JPH06150246A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH06150246A JPH06150246A JP29680392A JP29680392A JPH06150246A JP H06150246 A JPH06150246 A JP H06150246A JP 29680392 A JP29680392 A JP 29680392A JP 29680392 A JP29680392 A JP 29680392A JP H06150246 A JPH06150246 A JP H06150246A
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- magnetic
- mask
- forming
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Abstract
(57)【要約】
【目的】磁気ディスク装置の高記録密度化を目的にトラ
ック幅加工の高精度化を図る。 【構成】基板上に第1磁性膜を形成し、第1磁性膜の上
に第1非磁性膜を形成し、平坦化して、第1磁性膜を露
出させた上に0.3〜1μm の厚さの第2磁性膜を成膜
し、この上に、磁気ギャップ膜及び第1マスク膜を形成
し、第2磁性膜,磁気ギャップ膜及び第1マスク膜を所
定形状に加工する。この上に、第2非磁性膜を形成し、
平坦化して、第1マスク膜を露出させた後、第1マスク
膜を除去し、上部磁性膜を形成する工程を有することを
特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 【効果】第2磁性膜が0.3〜1μm と薄いために、ト
ラック幅加工精度が向上し、磁気ディスク装置の高記録
密度化できる。
ック幅加工の高精度化を図る。 【構成】基板上に第1磁性膜を形成し、第1磁性膜の上
に第1非磁性膜を形成し、平坦化して、第1磁性膜を露
出させた上に0.3〜1μm の厚さの第2磁性膜を成膜
し、この上に、磁気ギャップ膜及び第1マスク膜を形成
し、第2磁性膜,磁気ギャップ膜及び第1マスク膜を所
定形状に加工する。この上に、第2非磁性膜を形成し、
平坦化して、第1マスク膜を露出させた後、第1マスク
膜を除去し、上部磁性膜を形成する工程を有することを
特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 【効果】第2磁性膜が0.3〜1μm と薄いために、ト
ラック幅加工精度が向上し、磁気ディスク装置の高記録
密度化できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録装置、例えば
磁気ディスク装置や磁気テープ装置に搭載される薄膜磁
気ヘッドの製造方法に係り、特に、情報を高密度に記録
できる薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
磁気ディスク装置や磁気テープ装置に搭載される薄膜磁
気ヘッドの製造方法に係り、特に、情報を高密度に記録
できる薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】磁気記録装置の記録密度を増加させるに
は、トラック幅の小さい薄膜磁気ヘッドを用いてトラッ
ク密度を増加させる必要がある。小さいトラック幅を持
つ薄膜磁気ヘッドの磁極の製造方法に関しては、特開平
4−53012号公報に、下部磁極に対する上部磁極の位置合
わせ精度を高めるための薄膜磁気ヘッドの製造方法が開
示されている。
は、トラック幅の小さい薄膜磁気ヘッドを用いてトラッ
ク密度を増加させる必要がある。小さいトラック幅を持
つ薄膜磁気ヘッドの磁極の製造方法に関しては、特開平
4−53012号公報に、下部磁極に対する上部磁極の位置合
わせ精度を高めるための薄膜磁気ヘッドの製造方法が開
示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】特開平4−53012号公報
に開示された方法では、下部磁極を厚膜の状態で一括加
工を行うために下部磁極の幅を高精度に加工できない欠
点があった。
に開示された方法では、下部磁極を厚膜の状態で一括加
工を行うために下部磁極の幅を高精度に加工できない欠
点があった。
【0004】本発明の目的は、上記欠点を解決すること
にある。
にある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本方法の薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、基板上に第1磁性膜(リーディングポー
ルと称する場合もある。)を形成する工程と、前記第1
磁性膜を所定パターンにエッチングする工程と、前記第
1磁性膜上に第1非磁性膜を形成する工程と、前記第1
非磁性膜の一部を除去し、前記第1磁性膜を露出させる
工程と、前記第1磁性膜及び前記第1非磁性膜の上部に
第2磁性膜を形成する工程と、前記第2磁性膜上に磁気
ギャップ膜を形成する工程と、前記磁気ギャップ膜上に
第1マスク膜を形成する工程と、前記第1マスク膜上に
マスク幅が前記第1磁性膜の上端幅より狭い第2マスク
を形成する工程と、前記第2マスクを用いて、前記第1
マスク膜,前記磁気ギャップ膜,前記第2磁性膜を所定
パターンにエッチングする工程と、前記第2マスクを除
去する工程と、前記第1マスク膜及び露出された前記第
1非磁性膜上に第2非磁性膜を形成する工程と、前記第
2非磁性膜の一部を除去し、前記第1マスク膜を露出さ
せる工程と、前記第1マスク膜を除去する工程と、前記
磁気ギャップ膜上に上端辺の幅が磁気ギャップ膜に隣接
する下端辺の幅よりも大きい第3磁性膜(上部磁極とな
り、トレーリングポールと称する場合もある。)を形成
する工程とを有することを特徴とする。
の製造方法は、基板上に第1磁性膜(リーディングポー
ルと称する場合もある。)を形成する工程と、前記第1
磁性膜を所定パターンにエッチングする工程と、前記第
1磁性膜上に第1非磁性膜を形成する工程と、前記第1
非磁性膜の一部を除去し、前記第1磁性膜を露出させる
工程と、前記第1磁性膜及び前記第1非磁性膜の上部に
第2磁性膜を形成する工程と、前記第2磁性膜上に磁気
ギャップ膜を形成する工程と、前記磁気ギャップ膜上に
第1マスク膜を形成する工程と、前記第1マスク膜上に
マスク幅が前記第1磁性膜の上端幅より狭い第2マスク
を形成する工程と、前記第2マスクを用いて、前記第1
マスク膜,前記磁気ギャップ膜,前記第2磁性膜を所定
パターンにエッチングする工程と、前記第2マスクを除
去する工程と、前記第1マスク膜及び露出された前記第
1非磁性膜上に第2非磁性膜を形成する工程と、前記第
2非磁性膜の一部を除去し、前記第1マスク膜を露出さ
せる工程と、前記第1マスク膜を除去する工程と、前記
磁気ギャップ膜上に上端辺の幅が磁気ギャップ膜に隣接
する下端辺の幅よりも大きい第3磁性膜(上部磁極とな
り、トレーリングポールと称する場合もある。)を形成
する工程とを有することを特徴とする。
【0006】ここで、第2磁性膜の膜厚は0.3〜1.0
μmであり、加工された第2磁性膜の幅がトラック幅を
決定する。第2磁性膜の厚さが0.3μm より薄いとオ
フトラック特性が悪くなり、第2磁性膜の厚さが1.0
μm より厚いとトラック幅加工精度が悪くなるため、
第2磁性膜の膜厚は0.3〜1.0μmとしている。
μmであり、加工された第2磁性膜の幅がトラック幅を
決定する。第2磁性膜の厚さが0.3μm より薄いとオ
フトラック特性が悪くなり、第2磁性膜の厚さが1.0
μm より厚いとトラック幅加工精度が悪くなるため、
第2磁性膜の膜厚は0.3〜1.0μmとしている。
【0007】第1マスク膜は、上部磁極の側短辺の磁気
ギャップ膜に隣接する部位に概略垂直な部分を形成する
ために形成するものであり、第1マスク膜を除去する工
程において磁気ギャップ膜又は第2磁性膜に対して選択
的にエッチングできる膜であることが望ましい。
ギャップ膜に隣接する部位に概略垂直な部分を形成する
ために形成するものであり、第1マスク膜を除去する工
程において磁気ギャップ膜又は第2磁性膜に対して選択
的にエッチングできる膜であることが望ましい。
【0008】第1,第2及び第3磁性膜はスパッタリン
グ法,蒸着法,選択めっき法等で形成できる。
グ法,蒸着法,選択めっき法等で形成できる。
【0009】エッチング法は、パターン幅の精度を向上
させるために、スパッタエッチング法やイオン−ムエッ
チング法などを用いることが望ましい。
させるために、スパッタエッチング法やイオン−ムエッ
チング法などを用いることが望ましい。
【0010】非磁性膜は第1磁性膜パターンの段差及び
第1磁性膜パターンとマスク膜パターン(間に磁気ギャ
ップ膜を含む場合がある。)との段差を平坦化するため
の膜であり、薄膜磁気ヘッドの作製後もリーディングポ
ールの側面などに残る膜であるから、薄膜磁気ヘッドの
浮上面の機械化工に耐え、薄膜磁気ヘッドの保護膜とし
て用いられる膜であることが好ましく、具体的にはアル
ミナなどの無機酸化物膜を用いることが望ましい。
第1磁性膜パターンとマスク膜パターン(間に磁気ギャ
ップ膜を含む場合がある。)との段差を平坦化するため
の膜であり、薄膜磁気ヘッドの作製後もリーディングポ
ールの側面などに残る膜であるから、薄膜磁気ヘッドの
浮上面の機械化工に耐え、薄膜磁気ヘッドの保護膜とし
て用いられる膜であることが好ましく、具体的にはアル
ミナなどの無機酸化物膜を用いることが望ましい。
【0011】
【作用】本発明では、加工された第2磁性膜の幅がトラ
ック幅となるが、第2磁性膜が0.3〜1.0μmと薄い
ため、2〜3μmの厚膜を加工する場合に比べてトラッ
ク幅加工の精度を向上することができる。
ック幅となるが、第2磁性膜が0.3〜1.0μmと薄い
ため、2〜3μmの厚膜を加工する場合に比べてトラッ
ク幅加工の精度を向上することができる。
【0012】
【実施例】本発明の実施例5例について、図1ないし図
6により説明する。
6により説明する。
【0013】図1は第1の実施例を示す。図1(a)な
いし(h)は本発明による薄膜磁気ヘッドのトラック幅
加工工程を示すもので、媒体側から見たヘッド浮上面形
状である。まず、基板1上にパーマロイ等の膜を成膜
し、この膜を所定パターンにエッチングすることによ
り、第1磁性膜2を形成する(図1(a))。この上
に、アルミナ膜等の第1非磁性膜を形成し、ラップ加工
等の平坦化加工により、第1非磁性膜の一部を除去し、
第1磁性膜2を露出させる(図1(b))。次に、第1
磁性膜2及び第1非磁性膜3の上部に、膜厚が0.3〜
1.0μmのパーマロイ等の第2磁性膜4を形成し、第
2磁性膜4上にアルミナ膜等の磁気ギャップ膜5を形成
し、磁気ギャップ膜5上に、NbやC(カーボン)など
の第1マスク膜6を形成し、第1マスク膜6上にマスク
幅が第1磁性膜2の上端幅より狭いホトレジストなどの
第2マスク7を形成する(図1(c))。次に、第2マ
スク7を用いて、第1マスク膜6,磁気ギャップ膜5,
第2磁性膜4を所定パターンにエッチングする(図1
(d))。次に、第2マスク7を除去し、第1マスク膜
6及び露出された第1非磁性膜3上にアルミナ膜等の第
2非磁性膜8を形成する(図1(e))。次に、ラップ
加工等により第2非磁性膜8の一部を除去し、第1マス
ク膜6を露出させる(図1(f))。次に、第1マスク
膜6を除去する。この際、第1マスク膜6を除去すると
同時に溝上部にテーパ部を形成するか、又は第1マスク
膜6を除去した後にイオンミリング法等により溝上部に
テーパ部を形成する(図1(g))。次に、磁気ギャッ
プ膜5上に上端辺の幅が磁気ギャップ膜に隣接する下端
辺の幅よりも大きいパーマロイなどの第3磁性膜9を形
成する(図1(h))。
いし(h)は本発明による薄膜磁気ヘッドのトラック幅
加工工程を示すもので、媒体側から見たヘッド浮上面形
状である。まず、基板1上にパーマロイ等の膜を成膜
し、この膜を所定パターンにエッチングすることによ
り、第1磁性膜2を形成する(図1(a))。この上
に、アルミナ膜等の第1非磁性膜を形成し、ラップ加工
等の平坦化加工により、第1非磁性膜の一部を除去し、
第1磁性膜2を露出させる(図1(b))。次に、第1
磁性膜2及び第1非磁性膜3の上部に、膜厚が0.3〜
1.0μmのパーマロイ等の第2磁性膜4を形成し、第
2磁性膜4上にアルミナ膜等の磁気ギャップ膜5を形成
し、磁気ギャップ膜5上に、NbやC(カーボン)など
の第1マスク膜6を形成し、第1マスク膜6上にマスク
幅が第1磁性膜2の上端幅より狭いホトレジストなどの
第2マスク7を形成する(図1(c))。次に、第2マ
スク7を用いて、第1マスク膜6,磁気ギャップ膜5,
第2磁性膜4を所定パターンにエッチングする(図1
(d))。次に、第2マスク7を除去し、第1マスク膜
6及び露出された第1非磁性膜3上にアルミナ膜等の第
2非磁性膜8を形成する(図1(e))。次に、ラップ
加工等により第2非磁性膜8の一部を除去し、第1マス
ク膜6を露出させる(図1(f))。次に、第1マスク
膜6を除去する。この際、第1マスク膜6を除去すると
同時に溝上部にテーパ部を形成するか、又は第1マスク
膜6を除去した後にイオンミリング法等により溝上部に
テーパ部を形成する(図1(g))。次に、磁気ギャッ
プ膜5上に上端辺の幅が磁気ギャップ膜に隣接する下端
辺の幅よりも大きいパーマロイなどの第3磁性膜9を形
成する(図1(h))。
【0014】図2は第2の実施例を示す。基板11上に
パーマロイ等の膜を成膜し、この膜を所定パターンにエ
ッチングすることにより、第1磁性膜12を形成する
(図2(a))。次に、第1磁性膜12上に、アルミナ
膜等の第1非磁性膜を形成し、ラップ加工等の平坦化加
工により、第1非磁性膜の一部を除去し、第1磁性膜1
2を露出させる(図2(b))。次に、第1磁性膜12
及び第1非磁性膜13の上部に、膜厚が0.3〜1.0μ
mのパーマロイ等の第2磁性膜14を形成し、第2磁性
膜14上に、NbやC(カーボン)等の第1マスク膜1
5を形成し、第1マスク膜15上にマスク幅が第1磁性
膜12の上端幅より狭いホトレジストなどの第2マスク
16を形成する(図2(c))。次に、第2マスク16
を用いて、第1マスク膜15及び第2磁性膜14を所定
パターンにエッチングする(図2(d))。次に、第2
マスク16を除去し、第1マスク膜15及び露出された
第1非磁性膜13上にアルミナ膜等の第2非磁性膜17
を形成する(図2(e))。次に、ラップ加工等により第
2非磁性膜17の一部を除去し、第1マスク膜15を露
出させる(図2(f))。次に、第1マスク膜15を除
去する。この際、第1マスク膜15を除去すると同時に
溝上部にテーパ部を形成するか、又は第1マスク膜15
を除去した後にイオンミリング法等により溝上部にテー
パ部を形成する。次に、少なくとも第2磁性膜14の上
にアルミナ膜等の磁気ギャップ膜18を形成する(図2
(g))。磁気ギャップ膜18上に上端辺の幅が磁気ギ
ャップ膜に隣接する下端辺の幅よりも大きいパーマロイ
等の第3磁性膜19を形成する(図2(h))。
パーマロイ等の膜を成膜し、この膜を所定パターンにエ
ッチングすることにより、第1磁性膜12を形成する
(図2(a))。次に、第1磁性膜12上に、アルミナ
膜等の第1非磁性膜を形成し、ラップ加工等の平坦化加
工により、第1非磁性膜の一部を除去し、第1磁性膜1
2を露出させる(図2(b))。次に、第1磁性膜12
及び第1非磁性膜13の上部に、膜厚が0.3〜1.0μ
mのパーマロイ等の第2磁性膜14を形成し、第2磁性
膜14上に、NbやC(カーボン)等の第1マスク膜1
5を形成し、第1マスク膜15上にマスク幅が第1磁性
膜12の上端幅より狭いホトレジストなどの第2マスク
16を形成する(図2(c))。次に、第2マスク16
を用いて、第1マスク膜15及び第2磁性膜14を所定
パターンにエッチングする(図2(d))。次に、第2
マスク16を除去し、第1マスク膜15及び露出された
第1非磁性膜13上にアルミナ膜等の第2非磁性膜17
を形成する(図2(e))。次に、ラップ加工等により第
2非磁性膜17の一部を除去し、第1マスク膜15を露
出させる(図2(f))。次に、第1マスク膜15を除
去する。この際、第1マスク膜15を除去すると同時に
溝上部にテーパ部を形成するか、又は第1マスク膜15
を除去した後にイオンミリング法等により溝上部にテー
パ部を形成する。次に、少なくとも第2磁性膜14の上
にアルミナ膜等の磁気ギャップ膜18を形成する(図2
(g))。磁気ギャップ膜18上に上端辺の幅が磁気ギ
ャップ膜に隣接する下端辺の幅よりも大きいパーマロイ
等の第3磁性膜19を形成する(図2(h))。
【0015】図3は第3の実施例を示す。基板21上に
パーマロイ等の膜を成膜し、この膜を所定パターンにエ
ッチングすることにより、第1磁性膜22を形成する
(図3(a))。次に、第1磁性膜22上にアルミナ膜
等の第1非磁性膜を形成し、ラップ加工等により第1非
磁性膜の一部を除去し、第1磁性膜22を露出させる
(図3(b))。次に、第1磁性膜22及び第1非磁性
膜23の上部に第2磁性膜24を形成し、第2磁性膜上
にアルミナ膜等の磁気ギャップ膜25を形成し、磁気ギ
ャップ膜25上にNbあるいはSi等の第1マスク膜2
6を形成し、第1マスク膜26上に第1マスク膜26と
は異なる材料として、例えば、C(カーボン)等からな
る第2マスク膜27を形成し、第2マスク膜27上にマ
スク幅が第1磁性膜22の上端幅より狭いホトレジスト
等の第3マスク28を形成する(図3(c))。第3マ
スク28を用いて、第2マスク膜27,第1マスク膜2
6,磁気ギャップ膜25及び第2磁性膜24を所定パタ
ーンにエッチングする(図3(d))。次に、第3マス
ク28を除去し、第2マスク膜27及び露出された第1
非磁性膜23上にアルミナ等の第2非磁性膜29を形成
する(図3(e))。次に、ラップ加工等により第2非
磁性膜29の一部を除去し、第2マスク膜27を露出さ
せる(図3(f))。次に、第2マスク膜27を除去す
る。この際、第2マスク膜27を除去すると同時に又は
第2マスク膜27を除去した後に第2非磁性膜29にテ
ーパを形成する(図3(g))。次に、第1マスク膜2
6を除去し、磁気ギャップ膜25上に上端辺の幅が磁気
ギャップ膜に隣接する下端辺の幅よりも大きいパーマロ
イ等の第3磁性膜30を形成する(図3(h))。
パーマロイ等の膜を成膜し、この膜を所定パターンにエ
ッチングすることにより、第1磁性膜22を形成する
(図3(a))。次に、第1磁性膜22上にアルミナ膜
等の第1非磁性膜を形成し、ラップ加工等により第1非
磁性膜の一部を除去し、第1磁性膜22を露出させる
(図3(b))。次に、第1磁性膜22及び第1非磁性
膜23の上部に第2磁性膜24を形成し、第2磁性膜上
にアルミナ膜等の磁気ギャップ膜25を形成し、磁気ギ
ャップ膜25上にNbあるいはSi等の第1マスク膜2
6を形成し、第1マスク膜26上に第1マスク膜26と
は異なる材料として、例えば、C(カーボン)等からな
る第2マスク膜27を形成し、第2マスク膜27上にマ
スク幅が第1磁性膜22の上端幅より狭いホトレジスト
等の第3マスク28を形成する(図3(c))。第3マ
スク28を用いて、第2マスク膜27,第1マスク膜2
6,磁気ギャップ膜25及び第2磁性膜24を所定パタ
ーンにエッチングする(図3(d))。次に、第3マス
ク28を除去し、第2マスク膜27及び露出された第1
非磁性膜23上にアルミナ等の第2非磁性膜29を形成
する(図3(e))。次に、ラップ加工等により第2非
磁性膜29の一部を除去し、第2マスク膜27を露出さ
せる(図3(f))。次に、第2マスク膜27を除去す
る。この際、第2マスク膜27を除去すると同時に又は
第2マスク膜27を除去した後に第2非磁性膜29にテ
ーパを形成する(図3(g))。次に、第1マスク膜2
6を除去し、磁気ギャップ膜25上に上端辺の幅が磁気
ギャップ膜に隣接する下端辺の幅よりも大きいパーマロ
イ等の第3磁性膜30を形成する(図3(h))。
【0016】図4は第4の実施例を示す。基板31上に
パーマロイ等の膜を成膜し、この膜を所定パターンにエ
ッチングすることにより、第1磁性膜32を形成する
(図4(a))。次に、第1磁性膜32上にアルミナ膜
等の第1非磁性膜を形成し、ラップ加工等により第1非
磁性膜の一部を除去し、第1磁性膜32を露出させる
(図4(b))。次に、第1磁性膜32及び第1非磁性
膜33の上部に第2磁性膜34を形成し、第2磁性膜上
にNbあるいはSi等の第1マスク膜35を形成し、第
1マスク膜35上に第1マスク膜35とは異なる材料と
して、例えば、C(カーボン)等からなる第2マスク膜
36を形成し、第2マスク膜36上にマスク幅が第1磁
性膜32の上端幅より狭いホトレジスト等の第3マスク
37を形成する(図4(c))。第3マスク37を用い
て、第2マスク膜36,第1マスク膜35及び第2磁性
膜34を所定パターンにエッチングする(図4(d))。
次に、第3マスク37を除去し、第2マスク膜36及び
露出された第1非磁性膜33上にアルミナ等の第2非磁
性膜38を形成する(図4(e))。次に、ラップ加工
等により第2非磁性膜38の一部を除去し、第2マスク
膜36を露出させる(図4(f))。次に、第2マスク
膜36を除去する。この際、第2マスク膜36を除去す
ると同時に又は第2マスク膜36を除去した後に第2非
磁性膜38にテーパを形成する(図5(a))。次に、
第1マスク膜35を除去し、少なくとも第2磁性膜34
上にアルミナ膜等の磁気ギャップ膜39を形成する(図
5(b))。磁気ギャップ膜39上に上端辺の幅が磁気
ギャップ膜に隣接する下端辺の幅よりも大きいパーマロ
イ等の第3磁性膜40を形成する(図5(c))。図6
は第5の実施例を示す。基板41上にパーマロイ等の第
1磁性膜42を形成し、第1磁性膜41上にパーマロイ
等の第2磁性膜43を形成し、第2磁性膜43上にアル
ミナ等の磁気ギャップ膜44を形成し、磁気ギャップ膜
44上にNb,Si,C等の第1マスク膜45を形成
し、第1マスク膜45上にホトレジスト等の第2マスク
46を形成する(図6(a))。次に、第2マスク46
を用いて第1マスク膜45,磁気ギャップ膜44及び第
2磁性膜43を所定パターンにエッチングし、第2マス
ク46を除去する(図6(b))。次に、加工された第
1マスク膜45より大きく、第1マスク膜45,磁気ギ
ャップ膜44及び第2磁性膜43を覆うホトレジスト等
の第3マスク47を形成する(図6(c))。次に、第
3マスク47を用いて、第1磁性膜42を所定パターン
にエッチングし、第3マスクを除去する(図6
(d))。次に、第1マスク膜45,第1磁性膜42及
び露出された基板41上にアルミナ等の第1非磁性膜4
8を形成する(図6(e))。次に、ラップ加工等によ
り、第1非磁性膜48の一部を除去し、第1マスク膜4
5を露出させる(図6(f))。次に、第1マスク膜4
5を除去する。この際、第1マスク膜45を除去すると
同時に又は第1マスク膜45を除去した後にイオンミリ
ング法等により第1非磁性膜48にテーパ部を形成する
(図6(g))。次に、磁気ギャップ膜44上に上端辺
の幅が磁気ギャップ膜に隣接する下端辺の幅よりも大き
いパーマロイ等の第3磁性膜49を形成する(図6
(h))。
パーマロイ等の膜を成膜し、この膜を所定パターンにエ
ッチングすることにより、第1磁性膜32を形成する
(図4(a))。次に、第1磁性膜32上にアルミナ膜
等の第1非磁性膜を形成し、ラップ加工等により第1非
磁性膜の一部を除去し、第1磁性膜32を露出させる
(図4(b))。次に、第1磁性膜32及び第1非磁性
膜33の上部に第2磁性膜34を形成し、第2磁性膜上
にNbあるいはSi等の第1マスク膜35を形成し、第
1マスク膜35上に第1マスク膜35とは異なる材料と
して、例えば、C(カーボン)等からなる第2マスク膜
36を形成し、第2マスク膜36上にマスク幅が第1磁
性膜32の上端幅より狭いホトレジスト等の第3マスク
37を形成する(図4(c))。第3マスク37を用い
て、第2マスク膜36,第1マスク膜35及び第2磁性
膜34を所定パターンにエッチングする(図4(d))。
次に、第3マスク37を除去し、第2マスク膜36及び
露出された第1非磁性膜33上にアルミナ等の第2非磁
性膜38を形成する(図4(e))。次に、ラップ加工
等により第2非磁性膜38の一部を除去し、第2マスク
膜36を露出させる(図4(f))。次に、第2マスク
膜36を除去する。この際、第2マスク膜36を除去す
ると同時に又は第2マスク膜36を除去した後に第2非
磁性膜38にテーパを形成する(図5(a))。次に、
第1マスク膜35を除去し、少なくとも第2磁性膜34
上にアルミナ膜等の磁気ギャップ膜39を形成する(図
5(b))。磁気ギャップ膜39上に上端辺の幅が磁気
ギャップ膜に隣接する下端辺の幅よりも大きいパーマロ
イ等の第3磁性膜40を形成する(図5(c))。図6
は第5の実施例を示す。基板41上にパーマロイ等の第
1磁性膜42を形成し、第1磁性膜41上にパーマロイ
等の第2磁性膜43を形成し、第2磁性膜43上にアル
ミナ等の磁気ギャップ膜44を形成し、磁気ギャップ膜
44上にNb,Si,C等の第1マスク膜45を形成
し、第1マスク膜45上にホトレジスト等の第2マスク
46を形成する(図6(a))。次に、第2マスク46
を用いて第1マスク膜45,磁気ギャップ膜44及び第
2磁性膜43を所定パターンにエッチングし、第2マス
ク46を除去する(図6(b))。次に、加工された第
1マスク膜45より大きく、第1マスク膜45,磁気ギ
ャップ膜44及び第2磁性膜43を覆うホトレジスト等
の第3マスク47を形成する(図6(c))。次に、第
3マスク47を用いて、第1磁性膜42を所定パターン
にエッチングし、第3マスクを除去する(図6
(d))。次に、第1マスク膜45,第1磁性膜42及
び露出された基板41上にアルミナ等の第1非磁性膜4
8を形成する(図6(e))。次に、ラップ加工等によ
り、第1非磁性膜48の一部を除去し、第1マスク膜4
5を露出させる(図6(f))。次に、第1マスク膜4
5を除去する。この際、第1マスク膜45を除去すると
同時に又は第1マスク膜45を除去した後にイオンミリ
ング法等により第1非磁性膜48にテーパ部を形成する
(図6(g))。次に、磁気ギャップ膜44上に上端辺
の幅が磁気ギャップ膜に隣接する下端辺の幅よりも大き
いパーマロイ等の第3磁性膜49を形成する(図6
(h))。
【0017】
【発明の効果】本発明を用いることにより、トラック幅
加工の高精度化を図ることができ、記録再生特性に優れ
た磁気ディスク装置の高記録密度化を図ることができ
る。
加工の高精度化を図ることができ、記録再生特性に優れ
た磁気ディスク装置の高記録密度化を図ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の工程を示す説明図。
【図2】本発明の第二の実施例の工程を示す説明図。
【図3】本発明の第三の実施例の工程を示す説明図。
【図4】本発明の第四の実施例の工程を示す説明図。
【図5】本発明の第四の実施例の工程を示す説明図。
【図6】本発明の第五の実施例の工程を示す説明図。
1…基板、2…第1磁性膜、3…第1非磁性膜、4…第
2磁性膜、5…磁気ギャップ膜、6…第1マスク膜、7
…第2マスク、8…第2非磁性膜、9…第3磁性膜。
2磁性膜、5…磁気ギャップ膜、6…第1マスク膜、7
…第2マスク、8…第2非磁性膜、9…第3磁性膜。
フロントページの続き (72)発明者 川辺 隆 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内
Claims (30)
- 【請求項1】基板上に第1磁性膜を形成する工程と、前
記第1磁性膜を所定パターンにエッチングする工程と、
前記第1磁性膜上に第1非磁性膜を形成する工程と、前
記第1非磁性膜の一部を除去し、前記第1磁性膜を露出
させる工程と、前記第1磁性膜及び前記第1非磁性膜の
上部に第2磁性膜を形成する工程と、前記第2磁性膜上
に磁気ギャップ膜を形成する工程と、前記磁気ギャップ
膜上に第1マスク膜を形成する工程と、前記第1マスク
膜上にマスク幅が前記第1磁性膜の上端幅より狭い第2
マスクを形成する工程と、前記第2マスクを用いて、前
記第1マスク膜,前記磁気ギャップ膜,前記第2磁性膜
を所定パターンにエッチングする工程と、前記第2マス
クを除去する工程と、前記第1マスク膜及び露出された
前記第1非磁性膜上に第2非磁性膜を形成する工程と、
前記第2非磁性膜の一部を除去し、前記第1マスク膜を
露出させる工程と、前記第1マスク膜を除去する工程
と、前記磁気ギャップ膜上に上端辺の幅が磁気ギャップ
膜に隣接する下端辺の幅よりも大きい第3磁性膜を形成
する工程を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法。 - 【請求項2】請求項1において、前記第1マスク膜を除
去する工程と同時に前記第2非磁性膜にテーパを形成す
る工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項3】請求項1において、前記第2磁性膜の膜厚
を0.3〜1.0μmとする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項4】請求項1において、前記第1磁性膜とは異
なる材料からなる前記第2磁性膜を形成する薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項5】請求項1において、前記第1磁性膜より飽
和磁束密度の高い材料の前記第2磁性膜を形成する薄膜
磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項6】基板上に第1磁性膜を形成する工程と、前
記第1磁性膜を所定パターンにエッチングする工程と、
前記第1磁性膜上に第1非磁性膜を形成する工程と、前
記第1非磁性膜の一部を除去し、前記第1磁性膜を露出
させる工程と、前記第1磁性膜及び前記第1非磁性膜の
上部に第2磁性膜を形成する工程と、前記第2磁性膜上
に第1マスク膜を形成する工程と、前記第1マスク膜上
にマスク幅が前記第1磁性膜の上端幅より狭い第2マス
クを形成する工程と、前記第2マスクを用いて、前記第
1マスク膜及び前記第2磁性膜を所定パターンにエッチ
ングする工程と、前記第2マスクを除去する工程と、前
記第1マスク膜及び露出された前記第1非磁性膜上に第
2非磁性膜を形成する工程と、前記第2非磁性膜の一部
を除去し、前記第1マスク膜を露出させる工程と、前記
第1マスク膜を除去する工程と、少なくとも前記第2磁
性膜上に磁気ギャップ膜を形成する工程と、前記磁気ギ
ャップ膜上に上端辺の幅が磁気ギャップ膜に隣接する下
端辺の幅よりも大きい第3磁性膜を形成する工程を含む
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項7】請求項6において、前記第1マスク膜を除
去する工程と同時に前記第2非磁性膜にテーパを形成す
る工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項8】請求項6において、前記第2磁性膜の膜厚
を0.3〜1.0μmとする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項9】請求項6において、前記第1磁性膜とは異
なる材料からなる前記第2磁性膜を形成する薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項10】請求項6において、前記第1磁性膜より
飽和磁束密度の高い材料の前記第2磁性膜を形成する薄
膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項11】基板上に第1磁性膜を形成する工程と、
前記第1磁性膜を所定パターンにエッチングする工程
と、前記第1磁性膜上に第1非磁性膜を形成する工程
と、前記第1非磁性膜の一部を除去し、前記第1磁性膜
を露出させる工程と、前記第1磁性膜及び前記第1非磁
性膜の上部に第2磁性膜を形成する工程と、前記第2磁
性膜上に磁気ギャップ膜を形成する工程と、前記磁気ギ
ャップ膜上に第1マスク膜を形成する工程と、前記第1
マスク膜上に前記第1マスク膜とは異なる材料からなる
第2マスク膜を形成する工程と、前記第2マスク膜上に
マスク幅が前記第1磁性膜の上端幅より狭い第3マスク
を形成する工程と、前記第3マスクを用いて、前記第2
マスク膜,前記第1マスク膜,前記磁気ギャップ膜及び
前記第2磁性膜を所定パターンにエッチングする工程
と、前記第3マスクを除去する工程と、前記第2マスク
膜及び露出された前記第1非磁性膜上に第2非磁性膜を
形成する工程と、前記第2非磁性膜の一部を除去し、前
記第2マスク膜を露出させる工程と、前記第2マスク膜
を除去する工程と、前記第1マスク膜を除去する工程
と、前記磁気ギャップ膜上に上端辺の幅が磁気ギャップ
膜に隣接する下端辺の幅よりも大きい第3磁性膜を形成
する工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項12】請求項11において、前記第2マスク膜
を除去する工程と同時に前記第2非磁性膜にテーパを形
成する工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項13】請求項11において、前記第2マスク膜
を除去する工程の後に前記第2非磁性膜にテーパを形成
する工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項14】請求項11において、前記第2磁性膜の
膜厚を0.3〜1.0μmとする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項15】請求項11において、前記第1磁性膜と
は異なる材料からなる前記第2磁性膜を形成する薄膜磁
気ヘッドの製造方法。 - 【請求項16】請求項11において、前記第1磁性膜よ
り飽和磁束密度の高い材料の前記第2磁性膜を形成する
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項17】基板上に第1磁性膜を形成する工程と、
前記第1磁性膜を所定パターンにエッチングする工程
と、前記第1磁性膜上に第1非磁性膜を形成する工程
と、前記第1非磁性膜の一部を除去し、前記第1磁性膜
を露出させる工程と、前記第1磁性膜及び前記第1非磁
性膜の上部に第2磁性膜を形成する工程と、前記第2磁
性膜上に第1マスク膜を形成する工程と、前記第1マス
ク膜上に前記第1マスク膜とは異なる材料からなる第2
マスク膜を形成する工程と、前記第2マスク膜上にマス
ク幅が前記第1磁性膜の上端幅より狭い第3マスクを形
成する工程と、前記第3マスクを用いて、前記第2マス
ク膜,前記第1マスク膜及び前記第2磁性膜を所定パタ
ーンにエッチングする工程と、前記第3マスクを除去す
る工程と、前記第2マスク膜及び露出された前記第1非
磁性膜上に第2非磁性膜を形成する工程と、前記第2非
磁性膜の一部を除去し、前記第2マスク膜を露出させる
工程と、前記第2マスク膜を除去する工程と、前記第1
マスク膜を除去する工程と、少なくとも前記第2磁性膜
上に磁気ギャップ膜を形成する工程と、前記磁気ギャッ
プ膜上に上端辺の幅が磁気ギャップ膜に隣接する下端辺
の幅よりも大きい第3磁性膜を形成する工程を有するこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項18】請求項17において、前記第2マスク膜
を除去する工程と同時に前記第2非磁性膜にテーパを形
成する工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項19】請求項17において、前記第2マスク膜
を除去する工程の後に前記第2非磁性膜にテーパを形成
する工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項20】請求項17において、前記第2磁性膜の
膜厚を0.3〜1.0μmとする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項21】請求項17において、前記第1磁性膜と
は異なる材料からなる前記第2磁性膜を形成する薄膜磁
気ヘッドの製造方法。 - 【請求項22】請求項17において、前記第1磁性膜よ
り飽和磁束密度の高い材料の前記第2磁性膜を形成する
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項23】基板上に第1磁性膜を形成する工程と、 前記第1磁性膜上に所定厚さの第2磁性膜を形成する工
程と前記第2磁性膜上に磁気ギャップ膜を形成する工程
と、 前記磁気ギャップ膜上に第1マスク膜を形成する工程
と、 前記第1マスク膜上に所定の形状の第2マスクを形成す
る工程と、 前記第1マスク膜,前記磁気ギャップ膜,前記第2磁性
膜を所定パターンにエッチングする工程と、 前記第2マスクを除去する工程と、 前記第1マスク膜より大きく、前記第1マスク膜,前記
磁気ギャップ膜及び前記第2磁性膜を覆う第3マスクを
形成する工程と、 前記第3マスクを用いて、前記第1磁性膜を所定パター
ンにエッチングする工程と、 前記第3マスクを除去する工程と、 前記第1マスク膜,前記第1磁性膜及び露出された前記
基板上に非磁性膜を形成する工程と、 前記非磁性膜の一部を除去し、前記第1マスク膜を露出
させる工程と、 前記第1マスク膜を除去する工程と、 前記磁気ギャップ膜上に上端辺の幅が磁気ギャップ膜に
隣接する下端辺の幅よりも大きい第3磁性膜を形成する
工程を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項24】請求項23において、前記第1マスク膜
を除去する工程と同時に前記非磁性膜にテーパを形成す
る工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項25】請求項23において、前記第2磁性膜の
膜厚を0.3〜1.0μmとする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項26】請求項23において、前記第1磁性膜と
は異なる材料からなる前記第2磁性膜を形成する薄膜磁
気ヘッドの製造方法。 - 【請求項27】請求項23において、前記第1磁性膜よ
り飽和磁束密度の高い材料の前記第2磁性膜を形成する
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項28】請求項1,6,11または17におい
て、前記第1磁性膜を選択めっき法で形成する薄膜磁気
ヘッドの製造方法。 - 【請求項29】請求項1または6において、前記第1磁
性膜及び前記第1マスク膜を露出させる際に、前記第1
非磁性膜及び前記第2非磁性膜の表面を平坦化処理する
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項30】請求項11または17において、前記第
1磁性膜及び前記第2マスク膜を露出させる際に、前記
第1非磁性膜及び前記第2非磁性膜の表面を平坦化処理
する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29680392A JPH06150246A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29680392A JPH06150246A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06150246A true JPH06150246A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17838351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29680392A Pending JPH06150246A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06150246A (ja) |
-
1992
- 1992-11-06 JP JP29680392A patent/JPH06150246A/ja active Pending
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