JPH06140761A - Manufacture of wiring board - Google Patents
Manufacture of wiring boardInfo
- Publication number
- JPH06140761A JPH06140761A JP28981492A JP28981492A JPH06140761A JP H06140761 A JPH06140761 A JP H06140761A JP 28981492 A JP28981492 A JP 28981492A JP 28981492 A JP28981492 A JP 28981492A JP H06140761 A JPH06140761 A JP H06140761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyimide resin
- resin film
- wiring board
- sulfuric acid
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、ポリイミド樹脂等を
用いた配線基板、特に多層配線基板の製造方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a wiring board, particularly a multilayer wiring board, using a polyimide resin or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ポリイミド樹脂は、通常比誘電率が小さ
く（比誘電率は、３〜４程度の値である）、かつ、優れ
た耐熱性を有する材料であるため、近年、多層配線基板
の絶縁膜として用いられるようになった。特に、高速素
子実装用多層配線基板への応用が盛んとなり、注目を集
めている。2. Description of the Related Art Polyimide resin is a material which usually has a small relative permittivity (the relative permittivity is a value of about 3 to 4) and has excellent heat resistance. It has come to be used as an insulating film. In particular, the application to a multi-layer wiring board for mounting high-speed devices has become popular, and has been attracting attention.
【０００３】先ず、図８を用いて従来の多層配線基板の
製造方法につき簡単に説明する。First, a conventional method for manufacturing a multilayer wiring board will be briefly described with reference to FIG.
【０００４】図８の（Ａ）〜（Ｄ）は、従来の多層配線
基板の製造方法を説明するための製造工程図である。各
図は、基板面に垂直で導体層を横断する面内における要
部断面で示してある。8A to 8D are manufacturing process diagrams for explaining a conventional method for manufacturing a multilayer wiring board. Each drawing is shown as a cross-section of the main part in a plane perpendicular to the substrate surface and crossing the conductor layer.
【０００５】この従来法によれば、先ず、下地１０とし
て、セラミック等が用いられる。この下地１０上にワニ
ス状のポリイミド前駆体をスピンコーテング法等を用い
て成膜した後、任意好適な温度条件で焼成を行って、下
層ポリイミド樹脂膜１２を形成する（図８の（Ａ））。According to this conventional method, first, ceramic or the like is used as the base 10. After forming a varnish-like polyimide precursor on the underlayer 10 by using a spin coating method or the like, baking is performed under any suitable temperature condition to form a lower polyimide resin film 12 ((A) in FIG. 8). ).
【０００６】次に、蒸着法或いはスパッタリング法等を
用いて下層ポリイミド樹脂膜１２上に金属薄膜を成膜
し、ホトリソグラフィによって導体層１４を形成する
（図８の（Ｂ））。Next, a metal thin film is formed on the lower polyimide resin film 12 by using a vapor deposition method or a sputtering method, and a conductor layer 14 is formed by photolithography (FIG. 8B).
【０００７】次に、下層ポリイミド樹脂膜１２および導
体層１４の表面に対してスピンコーテイング法等を用い
て接着剤を均一に塗布した後、乾燥させて薄膜の接着層
１６を形成する（図８の（Ｃ））。なお、この接着剤と
しては、例えばシラン系カップリング剤等が用いられ
る。Next, an adhesive is uniformly applied to the surfaces of the lower polyimide resin film 12 and the conductor layer 14 by a spin coating method or the like, and then dried to form a thin adhesive layer 16 (FIG. 8). (C)). As this adhesive, for example, a silane coupling agent or the like is used.
【０００８】次に、接着層１６上にワニス状のポリイミ
ド前駆体をスピンコーテング法等を用いて均一に塗布
し、薄膜を形成する。この薄膜を乾燥した後、任意好適
な方法でコンタクトホール１８（または、ビアホールと
も称する。）を形成する。その後、任意好適な温度条件
で焼成を行って上層ポリイミド樹脂膜２０を形成する
（図８の（Ｄ））。Next, a varnish-like polyimide precursor is uniformly applied on the adhesive layer 16 by a spin coating method or the like to form a thin film. After the thin film is dried, the contact hole 18 (also referred to as a via hole) is formed by any suitable method. After that, the upper layer polyimide resin film 20 is formed by firing under any suitable temperature condition ((D) of FIG. 8).
【０００９】以下、図８の（Ｂ）、（Ｃ）および（Ｄ）
を繰り返すことによって上下層間の配線接続をとって多
層化構造の配線基板を得ることができる。Hereinafter, FIGS. 8 (B), 8 (C) and 8 (D)
By repeating the above steps, the wiring connection between the upper and lower layers can be established to obtain a wiring board having a multilayer structure.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の接着剤を用いる方法であると、十分なポリイミド樹
脂膜間の密着性を確保することは困難であった。その理
由として、製造工程において、シランカップリング剤の
コーティングの際ポリイミド樹脂膜と接着剤との濡れ性
が悪いことから接着剤が表面張力によって部分的に凝集
してしまい、そのため接着層自体に塗布ムラが発生して
しまうので、薄く、均一な接着層を形成することは困難
であった。従って、ポリイミド樹脂膜間を均一、かつ、
密着性良く形成することができなかった。然も製造工程
において、積層数が増加するにつれ膜内の内部応力が大
きくなり、或いは焼成工程において、膜内部からガスが
発生することによって、ポリイミド樹脂膜間の剥離は一
層促進される結果となる。このような現象は、特に剛直
な化学構造を有する低熱膨張性ポリイミド樹脂にとって
顕著である。However, with this conventional method using an adhesive, it was difficult to secure sufficient adhesion between the polyimide resin films. The reason for this is that, in the manufacturing process, when the silane coupling agent is coated, the wettability between the polyimide resin film and the adhesive is poor, so that the adhesive partially aggregates due to surface tension, and therefore the adhesive layer itself is applied. Since unevenness occurs, it is difficult to form a thin and uniform adhesive layer. Therefore, the space between the polyimide resin films is uniform, and
It could not be formed with good adhesion. In the manufacturing process, the internal stress in the film increases as the number of stacked layers increases, or gas is generated from the inside of the film in the baking process, resulting in further promotion of peeling between the polyimide resin films. . Such a phenomenon is remarkable especially in the low thermal expansion polyimide resin having a rigid chemical structure.
【００１１】従って、製造工程中に実装される半導体素
子と基板の熱膨張係数を合わせるため低熱膨張性ポリイ
ミド樹脂を用いた場合、製造上密着性の確保の面で低熱
膨張性ポリイミド樹脂を多層配線基板として用いること
ができないという問題があった。Therefore, when the low thermal expansion polyimide resin is used to match the thermal expansion coefficient of the semiconductor element and the substrate mounted during the manufacturing process, the low thermal expansion polyimide resin is used for the multi-layer wiring in order to secure the adhesion in the manufacturing process. There is a problem that it cannot be used as a substrate.
【００１２】また、吸湿性に対してもポリイミド樹脂膜
間の密着性が急激に劣化してしまうという性質があるた
め、製品としての信頼性に乏しく、用途が限定されてし
まうといった種々の問題があった。Further, due to the property that the adhesiveness between the polyimide resin films rapidly deteriorates with respect to hygroscopicity, there are various problems that the reliability as a product is poor and the application is limited. there were.
【００１３】この発明は、上述した問題点に鑑み行われ
たものであり、従って、この発明の目的は、ポリイミド
樹脂膜間相互の密着性を確保し、かつ、吸湿性に対して
も密着性を有する配線基板の製造方法を提供することに
ある。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems. Therefore, an object of the present invention is to ensure mutual adhesiveness between polyimide resin films, and also for hygroscopicity. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a wiring board having the above.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明によれば、下層ポリイミド樹脂膜の上側
に、部分的に導体膜を介在させて、上層ポリイミド樹脂
膜を設けた構造を有する配線基板を製造するに当たり、
少なくとも下層ポリイミド樹脂膜の表面をクロム硫酸液
を用いて処理した後、前記表面に直接上層ポリイミド樹
脂膜を設けることを特徴とする。In order to achieve this object, according to the present invention, a structure is provided in which an upper polyimide resin film is provided on the upper side of a lower polyimide resin film with a conductor film partially interposed therebetween. When manufacturing the wiring board
At least the surface of the lower layer polyimide resin film is treated with a chromium sulfuric acid solution, and then the upper layer polyimide resin film is directly provided on the surface.
【００１５】また、この発明によれば、少なくとも下層
ポリイミド樹脂膜の表面をクロム硫酸液を用いて処理し
た後、該表面に接着層を設け、この接着層上に上層ポリ
イミド樹脂膜を設けることを特徴とする。Further, according to the present invention, after at least the surface of the lower layer polyimide resin film is treated with a chromium sulfuric acid solution, an adhesive layer is provided on the surface, and the upper layer polyimide resin film is provided on the adhesive layer. Characterize.
【００１６】また、好ましくは、クロム硫酸液は酸化ク
ロムを硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）と純水とで溶解した混合液と
するのが良い。Further, it is preferable that the chromium-sulfuric acid solution is a mixed solution of chromium oxide dissolved in sulfuric acid (H 2 SO 4 ) and pure water.
【００１７】[0017]
【作用】上述したこの発明の構成によれば、下層ポリイ
ミド樹脂膜上に導体膜を介在させて上層ポリイミド樹脂
膜を設ける場合、下層ポリイミド樹脂膜の表面をクロム
硫酸液を用いて処理した後、この表面上に上層ポリイミ
ド樹脂膜を設けている。このクロム硫酸液処理を行うこ
とによって下層ポリイミド樹脂膜と上層ポリイミド樹脂
膜の密着性を著しく改善することができる。なお、この
ときクロム硫酸液は、酸化クロムを硫酸と純水とで溶解
した混合液とするのが良い。According to the above-described structure of the present invention, when the upper polyimide resin film is provided with the conductor film interposed on the lower polyimide resin film, after the surface of the lower polyimide resin film is treated with the chromium sulfuric acid solution, An upper polyimide resin film is provided on this surface. By carrying out this chromium sulfuric acid solution treatment, the adhesion between the lower layer polyimide resin film and the upper layer polyimide resin film can be remarkably improved. At this time, the chromium sulfuric acid solution is preferably a mixed solution of chromium oxide dissolved in sulfuric acid and pure water.
【００１８】また、少なくとも下層ポリイミド樹脂膜の
表面をクロム硫酸液を用いて処理した後、この表面に接
着層を設ける。その後、この接着層上に上層ポリイミド
樹脂膜を設ける。このように下層ポリイミド樹脂膜の表
面をクロム硫酸液で処理した後、接着剤を塗布すること
によって、薄く、均一な接着層を形成することができ
る。従って、この接着層上に上層ポリイミド樹脂膜を設
けることによってポリイミド樹脂膜間の密着性は著しく
向上する。なお、このとき用いるクロム硫酸液として
は、酸化クロムを硫酸と純水とで溶解した混合液を用い
るのが良い。Further, after at least the surface of the lower polyimide resin film is treated with a chromium sulfuric acid solution, an adhesive layer is provided on this surface. Then, an upper layer polyimide resin film is provided on this adhesive layer. Thus, a thin and uniform adhesive layer can be formed by treating the surface of the lower polyimide resin film with the chromium sulfuric acid solution and then applying an adhesive. Therefore, by providing the upper polyimide resin film on this adhesive layer, the adhesion between the polyimide resin films is significantly improved. As the chromium-sulfuric acid solution used at this time, it is preferable to use a mixed solution of chromium oxide dissolved in sulfuric acid and pure water.
【００１９】[0019]
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の多層化配
線基板の製造方法の実施例につき詳細に説明する。な
お、実施例の説明で同一工程を経るものについてはその
説明を一部省略して述べる場合もある。なお、この発明
は、多層配線基板に限定されるものではないが、以下の
実施例では多層配線基板につき説明する。Embodiments of the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In the description of the embodiments, the description of the same steps that are the same may be partially omitted. The present invention is not limited to the multilayer wiring board, but the multilayer wiring board will be described in the following embodiments.
【００２０】図１、図２および図３は、この発明の製造
工程において、クロム硫酸液および接着層を用いて多層
配線基板を製造する工程図を示してある。また、図５、
図６および図７は、クロム硫酸液のみを用いたときの製
造工程図を示してある。FIG. 1, FIG. 2 and FIG. 3 show process diagrams of manufacturing a multilayer wiring board using a chromium sulfuric acid solution and an adhesive layer in the manufacturing process of the present invention. Also, in FIG.
6 and 7 show manufacturing process diagrams when only the chromium sulfuric acid solution is used.
【００２１】各図は、この工程中の主要段階で得られる
構造体を、この発明が理解出来る程度に、各構成成分の
形状、大きさおよび配置関係を断面図で概略的に示して
ある。Each of the drawings schematically shows, in a sectional view, the shape, size, and arrangement relationship of each constituent component of the structure obtained in the main stage of this process to the extent that the present invention can be understood.
【００２２】図１は、この発明の第１実施例を説明する
ために供する多層配線基板の製造工程図である。FIG. 1 is a manufacturing process drawing of a multilayer wiring board used for explaining the first embodiment of the present invention.
【００２３】先ず、下地３０としては、セラミックなど
の材料が用いられる。この下地３０上にワニス状態のポ
リイミド前駆体をスピンコーティング法等によって均一
に塗布し、薄膜を形成した後、任意好適な温度条件で焼
成し、下層ポリイミド樹脂膜３２を形成する（図１の
（Ａ））。First, the base 30 is made of a material such as ceramic. A varnished polyimide precursor is uniformly applied on the base 30 by a spin coating method or the like to form a thin film, and then baked at an arbitrary suitable temperature condition to form a lower polyimide resin film 32 ((in FIG. 1). A)).
【００２４】次に、下地３０上にポリイミド樹脂膜３２
を形成した構造体をクロム硫酸液中に約１０分間浸漬
し、十分に水洗した後、乾燥させる（図１の（Ｂ））。
なお、図１の（Ｂ）では、上側からクロム硫酸が散布さ
れるように見える。しかし、実際には、溶液中に図１の
（Ａ）で形成された構造体を浸漬して処理される。以
下、すべての図面についても図１の（Ａ）と同様な意味
で描いてある。また、このときクロム硫酸液は、４８０
ｇ／ｌ（グラム／リットル）の酸化クロムを３１ｍｌ／
ｌ（ミリリットル／リットル）の硫酸（重量濃度９６
％）および純水で溶解した混合液が用いられる。Next, the polyimide resin film 32 is formed on the base 30.
The structure formed with is dipped in a chromic sulfuric acid solution for about 10 minutes, washed thoroughly with water, and then dried ((B) of FIG. 1).
In addition, in FIG. 1B, it seems that chromium sulfate is sprayed from the upper side. However, in practice, the structure formed in FIG. 1A is immersed in the solution for processing. Hereinafter, all the drawings are also drawn with the same meaning as in FIG. At this time, the chromium sulfate solution is 480
31 ml / g of chromium oxide (g / l)
l (milliliter / liter) sulfuric acid (weight concentration 96
%) And a mixed solution of pure water.
【００２５】次に、接着剤、例えばγ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシランからなるシランカップリング
剤を用いてスピンコーティング法等によって下層ポリイ
ミド樹脂膜３２の表面に均一に塗布した後、乾燥させて
薄くて均一な接着層３４を形成する（図１の（Ｃ））。Next, an adhesive, for example, a silane coupling agent consisting of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane is uniformly applied to the surface of the lower polyimide resin film 32 by a spin coating method or the like, and then dried. A thin and uniform adhesive layer 34 is formed ((C) of FIG. 1).
【００２６】次に、ワニス状態のポリイミド前駆体をス
ピンコーティング法等を用いて均一に塗布し、薄膜を形
成した後、任意好適な温度条件で焼成して上層ポリイミ
ド樹脂膜３６を形成する（図１の（Ｄ））。Next, a varnished polyimide precursor is uniformly applied by a spin coating method or the like to form a thin film, which is then fired under any suitable temperature condition to form an upper polyimide resin film 36 (see FIG. 1 (D)).
【００２７】図２は、この発明の第２実施例の製造工程
を説明するための工程図を示してある。FIG. 2 is a process drawing for explaining the manufacturing process of the second embodiment of the present invention.
【００２８】下地３０としては、セラミック等の材料が
用いられる。この下地３０上にワニス状態のポリイミド
前駆体をスピンコーティング法等を用いて均一に塗布
し、薄膜を形成し、任意好適な温度で焼成した後、下層
ポリイミド樹脂膜３２を形成する（図２の（Ａ））。As the base 30, a material such as ceramic is used. A varnished polyimide precursor is uniformly applied to the underlayer 30 by a spin coating method or the like to form a thin film, which is baked at any suitable temperature, and then a lower polyimide resin film 32 is formed (see FIG. 2). (A)).
【００２９】次に、蒸着法またはスパッタリング法等を
用いて下層ポリイミド樹脂膜３２上に金属薄膜を形成
し、ホトリソグラフィによって導体層３８を形成する
（図２の（Ｂ））。Next, a metal thin film is formed on the lower polyimide resin film 32 by using the vapor deposition method or the sputtering method, and the conductor layer 38 is formed by photolithography (FIG. 2B).
【００３０】次に、下地３０上に下層ポリイミド樹脂膜
３２および導体層３８を形成した構造体をクロム硫酸液
中に約１０分間浸漬した後、十分に水洗を行ない、乾燥
させる（図２の（Ｃ））。Next, the structure in which the lower layer polyimide resin film 32 and the conductor layer 38 are formed on the base 30 is dipped in a chromic sulfuric acid solution for about 10 minutes, then sufficiently washed with water and dried ((in FIG. 2). C)).
【００３１】次に、接着剤を例えばγ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシランからなるシランカップリング
剤を用いてスピンコーティング法等によって表面に均一
に塗布し、乾燥させて接着層３４を形成する（図２の
（Ｄ））。Next, the adhesive is uniformly applied to the surface by a spin coating method or the like using a silane coupling agent composed of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and dried to form the adhesive layer 34 ( FIG. 2D).
【００３２】次に、ワニス状態のポリイミド前駆体をス
ピンコ−ティング法等を用いて均一に塗布し、薄膜を形
成した後、任意好適な温度条件で焼成を行って、上層ポ
リイミド樹脂膜３６を形成する（図２の（Ｅ））。Next, a polyimide precursor in a varnish state is uniformly applied by a spin coating method or the like to form a thin film, and then firing is performed under any suitable temperature condition to form an upper polyimide resin film 36. ((E) in FIG. 2).
【００３３】図３は、この発明の第３の実施例の製造工
程を説明するための工程図である。FIG. 3 is a process drawing for explaining the manufacturing process of the third embodiment of the present invention.
【００３４】（Ａ）〜（Ｃ）までの工程は、図１の
（Ａ）〜（Ｃ）の工程と全く同一であるため、その説明
を省略し、図３の（Ｄ）以降の工程につき説明する。Since the steps (A) to (C) are exactly the same as the steps (A) to (C) in FIG. 1, the description thereof will be omitted and the steps after (D) in FIG. 3 will be omitted. explain.
【００３５】接着層３４上に蒸着法またはスパッタリン
グ法等を用いて金属薄膜を形成し、ホトリソグラフィに
よって導体層３８を形成する（図３の（Ｄ））。A metal thin film is formed on the adhesive layer 34 by a vapor deposition method or a sputtering method, and a conductor layer 38 is formed by photolithography ((D) of FIG. 3).
【００３６】次に、ワニス状態のポリイミド前駆体をス
ピンコーティング法等を用いて均一に塗布し、薄膜を形
成した後、任意好適な温度条件で焼成を行って、上層ポ
リイミド樹脂膜３６を形成する（図３の（Ｅ））。Next, a varnished polyimide precursor is uniformly applied by a spin coating method or the like to form a thin film, and then baked at an arbitrary suitable temperature condition to form an upper polyimide resin film 36. ((E) of FIG. 3).
【００３７】図４は、上述した第１実施例から第３実施
例の製造方法と同じ工程で形成された試験用基板を用い
てポリイミド間の密着性を調べた測定結果である。図
中、横軸にＰＣＴ処理時間（ｈ）をとり、縦軸にパター
ン残存率を百分率（％）を取って表してある。なお、Ｐ
ＣＴとは、プレッシャークッカーテストの略称であり、
蒸気加圧試験と呼ばれ耐湿性を加速させて評価する試験
方法のひとつである。このＰＣＴの試験条件は、１２１
℃、２．１ａｔｍ、相対湿度１００％で行った。FIG. 4 shows the results of measurement of the adhesion between polyimides using a test substrate formed in the same steps as in the manufacturing method of the first to third embodiments described above. In the figure, the horizontal axis represents the PCT processing time (h) and the vertical axis represents the pattern residual rate as a percentage (%). Note that P
CT is an abbreviation for pressure cooker test,
It is called a vapor pressure test and is one of the test methods for accelerating moisture resistance for evaluation. The test conditions for this PCT are 121
It was carried out at a temperature of 2.1 atm and a relative humidity of 100%.
【００３８】また、密着性を評価するために用いた試料
の形成方法は、セラミック基板上にポリイミド樹脂膜を
形成し、表面処理を行った後、上側に例えばホトリソグ
ラフィによって２ｍｍ角の上層ポリイミド樹脂膜パター
ン１００個を並べて形成してある。また、密着性を調べ
るため、粘着性テ−プを上層ポリイミド樹脂膜パターン
に十分密着させた後、引きはがすテープ試験によってパ
ターン残存率を評価した。The method of forming the sample used to evaluate the adhesion is as follows: a polyimide resin film is formed on a ceramic substrate, surface treatment is performed, and then an upper polyimide resin film of 2 mm square is formed on the upper side by, for example, photolithography. 100 film patterns are formed side by side. Further, in order to examine the adhesiveness, an adhesive tape was sufficiently adhered to the upper layer polyimide resin film pattern, and then the pattern remaining rate was evaluated by a peeling tape test.
【００３９】図中、曲線１０１は、従来のシラン系カッ
プリング剤を接着剤として用いた場合の試験結果であ
り、また、曲線１０３は、この発明の第１、第２および
第３実施例で形成された試験結果を表わしている。In the figure, a curve 101 is the test result when a conventional silane coupling agent is used as an adhesive, and a curve 103 is the first, second and third embodiments of the present invention. It represents the test results formed.
【００４０】この測定結果から理解できるように、従来
の方法では、ＰＣＴ処理時間が５０時間でパターン残存
率は約４０％に低下している。１００時間処理後は、約
３５％にまでパターン残存率が低下し、その後パターン
残存率の低下は一定な値を示している。これに対して、
この発明の第１、第２および第３実施例で形成された試
験用試料のパターン残存率は、４００時間処理後もパタ
ーン残存率１００％を示しており、全く剥離することな
く耐湿度に対しても優れた密着性を有していることがわ
かる。As can be understood from the measurement results, in the conventional method, the pattern remaining rate is reduced to about 40% when the PCT processing time is 50 hours. After the treatment for 100 hours, the pattern residual rate decreased to about 35%, and thereafter the pattern residual rate showed a constant value. On the contrary,
The pattern residual rate of the test samples formed in the first, second and third examples of the present invention showed 100% of the pattern residual rate even after the treatment for 400 hours. However, it can be seen that it has excellent adhesion.
【００４１】図５は、この発明の第４実施例を説明する
ために供する工程図を示してある。この実施例は、表面
処理にクロム硫酸液を用いて行ない、接着剤は使用しな
い。FIG. 5 is a process chart for explaining the fourth embodiment of the present invention. In this example, a chromium sulfuric acid solution is used for the surface treatment, and no adhesive is used.
【００４２】先ず、下地３０としては、セラミックなど
の材料が用いられる。この下地３０上にワニス状態のポ
リイミド前駆体をスピンコーティング法等を用いて均一
に塗布し、薄膜を形成した後、約３５０℃〜４００℃程
度の温度で焼成を行って下層ポリイミド樹脂膜３２を形
成する（図５の（Ａ））。First, the base 30 is made of a material such as ceramics. A varnished polyimide precursor is uniformly applied on the underlayer 30 by a spin coating method or the like to form a thin film, and then baked at a temperature of about 350 ° C. to 400 ° C. to form the lower polyimide resin film 32. It is formed ((A) of FIG. 5).
【００４３】次に、下地３０上に積層された下層ポリイ
ミド樹脂膜３２の構造体をクロム硫酸液中に約１０分間
浸漬し、十分に水洗をおこなった後、乾燥させる（図５
の（Ｂ））。なお、このとき用いるクロム硫酸液は、４
８０ｇ／ｌ（グラム／リットル）の酸化クロムを、３１
ｍｌ／ｌの硫酸（重量％濃度９６％）と純水とで溶解し
た混合液とする。Next, the structure of the lower layer polyimide resin film 32 laminated on the base 30 is immersed in a chromium sulfuric acid solution for about 10 minutes, washed thoroughly with water, and then dried (FIG. 5).
(B)). The chromium sulfate solution used at this time is 4
80 g / l (gram / l) chromium oxide
A mixed solution is prepared by dissolving ml / l sulfuric acid (weight% concentration 96%) and pure water.
【００４４】次に、蒸着法或いはスパッタリング法等を
用いて下層ポリイミド樹脂膜３２上に金属薄膜を形成
し、ホトリソグラフィによって導体層３８を形成する
（図５の（Ｃ））。Next, a metal thin film is formed on the lower polyimide resin film 32 by the vapor deposition method or the sputtering method, and the conductor layer 38 is formed by photolithography (FIG. 5C).
【００４５】次に、ワニス状態のポリイミド前駆体をス
ピンコーティング法等を用いて均一に塗布し、薄膜を形
成して乾燥させた後、ビアホ−ル４０を形成する。その
後、約３５０℃〜４００℃程度の温度で焼成を行って上
層ポリイミド樹脂膜３６を形成する（図５の（Ｄ））。Next, a varnished polyimide precursor is uniformly applied by a spin coating method or the like to form a thin film and dried, and then a via hole 40 is formed. Then, baking is performed at a temperature of about 350 ° C. to 400 ° C. to form the upper polyimide resin film 36 ((D) of FIG. 5).
【００４６】以下、所要に応じ、図５の（Ｂ）〜（Ｄ）
の工程を繰り返すことによって第２、第３の上層ポリイ
ミド樹脂膜および導体層を積層させることによって多層
配線基板が形成される。Hereinafter, as required, (B) to (D) of FIG.
By repeating the above process, the second and third upper layer polyimide resin films and the conductor layers are laminated to form a multilayer wiring board.
【００４７】図６および図７は、この発明の第５実施例
であり、製造工程図を示してある。6 and 7 show a fifth embodiment of the present invention and show manufacturing process diagrams.
【００４８】この第５実施例では、図６の（Ａ）〜
（Ｄ）までの工程が図５の（Ａ）〜（Ｄ）の工程と全く
同一であるため、その説明を省略し、図７の（Ａ）以降
の工程につき説明する。In the fifth embodiment, (A) to FIG.
Since the steps up to (D) are exactly the same as the steps of (A) to (D) of FIG. 5, the description thereof will be omitted, and the steps of (A) and subsequent steps of FIG. 7 will be described.
【００４９】下地３０上に下層ポリイミド樹脂膜３２を
積層し、その樹脂膜上に導体層３８および上層ポリイミ
ド樹脂膜３６が形成されている構造体をクロム硫酸液中
に約１０分間浸漬し、十分に水洗を行った後、乾燥させ
る（図７の（Ａ））。A structure in which a lower layer polyimide resin film 32 is laminated on a base 30 and a conductor layer 38 and an upper layer polyimide resin film 36 are formed on the resin film is dipped in a chromic sulfuric acid solution for about 10 minutes, and then sufficiently After washing with water, it is dried ((A) of FIG. 7).
【００５０】次に、ワニス状態のポリイミド前駆体をス
ピンコーティング法等を用いて均一に塗布し、薄膜を形
成し、乾燥をおこなった後、上層ポリイミド樹脂膜３６
の上側にビアホール４４を設ける。その後、この薄膜を
任意好適な温度で焼成して第２上層ポリイミド樹脂膜４
２を形成する（図７の（Ｂ））。Next, a varnished polyimide precursor is uniformly applied by a spin coating method or the like to form a thin film and drying, and then the upper polyimide resin film 36.
A via hole 44 is provided on the upper side of. Then, this thin film is fired at any suitable temperature to form the second upper layer polyimide resin film 4
2 is formed ((B) of FIG. 7).
【００５１】第４実施例および第５実施例によって形成
した方法を用いて試験用基板を作製して前回と同様にＰ
ＣＴ評価試験を行った。この試験結果は、図４で示した
と実質的に同一であり、４００時間処理後の剥離は全く
なく、かつ、十分な密着性を有していることが確認され
た。A test substrate was prepared using the method formed in the fourth and fifth embodiments, and P
A CT evaluation test was conducted. This test result was substantially the same as that shown in FIG. 4, and it was confirmed that there was no peeling after the treatment for 400 hours and that the film had sufficient adhesion.
【００５２】なお、この発明では、多層配線基板につい
て説明したが、ポリイミド樹脂膜間の密着性の改善の方
法は何ら多層配線基板に限定されるもではなく、例えば
ＴＡＢテ−プに代表されるフレキシブルプリント配線基
板のポリイミド樹脂の密着性、またはその他の電子部品
のパッシベーション膜にポリイミド樹脂を用いた場合に
も適用できる。In the present invention, the multilayer wiring board has been described, but the method of improving the adhesion between the polyimide resin films is not limited to the multilayer wiring board, but is represented by, for example, TAB tape. It can also be applied to the case where polyimide resin is used for the adhesion of the flexible printed wiring board or the passivation film of other electronic parts.
【００５３】また、接着剤についてもこの発明では、シ
ラン系カップリング剤をもちいたがなんらこれに限定さ
れるものではなく、例えば有機チタネートカップリング
剤またはその他の接着剤を用いても良い。更に、クロム
硫酸液は、前述した混合液に限定されるものではなく、
例えば重クロム酸カリウム水溶液とか重クロム酸ナトリ
ウム水溶液であっても良い。但し、いずれの溶液におい
ても、水溶液中の酸化クロム（六価）やポリクロム酸塩
は、酸化作用を有するためクロム（三価）塩が生成され
て緑色を呈するようになると効力が急速に低下するた
め、これを寿命判定基準として溶液の管理が必要とな
る。In the present invention, the silane coupling agent was also used as the adhesive, but the invention is not limited to this. For example, an organic titanate coupling agent or another adhesive may be used. Furthermore, the chromium sulfate solution is not limited to the above-mentioned mixed solution,
For example, a potassium dichromate aqueous solution or a sodium dichromate aqueous solution may be used. However, in any of the solutions, chromium oxide (hexavalent) and polychromate in the aqueous solution have an oxidizing action, and therefore, when a chromium (trivalent) salt is produced and becomes green, the potency rapidly decreases. Therefore, it is necessary to manage the solution using this as the life criterion.
【００５４】また、上述した実施例は、単なる好適例を
示したにすぎず、従って、この発明は、これらの実施例
で説明した諸条件、材質、その他の条件にのみ限定され
るものでないことは当業者にも明らかである。また、第
４実施例および第５実施例では、配線用のコンタクトホ
ールを設けた例であるが、勿論このコンタクトホールが
なく、すなわち導体層が埋め込まれている場合において
も適用できることは言うまでもない。The above-described embodiments are merely preferable examples, and therefore the present invention is not limited to the conditions, materials, and other conditions described in these embodiments. Will be apparent to those skilled in the art. Further, although the fourth and fifth embodiments are examples in which the contact hole for wiring is provided, it goes without saying that the present invention can be applied to the case where this contact hole is not provided, that is, the conductor layer is buried.
【００５５】[0055]
【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明の配線基板の製造方法によれば、下層ポリイミド樹
脂膜の上側に、部分的に導体層を介在させて上層ポリイ
ミド樹脂膜を形成するとき、少なくとも下層ポリイミド
樹脂膜をクロム硫酸液を用いて処理する。このような処
理によってポリイミド樹脂膜間の密着性が従来のものに
比べて、大幅に改善され、かつ、高温、高圧および高湿
度という過酷な条件のもとであってもポリイミド樹脂間
の密着性は十分確保される。このため信頼性の高い配線
基板を効率良く製造することができる。As is apparent from the above description, according to the method of manufacturing a wiring board of the present invention, the upper layer polyimide resin film is formed on the upper side of the lower layer polyimide resin film with a conductive layer partially interposed therebetween. At this time, at least the lower polyimide resin film is treated with a chromium sulfuric acid solution. By such a treatment, the adhesion between polyimide resin films is significantly improved compared to the conventional one, and even under the severe conditions of high temperature, high pressure and high humidity, the adhesion between polyimide resins is high. Is sufficiently secured. Therefore, a highly reliable wiring board can be efficiently manufactured.
【００５６】また、少なくとも下層ポリイミド樹脂膜の
表面をクロム硫酸液によって処理した後、この表面に接
着層を設け、その後上層ポリイミド樹脂膜を設ける。こ
のようなクロム硫酸液による処理によって、下層ポリイ
ミド樹脂膜表面に対する濡れ性が良くなり、上層ポリイ
ミド樹脂膜間の密着性は、上述したクロム硫酸液処理し
たときと全く変わらない密着性を得ることができる。こ
れに加えて、作製の上で大がかりな装置を必要としない
ため、安価な試薬ですむため簡単に、かつ、短時間で効
率よく配線基板を量産することができる。Further, after at least the surface of the lower layer polyimide resin film is treated with a chromium sulfuric acid solution, an adhesive layer is provided on this surface, and then the upper layer polyimide resin film is provided. By such treatment with the chromium sulfuric acid solution, the wettability to the lower layer polyimide resin film surface is improved, and the adhesiveness between the upper layer polyimide resin films may be the same as that when the chromium sulfuric acid solution treatment is performed. it can. In addition to this, since a large-scale device is not required for manufacturing, an inexpensive reagent can be used, and a wiring board can be mass-produced easily and efficiently in a short time.
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は、この発明の第１実施例の製
造工程を説明するための工程図である。1A to 1D are process drawings for explaining a manufacturing process of a first embodiment of the present invention.
【図２】（Ａ）〜（Ｅ）は、この発明の第２実施例の製
造工程を説明するための工程図である。2A to 2E are process drawings for explaining a manufacturing process of a second embodiment of the present invention.
【図３】（Ａ）〜（Ｅ）は、この発明の第３実施例の製
造工程を説明するための工程図である。3 (A) to (E) are process drawings for explaining a manufacturing process of a third embodiment of the present invention.
【図４】ＰＣＴ処理によって従来例とこの発明による実
施例とを比較した密着性評価試験結果を表す図である。FIG. 4 is a diagram showing a result of an adhesion evaluation test comparing a conventional example and an example according to the present invention by a PCT process.
【図５】（Ａ）〜（Ｄ）は、この発明の第４実施例の製
造工程を説明するための工程図である。5A to 5D are process drawings for explaining a manufacturing process of a fourth embodiment of the present invention.
【図６】（Ａ）〜（Ｄ）は、この発明の第５実施例の製
造工程を説明するための工程図である。FIGS. 6A to 6D are process drawings for explaining the manufacturing process of the fifth embodiment of the present invention.
【図７】（Ａ）〜（Ｂ）は、図６に続くこの発明の第５
実施例の製造工程を説明するための工程図である。7 (A)-(B) is a fifth embodiment of the present invention following FIG. 6;
FIG. 7 is a process drawing for explaining the manufacturing process of the example.
【図８】（Ａ）〜（Ｄ）は、従来の製造工程を説明する
ための工程図である。8A to 8D are process drawings for explaining a conventional manufacturing process.
３０：下地 ３２：下層ポリイミド樹脂膜 ３４：接着層 ３６：上層ポリイミド樹脂膜 ３８：導体層 ４０、４４：コンタクトホ−ル（ビアホ−ル） ４２：第２上層ポリイミド樹脂膜 30: Base 32: Lower Polyimide Resin Film 34: Adhesive Layer 36: Upper Polyimide Resin Film 38: Conductor Layer 40, 44: Contact Hole (Via Hole) 42: Second Upper Polyimide Resin Film
フロントページの続き (72)発明者 北山 憂子 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 小澤 進 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内(72) Inventor Yuko Kitayama 1-7-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Co., Ltd. (72) Inventor Susumu Ozawa 1-7-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Within the corporation
Claims (3)
に導体膜を介在させて、上層ポリイミド樹脂膜を設けた
構造を有する配線基板を製造するに当たり、 少なくとも下層ポリイミド樹脂膜の表面をクロム硫酸液
を用いて処理した後、前記表面に直接上層ポリイミド樹
脂膜を設けることを特徴とする配線基板の製造方法。1. When manufacturing a wiring board having a structure in which an upper polyimide resin film is provided by partially interposing a conductor film on the upper side of the lower polyimide resin film, at least the surface of the lower polyimide resin film is chromium sulfate. A method for manufacturing a wiring board, which comprises providing an upper layer polyimide resin film directly on the surface after treatment with a liquid.
に導体膜を介在させて、上層ポリイミド樹脂膜を設けた
構造を有する配線基板を製造するに当たり、 少なくとも下層ポリイミド樹脂膜の表面をクロム硫酸液
を用いて処理した後、該表面に接着層を設け、該接着層
上に上層ポリイミド樹脂膜を設けることを特徴とする配
線基板の製造方法。2. In manufacturing a wiring board having a structure in which an upper polyimide resin film is provided by partially interposing a conductor film on the upper side of the lower polyimide resin film, at least the surface of the lower polyimide resin film is chromium sulfate. A method for manufacturing a wiring board, which comprises treating with a liquid, providing an adhesive layer on the surface, and providing an upper polyimide resin film on the adhesive layer.
板の製造方法において、 前記クロム硫酸液は、酸化クロムを硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）
と純水とで溶解した混合液とすることを特徴とする配線
基板の製造方法。3. The method of manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the chromium-sulfuric acid solution is chromium oxide containing sulfuric acid (H 2 SO 4 ).
A method for manufacturing a wiring board, which comprises using a mixed solution obtained by dissolving water and pure water.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28981492A JP2804208B2 (en) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | Manufacturing method of wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28981492A JP2804208B2 (en) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | Manufacturing method of wiring board |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140761A true JPH06140761A (en) | 1994-05-20 |
| JP2804208B2 JP2804208B2 (en) | 1998-09-24 |
Family
ID=17748121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28981492A Expired - Fee Related JP2804208B2 (en) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | Manufacturing method of wiring board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2804208B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110608825A (en) * | 2019-09-12 | 2019-12-24 | 复旦大学 | Flexible pressure sensor based on polyimide substrate microstructure and preparation method thereof |
-
1992
- 1992-10-28 JP JP28981492A patent/JP2804208B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110608825A (en) * | 2019-09-12 | 2019-12-24 | 复旦大学 | Flexible pressure sensor based on polyimide substrate microstructure and preparation method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2804208B2 (en) | 1998-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5453642A (en) | Multilayer interconnect systems | |
| US20060000637A1 (en) | Printed circuit board and method for manufacturing printed circuit board | |
| JPH0563102B2 (en) | ||
| JPH0260755B2 (en) | ||
| US5032694A (en) | Conductive film circuit and method of manufacturing the same | |
| JPH04283992A (en) | Manufacture of printed circuit board | |
| JPH04277696A (en) | Multilayer interconnection board and manufacture thereof | |
| JP2804208B2 (en) | Manufacturing method of wiring board | |
| JPH07249867A (en) | Method of surface treating insulating film | |
| JPH0666552B2 (en) | Method for manufacturing copper polyimide multilayer substrate | |
| KR930000639B1 (en) | Manufacturing method of multi layer printed circuit board | |
| JPH06244172A (en) | Multilayered wiring structure | |
| JPH07273466A (en) | Manufacturing method of multilayer-wiring board | |
| JPH0823166A (en) | Manufacture of multi-layer wiring substrate | |
| JPS6163087A (en) | Method of producing multilayer circuit board | |
| JPH08181440A (en) | Manufacture of multilayer thin film circuit board | |
| JPS5884495A (en) | Method of producing metal core printed circuit board | |
| JPS6310592A (en) | Manufacture of multilayer interconnection board | |
| JPS60133513A (en) | Production of thin film magnetic head | |
| JPS6057997A (en) | Method of producing multilayer circuit board | |
| JPH09260854A (en) | Multilayered circuit board and manufacturing method thereof | |
| JPS62295492A (en) | Manufacture of circuit board for mounting high speed device | |
| JPH0493029A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH104263A (en) | Electronic circuit substrate and its manufacturing method | |
| JPH02260599A (en) | Manufacture of multilayer board |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980707 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080717 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090717 Year of fee payment: 11 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090717 Year of fee payment: 11 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090717 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100717 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100717 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110717 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |