JPH06151338A - Vapor growth apparatus - Google Patents
Vapor growth apparatusInfo
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- JPH06151338A JPH06151338A JP32266192A JP32266192A JPH06151338A JP H06151338 A JPH06151338 A JP H06151338A JP 32266192 A JP32266192 A JP 32266192A JP 32266192 A JP32266192 A JP 32266192A JP H06151338 A JPH06151338 A JP H06151338A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、Si基板等のウェハ上に
単結晶または多結晶の薄膜を気相成長させる気相成長装
置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vapor phase growth apparatus for vapor phase growing a single crystal or polycrystal thin film on a wafer such as a Si substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置を製造する際には、Siウェハ
上にSiの単結晶または多結晶の薄膜を形成する工程があ
る。このような工程において、Siウェハを石英製の反応
炉内に配置し、Siウェハを加熱しながら、反応ガスを内
部へ導入し、Siウェハに結晶膜を成長させることが広く
行われている。2. Description of the Related Art When manufacturing a semiconductor device, there is a step of forming a single crystal or polycrystal thin film of Si on a Si wafer. In such a process, it is widely practiced to place a Si wafer in a quartz reaction furnace, introduce a reaction gas into the inside while heating the Si wafer, and grow a crystal film on the Si wafer.
【０００３】反応炉内において一方向に反応ガスを流し
てSiウェハに結晶膜を成長させる場合には、反応炉内の
反応ガスの濃度分布及び流速分布がSiウェハ上に形成さ
れる結晶膜の膜厚均一性または比抵抗均一性に大きく影
響を与え、これらの均一性を実現するためには、ガスの
濃度分布及び流速分布を精密に制御することが重要であ
る。ところが、濃度一定のガスを１つのガス導入管から
反応炉へ供給することが一般的であるので、上述の濃度
分布及び流速分布の精密な制御には限界があり、均一性
の向上は困難であった。When a reaction gas is flowed in one direction in a reaction furnace to grow a crystal film on a Si wafer, the concentration distribution and the flow velocity distribution of the reaction gas in the reaction furnace affect the crystal film formed on the Si wafer. The film thickness uniformity or the specific resistance uniformity is greatly affected, and in order to realize these uniformity, it is important to precisely control the gas concentration distribution and the flow velocity distribution. However, since it is common to supply a gas with a constant concentration from one gas introduction pipe to the reaction furnace, there is a limit to the precise control of the above-mentioned concentration distribution and flow velocity distribution, and it is difficult to improve the uniformity. there were.
【０００４】流速分布を改善するための気相成長装置
が、特開平3-131594号公報に開示されている。図３はこ
の公報に開示された気相成長装置の平面図（図３(a))及
び断面図（図３(b))であり、図中１は透明石英からなる
平面視矩形であり偏平な反応炉である。反応炉１の内部
には、複数枚のウェハ２を載置する円形のサセプタ３が
配置されており、このサセプタ３はモータ（図示せず）
に接続された回転軸４に支持されており回転可能であ
る。反応炉１の外部には、ウェハ２及びサセプタ３を加
熱するための赤外線ランプ５が並設されており、赤外線
ランプ５の後方には反射板６が設けられている。反応炉
１の一端には５個のガス導入口７が開口したガス導入ユ
ニット８が設けられ、反応炉１の他端には排気口1aが設
けられている。各ガス導入口７には、ガス源に接続され
たガス供給管（図示せず）が接続されており、ガス導入
口７から導入された反応ガスは、これに連通したガス導
入ユニット８を通って反応炉１内へ供給される。A vapor phase growth apparatus for improving the flow velocity distribution is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 3-131594. FIG. 3 is a plan view (FIG. 3 (a)) and a cross-sectional view (FIG. 3 (b)) of the vapor phase growth apparatus disclosed in this publication, in which 1 is a rectangular plan view made of transparent quartz. It is a simple reactor. A circular susceptor 3 for mounting a plurality of wafers 2 is arranged inside the reaction furnace 1. The susceptor 3 is a motor (not shown).
It is supported by a rotating shaft 4 connected to and is rotatable. An infrared lamp 5 for heating the wafer 2 and the susceptor 3 is provided side by side outside the reaction furnace 1, and a reflecting plate 6 is provided behind the infrared lamp 5. A gas introduction unit 8 having five gas introduction ports 7 opened is provided at one end of the reaction furnace 1, and an exhaust port 1a is provided at the other end of the reaction furnace 1. A gas supply pipe (not shown) connected to a gas source is connected to each gas introduction port 7, and the reaction gas introduced from the gas introduction port 7 passes through a gas introduction unit 8 communicating therewith. And is supplied into the reaction furnace 1.
【０００５】図４は、図３のIV−IV線における断面図で
ある。図において、７，８は夫々ガス導入口，ガス導入
ユニットを示し、ガス導入ユニット８には各ガス導入口
７,ガス導入ユニット出口11に連通する流路14が形成さ
れている。ガス導入ユニット８内の両端には吊り下げ板
15が設けられており、反応炉１の幅と略等しい長さであ
り、反応炉１の短手方向にその長軸方向をなす丸棒16
が、この吊り下げ板15にてガス導入ユニット８（流路1
4）内に吊り下げられている。FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG. In the figure, reference numerals 7 and 8 denote a gas introduction port and a gas introduction unit, respectively, and the gas introduction unit 8 is formed with a flow path 14 communicating with each gas introduction port 7 and the gas introduction unit outlet 11. Hanging plates at both ends in the gas introduction unit 8
15 is provided and has a length substantially equal to the width of the reaction furnace 1, and a round bar 16 whose longitudinal direction is in the lateral direction of the reaction furnace 1.
However, the gas introduction unit 8 (flow path 1
4) Suspended inside.
【０００６】図５は、吊り下げ板15の吊り下げ状態を示
す斜視図である。ガス導入口７のピッチと等ピッチにて
ガス導入口７と交互に４個の吊り下げ板15が、ガス導入
ユニット８に設けられている。この４個の吊り下げ板15
にて丸棒16が吊り下げられていて、丸棒16上方の流路14
が５室に分割されている。FIG. 5 is a perspective view showing a suspended state of the suspension plate 15. Four suspending plates 15 are provided in the gas introducing unit 8 alternately with the gas introducing ports 7 at the same pitch as the gas introducing ports 7. These four hanging plates 15
The round bar 16 is hung at the channel 14 above the round bar 16.
Is divided into 5 rooms.
【０００７】以上の如き構成の従来装置においては、細
いガス導入口７からガス導入ユニット８へ反応ガスを導
入し、その反応ガスを丸棒16に衝突させて反応炉１の短
手方向へ拡散させ、流速を下げながら反応炉１内へ導入
せしめて、短手方向の反応ガスの流速分布の精密な制御
が可能となり、サセプタ３の回転と組み合わせれば、ウ
ェハ上の膜厚均一性をある程度向上させることができ
る。In the conventional apparatus having the above-described structure, the reaction gas is introduced from the narrow gas introduction port 7 into the gas introduction unit 8, and the reaction gas is collided with the round bar 16 to diffuse in the lateral direction of the reaction furnace 1. By introducing the reaction gas into the reaction furnace 1 at a reduced flow rate, it is possible to precisely control the flow velocity distribution of the reaction gas in the lateral direction, and in combination with the rotation of the susceptor 3, the film thickness uniformity on the wafer can be achieved to some extent. Can be improved.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】従来の反応炉におい
て、反応ガスの上流側での過剰消費によって生じる流れ
方向の膜厚不均一を前記従来装置により改善することが
できるが、さらに膜厚均一性を得ようとするとき、流速
分布のみによる制御では限界がある。本発明は斯かる事
情に鑑みてなされたものであり、反応炉の短手方向にお
ける流速分布のみならず、反応ガスの濃度分布の精密な
制御を実現可能とする気相成長装置を提供することを目
的とする。In the conventional reactor, the film thickness unevenness in the flow direction caused by the excessive consumption of the reaction gas on the upstream side can be improved by the above-mentioned conventional apparatus, but the film thickness uniformity is further improved. There is a limit in controlling only the flow velocity distribution when trying to obtain. The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a vapor phase growth apparatus capable of realizing not only the flow velocity distribution in the lateral direction of the reaction furnace but also the precise control of the concentration distribution of the reaction gas. With the goal.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】第１発明に係る気相成長
装置は、反応炉内に、複数のウェハを載置した回転可能
な円形サセプタを配置し、前記反応炉の１辺側に並設さ
れた複数の配管から前記反応炉内へガスを導入して前記
ウェハ上に結晶膜を成長させる気相成長装置において、
前記複数の配管夫々の途中にガスの流量を調節する流量
調節手段を備え、前記複数の配管へは夫々所定濃度に調
整されたガスを導入することが可能な構成としてあるこ
とを特徴とする。第２発明に係る気相成長装置は、第１
発明において、前記結晶膜の成長途中において、前記複
数の配管の流量又は濃度の制御を各別に行う制御部を備
えることを特徴とする。A vapor phase growth apparatus according to a first aspect of the present invention comprises a rotatable circular susceptor on which a plurality of wafers are mounted, arranged inside a reaction furnace, and arranged on one side of the reaction furnace. In a vapor phase growth apparatus for introducing a gas into the reaction furnace from a plurality of pipes provided to grow a crystal film on the wafer,
A flow rate adjusting means for adjusting the flow rate of gas is provided in the middle of each of the plurality of pipes, and the gas adjusted to a predetermined concentration can be introduced into each of the plurality of pipes. The vapor phase growth apparatus according to the second invention is the first
In the invention, the invention is characterized by further comprising a control unit for individually controlling the flow rate or the concentration of the plurality of pipes during the growth of the crystal film.
【００１０】[0010]
【作用】第１発明にあっては、複数の配管夫々に流量調
節手段を備え、各配管には夫々所定濃度に調整されたガ
スを導入することが可能な構成としてあるので、反応炉
において、複数の配管の並設方向に所定の濃度分布を有
するガスを、その流量を調節して導入することが可能と
なり、サセプタの回転による濃度分布のばらつきを低減
して結晶膜の膜厚を均一化することができる。第２発明
にあっては、第１発明の効果に加えて、所定濃度に調整
されたガスの各配管における濃度及び流量を、結晶膜の
成長途中において変更することができるので、例えば結
晶成長工程の前半においてはウェハ上でサセプタの外周
側ほど結晶膜厚が厚く、結晶成長工程の後半においては
ウェハ上でサセプタの中心部ほど結晶膜厚が厚くなるよ
うなガス濃度分布を実現することができ、このように制
御した場合は、膜厚分布が相殺されてより均一化された
結晶膜を得ることができる。In the first aspect of the invention, the plurality of pipes are provided with the flow rate adjusting means, and the gas adjusted to a predetermined concentration can be introduced into each of the pipes. It becomes possible to introduce gas with a predetermined concentration distribution in the direction in which multiple pipes are arranged side by side by adjusting the flow rate, reducing variations in concentration distribution due to rotation of the susceptor, and making the crystal film thickness uniform. can do. In the second invention, in addition to the effect of the first invention, the concentration and flow rate of the gas adjusted to a predetermined concentration in each pipe can be changed during the growth of the crystal film. In the first half of the above, it is possible to realize a gas concentration distribution in which the crystal film thickness becomes thicker on the wafer on the outer peripheral side of the susceptor, and in the latter half of the crystal growth process, the crystal film thickness becomes thicker on the wafer at the central part of the susceptor. In the case of controlling in this way, the film thickness distribution can be canceled and a more uniform crystal film can be obtained.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図１は第１発明に係る気相成長装
置を示す模式図であり、図１(a) はその平面図であり、
図１(b) はその断面図である。図中１は透明石英からな
る平面視矩形であり偏平な反応炉を示す。反応炉１の内
部には、複数枚のウェハ２を載置する円形のサセプタ３
が設置されており、サセプタ３は、モータ（図示せず）
に接続された回転軸４に軸支されており、サセプタ３は
回転可能である。反応炉１の外部には、ウェハ２及びサ
セプタ３を加熱するための赤外線ランプ５が並設されて
おり、赤外線ランプ５の上側には反射板６が設けられて
いる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be specifically described below with reference to the drawings showing the embodiments. FIG. 1 is a schematic diagram showing a vapor phase growth apparatus according to the first invention, and FIG. 1 (a) is a plan view thereof.
FIG. 1 (b) is a sectional view thereof. In the figure, reference numeral 1 denotes a flat reactor having a rectangular shape in plan view made of transparent quartz. Inside the reaction furnace 1, a circular susceptor 3 on which a plurality of wafers 2 are mounted is placed.
Is installed, and the susceptor 3 is a motor (not shown).
Is rotatably supported by a rotating shaft 4 connected to the susceptor 3, and the susceptor 3 is rotatable. An infrared lamp 5 for heating the wafer 2 and the susceptor 3 is arranged side by side outside the reaction furnace 1, and a reflection plate 6 is provided above the infrared lamp 5.
【００１２】反応炉１の一端には５個のガス導入口７が
開口したガス導入ユニット８が設けられ、反応炉１の他
端には排気口1aが設けられている。一方、反応ガス及び
キャリアガス（希釈ガス）は、図示しないガス源に貯留
されており、これらのガスは夫々流量調節弁を備える流
量計11を経て、ガスミキサ10へ供給されこのガスミキサ
10にて混合され、所定濃度に調整される。そしてこのよ
うな混合ガスを反応炉１へ供給するための５本の配管9
a, 9b, 9c, 9d, 9eが各ガス導入口７に連結されてお
り、ガス導入口７から導入されたガスは、これに連通し
たガス導入ユニット８を通って反応炉１内へ供給され
る。前記流量計11では流量を測定し、その流量が所定の
流量となるように流量調節弁によって自動的に調節され
る。A gas introduction unit 8 having five gas introduction ports 7 opened is provided at one end of the reaction furnace 1, and an exhaust port 1a is provided at the other end of the reaction furnace 1. On the other hand, the reaction gas and the carrier gas (diluting gas) are stored in a gas source (not shown), and these gases are respectively supplied to the gas mixer 10 via the flow meter 11 having a flow rate control valve.
Mix at 10 and adjust to the desired concentration. And five pipes 9 for supplying such a mixed gas to the reactor 1
a, 9b, 9c, 9d, 9e are connected to each gas introduction port 7, and the gas introduced from the gas introduction port 7 is supplied into the reaction furnace 1 through the gas introduction unit 8 communicating with this. It The flow meter 11 measures the flow rate, and the flow rate control valve automatically adjusts the flow rate to a predetermined flow rate.
【００１３】次に、以上の如き構成の装置を用いて、６
インチウェハに結晶成長を行う方法について説明する。
ウェハ２を載置したサセプタ３を回転させながら、赤外
線ランプ５によりウェハ２及びサセプタ３を 800℃以上
に加熱する。配管9a, 9c, 9d, 9eへは、反応ガスとして
トリクロルシランを 2.4g/分、キャリアガスとして水素
を40リットル／分供給し、配管9bへは反応ガスとしてト
リクロルシランを 7.3g/分、キャリアガスとして水素を
40リットル／分供給して反応炉１へ導入する。Next, using the apparatus having the above-mentioned structure,
A method of growing a crystal on an inch wafer will be described.
While rotating the susceptor 3 on which the wafer 2 is placed, the infrared lamp 5 heats the wafer 2 and the susceptor 3 to 800 ° C. or higher. To the pipes 9a, 9c, 9d, 9e, 2.4 g / min of trichlorosilane as a reaction gas and 40 l / min of hydrogen as a carrier gas were supplied, and to the pipe 9b, 7.3 g / min of trichlorosilane as a reaction gas, and a carrier gas. Hydrogen as gas
40 liter / min is supplied and introduced into the reactor 1.
【００１４】このとき配管9bから導入されたガス濃度
は、他の配管9a, 9c, 9d, 9eから導入されたガス濃度の
約３倍であり、反応炉１の短手方向において配管9bに対
応する位置のガス濃度が高くなるような濃度分布が実現
される。このガス濃度分布はウウェハ２に到達するまで
に拡散により多少緩やかになるが、その傾向は維持され
る。このような制御においては膜厚均一性を±８％から
±４％へ改善することができた。At this time, the gas concentration introduced from the pipe 9b is about three times the gas concentration introduced from the other pipes 9a, 9c, 9d, 9e, and corresponds to the pipe 9b in the lateral direction of the reactor 1. A concentration distribution is realized such that the gas concentration at the position where the light is turned on becomes high. This gas concentration distribution is somewhat moderated by diffusion before reaching the wafer 2, but this tendency is maintained. In such control, the film thickness uniformity could be improved from ± 8% to ± 4%.
【００１５】図２は第２発明に係る気相成長装置を示す
模式図であり、図２(a) はその平面図であり、図２(b)
はその断面図である。この装置においては各流量計11
に、設定ガス流量を結晶成長中に自動的に変更すること
が可能な制御部12を接続している。その他、図１と同一
部分には同一符号を付し、その説明を省略する。FIG. 2 is a schematic diagram showing a vapor phase growth apparatus according to the second invention, FIG. 2 (a) is a plan view thereof, and FIG.
Is a sectional view thereof. In this device, each flow meter 11
Further, the control unit 12 capable of automatically changing the set gas flow rate during crystal growth is connected. In addition, the same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【００１６】次に、以上の如き構成の装置を用いて、６
インチウェハに結晶成長を行う方法について説明する。
ウェハ２を載置したサセプタ３を回転させながら、赤外
線ランプ５によりウェハ２及びサセプタ３を 800℃以上
に加熱する。そして結晶成長工程中のガス流量は制御部
12の制御信号により各流量計11の流量調節弁を自動的に
変更する。例えば結晶成長工程の前半においては、配管
9a, 9eへ、反応ガスとしてトリクロルシランを 4.2g/
分、キャリアガスとして水素を70リットル／分供給し、
配管9b, 9c, 9dへ反応ガスとしてトリクロルシランを
1.2g/分、キャリアガスとして水素を20リットル／分供
給する。また後半においては、配管9a, 9eへ、反応ガス
としてトリクロルシランを 0.6g/分、キャリアガスとし
て水素を10リットル／分供給し、配管9b, 9c, 9dへ反応
ガスとしてトリクロルシランを16.3g/分、キャリアガス
として水素を90リットル／分供給する。Next, using the apparatus having the above structure,
A method of growing a crystal on an inch wafer will be described.
While rotating the susceptor 3 on which the wafer 2 is placed, the infrared lamp 5 heats the wafer 2 and the susceptor 3 to 800 ° C. or higher. The gas flow rate during the crystal growth process is controlled by the control unit.
The flow control valve of each flow meter 11 is automatically changed by 12 control signals. For example, in the first half of the crystal growth process, piping
To 9a, 9e, 4.2g / of trichlorosilane as a reaction gas
Supply 70 liters / minute of hydrogen as a carrier gas,
Trichlorosilane was added as a reaction gas to the pipes 9b, 9c, and 9d.
Supply 1.2 g / min and hydrogen as a carrier gas 20 liter / min. Further, in the latter half, trichlorsilane as a reaction gas was supplied to the pipes 9a and 9e at 0.6 g / min and hydrogen as a carrier gas was supplied at 10 liters / min. 90 l / min of hydrogen is supplied as a carrier gas.
【００１７】このような濃度分布制御を行ったガスを反
応炉１へ導入し、結晶膜を成長させると、結晶成長工程
の前半においてはウェハ２上でサセプタ３の外周側ほど
結晶膜厚が厚く、結晶成長工程の後半においてはウェハ
２上でサセプタ３の中心部ほど結晶膜厚が厚くなるよう
なガス濃度分布を実現することができる。従って結晶成
長終了時には前半と後半の膜厚分布が相殺されてウェハ
２上で均一な膜厚の結晶膜を得ることができる。上述の
ような制御においては膜厚均一性を±４％から±３％へ
改善することができた。When a gas whose concentration distribution has been controlled is introduced into the reaction furnace 1 to grow a crystal film, the crystal film becomes thicker on the wafer 2 on the outer peripheral side of the susceptor 3 in the first half of the crystal growth process. In the latter half of the crystal growth step, it is possible to realize a gas concentration distribution such that the crystal film thickness becomes thicker on the wafer 2 toward the central portion of the susceptor 3. Therefore, at the end of crystal growth, the film thickness distribution in the first half and the latter half are canceled out, and a crystal film having a uniform film thickness can be obtained on the wafer 2. In the above control, the film thickness uniformity could be improved from ± 4% to ± 3%.
【００１８】なお本実施例ではガス導入管として５本の
配管を設ける構成としたが、この数は反応炉１の幅と導
入される反応ガスの総流量とによって任意に決定される
ものであり、５本に限定されるものではない。また、実
施例では偏平な矩形断面を有する反応炉について示した
が、ガス導入系（図中9,10,11)が図１，図２に示すよう
な構成であれば反応炉の断面形状が異なっても同様の効
果を得ることができる。In this embodiment, five pipes are provided as gas introduction pipes, but this number is arbitrarily determined by the width of the reaction furnace 1 and the total flow rate of the reaction gas introduced. It is not limited to five. Further, in the examples, the reactor having a flat rectangular cross section is shown. However, if the gas introduction system (9, 10, 11 in the figure) has a configuration as shown in FIGS. Even if they are different, the same effect can be obtained.
【００１９】[0019]
【発明の効果】以上のように本発明に係る気相成長装置
においては、各配管に夫々流量調節手段を備え、各配管
へ所定濃度のガスを所定流量にて供給することにより、
反応炉長手方向の膜厚分布のばらつきを補償することが
可能となり、均一な結晶膜を得ることができる等、本発
明は優れた効果を奏する。As described above, in the vapor phase growth apparatus according to the present invention, each pipe is provided with a flow rate adjusting means, and a gas having a predetermined concentration is supplied to each pipe at a predetermined flow rate.
The present invention has excellent effects such that it is possible to compensate for variations in film thickness distribution in the longitudinal direction of the reaction furnace and obtain a uniform crystal film.
【図１】第１発明に係る気相成長装置を示す平面図及び
断面図である。FIG. 1 is a plan view and a cross-sectional view showing a vapor phase growth apparatus according to a first invention.
【図２】第２発明に係る気相成長装置を示す平面図及び
断面図である。FIG. 2 is a plan view and a sectional view showing a vapor phase growth apparatus according to a second invention.
【図３】従来の気相成長装置を示す平面図及び断面図で
ある。FIG. 3 is a plan view and a sectional view showing a conventional vapor phase growth apparatus.
【図４】図３のIV−IV線における断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG.
【図５】図４に示す吊り下げ板の吊り下げ状態を示す斜
視図である。5 is a perspective view showing a suspended state of the suspension plate shown in FIG. 4. FIG.
１ 反応炉 1a 排気口 ２ ウェハ ３ サセプタ ４ 回転軸 ５ 赤外線ランプ ６ 反射板 ７ ガス導入口 ８ ガス導入ユニット 9a,9b,9c,9d,9e 配管 10 ガスミキサ 11 流量計 12 制御部 1 Reactor 1a Exhaust port 2 Wafer 3 Susceptor 4 Rotating shaft 5 Infrared lamp 6 Reflector 7 Gas inlet 8 Gas inlet unit 9a, 9b, 9c, 9d, 9e Piping 10 Gas mixer 11 Flowmeter 12 Controller
Claims (2)
転可能な円形サセプタを配置し、前記反応炉の１辺側に
並設された複数の配管から前記反応炉内へガスを導入し
て前記ウェハ上に結晶膜を成長させる気相成長装置にお
いて、前記複数の配管夫々の途中にガスの流量を調節す
る流量調節手段を備え、前記複数の配管へは夫々所定濃
度に調整されたガスを導入することが可能な構成として
あることを特徴とする気相成長装置。1. A rotatable circular susceptor on which a plurality of wafers are mounted is arranged in a reaction furnace, and gas is introduced into the reaction furnace from a plurality of pipes arranged in parallel on one side of the reaction furnace. Then, in the vapor phase growth apparatus for growing a crystal film on the wafer, flow rate adjusting means for adjusting the flow rate of gas is provided in the middle of each of the plurality of pipes, and each of the plurality of pipes is adjusted to a predetermined concentration. A vapor phase growth apparatus having a structure capable of introducing gas.
数の配管の流量及び濃度の変更を各別に行う制御部を備
えることを特徴とする請求項１記載の気相成長装置。2. The vapor phase growth apparatus according to claim 1, further comprising a control unit for individually changing the flow rate and the concentration of the plurality of pipes during the growth of the crystal film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32266192A JPH06151338A (en) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | Vapor growth apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32266192A JPH06151338A (en) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | Vapor growth apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151338A true JPH06151338A (en) | 1994-05-31 |
Family
ID=18146193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32266192A Pending JPH06151338A (en) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | Vapor growth apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06151338A (en) |
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| JPH06232060A (en) * | 1992-12-11 | 1994-08-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Method and device for growing epitaxial silicon layer |
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| US8088223B2 (en) | 2005-03-10 | 2012-01-03 | Asm America, Inc. | System for control of gas injectors |
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1992
- 1992-11-06 JP JP32266192A patent/JPH06151338A/en active Pending
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