JPH0614456B2 - 超微細形状用軟x線発生装置および発生方法 - Google Patents

超微細形状用軟x線発生装置および発生方法

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JPH0614456B2
JPH0614456B2 JP1338805A JP33880589A JPH0614456B2 JP H0614456 B2 JPH0614456 B2 JP H0614456B2 JP 1338805 A JP1338805 A JP 1338805A JP 33880589 A JP33880589 A JP 33880589A JP H0614456 B2 JPH0614456 B2 JP H0614456B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子製造用軟X線を発生させ半導体薄膜
等を部分的にエッチングさせる装置および軟X線の発生
方法に関し、特に、高温気体の放電により軟X線を発生
させる装置および発生方法に関する。
〔従来の技術〕
情報化時代に際し電子技術は高集積,超高速化に向かっ
て進んでおり、それを実現させる技術の内の一つが軟X
線を利用した超微細形状技術(Lithography)である。す
なわち、高温気体の中で軟X線を発生させる高圧放電装
置は、一般に第1図のような同軸円筒電極に10kV以上の
高電圧をかけ、スリット(slit)開閉器に短かい点火電圧
を印加し、中央電極1と外側電極2との間の絶縁体3の
表面に沿って放電させる。そうすると中央電極1を軸と
して方位角方向の磁場が発生し、放電電流を遠心方向と
軸方向とに押し出すことになり、中央電極1の端部に到
達した放電電流は相互衝突して高温の電離気体すなわ
ち、高温,高密度のプラズマを生成する。
この高温,高密度のプラズマから軟X線が主に制動放射
形態で放出される。しかしこのような形態の装置は一般
に核融合実験やプラズマを研究するのに主に利用される
か、発電または宇宙工学でスイッチとして応用されてき
ただけで、超微細形状技術には応用されていなかった。
その主な理由な瞬間的に数百万アンペアの大電流と数+
kVの高電圧放電による放電室19内部の汚染と、電流曲面
15〜18の高速移動によって発生する放電室内部の気流の
振動である。そして、それは電流供給、帰還線の大きい
インピダンスおよび大電力スイッチ4の中心軸方向のイ
ンピダンスに大きく影響を受ける。
〔発明が解決しようとする課題〕
従って、本発明の目的は、軟X線を利用して超高集積半
導体素子を製作する超微細形状装置の中で、電離された
気体の加速,衝突により軟X線を発生する装置におい
て、軟X線の発生点が不安定で装置の耐久性が弱く、甚
はだしい汚染により商業的利用が難かしい要因を除去
し、商業的に容易に利用できるようにした装置および方
法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明装置は放電プラズマより軟X線を発生させる装置
であって、中央電極(1) 、該中央電極を摺動可能に支持
する絶縁体(3) 、前記中央電極を囲んで設けられガス流
通開口部を有する円筒状外側電極(2) 、該外側電極と前
記絶縁体との間に設けらた有孔の環状金属板(22)、前記
外側電極を囲んで放電室(19)を形成する容器(56)、該容
器に設けられた観測用窓(53,54,55)、前記容器,外側電
極および前記絶縁体を支持する支持具(27)、一方の電極
(41)が前記中央電極に、他方の電極71が大型蓄電器7に
接続されている大電力スイッチ、前記支持具および前記
大型蓄電器にそれぞれ接続され、かつ前記大電力スイッ
チの近傍で相互に最も近接するように配置された複数の
電流帰還線(25)、前記中央電極を前記放電室の軸方向に
沿って摺動せしめる手段(13,14) 、前記放電室を排気す
る排気手段(5) 、前期放電室にガスを供給する手段(8,8
1)および前記放電室から前記中央電極と直交する方向に
軟X線を取り出すための露光用放出部(6) を具えたこと
を特徴とする。
本発明方法は放電プラズマより軟X線を発生させる方法
であって、中央電極(1) 、該中央電極を摺動可能に支持
する絶縁体(3) 、前記中央電極を囲んで設けられガス流
通開口部を有する円筒状外側電極(2) 、該外側電極と前
記絶縁体との間に設けられた有孔の環状金属板(22)、前
記外側電極を囲んで放電室(19)を形成する容器(56)、該
容器に設けられた観測用窓(53,54,55)、前記容器,外側
電極および前記絶縁体を支持する支持具(27)、一方の電
極(41)が前記中央電極に、他方の電極71が大型蓄電器7
に接続されている大電力スイッチ、前記支持具および前
記大型蓄電器にそれぞれ接続され、かつ前記大電力スイ
ッチの近傍で相互に最も近接するように配置された複数
の電流帰還線(25)、前記中央電極を前記放電室の軸方向
に沿って摺動せしめる手段(13,14) 、前記放電室を排気
する排気手段(5) 、前記放電室にガスを供給する手段
(8,81)および前記放電室から前記中央電極と直交する方
向に軟X線を取り出すための露光用放出部(6) を具えた
超微細形状用軟X線発生装置の前記放電室19を排気した
後に該放電室内に電離気体を供給し、前記大電力スイッ
チの電極間に放電を生ぜしめ、前記中央電極と前記外側
電極間の放電プラズマより軟X線を発生させることを特
徴とする。
〔実施例〕
以下このような目的を実現するための望ましい一実施例
を詳細に説明する。
第2図に本発明装置の実施例の構造を、第3図に電極の
構造を、第4図にX線放出部の拡大図を示す。
まず第2図のように、金属円板22を絶縁体3と外側電極
2の間に設け、開閉金属41,71からなる大電力スイッチ
を中央電極1の軸方向の延長上に設置し、電流帰還線25
を軸方向とほぼ平行にスイッチ放電室4の近くに設置す
る。絶縁体42,43は開閉金属41,71と共にスイッチ放電
室4を形成している。そして軸方向に円形に配置された
排気口55a を設け、観測口53,54,55を有する円筒56を
外側電極2の外側に取つける。円筒56は金属製であって
よい。円筒56,電極固定用円形ベース27および絶縁体は
真空遮蔽ゴムリング9,91,24によって封止され、真空
室(放電室)19を構成する。電極2は電極固定用ベース
26によっても支持される。また放出口6bにはBe放出窓6a
の汚染を除去するための露光用放出部6を形成し、金属
円板22と絶縁体3の間に気体供給室30を設け、上記放電
室19の必要に応じて供給すべき気体を供給するようにな
っている。絶縁体3は例えばMCナイロン製であり、その
端部、すなわち電極固定用ベース27と接する部分の形状
は4半分円であってもよい。
上記外側電極2は、第3図のように金属円板22にガス流
出入用孔23を開け、または図示しない円型金属棒を設置
する。上記金属円板22の孔23は孔の直径を中央は大きく
軸から遠ざかるにつれて小さくし、その方向は上記外側
電極2の電極棒と一致させるか、または外側電極の円筒
の孔21と一致させる。孔23の断面は垂直あるいは左右に
傾いていてもよく、中心部の孔の数は8個以上がよい。
気体の流れは、主要気体と補助気体とが気体源81から出
て、気体電離室8を経て気体管8aを通り、気体供給室30
に供給され、つづいて金属円板22を通過して軸にほぼ平
行に放電室19を通って円型に配列された排気口55aを通
り、バルブ57を通過した後排気ポンプ5に達する。
放出部6の汚染除去用気体は、気体源70を出て管70A を
経て、放出部6を通過してバルブ58を通った後、排気ポ
ンプ5に達する。そしてまた他の気体は気体源84から気
体電離室83を通り、スイッチ放電室4を経て、排気ポン
プ51に排気される。
電離室8,83における電離は、それぞれ電源82,85から
直流,交流,超高周波を印加し、またはこのいずれかと
磁場とを同時に印加することによって行われる。電離気
体を周期的に短かく繰り返して供給してもよく、または
点火前一定時間に供給してもよい。
一方、電流の流れを観察すると次の通りである。
先ず電流は充電された大型蓄電器7から開閉金属71,41
の間を、点火電圧源86から絶縁導線87を経て電圧を印加
されることにより、または電離された気体により、高
温,高密度のプラズマ形態で通過した後、中央電極1に
到達する。その後絶縁体3表面に沿って表面放電の形態
で流れ、順次電流曲面15,16,17,18を伝って外側電極
2または金属円板22に流れ、電極固定用ベース27と電流
帰還線25を通って大型蓄電器7に復帰する。そして中央
電極1の端部に到達した放電電流の相互衝突により主に
制動放射の形態にて発生点20から発生した軟X線は遠心
方向に放出される。その中で放出部6の放出口6bに向っ
ている軟X線はBe放出窓6aを通過してウェハ支持台65に
設けられるマスクまたはウェハ65a の表面の感光膜に到
達する。放電の延長部11は中心電極1の先端に直面す
る。中心電極1を損傷から防ぐために、その先端部には
凹所を設け、高融点の耐熱金属12を付設しておくのがよ
い。
ここで本発明の特徴は第1に光点の安定性である。気体
供給室30と放電室19との間の金属円板22の孔23の大きさ
で気体伝導度を調整することにより、二室30,19の間に
差動真空を形成し、均一な流れを形成して、金属円板22
の孔23の大きさを中央部分にゆくにつれて大きくするこ
とにより、気体の流れが電流曲面15,16,17,18の後の
部分を均等に満すことができ、かくして気流の変動を減
少することができる。また中央電極1の終端点より観測
円筒56の排気口55a までの容器を半円,円形あるいは楕
円形に近い形状にすることにより、気流はもちろん電位
分布の歪を防ぎ、発生点20の位置の再現性を良好にする
ことができる。そして初期放電が金属円板22全体におい
て均一に発生するよう、対称的に孔23を形成し、電流曲
面15,16,17,18に沿って流れる剰余気体による気流混
乱を減少させるために外側電極2にガス流出入用孔21を
開けるか金属棒を用いて放電の安定と再現性を高める。
第2に汚染除去性である。動作中多くの汚染による絶縁
体3の機能の低下を防止するため、適宜周期毎に除去電
源50を作動させ、イオン衝突効果をもって汚染を除去す
る。
同様に、露光用放出部6の汚染は、イオン衝突による電
気的方法により、或いは機械的回転式櫛の歯状部80によ
ってBe放出窓6aの汚染を除去した後、Be放出窓6aを交代
に用いることにより、ほぼ連続的に装置を稼動させるこ
とができる。電気的方法は、例えば電極61間の放電によ
る気体の電離を利用する。これは露光用放出部6に電極
61,66、真空室6c,6d、真空遮蔽バルブ62,真空室6c,
6dと放出口との間に設けられた真空遮蔽バルブ68、直線
移動可能な透過窓支持台63,気体源70,動力源60,64,
67,69を設け、かつ独立した排気口59を真空状態に形成
することで可能になる。電離の手段は、電離室8,83に
おけると同様である。円筒型電極66はBe放出窓の直径よ
り大きくしてもよい。電極66には電源67から連結部67a
を介して電力が供給される。そして露光放出部6の内に
反射鏡6eを設け、遠心方向に広がる軟X線をウェハに集
めることによりエネルギーの効率を高める。
第3に、電気的に電流帰還線25がスイッチ放電室4の二
つの電極である開閉金属71,41の間を通過する際、その
半径を最小に減らして放電室19とスイッチ放電室4のイ
ンピダンス比を小さくすることにより、流れの速度を速
くさせ、多くのエネルギーを発生点すなわち放電室19に
供給することができる。
第4に観測円筒56と立体的観測部53,54,55を設けるこ
とにより放電の全過程を測定,観察できる。それによっ
て放電状態を測定して調整することができる。さらにス
イッチ放電室4に先に電離された気体を供給することに
より、放電開始電圧を調整することができ、真空遮蔽ゴ
ムリング9,91,24だけを用いて真空を保持しながら、
同時に調整ネジ13と締付ネジ14で中央電極1の長さを自
在に調整することもできる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、光点の安定性を
増大させ、かつ汚染を周期的に除去して連続的稼動が可
能になり、インピダンス比を調整して光量を増加させる
と共に、立体的観測を通じて全体的放出を調整すること
ができる。すなわち従来の方法や装置に比べて研究用は
もちろん商業的利用が極めて容易になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来装置の概略説明図、 第2図は本発明による軟X線発生装置の構成図、 第3図は本発明の外側電極の構成を示す斜視図および上
面図、 第4図は本発明のX線放出部の拡大図である。 1……中央電極、 2……外側電極、 3,42,43……絶縁体、 7……大型蓄電器、 9,91,24……真空遮蔽ゴムリング、 11……放電延長部、 12……高融点金属、 13……調整ネジ、 14……締付ネジ、 15,16,17,18 ……電流曲面、 19……放電室、 20……発生点、 21,23 ……孔、 22……金属円板、 25……電流帰還線、 27……電極固定用金属ベース、 30……気体供給室。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イー ヂェー シン 大韓民国 チュンナム デージョンシ カ スゥウォンドン ケリョング アパート 5‐1102 (72)発明者 シム キュ ファン 大韓民国 チュンブッグ チョンジュシ スゥコッグドン 83‐18 (72)発明者 カング ジン ヨング 大韓民国 チュンナム デージョンシ ド ンク ワドン ジュゴング アパート 102‐204 (56)参考文献 特開 昭60−84749(JP,A)

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】放電プラズマより軟X線を発生させる装置
    であって、 中央電極(1) 、 該中央電極を摺動可能に支持する絶縁体(3) 、 前記中央電極を囲んで設けられガス流通開口部を有する
    円筒状外側電極(2) 、 該外側電極と前記絶縁体との間に設けられた有孔の環状
    金属板(22)、 前記外側電極を囲んで放電室(19)を形成する容器(56)、 該容器に設けられた観測用窓(53,54,55)、 前記容器,外側電極および前記絶縁体を支持する支持具
    (27)、 一方の電極(41)が前記中央電極に、他方の電極71が大型
    蓄電器(7) に接続されている大電力スイッチ、 前記支持具および前記大型蓄電器にそれぞれ接続され、
    かつ前記大電力スイッチの近傍で相互に最も近接するよ
    うに配置された複数の電流帰還線(25)、 前記中央電極を前記放電室の軸方向に沿って摺動せしめ
    る手段(13,14) 、 前記放電室を排気する排気手段(5) 、 前記放電室にガスを供給する手段(8,81)および 前記放電室から前記中央電極と直交する方向に軟X線を
    取り出すための露光用放出部(6) を具えたことを特徴とする超微細形状用軟X線発生装
    置。
  2. 【請求項2】前記中央電極1の端部の縁が円形であり、
    中央が円形状に凹んでいることを特徴とする請求項1に
    記載の超微細形状用軟X線発生装置。
  3. 【請求項3】前記絶縁体3は端部が4半分円であり、M
    Cナイロンからなることを特徴とする請求項1に記載の
    超微細形状用軟X線発生装置。
  4. 【請求項4】前記金属円板22の孔23が中央部に近づくに
    つれて大きく、円対称であり、遠心方向の孔の延長線と
    電極棒とが一致するかまたは円筒の孔の間にあって、中
    心孔の数が8個以上で、孔の断面が垂直または左右に傾
    いてなることを特徴とする請求孔1に記載の超微細形状
    用軟X線発生装置。
  5. 【請求項5】前記露光用放出部6は放出口円筒内面の反
    射鏡6eと、円筒内の真空遮蔽バルブ62と放出口6b端部の
    二つの独立した真空室6c,6dと、放出口の間のバルブ68
    と、二つの真空室6c,6dの間で直線に移動できる透過窓
    支持台63と、真空遮蔽バルブ62及びBe放出窓の間に設け
    られたBe放出窓の直径よりも大きい円筒型電極66と、そ
    の電源67と、真空室電源64とから構成されることを特徴
    とする請求項1に記載の超微細形状用軟X線発生装置。
  6. 【請求項6】前記独立真空室6c,6dは二つの円板電極61
    と、気体注入口70A と排気口59と、汚染除去用電源64,
    67との連結部67a と、回転軌道式櫛の歯状部80から構成
    されたことを特徴とする請求項5に記載の超微細形状用
    軟X線発生装置。
  7. 【請求項7】独立真空室6c,6dの電離手段は直流,交
    流,超高周波またはこのいずれかと磁場効果とを付加し
    た電源であることを特徴とする請求項5に記載の超微細
    形状用軟X線発生装置。
  8. 【請求項8】前記大電力スイッチは前記一方および他方
    の電極および該2つの電極を収容し気体注入口と排気口
    とを有する絶縁真空容器とから構成されたことを特徴と
    する請求項1に記載の超微細形状用軟X線発生方法。
  9. 【請求項9】放電プラズマより軟X線を発生させる方法
    であって、 中央電極(1) 、 該中央電極を摺動可能に支持する絶縁体(3) 、前記中央
    電極を囲んで設けられガス流通開口部を有する円筒状外
    側電極(2) 、該外側電極と前記絶縁体との間に設けられ
    た有孔の環状金属板(22)、前記外側電極を囲んで放電室
    (19)を形成する容器(56)、該容器に設けられた観測用窓
    (53,54,55)、前記容器,外側電極および前記絶縁体を支
    持する支持具(27)、一方の電極(41)が前記中央電極に、
    他方の電極71が大型蓄電器7に接続されている大電力ス
    イッチ、前記支持具および前記大型蓄電器にそれぞれ接
    続され、かつ前記大電力スイッチの近傍で相互に最も近
    接するように配置された複数の電流帰還線(25)、前記中
    央電極を前記放電室の軸方向に沿って摺動せしめる手段
    (13,14) 、前記放電室を排気する排気手段(5) 、前記放
    電室にガスを供給する手段(8,81)および前記放電室から
    前記中央電極と直交する方向に軟X線を取り出すための
    露光用放出部(6) を具えた超微細形状用軟X線発生装置
    の前記放電室19を排気した後に該放電室内に電離気体を
    供給し、前記大電力スイッチの電極間に放電を生ぜし
    め、前記中央電極と前記外側電極間の放電プラズマより
    軟X線を発生させることを特徴とする超微細形状用軟X
    線発生方法。
  10. 【請求項10】電離気体を周期的に短かく繰り返えして
    供給するか、または点火前一定時間に供給することを特
    徴とする請求項9に記載の超微細形状用軟X線発生方
    法。
JP1338805A 1988-12-30 1989-12-28 超微細形状用軟x線発生装置および発生方法 Expired - Lifetime JPH0614456B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6400069B1 (en) 1998-07-22 2002-06-04 Robert Espinosa E-M wave generation using cold electron emission
US6271614B1 (en) * 1998-11-20 2001-08-07 Christopher J. Arnold Pulsed plasma drive electromagnetic motor generator
JP4147008B2 (ja) * 2001-03-05 2008-09-10 株式会社日立製作所 有機el素子に用いるフィルム及び有機el素子
US6765987B2 (en) 2001-03-15 2004-07-20 Safe Food Technologies, Inc. Resonant plasma x-ray source
KR20030062814A (ko) * 2002-01-19 2003-07-28 주식회사 이노에너지 전기분해조
DE102011115228A1 (de) * 2011-09-28 2013-03-28 Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh Halterung mit mindestens einer Elektrode

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59108249A (ja) * 1982-12-13 1984-06-22 Fujitsu Ltd X線発生方法及びx線発生装置
DE3332711A1 (de) * 1983-09-10 1985-03-28 Fa. Carl Zeiss, 7920 Heidenheim Vorrichtung zur erzeugung einer plasmaquelle mit hoher strahlungsintensitaet im roentgenbereich
US4644576A (en) * 1985-04-26 1987-02-17 At&T Technologies, Inc. Method and apparatus for producing x-ray pulses
JPH0687408B2 (ja) * 1986-03-07 1994-11-02 株式会社日立製作所 プラズマx線発生装置

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Publication number Publication date
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KR900010921A (ko) 1990-07-11

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