JPH06148637A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPH06148637A JPH06148637A JP29839392A JP29839392A JPH06148637A JP H06148637 A JPH06148637 A JP H06148637A JP 29839392 A JP29839392 A JP 29839392A JP 29839392 A JP29839392 A JP 29839392A JP H06148637 A JPH06148637 A JP H06148637A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】表示品質の高い、即ち焼き付け、残像のない液
晶表示素子の製造方法を提供することにある。また、紫
外光の効果的な照射法を提供することにある。 【構成】一対のガラス基板１ａ，１ｂにインジウム・ス
ズ酸化物などの透明電極２ａ，２ｂを設け、この透明電
極上にポリイミドなどの配向膜３ａ，３ｂを塗布し、所
定の条件で焼成し膜を形成する。こうして得られたポリ
イミド膜をラビング処理する。この二枚の透明電極基板
をラビング方向が所定の角度になるようにしてスペーサ
を介して貼り合わせ、一定のセル間隙の液晶セルを作製
する。このセルにネマチック液晶４を封入し、この液晶
封入後の液晶素子に紫外光ランプ５を用いて紫外光を照
射し液晶表示素子を得る。
晶表示素子の製造方法を提供することにある。また、紫
外光の効果的な照射法を提供することにある。 【構成】一対のガラス基板１ａ，１ｂにインジウム・ス
ズ酸化物などの透明電極２ａ，２ｂを設け、この透明電
極上にポリイミドなどの配向膜３ａ，３ｂを塗布し、所
定の条件で焼成し膜を形成する。こうして得られたポリ
イミド膜をラビング処理する。この二枚の透明電極基板
をラビング方向が所定の角度になるようにしてスペーサ
を介して貼り合わせ、一定のセル間隙の液晶セルを作製
する。このセルにネマチック液晶４を封入し、この液晶
封入後の液晶素子に紫外光ランプ５を用いて紫外光を照
射し液晶表示素子を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子の残像及
び焼き付け特性に優れた液晶表示素子を提供する。
び焼き付け特性に優れた液晶表示素子を提供する。
【０００２】
【従来の技術】ネマチック液晶を用いた液晶セルは、電
極基板の透明電極上に配向膜塗布し、その形成された膜
をラビンク処理し、基板を貼り合わせるために基板の周
りをシール硬化し、その後、液晶封入の工程を経て作製
される。例えば、スーパーツイスト液晶表示素子では、
種々のドメインの発生を防止する高プレチルト角のポリ
イミド配向膜を用いた液晶素子の製造方法及び紫外線を
配向膜に照射して液晶素子を製造する方法等が提案され
ている(特開平2−226118号公報，特開平2−40623号公
報）。
極基板の透明電極上に配向膜塗布し、その形成された膜
をラビンク処理し、基板を貼り合わせるために基板の周
りをシール硬化し、その後、液晶封入の工程を経て作製
される。例えば、スーパーツイスト液晶表示素子では、
種々のドメインの発生を防止する高プレチルト角のポリ
イミド配向膜を用いた液晶素子の製造方法及び紫外線を
配向膜に照射して液晶素子を製造する方法等が提案され
ている(特開平2−226118号公報，特開平2−40623号公
報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】液晶表示素子に、ある
特定の文字或いは図形パターンを一定期間表示している
と、そのパターンが画面上に焼き付く、いわゆる残像と
呼ばれる現象がある。この残像現象は画質を低下させる
ため、この残像低減が大きな課題となっている。従来技
術では、特に焼き付け、残像と呼ばれる表示むらの発生
を回避する表示品質良好な液晶表示素子の製造方法が得
られていなかった。
特定の文字或いは図形パターンを一定期間表示している
と、そのパターンが画面上に焼き付く、いわゆる残像と
呼ばれる現象がある。この残像現象は画質を低下させる
ため、この残像低減が大きな課題となっている。従来技
術では、特に焼き付け、残像と呼ばれる表示むらの発生
を回避する表示品質良好な液晶表示素子の製造方法が得
られていなかった。
【０００４】本発明の目的は、表示品質の高い、即ち焼
き付け、残像のない液晶表示素子の製造方法を提供する
ことにある。
き付け、残像のない液晶表示素子の製造方法を提供する
ことにある。
【０００５】本発明の他の目的は、上記製造方法におい
て効果的な紫外光照射法を提供することにある。
て効果的な紫外光照射法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意検討した結果、液晶素子に紫外光を照
射することにより液晶セル中の電荷輸送がスムーズに進
行することを発見し、表示画素に直流成分が残留しても
即座にその成分を相殺するような電荷輸送が液晶層内で
進行することを見出した。その結果、焼き付け現象を低
減することが判り本発明を完成するに至った。本発明の
要旨は次のとおりである。
を解決すべく鋭意検討した結果、液晶素子に紫外光を照
射することにより液晶セル中の電荷輸送がスムーズに進
行することを発見し、表示画素に直流成分が残留しても
即座にその成分を相殺するような電荷輸送が液晶層内で
進行することを見出した。その結果、焼き付け現象を低
減することが判り本発明を完成するに至った。本発明の
要旨は次のとおりである。
【０００７】本発明は、図１に示す方法で紫外光照射を
行った。液晶素子は、一対のガラス基板１ａ，１ｂにイ
ンジウム・スズ酸化物などの透明電極２ａ，２ｂを設
け、この透明電極上にポリイミド配向膜３ａ，３ｂを塗
布焼成，ラビリング処理後スペーサを介して貼り合わせ
液晶素子を作製した。その後、ネマチック液晶４を封入
し液晶素子に紫外光ランプ５を用いて紫外光を照射し液
晶表示素子を得る。
行った。液晶素子は、一対のガラス基板１ａ，１ｂにイ
ンジウム・スズ酸化物などの透明電極２ａ，２ｂを設
け、この透明電極上にポリイミド配向膜３ａ，３ｂを塗
布焼成，ラビリング処理後スペーサを介して貼り合わせ
液晶素子を作製した。その後、ネマチック液晶４を封入
し液晶素子に紫外光ランプ５を用いて紫外光を照射し液
晶表示素子を得る。
【０００８】また、紫外光照射の効率を高めるため透明
電極基板の一方の透明電極をもう一方の透明電極より薄
くし、紫外光の透過率を上げ紫外光照射の効率を上げる
こともできる。更には、強度の大きい紫外光を使って紫
外光照射処理を行う際、緩衝剤として液晶表示素子を挿
入して複数枚に重ねた液晶表示素子に紫外光照射処理を
行うこともできる。
電極基板の一方の透明電極をもう一方の透明電極より薄
くし、紫外光の透過率を上げ紫外光照射の効率を上げる
こともできる。更には、強度の大きい紫外光を使って紫
外光照射処理を行う際、緩衝剤として液晶表示素子を挿
入して複数枚に重ねた液晶表示素子に紫外光照射処理を
行うこともできる。
【０００９】さらに、本発明には、液晶及び配向膜材料
にピリミジン骨格を有する化学構造を導入することで、
紫外光から受ける効果をより高めることができる。
にピリミジン骨格を有する化学構造を導入することで、
紫外光から受ける効果をより高めることができる。
【００１０】本発明の液晶表示素子の製造方法を詳細に
述べる。例えば、透明基板として平滑性の良好なフロー
トガラスを用い、この基板上に透明電極として酸化イン
ジウム（Ｉｎ2Ｏ3），酸化スズ（ＳｎＯ2 ）及びＩＴＯ
（インジウム・スズ・オキサイド）等を真空蒸着，スパ
ッタリング，ＣＶＤ等を設け、更に、ポリイミド，ポリ
アミド，ポリ酢酸ビニル，ポリビニルアルコール，セル
ロース，アクリル，エポキシ，ウレタン等の樹脂を用い
た塗布形成する。また、配向膜は透明電極上に直接設置
してもよいし、透明電極上に絶縁膜を設け、その上に形
成してもよい。このようにして設けた配向膜はナイロ
ン，ポリエステル，ポリアクリロニトルのような合成繊
維，綿，羊毛のような天然繊維などを用いてラビング処
理され、そのラビング処理された面を内側にし、液晶を
挾んで相対させる。次に、本発明の特徴である紫外光照
射処理が行われる。例えば、高圧水銀灯，キセノンラン
プなどの希ガス放電管，重水素放電管等を光源として用
いて行うことができる。その処理時間は、液晶及び配向
膜材料分子，液晶層或いは配向膜層の厚さ、また、紫外
線波長にもよるが、数秒から数十分程度が良い。
述べる。例えば、透明基板として平滑性の良好なフロー
トガラスを用い、この基板上に透明電極として酸化イン
ジウム（Ｉｎ2Ｏ3），酸化スズ（ＳｎＯ2 ）及びＩＴＯ
（インジウム・スズ・オキサイド）等を真空蒸着，スパ
ッタリング，ＣＶＤ等を設け、更に、ポリイミド，ポリ
アミド，ポリ酢酸ビニル，ポリビニルアルコール，セル
ロース，アクリル，エポキシ，ウレタン等の樹脂を用い
た塗布形成する。また、配向膜は透明電極上に直接設置
してもよいし、透明電極上に絶縁膜を設け、その上に形
成してもよい。このようにして設けた配向膜はナイロ
ン，ポリエステル，ポリアクリロニトルのような合成繊
維，綿，羊毛のような天然繊維などを用いてラビング処
理され、そのラビング処理された面を内側にし、液晶を
挾んで相対させる。次に、本発明の特徴である紫外光照
射処理が行われる。例えば、高圧水銀灯，キセノンラン
プなどの希ガス放電管，重水素放電管等を光源として用
いて行うことができる。その処理時間は、液晶及び配向
膜材料分子，液晶層或いは配向膜層の厚さ、また、紫外
線波長にもよるが、数秒から数十分程度が良い。
【００１１】
【作用】本発明の液晶表示素子は、液晶素子に紫外光を
照射することにより液晶セル内の電荷の輸送過程がスム
ーズに進行する様になったと考えられる。その結果、配
向膜に直流成分が残留しても即座にその成分を相殺する
ように電荷が液晶と配向膜の界面に輸送され、残像，焼
き付け現象を低減したものと考えられる。
照射することにより液晶セル内の電荷の輸送過程がスム
ーズに進行する様になったと考えられる。その結果、配
向膜に直流成分が残留しても即座にその成分を相殺する
ように電荷が液晶と配向膜の界面に輸送され、残像，焼
き付け現象を低減したものと考えられる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例によって具体的に説明
する。ただし、これら実施例によって本発明の技術的範
囲が限定されるものではない。
する。ただし、これら実施例によって本発明の技術的範
囲が限定されるものではない。
【００１３】〈実施例１〉３×４cmのガラス基板に（厚
さ１.１mm ）上にインジウム・スズ酸化物の透明電極を
２０００Åの厚さで設け、この上に１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス［４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］プロパンと１，２，３，４
−シクロブタンテトラカルボン酸２無水物からなるポリ
イミド配向膜を塗布し、２５０℃で１時間焼成し膜厚５
００Åの膜を形成した。こうして得られたポリイミド膜
をレーヨン布でラビング処理した。次に、この二枚の透
明電極基板をラビング方向が２４０°になるようにして
スペーサを介して貼り合わせ、セル間隙が６μｍの液晶
セルを作製した。このセルにネマチック液晶ＺＬＩ−２
００９（メルク社製）にＺＬＩ−１０５２（メルク社
製）を混ぜたもの（７：３）を封入した。そして、この
液晶封入後の液晶素子に２５ｍＷ／cm2 の紫外光を１０
秒間照射し、液晶表示素子を得た。
さ１.１mm ）上にインジウム・スズ酸化物の透明電極を
２０００Åの厚さで設け、この上に１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス［４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］プロパンと１，２，３，４
−シクロブタンテトラカルボン酸２無水物からなるポリ
イミド配向膜を塗布し、２５０℃で１時間焼成し膜厚５
００Åの膜を形成した。こうして得られたポリイミド膜
をレーヨン布でラビング処理した。次に、この二枚の透
明電極基板をラビング方向が２４０°になるようにして
スペーサを介して貼り合わせ、セル間隙が６μｍの液晶
セルを作製した。このセルにネマチック液晶ＺＬＩ−２
００９（メルク社製）にＺＬＩ−１０５２（メルク社
製）を混ぜたもの（７：３）を封入した。そして、この
液晶封入後の液晶素子に２５ｍＷ／cm2 の紫外光を１０
秒間照射し、液晶表示素子を得た。
【００１４】次に、得られた液晶素子の評価法について
述べる。
述べる。
【００１５】下記に液晶表示素子に直流バイアスを印加
した際の透過率の変化を調べ、界面に生じた電荷の緩和
時間の測定について記す。
した際の透過率の変化を調べ、界面に生じた電荷の緩和
時間の測定について記す。
【００１６】液晶表示素子の明状態の透過率を１００％
とすると、透過率が４０％になるように設定した５００
Ｈｚの正弦波を印加しておき、ある時刻より波形に直
流成分０.２Ｖ をバイアスとして印加し、さらにある
所定の時間後直流の極性を反転させる。この時、液晶素
子内の内部電界が一瞬大きくなり液晶がそれに応答し、
透過率が大きくなる。その後、時間の経過と共に液晶層
内の電荷が界面に輸送されることによって内部電界が緩
和され透過率が減衰する。ここで、透過光が７０％減衰
するまでの時間を界面に生じた電荷の緩和時間τと定義
する。図２に液晶素子の典型的な透過率変化を示す。点
Ａはの操作をした瞬間にあたり、点Ｂがの操作をし
た瞬間に相当する。尚、ここで定義した緩和時間τが小
さいほど、残像及び焼き付け現象が低減される。
とすると、透過率が４０％になるように設定した５００
Ｈｚの正弦波を印加しておき、ある時刻より波形に直
流成分０.２Ｖ をバイアスとして印加し、さらにある
所定の時間後直流の極性を反転させる。この時、液晶素
子内の内部電界が一瞬大きくなり液晶がそれに応答し、
透過率が大きくなる。その後、時間の経過と共に液晶層
内の電荷が界面に輸送されることによって内部電界が緩
和され透過率が減衰する。ここで、透過光が７０％減衰
するまでの時間を界面に生じた電荷の緩和時間τと定義
する。図２に液晶素子の典型的な透過率変化を示す。点
Ａはの操作をした瞬間にあたり、点Ｂがの操作をし
た瞬間に相当する。尚、ここで定義した緩和時間τが小
さいほど、残像及び焼き付け現象が低減される。
【００１７】そこで、この方法で液晶表示素子について
測定を行った結果、緩和時間τとして１１秒を得た。
測定を行った結果、緩和時間τとして１１秒を得た。
【００１８】〈実施例２〉３×４cmのガラス基板に（厚
さ１.１mm ）上にインジウム・スズ酸化物の透明電極を
２０００Åの厚さで設け、この上に１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス［４−（４−ア
ルミノフェノキシ）フェニル］プロパンと１，２，３，
４−シクロブタンテトラカルボン酸２無水物からなるポ
リイミド配向膜を塗布し、２５０℃で１時間焼成し膜厚
５００Åの膜を形成した。こうして得られたポリイミド
膜をレーヨン布でラビング処理した。次に、この二枚の
透明電極基板をラビング方向が２４０°になるようにし
てスペーサを介して貼り合わせ、セル間隙が６μｍの液
晶セルを作製した。このセルにネマチック液晶ＺＬＩ−
２００９（メルク社製）にＺＬＩ−１０５２（メルク社
製）を混ぜたもの（７：３）を封入した。そして、この
液晶封入後の液晶素子に３５ｍＷ／cm2 の紫外光を１０
秒間照射し、液晶表示素子を得た。
さ１.１mm ）上にインジウム・スズ酸化物の透明電極を
２０００Åの厚さで設け、この上に１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス［４−（４−ア
ルミノフェノキシ）フェニル］プロパンと１，２，３，
４−シクロブタンテトラカルボン酸２無水物からなるポ
リイミド配向膜を塗布し、２５０℃で１時間焼成し膜厚
５００Åの膜を形成した。こうして得られたポリイミド
膜をレーヨン布でラビング処理した。次に、この二枚の
透明電極基板をラビング方向が２４０°になるようにし
てスペーサを介して貼り合わせ、セル間隙が６μｍの液
晶セルを作製した。このセルにネマチック液晶ＺＬＩ−
２００９（メルク社製）にＺＬＩ−１０５２（メルク社
製）を混ぜたもの（７：３）を封入した。そして、この
液晶封入後の液晶素子に３５ｍＷ／cm2 の紫外光を１０
秒間照射し、液晶表示素子を得た。
【００１９】次に、実施例１に記した方法で液晶表示素
子を評価した結果、緩和時間τとして７秒を得た。
子を評価した結果、緩和時間τとして７秒を得た。
【００２０】〈実施例３〉３×４cmのガラス基板に（厚
さ１.１mm ）上にインジウム・スズ酸化物の透明電極を
２０００Åの厚さで設け、この上に１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス［４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］プロパンとピロメリット酸
２無水物からなるポリイミド配向膜を塗布し、２５０℃
で１時間焼成し膜厚５００Åの膜を形成した。こうして
得られたポリイミド膜をレーヨン布でラビング処理し
た。次に、この二枚の透明電極基板をラビング方向が２
４０°になるようにしてスペーサを介して貼り合わせ、
セル間隙が６μｍの液晶セルを作製した。このセルにネ
マチック液晶ＺＬＩ−２００９（メルク社製）にＺＬＩ
−１０５２（メルク社製）を混ぜたもの（７：３）を封
入した。そして、この液晶封入後の液晶素子に２５ｍＷ
／cm2 の紫外光を１０秒間照射し、液晶表示素子を得
た。
さ１.１mm ）上にインジウム・スズ酸化物の透明電極を
２０００Åの厚さで設け、この上に１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス［４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］プロパンとピロメリット酸
２無水物からなるポリイミド配向膜を塗布し、２５０℃
で１時間焼成し膜厚５００Åの膜を形成した。こうして
得られたポリイミド膜をレーヨン布でラビング処理し
た。次に、この二枚の透明電極基板をラビング方向が２
４０°になるようにしてスペーサを介して貼り合わせ、
セル間隙が６μｍの液晶セルを作製した。このセルにネ
マチック液晶ＺＬＩ−２００９（メルク社製）にＺＬＩ
−１０５２（メルク社製）を混ぜたもの（７：３）を封
入した。そして、この液晶封入後の液晶素子に２５ｍＷ
／cm2 の紫外光を１０秒間照射し、液晶表示素子を得
た。
【００２１】次に、実施例１に記した方法で液晶表示素
子を評価した結果、緩和時間τとして１０秒を得た。
子を評価した結果、緩和時間τとして１０秒を得た。
【００２２】〈実施例４〉３×４cmのガラス基板に（厚
さ１.１mm ）上にインジウム・スズ酸化物の透明電極を
２０００Åの厚さで設け、この上に１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス［４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］プロパンと２，２−ビス
［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］
トリデカンテトラカルボン酸２無水物からなるポリイミ
ド配向膜を塗布し、２５０℃で１時間焼成し膜厚５００
Åの膜を形成した。こうして得られたポリイミド膜をレ
ーヨン布でラビング処理した。次に、この二枚の透明電
極基板をラビング方向が２４０°になるようにしてスペ
ーサを介して貼り合わせ、セル間隙が６μｍの液晶セル
を作製した。このセルにネマチック液晶ＺＬＩ−２００
９（メルク社製）にＺＬＩ−１０５２（メルク社製）を
混ぜたもの（７：３）を封入した。そして、この液晶封
入後の液晶素子に２５ｍＷ／cm2 の紫外光を１０秒間照
射し、液晶表示素子を得た。
さ１.１mm ）上にインジウム・スズ酸化物の透明電極を
２０００Åの厚さで設け、この上に１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス［４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］プロパンと２，２−ビス
［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］
トリデカンテトラカルボン酸２無水物からなるポリイミ
ド配向膜を塗布し、２５０℃で１時間焼成し膜厚５００
Åの膜を形成した。こうして得られたポリイミド膜をレ
ーヨン布でラビング処理した。次に、この二枚の透明電
極基板をラビング方向が２４０°になるようにしてスペ
ーサを介して貼り合わせ、セル間隙が６μｍの液晶セル
を作製した。このセルにネマチック液晶ＺＬＩ−２００
９（メルク社製）にＺＬＩ−１０５２（メルク社製）を
混ぜたもの（７：３）を封入した。そして、この液晶封
入後の液晶素子に２５ｍＷ／cm2 の紫外光を１０秒間照
射し、液晶表示素子を得た。
【００２３】次に、実施例１に記した方法で液晶表示素
子を評価した結果、緩和時間τとして５秒を得た。
子を評価した結果、緩和時間τとして５秒を得た。
【００２４】〈実施例５〉３×４cmのガラス基板に（厚
さ１.１mm ）上にインジウム・スズ酸化物の透明電極を
２０００Åの厚さで設け、この上に４−（ｐ−アミノフ
ェニル）−１−アミノピリミジンとピロメリット酸２無
水物からなるポリイミド配向膜を塗布し、２５０℃で１
時間焼成し膜厚５００Åの膜を形成した。こうして得ら
れたポリイミド膜をレーヨン布でラビング処理した。次
に、この二枚の透明電極基板をラビング方向が２４０°
になるようにしてスペーサを介して貼り合わせ、セル間
隙が６μｍの液晶セルを作製した。このセルにネマチッ
ク液晶ＺＬＩ−２００９（メルク社製）にＺＬＩ−１０
５２（メルク社製）を混ぜたもの（７：３）を封入し
た。そして、この液晶封入後の液晶素子に２５ｍＷ／cm
2 の紫外光を１０秒間照射し、液晶表示素子を得た。
さ１.１mm ）上にインジウム・スズ酸化物の透明電極を
２０００Åの厚さで設け、この上に４−（ｐ−アミノフ
ェニル）−１−アミノピリミジンとピロメリット酸２無
水物からなるポリイミド配向膜を塗布し、２５０℃で１
時間焼成し膜厚５００Åの膜を形成した。こうして得ら
れたポリイミド膜をレーヨン布でラビング処理した。次
に、この二枚の透明電極基板をラビング方向が２４０°
になるようにしてスペーサを介して貼り合わせ、セル間
隙が６μｍの液晶セルを作製した。このセルにネマチッ
ク液晶ＺＬＩ−２００９（メルク社製）にＺＬＩ−１０
５２（メルク社製）を混ぜたもの（７：３）を封入し
た。そして、この液晶封入後の液晶素子に２５ｍＷ／cm
2 の紫外光を１０秒間照射し、液晶表示素子を得た。
【００２５】次に、実施例１に記した方法で液晶表示素
子を評価した結果、緩和時間τとして２秒を得た。
子を評価した結果、緩和時間τとして２秒を得た。
【００２６】〈実施例６〉３×４cmのガラス基板に（厚
さ１.１mm ）上にインジウム・スズ酸化物の透明電極を
２０００Åの厚さで設け、この上に１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス［４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］プロパンと１，２，３，４
−シクロブタンテトラカルボン酸２無水物からなるポリ
イミド配向膜を塗布し、２５０℃で１時間焼成し膜厚５
００Åの膜を形成した。こうして得られたポリイミド膜
をレーヨン布でラビング処理した。次に、この二枚の透
明電極基板をラビング方向が２４０°になるようにして
スペーサを介して貼り合わせ、セル間隙が６μｍの液晶
セルを作製した。このセルにネマチック液晶ＺＬＩ−２
００９（メルク社製）にＺＬＩ−１０５２（メルク社
製）を混ぜたもの（７：３）に４−ペンチルシアノフェ
ニルピリミジン或いは４−（ｐ−ヘキシルフェニル）−
シアノフェニルピリミジンなどのピリミジン骨格を有す
る液晶化合物を１０％加えた液晶を封入した。そして、
この液晶封入後の液晶素子に２５ｍＷ／cm2 の紫外光を
１０秒間照射し、液晶表示素子を得た。
さ１.１mm ）上にインジウム・スズ酸化物の透明電極を
２０００Åの厚さで設け、この上に１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス［４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］プロパンと１，２，３，４
−シクロブタンテトラカルボン酸２無水物からなるポリ
イミド配向膜を塗布し、２５０℃で１時間焼成し膜厚５
００Åの膜を形成した。こうして得られたポリイミド膜
をレーヨン布でラビング処理した。次に、この二枚の透
明電極基板をラビング方向が２４０°になるようにして
スペーサを介して貼り合わせ、セル間隙が６μｍの液晶
セルを作製した。このセルにネマチック液晶ＺＬＩ−２
００９（メルク社製）にＺＬＩ−１０５２（メルク社
製）を混ぜたもの（７：３）に４−ペンチルシアノフェ
ニルピリミジン或いは４−（ｐ−ヘキシルフェニル）−
シアノフェニルピリミジンなどのピリミジン骨格を有す
る液晶化合物を１０％加えた液晶を封入した。そして、
この液晶封入後の液晶素子に２５ｍＷ／cm2 の紫外光を
１０秒間照射し、液晶表示素子を得た。
【００２７】次に、実施例１に記した方法で液晶表示素
子を評価した結果、緩和時間τとして２秒を得た。
子を評価した結果、緩和時間τとして２秒を得た。
【００２８】〈実施例７〉３×４cmの一対のガラス基板
に（厚さ１.１mm ）のうち、一方にインジウム・スズ酸
化物の透明電極を２０００Åの厚さで設け、もう一方の
ガラス基板に同様の透明電極を１５００Åの厚さで設け
る。これら透明電極上に１，１，１，３，３，３−ヘキ
サフルオロ−２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］プロパンと１，２，３，４−シクロブタ
ンテトラカルボン酸２無水物からなるポリイミド配向膜
を塗布し、２５０℃で１時間焼成し膜厚５００Åの膜を
形成した。こうして得られたポリイミド膜をレーヨン布
でラビング処理した。次に、この二枚の透明電極基板を
ラビング方向が２４０°になるようにしてスペーサを介
して貼り合わせ、セル間隙が６μｍの液晶セルを作製し
た。このセルにネマチック液晶ＺＬＩ−２００９(メル
ク社製)にＺＬＩ−１０５２（メルク社製）を混ぜたも
の（７：３）を封入した。そして、この液晶封入後の液
晶素子に２５ｍＷ／cm2 の紫外光を１０秒間照射し、液
晶表示素子を得た。
に（厚さ１.１mm ）のうち、一方にインジウム・スズ酸
化物の透明電極を２０００Åの厚さで設け、もう一方の
ガラス基板に同様の透明電極を１５００Åの厚さで設け
る。これら透明電極上に１，１，１，３，３，３−ヘキ
サフルオロ−２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］プロパンと１，２，３，４−シクロブタ
ンテトラカルボン酸２無水物からなるポリイミド配向膜
を塗布し、２５０℃で１時間焼成し膜厚５００Åの膜を
形成した。こうして得られたポリイミド膜をレーヨン布
でラビング処理した。次に、この二枚の透明電極基板を
ラビング方向が２４０°になるようにしてスペーサを介
して貼り合わせ、セル間隙が６μｍの液晶セルを作製し
た。このセルにネマチック液晶ＺＬＩ−２００９(メル
ク社製)にＺＬＩ−１０５２（メルク社製）を混ぜたも
の（７：３）を封入した。そして、この液晶封入後の液
晶素子に２５ｍＷ／cm2 の紫外光を１０秒間照射し、液
晶表示素子を得た。
【００２９】次に、実施例１に記した方法で液晶表示素
子を評価した結果、緩和時間τとして７秒を得た。
子を評価した結果、緩和時間τとして７秒を得た。
【００３０】本実施例によって、実施例１と比較して紫
外光照射の効率，効果が向上した。 〈実施例８〉１５×２５cmのガラス基板に（厚さ１.１m
m ）上にインジウム・スズ酸化物の透明電極を２０００
Åの厚さで設け、この上に１，１，１，３，３，３−ヘ
キサフルオロ−２，２−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］プロパンと１，２，３，４−シクロブ
タンテトラカルボン酸２無水物からなるポリイミド配向
膜を塗布し、２５０℃で１時間焼成し膜厚５００Åの膜
を形成した。こうして得られたポリイミド膜をレーヨン
布でラビング処理した。次に、この二枚の透明電極基板
をラビング方向が２４０°になるようにしてスペーサを
介して貼り合わせ、セル間隙が６μｍの液晶セルを作製
した。このセルにネマチック液晶ＺＬＩ−２００９（メ
ルク社製）にＺＬＩ−１０５２（メルク社製）を混ぜた
もの（７：３）を封入した。
外光照射の効率，効果が向上した。 〈実施例８〉１５×２５cmのガラス基板に（厚さ１.１m
m ）上にインジウム・スズ酸化物の透明電極を２０００
Åの厚さで設け、この上に１，１，１，３，３，３−ヘ
キサフルオロ−２，２−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］プロパンと１，２，３，４−シクロブ
タンテトラカルボン酸２無水物からなるポリイミド配向
膜を塗布し、２５０℃で１時間焼成し膜厚５００Åの膜
を形成した。こうして得られたポリイミド膜をレーヨン
布でラビング処理した。次に、この二枚の透明電極基板
をラビング方向が２４０°になるようにしてスペーサを
介して貼り合わせ、セル間隙が６μｍの液晶セルを作製
した。このセルにネマチック液晶ＺＬＩ−２００９（メ
ルク社製）にＺＬＩ−１０５２（メルク社製）を混ぜた
もの（７：３）を封入した。
【００３１】この液晶封入後の液晶素子を紫外光照射装
置に送り台に長方形である液晶素子の長辺（２５cm）を
直径２cm長さが３０cmの円柱状の紫外光ランプに平行に
なるよう配置し、送り速さを１cm／ｓで２５ｍＷ／cm2
の紫外光照射し液晶表示素子を得た。その結果、５分間
に２０素子作製した。また、実施例１に記した方法で液
晶表示素子を評価した結果、緩和時間τとして１１秒を
得た。
置に送り台に長方形である液晶素子の長辺（２５cm）を
直径２cm長さが３０cmの円柱状の紫外光ランプに平行に
なるよう配置し、送り速さを１cm／ｓで２５ｍＷ／cm2
の紫外光照射し液晶表示素子を得た。その結果、５分間
に２０素子作製した。また、実施例１に記した方法で液
晶表示素子を評価した結果、緩和時間τとして１１秒を
得た。
【００３２】〈実施例９〉１５×２５cmのガラス基板に
（厚さ１.１mm ）上にインジウム・スズ酸化物の透明電
極を２０００Åの厚さで設け、この上に１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス［４−(４
−アミノフェノキシ)フェニル］プロパンと１，２，
３，４−シクロブタンテトラカルボン酸２無水物からな
るポリイミド配向膜を塗布し、２５０℃で１時間焼成し
膜厚５００Åの膜を形成した。こうして得られたポリイ
ミド膜をレーヨン布でラビング処理した。次に、この二
枚の透明電極基板をラビング方向が２４０°になるよう
にしてスペーサを介して貼り合わせ、セル間隙が６μｍ
の液晶セルを作製した。このセルにネマチック液晶ＺＬ
Ｉ−２００９（メルク社製）にＺＬＩ−１０５２（メル
ク社製）を混ぜたもの（７：３）を封入した。
（厚さ１.１mm ）上にインジウム・スズ酸化物の透明電
極を２０００Åの厚さで設け、この上に１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス［４−(４
−アミノフェノキシ)フェニル］プロパンと１，２，
３，４−シクロブタンテトラカルボン酸２無水物からな
るポリイミド配向膜を塗布し、２５０℃で１時間焼成し
膜厚５００Åの膜を形成した。こうして得られたポリイ
ミド膜をレーヨン布でラビング処理した。次に、この二
枚の透明電極基板をラビング方向が２４０°になるよう
にしてスペーサを介して貼り合わせ、セル間隙が６μｍ
の液晶セルを作製した。このセルにネマチック液晶ＺＬ
Ｉ−２００９（メルク社製）にＺＬＩ−１０５２（メル
ク社製）を混ぜたもの（７：３）を封入した。
【００３３】この液晶封入後の液晶素子を５枚重ね、更
にもう一枚を光緩衝用として紫外光光源と重ねた液晶素
子の間になるよう挿入した。そして、紫外光照射装置の
送り台に長方形である液晶素子の長辺（２５cm）を直径
２cm長さが３０cmの円柱状の紫外光ランプに平行になる
よう配置し、送り速さを１cm／ｓで５００ｍＷ／cm2の
紫外光照射し液晶表示素子を得た。その結果、５分間に
１００素子作製した。また、実施例１に記した方法で液
晶表示素子を評価した結果、緩和時間τとして光源に近
い素子から順に５秒，６秒，８秒，１０秒，１３秒を得
た。
にもう一枚を光緩衝用として紫外光光源と重ねた液晶素
子の間になるよう挿入した。そして、紫外光照射装置の
送り台に長方形である液晶素子の長辺（２５cm）を直径
２cm長さが３０cmの円柱状の紫外光ランプに平行になる
よう配置し、送り速さを１cm／ｓで５００ｍＷ／cm2の
紫外光照射し液晶表示素子を得た。その結果、５分間に
１００素子作製した。また、実施例１に記した方法で液
晶表示素子を評価した結果、緩和時間τとして光源に近
い素子から順に５秒，６秒，８秒，１０秒，１３秒を得
た。
【００３４】〈比較例１〉実施例１で紫外線照射を行わ
なかった以外は、全く同様の方法で液晶表示素子を製造
した。
なかった以外は、全く同様の方法で液晶表示素子を製造
した。
【００３５】３×４cmのガラス基板に（厚さ１.１mm ）
上にインジウム・スズ酸化物の透明電極を設け、この上
に１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−
ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパ
ンと１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸２
無水物からなるポリイミド配向膜を塗布し、２５０℃で
１時間焼成し膜厚５００Åの膜を形成した。こうして得
られたポリイミド膜をレーヨン布でラビング処理した。
次に、この二枚の透明電極基板をラビング方向が２４０
°になるようにしてスペーサを介して貼り合わせ、セル
間隙が６μｍの液晶セルを作製した。このセルにネマチ
ック液晶ＺＬＩ−２００９(メルク社製)にＺＬＩ−１０
５２（メルク社製）を混ぜたもの（７：３）を封入し
た。
上にインジウム・スズ酸化物の透明電極を設け、この上
に１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−
ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパ
ンと１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸２
無水物からなるポリイミド配向膜を塗布し、２５０℃で
１時間焼成し膜厚５００Åの膜を形成した。こうして得
られたポリイミド膜をレーヨン布でラビング処理した。
次に、この二枚の透明電極基板をラビング方向が２４０
°になるようにしてスペーサを介して貼り合わせ、セル
間隙が６μｍの液晶セルを作製した。このセルにネマチ
ック液晶ＺＬＩ−２００９(メルク社製)にＺＬＩ−１０
５２（メルク社製）を混ぜたもの（７：３）を封入し
た。
【００３６】次に、得られた液晶表示の評価法について
述べる。
述べる。
【００３７】下記に液晶表示素子に直流バイアスを印加
した際の透過率の変化を調べ、界面に生じた電荷の緩和
時間の測定について記す。
した際の透過率の変化を調べ、界面に生じた電荷の緩和
時間の測定について記す。
【００３８】液晶表示素子の明状態の透過率を１００％
とすると、透過率が４０％になるように設定した５００
Ｈｚの正弦波を印加しておき、ある時刻より波形に直
流成分０.２Ｖ をバイアスとして印加し、さらにある
所定の時間後直流の極性を反転させる。この時、液晶素
子内の内部電界が一瞬大きくなり液晶がそれに応答し、
透過率が大きくなる。その後、時間の経過と共に液晶層
内の電荷が界面に輸送されることによって内部電界が緩
和され透過率が減衰する。ここで、透過光が７０％減衰
するまでの時間を界面に生じた電荷の緩和時間τと定義
する。図２に液晶素子の典型的な透過率変化を示す。点
Ａは上記の操作をした瞬間にあたり、点Ｂがの操作
をした瞬間に相当する。
とすると、透過率が４０％になるように設定した５００
Ｈｚの正弦波を印加しておき、ある時刻より波形に直
流成分０.２Ｖ をバイアスとして印加し、さらにある
所定の時間後直流の極性を反転させる。この時、液晶素
子内の内部電界が一瞬大きくなり液晶がそれに応答し、
透過率が大きくなる。その後、時間の経過と共に液晶層
内の電荷が界面に輸送されることによって内部電界が緩
和され透過率が減衰する。ここで、透過光が７０％減衰
するまでの時間を界面に生じた電荷の緩和時間τと定義
する。図２に液晶素子の典型的な透過率変化を示す。点
Ａは上記の操作をした瞬間にあたり、点Ｂがの操作
をした瞬間に相当する。
【００３９】そこで、上記方法にて液晶表示素子につい
て測定を行った結果、緩和時間τとして２３秒を得た。
て測定を行った結果、緩和時間τとして２３秒を得た。
【００４０】〈比較例２〉１５×２５cmのガラス基板に
（厚さ１.１mm ）上にインジウム・スズ酸化物の透明電
極を２０００Åの厚さで設け、この上に１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス［４−(４
−アミノフェノキシ)フェニル］プロパンと１，２，
３，４−シクロブタンテトラカルボン酸２無水物からな
るポリイミド配向膜を塗布し、２５０℃で１時間焼成し
膜厚５００Åの膜を形成した。こうして得られたポリイ
ミド膜をレーヨン布でラビング処理した。次に、この二
枚の透明電極基板をラビング方向が２４０°になるよう
にしてスペーサを介して貼り合わせ、セル間隙が６μｍ
の液晶セルを作製した。このセルにネマチック液晶ＺＬ
Ｉ−２００９（メルク社製）にＺＬＩ−１０５２（メル
ク社製）を混ぜたもの（７：３）を封入した。
（厚さ１.１mm ）上にインジウム・スズ酸化物の透明電
極を２０００Åの厚さで設け、この上に１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス［４−(４
−アミノフェノキシ)フェニル］プロパンと１，２，
３，４−シクロブタンテトラカルボン酸２無水物からな
るポリイミド配向膜を塗布し、２５０℃で１時間焼成し
膜厚５００Åの膜を形成した。こうして得られたポリイ
ミド膜をレーヨン布でラビング処理した。次に、この二
枚の透明電極基板をラビング方向が２４０°になるよう
にしてスペーサを介して貼り合わせ、セル間隙が６μｍ
の液晶セルを作製した。このセルにネマチック液晶ＺＬ
Ｉ−２００９（メルク社製）にＺＬＩ−１０５２（メル
ク社製）を混ぜたもの（７：３）を封入した。
【００４１】この液晶封入後の液晶素子を紫外光照射装
置の送り台に長方形である液晶素子の短辺（１５cm）を
直径２cm長さが３０cmの円柱状の紫外光ランプに平行に
なるように配置し、送り速さを１cm／ｓで２５ｍＷ／cm
2 の紫外光照射し液晶表示素子を得た。その結果、５分
間に１２素子作製した。また、実施例１に記した方法で
液晶表示素子を評価した結果、緩和時間τとして１１秒
を得た。
置の送り台に長方形である液晶素子の短辺（１５cm）を
直径２cm長さが３０cmの円柱状の紫外光ランプに平行に
なるように配置し、送り速さを１cm／ｓで２５ｍＷ／cm
2 の紫外光照射し液晶表示素子を得た。その結果、５分
間に１２素子作製した。また、実施例１に記した方法で
液晶表示素子を評価した結果、緩和時間τとして１１秒
を得た。
【００４２】実施例１から実施例７と比較例１の液晶表
示素子において、界面に生じた電荷の緩和時間τを測定
した。結果を表１に示す。
示素子において、界面に生じた電荷の緩和時間τを測定
した。結果を表１に示す。
【００４３】
【表１】
【００４４】上記の結果から緩和時間τが小さい方が残
像及び焼き付け現象の低減に効果的であるということを
考慮すると、本発明の液晶表示素子の製造方法により製
造された液晶表示素子は、残像や焼き付けのない表示面
の均一性に優れたものであることが判る。
像及び焼き付け現象の低減に効果的であるということを
考慮すると、本発明の液晶表示素子の製造方法により製
造された液晶表示素子は、残像や焼き付けのない表示面
の均一性に優れたものであることが判る。
【００４５】実施例８から実施例９と比較例２の液晶表
示素子において、１分間に紫外線照射可能な液晶表示素
子の個数を生産効率として評価した。表２に結果を示
す。
示素子において、１分間に紫外線照射可能な液晶表示素
子の個数を生産効率として評価した。表２に結果を示
す。
【００４６】
【表２】
【００４７】上記の結果から明らかなように、本発明の
液晶表示素子の製造方法により、生産効率良く残像や焼
き付けのない表示面の均一性に優れた液晶表示素子を製
造できる。
液晶表示素子の製造方法により、生産効率良く残像や焼
き付けのない表示面の均一性に優れた液晶表示素子を製
造できる。
【００４８】
【発明の効果】本発明によれば、液晶表示素子の製造過
程において液晶を封入後紫外光を照射する工程を導入す
ることによって、表示面が均一で残像が少ない表示品質
良好な液晶表示素子を提供することができる。
程において液晶を封入後紫外光を照射する工程を導入す
ることによって、表示面が均一で残像が少ない表示品質
良好な液晶表示素子を提供することができる。
【図１】本発明の紫外光照射の概要を示した説明図。
【図２】液晶表示素子に直流成分を印加したときの透過
光の応答特性図。
光の応答特性図。
１ａ，１ｂ…ガラス基板、２ａ，２ｂ…透明電極、３
ａ，３ｂ…配向膜、４…液晶層、５…紫外光ランプ。
ａ，３ｂ…配向膜、４…液晶層、５…紫外光ランプ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大原 周一 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 菊池 直樹 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 長谷川 真二 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内
Claims (7)
- 【請求項１】透明電極を有し少なくとも一方が透明な一
対の基板上に液晶に配向させるための高分子膜を形成
し、前記高分子膜をラビング処理し、ラビング方向が２
００度以上の角度になる様に、ラビング処理した面が相
対する様に、前記基板間が所定の空隙になる様に前記基
板を貼り合わせ、前記基板の周りをシール材で固め、前
記基板の間に、旋光性物質が添加され正の誘電異方性を
示しねじれたら旋構造を有するネマチック液晶を挾持さ
せる液晶表示素子の製造方法において、ラビング処理し
た高分子膜を具備した基板間にネマチック液晶を挾持さ
せた液晶表示素子に、紫外光照射を行うことを特徴とす
る液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項２】請求項１において、透明電極の膜厚が５０
０Å以上互いに異なる一対の基板を用いる液晶表示素子
の製造方法。 - 【請求項３】請求項１において、ネマチック液晶にピリ
ミジン骨格を含む液晶化合物を混合させる液晶表示素子
の製造方法。 - 【請求項４】請求項１において、高分子膜としてピリミ
ジン骨格を含むポリアミック酸を用いる液晶表示素子の
製造方法。 - 【請求項５】請求項１において、複数枚の液晶表示素子
を重ねて紫外光照射する液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項６】請求項１において、紫外光照射のための光
源として高圧，低圧水銀灯を用いる液晶表示素子の製造
方法。 - 【請求項７】請求項１において、紫外光照射のための光
源としてキセノンランプを用いる液晶表示素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29839392A JPH06148637A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29839392A JPH06148637A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06148637A true JPH06148637A (ja) | 1994-05-27 |
Family
ID=17859123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29839392A Pending JPH06148637A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06148637A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7615261B2 (en) | 2004-12-30 | 2009-11-10 | Lg Display Co., Ltd. | Method of forming alignment layer in liquid crystal display device |
| WO2011099215A1 (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-18 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネルの製造方法及び液晶表示パネル |
-
1992
- 1992-11-09 JP JP29839392A patent/JPH06148637A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7615261B2 (en) | 2004-12-30 | 2009-11-10 | Lg Display Co., Ltd. | Method of forming alignment layer in liquid crystal display device |
| WO2011099215A1 (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-18 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネルの製造方法及び液晶表示パネル |
| JP5404820B2 (ja) * | 2010-02-09 | 2014-02-05 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネルの製造方法 |
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