等を実行する。続いて、ゲートバルブ５ａを開
き、アーム２ａを検査チャンバ８に入れ、半導体ウエハ
１０をウエハ搬送チャンバ２の試料台２ｂ上から検査チ
ャンバ８の試料台８ｂ上に移し、アーム２ａを引き抜
き、ゲートバルブ８ａを閉じる。

【００５６】図４（ｂ）の左は、この時のマルチチャン
バ装置１内における半導体ウエハの位置（以下、単に装
置内ウエハ位置という）を示している。また、図４
（ｂ）の右は、この時の半導体ウエハ１０の断面構造で
ある。半導体ウエハ１０には処理が施されていないの
で、その構造はその前の工程である図４（ａ）の右と同
等である。

【００５７】検査チャンバ８において、検査チャンバ用
ＣＰＵ８ｅは、図３のプロセスフローの検査命令の時
に、半導体ウエハ１０が試料台８ｂに設置されたことを
確認する。続いて、対物レンズ１４を通して自動焦点合
せをした後、光の干渉を利用して半導体ウエハ１０上に
形成された自然酸化膜１３の膜厚を測定する。

【００５８】測定後、検査チャンバ用ＣＰＵ８ｅは終了
信号を全体制御用ＣＰＵ９に送信する。そして、全体制
御用ＣＰＵ９は、図３のプロセスフローの洗浄命令を実
行する。すなわち、全体制御用ＣＰＵ９は、ウエハ搬送
チャンバ２に、図３のプロセスフローの洗浄命令を送信
する（１０３）。すると、以下の動作を開始する。

【００５９】まず、搬送チャンバ用ＣＰＵ２ｅは、ウエ
ハ搬送チャンバ２と検査チャンバ８との間でイコライゼ
ーション等を実行した後、ゲートバルブ８ａを開け、ア
ーム２ａを検査チャンバ８に入れ、半導体ウエハ１０を
試料台８ｂから試料台２ｂに移し、アーム２ａを引き抜
き、ゲートバルブ８ａを閉じる。

【００６０】続いて、搬送チャンバ用ＣＰＵ２ｅは、洗
浄チャンバ５が使用可能であることを確認した後、ウエ
ハ搬送チャンバ２と洗浄チャンバ５との間でイコライゼ
ーション等を実行する。その後、ゲートバルブ５ａを開
き、アーム２ａを洗浄チャンバ５に入れ、半導体ウエハ
１０を試料台２ｂから試料台５ｂに移し、アーム２ａを
引き抜き、ゲートバルブ５ａを閉じる。

【００６１】図４（ｃ）の左はこの時の装置内ウエハ位
置である。また、図４（ｃ）の右はこの時の半導体ウエ
ハ１０の断面図である。半導体ウエハ１０には処理が施
されていないので、その構造はその前の工程図４（ｂ）
の右と同等である。

【００６２】ここで、搬送チャンバ２から洗浄チャンバ
５に半導体ウエハ１０を搬送する時の搬送ロボットの動
作を図５（ａ）〜（Ｃ）によって説明する。

【００６３】図５（ａ）は、半導体ウエハ１０がウエハ
搬送チャンバ２の試料台２ｂ上に載置されている状態を
示している。図５（ｂ）は、ウエハ搬送チャンバ２の試
料台２ｂ上の半導体ウエハ１０が洗浄チャンバ５ｂに移
載される前の状態である。

【００６４】試料台２ｂの上面は、試料台５ｂの上面よ
りも△だけ高い位置にある。試料台２ｂは、試料台５ｂ
と交差しない状態で、対応する位置が重なりあうまで移
動した後、所定の位置で２△だけ下方に移動する。試料
台２ｂ上の半導体ウエハ１０は、その途中で試料台８ｂ
上に移される。

【００６５】図５（ｃ）は、その後、試料台２ｂが洗浄
チャンバ５からウエハ搬送チャンバ２に引出される状態
を示している。この後、ウエハ搬送チャンバ２の内部の
試料台２ｂの位置は、図５（ａ）の状態に回復される。

【００６６】洗浄チャンバ５の試料台５ｂの高さと、検
査チャンバ８の高さは同等である。

【００６７】したがって、半導体ウエハ１０を検査チャ
ンバ８に搬送し試料台８ｂ上に載置することは、半導体
ウエハ１０を洗浄チャンバ５に搬送し試料台５ｂ上に載
置するのと同等の方法で実行することができる。

【００６８】続いて、洗浄チャンバ５における洗浄処理
およびそれ以降の処理について説明する。

【００６９】半導体ウエハ１０が洗浄チャンバ５に搬送
されると、洗浄チャンバ用ＣＰＵ５ｅは、プロセス制御
系５ｄを駆動して所定のウエハ洗浄処理を実行する。図
６（ａ）の左は、この時の装置内ウエハ位置である。ま
た、図６（ａ）の右が洗浄処理実行後の半導体ウエハ１
０の状態である。ここでは、図４に示した薄い自然酸化
膜１３が除去され、半導体ウエハ１０は半導体基板のみ
の状態である。

【００７０】ウエハ洗浄処理後、洗浄チャンバ用ＣＰＵ
５ｅは、終了信号を全体制御用ＣＰＵ９に送信する。全
体制御用ＣＰＵ９は、終了信号を受信後、図３のプロセ
スフローの検査命令を実行する（１０４）。そうする
と、以下の動作を開始する。

【００７１】まず、搬送チャンバ用ＣＰＵ２ｅは、ウエ
ハ搬送チャンバ２と洗浄チャンバ５との間でのイコライ
ゼーション等実行した後、ゲートバルブ５ａを開け、ア
ーム２ａを洗浄チャンバ５に入れ、半導体ウエハ１０を
試料台５ｂから試料台２ｂに移し、アーム２ａを引き抜
き、ゲートバルブ５ａを閉じる。

【００７２】続いて、搬送チャンバ用ＣＰＵ２ｅは、検
査チャンバ８が使用可であることを確認した後、ウエハ
搬送チャンバ２と検査チャンバ８との間でイコライゼー
ション等を実行する。その後、ゲートバルブ８ａを開
き、アーム２ａを洗浄チャンバ５に入れ、半導体ウエハ
１０を試料台２ｂから試料台８ｂに移した後、アーム２
ａを引き抜き、ゲートバルブ８ａを閉じる。

【００７３】図６（ｂ）の左はこの時の装置内ウエハ位
置である。また、図６（ｂ）の右はこの時のウエハの断
面構造である。この場合、ウエハ搬送域の雰囲気は、Ｎ
₂ 等のような不活性な雰囲気であるので、半導体ウエハ
１０には自然酸化膜１３は形成されず、その構造はその
前の工程の図６（ａ）の右と同等である。

【００７４】次に、検査チャンバ用ＣＰＵ８ｅは、前述
の検査方法と同様の方法で膜厚を測定する。検査チャン
バ制御ＣＰＵ８ｅは、膜厚が正常であることを確認した
後、終了信号を全体制御用ＣＰＵ９に送信する。全体制
御用ＣＰＵ９は、終了信号を受信した後、図３のプロセ
スフローの酸化命令を実行する（１０５）。そうする
と、以下の動作を開始する。

【００７５】まず、搬送チャンバ用ＣＰＵ２ｅは、ウエ
ハ搬送チャンバ２と検査チャンバ８との間でイコライゼ
ーション等実行した後、ゲートバルブ８ａを開け、アー
ム２ａを検査チャンバ８に入れ、半導体ウエハ１０を試
料台８ｂから試料台２ｂに移し、アーム２ａを引き抜
き、ゲートバルブ８ａを閉じる。

【００７６】続いて、搬送チャンバ制御用ＣＰＵ２ｅ
は、酸化チャンバ６が使用可であることを確認した後、
ウエハ搬送チャンバ２と酸化チャンバ６との間でイコラ
イゼーション等を実行する。その後、ゲートバルブ６ａ
を開き、アーム２ａを酸化チャンバ６に入れ、半導体ウ
エハ１０を試料台２ｂから試料台６ｂに移し、アーム２
ａを引き抜き、ゲートバルブ６ａを閉じる。

【００７７】図６（ｃ）の左はこの時の装置内ウエハ位
置を示している。また、図６（ｃ）の右は半導体ウエハ
１０の断面構造である。この場合、ウエハ搬送域の雰囲
気は、Ｎ₂ 等の不活性な雰囲気とする。このため、半導
体ウエハ１０に自然酸化膜が形成されず、その構造はそ
の前の工程である図６（ｂ）の右と同等である。

【００７８】次に、酸化チャンバ用ＣＰＵ６ｅは、プロ
セス制御系６ｄを駆動させて所定の酸化処理を実行す
る。図７（ａ）の左はこの時の装置内ウエハ位置であ
る。また、図７（ａ）の右は酸化処理後の半導体ウエハ
１０の断面構造である。半導体ウエハ１０上には、酸化
膜１４が形成されている。

【００７９】酸化チャンバ用ＣＰＵ６ｅは、酸化処理が
正常に終了したことを確認した後、終了信号を全体制御
用ＣＰＵ９に送信する。終了信号を受信した全体制御用
ＣＰＵ９は、図３のプロセスフローの検査命令（１０
６）を実行する。そうすると、以下の動作を開始する。

【００８０】まず、搬送チャンバ用ＣＰＵ２ｅは、ウエ
ハ搬送チャンバ２と酸化チャンバ６との間でイコライゼ
ーション等実行した後、ゲートバルブ６ａを開け、アー
ム２ａを酸化チャンバ６に入れ、半導体ウエハ１０を試
料台６ｂから試料台２ｂに移し、アーム２ａを引き抜
き、ゲートバルブ６ａを閉じる。

【００８１】続いて、搬送チャンバ用ＣＰＵ２ｅは、検
査チャンバ８が使用可能であることを確認した後、ウエ
ハ搬送チャンバ２と検査チャンバ８との間でイコライゼ
ーション等を実行する。その後、ゲートバルブ８ａを開
き、アーム２ａを検査チャンバ８に入れ、半導体ウエハ
１０を試料台２ｂから試料台８ｂに移し、アーム２ａを
引き抜き、ゲートバルブ８ａを閉じる。

【００８２】図７（ｂ）の左はこの時の装置内ウエハ位
置である。また、図７（ｂ）の右は半導体ウエハ１０の
断面構造である。この場合、ウエハ搬送域の雰囲気は、
Ｎ₂等の不活性な雰囲気とした。このため、半導体ウエ
ハ１０には自然酸化膜が形成されず、その構造はその前
の工程の図７（ａ）の右と同等である。したがって、酸
化膜１４は、厚さおよび質ともに良好なままである。

【００８３】次に、検査チャンバ用ＣＰＵ８ｅが、前述
の検査方法と同様の方法で膜厚を測定する。膜厚が正常
であることを確認して、検査チャンバ用ＣＰＵ８ｅは、
終了信号を全体制御用ＣＰＵ９に送信する。

【００８４】全体制御用ＣＰＵ９は、終了信号を受信し
た後、図３のプロセスフローのＰｏｌｙ−Ｓｉ膜付け命
令（１０７）を実行する。すると、以下の動作を開始す
る。

【００８５】まず、搬送チャンバ用ＣＰＵ２ｅは、検査
チャンバ８との間でイコライゼーション等を実行した
後、ゲートバルブ８ａを開け、アーム２ａを検査チャン
バ８に入れ、半導体ウエハ１０を試料台８ｂから試料台
２ｂに移し、アーム２ａを引き抜き、ゲートバルブ８ａ
を閉じる。

【００８６】続いて、搬送チャンバ用ＣＰＵ２ｅは、膜
付けチャンバ７が使用可能であることを確認した後、ウ
エハ搬送チャンバ２と膜付けチャンバ７との間でイコラ
イゼーション等を実行する。その後、ゲートバルブ７ａ
を開き、アーム２ａを膜付けチャンバ７に入れ、半導体
ウエハ１０を試料台２ｂから試料台７ｂに移し、アーム
２ａを引き抜き、ゲートバルブ７ａを閉じる。

【００８７】図７（ｃ）の左はこの時の装置内ウエハ位
置である。また、図７（ｃ）の右は半導体ウエハ１０の
断面構造である。この場合、ウエハ搬送域の雰囲気は、
Ｎ₂等の不活性な雰囲気とした。このため、半導体ウエ
ハ１０には自然酸化膜が形成されず、その構造はその前
の工程の図７（ｂ）の右と同等である。したがって、酸
化膜１４は、厚さおよび質ともに良好なままである。

【００８８】次に、膜付けチャンバ用ＣＰＵ７ｅは、プ
ロセス制御系７ｄを駆動させて、例えばＣＶＤ法等のよ
うな所定の成膜処理によって、半導体ウエハ１０上にポ
リシリコン等を堆積する処理を実行する。

【００８９】図８（ａ）の左は、この処理における装置
内ウエハ位置である。また、図８（ａ）の右は、この処
理後の半導体ウエハ１０の断面構造である。酸化膜１４
上には、例えばポリシリコンからなる半導体膜１５が堆
積されている。

【００９０】膜付けチャンバ用ＣＰＵ７ｅは、膜付け処
理が正常に終了したことを確認した後、終了信号を全体
制御用ＣＰＵ９に送信する。全体制御用ＣＰＵ９は、終
了信号を受信した後、図３のプロセスフローの検査命令
（１０８）を実行する。そうすると、以下の動作を開始
する。

【００９１】まず、搬送チャンバ用ＣＰＵ２ｅは、ウエ
ハ搬送チャンバ２と膜付けチャンバ７との間でイコライ
ゼーション等実行した後、ゲートバルブ７ａを開け、ア
ーム２ａを膜付けチャンバ７に入れ、半導体ウエハ１０
を試料台７ｂから試料台２ｂに移し、アーム２ａを引き
抜き、ゲートバルブ７ａを閉じる。

【００９２】続いて、搬送チャンバ用ＣＰＵ２ｅは、検
査チャンバ８が使用可能であることを確認した後、ウエ
ハ搬送チャンバ２と検査チャンバ８との間でイコライゼ
ーション等を実行する。

【００９３】その後、ゲートバルブ８ａを開き、アーム
２ａを検査チャンバ８に入れ、半導体ウエハ１０を試料
台２ｂから試料台８ｂに移し、アーム２ａを引き抜き、
ゲートバルブ８ａを閉じる。図８（ｂ）の左はこの時の
装置内ウエハ位置である。また、図８（ｂ）の右は半導
体ウエハ１０の断面構造である。この場合の構造も、同
様に図８（ａ）の右と同等である。

【００９４】次に、検査チャンバ用ＣＰＵ８ｅは、前述
の検査方法と同様の方法で膜厚を測定する。検査チャン
バ用ＣＰＵ８ｅは、膜厚が正常であることを確認した
後、終了信号を全体制御用ＣＰＵ９に送信する。終了信
号を受信した全体制御用ＣＰＵ９は、図３のプロセスフ
ローのウエハアンロード命令（１０９）を実行する。そ
うすると、以下の動作を開始する。

【００９５】まず、搬送チャンバ用ＣＰＵ２ｅは、ウエ
ハ搬送チャンバ２と検査チャンバ８との間でイコライゼ
ーション等を実行した後、ゲートバルブ８ａを開け、ア
ーム２ａを検査チャンバ８に入れ、半導体ウエハ１０を
試料台８ｂから試料台２ｂに移し、アーム２ａを引き抜
き、ゲートバルブ８ａを閉じる。

【００９６】続いて、搬送チャンバ用ＣＰＵ２ｅは、ウ
エハアンローダ４に半導体ウエハ１０を移動可能である
ことを確認した後、ウエハ搬送チャンバ２とウエハアン
ローダ４との間でイコライゼーション等を実行する。

【００９７】その後、ゲートバルブ４ａを開き、アーム
２ａをウエハアンローダ４に入れ、半導体ウエハ１０を
試料台２ｂから試料台４ｂに移し、アーム２ａを引き抜
き、ゲートバルブ４ａを閉じる。

【００９８】図８（ｃ）の左はこの時の装置内ウエハ位
置である。また、図８（ｃ）の右は半導体ウエハ１０の
断面構造である。なお、必要に応じてイコライゼーショ
ン等を省略することは可能である。

【００９９】以上のようにした後、終了信号を受信した
全体制御用ＣＰＵ９は、図３のプロセスフローの完了命
令を実行し（１１０）、一貫処理を終了する。

【０１００】このように、本実施例１によれば、マルチ
チャンバ装置１に検査チャンバ８を設けたことにより、
製造プロセスのみならず、検査をも含めた一貫処理が可
能となる。すなわち、製造プロセスおよび検査を、不活
性雰囲気に制御した条件下で行うことが可能となる。し
たがって、半導体ウエハ１０が、検査に際して外部汚染
を受けるのを防止することが可能となる。

【０１０１】このため、検査の際に、例えば半導体ウエ
ハ１０上に自然酸化膜が形成されるのを防止することが
可能となる。したがって、膜厚精度の高い、しかも良質
の酸化膜１４を、半導体ウエハ１０上に形成することが
可能となる。この結果、半導体集積回路装置の信頼性お
よび歩留りを向上させることが可能となる。

【０１０２】

【実施例２】図９は本発明の他の実施例である半導体製
造方法を示すフロー図である。

【０１０３】以下、本実施例２の半導体製造方法を、図
９のフローに沿って説明する。なお、本実施例２のマル
チチャンバ装置は、前記実施例１と同一構造なので、本
実施例２の説明においても図１，図２，図４〜図８を用
いることとする。

【０１０４】まず、洗浄チャンバ５において、半導体ウ
エハ１０上に形成された自然酸化膜１３を除去する（２
０１）。

【０１０５】続いて、検査チャンバ８において、自然酸
化膜１３が除去されていることを確認する（２０２）。
この時、自然酸化膜１３が残っていれば、残りの自然酸
化膜１３を除去できる洗浄時間を算出した後、その算出
された条件に従って再度洗浄処理を行うことによって自
然酸化膜１３を除去する。この手順を繰返して、半導体
ウエハ１０上の自然酸化膜１３を全て除去する（２０
３）。

【０１０６】次いで、酸化チャンバ６において、所定の
厚さの酸化膜１４を形成する（２０４）。続いて、検査
チャンバ８において、その酸化膜１４の膜厚を検査する
（２０５）。ここで、この時に測定された酸化膜１４の
膜厚の結果によって、３つの分岐ができる。

【０１０７】第１に、酸化膜厚が規格内の時には、それ
で当該作業を終了する（２０６，２０７）。

【０１０８】第２に、酸化膜厚が規格値よりも大きい時
には、検査チャンバ用ＣＰＵ８ｅが、当該膜厚と規格値
との差を求めて（２０８）、その差をゼロにする洗浄条
件を計算する（２０９）。洗浄チャンバＣＰＵ５ｅは、
その条件に従って洗浄を行い（２１０）、終了後、もと
のフローに戻す。

【０１０９】第３に、酸化膜厚が規格値よりも小さい時
には、検査チャンバ用ＣＰＵ８ｅが、当該膜厚と規格値
との差を求め（２１１）、現状の膜厚にさらにその厚さ
を追加して酸化するのに必要な酸化条件を計算する（２
１２）。酸化チャンバ用ＣＰＵ６ｅは、その条件に従っ
て酸化処理を行い（２１３）、終了後、もとのフローに
戻す。

【０１１０】このように、本実施例２においては、上述
のフローを繰り返すことにより、自然酸化膜の無い状態
で、しかも膜厚を高精度に制御した状態で、酸化膜１４
を半導体ウエハ１０上に形成することが可能となる。し
たがって、半導体集積回路装置の信頼性および歩留りを
さらに向上させることが可能となる。

【０１１１】

【実施例３】図１０は本発明の他の実施例である半導体
製造装置の説明図である。

【０１１２】本実施例３においては、図１０に示すよう
に、例えば２台のマルチチャンバ装置（半導体製造装
置）１ａ，１ｂが、連結チャンバ１６を介して機械的に
接続されている。

【０１１３】一方のマルチチャンバ装置１ａは、ウエハ
搬送チャンバ２、ウエハローダ３、ウエハアンローダ
４、洗浄チャンバ５、酸化チャンバ６、膜付けチャンバ
７および連結チャンバ１６によって構成されている。

【０１１４】また、他方のマルチチャンバ装置１ｂは、
ウエハ搬送チャンバ２の周りに、５台のプロセスチャン
バ１７ａ〜１７ｅが設置され、さらに、連結チャンバ１
６が設置されている。

【０１１５】連結チャンバ１６は、マルチチャンバ装置
１ａ，１ｂ間の半導体ウエハの搬送経路となるととも
に、半導体ウエハに対して所定の検査を行うための検査
機能を備えている。すなわち、本実施例３においては、
半導体ウエハをマルチチャンバ装置１ａ，１ｂ間に搬送
する間に同時に半導体ウエハに対して検査を行うことが
可能となっている。

【０１１６】このように本実施例３によれば、以下の効
果を得ることが可能となる。

【０１１７】(1).連結チャンバ１６に検査機能を持たせ
たことにより、半導体ウエハ１０の搬送工程中に検査を
行うことができるので、連結チャンバに検査機能を持た
せない場合に比べて、当該半導体製造装置による半導体
集積回路装置の全体としての製造時間を短縮することが
可能となる。すなわち、信頼性の高い半導体集積回路装
置を短時間で製造することが可能となる。

【０１１８】(2).連結チャンバ１６に検査機能を持たせ
たことにより、検査チャンバを別に設けないで済む分、
当該半導体製造装置全体のチャンバ数を低減することが
可能となる。

【０１１９】

【実施例４】図１１は本発明の他の実施例である半導体
製造装置の説明図である。

【０１２０】本実施例４の半導体製造装置は、バッチ処
理対応のマルチチャンバ装置１である。この場合は、前
記図１のマルチチャンバ装置１と以下の点で異なる。

【０１２１】本実施例４のマルチチャンバ装置１の場合
には、バッチ処理を行うので、複数枚の半導体ウエハを
一次保管する場所が必要である。

【０１２２】そこで、１つのプロセスチャンバ接続面
に、検査チャンバ８で検査を行う半導体ウエハを一時的
に保管しておくためのウエハ保管チャンバ１８が設置さ
れている。

【０１２３】このウエハ保管チャンバ１８は、保管チャ
ンバ用制御系１８ａによって管理されるようになってい
る。保管チャンバ用制御系１８ａは、検査チャンバ用Ｃ
ＰＵ８ｅによって制御されるようになっている。これに
より、複数枚の半導体ウエハに対しての検査が可能とな
っている。

【０１２４】また、本実施例４においては、ウエハ搬送
チャンバ２の外周に、ローダ・アンローダ１９が設置さ
れている。ローダ・アンローダ１９は、ローダ機能とア
ンローダ機能とを一体的に有する機構部である。これに
より、チャンバ数を減らすことが可能となっている。

【０１２５】ローダ・アンローダ１９の構要素は、ウエ
ハローダ等と同等である。すなわち、ウエハ搬送チャン
バ２との間に設置されたゲートバルブ１９ａと、ローダ
・アンローダ１９内に設置された試料台１９ｂと、試料
台１９ｂを制御するための試料台制御系１９ｃと、プロ
セス制御系１９ｄと、ローダ・アンローダ用ＣＰＵ１９
ｅとを有している。

【０１２６】本実施例４によれば、複数枚の半導体ウエ
ハを処理する場合においても、前記実施例１，２と同様
の効果を得ることが可能となる。

【０１２７】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
１〜４に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【０１２８】例えば前記実施例１〜４においては、検査
チャンバに光学方式を用いた膜厚測定装置を設けた場合
について説明したが、これに限定されるものではなく種
々変更可能であり、例えば電子光学方式を用いた顕微鏡
を設けても良い。この例を図１２に示す。

【０１２９】この電子線方式の検査チャンバ８は、基本
的には、真空雰囲気内に、電子光学系２０、半導体ウエ
ハ１０、検査チャンバ用試料台８ｂが設置されるように
なっている。真空雰囲気は、真空排気部２１によって維
持されるようになっている。

【０１３０】ウエハ搬送チャンバ２と検査チャンバ８の
間には、検査チャンバ用のゲートバルブ８ａが設置され
ている。これを閉じることにより検査チャンバ８は閉じ
た系になるので、この系を真空にすることが可能になっ
ている。

【０１３１】また、前記実施例１〜４においては、マル
チチャンバ装置に洗浄、成膜および検査用のチャンバを
設けて、洗浄、成膜および膜厚測定等を一貫して行う場
合について説明したが、これに限定されるものではなく
種々のプロセスに適用可能であり、例えばマルチャンバ
装置に洗浄、配線形成、成膜および検査用のチャンバを
設けて、洗浄、配線形成、配線パターンの良否判定検査
および成膜処理等の一連の処理を一貫して行うようにし
ても良い。

【０１３２】また、そのマルチチャンバ装置に、例えば
配線修正用チャンバを設けることにより、検査用チャン
バにおいて断線または短絡不良が発見された際に、その
検査結果のデータを配線修正用チャンバに伝送し、その
検査データに従って配線修正用チャンバにおいて配線の
修正を行うようにしても良い。

【０１３３】この場合、半導体ウエハを配線修正に際し
て外部に取り出さなくて済むので、配線修正処理に際し
て、配線上に自然酸化膜が形成される等の不良モードを
無くすことができる。したがって、半導体集積回路装置
の信頼性および歩留りを向上させることが可能となる。

【０１３４】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。

【０１３５】(1).請求項１記載の発明によれば、複数の
プロセスチャンバを有する半導体製造装置において、検
査工程をも含めた自動一貫処理が可能となる。すなわ
ち、当該半導体製造装置において、半導体ウエハを外部
に取り出すことなく検査することが可能となる。

【０１３６】したがって、検査に際して半導体ウエハを
取り出したことに起因する汚染や膜厚の変化および膜質
の劣化等を防止することができるので、半導体集積回路
装置の信頼性および歩留りを向上させることが可能とな
る。

【０１３７】(2).請求項２記載の発明によれば、検査工
程および検査工程によって判明した誤り部分の修正工程
等をも含めた自動一貫処理が可能となる。

【０１３８】(3).請求項４記載の発明によれば、半導体
ウエハを連結チャンバを通じて搬送する際に同時に検査
を行うことができるので、連結チャンバに検査機能を持
たせない場合に比べて、当該半導体製造装置による半導
体集積回路装置の全体としての製造時間を短縮すること
が可能となる。すなわち、信頼性の高い半導体集積回路
装置を短時間で製造することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である半導体製造装置の説明
図である。

【図２】検査チャンバの説明図である。

【図３】半導体製造方法のフロー図である。

【図４】所定工程時の半導体製造装置における半導体ウ
エハの位置と半導体ウエハ断面構造とを示した説明図で
ある。

【図５】プロセスチャンバと搬送チャンバとの間におけ
る半導体ウエハの搬送方法の説明図である。

【図６】所定工程時の半導体製造装置における半導体ウ
エハの位置と半導体ウエハ断面構造とを示した説明図で
ある。

【図７】所定工程時の半導体製造装置における半導体ウ
エハの位置と半導体ウエハ断面構造とを示した説明図で
ある。

【図８】所定工程時の半導体製造装置における半導体ウ
エハの位置と半導体ウエハ断面構造とを示した説明図で
ある。

【図９】本発明の他の実施例である半導体製造方法を示
すフロー図である。

【図１０】本発明の他の実施例である半導体製造装置の
説明図である。

【図１１】本発明の他の実施例である半導体製造装置の
説明図である。

【図１２】本発明の他の実施例である半導体製造装置の
検査チャンバの説明図である。

【符号の説明】

１，１ａ，１ｂ マルチチャンバ装置（半導体製造装
置） ２ ウエハ搬送チャンバ ２ａ アーム ２ｂ 試料台 ２ｃ アーム制御系 ２ｄ バルブ開閉制御系 ２ｅ 搬送チャンバ用ＣＰＵ（搬送制御部） ３ ウエハローダ ３ａ ゲートバルブ ３ｂ 試料台 ３ｃ 試料台制御系 ３ｄ ウエハローダ用ＣＰＵ ４ ウエハアンローダ ４ａ ゲートバルブ ４ｂ 試料台 ４ｃ 試料台制御系 ４ｄ ウエハアンローダ用ＣＰＵ ５ 洗浄チャンバ（プロセスチャンバ） ５ａ ゲートバルブ ５ｂ 試料台 ５ｃ 試料台制御系 ５ｄ プロセス制御系 ５ｅ 洗浄チャンバ用ＣＰＵ（処理制御部） ６ 酸化チャンバ（プロセスチャンバ） ６ａ ゲートバルブ ６ｂ 試料台 ６ｃ 試料台制御系 ６ｄ プロセス制御系 ６ｅ 酸化チャンバ用ＣＰＵ（処理制御部） ７ 膜付けチャンバ（プロセスチャンバ） ７ａ ゲートバルブ ７ｂ 試料台 ７ｃ 試料台制御系 ７ｄ プロセス制御系 ７ｅ 膜付けチャンバ用ＣＰＵ（処理制御部） ８ 検査チャンバ ８ａ ゲートバルブ ８ｂ 試料台 ８ｃ 試料台制御系 ８ｄ 検査制御系 ８ｅ 検査チャンバ用ＣＰＵ ９ 全体制御用ＣＰＵ（主制御部） １０ 半導体ウエハ １１ 光学系 １１ａ 対物レンズ １２ ベローズ １３ 自然酸化膜 １４ 酸化膜 １５ 半導体膜 １６ 連結チャンバ １７ａ〜１７ｅ プロセスチャンバ １８ ウエハ保管チャンバ １８ａ 保管チャンバ用制御系 １９ ローダ・アンローダ １９ａ ゲートバルブ １９ｂ 試料台 １９ｃ 試料台制御系 １９ｄ プロセス制御系 １９ｅ ローダ・アンローダ用ＣＰＵ ２０ 電子光学系 ２１ 真空排気部

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウエハに対して所定の処理を施す
   複数のプロセスチャンバと、前記プロセスチャンバとは
   別に１台以上設けられ、かつ、前記半導体ウエハに対し
   て１以上のプロセス評価を行うための検査機能を備える
   検査チャンバと、前記半導体ウエハを前記プロセスチャ
   ンバおよび前記検査チャンバに搬送するための搬送機能
   を備えるウエハ搬送チャンバとを設けたことを特徴とす
   る半導体製造装置。
2. 【請求項２】 前記検査チャンバにおける検査結果に基
   づいて、前記半導体ウエハを搬送すべきプロセスチャン
   バを判断し、かつ、その判断結果を前記ウエハ搬送室の
   搬送制御部に伝送するとともに、搬送対象のプロセスチ
   ャンバにおける半導体ウエハの処理条件を設定し、か
   つ、その設定結果を搬送対象のプロセスチャンバの処理
   制御部に伝送するための主制御部を設けたことを特徴と
   する請求項１記載の半導体製造装置。
3. 【請求項３】 前記検査チャンバは、半導体装置製造処
   理に際して外気を遮断し、かつ、チャンバ内を真空また
   は不活性ガス雰囲気とする機構を有することを特徴とす
   る請求項１または２記載の半導体製造装置。
4. 【請求項４】 半導体ウエハに対して所定の処理を施す
   複数のプロセスチャンバと、前記半導体ウエハを搬送す
   るための搬送機能を備えるウエハ搬送チャンバとを設け
   た複数の装置本体を、連結チャンバを介して連結すると
   ともに、前記連結チャンバに、前記半導体ウエハに対し
   て１以上のプロセス評価を行うための検査機能を持たせ
   たことを特徴とする半導体製造装置。
5. 【請求項５】 前記半導体装置を用いた半導体製造工程
   に際して、前記検査チャンバにおける検査結果に基づい
   て前記半導体ウエハを所定のプロセスチャンバに搬送す
   る工程と、前記検査結果に基づいて前記所定のプロセス
   チャンバにおいて行うべき処理条件を設定する工程と、
   前記処理条件に基づいて前記半導体ウエハに対する処理
   を実行する工程とを有することを特徴とする請求項１，
   ２，３または４記載の半導体製造装置を用いた半導体製
   造方法。