JPH06146056A - ルテニウムめっき液 - Google Patents
ルテニウムめっき液Info
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- JPH06146056A JPH06146056A JP4297199A JP29719992A JPH06146056A JP H06146056 A JPH06146056 A JP H06146056A JP 4297199 A JP4297199 A JP 4297199A JP 29719992 A JP29719992 A JP 29719992A JP H06146056 A JPH06146056 A JP H06146056A
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- Japan
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- ruthenium
- plating
- sulfate
- complex
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 めっき回数を増してもめっき液が安定で劣化
せず、かつ電着速度の低下を来すことがないルテニウム
めっき液を提供すること。 【構成】 ルテニウムの窒素・含硫黄酸錯体に、スルフ
ァミン酸若しくはスルファミン酸塩及び／又は硫酸若し
くは硫酸塩からなる安定剤、及び周期律表第III族元素
及び／又はその化合物を添加してなるルテニウムめっき
液。
せず、かつ電着速度の低下を来すことがないルテニウム
めっき液を提供すること。 【構成】 ルテニウムの窒素・含硫黄酸錯体に、スルフ
ァミン酸若しくはスルファミン酸塩及び／又は硫酸若し
くは硫酸塩からなる安定剤、及び周期律表第III族元素
及び／又はその化合物を添加してなるルテニウムめっき
液。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ルテニウムの電気めっ
き液に関する。
き液に関する。
【０００２】
【従来の技術】ルテニウムめっきは、電気接点部あるい
は耐摩耗性を必要とする機械部品等の表面の被覆に有用
であり、又、色調、硬度及び耐食性の点から装飾品にも
採用されている。
は耐摩耗性を必要とする機械部品等の表面の被覆に有用
であり、又、色調、硬度及び耐食性の点から装飾品にも
採用されている。
【０００３】従って、以前より種々の組成のめっき液が
提案されている。
提案されている。
【０００４】これらの主なものをまとめると以下の様に
なる。
なる。
【０００５】（１）ルテニウムが一般式｛Ｒｕ2Ｎ（Ｈ2
Ｏ）2Ｙ8｝3-（但し、Ｙは塩素又は臭素である）の錯イ
オン中に存在するルテニウム錯体のｐＨ４以下の酸性水
溶液からなるもの（特公昭４７−４１２２参照）。
Ｏ）2Ｙ8｝3-（但し、Ｙは塩素又は臭素である）の錯イ
オン中に存在するルテニウム錯体のｐＨ４以下の酸性水
溶液からなるもの（特公昭４７−４１２２参照）。
【０００６】（２）上記めっき液に、ガリウム、インジ
ウム及びタリウムからなる群から選ばれた金属の安定し
た、かつ可溶性の化合物の少なくとも１つを含むもの
（特公昭４９−２６１７５参照）。
ウム及びタリウムからなる群から選ばれた金属の安定し
た、かつ可溶性の化合物の少なくとも１つを含むもの
（特公昭４９−２６１７５参照）。
【０００７】（３）Ｒｕ−Ｎ＝Ｒｕ又はＲｕ＝Ｎ−Ｒｕ
構造で表わされる窒素−架橋連鎖を含む錯化合物として
ルテニウムの存在する、４を上回らないｐＨを有する溶
液からなり、前記溶液が実質的に塩化物イオンを含ま
ず、かつ少なくとも１５ｇ／ｌの硝酸塩イオンを含有す
るもの（特開昭４８−６８４３２参照）。
構造で表わされる窒素−架橋連鎖を含む錯化合物として
ルテニウムの存在する、４を上回らないｐＨを有する溶
液からなり、前記溶液が実質的に塩化物イオンを含ま
ず、かつ少なくとも１５ｇ／ｌの硝酸塩イオンを含有す
るもの（特開昭４８−６８４３２参照）。
【０００８】（４）ルテニウムが｛Ｒｕ2Ｎ（ＮＨ3）3
Ｘ2｝3+（但し、Ｘは塩素又はヨウ素）で示される式の
陽イオン錯体中に存在する、ルテニウム錯体の水溶液か
ら成るもの（特開昭５２−１５０３４１参照）。
Ｘ2｝3+（但し、Ｘは塩素又はヨウ素）で示される式の
陽イオン錯体中に存在する、ルテニウム錯体の水溶液か
ら成るもの（特開昭５２−１５０３４１参照）。
【０００９】（５）１モルのルテニウムと４〜１０モル
のスルファミン酸とから形成される錯体が使用されるこ
とにより浴が安定化されて成り、さらにニッケル、コバ
ルト、鉄、スズ、鉛及びマグネシウムから成る群から選
択された少量の第２金属成分を含有するｐＨ０．１〜
２．４から成るもの（特公平１−５６１５７参照）。
のスルファミン酸とから形成される錯体が使用されるこ
とにより浴が安定化されて成り、さらにニッケル、コバ
ルト、鉄、スズ、鉛及びマグネシウムから成る群から選
択された少量の第２金属成分を含有するｐＨ０．１〜
２．４から成るもの（特公平１−５６１５７参照）。
【００１０】（６）ルテニウムの窒素・硫酸錯体とルテ
ニウムの窒素・スルファミン酸錯体との混合物を使用し
たもの、あるいはさらに液の安定化向上のために、これ
にスルファミン酸塩及び硫酸塩を添加したもの（特開平
４−１６５０９２）。
ニウムの窒素・スルファミン酸錯体との混合物を使用し
たもの、あるいはさらに液の安定化向上のために、これ
にスルファミン酸塩及び硫酸塩を添加したもの（特開平
４−１６５０９２）。
【００１１】これらはいずれもルテニウムと窒素との錯
体を形成したものであることが大きな特徴である。この
理由は、ルテニウムの電着中にルテニウムの原子価の変
動により、めっき液が不安定になることを防止するため
と考えられる。
体を形成したものであることが大きな特徴である。この
理由は、ルテニウムの電着中にルテニウムの原子価の変
動により、めっき液が不安定になることを防止するため
と考えられる。
【００１２】しかしながら、これらのめっき液はルテニ
ウムめっき液として要求される特性すなわち、めっき
液が安定なこと、電流効率が高いこと、電着速度が
速いこと（高電流密度でめっき出来ること）、５μｍ
以上の厚付けが出来ること、めっき皮膜にクラックが
ないこと等を完全に満たすものではなかった。
ウムめっき液として要求される特性すなわち、めっき
液が安定なこと、電流効率が高いこと、電着速度が
速いこと（高電流密度でめっき出来ること）、５μｍ
以上の厚付けが出来ること、めっき皮膜にクラックが
ないこと等を完全に満たすものではなかった。
【００１３】すなわち、従来のめっき液は、例えばめっ
き液が安定であれば、電着速度が遅く、かつ５μｍ以上
の厚付けが出来ない等相反する特性を持ったものが多
い。
き液が安定であれば、電着速度が遅く、かつ５μｍ以上
の厚付けが出来ない等相反する特性を持ったものが多
い。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、こうした実
情の下に、上記いずれの要求特性も満し、とくにめっき
回数を増してもめっき液が安定で劣化せず、かつ電着速
度の低下を来すことがないルテニウムめっき液を提供す
ることを目的とするものである。
情の下に、上記いずれの要求特性も満し、とくにめっき
回数を増してもめっき液が安定で劣化せず、かつ電着速
度の低下を来すことがないルテニウムめっき液を提供す
ることを目的とするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討し
た結果、ルテニウムの窒素・含硫黄酸錯体に、めっき液
安定化剤、及び周期律表第III族元素及び／又はその化
合物を添加しためっき液が上記課題を解決する上で有効
であることを知見し、本発明に至った。
た結果、ルテニウムの窒素・含硫黄酸錯体に、めっき液
安定化剤、及び周期律表第III族元素及び／又はその化
合物を添加しためっき液が上記課題を解決する上で有効
であることを知見し、本発明に至った。
【００１６】すなわち、本発明はルテニウムの窒素・含
硫黄酸錯体に、スルファミン酸若しくはスルファミン酸
塩及び／又は硫酸若しくは硫酸塩からなる安定剤、及び
周期律表第III族元素及び／又はその化合物を添加して
なるルテニウムめっき液をその要旨とするものである。
硫黄酸錯体に、スルファミン酸若しくはスルファミン酸
塩及び／又は硫酸若しくは硫酸塩からなる安定剤、及び
周期律表第III族元素及び／又はその化合物を添加して
なるルテニウムめっき液をその要旨とするものである。
【００１７】本発明に使用するルテニウムの窒素・含硫
黄酸錯体の形成法について説明する。まず、公知の方法
で金属ルテニウム又はルテニウム化合物を塩化ルテニウ
ムとする。そして、塩化ルテニウム溶液にスルファミン
酸を加え、煮沸還流し熟成することにより、ルテニウム
のアコ・クロル錯体｛Ｒｕ2Ｎ（Ｈ2Ｏ）2Ｃｌ8｝・（Ｎ
Ｈ4）3を生成させ、この溶液を１０℃以下に冷却しアコ
・クロル錯体の結晶を得る。
黄酸錯体の形成法について説明する。まず、公知の方法
で金属ルテニウム又はルテニウム化合物を塩化ルテニウ
ムとする。そして、塩化ルテニウム溶液にスルファミン
酸を加え、煮沸還流し熟成することにより、ルテニウム
のアコ・クロル錯体｛Ｒｕ2Ｎ（Ｈ2Ｏ）2Ｃｌ8｝・（Ｎ
Ｈ4）3を生成させ、この溶液を１０℃以下に冷却しアコ
・クロル錯体の結晶を得る。
【００１８】この結晶を水に溶かしアンモニア水（ＮＨ
4）ＯＨを加えアリカリ性とし、アコ・クロル錯体をル
テニウムの窒素・水酸化物Ｒｕ2Ｎ（ＯＨ）X・ｎＨ2Ｏ
の沈殿として分離する。得られた沈殿を水に懸濁させ、
硫酸、スルファミン酸、アルキル又はアリールスルファ
ミン酸、アルカン若しくはアルカノール又はアリールス
ルフォン酸等の含硫黄酸をルテニウム１モルに対して２
〜４０モルを添加し、再度煮沸還流熟成させる。
4）ＯＨを加えアリカリ性とし、アコ・クロル錯体をル
テニウムの窒素・水酸化物Ｒｕ2Ｎ（ＯＨ）X・ｎＨ2Ｏ
の沈殿として分離する。得られた沈殿を水に懸濁させ、
硫酸、スルファミン酸、アルキル又はアリールスルファ
ミン酸、アルカン若しくはアルカノール又はアリールス
ルフォン酸等の含硫黄酸をルテニウム１モルに対して２
〜４０モルを添加し、再度煮沸還流熟成させる。
【００１９】本発明において、ルテニウムの窒素・含硫
黄酸錯体とは、以上のような処理により得られるルテニ
ウム錯化合物をいう。その基本骨格は、
黄酸錯体とは、以上のような処理により得られるルテニ
ウム錯化合物をいう。その基本骨格は、
【００２０】
【化１】
【００２１】Ｘ：ＳＯ4，２（Ｈ2ＮＳＯ3），２（ＳＯ3
Ｈ），２（ＲＳＯ3）［Ｒ：アルキル基、ヒドロキシア
ルキル基、アリール基等］で表されるものと推定され
る。
Ｈ），２（ＲＳＯ3）［Ｒ：アルキル基、ヒドロキシア
ルキル基、アリール基等］で表されるものと推定され
る。
【００２２】なお、過剰の含硫黄酸は、ＮａＯＨ，ＫＯ
Ｈ等のアルカリ金属水酸化物又はアンモニア水等で中和
する。
Ｈ等のアルカリ金属水酸化物又はアンモニア水等で中和
する。
【００２３】本発明においては上記の錯体の少なくとも
１種をめっき液の基本塩として使用するが、上記のよう
にして得られた錯体水溶液をめっき原液として使用する
のが実用的である。めっき液中のルテニウム濃度は、１
〜２５ｇ／ｌ、好ましくは２〜１０ｇ／ｌで使用される
ので、前記の錯体水溶液をめっき原液として使用する場
合には必要に応じて純水で希釈する。１ｇ／ｌ未満の濃
度では電着速度が若干遅く、又、２５ｇ／ｌを越える濃
度ではいわゆる「汲出し」の点で好ましくない。
１種をめっき液の基本塩として使用するが、上記のよう
にして得られた錯体水溶液をめっき原液として使用する
のが実用的である。めっき液中のルテニウム濃度は、１
〜２５ｇ／ｌ、好ましくは２〜１０ｇ／ｌで使用される
ので、前記の錯体水溶液をめっき原液として使用する場
合には必要に応じて純水で希釈する。１ｇ／ｌ未満の濃
度では電着速度が若干遅く、又、２５ｇ／ｌを越える濃
度ではいわゆる「汲出し」の点で好ましくない。
【００２４】本発明に使用する安定剤は、硫酸若しくは
硫酸塩及び／又はスルファミン酸若しくはスルファミン
酸塩である。硫酸塩、スルファミン酸塩としてはめっき
液に可溶性であればとくに制限はないが、アルカリ金属
塩、アンモニウム塩等が好ましい。とくに好ましいのは
硫酸アンモニウム、スルファミン酸アンモニウムであ
る。安定剤の濃度は、硫酸若しくは硫酸塩の場合、２０
ｇ／ｌ以上、好ましくは６０〜２００ｇ／ｌである。２
０ｇ／ｌ未満の濃度では安定化効果が乏しく、形成され
たルテニウムめっき膜にクラックが発生し易く、５μｍ
以上の優れた膜厚を得ることは困難である。しかし、あ
まり高濃度で使用すると、電着速度が遅くなる傾向を示
す。又、スルファミン酸若しくはスルファミン酸塩の場
合には５〜１００ｇ／ｌ、好ましくは２０〜６０ｇ／ｌ
である。５ｇ／ｌ未満では安定化効果が乏しく、１００
ｇ／ｌを越える濃度では電着速度が低下する。
硫酸塩及び／又はスルファミン酸若しくはスルファミン
酸塩である。硫酸塩、スルファミン酸塩としてはめっき
液に可溶性であればとくに制限はないが、アルカリ金属
塩、アンモニウム塩等が好ましい。とくに好ましいのは
硫酸アンモニウム、スルファミン酸アンモニウムであ
る。安定剤の濃度は、硫酸若しくは硫酸塩の場合、２０
ｇ／ｌ以上、好ましくは６０〜２００ｇ／ｌである。２
０ｇ／ｌ未満の濃度では安定化効果が乏しく、形成され
たルテニウムめっき膜にクラックが発生し易く、５μｍ
以上の優れた膜厚を得ることは困難である。しかし、あ
まり高濃度で使用すると、電着速度が遅くなる傾向を示
す。又、スルファミン酸若しくはスルファミン酸塩の場
合には５〜１００ｇ／ｌ、好ましくは２０〜６０ｇ／ｌ
である。５ｇ／ｌ未満では安定化効果が乏しく、１００
ｇ／ｌを越える濃度では電着速度が低下する。
【００２５】本発明に使用する周期律表第III族の元素
及び／又はその化合物としては、Ｓｃ，Ｙ，Ａｌ，Ｇ
ａ，Ｉｎ，Ｔｌ等及びその化合物が好ましい。これらは
めっき液に可溶性のものであればとくに制限はないが、
元素以外に硫酸塩、塩酸塩、スルファミン酸塩等の形態
でそれらの少なくとも１種を使用することができる。し
かし、入手の容易性、取扱い性などから硫酸塩が最も好
ましい。この添加剤は、Ｓｒ，Ｙ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎで
は元素量として１０ｍｇ／ｌ以上飽和までの濃度で使用
することができる。又、Ｔｌでは元素量として５〜１０
０ｍｇ／ｌである。これらの濃度の下限未満では、クラ
ックフリー膜厚の上昇がみられず、又その上限を超える
濃度ではクラックフリー膜厚の上昇への効果が小さい。
及び／又はその化合物としては、Ｓｃ，Ｙ，Ａｌ，Ｇ
ａ，Ｉｎ，Ｔｌ等及びその化合物が好ましい。これらは
めっき液に可溶性のものであればとくに制限はないが、
元素以外に硫酸塩、塩酸塩、スルファミン酸塩等の形態
でそれらの少なくとも１種を使用することができる。し
かし、入手の容易性、取扱い性などから硫酸塩が最も好
ましい。この添加剤は、Ｓｒ，Ｙ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎで
は元素量として１０ｍｇ／ｌ以上飽和までの濃度で使用
することができる。又、Ｔｌでは元素量として５〜１０
０ｍｇ／ｌである。これらの濃度の下限未満では、クラ
ックフリー膜厚の上昇がみられず、又その上限を超える
濃度ではクラックフリー膜厚の上昇への効果が小さい。
【００２６】本発明のルテニウムめっき液の調製は、上
記ルテニウムの窒素・含硫黄酸錯体の水溶液に、所定量
の他の添加剤を添加・溶解することにより容易に行うこ
とができる。
記ルテニウムの窒素・含硫黄酸錯体の水溶液に、所定量
の他の添加剤を添加・溶解することにより容易に行うこ
とができる。
【００２７】次に本発明のルテニウムめっき液を使用す
るめっき条件について説明する。
るめっき条件について説明する。
【００２８】めっき液のｐＨは、酸性であればとくに限
定されないが、あまり低ｐＨでは電着速度が遅くなり、
又あまり高ｐＨでは液の安定性が低下する。通常０．５
〜４、好ましくは０．５〜２．５である。このｐＨの調
整は、硫酸、スルファミン酸、塩酸、硝酸、リン酸等の
無機酸及びアルカリ又はアルカリ土類金属水酸化物、ア
ンモニア等の無機アルカリによって行うことができる。
定されないが、あまり低ｐＨでは電着速度が遅くなり、
又あまり高ｐＨでは液の安定性が低下する。通常０．５
〜４、好ましくは０．５〜２．５である。このｐＨの調
整は、硫酸、スルファミン酸、塩酸、硝酸、リン酸等の
無機酸及びアルカリ又はアルカリ土類金属水酸化物、ア
ンモニア等の無機アルカリによって行うことができる。
【００２９】電流密度はとくに限定されないが、吹き付
けのような強い撹拌以外の場合は、あまり高密度ではめ
っきの焼けが生じる場合があり、又あまり低密度では電
着速度が遅くなるので、通常２〜１０Ａ／ｄｍ2、好ま
しくは４〜６Ａ／ｄｍ2である。
けのような強い撹拌以外の場合は、あまり高密度ではめ
っきの焼けが生じる場合があり、又あまり低密度では電
着速度が遅くなるので、通常２〜１０Ａ／ｄｍ2、好ま
しくは４〜６Ａ／ｄｍ2である。
【００３０】また浴温は特に限定はなく、高いほど電着
速度は早くなる。しかし、あまり高温で行うと治具等が
腐食するおそれもあり、又作業管理上の問題もあるの
で、通常８０℃以下、好ましくは７０℃以下である。
速度は早くなる。しかし、あまり高温で行うと治具等が
腐食するおそれもあり、又作業管理上の問題もあるの
で、通常８０℃以下、好ましくは７０℃以下である。
【００３１】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明をさらに詳細に
説明する。 実施例１ 塩化ルテニウム８３ｇの水溶液にスルファミン酸１６０
ｇを加え、３時間煮沸還流した後、室温まで冷却すると
ともに熟成させた。そしてこの溶液を５℃まで冷却し、
ルテニウムのアコ・クロル錯体の結晶５６ｇを得た。
説明する。 実施例１ 塩化ルテニウム８３ｇの水溶液にスルファミン酸１６０
ｇを加え、３時間煮沸還流した後、室温まで冷却すると
ともに熟成させた。そしてこの溶液を５℃まで冷却し、
ルテニウムのアコ・クロル錯体の結晶５６ｇを得た。
【００３２】この結晶３６．５ｇを純水１０００ｍｌに
溶解させ、アンモニア水を加え、ｐＨ＝９．０とし、ル
テニウムの窒素・水酸化物を生成させ、これを濾過する
ことにより窒素・水酸化物２４ｇを得た。このルテニウ
ムの窒素・水酸化物２４ｇを純水３００ｍｌ中に入れ、
懸濁させた後、硫酸（濃度：約９８％）を１５ｍｌ添加
し、１時間煮沸還流した後、室温まで冷却するとともに
熟成させた。
溶解させ、アンモニア水を加え、ｐＨ＝９．０とし、ル
テニウムの窒素・水酸化物を生成させ、これを濾過する
ことにより窒素・水酸化物２４ｇを得た。このルテニウ
ムの窒素・水酸化物２４ｇを純水３００ｍｌ中に入れ、
懸濁させた後、硫酸（濃度：約９８％）を１５ｍｌ添加
し、１時間煮沸還流した後、室温まで冷却するとともに
熟成させた。
【００３３】こうして得られたルテニウム窒素・硫酸錯
体を含むルテニウムめっき原液をルテニウム濃度が５ｇ
／ｌとなるように純水で希釈し、この溶液にスルファミ
ン酸アンモンを４０ｇ／ｌ、硫酸アンモンを１２０ｇ／
ｌ及び硫酸スカンジウムをＳｃ元素量として０．５ｇ／
ｌとなるようにそれぞれ溶解し硫酸によりｐＨを調整し
てｐＨ１．５のルテニウムめっき液を調製した。このめ
っき液を使用し、陽極として白金を用い、陰極として金
めっきした黄銅板を用い、電流密度５Ａ／ｄｍ2、浴温
７０℃で前記テストピース上に９０分めっきを行った。
その結果を表１に示す。
体を含むルテニウムめっき原液をルテニウム濃度が５ｇ
／ｌとなるように純水で希釈し、この溶液にスルファミ
ン酸アンモンを４０ｇ／ｌ、硫酸アンモンを１２０ｇ／
ｌ及び硫酸スカンジウムをＳｃ元素量として０．５ｇ／
ｌとなるようにそれぞれ溶解し硫酸によりｐＨを調整し
てｐＨ１．５のルテニウムめっき液を調製した。このめ
っき液を使用し、陽極として白金を用い、陰極として金
めっきした黄銅板を用い、電流密度５Ａ／ｄｍ2、浴温
７０℃で前記テストピース上に９０分めっきを行った。
その結果を表１に示す。
【００３４】実施例２ 実施例１において、硫酸スカンジウムに代え、硫酸イッ
トリウムをＹ元素量として０．１ｇ／ｌで用いること以
外は実施例１と同様にしてめっきを行った。その結果を
表１に示す。
トリウムをＹ元素量として０．１ｇ／ｌで用いること以
外は実施例１と同様にしてめっきを行った。その結果を
表１に示す。
【００３５】実施例３ 実施例１において、硫酸スカンジウムに代えて、硫酸ア
ルミニウムをＡｌ元素量として０．１ｇ／ｌで用いた以
外は実施例１と同様にしてめっきを行った。その結果を
表１に示す。
ルミニウムをＡｌ元素量として０．１ｇ／ｌで用いた以
外は実施例１と同様にしてめっきを行った。その結果を
表１に示す。
【００３６】実施例４ 実施例１において硫酸スカンジウムに代えて、硫酸ガリ
ウムをＧａ元素量として０．１ｇ／ｌで用いた以外は実
施例１と同様にしてめっきを行った。その結果を表１に
示す。
ウムをＧａ元素量として０．１ｇ／ｌで用いた以外は実
施例１と同様にしてめっきを行った。その結果を表１に
示す。
【００３７】実施例５ 実施例１において硫酸スカンジウムに代えて、硫酸イン
ジウムをＩｎ元素量として０．５ｇ／ｌで用いた以外は
実施例１と同様にしてめっきを行った。その結果を表１
に示す。
ジウムをＩｎ元素量として０．５ｇ／ｌで用いた以外は
実施例１と同様にしてめっきを行った。その結果を表１
に示す。
【００３８】実施例６ 実施例１において、硫酸スカンジウムに代えて、硫酸テ
ルルをＴｌ元素量として２０ｍｇ／ｌで用いた以外は実
施例１と同様にしてめっきを行った。その結果を表１に
示す。
ルルをＴｌ元素量として２０ｍｇ／ｌで用いた以外は実
施例１と同様にしてめっきを行った。その結果を表１に
示す。
【００３９】比較例 実施例１において、硫酸スカンジウムを使用しないこと
以外は実施例１と同様にしてめっきを行った。その結果
を表１に示す。
以外は実施例１と同様にしてめっきを行った。その結果
を表１に示す。
【００４０】
【表１】
【００４１】実施例７ 実施例１と同様にして得られたルテニウムの窒素・硫酸
錯体を含むルテニウムめっき原液をルテニウム濃度が５
ｇ／ｌとなるように純水で希釈し、この溶液にスルファ
ミン酸アンモンを４０ｇ／ｌ、硫酸アンモンを１２０ｇ
／ｌ及び硫酸インジウムをＩｎ元素量で０．５ｇ／ｌと
なるようにそれぞれ溶解し、硫酸によりｐＨ１．５に調
整した。
錯体を含むルテニウムめっき原液をルテニウム濃度が５
ｇ／ｌとなるように純水で希釈し、この溶液にスルファ
ミン酸アンモンを４０ｇ／ｌ、硫酸アンモンを１２０ｇ
／ｌ及び硫酸インジウムをＩｎ元素量で０．５ｇ／ｌと
なるようにそれぞれ溶解し、硫酸によりｐＨ１．５に調
整した。
【００４２】このめっき液を使用し、実施例１と同様に
してめっきを行った。このときのサイクル数とクラック
フリー膜厚及び電着速度との関係を図１に示す。
してめっきを行った。このときのサイクル数とクラック
フリー膜厚及び電着速度との関係を図１に示す。
【００４３】比較例２ 実施例６において、ルテニウムの窒素・硫酸錯体に代え
て、ルテニウムのアコ・クロル錯体をルテニウム濃度が
５ｇ／ｌとなる量で使用し、又スルファミン酸アンモン
を２０ｇ／ｌ、硫酸アンモンを１００ｇ／ｌで使用し、
ｐＨを２．０、電流密度１．５Ａ／ｄｍ2とした以外は
実施例６と同様にしてめっきを行った。なお、実施例
７、比較例２ともにそれぞれで使用したルテニウム錯体
に最適条件を用いた。その結果を図１に示す。
て、ルテニウムのアコ・クロル錯体をルテニウム濃度が
５ｇ／ｌとなる量で使用し、又スルファミン酸アンモン
を２０ｇ／ｌ、硫酸アンモンを１００ｇ／ｌで使用し、
ｐＨを２．０、電流密度１．５Ａ／ｄｍ2とした以外は
実施例６と同様にしてめっきを行った。なお、実施例
７、比較例２ともにそれぞれで使用したルテニウム錯体
に最適条件を用いた。その結果を図１に示す。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のルテニウ
ムめっき液は、５μｍ以上の厚付けが可能で、しかもめ
っき回数が増加してもめっき液は劣化せず、電着速度も
低下しない。
ムめっき液は、５μｍ以上の厚付けが可能で、しかもめ
っき回数が増加してもめっき液は劣化せず、電着速度も
低下しない。
【図１】実施例６及び比較例２のめっき液性能を説明す
る図。
る図。
Claims (1)
- 【請求項１】 ルテニウムの窒素・含硫黄酸錯体に、ス
ルファミン酸若しくはスルファミン酸塩及び／又は硫酸
若しくは硫酸塩からなる安定剤、及び周期律表第III族
元素及び／又はその化合物を添加してなるルテニウムめ
っき液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4297199A JPH06146056A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | ルテニウムめっき液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4297199A JPH06146056A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | ルテニウムめっき液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06146056A true JPH06146056A (ja) | 1994-05-27 |
Family
ID=17843466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4297199A Pending JPH06146056A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | ルテニウムめっき液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06146056A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001011113A1 (fr) * | 1999-08-03 | 2001-02-15 | Nikko Materials Company, Limited | Bain de depot galvanoplastique de ruthenium noir |
-
1992
- 1992-11-06 JP JP4297199A patent/JPH06146056A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001011113A1 (fr) * | 1999-08-03 | 2001-02-15 | Nikko Materials Company, Limited | Bain de depot galvanoplastique de ruthenium noir |
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