JPH06125149A - 半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体素子及びその製造方法Info
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- JPH06125149A JPH06125149A JP4299295A JP29929592A JPH06125149A JP H06125149 A JPH06125149 A JP H06125149A JP 4299295 A JP4299295 A JP 4299295A JP 29929592 A JP29929592 A JP 29929592A JP H06125149 A JPH06125149 A JP H06125149A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Abstract
層を施した半導体素子及びその製造方法である。 【構成】半導体レ−ザ5に2層の誘電体薄膜層を施す。
その薄膜層を形成する際、1層目の屈折率n1と2層目
の屈折率n2の組合せから計算される1層目の膜厚d1を
含む式d1=λ1/4n1を満足させる波長λ1の半導体レ
ーザ4をモニター用として用いる。モニター用レーザ4
を駆動させた状態で蒸発源2のZnSにEBをあて、半
導体レーザ4,5に成膜する。PD6からの信号がロッ
クインアンブ8で最低点を示す時、ZnSの成膜をやめ
る。次に、半導体レーザ5を駆動させ、蒸発源3のMg
F2の成膜を行ない、レーザ5の出力が最低点を示した
時、MgF2成膜をやめ、2層AR膜を形成する。
Description
子、半導体光増幅器などの半導体素子及びその製造方法
に関するものである。
徴を有し、各種の応用が進展し、多目的に利用されてい
る。この半導体素子の光入出力面に誘電体薄膜を形成
し、保護膜、高反射膜あるいは反射防止膜(AR)とし
て用いると、半導体レーザでは高出力化、長寿命化等が
得られたり、受光素子においては、受光効率が向上した
り、あるいは半導体光増幅器においては、特性が向上し
たり等して、半導体素子全般にこれらの膜の製造技術は
重要である。
ァイバー伝送や光データ処理のデバイスとして有望視さ
れている。この半導体光増幅器は、活性層を含む半導体
レーザ構造を有し、その光入出力面に反射防止膜(A
R)コーティングを施すことによって、電流注入によっ
て高い内部ゲインを与えた場合にも、レーザ発振が抑え
られるような構造をしている。例えば、半導体光増幅器
は、図14に示す様に、基板100上形成された上下ク
ラッド層105、106に挟まれた活性層102を含む
半導体レーザ構造101を有し、そのへき開端面に無反
射(AR)コーティング103a、103bを施すこと
によって、電流104の注入で高い内部ゲインを与えた
場合にもレーザ発振が抑えられる様な構造を有してい
る。
幅器の性能を左右し、入力波長スペクトルに対するゲイ
ンの増減(ゲインリップル)を抑えるにはARコート膜
の反射率を低く押える必要がある。ゲインリップルを2
dBとした場合の単一通過ゲインGとAR反射率Rとの
条件は G・R≒または<0.1 で与えられる。例えば、ゲイン20dBとした場合の反
射率は、R≒または<0.1%となる。
プルを解消した光増幅器は、多波長多重化信号の光増幅
に有用であり、進行波型光増幅器と称される。ARの手
段としては、通常、光入出力面に、所望の屈折率を有す
る誘電体膜がλ/4(λは光波長)の厚さで形成されて
いる。所望の屈折率は、用いる半導体材料、導波路構造
で異なるがGaAs/AlGaAs系のレーザにおいて
は、最適屈折率の値はおよそn≒1.85である。この
ARコーティングは、EB蒸着法、スパッタ法、プラズ
マCVD法等による真空蒸着法により形成されるのが一
般的である。
ーティングを形成する方法には、単一材料あるいは混合
物により、蒸着条件を制御し一層構造とする方法があ
り、例えばSiO2/SiOで酸素導入量の制御によっ
てSiOxを実現し、低反射率を達成する。あるいは、
屈折率2.2のTiO2と屈折率1.63のAl2O3を
組み合わせ、2層構造によって低反射率を達成したり、
あるいは多層構造によって実現する。
薄膜を形成する場合の膜厚制御方法としては、水晶振動
子によって行なわれることがほとんどで、材料の比重等
から膜厚を換算する方法である。
ング103a、103bの形成手段としては、通常、へ
き開面に所望の屈折率を有する誘電体膜をλ/4(λは
光波長)の厚さで堆積している。ここでの所望の屈折率
は、前述した様に、用いる半導体材料、導波路構造で異
なるが、GaAs/AlGaAs系のレーザにおいて
は、最適屈折率の値はおおよそn≒1.85である。ま
た、この半導体光増器の光入出力面に反射防止膜を形成
する方法としては、SiO2、Al2O3、TiO2、Y2
O3等の酸化物、AlN,Si3N4等の窒化物を、スパ
ッタ法、EB蒸着法、プラズマCVD法等の真空蒸着法
により、単層膜であったり、2層膜あるいは、それ以上
の多層膜として形成する方法がある。
器の光入出力面にARコーティングを形成する方法とし
ては、例えば電子ビーム(EB)蒸着により、SiO2
/SiOで酸素量の制御によってSiOx(1<x<
2)組成を実現し、InP系の半導体光増幅器において
反射率0.01%以下の無反射コーティングを達成した
という報告例がある。
記従来例では以下のような問題点があった。
長光を利用した実時間モニターを用いれば、所望の膜厚
を得ることができ、容易に低反射率が得られる。しか
し、2層あるいは多層構造であると、各層の膜厚制御を
非常に厳しくしないと、広帯域対応及び低反射率は達成
できず、通常使用される水晶振動子による膜厚制御方法
では、誤差が大きく、所望の膜厚を得ることは困難であ
る。
ついては、GaAs/AlGaAs系の半導体素子にお
いては、最適屈折率の値はおよそn≒1.85であり、
この屈折率を持つ材料がない。
導体素子に対応させて低反射率になるように、酸化物、
窒化物の各材料の屈折率を組み合わせて設計することが
できるが、前述した様に、各層の膜厚制御が非常に厳し
くなり、再現性も困難である上に、いくつもの材料を使
用するので、コストも高くなり、生産性も悪くなる。
ィング材料の組成比を制御し所望の屈折率を実現する半
導体光増幅器では、薄膜が安定組成からずれる為に以下
の様な問題点がある。
ている為、幾つかの安定した組成の組み合わせ(例え
ば、SiOxの場合、SiO+SiO2)で蒸着が起こ
り、材料融点の差、充填率(packing dens
ity)の差などにより安定した作製条件を維持するの
が難しい。
コーティングの薄膜の充填率が低く、半導体端面の保護
(パッシベーションないし不活性化)の機能が低下し、
出力光の増大に伴ってデバイスの耐久性、寿命が著しく
劣化する。
導体素子に対応した最適反射率になる様に設計すること
ができるが、各層の膜厚制御が非常に厳しくなる上に、
安定した作製条件を維持するのが難しく、再現性も困難
になる。
み、膜厚制御が容易にでき再現性もよく広帯域対応の誘
電体薄膜層を施した半導体素子及びその製造方法を提供
することにある。
み、半導体素子に適した屈折率で作製条件、膜厚制御が
容易に再現性よく実現でき、コストも安く、また生産性
もよい半導体光増幅器などの半導体素子及びその製造方
法を提供することにある。
み、耐久性、再現性のよい半導体光増幅器などの半導体
光素子及びその製造方法を提供することにある。
れば、半導体素子の光入出力面の少なくとも一方に多層
の誘電体薄膜層を施した半導体素子の製造方法におい
て、その誘電体薄膜層を形成する際、1層目の誘電体薄
膜材料の所望の膜厚d1に、1層目の誘電体薄膜材料の
屈折率をn1とするとき、n1d1=λ1/4×m(mは整
数)の関係を満足させるようにするモニター波長λ1を
用いたり、あるいは半導体素子の光入出力面の少なくと
も一方に2層の誘電体薄膜層を施した半導体素子の製造
方法において、その誘電体薄膜層を形成する際、1層目
の誘電体薄膜材料の所望の膜厚d1に、1層目の誘電体
薄膜材料の屈折率をn1とするとき、n1d1=λ1/4×
m(mは整数)の関係を満足させるようにし、2層目の
誘電体薄膜材料の所望の膜厚d2に、2層目の誘電体薄
膜材料の屈折率をn2とするとき、n1d1+n2d2=λ2
/4×m´(m´は整数)の関係を満足させるようにす
る2つの異なるモニター波長λ1、λ2を用いることによ
って、膜厚制御が容易にでき、再現性もよく広帯域対応
の半導体素子を作製することができる。
子に適した屈折率で膜厚制御ができるので、反射防止膜
(AR)、保護膜などとして、光入出力半導体素子、例
えば、半導体レーザ、半導体光増幅器、フォトディテク
ター等への応用にも有効である。モニター波長発振用に
は、半導体レーザ、ガスレーザ、白色光と分光器などが
用いられる。モニター波長発振用に半導体レーザを用い
るとき、この半導体レーザの光入出力面の少なくとも一
方に、直接、誘電体薄膜を形成する実時間モニターとす
ることも出来る。
目的を達成するために半導体素子の光入ないし出力面に
誘電体薄膜層を施した半導体素子において、その誘電体
薄膜層が酸素を含む雰囲気中において形成されたZrO
2であり、ZrO2の組成および屈折率を酸素分圧によっ
て制御することにより、屈折率、膜厚制御等の再現性が
良く、またZrO2と一つの材料であるためコストが安
く、生産性を向上することができるものである。
子に適した屈折率に制御できるので、反射防止膜(A
R)、反射膜、保護膜として光入出力半導体素子、例え
ば半導体レーザ、半導体光増幅器、フォトディテクター
等の応用にも有効である。
形態による半導体素子ないしその製造方法では、半導体
素子の光入ないし出力面に誘電体薄膜層が施され、その
誘電体薄膜層が、半導体素子の光入出力面側に形成され
安定した組成を示す緻密な膜質層(典型的には、ZrO
2)であることにより、耐久性が良く、屈折率、膜厚制
御は容易に再現性が得られ、また材料が一つであるため
コストが安く、生産性が向上することができるものであ
る。前記安定した組成を示す緻密な膜質層は高周波スパ
ッタ法により形成されたり、プラズマCVDにより形成
されたりし、また 安定した組成を示す緻密な膜質層
は、その成膜時真空度が10-2Torr台から10-6T
orr台であったり、緻密な膜質層を形成する際、酸素
雰囲気を含む雰囲気中で作製されたりする。
子に適した屈折率に制御でき耐久性も良いので、反射防
止膜(AR)反射膜、保護膜として光入出力半導体素
子、例えば、半導体レーザ、半導体光増幅器、フォトデ
ィテクター等の応用にも有効である。
1は本実施例の特徴をよく表わす装置図であり、同図に
おいて、1はEB(電子ビーム)蒸着装置、2,3は蒸
発源、4はモニター用半導体レーザ、5は、例えば半導
体光増幅器として製造しようとする半導体レーザ、6は
フォトディテクター、7はコントローラー、8はロック
インアンプ、13は電源である。
い半導体レーザ5の発振波長は900nmである。この
時、1層目の成膜材料の屈折率n1と2層目の材料の屈
折率n2との組合せから計算される1層目の膜厚d1を含
む式d1=λ1/4n1を満足させる発振波長λ1を持つ半
導体レーザ4をモニター用として用いればよい。
=2.28とし、その膜厚をd1とし、2層目の材料を
MgF2でn2=1.38とし、その膜厚をd2とした時
の反射率R(%)と膜厚の関係のシミュレーション結果
を図2に示す。図2より、反射率が0.1%以下となる
ようなZnSの膜厚d1は80〜82nmであることが
必要である。材料の屈折率n1が2.28で、d1が80
〜82nmであるとき、上記式n1d1=λ1/4から、
モニター用半導体レーザの発振波長λ1がおよそ740
nmであれば良いことが計算される。
は発振波長740nmの半導体レーザを用い、半導体レ
ーザ5は発振波長900nmの半導体レーザを用い、蒸
発源2はZnS、蒸発源3はMgF2を使用する。
せた状態で蒸発源2のZnSにEBをあて、材料を蒸発
させ、半導体レーザ4および半導体レーザ5の光入出力
面に成膜する。半導体レーザ4の光入出力面にZnSが
成膜されていくと、フォトディテクター6が受けるパワ
ーが変化する。半導体レーザ4の膜厚が約81nmにな
った時、フォトディテクター6からの信号はロックイン
アンブ8で最低点を示すのでそこでZnSの成膜をスト
ップする。
せ、蒸発源3のMgF2の成膜を行なう。半導体レーザ
5の出力をモニターし、半導体レーザ5の出力が最低点
を示した時、MgF2の成膜をストップし、2層ARコ
ート膜を形成した。半導体レーザ5の光入出力面には、
1層目にZnSが約81nm成膜されており、容易に膜
厚制御ができており、低反射率な2層ARコート膜を再
現性よく実現できている。
ト膜と、n=1.85で作製した単層ARコート膜の波
長に対する反射率特性を示す。図3より、反射率が0.
1%以下である単層ARコート膜の波長範囲は約53n
mであり、本実施例の2層ARコート膜のそれは約92
nmであり、最適単層ARコート膜より、39nmも低
反射率の波長範囲が広くなっており、広帯域対応のもの
ができたことが分かる。。
実施例で2層ARコート膜を得たい半導体レーザの発振
波長は830nmであり、最終的に半導体レーザ構造を
持つ半導体光増幅器を得る。2層ARコート膜の1層目
の材料をZrO2でその屈折率をn1=2.00、膜厚を
d1とし、2層目の材料をAl2O3でその屈折率をn2=
1.63、膜厚をd2とした時の、2層ARコート膜の
反射率R(%)と膜厚d1,d2の関係のシミュレーショ
ン結果を図4に示す。図4より、反射率が0.1%以下
となるようなZrO2の膜厚d1は、60〜80nmであ
ることが必要である。材料の屈折率が2.0でd1が6
0〜80nmであるとき、n1d1=λ1/4の関係を満
たすモニター波長λ1は480〜640nmであれば良
いことが計算される。
1とほとんど同様であるが、9はガスレーザ、10は石
英基板を示す。この時の半導体レーザ5は発振波長が8
30nmのものを使用し、ガスレーザ9はArガスレー
ザで発振波長は514nm(480〜640nmの範囲
にある)であり、蒸発源2はZrO2、蒸発源3はAl2
O3を使用している。
レーザビームを石英基板10の表面に合わせ、その反射
がフォトディテクター6に入るようにセットし、蒸発源
2のZrO2にEBをあて、材料を蒸発させ、石英基板
10と半導体レーザ5の面に成膜する。Arガスレーザ
9のビームは石英基板10に当たっているため、そこに
ZrO2が成膜されていくとフォトディテクター6が受
けるパワーが変化する。石英基板10上の膜厚が約65
nmになった時、フォトディテクター6からの信号はロ
ックインアンプ8で最高点を示すので、そこでZrO2
の成膜をストップする。
3のAl2O3の成膜を行ない、半導体レーザ5の出力を
モニターする。半導体レーザ5の出力が最低点を示した
時、Al2O3の成膜をストップし、2層ARコート膜を
形成する。所望の半導体レーザ5の光入出力面には、1
層目にZrO2が約65nm成膜されており、低反射率
の2層ARコート膜を容易に再現性よく実現できてい
る。この中でガスレーザはArに限ることなく、He−
Ne、Xe等でもよく、1層目の成膜材料の屈折率と2
層目の材料の屈折率との組合せから計算される1層目の
膜厚d1にn1d1=λ1/4の関係を満たさせるようにす
る発振波長λ1をもつガスレーザであれば、いずれのも
のでもよい。
素子は半導体レーザとして使用し、また上記の如く両面
に形成した半導体素子は光増幅器として使用され、高性
能が得られる。この時、形成された薄膜層の屈折率n1
は、半導体素子の屈折率√nsより高く、光入出力面側
の屈折率n1(=2.00)が高いので反射成分が低減
でき高性能が得られる。
施例で2層ARコート膜を得たい半導体レーザの波長は
830nmであり、1層目の材料をAl2O3でその屈折
率をn1=1.63、膜厚をd1とし、2層目の材料をA
lNでその屈折率をn2=2.00、膜厚d2とした時
の、2層ARコート膜の反射率R(%)とこれら膜厚の
関係のシミュレーション結果を図6に示す。図6より、
反射率が0.1%以下となるようなAl2O3の膜厚d1
は、40nm〜60nmであることが必要である。1層
目の材料の屈折率n1が1.6でその膜厚d1が40nm
〜60nmであるとき、n1d1=λ1/4の関係を満た
すモニター波長λ1は約260nm〜395nmであれ
ば良いことが計算される。
とほとんど同様であるが、11は白色ランプ、12は分
光器を示す。この時の半導体レーザ5は830nmのも
のを使用し、分光器12は380nmに合わせており、
蒸発源2はAl2O3、蒸発源3はAlNを使用してい
る。
ビームを石英基板10の表面に合わせ、その反射がフォ
トディテクター6に入るようにセットし、蒸発源2のA
l2O3を石英基板10の表面と半導体レーザ5の面に成
膜し、実施例2と同様に最高点を示すところでAl2O3
の成膜をストップする。
のAlNの成膜を行い、半導体レーザ5の出力が最低点
を示した時、AlNの成膜をストップし2層ARコート
膜を形成した。所望の半導体レーザ5の光入出力面に
は、1層目にAl2O3が約58nm成膜されており、低
反射率の2層ARコート膜を容易に再現性よく実現でき
ている。
り、1層目の材料の屈折率、2層目の材料の屈折率との
組合せから計算される1層目の膜厚d1にn1d1=λ1/
4の関係を満たすようにさせるモニター波長λ1は、波
長分散をふまえて分光器からの波長をこれに合わせるこ
とで、容易に達成できる。
例をあげたが、EB蒸着装置に限ることなく、スパッタ
装置、プラズマCVD装置等も使用できる。
わす図面であり、同図において、21は半導体基板、2
2は半導体基板端面に形成したZrO2薄膜層を示す。
本実施例において、基板21はn型GaAs結晶基板と
し、25〜28はMBEあるいはMOCVDで形成した
エピ層である。即ち 25はp+−GaAsキャップ
層、26はp型AlGaAsクラッド層、27はGaA
s活性層、28はn型AlGaAsクラッド層、23,
24はAu電極である。
B蒸着装置に半導体基板21をセッティングし、真空度
を10-6Torr程度まで引く。次に酸素を導入し、Z
rO2のEB蒸着を行う。この時、成膜時真空度を2×
10-4Torrに固定して成膜し、λ/4(λは波長)
の膜厚となる様に実時間モニターを行いARコーティン
グを形成した。この膜厚の制御は、モニターサンプルを
用い、定電流駆動のレーザの前面あるいは後面出力をモ
ニターする方法、あるいは石英基板の反射光をモニター
する方法などの実時間モニター法によって行われるの
で、精度よく膜厚が形成される(これについては、前記
実施例を参照)。
インリップルの測定により、ARコーティングの反射率
が0.1%以下のものを容易に実現できることがわかっ
た。半導体光増幅器をしきい値電流より少し小さい定電
流注入状態とし、外部からレンズあるいは光ファイバに
よって光波を入力させ、半導体光増幅器に結合させるこ
とにより、増幅光波を得ることができる。こうして内部
ゲイン20〜30dBを達成している。
率の関係を示す。このグラフより、成膜時真空度によっ
て屈折率が変化することがわかる。これより、成膜時真
空度が2×10-4Torr程度であれば、ZrO2膜の
屈折率が約1.85になり、半導体素子に適した屈折率
であることがわかる。
ングを形成することができ、一種類の材料であるため、
コストも安く、成膜条件も一定のため生産性もよいとい
う効果がある。
様子と、基本的には同じである。
ッティングし、真空度を10-6Torr程度まで引く。
次に酸素を導入しZrO2のEB蒸着を行う。この時、
成膜時真空度を成膜始めは8×10-5Torr程度で成
膜し、膜が成膜し始めたら徐々に酸素量を増加させ、成
膜時真空度を3×10-4 Torr程度まで変化させる。
膜厚は、第4実施例と同様に実時間光学モニターを行な
い、ARコーティングを形成した。図10で示すように
屈折率は膜厚方向において、半導体基板側から空気側に
かけて1.93から1.83程度まで変化していること
がわかる。
ンリップルの測定により、ARコーティングの反射率
0.1%以下を容易に実現できることがわかった。この
場合、半導体光素子の端面側の屈折率が高く、空気側に
行くほど屈折率が低くなっているので反射成分が低減で
きる効果もある。
様子と、基本的には同じである。
r程度まで引く。次に酸素を導入しZrO2のEB蒸着
を行う。この時、成膜時真空度を成膜始めは酸素導入し
て3×10-4Torrで成膜し始める。酸素量は一定に
したまま成膜していくと、成膜時間の経過とともに成膜
真空度は徐々に高くなっていき、成膜終了時頃には10
×10-4Torr程度になる。このとき膜厚は、第4実
施例と同様に実時間光学モニターを行い、ARコーティ
ングを形成した。ここで成膜された膜の屈折率は、図1
1で示すように膜厚方向において半導体基板側から空気
側にかけて、1.83から1.90程度まで変化してい
ることがわかる。
リップルの測定によりARコーティングの反射率0.1
%以下を容易に実現できることがわかった。
部共振器レーザに用いた第7実施例を示す。本実施例に
おいては、ARコーティング40は片面のみとし、他面
35はλ/2コーティング或はノンコートである。
セスは上記実施例と全く同じである。外部共振器レーザ
は前後レンズ32,33、光増幅器31、反射ブレーズ
ドグレーティング34から構成され、グレーティング3
4への光波の入射角を変えることによって発振波長を選
択することができる。
半導体光増幅器に用いて波長多重送受信システムに適用
した第8実施例を示す。本実施例において、ARコーテ
ィングは両面に形成されている。この半導体光増幅器4
0は、ゲインリップルの測定によりARコーティングの
反射率が0.1%以下であることが分かった。半導体光
増幅器40を閾値電流より少し小さい定電流注入状態と
し、外部からレンズ或は伝送光ファイバ45によって光
波を入力させ、半導体光増幅器40に結合させることに
より、増幅光波を得ることができる。こうして内部ゲイ
ン20〜30dBを達成している。
送信部、42は受信部、43,44は夫々合波、分波器
である。こうした構成により、波長830nm及び84
0nmの信号を多重化し、光増幅器40で高ゲイン、低
リップルで増幅し、100Mbps以上の伝送速度でク
ロストークのない信号の授受が可能となる。
発明によるARコーティングを適用する例について述べ
た。しかし、基板と平行な表面、例えば、Si受光素子
の集積デバイスの一部や面発光型の発光素子、光導波路
の入出力部などの光入出力部に本発明を実施しても同様
の効果が得られることは言うまでもない。
を説明する。図8は第9実施例の特徴をもよく表す断面
図であり、同図において、22は半導体端面の緻密な誘
電体薄膜層ZrO2である。他は図8で説明した通りで
ある。
パッタ装置に半導体基板21をセッティングし、真空度
を10-6Torr程度まで引く。Arガスを導入し、高
周波(RF)パワー200Wで、ZrO2膜22の形成
を行う。この時、成膜時真空度を5×10-3Torrに
固定して成膜し、λ/4(λは波長)の膜厚となるよう
にモニターを行い、ARコーティングを形成した。この
方法で形成したZrO2膜22の耐久性は、レーザのパ
ッシベーションとして評価し、1万時間を越える耐久性
が確認されている。
ィングを形成することができ、半導体光素子の光入出力
面側に形成した誘電体薄膜層22は緻密な膜質であり十
分な耐久性を持っていることが確認されている。また反
射率も0.1%以下を達成している。この時、膜材料は
1種類であるので膜厚制御は容易であり、1つの装置で
作製できるので生産性もよく、素子作製の再現性もよく
なった。
体基板21を用いている。
ングし、真空度を10-6Torr程度まで引く。Arガ
ス、酸素を導入し、高周波(RF)パワー200WでZ
rO2膜の形成を行う。この時、酸素導入量を成膜初期
は5×10-5Torrにし、成膜終了時には3×10-3
Torrになるように変化させながら、λ/4の膜厚と
なるようにモニターを行い、ARコーティングを形成し
た。この時のARコーティングの屈折率は膜厚方向にお
いて、半導体基板から空気側にかけて、1.98から
1.83まで変化していることがわかっている。
ティングを形成することができ、半導体光素子の光入出
力面側に形成したZrO2膜は緻密な膜質であり、十分
な耐久性を持っていることが確認されている。また反射
率も0.1%以下を達成している。この時、膜材料は1
種類であるので膜厚制御は容易であり、一装置で作製で
きるので生産性もよく、再現性もよくなった。またこの
場合、半導体光素子の端面側の屈折率が高く、空気側に
行くほど屈折率が低くなっているので、反射成分が低減
できる効果もある。
と基本的には同じである。
ングし、真空度を10-6Torr程度まで引く。Arガ
ス、酸素を導入し、高周波(RF)パワー200WでZ
rO2膜の形成を行う。この時、酸素導入量を成膜初期
は3×10-3Torrにし、成膜終了時には5×10-5
Torrになるように変化させながら、λ/4の膜厚と
なるようにモニターを行い、ARコーティングを形成し
た。この時のARコーティングの屈折率は膜厚方向にお
いて、半導体基板から空気側にかけて、1.83から
1.98まで変化していることがわかっている。
ィングを形成することができ、半導体光素子の光入出力
面側に形成したZrO2膜は緻密な膜質であり、十分な
耐久性を持っていることが確認されている。また反射率
も0.1%以下を達成している。この時、膜材料は1種
類であるので膜厚制御は容易であり、一装置で作製でき
るので生産性もよく、再現性もよくなった。
基本的には同じである。
ングし、真空度を10-6Torr程度まで引く。Arガ
スを導入し、高周波パワー100WでZrO2膜の形成
を行う。この時、成膜温度を成膜初期は200°Cに
し、成膜終了時には室温になるように温度を変化させな
がらλ/4の膜厚となるようにモニターを行い、ARコ
ーティングを形成した。この時のARコーティングの屈
折率は膜厚方向において、半導体基板から空気側にかけ
て、1.98から1.83まで変化していることがわか
っている。
ィングを形成することができ、半導体光素子の光入出力
面側に形成したZrO2膜は緻密な膜質であり、十分な
耐久性を持っていることが確認されている。また反射率
も0.1%以下を達成している。この時、膜材料は1種
類であるので膜厚制御は容易であり、一装置で作製でき
るので生産性もよく、再現性もよくなった。また、この
場合、半導体光素子の端面側の屈折率が高く、空気側に
行くほど屈折率が低くなっているので、反射成分が低減
できる効果もある。
基本的には同じである。
ングし、真空度を10-6Torr程度まで引く。Arガ
スを導入し高周波パワー100WでZrO2膜の形成を
行う。この時、成膜温度を成膜初期は室温で始め、成膜
終了時には200°Cになるように温度を変化させなが
らλ/4の膜厚となるようにモニターを行い、ARコー
ティングを形成した。この時のARコーティングの屈折
率は膜厚方向において、半導体基板から空気側にかけ
て、1.83から1.98まで変化していることがわか
っている。
ィングを形成することができ、半導体光素子の光入出力
面側に形成したZrO2膜は緻密な膜質であり、十分な
耐久性を持っていることが確認されている。また反射率
も0.1%以下を達成している。この時、膜材料は1種
類であるので膜厚制御は容易であり、一装置で作製でき
るので生産性もよく、再現性もよくなった。
な誘電体薄膜層を形成する方法としてスパッタ法につい
て述べたが、これに限ることなく、プラズマCVD、I
BS等による方法でもよく、更に緻密な誘電体薄膜層が
形成されるならば他方法でもよい。
実施例による半導体光素子も、図12に示した外部レー
ザや、図13に示した波長多重送受信システムに適用す
ることができる。
出力面の少なくとも一方に誘電体薄膜層を施した半導体
素子において、その誘電体薄膜層を形成する際、1層目
の所望の膜厚d1に、1層目の誘電体薄膜材料の屈折率
n1とモニター波長λ1から求まるn1d1=λ1/4の関
係を満足させるようにするモニター波長λ1を用いるこ
とによって、膜厚制御が容易にでき、再現性もよく広帯
域対応のARコート膜を有する半導体素子を作製するこ
とができ、半導体素子の性能を向上させる効果がある。
ば、半導体素子の光入ないし出力面に誘電体薄膜層を施
した半導体光素子において、その誘電体薄膜層が酸素を
含む雰囲気において形成されたZrO2であり、ZrO2
の組成および屈折率を酸素分圧によって制御することに
より、屈折率、膜厚制御が再現性よく形成することがで
き、半導体素子の性能を向上させる効果がある。
安く、生産性も向上される。
ば、半導体光素子の光入ないし出力面に誘電体薄膜層を
施し、その誘電体薄膜層が、半導体素子の光入出力面側
に形成され安定した組成を示す緻密な膜質層であること
により、耐久性が向上し、屈折率膜厚制御は容易に再現
性が得られ、また材料が一つであるためコストが安く、
生産性が向上するという効果がある。
すグラフである。
すグラフである。
すグラフである。
すグラフである。
O2誘電体薄膜層を形成した断面図である。
度と屈折率の関係を示すグラフである。
示すグラフである。
示すグラフである。
Claims (29)
- 【請求項1】 半導体素子の光入出力面の少なくとも一
方に多層の誘電体薄膜層を施した半導体素子の製造方法
において、その誘電体薄膜層を形成する際、1層目の誘
電体薄膜材料の所望の膜厚d1に、1層目の誘電体薄膜
材料の屈折率をn1とするとき、n1d1=λ1/4×m
(mは整数)の関係を満足させるようにするモニター波
長λ1を用いることを特徴とする半導体素子の製造方
法。 - 【請求項2】 半導体素子の光入出力面の少なくとも一
方に2層の誘電体薄膜層を施した半導体素子の製造方法
において、その誘電体薄膜層を形成する際、1層目の誘
電体薄膜材料の所望の膜厚d1に、1層目の誘電体薄膜
材料の屈折率をn1とするとき、n1d1=λ1/4×m
(mは整数)の関係を満足させるようにし、2層目の誘
電体薄膜材料の所望の膜厚d2に、2層目の誘電体薄膜
材料の屈折率をn2とするとき、n1d1+n2d2=λ2/
4×m´(m´は整数)の関係を満足させるようにする
2つの異なるモニター波長λ1、λ2を用いることを特徴
とする半導体素子の製造方法。 - 【請求項3】 半導体素子の光入出力面の少なくとも一
方に誘電体薄膜を形成する際のモニター波長発振用に半
導体レーザを用い、該半導体レーザの光入出力面の少な
くとも一方に、直接、該誘電体薄膜を形成する実時間モ
ニターとすることを特徴とする請求項1または2記載の
半導体素子の製造方法。 - 【請求項4】 半導体素子の光入出力面の少なくとも一
方に誘電体薄膜を形成する際のモニター用にガラス板を
用い、そのガラス板に単一モニター波長を当てその反射
を受光する方法を用いることを特徴とする請求項1また
は2記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項5】 前記単一モニター波長発振用に半導体レ
ーザを用いることを特徴とする請求項1、2または4項
記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項6】 前記単一モニター波長発振用にガスレー
ザを用いることを特徴とする請求項1、2または4記載
の半導体素子の製造方法。 - 【請求項7】 前記単一モニター波長用に白色光を分光
して用いることを特徴とする請求項1、2または4記載
の半導体素子の製造方法。 - 【請求項8】 半導体層の光入ないし出力面に誘電体薄
膜層を施した半導体素子において、誘電体薄膜層が酸素
を含む雰囲気中において形成されたZrO2であり、該
ZrO2の組成および屈折率が該酸素の分圧によって制
御されて実現されていることを特徴とする半導体素子。 - 【請求項9】 前記酸素を含む雰囲気中において形成さ
れたZrO2膜は、半導体素子端面から空気側の膜厚方
向において、ZrO2膜の屈折率が高い屈折率から低い
屈折率になっていることを特徴とする請求項8記載の半
導体素子。 - 【請求項10】 前記酸素を含む雰囲気中において形成
されたZrO2膜は、半導体素子端面側から空気側の膜
厚方向において、ZrO2膜の屈折率が低い屈折率から
高い屈折率になっていることを特徴とする請求項8記載
の半導体素子。 - 【請求項11】 前記酸素を含む雰囲気中において形成
されたZrO2膜は電子ビーム蒸着法により形成され、
その成膜時真空度が10-5Torr台から10-3Tor
r台であることを特徴とする請求項8、9または10記
載の半導体素子。 - 【請求項12】 半導体層の光入ないし出力面に誘電体
薄膜層を施した半導体素子の製造方法において、誘電体
薄膜層が酸素を含む雰囲気中において形成されたZrO
2であり、該ZrO2の組成および屈折率が該酸素の分圧
によって制御されることを特徴とする半導体素子の製造
方法。 - 【請求項13】 前記酸素を含む雰囲気中において形成
されたZrO2膜は、酸素の分圧の制御によって、半導
体素子端面から空気側の膜厚方向において、ZrO2膜
の屈折率が高い屈折率から低い屈折率になっていること
を特徴とする請求項12記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項14】 前記酸素を含む雰囲気中において形成
されたZrO2膜は、酸素の分圧の制御によって、半導
体素子端面側から空気側の膜厚方向において、ZrO2
膜の屈折率が低い屈折率から高い屈折率になっているこ
とを特徴とする請求項12記載の半導体素子の製造方
法。 - 【請求項15】 前記酸素を含む雰囲気中において形成
されたZrO2膜は電子ビーム蒸着法により形成され、
その成膜時真空度が10-5Torr台から10-3Tor
r台であることを特徴とする請求項12、13または1
4記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項16】 半導体層の光入ないし出力面に誘電体
薄膜層を施した半導体素子において、該誘電体薄膜層
が、半導体素子の光入ないし出力面側に形成され安定し
た組成を示す緻密な膜質のZrO2層であることを特徴
とする半導体素子。 - 【請求項17】 前記ZrO2膜は、半導体素子端面か
ら空気側の膜厚方向において、ZrO2膜の屈折率が高
い屈折率から低い屈折率になっていることを特徴とする
請求項16記載の半導体素子。 - 【請求項18】 前記ZrO2膜は、半導体素子端面か
ら空気側の膜厚方向において、ZrO2膜の屈折率が低
い屈折率から高い屈折率になっていることを特徴とする
請求項16記載の半導体素子。 - 【請求項19】 前記安定した組成を示す緻密な膜質層
は高周波スパッタ法により形成されることを特徴とする
請求項16、17または18記載の半導体素子。 - 【請求項20】 前記安定した組成を示す緻密な膜質層
はプラズマCVDにより形成されることを特徴とする請
求項16、17または18記載の半導体素子。 - 【請求項21】 前記安定した組成を示す緻密な膜質層
は、その成膜時真空度が10-2Torr台から10-6T
orr台であることを特徴とする請求項16、17、1
8、19または20記載の半導体素子。 - 【請求項22】 前記緻密な膜質層を形成する際、酸素
雰囲気を含む雰囲気中で作製することを特徴とする請求
項16、17、18、19、20または21記載の半導
体素子。 - 【請求項23】 半導体層の光入ないし出力面に誘電体
薄膜層を施した半導体素子の製造方法において、該誘電
体薄膜層が、半導体素子の光入ないし出力面側に形成さ
れ安定した組成を示す緻密な膜質層であり、該膜質層は
高周波スパッタ法により形成されることを特徴とする半
導体素子の製造方法。 - 【請求項24】 半導体層の光入ないし出力面に誘電体
薄膜層を施した半導体素子の製造方法において、該誘電
体薄膜層が、半導体素子の光入ないし出力面側に形成さ
れ安定した組成を示す緻密な膜質層であり、該膜質層は
プラズマCVDにより形成されることを特徴とする半導
体素子の製造方法。 - 【請求項25】 前記安定した組成を示す緻密な膜質層
がZrO2であることを特徴とする請求項23または2
4記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項26】 前記安定した組成を示す緻密な膜質層
がZrO2であり、該ZrO2膜は、半導体素子端面から
空気側の膜厚方向において、ZrO2膜の屈折率が高い
屈折率から低い屈折率になっていることを特徴とする請
求項23または24記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項27】 前記安定した組成を示す緻密な膜質層
がZrO2であり、該ZrO2膜は、半導体素子端面から
空気側の膜厚方向において、ZrO2膜の屈折率が低い
屈折率から高い屈折率になっていることを特徴とする請
求項23または24記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項28】 前記安定した組成を示す緻密な膜質層
は、その成膜時真空度が10-2Torr台から10-6T
orr台であることを特徴とする請求項23または24
記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項29】 前記緻密な膜質層を形成する際、酸素
雰囲気を含む雰囲気中で作製することを特徴とする請求
項23または24記載の半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4299295A JPH06125149A (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | 半導体素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4299295A JPH06125149A (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | 半導体素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06125149A true JPH06125149A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=17870682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4299295A Pending JPH06125149A (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | 半導体素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06125149A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0945525A1 (de) * | 1998-03-21 | 1999-09-29 | Joachim Sacher | Beschichtungs-Verfahren und -Vorrichtung |
KR100397598B1 (ko) * | 1996-05-09 | 2003-11-17 | 삼성전자주식회사 | 전자빔에의한다중박막형성방법 |
US6756322B2 (en) | 2000-11-28 | 2004-06-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for evenly coating semiconductor laser end faces and frame used in the method |
JP2007027803A (ja) * | 2006-11-06 | 2007-02-01 | Sharp Corp | 化合物半導体レーザ |
JP2009239241A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-10-15 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体素子 |
WO2016158906A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
-
1992
- 1992-10-12 JP JP4299295A patent/JPH06125149A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100397598B1 (ko) * | 1996-05-09 | 2003-11-17 | 삼성전자주식회사 | 전자빔에의한다중박막형성방법 |
EP0945525A1 (de) * | 1998-03-21 | 1999-09-29 | Joachim Sacher | Beschichtungs-Verfahren und -Vorrichtung |
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JP2007027803A (ja) * | 2006-11-06 | 2007-02-01 | Sharp Corp | 化合物半導体レーザ |
JP2009239241A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-10-15 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体素子 |
WO2016158906A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
JP2016192499A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 学校法人明治大学 | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
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