JPH06137805A - ひずみゲージおよびその製造方法 - Google Patents
ひずみゲージおよびその製造方法Info
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- JPH06137805A JPH06137805A JP28801892A JP28801892A JPH06137805A JP H06137805 A JPH06137805 A JP H06137805A JP 28801892 A JP28801892 A JP 28801892A JP 28801892 A JP28801892 A JP 28801892A JP H06137805 A JPH06137805 A JP H06137805A
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- Japan
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- glass
- strain gauge
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- gel
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 抵抗値のばらつきが小さく信頼性に優れたひ
ずみゲージを提供する。 【構成】 金属弾性体上に絶縁性に優れた結晶化ガラス
層を形成し、さらにその上に表面性に優れたゲル層また
はガラス層を形成し、このゲル層またはガラス層の上に
歪に対して抵抗が変化する素子を形成する。
ずみゲージを提供する。 【構成】 金属弾性体上に絶縁性に優れた結晶化ガラス
層を形成し、さらにその上に表面性に優れたゲル層また
はガラス層を形成し、このゲル層またはガラス層の上に
歪に対して抵抗が変化する素子を形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、応力ひずみを検知する
ひずみゲージおよびその製造方法に関し、特に自動車に
使用される車両用サスペンションに関するものである。
ひずみゲージおよびその製造方法に関し、特に自動車に
使用される車両用サスペンションに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、ひずみゲージは、機械、船舶、自
動車などの各部に生じる応力、荷重の大きさなどを検知
するために用いられていた。このひずみゲージは、ポリ
エステル、エポキシ、ポリイミドなどの樹脂またはセラ
ミックスのベース材料上にCu−Ni,Ni−Cr箔の
抵抗素子を配設した構成で、測定する際に、ひずみゲー
ジを被測定物に接着剤で固定している。また、金属基材
を結晶化ガラス層で被覆したメタルコア基板上に抵抗素
子を形成したひずみゲージがある。
動車などの各部に生じる応力、荷重の大きさなどを検知
するために用いられていた。このひずみゲージは、ポリ
エステル、エポキシ、ポリイミドなどの樹脂またはセラ
ミックスのベース材料上にCu−Ni,Ni−Cr箔の
抵抗素子を配設した構成で、測定する際に、ひずみゲー
ジを被測定物に接着剤で固定している。また、金属基材
を結晶化ガラス層で被覆したメタルコア基板上に抵抗素
子を形成したひずみゲージがある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記接着式の
ひずみゲージを自動車のサスペンションのシャフトなど
の繰り返しひずみ量を測定するような部位に接着して用
いると、数万回のサイクルで接着層が剥離する可能性が
あるため使用できなかった。さらに、ひずみ測定部位が
150℃以上の高温雰囲気に曝される場合には、接着剤
の接着強度が弱くなってひずみゲージが剥離しやすくな
るという問題点を生じた。
ひずみゲージを自動車のサスペンションのシャフトなど
の繰り返しひずみ量を測定するような部位に接着して用
いると、数万回のサイクルで接着層が剥離する可能性が
あるため使用できなかった。さらに、ひずみ測定部位が
150℃以上の高温雰囲気に曝される場合には、接着剤
の接着強度が弱くなってひずみゲージが剥離しやすくな
るという問題点を生じた。
【0004】また、剥離の可能性はないもののメタルコ
ア基板を用いたひずみゲージは耐熱性をもたせるため
に、析出させる結晶の結晶化度を大きくするので表面が
ある程度粗れた状態になる。このような表面性の悪い結
晶化ガラス層の上に抵抗を形成すると抵抗のばらつきが
大きくなる。
ア基板を用いたひずみゲージは耐熱性をもたせるため
に、析出させる結晶の結晶化度を大きくするので表面が
ある程度粗れた状態になる。このような表面性の悪い結
晶化ガラス層の上に抵抗を形成すると抵抗のばらつきが
大きくなる。
【0005】本発明は、上記問題を解決するもので、基
板表面の表面粗さを小さくして、その上に形成される抵
抗素子の抵抗のばらつきを小さくできるひずみゲージお
よびその製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
板表面の表面粗さを小さくして、その上に形成される抵
抗素子の抵抗のばらつきを小さくできるひずみゲージお
よびその製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のひずみゲージおよびその製造方法は、金属
弾性体上に被覆された結晶化ガラスからなる絶縁層の表
面にゲル層またはガラス層を形成し、このゲル層または
ガラス層の上に歪に対して抵抗が変化する素子を形成し
たものである。
に、本発明のひずみゲージおよびその製造方法は、金属
弾性体上に被覆された結晶化ガラスからなる絶縁層の表
面にゲル層またはガラス層を形成し、このゲル層または
ガラス層の上に歪に対して抵抗が変化する素子を形成し
たものである。
【0007】
【作用】上記構成により、本発明のひずみゲージの基板
は、電気絶縁層の上に、さらにゲル層またはガラス層を
形成したものからなり、このゲル層またはガラス層を設
けることにより基板表面の表面粗さが小さくなり、高純
度アルミナ基板程度にまで改善される。したがって、抵
抗素子を形成した場合の抵抗のばらつきが小さくなる。
は、電気絶縁層の上に、さらにゲル層またはガラス層を
形成したものからなり、このゲル層またはガラス層を設
けることにより基板表面の表面粗さが小さくなり、高純
度アルミナ基板程度にまで改善される。したがって、抵
抗素子を形成した場合の抵抗のばらつきが小さくなる。
【0008】
【実施例】以下本発明の一実施例について説明する。ま
ず、本発明の絶縁層である結晶化ガラス層について説明
する。結晶化ガラスは耐熱性、基板強度、絶縁性を考慮
すると無アルカリであることが好ましい。この結晶化ガ
ラス組成は、 SiO2 7〜30重量% B2 O3 5〜34重量% MgO 16〜50重量% CaO 0〜20重量% BaO 0〜50重量% ZrO2 0〜 5重量% P2 O5 0〜 5重量% La2 O3 0〜40重量% である。上記組成範囲のガラスが選択される理由は、金
属基材と結晶化ガラス層の密着性を強固にする必要があ
るからである。上記の範囲を超えたものは、密着性が悪
くなるため好ましくない。
ず、本発明の絶縁層である結晶化ガラス層について説明
する。結晶化ガラスは耐熱性、基板強度、絶縁性を考慮
すると無アルカリであることが好ましい。この結晶化ガ
ラス組成は、 SiO2 7〜30重量% B2 O3 5〜34重量% MgO 16〜50重量% CaO 0〜20重量% BaO 0〜50重量% ZrO2 0〜 5重量% P2 O5 0〜 5重量% La2 O3 0〜40重量% である。上記組成範囲のガラスが選択される理由は、金
属基材と結晶化ガラス層の密着性を強固にする必要があ
るからである。上記の範囲を超えたものは、密着性が悪
くなるため好ましくない。
【0009】さらに、上記結晶化ガラス層を金属基体上
に被覆する方法として、スプレー法、粉末静電塗装法、
電気泳動電着法などがある。被膜の緻密性、電気絶縁性
などの観点から、電気泳動電着法が最も好ましい。
に被覆する方法として、スプレー法、粉末静電塗装法、
電気泳動電着法などがある。被膜の緻密性、電気絶縁性
などの観点から、電気泳動電着法が最も好ましい。
【0010】この方法は、ガラスとアルコールおよび少
量の水を入れてボールミル中で約20時間粉砕、混合
し、ガラスの平均粒径を1〜5μm程度にする。得られ
たスラリーを電解槽に入れて、液を循環する。あらかじ
め洗浄した金属基体を、このスラリー中に浸漬し、10
0〜400Vで陰分極させることにより、金属基体表面
にガラス粒子を析出させる。これを乾燥後、850〜9
00℃で10分〜1時間焼成する。これによって、ガラ
スの微粒子が溶融するとともに、ガラスの成分と金属材
料の成分が、充分に相互拡散するためガラスホーロ層と
金属材料との強固な密着が得られる。
量の水を入れてボールミル中で約20時間粉砕、混合
し、ガラスの平均粒径を1〜5μm程度にする。得られ
たスラリーを電解槽に入れて、液を循環する。あらかじ
め洗浄した金属基体を、このスラリー中に浸漬し、10
0〜400Vで陰分極させることにより、金属基体表面
にガラス粒子を析出させる。これを乾燥後、850〜9
00℃で10分〜1時間焼成する。これによって、ガラ
スの微粒子が溶融するとともに、ガラスの成分と金属材
料の成分が、充分に相互拡散するためガラスホーロ層と
金属材料との強固な密着が得られる。
【0011】次に、具体的な実施例について説明する。 (実施例1)(表1)〜(表5)の組成番号1〜42に
示すような、結晶化ガラスを合成した。また、前述の工
程に従い、SUS430基材(100mm×100mm×
0.5mm)の表面に、厚さ100μmの結晶化ガラス質
層を電気泳動電着し、880℃で10分焼成してサンプ
ルを作成し、表に示すような、サンプルの表面粗度、う
ねり性、耐熱性などの諸特性の結果が得られた。
示すような、結晶化ガラスを合成した。また、前述の工
程に従い、SUS430基材(100mm×100mm×
0.5mm)の表面に、厚さ100μmの結晶化ガラス質
層を電気泳動電着し、880℃で10分焼成してサンプ
ルを作成し、表に示すような、サンプルの表面粗度、う
ねり性、耐熱性などの諸特性の結果が得られた。
【0012】なお、表面粗度はタリサーフ表面粗さ計で
測定し、表面中心線平均粗さRaで示した。うねり性は
タリサーフ表面粗さ計で得られた山と谷の差Rmaxで表わ
した。耐熱性は、サンプルを850℃の電気炉中に10分
入れ、炉から取り出し30分間、自然放冷するサイクル
を繰り返すスポーリングテストを行って、サンプルのク
ラックや剥離の状態を調べた。なお、クラックは赤イン
ク中に浸漬し、その後、表面を拭き取って、目視観察に
よって、その有無を調べた。表中の○、△、×は、○が
10サイクル以上行っても、異常が認められないもの、
△は5〜9サイクルで発生したもの、×は4サイクル以
下で発生したものを示す。密着性は、基板の曲げ試験を
行い、ホーロ層が剥離して金属部が露出したものを×、
金属部が一部だけ露出したものを△、金属部が露出して
いないものを○とした。
測定し、表面中心線平均粗さRaで示した。うねり性は
タリサーフ表面粗さ計で得られた山と谷の差Rmaxで表わ
した。耐熱性は、サンプルを850℃の電気炉中に10分
入れ、炉から取り出し30分間、自然放冷するサイクル
を繰り返すスポーリングテストを行って、サンプルのク
ラックや剥離の状態を調べた。なお、クラックは赤イン
ク中に浸漬し、その後、表面を拭き取って、目視観察に
よって、その有無を調べた。表中の○、△、×は、○が
10サイクル以上行っても、異常が認められないもの、
△は5〜9サイクルで発生したもの、×は4サイクル以
下で発生したものを示す。密着性は、基板の曲げ試験を
行い、ホーロ層が剥離して金属部が露出したものを×、
金属部が一部だけ露出したものを△、金属部が露出して
いないものを○とした。
【0013】以上の評価にもとずき総合評価を行い、そ
の結果を○、△、×で示した。No1〜8は他の成分を
一定として、SiO2 とB2 O3 を変化させたもの、N
o9〜15は、SiO2 /B2 O3 をほぼ一定にし、M
gO量を変化させたもの、No16〜19は同じく、C
aO量を変化させたもの。No20〜24は、同じく、
BaO量を変化させたもの。No25〜29は、同じ
く、La2 O3 量を変化させたもの。No30〜42は
それぞれ、ZrO2 、TiO2 、SnO2 、P2O5 、
ZnOの影響を示したものである。
の結果を○、△、×で示した。No1〜8は他の成分を
一定として、SiO2 とB2 O3 を変化させたもの、N
o9〜15は、SiO2 /B2 O3 をほぼ一定にし、M
gO量を変化させたもの、No16〜19は同じく、C
aO量を変化させたもの。No20〜24は、同じく、
BaO量を変化させたもの。No25〜29は、同じ
く、La2 O3 量を変化させたもの。No30〜42は
それぞれ、ZrO2 、TiO2 、SnO2 、P2O5 、
ZnOの影響を示したものである。
【0014】表から明らかなように、SiO2 を増加し
ていくと、耐熱性は向上するが、表面性、および密着性
が悪くなる。逆に、B2 O3 量を増加していくと、表面
性、密着性は向上するが耐熱性が低下する。これらを考
慮すると、本発明では、SiO2 が7〜30重量%、B
2 O3 が5〜34重量%の範囲内が好ましい。
ていくと、耐熱性は向上するが、表面性、および密着性
が悪くなる。逆に、B2 O3 量を増加していくと、表面
性、密着性は向上するが耐熱性が低下する。これらを考
慮すると、本発明では、SiO2 が7〜30重量%、B
2 O3 が5〜34重量%の範囲内が好ましい。
【0015】MgO量は結晶性と相関があり、16重量
%以下では結晶析出が不十分で、耐熱性に劣る。また、
50重量%以上では、結晶が析出しやすく、ガラス溶融
時に簡単に結晶化し、均質なガラスを得ることが難し
く、さらに表面粗度が大きくなる。
%以下では結晶析出が不十分で、耐熱性に劣る。また、
50重量%以上では、結晶が析出しやすく、ガラス溶融
時に簡単に結晶化し、均質なガラスを得ることが難し
く、さらに表面粗度が大きくなる。
【0016】CaO量は、20重量%以上入れると、表
面性が悪くなり好ましくない。BaO量は、50重量%
以上では、耐熱性、および密着性が劣化し好ましくな
い。
面性が悪くなり好ましくない。BaO量は、50重量%
以上では、耐熱性、および密着性が劣化し好ましくな
い。
【0017】La2 O3 量は、40重量%以上では、耐
熱性が劣化し好ましくない。その他の添加可能な成分は
ZrO2 、TiO2 、SnO2 、P2 O5 、ZnOなど
が挙げられるが、5重量%以下までなら添加可能であ
る。
熱性が劣化し好ましくない。その他の添加可能な成分は
ZrO2 、TiO2 、SnO2 、P2 O5 、ZnOなど
が挙げられるが、5重量%以下までなら添加可能であ
る。
【0018】
【表1】
【0019】
【表2】
【0020】
【表3】
【0021】
【表4】
【0022】
【表5】
【0023】上記の方法に基づいて結晶化ガラスを形成
して作製したひずみセンサについて説明する。外径20
mm、内径18mm、長さ20mmの円筒金属弾性体を
前処理として脱脂・水洗・酸洗・水洗・ニッケルメッキ
・水洗の各工程を行った後、(表1)でNo.5(表面
粗度0.05μm)で示した組成のガラス粒子からなる
スラリー中に浸漬し、対極と円筒金属間に直流電圧を印
加することにより、円筒金属の側面上にガラス粒子を被
覆し、900℃で10分間焼成し結晶化ガラス層からな
る絶縁層を形成した。次に、結晶化ガラス層に、シリコ
ンテトラエトキシドSi(O−C2 H5 )4 、チタンテ
トライソプロポキシドTi(O−isoC3 H7 )4 、
水、エタノール、塩酸を加えたアルコキシド溶液を塗布
した。アルコキシド溶液中の金属元素は、シリコン元素
とチタニウム元素比を、8:2とした。塗布はディップ
コーティング法で行った。塗布した後室温で5時間乾燥
し、500℃で10分間熱処理した。乾燥および熱処理
することにより塗布された金属アルコキシド溶液が加水
分解、脱水縮合反応を起こして、シリコン元素とチタニ
ウム元素を含むゲル層またはガラス層を形成し、基板の
表面性を向上させる。このゲル層またはガラス層の上に
スクリーン印刷法によりAg-Pd 系の電極ペーストを印刷
し850℃で15分間熱処理し、さらにRuO2系の抵抗ペ
ーストを印刷し760℃で30分間熱処理して抵抗素子
を形成することによりひずみゲージを作製した。
して作製したひずみセンサについて説明する。外径20
mm、内径18mm、長さ20mmの円筒金属弾性体を
前処理として脱脂・水洗・酸洗・水洗・ニッケルメッキ
・水洗の各工程を行った後、(表1)でNo.5(表面
粗度0.05μm)で示した組成のガラス粒子からなる
スラリー中に浸漬し、対極と円筒金属間に直流電圧を印
加することにより、円筒金属の側面上にガラス粒子を被
覆し、900℃で10分間焼成し結晶化ガラス層からな
る絶縁層を形成した。次に、結晶化ガラス層に、シリコ
ンテトラエトキシドSi(O−C2 H5 )4 、チタンテ
トライソプロポキシドTi(O−isoC3 H7 )4 、
水、エタノール、塩酸を加えたアルコキシド溶液を塗布
した。アルコキシド溶液中の金属元素は、シリコン元素
とチタニウム元素比を、8:2とした。塗布はディップ
コーティング法で行った。塗布した後室温で5時間乾燥
し、500℃で10分間熱処理した。乾燥および熱処理
することにより塗布された金属アルコキシド溶液が加水
分解、脱水縮合反応を起こして、シリコン元素とチタニ
ウム元素を含むゲル層またはガラス層を形成し、基板の
表面性を向上させる。このゲル層またはガラス層の上に
スクリーン印刷法によりAg-Pd 系の電極ペーストを印刷
し850℃で15分間熱処理し、さらにRuO2系の抵抗ペ
ーストを印刷し760℃で30分間熱処理して抵抗素子
を形成することによりひずみゲージを作製した。
【0024】なお、ゲル層またはガラス層はSi,G
e,Ti,Zr,B,Al,Pの少なくとも1種類以上
の元素を含む酸化物であればよい。 (実施例2) 実施例1において、アルコキシド溶液中
のシリコン元素とチタン元素の比を8.5:1.5とし
た。
e,Ti,Zr,B,Al,Pの少なくとも1種類以上
の元素を含む酸化物であればよい。 (実施例2) 実施例1において、アルコキシド溶液中
のシリコン元素とチタン元素の比を8.5:1.5とし
た。
【0025】(実施例3) 実施例1において、チタン
のアルコキシドを加えず、アルコキシド溶液中のシリコ
ン元素とチタン元素の比を10:0とした。 (実施例4) 実施例1においてスラリー中のガラス粒
子をNo.2(表面粗度0.5μm )とした。他の条件
は同じ。
のアルコキシドを加えず、アルコキシド溶液中のシリコ
ン元素とチタン元素の比を10:0とした。 (実施例4) 実施例1においてスラリー中のガラス粒
子をNo.2(表面粗度0.5μm )とした。他の条件
は同じ。
【0026】上記実施例および下記に示した比較例に基
づいて、それぞれ10個について、電極層と抵抗層を形
成する前の表面粗度の平均値、および電極層と抵抗層を
形成した後の抵抗値を測定し、その平均値と標準偏差を
測定した。結果を(表6)に示す。
づいて、それぞれ10個について、電極層と抵抗層を形
成する前の表面粗度の平均値、および電極層と抵抗層を
形成した後の抵抗値を測定し、その平均値と標準偏差を
測定した。結果を(表6)に示す。
【0027】
【表6】
【0028】(表6)に示すように、表面粗度の悪いメ
タルコア基板にガラス層を設けると(実施例4)、表面
粗度のよいメタルコア基板(比較例1)よりも抵抗のば
らつき(標準偏差)は小さくなった。すなわち、本発明
により表面粗度の悪い基板でも抵抗値のばらつきの小さ
いセンサを作製することができる。ただし、ばらつき度
合いは実施例1と実施例4の結果が示すように元々の基
板の表面粗度を反映することがわかる。しかしながら、
コーティング用のアルコキシド溶液の組成の選択を適切
に行わないと、基板の表面粗度が逆に悪くなることがわ
かる。
タルコア基板にガラス層を設けると(実施例4)、表面
粗度のよいメタルコア基板(比較例1)よりも抵抗のば
らつき(標準偏差)は小さくなった。すなわち、本発明
により表面粗度の悪い基板でも抵抗値のばらつきの小さ
いセンサを作製することができる。ただし、ばらつき度
合いは実施例1と実施例4の結果が示すように元々の基
板の表面粗度を反映することがわかる。しかしながら、
コーティング用のアルコキシド溶液の組成の選択を適切
に行わないと、基板の表面粗度が逆に悪くなることがわ
かる。
【0029】(比較例1)実施例1において、結晶化ガ
ラス層の上にガラス層を形成させず結晶化ガラス層の上
に直接電極、抵抗層を形成した。 (比較例2)実施例1において、アルコキシド溶液中の
シリコン元素とチタン元素の比を2.5:7.5とし
た。表面粗度は0.06μmとなり、表面性が悪くなっ
た。
ラス層の上にガラス層を形成させず結晶化ガラス層の上
に直接電極、抵抗層を形成した。 (比較例2)実施例1において、アルコキシド溶液中の
シリコン元素とチタン元素の比を2.5:7.5とし
た。表面粗度は0.06μmとなり、表面性が悪くなっ
た。
【0030】
【発明の効果】以上のように、本発明のひずみゲージ
は、絶縁層の上にゲル層またはガラス層を形成すること
により基板表面の表面粗さを小さくできて、簡単に抵抗
のばらつきを小さくすることができ、200℃程度の高
温雰囲気にも耐えることができる。
は、絶縁層の上にゲル層またはガラス層を形成すること
により基板表面の表面粗さを小さくできて、簡単に抵抗
のばらつきを小さくすることができ、200℃程度の高
温雰囲気にも耐えることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 昭彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項1】 金属弾性体上に被覆された結晶化ガラス
からなる絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成されたゲル
層またはガラス層と、前記ゲル層またはガラス層上に形
成された歪に対して抵抗が変化する素子とを備えたひず
みゲージ。 - 【請求項2】 結晶化ガラスの組成が重量%でMgO;
16〜50%、BaO;0〜50%、CaO;0〜20
%、La2 O3 ;0〜40%、B2 O3 ;5〜34%、
SiO2 ;7〜30%、MO2 (MはZr,Ti,Sn
の少なくとも1種);0〜5%、P2 O5 ;0〜5%で
あることを特徴とする請求項1記載のひずみゲージ。 - 【請求項3】 ゲル層またはガラス層がSi、Ge、T
i、Zr、B、Al、Pの少なくとも1種類以上の元素
を含む酸化物であることを特徴とする請求項1または2
記載のひずみゲージ。 - 【請求項4】 少なくとも金属弾性体上に結晶化ガラス
層からなる絶縁層を設ける工程と、前記絶縁層の表面に
ゲル層またはガラス層を設ける工程と、前記ゲル層また
はガラス層の上に歪に対して抵抗が変化する抵抗素子を
形成する工程を含むことを特徴とするひずみゲージの製
造方法。 - 【請求項5】 ゲル層またはガラス層を設ける工程が、
熱処理することによりゲルまたはガラスとなる金属アル
コキシドを含む溶液を塗布し、熱処理する工程であるこ
とを特徴とする請求項4記載のひずみゲージの製造方
法。 - 【請求項6】 金属アルコキシドが、シリコンアルコキ
シドおよび/またはチタニウムアルコキシドを含み、そ
の組成比が10:0〜8:2の範囲にあることを特徴と
する請求項5記載のひずみゲージの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28801892A JPH06137805A (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | ひずみゲージおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28801892A JPH06137805A (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | ひずみゲージおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06137805A true JPH06137805A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17724749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28801892A Pending JPH06137805A (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | ひずみゲージおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06137805A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995010640A1 (fr) * | 1993-10-14 | 1995-04-20 | Kabushiki Kaisya Advance | Procede de production d'un revetement en ceramique oxydee |
JPH1035164A (ja) * | 1996-04-25 | 1998-02-10 | Samsung Aerospace Ind Ltd | Icカード及びその製造方法 |
JP2007161569A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-28 | Nihon Yamamura Glass Co Ltd | 封着用ガラス組成物 |
US7882747B2 (en) | 2004-12-20 | 2011-02-08 | Panasonic Corporation | Strain sensor and method for manufacture thereof |
CN111417831A (zh) * | 2017-09-29 | 2020-07-14 | 美蓓亚三美株式会社 | 应变片 |
-
1992
- 1992-10-27 JP JP28801892A patent/JPH06137805A/ja active Pending
Cited By (6)
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