JPH06150246A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】磁気ディスク装置の高記録密度化を目的にトラ
ック幅加工の高精度化を図る。 【構成】基板上に第１磁性膜を形成し、第１磁性膜の上
に第１非磁性膜を形成し、平坦化して、第１磁性膜を露
出させた上に０.３〜１μｍ の厚さの第２磁性膜を成膜
し、この上に、磁気ギャップ膜及び第１マスク膜を形成
し、第２磁性膜，磁気ギャップ膜及び第１マスク膜を所
定形状に加工する。この上に、第２非磁性膜を形成し、
平坦化して、第１マスク膜を露出させた後、第１マスク
膜を除去し、上部磁性膜を形成する工程を有することを
特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 【効果】第２磁性膜が０.３〜１μｍ と薄いために、ト
ラック幅加工精度が向上し、磁気ディスク装置の高記録
密度化できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録装置、例えば
磁気ディスク装置や磁気テープ装置に搭載される薄膜磁
気ヘッドの製造方法に係り、特に、情報を高密度に記録
できる薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録装置の記録密度を増加させるに
は、トラック幅の小さい薄膜磁気ヘッドを用いてトラッ
ク密度を増加させる必要がある。小さいトラック幅を持
つ薄膜磁気ヘッドの磁極の製造方法に関しては、特開平
4−53012号公報に、下部磁極に対する上部磁極の位置合
わせ精度を高めるための薄膜磁気ヘッドの製造方法が開
示されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】特開平4−53012号公報
に開示された方法では、下部磁極を厚膜の状態で一括加
工を行うために下部磁極の幅を高精度に加工できない欠
点があった。

【０００４】本発明の目的は、上記欠点を解決すること
にある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本方法の薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、基板上に第１磁性膜（リーディングポー
ルと称する場合もある。）を形成する工程と、前記第１
磁性膜を所定パターンにエッチングする工程と、前記第
１磁性膜上に第１非磁性膜を形成する工程と、前記第１
非磁性膜の一部を除去し、前記第１磁性膜を露出させる
工程と、前記第１磁性膜及び前記第１非磁性膜の上部に
第２磁性膜を形成する工程と、前記第２磁性膜上に磁気
ギャップ膜を形成する工程と、前記磁気ギャップ膜上に
第１マスク膜を形成する工程と、前記第１マスク膜上に
マスク幅が前記第１磁性膜の上端幅より狭い第２マスク
を形成する工程と、前記第２マスクを用いて、前記第１
マスク膜，前記磁気ギャップ膜，前記第２磁性膜を所定
パターンにエッチングする工程と、前記第２マスクを除
去する工程と、前記第１マスク膜及び露出された前記第
１非磁性膜上に第２非磁性膜を形成する工程と、前記第
２非磁性膜の一部を除去し、前記第１マスク膜を露出さ
せる工程と、前記第１マスク膜を除去する工程と、前記
磁気ギャップ膜上に上端辺の幅が磁気ギャップ膜に隣接
する下端辺の幅よりも大きい第３磁性膜（上部磁極とな
り、トレーリングポールと称する場合もある。）を形成
する工程とを有することを特徴とする。

【０００６】ここで、第２磁性膜の膜厚は０.３〜１.０
μｍであり、加工された第２磁性膜の幅がトラック幅を
決定する。第２磁性膜の厚さが０.３μｍ より薄いとオ
フトラック特性が悪くなり、第２磁性膜の厚さが１.０
μｍ より厚いとトラック幅加工精度が悪くなるため、
第２磁性膜の膜厚は０.３〜１.０μｍとしている。

【０００７】第１マスク膜は、上部磁極の側短辺の磁気
ギャップ膜に隣接する部位に概略垂直な部分を形成する
ために形成するものであり、第１マスク膜を除去する工
程において磁気ギャップ膜又は第２磁性膜に対して選択
的にエッチングできる膜であることが望ましい。

【０００８】第１，第２及び第３磁性膜はスパッタリン
グ法，蒸着法，選択めっき法等で形成できる。

【０００９】エッチング法は、パターン幅の精度を向上
させるために、スパッタエッチング法やイオン−ムエッ
チング法などを用いることが望ましい。

【００１０】非磁性膜は第１磁性膜パターンの段差及び
第１磁性膜パターンとマスク膜パターン（間に磁気ギャ
ップ膜を含む場合がある。）との段差を平坦化するため
の膜であり、薄膜磁気ヘッドの作製後もリーディングポ
ールの側面などに残る膜であるから、薄膜磁気ヘッドの
浮上面の機械化工に耐え、薄膜磁気ヘッドの保護膜とし
て用いられる膜であることが好ましく、具体的にはアル
ミナなどの無機酸化物膜を用いることが望ましい。

【００１１】

【作用】本発明では、加工された第２磁性膜の幅がトラ
ック幅となるが、第２磁性膜が０.３〜１.０μｍと薄い
ため、２〜３μｍの厚膜を加工する場合に比べてトラッ
ク幅加工の精度を向上することができる。

【００１２】

【実施例】本発明の実施例５例について、図１ないし図
６により説明する。

【００１３】図１は第１の実施例を示す。図１（ａ）な
いし（ｈ）は本発明による薄膜磁気ヘッドのトラック幅
加工工程を示すもので、媒体側から見たヘッド浮上面形
状である。まず、基板１上にパーマロイ等の膜を成膜
し、この膜を所定パターンにエッチングすることによ
り、第１磁性膜２を形成する（図１（ａ））。この上
に、アルミナ膜等の第１非磁性膜を形成し、ラップ加工
等の平坦化加工により、第１非磁性膜の一部を除去し、
第１磁性膜２を露出させる（図１（ｂ））。次に、第１
磁性膜２及び第１非磁性膜３の上部に、膜厚が０.３〜
１.０μｍのパーマロイ等の第２磁性膜４を形成し、第
２磁性膜４上にアルミナ膜等の磁気ギャップ膜５を形成
し、磁気ギャップ膜５上に、ＮｂやＣ（カーボン）など
の第１マスク膜６を形成し、第１マスク膜６上にマスク
幅が第１磁性膜２の上端幅より狭いホトレジストなどの
第２マスク７を形成する（図１（ｃ））。次に、第２マ
スク７を用いて、第１マスク膜６，磁気ギャップ膜５，
第２磁性膜４を所定パターンにエッチングする（図１
（ｄ））。次に、第２マスク７を除去し、第１マスク膜
６及び露出された第１非磁性膜３上にアルミナ膜等の第
２非磁性膜８を形成する（図１（ｅ））。次に、ラップ
加工等により第２非磁性膜８の一部を除去し、第１マス
ク膜６を露出させる（図１（ｆ））。次に、第１マスク
膜６を除去する。この際、第１マスク膜６を除去すると
同時に溝上部にテーパ部を形成するか、又は第１マスク
膜６を除去した後にイオンミリング法等により溝上部に
テーパ部を形成する（図１（ｇ））。次に、磁気ギャッ
プ膜５上に上端辺の幅が磁気ギャップ膜に隣接する下端
辺の幅よりも大きいパーマロイなどの第３磁性膜９を形
成する（図１（ｈ））。

【００１４】図２は第２の実施例を示す。基板１１上に
パーマロイ等の膜を成膜し、この膜を所定パターンにエ
ッチングすることにより、第１磁性膜１２を形成する
（図２（ａ））。次に、第１磁性膜１２上に、アルミナ
膜等の第１非磁性膜を形成し、ラップ加工等の平坦化加
工により、第１非磁性膜の一部を除去し、第１磁性膜１
２を露出させる（図２（ｂ））。次に、第１磁性膜１２
及び第１非磁性膜１３の上部に、膜厚が０.３〜１.０μ
ｍのパーマロイ等の第２磁性膜１４を形成し、第２磁性
膜１４上に、ＮｂやＣ（カーボン）等の第１マスク膜１
５を形成し、第１マスク膜１５上にマスク幅が第１磁性
膜１２の上端幅より狭いホトレジストなどの第２マスク
１６を形成する（図２（ｃ））。次に、第２マスク１６
を用いて、第１マスク膜１５及び第２磁性膜１４を所定
パターンにエッチングする（図２（ｄ））。次に、第２
マスク１６を除去し、第１マスク膜１５及び露出された
第１非磁性膜１３上にアルミナ膜等の第２非磁性膜１７
を形成する（図２(ｅ)）。次に、ラップ加工等により第
２非磁性膜１７の一部を除去し、第１マスク膜１５を露
出させる（図２（ｆ））。次に、第１マスク膜１５を除
去する。この際、第１マスク膜１５を除去すると同時に
溝上部にテーパ部を形成するか、又は第１マスク膜１５
を除去した後にイオンミリング法等により溝上部にテー
パ部を形成する。次に、少なくとも第２磁性膜１４の上
にアルミナ膜等の磁気ギャップ膜１８を形成する（図２
（ｇ））。磁気ギャップ膜１８上に上端辺の幅が磁気ギ
ャップ膜に隣接する下端辺の幅よりも大きいパーマロイ
等の第３磁性膜１９を形成する（図２（ｈ））。

【００１５】図３は第３の実施例を示す。基板２１上に
パーマロイ等の膜を成膜し、この膜を所定パターンにエ
ッチングすることにより、第１磁性膜２２を形成する
（図３（ａ））。次に、第１磁性膜２２上にアルミナ膜
等の第１非磁性膜を形成し、ラップ加工等により第１非
磁性膜の一部を除去し、第１磁性膜２２を露出させる
（図３（ｂ））。次に、第１磁性膜２２及び第１非磁性
膜２３の上部に第２磁性膜２４を形成し、第２磁性膜上
にアルミナ膜等の磁気ギャップ膜２５を形成し、磁気ギ
ャップ膜２５上にＮｂあるいはＳｉ等の第１マスク膜２
６を形成し、第１マスク膜２６上に第１マスク膜２６と
は異なる材料として、例えば、Ｃ（カーボン）等からな
る第２マスク膜２７を形成し、第２マスク膜２７上にマ
スク幅が第１磁性膜２２の上端幅より狭いホトレジスト
等の第３マスク２８を形成する（図３（ｃ））。第３マ
スク２８を用いて、第２マスク膜２７，第１マスク膜２
６，磁気ギャップ膜２５及び第２磁性膜２４を所定パタ
ーンにエッチングする（図３（ｄ））。次に、第３マス
ク２８を除去し、第２マスク膜２７及び露出された第１
非磁性膜２３上にアルミナ等の第２非磁性膜２９を形成
する（図３（ｅ））。次に、ラップ加工等により第２非
磁性膜２９の一部を除去し、第２マスク膜２７を露出さ
せる（図３（ｆ））。次に、第２マスク膜２７を除去す
る。この際、第２マスク膜２７を除去すると同時に又は
第２マスク膜２７を除去した後に第２非磁性膜２９にテ
ーパを形成する（図３（ｇ））。次に、第１マスク膜２
６を除去し、磁気ギャップ膜２５上に上端辺の幅が磁気
ギャップ膜に隣接する下端辺の幅よりも大きいパーマロ
イ等の第３磁性膜３０を形成する（図３（ｈ））。

【００１６】図４は第４の実施例を示す。基板３１上に
パーマロイ等の膜を成膜し、この膜を所定パターンにエ
ッチングすることにより、第１磁性膜３２を形成する
（図４（ａ））。次に、第１磁性膜３２上にアルミナ膜
等の第１非磁性膜を形成し、ラップ加工等により第１非
磁性膜の一部を除去し、第１磁性膜３２を露出させる
（図４（ｂ））。次に、第１磁性膜３２及び第１非磁性
膜３３の上部に第２磁性膜３４を形成し、第２磁性膜上
にＮｂあるいはＳｉ等の第１マスク膜３５を形成し、第
１マスク膜３５上に第１マスク膜３５とは異なる材料と
して、例えば、Ｃ（カーボン）等からなる第２マスク膜
３６を形成し、第２マスク膜３６上にマスク幅が第１磁
性膜３２の上端幅より狭いホトレジスト等の第３マスク
３７を形成する（図４（ｃ））。第３マスク３７を用い
て、第２マスク膜３６，第１マスク膜３５及び第２磁性
膜３４を所定パターンにエッチングする（図４(ｄ)）。
次に、第３マスク３７を除去し、第２マスク膜３６及び
露出された第１非磁性膜３３上にアルミナ等の第２非磁
性膜３８を形成する（図４（ｅ））。次に、ラップ加工
等により第２非磁性膜３８の一部を除去し、第２マスク
膜３６を露出させる（図４（ｆ））。次に、第２マスク
膜３６を除去する。この際、第２マスク膜３６を除去す
ると同時に又は第２マスク膜３６を除去した後に第２非
磁性膜３８にテーパを形成する（図５（ａ））。次に、
第１マスク膜３５を除去し、少なくとも第２磁性膜３４
上にアルミナ膜等の磁気ギャップ膜３９を形成する（図
５（ｂ））。磁気ギャップ膜３９上に上端辺の幅が磁気
ギャップ膜に隣接する下端辺の幅よりも大きいパーマロ
イ等の第３磁性膜４０を形成する（図５（ｃ））。図６
は第５の実施例を示す。基板４１上にパーマロイ等の第
１磁性膜４２を形成し、第１磁性膜４１上にパーマロイ
等の第２磁性膜４３を形成し、第２磁性膜４３上にアル
ミナ等の磁気ギャップ膜４４を形成し、磁気ギャップ膜
４４上にＮｂ，Ｓｉ，Ｃ等の第１マスク膜４５を形成
し、第１マスク膜４５上にホトレジスト等の第２マスク
４６を形成する（図６（ａ））。次に、第２マスク４６
を用いて第１マスク膜４５，磁気ギャップ膜４４及び第
２磁性膜４３を所定パターンにエッチングし、第２マス
ク４６を除去する（図６（ｂ））。次に、加工された第
１マスク膜４５より大きく、第１マスク膜４５，磁気ギ
ャップ膜４４及び第２磁性膜４３を覆うホトレジスト等
の第３マスク４７を形成する（図６（ｃ））。次に、第
３マスク４７を用いて、第１磁性膜４２を所定パターン
にエッチングし、第３マスクを除去する（図６
（ｄ））。次に、第１マスク膜４５，第１磁性膜４２及
び露出された基板４１上にアルミナ等の第１非磁性膜４
８を形成する（図６（ｅ））。次に、ラップ加工等によ
り、第１非磁性膜４８の一部を除去し、第１マスク膜４
５を露出させる（図６（ｆ））。次に、第１マスク膜４
５を除去する。この際、第１マスク膜４５を除去すると
同時に又は第１マスク膜４５を除去した後にイオンミリ
ング法等により第１非磁性膜４８にテーパ部を形成する
（図６（ｇ））。次に、磁気ギャップ膜４４上に上端辺
の幅が磁気ギャップ膜に隣接する下端辺の幅よりも大き
いパーマロイ等の第３磁性膜４９を形成する（図６
（ｈ））。

【００１７】

【発明の効果】本発明を用いることにより、トラック幅
加工の高精度化を図ることができ、記録再生特性に優れ
た磁気ディスク装置の高記録密度化を図ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の工程を示す説明図。

【図２】本発明の第二の実施例の工程を示す説明図。

【図３】本発明の第三の実施例の工程を示す説明図。

【図４】本発明の第四の実施例の工程を示す説明図。

【図５】本発明の第四の実施例の工程を示す説明図。

【図６】本発明の第五の実施例の工程を示す説明図。

【符号の説明】

１…基板、２…第１磁性膜、３…第１非磁性膜、４…第
２磁性膜、５…磁気ギャップ膜、６…第１マスク膜、７
…第２マスク、８…第２非磁性膜、９…第３磁性膜。

フロントページの続き (72)発明者 川辺 隆 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内

Claims (30)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に第１磁性膜を形成する工程と、前
   記第１磁性膜を所定パターンにエッチングする工程と、
   前記第１磁性膜上に第１非磁性膜を形成する工程と、前
   記第１非磁性膜の一部を除去し、前記第１磁性膜を露出
   させる工程と、前記第１磁性膜及び前記第１非磁性膜の
   上部に第２磁性膜を形成する工程と、前記第２磁性膜上
   に磁気ギャップ膜を形成する工程と、前記磁気ギャップ
   膜上に第１マスク膜を形成する工程と、前記第１マスク
   膜上にマスク幅が前記第１磁性膜の上端幅より狭い第２
   マスクを形成する工程と、前記第２マスクを用いて、前
   記第１マスク膜，前記磁気ギャップ膜，前記第２磁性膜
   を所定パターンにエッチングする工程と、前記第２マス
   クを除去する工程と、前記第１マスク膜及び露出された
   前記第１非磁性膜上に第２非磁性膜を形成する工程と、
   前記第２非磁性膜の一部を除去し、前記第１マスク膜を
   露出させる工程と、前記第１マスク膜を除去する工程
   と、前記磁気ギャップ膜上に上端辺の幅が磁気ギャップ
   膜に隣接する下端辺の幅よりも大きい第３磁性膜を形成
   する工程を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
   方法。
2. 【請求項２】請求項１において、前記第１マスク膜を除
   去する工程と同時に前記第２非磁性膜にテーパを形成す
   る工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
3. 【請求項３】請求項１において、前記第２磁性膜の膜厚
   を０.３〜１.０μｍとする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
4. 【請求項４】請求項１において、前記第１磁性膜とは異
   なる材料からなる前記第２磁性膜を形成する薄膜磁気ヘ
   ッドの製造方法。
5. 【請求項５】請求項１において、前記第１磁性膜より飽
   和磁束密度の高い材料の前記第２磁性膜を形成する薄膜
   磁気ヘッドの製造方法。
6. 【請求項６】基板上に第１磁性膜を形成する工程と、前
   記第１磁性膜を所定パターンにエッチングする工程と、
   前記第１磁性膜上に第１非磁性膜を形成する工程と、前
   記第１非磁性膜の一部を除去し、前記第１磁性膜を露出
   させる工程と、前記第１磁性膜及び前記第１非磁性膜の
   上部に第２磁性膜を形成する工程と、前記第２磁性膜上
   に第１マスク膜を形成する工程と、前記第１マスク膜上
   にマスク幅が前記第１磁性膜の上端幅より狭い第２マス
   クを形成する工程と、前記第２マスクを用いて、前記第
   １マスク膜及び前記第２磁性膜を所定パターンにエッチ
   ングする工程と、前記第２マスクを除去する工程と、前
   記第１マスク膜及び露出された前記第１非磁性膜上に第
   ２非磁性膜を形成する工程と、前記第２非磁性膜の一部
   を除去し、前記第１マスク膜を露出させる工程と、前記
   第１マスク膜を除去する工程と、少なくとも前記第２磁
   性膜上に磁気ギャップ膜を形成する工程と、前記磁気ギ
   ャップ膜上に上端辺の幅が磁気ギャップ膜に隣接する下
   端辺の幅よりも大きい第３磁性膜を形成する工程を含む
   ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
7. 【請求項７】請求項６において、前記第１マスク膜を除
   去する工程と同時に前記第２非磁性膜にテーパを形成す
   る工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
8. 【請求項８】請求項６において、前記第２磁性膜の膜厚
   を０.３〜１.０μｍとする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
9. 【請求項９】請求項６において、前記第１磁性膜とは異
   なる材料からなる前記第２磁性膜を形成する薄膜磁気ヘ
   ッドの製造方法。
10. 【請求項１０】請求項６において、前記第１磁性膜より
    飽和磁束密度の高い材料の前記第２磁性膜を形成する薄
    膜磁気ヘッドの製造方法。
11. 【請求項１１】基板上に第１磁性膜を形成する工程と、
    前記第１磁性膜を所定パターンにエッチングする工程
    と、前記第１磁性膜上に第１非磁性膜を形成する工程
    と、前記第１非磁性膜の一部を除去し、前記第１磁性膜
    を露出させる工程と、前記第１磁性膜及び前記第１非磁
    性膜の上部に第２磁性膜を形成する工程と、前記第２磁
    性膜上に磁気ギャップ膜を形成する工程と、前記磁気ギ
    ャップ膜上に第１マスク膜を形成する工程と、前記第１
    マスク膜上に前記第１マスク膜とは異なる材料からなる
    第２マスク膜を形成する工程と、前記第２マスク膜上に
    マスク幅が前記第１磁性膜の上端幅より狭い第３マスク
    を形成する工程と、前記第３マスクを用いて、前記第２
    マスク膜，前記第１マスク膜，前記磁気ギャップ膜及び
    前記第２磁性膜を所定パターンにエッチングする工程
    と、前記第３マスクを除去する工程と、前記第２マスク
    膜及び露出された前記第１非磁性膜上に第２非磁性膜を
    形成する工程と、前記第２非磁性膜の一部を除去し、前
    記第２マスク膜を露出させる工程と、前記第２マスク膜
    を除去する工程と、前記第１マスク膜を除去する工程
    と、前記磁気ギャップ膜上に上端辺の幅が磁気ギャップ
    膜に隣接する下端辺の幅よりも大きい第３磁性膜を形成
    する工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
12. 【請求項１２】請求項１１において、前記第２マスク膜
    を除去する工程と同時に前記第２非磁性膜にテーパを形
    成する工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
13. 【請求項１３】請求項１１において、前記第２マスク膜
    を除去する工程の後に前記第２非磁性膜にテーパを形成
    する工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
14. 【請求項１４】請求項１１において、前記第２磁性膜の
    膜厚を０.３〜１.０μｍとする薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
15. 【請求項１５】請求項１１において、前記第１磁性膜と
    は異なる材料からなる前記第２磁性膜を形成する薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
16. 【請求項１６】請求項１１において、前記第１磁性膜よ
    り飽和磁束密度の高い材料の前記第２磁性膜を形成する
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
17. 【請求項１７】基板上に第１磁性膜を形成する工程と、
    前記第１磁性膜を所定パターンにエッチングする工程
    と、前記第１磁性膜上に第１非磁性膜を形成する工程
    と、前記第１非磁性膜の一部を除去し、前記第１磁性膜
    を露出させる工程と、前記第１磁性膜及び前記第１非磁
    性膜の上部に第２磁性膜を形成する工程と、前記第２磁
    性膜上に第１マスク膜を形成する工程と、前記第１マス
    ク膜上に前記第１マスク膜とは異なる材料からなる第２
    マスク膜を形成する工程と、前記第２マスク膜上にマス
    ク幅が前記第１磁性膜の上端幅より狭い第３マスクを形
    成する工程と、前記第３マスクを用いて、前記第２マス
    ク膜，前記第１マスク膜及び前記第２磁性膜を所定パタ
    ーンにエッチングする工程と、前記第３マスクを除去す
    る工程と、前記第２マスク膜及び露出された前記第１非
    磁性膜上に第２非磁性膜を形成する工程と、前記第２非
    磁性膜の一部を除去し、前記第２マスク膜を露出させる
    工程と、前記第２マスク膜を除去する工程と、前記第１
    マスク膜を除去する工程と、少なくとも前記第２磁性膜
    上に磁気ギャップ膜を形成する工程と、前記磁気ギャッ
    プ膜上に上端辺の幅が磁気ギャップ膜に隣接する下端辺
    の幅よりも大きい第３磁性膜を形成する工程を有するこ
    とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
18. 【請求項１８】請求項１７において、前記第２マスク膜
    を除去する工程と同時に前記第２非磁性膜にテーパを形
    成する工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
19. 【請求項１９】請求項１７において、前記第２マスク膜
    を除去する工程の後に前記第２非磁性膜にテーパを形成
    する工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
20. 【請求項２０】請求項１７において、前記第２磁性膜の
    膜厚を０.３〜１.０μｍとする薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
21. 【請求項２１】請求項１７において、前記第１磁性膜と
    は異なる材料からなる前記第２磁性膜を形成する薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
22. 【請求項２２】請求項１７において、前記第１磁性膜よ
    り飽和磁束密度の高い材料の前記第２磁性膜を形成する
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
23. 【請求項２３】基板上に第１磁性膜を形成する工程と、 前記第１磁性膜上に所定厚さの第２磁性膜を形成する工
    程と前記第２磁性膜上に磁気ギャップ膜を形成する工程
    と、 前記磁気ギャップ膜上に第１マスク膜を形成する工程
    と、 前記第１マスク膜上に所定の形状の第２マスクを形成す
    る工程と、 前記第１マスク膜，前記磁気ギャップ膜，前記第２磁性
    膜を所定パターンにエッチングする工程と、 前記第２マスクを除去する工程と、 前記第１マスク膜より大きく、前記第１マスク膜，前記
    磁気ギャップ膜及び前記第２磁性膜を覆う第３マスクを
    形成する工程と、 前記第３マスクを用いて、前記第１磁性膜を所定パター
    ンにエッチングする工程と、 前記第３マスクを除去する工程と、 前記第１マスク膜，前記第１磁性膜及び露出された前記
    基板上に非磁性膜を形成する工程と、 前記非磁性膜の一部を除去し、前記第１マスク膜を露出
    させる工程と、 前記第１マスク膜を除去する工程と、 前記磁気ギャップ膜上に上端辺の幅が磁気ギャップ膜に
    隣接する下端辺の幅よりも大きい第３磁性膜を形成する
    工程を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
24. 【請求項２４】請求項２３において、前記第１マスク膜
    を除去する工程と同時に前記非磁性膜にテーパを形成す
    る工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
25. 【請求項２５】請求項２３において、前記第２磁性膜の
    膜厚を０.３〜１.０μｍとする薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
26. 【請求項２６】請求項２３において、前記第１磁性膜と
    は異なる材料からなる前記第２磁性膜を形成する薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
27. 【請求項２７】請求項２３において、前記第１磁性膜よ
    り飽和磁束密度の高い材料の前記第２磁性膜を形成する
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
28. 【請求項２８】請求項１，６，１１または１７におい
    て、前記第１磁性膜を選択めっき法で形成する薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。
29. 【請求項２９】請求項１または６において、前記第１磁
    性膜及び前記第１マスク膜を露出させる際に、前記第１
    非磁性膜及び前記第２非磁性膜の表面を平坦化処理する
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
30. 【請求項３０】請求項１１または１７において、前記第
    １磁性膜及び前記第２マスク膜を露出させる際に、前記
    第１非磁性膜及び前記第２非磁性膜の表面を平坦化処理
    する薄膜磁気ヘッドの製造方法。