JPH06140345A - 化合物半導体装置の製造方法 - Google Patents
化合物半導体装置の製造方法Info
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- JPH06140345A JPH06140345A JP30948092A JP30948092A JPH06140345A JP H06140345 A JPH06140345 A JP H06140345A JP 30948092 A JP30948092 A JP 30948092A JP 30948092 A JP30948092 A JP 30948092A JP H06140345 A JPH06140345 A JP H06140345A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 化合物半導体にドーピング濃度を制御すると
共に、従来に比べて高い濃度の炭素不純物をドーピング
する方法を提供すること。 【構成】 基板上に、トリメチルガリウムTMG,トリ
エチルアルミニウムTEAとアルシンを供給する工程
と、TEAとアルシンの供給を停止し、TMGのみを供
給する工程と、次にアルシンのみを供給する工程と、つ
いでTMGとアルシンを供給する工程とを少なくとも含
む化合物半導体装置の製造方法。
共に、従来に比べて高い濃度の炭素不純物をドーピング
する方法を提供すること。 【構成】 基板上に、トリメチルガリウムTMG,トリ
エチルアルミニウムTEAとアルシンを供給する工程
と、TEAとアルシンの供給を停止し、TMGのみを供
給する工程と、次にアルシンのみを供給する工程と、つ
いでTMGとアルシンを供給する工程とを少なくとも含
む化合物半導体装置の製造方法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体の製造方
法のうち、特に化合物半導体薄膜中への炭素不純物の効
率的なドーピング方法に関するものである。
法のうち、特に化合物半導体薄膜中への炭素不純物の効
率的なドーピング方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】最近、GaAsあるいはAlGaAs中
でのp型不純物として炭素不純物が注目を集めている。
その理由は、炭素不純物を用いると急峻なドーピングプ
ロファイルを達成することができるからである。
でのp型不純物として炭素不純物が注目を集めている。
その理由は、炭素不純物を用いると急峻なドーピングプ
ロファイルを達成することができるからである。
【0003】III族有機金属ガスおよびV族原料ガス
を基板上に供給して成長を行う有機金属気相成長法(M
OCVD法)や有機金属分子ビーム成長法(MOMBE
法)の薄膜成長法では、炭素不純物をドーピングする際
に、メチル系III族原料ガス(例えば、トリメチルガ
リウム)、トリメチルアルミニウム、メチル系V族原料
ガス(例えば、トリメチルひ素)、四塩化炭素、が用い
られている(例えば、小林など、Appl. Phys. Lett. 50
(1987)1435)。メチル系III族原料ガスを用いた場
合には、トリメチルアルミニウムを用いると炭素を高濃
度にドーピングされることが報告されている。この理由
は、トリメチルアルミニウム分子内のメチル基とアルミ
ニウムの結合が強いためであるとされている。つまり、
原料ガスが完全には分解しにくいために、アルミニウム
の成長とともにメチル基からの炭素がAlGaAs成長
層に取り込まれるのである。
を基板上に供給して成長を行う有機金属気相成長法(M
OCVD法)や有機金属分子ビーム成長法(MOMBE
法)の薄膜成長法では、炭素不純物をドーピングする際
に、メチル系III族原料ガス(例えば、トリメチルガ
リウム)、トリメチルアルミニウム、メチル系V族原料
ガス(例えば、トリメチルひ素)、四塩化炭素、が用い
られている(例えば、小林など、Appl. Phys. Lett. 50
(1987)1435)。メチル系III族原料ガスを用いた場
合には、トリメチルアルミニウムを用いると炭素を高濃
度にドーピングされることが報告されている。この理由
は、トリメチルアルミニウム分子内のメチル基とアルミ
ニウムの結合が強いためであるとされている。つまり、
原料ガスが完全には分解しにくいために、アルミニウム
の成長とともにメチル基からの炭素がAlGaAs成長
層に取り込まれるのである。
【0004】一方、ドーピングガスとして四塩化炭素を
利用した場合には、アルミニウムの組成によって、炭素
の取り込み量が異なることが知られている(例えば、カ
ニングハムなど、J. Electro. Mat. 19 (1990)331
)。この報告によると、AlGaAs表面上での四塩
化炭素の分解が炭素の取り込みを決定していると想定し
ている。
利用した場合には、アルミニウムの組成によって、炭素
の取り込み量が異なることが知られている(例えば、カ
ニングハムなど、J. Electro. Mat. 19 (1990)331
)。この報告によると、AlGaAs表面上での四塩
化炭素の分解が炭素の取り込みを決定していると想定し
ている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この報
告では四塩化炭素はAl,Ga,Asの原料ガスととも
に供給しており、AlGaAsの成長とともに炭素のド
ーピングを行っている。このため、炭素のドーピング濃
度を高くすることに限界があり、所望のドーピングプロ
ファイルを有する半導体層を成長させることが困難であ
った。
告では四塩化炭素はAl,Ga,Asの原料ガスととも
に供給しており、AlGaAsの成長とともに炭素のド
ーピングを行っている。このため、炭素のドーピング濃
度を高くすることに限界があり、所望のドーピングプロ
ファイルを有する半導体層を成長させることが困難であ
った。
【0006】本発明は上記の欠点を改善するために提案
されたもので、その目的は、化合物半導体層への炭素不
純物をドーピングするに際して、ドーピング効率が高く
かつドーピング濃度の制御性の高い製造方法を提供する
ことである。
されたもので、その目的は、化合物半導体層への炭素不
純物をドーピングするに際して、ドーピング効率が高く
かつドーピング濃度の制御性の高い製造方法を提供する
ことである。
【0007】
【課題を解決するための手段】このために、本発明は、
III族元素とV族元素を含む原料ガスを加熱した基板
上に輸送して熱分解によってIII−V族化合物半導体
を成長させる有機金属気相成長法において、基板上に、
第1と第2のIII族元素を含む原料ガスとV族元素を
含む原料ガスを供給する工程と、第2のIII族元素を
含む原料ガスとV族元素を含む原料ガスを停止するとと
もに第1のIII族元素を含む原料ガスだけを供給する
工程と、第1のIII族元素を含む原料ガスを停止する
とともにV族元素を含む原料ガスだけを供給する工程
と、第1のIII族元素を含む原料ガスとV族元素を含
む原料ガスを供給する工程を少なくとも含むことにより
不純物をドーピングすること、および基板上に、第1の
III族元素を含む原料ガスとV族元素を含む原料ガス
を供給する工程と、第1のIII族元素を含む原料ガス
とV族元素を含む原料ガスを停止するとともに第2のI
II族元素を含む原料ガスだけを供給する工程と、第2
のIII族元素を含む原料ガスを停止するとともにV族
元素を含む原料ガスだけを供給する工程と、第1のII
I族元素を含む原料ガスとV族元素を含む原料ガスを供
給する工程と、を少なくとも1回以上繰り返すことによ
り不純物をドーピングすること、により前記目的を達成
するものである。
III族元素とV族元素を含む原料ガスを加熱した基板
上に輸送して熱分解によってIII−V族化合物半導体
を成長させる有機金属気相成長法において、基板上に、
第1と第2のIII族元素を含む原料ガスとV族元素を
含む原料ガスを供給する工程と、第2のIII族元素を
含む原料ガスとV族元素を含む原料ガスを停止するとと
もに第1のIII族元素を含む原料ガスだけを供給する
工程と、第1のIII族元素を含む原料ガスを停止する
とともにV族元素を含む原料ガスだけを供給する工程
と、第1のIII族元素を含む原料ガスとV族元素を含
む原料ガスを供給する工程を少なくとも含むことにより
不純物をドーピングすること、および基板上に、第1の
III族元素を含む原料ガスとV族元素を含む原料ガス
を供給する工程と、第1のIII族元素を含む原料ガス
とV族元素を含む原料ガスを停止するとともに第2のI
II族元素を含む原料ガスだけを供給する工程と、第2
のIII族元素を含む原料ガスを停止するとともにV族
元素を含む原料ガスだけを供給する工程と、第1のII
I族元素を含む原料ガスとV族元素を含む原料ガスを供
給する工程と、を少なくとも1回以上繰り返すことによ
り不純物をドーピングすること、により前記目的を達成
するものである。
【0008】
【作用】本発明では、アルミニウムの組成を変化させた
AlGaAs層上またはAlAs層上に、III族元素
を含む原料ガスのみを単独で供給した後、V族元素を含
む原料ガスを供給することにより、炭素不純物をドーピ
ングするため、ドーピング量を制御することおよび高濃
度のドーピングを達成することができる。従来の方法で
は、AlGaAs層上またはAlAs層上に、III族
元素とV族元素を含む原料ガスを同時に供給したり、ド
ーピングガスを同時に供給することにより、炭素不純物
をドーピングしていたため、不純物ドーピング量の制御
範囲が狭く、ドーピングガスを要していた。
AlGaAs層上またはAlAs層上に、III族元素
を含む原料ガスのみを単独で供給した後、V族元素を含
む原料ガスを供給することにより、炭素不純物をドーピ
ングするため、ドーピング量を制御することおよび高濃
度のドーピングを達成することができる。従来の方法で
は、AlGaAs層上またはAlAs層上に、III族
元素とV族元素を含む原料ガスを同時に供給したり、ド
ーピングガスを同時に供給することにより、炭素不純物
をドーピングしていたため、不純物ドーピング量の制御
範囲が狭く、ドーピングガスを要していた。
【0009】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。 (実施例1)図1は、本発明の第一の実施例であるGa
As基板を用いて、GaAs層中へ炭素不純物をドーピ
ングする方法の工程のうち、各種の半導体原料ガスのG
aAs基板上への供給状況をフローチャートとして示し
たものである。この例では、原料ガスとしてトリメチル
ガリウム(以下、TMGと略称する。)、アルシン(A
sH3)、トリエチルアルミニウム(以下、TEAと略
称する。)を用い、水素をキャリヤガスとした。基板の
成長温度は550℃から750℃である。TMGの供給
量は約10ml/min、TEAの供給量は約30ml
/min、アルシンの供給量は約40ml/minであ
る。
As基板を用いて、GaAs層中へ炭素不純物をドーピ
ングする方法の工程のうち、各種の半導体原料ガスのG
aAs基板上への供給状況をフローチャートとして示し
たものである。この例では、原料ガスとしてトリメチル
ガリウム(以下、TMGと略称する。)、アルシン(A
sH3)、トリエチルアルミニウム(以下、TEAと略
称する。)を用い、水素をキャリヤガスとした。基板の
成長温度は550℃から750℃である。TMGの供給
量は約10ml/min、TEAの供給量は約30ml
/min、アルシンの供給量は約40ml/minであ
る。
【0010】まず、GaAs半導体基板上1にTMGお
よびアルシンを供給し、所定の厚さのGaAs層2(約
1000オングストローム)を形成する(工程1)。つ
ぎに、TMG,TEAおよびアルシンを供給してアンド
ープのAlGaAs層3を形成する(工程2)。ここで
は、約3オングストロームの膜厚とした。この時点では
AlGaAs層3には炭素不純物はほとんど含まれてい
ない。
よびアルシンを供給し、所定の厚さのGaAs層2(約
1000オングストローム)を形成する(工程1)。つ
ぎに、TMG,TEAおよびアルシンを供給してアンド
ープのAlGaAs層3を形成する(工程2)。ここで
は、約3オングストロームの膜厚とした。この時点では
AlGaAs層3には炭素不純物はほとんど含まれてい
ない。
【0011】つぎに、TEAおよびアルシンの供給を停
止し、このAlGaAs層3の表面上に単独でTMGを
約3秒間ほど供給する(工程3)。この工程では、TM
G分子内に存在するメチル基からの炭素原子がAlGa
As層3に取り込まれる。つぎに、TMGの供給を停止
し、アルシンだけを単独で供給する(工程4)。
止し、このAlGaAs層3の表面上に単独でTMGを
約3秒間ほど供給する(工程3)。この工程では、TM
G分子内に存在するメチル基からの炭素原子がAlGa
As層3に取り込まれる。つぎに、TMGの供給を停止
し、アルシンだけを単独で供給する(工程4)。
【0012】その後、再びTMGおよびアルシンを供給
して、1000オングストロームの膜厚のアンドープの
GaAs層を形成する(工程5)。
して、1000オングストロームの膜厚のアンドープの
GaAs層を形成する(工程5)。
【0013】図2は、以上の工程により製造した炭素ド
ープGaAs多層膜の断面図である。図2では、AlG
aAs層3の表面上に炭素ドーピングが行われているこ
とを示している。なお、ドーピング層の膜厚を高めるに
は、工程1から工程5を繰り返せばよい。
ープGaAs多層膜の断面図である。図2では、AlG
aAs層3の表面上に炭素ドーピングが行われているこ
とを示している。なお、ドーピング層の膜厚を高めるに
は、工程1から工程5を繰り返せばよい。
【0014】工程3において、TMGを供給する際のA
lGaAs層3の表面に存在するアルミニウム原子の割
合を変化させて、AlGaAs層3の膜中に取り込まれ
る炭素不純物濃度について、ホール測定により調べた実
験結果を図3に示す。図3においては、横軸にAlGa
As層中のAl組成、縦軸にはシートキャリア濃度をと
ってある。ここで、シートキャリア濃度は取り込まれた
炭素不純物濃度に等しい。また、TMGの供給量は一定
にしている。この図から、炭素ドーピング前のAlGa
As層のAl組成に比例して炭素不純物濃度が増加する
ことがわかるとともに、炭素原子が厚さの薄いAlGa
As層3に効率良く取り込まれていることを示してい
る。つまり、当初アンドープであったAlGaAs層3
は、TMGを供給したあとでは炭素ドープAlGaAs
層となる。なお、AlGaAs層3を形成しない場合の
炭素取り込み量は、5×1011cm-2であった。この場
合、AlGaAs層3の厚さはGaAs層2および4の
厚さに比べて小さいのでGaAs層へのドーピングと見
なすことができる。また、ここではホール測定を行うた
めにアンドープのGaAs層2および4を1000オン
グストロームにしたが、実際のデバイスを作製する場合
あるいは高濃度ドーピング層の膜厚を高める場合には、
10オングストローム程度にすることも可能である。本
発明における炭素不純物濃度を体積密度で表現すると1
×1020cm-3であり、従来の同時供給によるドーピン
グ量の5倍以上である。
lGaAs層3の表面に存在するアルミニウム原子の割
合を変化させて、AlGaAs層3の膜中に取り込まれ
る炭素不純物濃度について、ホール測定により調べた実
験結果を図3に示す。図3においては、横軸にAlGa
As層中のAl組成、縦軸にはシートキャリア濃度をと
ってある。ここで、シートキャリア濃度は取り込まれた
炭素不純物濃度に等しい。また、TMGの供給量は一定
にしている。この図から、炭素ドーピング前のAlGa
As層のAl組成に比例して炭素不純物濃度が増加する
ことがわかるとともに、炭素原子が厚さの薄いAlGa
As層3に効率良く取り込まれていることを示してい
る。つまり、当初アンドープであったAlGaAs層3
は、TMGを供給したあとでは炭素ドープAlGaAs
層となる。なお、AlGaAs層3を形成しない場合の
炭素取り込み量は、5×1011cm-2であった。この場
合、AlGaAs層3の厚さはGaAs層2および4の
厚さに比べて小さいのでGaAs層へのドーピングと見
なすことができる。また、ここではホール測定を行うた
めにアンドープのGaAs層2および4を1000オン
グストロームにしたが、実際のデバイスを作製する場合
あるいは高濃度ドーピング層の膜厚を高める場合には、
10オングストローム程度にすることも可能である。本
発明における炭素不純物濃度を体積密度で表現すると1
×1020cm-3であり、従来の同時供給によるドーピン
グ量の5倍以上である。
【0015】(実施例2)図4は、GaAs基板上に所
望の炭素ドーピング量を有するAlGaAs層を製造す
るための工程のうち、各種の半導体原料ガスのGaAs
基板上への供給状況をフローチャートとして示したもの
である。本実施例ではTEAの供給量をあらかじめ設定
した2つの供給量にするために、TEA1とTEA2を
利用する。
望の炭素ドーピング量を有するAlGaAs層を製造す
るための工程のうち、各種の半導体原料ガスのGaAs
基板上への供給状況をフローチャートとして示したもの
である。本実施例ではTEAの供給量をあらかじめ設定
した2つの供給量にするために、TEA1とTEA2を
利用する。
【0016】まず、GaAs基板1上に、TMGおよび
アルシンとともに、Alの組成が0.5となるように原
料ガスのTEA1を供給して、アンドープAlGaAs
層5を約1000オングストロームほど成長する(工程
1)。つぎに、TEA1の供給を停止し、炭素ドーピン
グ層を形成するために、TMGを供給する際の表面に存
在するアルミニウム原子の割合を設定した供給量のTE
A2を供給し、アンドープのAlGaAs層6を約3オ
ングストロームほど成長する(工程2)。
アルシンとともに、Alの組成が0.5となるように原
料ガスのTEA1を供給して、アンドープAlGaAs
層5を約1000オングストロームほど成長する(工程
1)。つぎに、TEA1の供給を停止し、炭素ドーピン
グ層を形成するために、TMGを供給する際の表面に存
在するアルミニウム原子の割合を設定した供給量のTE
A2を供給し、アンドープのAlGaAs層6を約3オ
ングストロームほど成長する(工程2)。
【0017】アルシンおよびTEA2の供給を停止し、
TMGだけを単独で約3秒間ほど供給する(工程3)。
その後、TMGの供給を停止するとともに、アルシンだ
けを単独で供給する(工程4)。
TMGだけを単独で約3秒間ほど供給する(工程3)。
その後、TMGの供給を停止するとともに、アルシンだ
けを単独で供給する(工程4)。
【0018】その後、再びTMG、アルシンおよびTE
A1を供給して、1000オングストロームの膜厚のア
ンドープのAlGaAs層7を形成する(工程5)。
A1を供給して、1000オングストロームの膜厚のア
ンドープのAlGaAs層7を形成する(工程5)。
【0019】図5は、以上の工程により製造したGaA
s基板上の炭素ドープAlGaAs多層膜の断面図であ
る。図5では、AlGaAs層6の表面上に炭素ドーピ
ングが行われていることを示している。2つのアンドー
プAlGaAs層5および7のAlの組成は、TEA1
の供給量で決定され、また、炭素ドーピング量は図3に
もとづきアンドープAlGaAs層6のAlの組成で、
すなわちTEA2の供給量で決定できる。なお、ドーピ
ング層の膜厚を高めるためには、工程1と工程5を繰り
返せばよい。
s基板上の炭素ドープAlGaAs多層膜の断面図であ
る。図5では、AlGaAs層6の表面上に炭素ドーピ
ングが行われていることを示している。2つのアンドー
プAlGaAs層5および7のAlの組成は、TEA1
の供給量で決定され、また、炭素ドーピング量は図3に
もとづきアンドープAlGaAs層6のAlの組成で、
すなわちTEA2の供給量で決定できる。なお、ドーピ
ング層の膜厚を高めるためには、工程1と工程5を繰り
返せばよい。
【0020】本実施例においても、炭素ドーピング膜中
に取り込まれる炭素不純物濃度をホール測定した結果、
図3と同様で、炭素原子が厚さの薄いAlGaAs層6
に効率良く取り込まれていることを示した。
に取り込まれる炭素不純物濃度をホール測定した結果、
図3と同様で、炭素原子が厚さの薄いAlGaAs層6
に効率良く取り込まれていることを示した。
【0021】(実施例3)図6は、GaAs基板上に高
い濃度の炭素ドーピングAlGaAs層を製造するため
の工程のうち、各種の半導体原料ガスのGaAs基板上
への供給状況をフローチャートとして示したものであ
る。GaAs基板上1にアルシンおよびTEAを約2秒
間ほど供給し、AlAs層8を約1.5オングストロー
ム成長した後、アルシンおよびTEAの供給を停止する
(工程1)。つぎに、TMGだけを単独で約2秒間ほど
供給する(工程2)。さらに、TMGの供給を停止し、
アルシンだけを約2秒間ほど供給する(工程3)。この
工程で高い炭素濃度のAlGaAs層が成長する。
い濃度の炭素ドーピングAlGaAs層を製造するため
の工程のうち、各種の半導体原料ガスのGaAs基板上
への供給状況をフローチャートとして示したものであ
る。GaAs基板上1にアルシンおよびTEAを約2秒
間ほど供給し、AlAs層8を約1.5オングストロー
ム成長した後、アルシンおよびTEAの供給を停止する
(工程1)。つぎに、TMGだけを単独で約2秒間ほど
供給する(工程2)。さらに、TMGの供給を停止し、
アルシンだけを約2秒間ほど供給する(工程3)。この
工程で高い炭素濃度のAlGaAs層が成長する。
【0022】その後、アルシンおよびTEAを約2秒間
ほど供給し、AlAs層8を約1.5オングストローム
成長した後、アルシンおよびTEAの供給を停止する
(工程4)。つぎに、TMGだけを単独で約2秒間ほど
供給する(工程5)。さらに、TMGの供給を停止し、
アルシンだけを約2秒間ほど供給する(工程6)。この
工程で高い炭素濃度のAlGaAs層が成長する。
ほど供給し、AlAs層8を約1.5オングストローム
成長した後、アルシンおよびTEAの供給を停止する
(工程4)。つぎに、TMGだけを単独で約2秒間ほど
供給する(工程5)。さらに、TMGの供給を停止し、
アルシンだけを約2秒間ほど供給する(工程6)。この
工程で高い炭素濃度のAlGaAs層が成長する。
【0023】このサイクルを多数回繰り返すことによ
り、GaAs基板上に高い炭素濃度を有するAlGaA
sの多層膜が成長できる。この実施例では、TMGはア
ルシンの供給の少ない状態で、TEAとアルシンで成長
したAlAs層上に供給している。従って、600度と
いう比較的高い成長温度でも炭素の取り込み量は極めて
高くなる。この場合のAlGaAs層のAl組成は0.
5であり、炭素不純物濃度は5×1019cm-3である。
り、GaAs基板上に高い炭素濃度を有するAlGaA
sの多層膜が成長できる。この実施例では、TMGはア
ルシンの供給の少ない状態で、TEAとアルシンで成長
したAlAs層上に供給している。従って、600度と
いう比較的高い成長温度でも炭素の取り込み量は極めて
高くなる。この場合のAlGaAs層のAl組成は0.
5であり、炭素不純物濃度は5×1019cm-3である。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
化合物半導体にドーピング濃度を制御することができる
とともに、従来に比べて格段と高い濃度の炭素不純物を
ドーピングすることができる。このため、各種の半導体
機能素子への導入ができる。また、本発明の製造はドー
ピング原料ガスを不要とするため、信頼性が高く安価な
装置構成が実現できる。
化合物半導体にドーピング濃度を制御することができる
とともに、従来に比べて格段と高い濃度の炭素不純物を
ドーピングすることができる。このため、各種の半導体
機能素子への導入ができる。また、本発明の製造はドー
ピング原料ガスを不要とするため、信頼性が高く安価な
装置構成が実現できる。
【図1】本発明の第1の実施例であるGaAs中への炭
素不純物ドーピング法の工程および原料ガスのフローチ
ャートである。
素不純物ドーピング法の工程および原料ガスのフローチ
ャートである。
【図2】第1の実施例による炭素不純物をドーピングし
たGaAs基板結晶の構造である。
たGaAs基板結晶の構造である。
【図3】本発明による炭素不純物濃度のドーピング特性
である。
である。
【図4】第2の実施例によるAlGaAs層中への炭素
不純物ドーピングの工程および原料ガスのフローチャー
トである。
不純物ドーピングの工程および原料ガスのフローチャー
トである。
【図5】第2の実施例による化合物半導体層の構造であ
る。
る。
【図6】第3の実施例による高濃度ドーピングの工程お
よび原料ガスのフローチャートである。
よび原料ガスのフローチャートである。
【図7】第3の実施例による化合物半導体層の構造であ
る。
る。
1 GaAs基板 2 アンドープGaAs層 3 AlGaAs層 4 GaAs層 5 アンドープAlGaAs層 6 AlGaAs層 7 アンドープAlGaAs層 8 AlAs層
Claims (2)
- 【請求項1】 III族元素とV族元素を含む原料ガス
を加熱した基板上に輸送して熱分解によってIII−V
族化合物半導体を成長させる有機金属気相成長法におい
て、 基板上に、第1と第2のIII族元素を含む原料ガスと
V族元素を含む原料ガスを供給する工程と、第2のII
I族元素を含む原料ガスとV族元素を含む原料ガスを停
止するとともに第1のIII族元素を含む原料ガスだけ
を供給する工程と、第1のIII族元素を含む原料ガス
を停止するとともにV族元素を含む原料ガスだけを供給
する工程と、第1のIII族元素を含む原料ガスとV族
元素を含む原料ガスを供給する工程を少なくとも含むこ
とにより不純物をドーピングすることを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項2】 III−V族化合物半導体を成長させる
有機金属気相成長法において、 基板上に、第1のIII族元素を含む原料ガスとV族元
素を含む原料ガスを供給する工程と、第1のIII族元
素を含む原料ガスとV族元素を含む原料ガスを停止する
とともに第2のIII族元素を含む原料ガスだけを供給
する工程と、第2のIII族元素を含む原料ガスを停止
するとともにV族元素を含む原料ガスだけを供給する工
程と、第1のIII族元素を含む原料ガスとV族元素を
含む原料ガスを供給する工程と、を少なくとも1回以上
繰り返すことにより不純物をドーピングすることを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30948092A JPH06140345A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30948092A JPH06140345A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06140345A true JPH06140345A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17993498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30948092A Pending JPH06140345A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06140345A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100260222A1 (en) * | 2009-04-14 | 2010-10-14 | Sony Corporation | Semiconductor layer, method of manufacturing the same, laser diode, and method of manufacturing the same |
-
1992
- 1992-10-23 JP JP30948092A patent/JPH06140345A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100260222A1 (en) * | 2009-04-14 | 2010-10-14 | Sony Corporation | Semiconductor layer, method of manufacturing the same, laser diode, and method of manufacturing the same |
US8658449B2 (en) * | 2009-04-14 | 2014-02-25 | Sony Corporation | Semiconductor layer, method of manufacturing the same, laser diode, and method of manufacturing the same |
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