JPH06125162A - セラミックス配線基板の製造方法 - Google Patents
セラミックス配線基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH06125162A JPH06125162A JP31256792A JP31256792A JPH06125162A JP H06125162 A JPH06125162 A JP H06125162A JP 31256792 A JP31256792 A JP 31256792A JP 31256792 A JP31256792 A JP 31256792A JP H06125162 A JPH06125162 A JP H06125162A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- wiring board
- ceramic wiring
- solder
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、バンプ付セラミックス配線基
板、ランドグリッドアレー、又は、耐半田性を必要とす
る配線基板の製造法に関する。 【構成】 本発明は、セラミックス配線基板のメタライ
ズ上に、Ｎｉメッキを施し、６００〜１０００℃で熱処
理後、Ｃｕメッキ、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキを順次施す
ことを特徴とするセラミックス配線基板の製造方法であ
る。
板、ランドグリッドアレー、又は、耐半田性を必要とす
る配線基板の製造法に関する。 【構成】 本発明は、セラミックス配線基板のメタライ
ズ上に、Ｎｉメッキを施し、６００〜１０００℃で熱処
理後、Ｃｕメッキ、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキを順次施す
ことを特徴とするセラミックス配線基板の製造方法であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、バンプ付セラミック
ス配線基板、ランドグリッドアレー又は、耐半田性を必
要とするセラミックス配線基板の製造法に関する。
ス配線基板、ランドグリッドアレー又は、耐半田性を必
要とするセラミックス配線基板の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、耐半田性を必要とするセラミック
ス配線基板は、メタライズパッドにＮｉメッキを１μｍ
程度を施した後、熱処理してＮｉメッキ及びＡｕメッキ
を各１〜２μｍ施していた。
ス配線基板は、メタライズパッドにＮｉメッキを１μｍ
程度を施した後、熱処理してＮｉメッキ及びＡｕメッキ
を各１〜２μｍ施していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
場合、マザーボードとなるセラミックス基板との接続工
程において、半田付けによる熱によって、Ａｕメッキが
半田中に拡散して、Ｎｉメッキの欠陥のある部分で、半
田濡れの悪いＷ，Ｍｏ等のメタライズと半田が接触する
ことになり、半田が十分に付着しなくなる恐れがある。
またＮｉメッキ後の熱処理は、６００℃以上、好ましく
は７００℃以上で行う必要がある。この熱処理は、下地
耐火性タングステン（Ｗ）メタライズへのＮｉの拡散に
よるＷとの密着を向上するために必須の工程である。そ
の後耐半田性向上のために、さらにＮｉメッキを施す方
法もあるが、Ｎｉメッキの平面方向への広がりが少ない
ので、欠陥が残存し、耐半田性に問題がある場合があ
る。
場合、マザーボードとなるセラミックス基板との接続工
程において、半田付けによる熱によって、Ａｕメッキが
半田中に拡散して、Ｎｉメッキの欠陥のある部分で、半
田濡れの悪いＷ，Ｍｏ等のメタライズと半田が接触する
ことになり、半田が十分に付着しなくなる恐れがある。
またＮｉメッキ後の熱処理は、６００℃以上、好ましく
は７００℃以上で行う必要がある。この熱処理は、下地
耐火性タングステン（Ｗ）メタライズへのＮｉの拡散に
よるＷとの密着を向上するために必須の工程である。そ
の後耐半田性向上のために、さらにＮｉメッキを施す方
法もあるが、Ｎｉメッキの平面方向への広がりが少ない
ので、欠陥が残存し、耐半田性に問題がある場合があ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、セラミックス
配線基板のメタライズ上に、Ｎｉメッキを施した後、６
００〜１０００℃で熱処理後、Ｃｕメッキ、Ｎｉメッ
キ、Ａｕメッキを順次施すことを特徴とするセラミック
ス配線基板の製造方法である。
配線基板のメタライズ上に、Ｎｉメッキを施した後、６
００〜１０００℃で熱処理後、Ｃｕメッキ、Ｎｉメッ
キ、Ａｕメッキを順次施すことを特徴とするセラミック
ス配線基板の製造方法である。
【０００５】
【作用】本発明は、従来のＮｉメッキ、熱処理、Ａｕメ
ッキを順次施す工程で、Ｎｉの平面方向への広がりの少
ないのを是正するために、セラミックス基板のスルーホ
ールまたはビアホール上のランドにＮｉメッキ後、熱処
理し、次いでＣｕメッキ、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキを順
次施すものである。
ッキを順次施す工程で、Ｎｉの平面方向への広がりの少
ないのを是正するために、セラミックス基板のスルーホ
ールまたはビアホール上のランドにＮｉメッキ後、熱処
理し、次いでＣｕメッキ、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキを順
次施すものである。
【０００６】ここでＮｉメッキおよびＣｕメッキ後に６
００℃以上で熱処理を行うと、ＮｉとＣｕは合金化して
体積収縮が起こり、無数の亀甲状の溝が形成され、その
後Ｎｉメッキし、次いでＡｕメッキを施しても耐半田性
のあるメッキを供給することは不可能である。従って、
Ｎｉメッキ後熱処理することが必要である。
００℃以上で熱処理を行うと、ＮｉとＣｕは合金化して
体積収縮が起こり、無数の亀甲状の溝が形成され、その
後Ｎｉメッキし、次いでＡｕメッキを施しても耐半田性
のあるメッキを供給することは不可能である。従って、
Ｎｉメッキ後熱処理することが必要である。
【０００７】本発明の方法は、Ｃｕメッキ層およびＮｉ
メッキ層を層状に形成して、半田によるセラミックス基
板との接続工程において、熱によるＡｕメッキが半田中
に拡散して、半田濡れ性の悪化を防止できる。またＮｉ
メッキ後の熱処理工程によって、同時にシールリング等
のロー付け工程を行うことができる利点がある。
メッキ層を層状に形成して、半田によるセラミックス基
板との接続工程において、熱によるＡｕメッキが半田中
に拡散して、半田濡れ性の悪化を防止できる。またＮｉ
メッキ後の熱処理工程によって、同時にシールリング等
のロー付け工程を行うことができる利点がある。
【０００８】
【実施例】本発明を図１により説明する。バンプ付きセ
ラミックス基板上（１）にタングステンまたはモリブデ
ンの高融点金属とアルミナおよびガラスからなる外部端
子バンプ（２）が突設されている。この外部端子（２）
に、Ｎｉメッキ（３）を１〜２μ施した後、８５０℃の
水素−窒素雰囲気中で約１５分保持して熱処理を行う。
この熱処理により、高融点金属を含むバンプとＮｉメッ
キ層との密着性を向上させている。その後７μｍ厚みの
Ｃｕメッキ（４）、２μｍ厚みのＮｉメッキ（５）と３
μｍのＡｕメッキ（６）施して製品を完成させた。この
実施例とＮｉメッキおよびＣｕメッキ後熱処理してＮ
ｉ、Ａｕメッキを施した比較例の結果を表１に示した。
この実施例の製品は、比較例に比し半田濡れ性、耐半田
性とも良好であった。
ラミックス基板上（１）にタングステンまたはモリブデ
ンの高融点金属とアルミナおよびガラスからなる外部端
子バンプ（２）が突設されている。この外部端子（２）
に、Ｎｉメッキ（３）を１〜２μ施した後、８５０℃の
水素−窒素雰囲気中で約１５分保持して熱処理を行う。
この熱処理により、高融点金属を含むバンプとＮｉメッ
キ層との密着性を向上させている。その後７μｍ厚みの
Ｃｕメッキ（４）、２μｍ厚みのＮｉメッキ（５）と３
μｍのＡｕメッキ（６）施して製品を完成させた。この
実施例とＮｉメッキおよびＣｕメッキ後熱処理してＮ
ｉ、Ａｕメッキを施した比較例の結果を表１に示した。
この実施例の製品は、比較例に比し半田濡れ性、耐半田
性とも良好であった。
【０００９】
【表１】
【００１０】実施例では、バンプ付きセラミックス基板
について説明したが、前述した実施例に限定されるもの
でなく、本発明の要旨を変更しない範囲内でランドグリ
ッドアレー等のメタライズ基板にも適用できる。
について説明したが、前述した実施例に限定されるもの
でなく、本発明の要旨を変更しない範囲内でランドグリ
ッドアレー等のメタライズ基板にも適用できる。
【０００１１】
【発明の効果】本発明の方法を採用することにより、バ
ンプ付セラミックス配線基板やランドグリッドアレー
は、マザーボード等のセラミックス基板との接続工程に
おける半田付け時の半田濡れ性、耐半田性を改善するこ
とができる。
ンプ付セラミックス配線基板やランドグリッドアレー
は、マザーボード等のセラミックス基板との接続工程に
おける半田付け時の半田濡れ性、耐半田性を改善するこ
とができる。
【図１】本発明のセラミックス基板の部分拡大図であ
る。
る。
１・・・セラミック基板 ２・・・バンプ ３・・・Ｎ
ｉメッキ ４・・・Ｃｕメッキ ５・・・Ｎｉメッキ
６・・・Ａｕメッキ
ｉメッキ ４・・・Ｃｕメッキ ５・・・Ｎｉメッキ
６・・・Ａｕメッキ
Claims (1)
- 【請求項１】セラミックス配線基板のメタライズ上に、
Ｎｉメッキを施し、６００〜１０００℃で熱処理後、Ｃ
ｕメッキ、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキを順次施すことを特
徴とするセラミックス配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31256792A JPH06125162A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | セラミックス配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31256792A JPH06125162A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | セラミックス配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06125162A true JPH06125162A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=18030776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31256792A Pending JPH06125162A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | セラミックス配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06125162A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005034597A1 (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-14 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | 配線基板のパッド構造及び配線基板 |
| JP2009238790A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-15 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板の製造方法 |
-
1992
- 1992-10-09 JP JP31256792A patent/JPH06125162A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005034597A1 (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-14 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | 配線基板のパッド構造及び配線基板 |
| JPWO2005034597A1 (ja) * | 2003-10-03 | 2006-12-21 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板のパッド構造及び配線基板 |
| JP4619292B2 (ja) * | 2003-10-03 | 2011-01-26 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板のパッド構造及び配線基板 |
| JP2009238790A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-15 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4675243A (en) | Ceramic package for semiconductor devices | |
| WO1997018584A1 (fr) | Procede de formation de bosse de contact sur un dispositif a semi-conducteurs | |
| KR20000068717A (ko) | 후면에 금속층을 갖는 반도체 바디 | |
| JPH06125162A (ja) | セラミックス配線基板の製造方法 | |
| JPH05315731A (ja) | 配線基板の接続パッドの製造方法 | |
| JP3049948B2 (ja) | パッケージの製造方法 | |
| JPH0661622A (ja) | セラミック基板のめっき方法 | |
| JPH07120845B2 (ja) | セラミック配線基板及びその製造方法 | |
| US6376054B1 (en) | Surface metallization structure for multiple chip test and burn-in | |
| JPH03218644A (ja) | 回路基板の接続構造 | |
| JPH03200343A (ja) | 半田バンプの形成方法 | |
| JP2696507B2 (ja) | 複合ろう材のろう付方法 | |
| JPS63119242A (ja) | 基板 | |
| JPS6286895A (ja) | 電子部品のはんだ付け方法 | |
| JPH0226786B2 (ja) | ||
| JP2000164785A (ja) | ピン、ピンの製造方法、ピンを用いた配線基板 | |
| JPH0536754A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH1065297A (ja) | セラミック基板及びその製造方法 | |
| JPH0793329B2 (ja) | 半導体ペレツトの固定方法 | |
| JPH01147087A (ja) | 銅タングステン合金のめっき前処理方法 | |
| JPS58100967A (ja) | 金属部品の製造方法 | |
| JP2886945B2 (ja) | 配線基板 | |
| JPH0226787B2 (ja) | ||
| JPS6381839A (ja) | ろう付け方法 | |
| JPH0313558A (ja) | セラミツク基板のメツキ膜形成方法 |