JPH06150397A - 光ディスク原盤の製造方法 - Google Patents
光ディスク原盤の製造方法Info
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- JPH06150397A JPH06150397A JP30202392A JP30202392A JPH06150397A JP H06150397 A JPH06150397 A JP H06150397A JP 30202392 A JP30202392 A JP 30202392A JP 30202392 A JP30202392 A JP 30202392A JP H06150397 A JPH06150397 A JP H06150397A
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- photoresist
- layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ディスク原盤の製造方法に関するもので、
同一原盤上に深さの異なるピットを有する原盤の製造方
法を提供するものである。 【構成】 基材１上に形成した第一のフォトレジスト層
２と第二のフォトレジスト層３に強度または波長の異な
る第一の記録光５と第二の記録光６を用いて深さの異な
るピット７、８を形成する。
同一原盤上に深さの異なるピットを有する原盤の製造方
法を提供するものである。 【構成】 基材１上に形成した第一のフォトレジスト層
２と第二のフォトレジスト層３に強度または波長の異な
る第一の記録光５と第二の記録光６を用いて深さの異な
るピット７、８を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスク原盤の製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の光ディスク原盤（以下、単に原盤
と記す）ではその表面に形成されたピットの深さは同一
原盤上ではすべて同じであったが、情報密度を高めるた
めの一手法として、同一原盤上に深さの異なったピット
を形成した原盤などが提案されてきた（例えば特開昭５
４−１３６３０３号公報）。しかし、従来の原盤製造方
法ではこの原盤の製造は難しかった。
と記す）ではその表面に形成されたピットの深さは同一
原盤上ではすべて同じであったが、情報密度を高めるた
めの一手法として、同一原盤上に深さの異なったピット
を形成した原盤などが提案されてきた（例えば特開昭５
４−１３６３０３号公報）。しかし、従来の原盤製造方
法ではこの原盤の製造は難しかった。
【０００３】従来の原盤製造方法を図３を用いて説明す
る。フォトレジストをスピンコート法等で基材１上に塗
布する（図３ｂ）。次にレンズ１２によりレーザ光１３
を絞ってによってフォトレジスト１１に露光を行うこと
で、情報を基板上に同心円もしくはスパイラル状に記録
する（図３ｃ）。露光を終えた基板上のフォトレジスト
に現像液１５を接触させて（図３ｄ）、製造工程を終え
る（図３ｅ）。
る。フォトレジストをスピンコート法等で基材１上に塗
布する（図３ｂ）。次にレンズ１２によりレーザ光１３
を絞ってによってフォトレジスト１１に露光を行うこと
で、情報を基板上に同心円もしくはスパイラル状に記録
する（図３ｃ）。露光を終えた基板上のフォトレジスト
に現像液１５を接触させて（図３ｄ）、製造工程を終え
る（図３ｅ）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の製造方法では原
盤上のピットの深さは基材上に成膜されたフォトレジス
トの膜厚によって決まるため、ピットの深さは原盤上ど
こも同じ深さになり、同一の原盤上でピットの深さを変
えることはできなかった。本製造方法は上記の欠点を解
消することを目的とする製造方法である。
盤上のピットの深さは基材上に成膜されたフォトレジス
トの膜厚によって決まるため、ピットの深さは原盤上ど
こも同じ深さになり、同一の原盤上でピットの深さを変
えることはできなかった。本製造方法は上記の欠点を解
消することを目的とする製造方法である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はこの目的を達成
するため、以下のような手段を用いる。 （１）基材上へのフォトレジストの塗布工程、記録（露
光）工程、現像工程からなる原盤製造方法において、基
材上へのフォトレジスト塗布工程時に、基材上に第一の
フォトレジスト層を塗布し、その第一のフォトレジスト
層の上に第二のフォトレジスト層を重ねて塗布し、記録
工程時に第二のフォトレジスト層のみを露光する強度の
記録光と、第二のフォトレジスト層および第一のフォト
レジスト層を露光する強度の記録光を用いて記録する。 （２）基材上へのフォトレジストの塗布工程、記録（露
光）工程、現像工程からなる原盤製造方法において、基
材上へのフォトレジスト塗布工程時に、基材上に第一の
フォトレジスト層を塗布し、その第一のフォトレジスト
層の上に第一のフォトレジスト層よりも吸収端波長の長
い第二のフォトレジスト層を重ねて塗布し、記録工程時
に第二のフォトレジスト層のみを露光する波長の記録光
と、第二のフォトレジスト層および第一のフォトレジス
ト層を露光する波長の記録光を用いて記録する。 （３）基材上へのフォトレジストの塗布工程、記録（露
光）工程、現像工程からなる原盤製造方法において、基
材上へのフォトレジスト塗布工程時に、基材上に第一の
フォトレジスト層を塗布し、その第一のフォトレジスト
層の上に境界層を形成し、境界層上に第二のフォトレジ
スト層を重ねて塗布し、記録工程時に第二のフォトレジ
スト層のみを露光する強度の記録光と、第二のフォトレ
ジスト層および第一のフォトレジスト層を露光する強度
の記録光を用いて記録する。 （４）基材上へのフォトレジストの塗布工程、記録（露
光）工程、現像工程からなる原盤製造方法において、基
材上へのフォトレジスト塗布工程時に、基材上に第一の
フォトレジスト層を塗布し、その第一のフォトレジスト
層の上に境界層を形成し、境界層上に第一のフォトレジ
スト層よりも吸収端波長の長い第二のフォトレジスト層
を重ねて塗布し、記録工程時に第二のフォトレジスト層
のみを露光する波長の記録光と、第二のフォトレジスト
層および第一のフォトレジスト層を露光する波長の記録
光を用いて記録する。
するため、以下のような手段を用いる。 （１）基材上へのフォトレジストの塗布工程、記録（露
光）工程、現像工程からなる原盤製造方法において、基
材上へのフォトレジスト塗布工程時に、基材上に第一の
フォトレジスト層を塗布し、その第一のフォトレジスト
層の上に第二のフォトレジスト層を重ねて塗布し、記録
工程時に第二のフォトレジスト層のみを露光する強度の
記録光と、第二のフォトレジスト層および第一のフォト
レジスト層を露光する強度の記録光を用いて記録する。 （２）基材上へのフォトレジストの塗布工程、記録（露
光）工程、現像工程からなる原盤製造方法において、基
材上へのフォトレジスト塗布工程時に、基材上に第一の
フォトレジスト層を塗布し、その第一のフォトレジスト
層の上に第一のフォトレジスト層よりも吸収端波長の長
い第二のフォトレジスト層を重ねて塗布し、記録工程時
に第二のフォトレジスト層のみを露光する波長の記録光
と、第二のフォトレジスト層および第一のフォトレジス
ト層を露光する波長の記録光を用いて記録する。 （３）基材上へのフォトレジストの塗布工程、記録（露
光）工程、現像工程からなる原盤製造方法において、基
材上へのフォトレジスト塗布工程時に、基材上に第一の
フォトレジスト層を塗布し、その第一のフォトレジスト
層の上に境界層を形成し、境界層上に第二のフォトレジ
スト層を重ねて塗布し、記録工程時に第二のフォトレジ
スト層のみを露光する強度の記録光と、第二のフォトレ
ジスト層および第一のフォトレジスト層を露光する強度
の記録光を用いて記録する。 （４）基材上へのフォトレジストの塗布工程、記録（露
光）工程、現像工程からなる原盤製造方法において、基
材上へのフォトレジスト塗布工程時に、基材上に第一の
フォトレジスト層を塗布し、その第一のフォトレジスト
層の上に境界層を形成し、境界層上に第一のフォトレジ
スト層よりも吸収端波長の長い第二のフォトレジスト層
を重ねて塗布し、記録工程時に第二のフォトレジスト層
のみを露光する波長の記録光と、第二のフォトレジスト
層および第一のフォトレジスト層を露光する波長の記録
光を用いて記録する。
【０００６】
【作用】前記手段を用いることにより、第二のフォトレ
ジスト層のみを露光する程度の強度の記録光で記録した
ピットは、現像工程によって第二のフォトレジスト層の
みが現像され、第二のフォトレジスト層の膜厚を深さと
するピットになる。第二のフォトレジスト層および第一
のフォトレジスト層両層を露光するのに十分な強度の記
録光で記録したピットは同様の工程で、第二のフォトレ
ジスト層および第一のフォトレジスト層の膜厚をたしあ
わせた膜厚（境界層がある場合は境界層の膜厚もたしあ
わせた膜厚）を深さとするピットになり、同一原盤上で
深さの異なるピットが得られる。
ジスト層のみを露光する程度の強度の記録光で記録した
ピットは、現像工程によって第二のフォトレジスト層の
みが現像され、第二のフォトレジスト層の膜厚を深さと
するピットになる。第二のフォトレジスト層および第一
のフォトレジスト層両層を露光するのに十分な強度の記
録光で記録したピットは同様の工程で、第二のフォトレ
ジスト層および第一のフォトレジスト層の膜厚をたしあ
わせた膜厚（境界層がある場合は境界層の膜厚もたしあ
わせた膜厚）を深さとするピットになり、同一原盤上で
深さの異なるピットが得られる。
【０００７】また、第二のフォトレジスト層に第一のフ
ォトレジスト層より吸収端波長が長いものを用いて、第
二のフォトレジスト層のみを露光する波長の第二の記録
光と、第一のフォトレジスト層と第二のフォトレジスト
層の両層を露光する波長の第一の記録光を用いて記録し
た場合も、同様に同一原盤上で深さの異なるピットが得
られる。
ォトレジスト層より吸収端波長が長いものを用いて、第
二のフォトレジスト層のみを露光する波長の第二の記録
光と、第一のフォトレジスト層と第二のフォトレジスト
層の両層を露光する波長の第一の記録光を用いて記録し
た場合も、同様に同一原盤上で深さの異なるピットが得
られる。
【０００８】第一のフォトレジスト層と第二のフォトレ
ジスト層の間に形成された境界層は、第二のフォトレジ
スト層に記録時の記録光が第一のフォトレジスト層を露
光するのを防ぐのと同時に、第二のフォトレジスト層に
記録されたピットの底面の形状を平坦にし、ピット形状
を良好にする。
ジスト層の間に形成された境界層は、第二のフォトレジ
スト層に記録時の記録光が第一のフォトレジスト層を露
光するのを防ぐのと同時に、第二のフォトレジスト層に
記録されたピットの底面の形状を平坦にし、ピット形状
を良好にする。
【０００９】
（実施例１）本発明の原盤の製造方法の第一の実施例を
図１を用いて説明する。
図１を用いて説明する。
【００１０】スピンコーティング法等を用いて基材１上
にまずフォトレジスト層２を塗布する（図１ａ）。次に
フォトレジスト層２のフォトレジストよりも感度の高い
フォトレジストを用いて、フォトレジスト層２の上に重
ねて塗布しフォトレジスト層３を造る（図１ｂ）。
にまずフォトレジスト層２を塗布する（図１ａ）。次に
フォトレジスト層２のフォトレジストよりも感度の高い
フォトレジストを用いて、フォトレジスト層２の上に重
ねて塗布しフォトレジスト層３を造る（図１ｂ）。
【００１１】記録光５はフォトレジスト層２およびフォ
トレジスト層３の両層を十分露光できる強度、記録光６
はフォトレジスト層３のみを露光する強度にし、記録光
５によって記録されたピット７の列と記録光６によって
記録されたピット８の列が隣合うように基板上に同心円
もしくはスパイラル状に情報を記録する（図１ｃ）。フ
ォトレジスト層２はフォトレジスト層３よりも感度が低
いため、記録光６によってフォトレジスト層３に記録を
行う際、その下の層のフォトレジスト層２は露光されな
い。
トレジスト層３の両層を十分露光できる強度、記録光６
はフォトレジスト層３のみを露光する強度にし、記録光
５によって記録されたピット７の列と記録光６によって
記録されたピット８の列が隣合うように基板上に同心円
もしくはスパイラル状に情報を記録する（図１ｃ）。フ
ォトレジスト層２はフォトレジスト層３よりも感度が低
いため、記録光６によってフォトレジスト層３に記録を
行う際、その下の層のフォトレジスト層２は露光されな
い。
【００１２】基板に現像処理を行い原盤製造工程を終え
る（図１ｄ）。以上の工程により、フォトレジスト層２
およびフォトレジスト層３の厚さをたしあわせた厚さを
ピット深さとするピット７の列と、フォトレジスト層３
の厚さをピット深さとするピット８の列の深さの異なる
ピットを原盤上に形成できる。
る（図１ｄ）。以上の工程により、フォトレジスト層２
およびフォトレジスト層３の厚さをたしあわせた厚さを
ピット深さとするピット７の列と、フォトレジスト層３
の厚さをピット深さとするピット８の列の深さの異なる
ピットを原盤上に形成できる。
【００１３】また、フォトレジスト層３にフォトレジス
ト層２より吸収端波長が長いものを用いて同様に塗布
し、フォトレジスト層３のみを露光する波長の記録光６
と、フォトレジスト層２とフォトレジスト層３の両層を
露光する波長の記録光５を用いて同様に記録してもよ
い。記録光６はフォトレジスト層２を露光するには波長
が長いため、フォトレジスト層３に記録する際フォトレ
ジスト層２を露光しない。
ト層２より吸収端波長が長いものを用いて同様に塗布
し、フォトレジスト層３のみを露光する波長の記録光６
と、フォトレジスト層２とフォトレジスト層３の両層を
露光する波長の記録光５を用いて同様に記録してもよ
い。記録光６はフォトレジスト層２を露光するには波長
が長いため、フォトレジスト層３に記録する際フォトレ
ジスト層２を露光しない。
【００１４】フォトレジスト層２はベイク処理を行い、
フォトレジスト層３はベイク処理を行わないことによっ
て、フォトレジスト層２の感度をフォトレジスト層３よ
りも低くしてもよい。
フォトレジスト層３はベイク処理を行わないことによっ
て、フォトレジスト層２の感度をフォトレジスト層３よ
りも低くしてもよい。
【００１５】（実施例２）本発明の原盤製造方法の第２
の実施例を図２を用いて説明する。
の実施例を図２を用いて説明する。
【００１６】スピンコーティング法等を用いて基材１上
にまずフォトレジスト層２を塗布する（図２ａ）。次に
フォトレジスト層２の上に重ねてＣＥＬを塗布し境界層
４を造る（図２ｂ）。そして境界層４上にフォトレジス
ト層３を塗布する（図２ｃ）。ＣＥＬはフォトレジスト
に比べて吸光度がはるかに高く、露光による光退色が露
光量に対して非線形であるので、ＣＥＬ層の下層のフォ
トレジスト層２に入射する露光像のコントラストを高く
する。
にまずフォトレジスト層２を塗布する（図２ａ）。次に
フォトレジスト層２の上に重ねてＣＥＬを塗布し境界層
４を造る（図２ｂ）。そして境界層４上にフォトレジス
ト層３を塗布する（図２ｃ）。ＣＥＬはフォトレジスト
に比べて吸光度がはるかに高く、露光による光退色が露
光量に対して非線形であるので、ＣＥＬ層の下層のフォ
トレジスト層２に入射する露光像のコントラストを高く
する。
【００１７】記録光５はフォトレジスト層２およびフォ
トレジスト層３の両層を十分露光できる強度、記録光６
はフォトレジスト層３のみを露光する強度にし、記録光
５によって記録されたピット９の列と記録光６によって
記録されたピット１０の列が隣合うように基板上に同心
円もしくはスパイラル状に情報を記録する（図２ｄ）。
記録光６によって記録する際、記録光６は境界層４によ
って遮られるためフォトレジスト層２を露光しない。ピ
ット１０の列のピット形状も境界層４を底とするピット
底面の平坦な良好なものとなる。
トレジスト層３の両層を十分露光できる強度、記録光６
はフォトレジスト層３のみを露光する強度にし、記録光
５によって記録されたピット９の列と記録光６によって
記録されたピット１０の列が隣合うように基板上に同心
円もしくはスパイラル状に情報を記録する（図２ｄ）。
記録光６によって記録する際、記録光６は境界層４によ
って遮られるためフォトレジスト層２を露光しない。ピ
ット１０の列のピット形状も境界層４を底とするピット
底面の平坦な良好なものとなる。
【００１８】最後に基板に現像処理を行い原盤製造工程
を終える。なお、ＣＥＬに水溶性のもの（例えばＧＥ社
製）を用いると、露光されたフォトレジスト間のＣＥＬ
もこの現像工程によってフォトレジストと一緒に溶ける
ため、ＣＥＬ除去の工程を省くことができる。
を終える。なお、ＣＥＬに水溶性のもの（例えばＧＥ社
製）を用いると、露光されたフォトレジスト間のＣＥＬ
もこの現像工程によってフォトレジストと一緒に溶ける
ため、ＣＥＬ除去の工程を省くことができる。
【００１９】また、フォトレジスト層２を塗布した段階
で基板にベイク処理（例えば窒素、酸素、アルゴン、ク
リプトンの少なくとも１つを含む雰囲気中において、８
０℃で３０分）を行い、フォトレジスト層２の表面に変
質層を形成し、この変質層をＣＥＬの代わりに境界層４
として用いても良い。
で基板にベイク処理（例えば窒素、酸素、アルゴン、ク
リプトンの少なくとも１つを含む雰囲気中において、８
０℃で３０分）を行い、フォトレジスト層２の表面に変
質層を形成し、この変質層をＣＥＬの代わりに境界層４
として用いても良い。
【００２０】フォトレジスト層２を塗布した段階で基板
に現像処理を行い、フォトレジスト層２の表面に変質層
を形成し、この変質層をＣＥＬの代わりに境界層４とし
て用いても良い。
に現像処理を行い、フォトレジスト層２の表面に変質層
を形成し、この変質層をＣＥＬの代わりに境界層４とし
て用いても良い。
【００２１】フォトレジスト層２にフォトレジスト層３
よりも感度の低いものを用いてもよい。
よりも感度の低いものを用いてもよい。
【００２２】フォトレジスト層２はベイク処理を行い、
フォトレジスト層３はベイク処理を行わないことによっ
て、フォトレジスト層２の感度をフォトレジスト層３よ
りも低くしてもよい。
フォトレジスト層３はベイク処理を行わないことによっ
て、フォトレジスト層２の感度をフォトレジスト層３よ
りも低くしてもよい。
【００２３】フォトレジスト層３にフォトレジスト層２
より、吸収端波長が長いものを用いて同様に塗布し、フ
ォトレジスト層３のみを露光する波長の記録光６と、フ
ォトレジスト層２とフォトレジスト層３の両層を露光す
る波長の記録光５を用いて同様に記録してもよい。
より、吸収端波長が長いものを用いて同様に塗布し、フ
ォトレジスト層３のみを露光する波長の記録光６と、フ
ォトレジスト層２とフォトレジスト層３の両層を露光す
る波長の記録光５を用いて同様に記録してもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明の光ディスク原盤製
造方法で、同一原盤内で深さの違うピット列を有する良
好な光ディスク原盤が得られる。
造方法で、同一原盤内で深さの違うピット列を有する良
好な光ディスク原盤が得られる。
【図１】本発明の光ディスク原盤の製造方法の一実施例
の工程図
の工程図
【図２】本発明の光ディスク原盤の製造方法の他の実施
例の工程図
例の工程図
【図３】従来の光ディスク原盤の製造方法の工程図
１ 基材 ２ フォトレジスト層 ３ フォトレジスト層 ４ 境界層 ５ 記録光 ６ 記録光 ７ ピット ８ ピット ９ ピット １０ ピット １１ フォトレジスト １２ レンズ １３ レーザ光 １４ 露光されたフォトレジスト １５ 現像液
フロントページの続き (72)発明者 高本 健治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 貴志 俊法 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 阿部 伸也 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】基材上へのフォトレジストの塗布工程、記
録（露光）工程、現像工程からなる光ディスク原盤製造
方法において、基材上へのフォトレジスト塗布工程時
に、基材上に第一のフォトレジスト層を塗布し、その第
一のフォトレジスト層の上に第二のフォトレジスト層を
重ねて塗布し、記録工程時に第一のフォトレジスト層と
第二のフォトレジスト層の両層を露光する強度の第一の
記録光と、第二のフォトレジスト層のみを露光する強度
の第二の記録光を用いて記録し、現像することにより同
一原盤上に深さの異なるピットを形成することを特徴と
する光ディスク原盤の製造方法。 - 【請求項２】基材上へのフォトレジストの塗布工程、記
録（露光）工程、現像工程からなる光ディスク原盤製造
方法において、基材上へのフォトレジスト塗布工程時
に、基材上に第一のフォトレジスト層を塗布し、その第
一のフォトレジスト層の上に第一のフォトレジスト層よ
りも吸収端波長の長い第二のフォトレジスト層を重ねて
塗布し、記録工程時に第一のフォトレジスト層と第二の
フォトレジスト層の両層を露光する波長の第一の記録光
と、第二のフォトレジスト層のみを露光する波長の第二
の記録光を用いて記録し、現像することにより同一原盤
上に深さの異なるピットを形成することを特徴とする光
ディスク原盤の製造方法。 - 【請求項３】基材上へのフォトレジストの塗布工程、記
録（露光）工程、現像工程からなる光ディスク原盤製造
方法において、基材上へのフォトレジスト塗布工程時
に、基材上に第一のフォトレジスト層を塗布し、その第
一のフォトレジスト層の上に境界層を形成し、境界層上
に第二のフォトレジスト層を重ねて塗布し、記録工程時
に第一のフォトレジスト層と第二のフォトレジスト層の
両層を露光する強度の第一の記録光と、第二のフォトレ
ジスト層のみを露光する強度の第二の記録光を用いて記
録し、現像することにより同一原盤上に深さの異なるピ
ットを形成することを特徴とする光ディスク原盤の製造
方法。 - 【請求項４】基材上へのフォトレジストの塗布工程、記
録（露光）工程、現像工程からなる光ディスク原盤製造
方法において、基材上へのフォトレジスト塗布工程時
に、基材上に第一のフォトレジスト層を塗布し、その第
一のフォトレジスト層の上に境界層を形成し、境界層上
に第一のフォトレジスト層よりも吸収端波長の長い第二
のフォトレジスト層を重ねて塗布し、記録工程時に第一
のフォトレジスト層と第二のフォトレジスト層の両層を
露光する波長の第一の記録光と、第二のフォトレジスト
層のみを露光する波長の第二の記録光を用いて記録し、
現像することにより同一原盤上に深さの異なるピットを
形成することを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。 - 【請求項５】第一のフォトレジスト層にベイク処理を行
うことによってできた第一のフォトレジスト層表面上の
変質層を境界層とする請求項３または４記載の光ディス
ク原盤製造方法。 - 【請求項６】窒素、酸素アルゴン、クリプトンの少なく
とも１つを含む雰囲気中で第一のフォトレジスト層のベ
イク処理を行う請求項５記載の光ディスク原盤製造方
法。 - 【請求項７】第一のフォトレジスト層に現像処理を行う
ことによってできた第一のフォトレジスト層表面上の変
質層を境界層とする請求項３または４記載の光ディスク
原盤製造方法。 - 【請求項８】境界層にＣＥＬを用いた請求項３または４
記載の光ディスク原盤製造方法。 - 【請求項９】第一のフォトレジスト層に第二のフォトレ
ジスト層よりも感度の低いものを用いる請求項１または
３記載の光ディスク原盤製造方法。 - 【請求項１０】第一のフォトレジスト層はベイク処理
し、第二のフォトレジスト層はベイク処理を行わない請
求項１または３記載の光ディスク原盤製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30202392A JPH06150397A (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | 光ディスク原盤の製造方法 |
| EP93117676A EP0596439A3 (en) | 1992-11-05 | 1993-11-02 | Method of manufacturing a mother disc usable for the production of optical discs. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30202392A JPH06150397A (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | 光ディスク原盤の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06150397A true JPH06150397A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17903969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30202392A Pending JPH06150397A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-12 | 光ディスク原盤の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06150397A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08227538A (ja) * | 1994-10-21 | 1996-09-03 | Nec Corp | 光ディスクの露光原盤及びその製造方法 |
| US6219330B1 (en) | 1997-09-30 | 2001-04-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Master disk for optical disk and having first and second photoresist layers |
-
1992
- 1992-11-12 JP JP30202392A patent/JPH06150397A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6219330B1 (en) | 1997-09-30 | 2001-04-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Master disk for optical disk and having first and second photoresist layers |
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