JPH06119811A - 強誘電体薄膜素子の製造方法 - Google Patents
強誘電体薄膜素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH06119811A JPH06119811A JP26760792A JP26760792A JPH06119811A JP H06119811 A JPH06119811 A JP H06119811A JP 26760792 A JP26760792 A JP 26760792A JP 26760792 A JP26760792 A JP 26760792A JP H06119811 A JPH06119811 A JP H06119811A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- fine particles
- ferroelectric thin
- sol
- ferroelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Insulating Bodies (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 金属アルコキシドを主原料とするゾルゲル法
による強誘電体薄膜の製造において、原料を加水分解し
たゾルに強誘電体酸化物微粒子を添加し、均一に混合し
て塗布液とすることを特徴とする強誘電体薄膜素子の製
造方法。強誘電体酸化物微粒子の大きさは、０．０１μ
ｍ以上１０μｍ以下である。 【効果】 厚膜化が容易で、高い圧電ひずみ定数を持つ
圧電素子を歩留まりよく提供できた。容易なプロセスで
作製することができるため、低コストで微細化も可能で
ある。
による強誘電体薄膜の製造において、原料を加水分解し
たゾルに強誘電体酸化物微粒子を添加し、均一に混合し
て塗布液とすることを特徴とする強誘電体薄膜素子の製
造方法。強誘電体酸化物微粒子の大きさは、０．０１μ
ｍ以上１０μｍ以下である。 【効果】 厚膜化が容易で、高い圧電ひずみ定数を持つ
圧電素子を歩留まりよく提供できた。容易なプロセスで
作製することができるため、低コストで微細化も可能で
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、インクジェット記録装
置等に圧電素子としても使用可能な強誘電体薄膜素子に
関する。
置等に圧電素子としても使用可能な強誘電体薄膜素子に
関する。
【０００２】
【従来の技術】チタン酸ジルコン酸鉛（以下ＰＺＴと記
す）に代表される圧電体として用いられる強誘電体薄膜
は、スパッタ法、ゾルゲル法、ＣＶＤ法、レーザアブレ
ーション法等で形成することができる。膜厚を厚くする
ためには、成膜する堆積時間を増加させたり、成膜を複
数回繰り返すことにより対応している。ペロブスカイト
構造を得るために、通常５００〜７００℃の酸素雰囲気
中でアニールが行なわれている。
す）に代表される圧電体として用いられる強誘電体薄膜
は、スパッタ法、ゾルゲル法、ＣＶＤ法、レーザアブレ
ーション法等で形成することができる。膜厚を厚くする
ためには、成膜する堆積時間を増加させたり、成膜を複
数回繰り返すことにより対応している。ペロブスカイト
構造を得るために、通常５００〜７００℃の酸素雰囲気
中でアニールが行なわれている。
【０００３】特にゾルゲル法は組成制御性に優れてお
り、スピンコートと焼成を繰り返すことで容易に薄膜を
得ることができる。フォトエッチング工程を用いたパタ
ーニングが可能で、素子化も容易である。
り、スピンコートと焼成を繰り返すことで容易に薄膜を
得ることができる。フォトエッチング工程を用いたパタ
ーニングが可能で、素子化も容易である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の圧電体
として用いられる強誘電体薄膜の製造方法は、１μｍ以
上の厚い膜を製造するには適さず、非常に長時間を要し
たり、厚膜化できてもクラックが発生するなどの問題を
有していた。インクジェット記録装置等に圧電素子とし
て用いる場合、２μｍ〜１０μｍ程度の膜厚が必要とな
る。
として用いられる強誘電体薄膜の製造方法は、１μｍ以
上の厚い膜を製造するには適さず、非常に長時間を要し
たり、厚膜化できてもクラックが発生するなどの問題を
有していた。インクジェット記録装置等に圧電素子とし
て用いる場合、２μｍ〜１０μｍ程度の膜厚が必要とな
る。
【０００５】そこで本発明はこのような問題点を解決す
るもので、その目的とするところは、ゾルゲル法による
厚膜化が容易で、高い圧電ひずみ定数を持つ強誘電体薄
膜素子の製造方法を提供するところにある。
るもので、その目的とするところは、ゾルゲル法による
厚膜化が容易で、高い圧電ひずみ定数を持つ強誘電体薄
膜素子の製造方法を提供するところにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の強誘電体薄膜素
子の製造方法は、金属アルコキシドを主原料とするゾル
ゲル法による強誘電体薄膜製造において、原料を加水分
解したゾルに強誘電体酸化物微粒子を添加し、均一に混
合して塗布液とすることを特徴とする。
子の製造方法は、金属アルコキシドを主原料とするゾル
ゲル法による強誘電体薄膜製造において、原料を加水分
解したゾルに強誘電体酸化物微粒子を添加し、均一に混
合して塗布液とすることを特徴とする。
【０００７】
【作用】ゾルゲル法を用いた、割れやガラス内の欠陥を
生じない大型石英ガラスの製造方法として、アルコキシ
シランを酸で加水分解したゾルにシリカ微粒子を混合さ
せた後、ゲル化させる方法が知られている（特開昭６０
−１３１８３３）。シリカ微粒子の添加は収縮率を減ら
し、残留応力の吸収に有効である。シリカ微粒子を混合
しないと、ゲルの乾燥・焼成の工程で、例外なく割れや
クラックが発生した。同様にチタン、ジルコニウム、鉛
のアルコキシドまたはアセテートを酸で加水分解したゾ
ルを塗布すると、溶媒によらず緻密な膜ができ、重ね塗
りや加熱プロセスでクラックが入る。ＰＺＴ微粒子を添
加すると、前述の効果により容易に厚膜が形成でき、し
かも物性や電気特性に優れたＰＺＴ薄膜となる。
生じない大型石英ガラスの製造方法として、アルコキシ
シランを酸で加水分解したゾルにシリカ微粒子を混合さ
せた後、ゲル化させる方法が知られている（特開昭６０
−１３１８３３）。シリカ微粒子の添加は収縮率を減ら
し、残留応力の吸収に有効である。シリカ微粒子を混合
しないと、ゲルの乾燥・焼成の工程で、例外なく割れや
クラックが発生した。同様にチタン、ジルコニウム、鉛
のアルコキシドまたはアセテートを酸で加水分解したゾ
ルを塗布すると、溶媒によらず緻密な膜ができ、重ね塗
りや加熱プロセスでクラックが入る。ＰＺＴ微粒子を添
加すると、前述の効果により容易に厚膜が形成でき、し
かも物性や電気特性に優れたＰＺＴ薄膜となる。
【０００８】ＰＺＴ微粒子は、焼結体でも水酸化物凝集
体でもかまわないが、０．０１μｍ以上ないとクラック
発生を防ぐ効果はなく、逆に１０μｍ以上あると成膜が
困難となる。ＰＺＴ微粒子の製造法は種々あるが、チタ
ン、ジルコニウム、鉛のアルコキシドを原料として複合
アルコキシドを形成し、加水分解・重合により均一組成
の単分散微粒子を得たものが、電気特性としては最もよ
くなる。
体でもかまわないが、０．０１μｍ以上ないとクラック
発生を防ぐ効果はなく、逆に１０μｍ以上あると成膜が
困難となる。ＰＺＴ微粒子の製造法は種々あるが、チタ
ン、ジルコニウム、鉛のアルコキシドを原料として複合
アルコキシドを形成し、加水分解・重合により均一組成
の単分散微粒子を得たものが、電気特性としては最もよ
くなる。
【０００９】
（実施例１）鉛ジイソプロポキシド０．１モル、ジルコ
ニウムテトラブトキシド０．０５２モル、チタンテトラ
イソプロポキシド０．０４８モルを２リットルのエタノ
ール中で混合し、窒素雰囲気で４８時間還流した。室温
にもどし、攪拌しながら０．４モルの水を溶かした０．
５リットルのエタノールを滴下した。白濁後、５０℃で
５時間熟成し、平均粒径０．８μｍのＰＺＴ微粒子を得
た。遠心分離により、ＰＺＴ微粒子を単離できた。
ニウムテトラブトキシド０．０５２モル、チタンテトラ
イソプロポキシド０．０４８モルを２リットルのエタノ
ール中で混合し、窒素雰囲気で４８時間還流した。室温
にもどし、攪拌しながら０．４モルの水を溶かした０．
５リットルのエタノールを滴下した。白濁後、５０℃で
５時間熟成し、平均粒径０．８μｍのＰＺＴ微粒子を得
た。遠心分離により、ＰＺＴ微粒子を単離できた。
【００１０】それとは別に、酢酸鉛０．１モルを２０ミ
リリットルの酢酸に溶かし、３０分間還流した。室温に
もどし、ジルコニウムテトラブトキシド０．０５２モ
ル、チタンテトライソプロポキシド０．０４８モルを溶
解させ、１モルの水と少量のジエチレングリコールを滴
下し、充分に攪拌して加水分解させた。２−メトキシエ
タノールで希釈した後、平均粒径０．８μｍのＰＺＴ微
粒子を添加し、超音波照射により均質なゾルとした。
リリットルの酢酸に溶かし、３０分間還流した。室温に
もどし、ジルコニウムテトラブトキシド０．０５２モ
ル、チタンテトライソプロポキシド０．０４８モルを溶
解させ、１モルの水と少量のジエチレングリコールを滴
下し、充分に攪拌して加水分解させた。２−メトキシエ
タノールで希釈した後、平均粒径０．８μｍのＰＺＴ微
粒子を添加し、超音波照射により均質なゾルとした。
【００１１】シリコン基板上に白金電極を形成し、その
上に調製したゾルをロールコートで塗布し、４００℃に
加熱した。１．５μｍの膜厚で、クラックを生じること
なく成膜できた。図１にこの仮焼成した強誘電体薄膜の
内部構造を表す模式図を示す。１１がＰＺＴ微粒子、１
２が高次に架橋したＰＺＴ重合体である。塗布、加熱を
更に３回繰り返し、約６μｍのＰＺＴ薄膜を得た。６０
０℃の酸素雰囲気中で１５時間アニールし、ペロブスカ
イト構造を得た。微粒子の界面は消失しており、結晶粒
が成長していた。膜厚は約５μｍになったが、表面にク
ラックは発生せず無色の鏡面であった。
上に調製したゾルをロールコートで塗布し、４００℃に
加熱した。１．５μｍの膜厚で、クラックを生じること
なく成膜できた。図１にこの仮焼成した強誘電体薄膜の
内部構造を表す模式図を示す。１１がＰＺＴ微粒子、１
２が高次に架橋したＰＺＴ重合体である。塗布、加熱を
更に３回繰り返し、約６μｍのＰＺＴ薄膜を得た。６０
０℃の酸素雰囲気中で１５時間アニールし、ペロブスカ
イト構造を得た。微粒子の界面は消失しており、結晶粒
が成長していた。膜厚は約５μｍになったが、表面にク
ラックは発生せず無色の鏡面であった。
【００１２】強誘電体薄膜上にアルミニウム電極を形成
し、物性を測定したところ比誘電率１２００、圧電ひず
み定数１００ｐＣ／Ｎと優れた特性を示した。また、ヤ
ング率は５．５×１０10Ｎ／ｍ2 であった。ＰＺＴ薄膜
を王水で溶かしＩＣＰで化学分析したところ、モル比は
（Ｐｂ：Ｚｒ：Ｔｉ）＝（１：０．５２：０．４８）で
あり、原料仕込組成と同一であった。
し、物性を測定したところ比誘電率１２００、圧電ひず
み定数１００ｐＣ／Ｎと優れた特性を示した。また、ヤ
ング率は５．５×１０10Ｎ／ｍ2 であった。ＰＺＴ薄膜
を王水で溶かしＩＣＰで化学分析したところ、モル比は
（Ｐｂ：Ｚｒ：Ｔｉ）＝（１：０．５２：０．４８）で
あり、原料仕込組成と同一であった。
【００１３】シリコンでインク流路を形成し、窒化珪素
の振動板上に前述の方法でＰＺＴ薄膜を形成した後、フ
ォトエッチングにより幅０．２ｍｍ、長さ４ｍｍにパタ
ーニングした。電極を形成し圧電素子としてインクを吐
出させたところ、充分な吐出力が得られた。図２にこの
圧電体薄膜素子の概念を模式的に表す断面図を示す。４
８ノズル構成のインクジェット記録装置を作製して印字
すると、良好な印字品質が得られた。製造安定性、特性
の再現性も大変優れていた。
の振動板上に前述の方法でＰＺＴ薄膜を形成した後、フ
ォトエッチングにより幅０．２ｍｍ、長さ４ｍｍにパタ
ーニングした。電極を形成し圧電素子としてインクを吐
出させたところ、充分な吐出力が得られた。図２にこの
圧電体薄膜素子の概念を模式的に表す断面図を示す。４
８ノズル構成のインクジェット記録装置を作製して印字
すると、良好な印字品質が得られた。製造安定性、特性
の再現性も大変優れていた。
【００１４】（実施例２）硝酸鉛０．０９１モル、オキ
シ硝酸ジルコニウム０．０５５モル、硝酸ランタン０．
００９モルを水に溶かして混合溶液とし、６規定アンモ
ニア水中に攪拌しながら滴下し共沈水酸化物を得た。更
にこの懸濁溶液に四塩化チタン０．０４５モルを水に溶
かして滴下し、混合水酸化物を得た。濾過、洗浄後８０
０℃に加熱し、平均粒径０．２μｍのランタン添加ＰＺ
Ｔ（以下ＰＬＺＴと記す）微粒子を得た。
シ硝酸ジルコニウム０．０５５モル、硝酸ランタン０．
００９モルを水に溶かして混合溶液とし、６規定アンモ
ニア水中に攪拌しながら滴下し共沈水酸化物を得た。更
にこの懸濁溶液に四塩化チタン０．０４５モルを水に溶
かして滴下し、混合水酸化物を得た。濾過、洗浄後８０
０℃に加熱し、平均粒径０．２μｍのランタン添加ＰＺ
Ｔ（以下ＰＬＺＴと記す）微粒子を得た。
【００１５】それとは別に、酢酸鉛０．０９１モル、酢
酸ランタン０．００９モルを２０ミリリットルの酢酸に
溶かし、３０分間還流した。室温にもどし、ジルコニウ
ムテトラブトキシド０．０５２モル、チタンテトライソ
プロポキシド０．０４８モルを溶解させ、１モルの水と
少量のジエチレングリコールを滴下し、充分に攪拌して
加水分解させた。プロパノールで希釈した後、平均粒径
０．２μｍのＰＬＺＴ微粒子を添加し、超音波照射によ
り均質なゾルとした。
酸ランタン０．００９モルを２０ミリリットルの酢酸に
溶かし、３０分間還流した。室温にもどし、ジルコニウ
ムテトラブトキシド０．０５２モル、チタンテトライソ
プロポキシド０．０４８モルを溶解させ、１モルの水と
少量のジエチレングリコールを滴下し、充分に攪拌して
加水分解させた。プロパノールで希釈した後、平均粒径
０．２μｍのＰＬＺＴ微粒子を添加し、超音波照射によ
り均質なゾルとした。
【００１６】シリコン基板上に白金電極を形成し、その
上に調製したゾルをスピンコートで塗布し、４００℃に
加熱した。２μｍの膜厚で、クラックを生じることなく
成膜できた。塗布、加熱を更に３回繰り返し、約８μｍ
のＰＬＺＴ薄膜を得た。５００℃の酸素雰囲気中で１５
時間アニールし、ペロブスカイト構造を得た。微粒子の
界面は消失しており、結晶粒が成長していた。膜厚は約
７μｍになったが、表面にクラックは発生せず無色の鏡
面であった。
上に調製したゾルをスピンコートで塗布し、４００℃に
加熱した。２μｍの膜厚で、クラックを生じることなく
成膜できた。塗布、加熱を更に３回繰り返し、約８μｍ
のＰＬＺＴ薄膜を得た。５００℃の酸素雰囲気中で１５
時間アニールし、ペロブスカイト構造を得た。微粒子の
界面は消失しており、結晶粒が成長していた。膜厚は約
７μｍになったが、表面にクラックは発生せず無色の鏡
面であった。
【００１７】強誘電体薄膜上にアルミニウム電極を形成
し、物性を測定したところ比誘電率１０００、圧電ひず
み定数１３０ｐＣ／Ｎと優れた特性を示した。実施例１
と同様にフォトエッチングにより容易に素子化すること
ができ、強誘電体薄膜素子としての特性も優れていた。
し、物性を測定したところ比誘電率１０００、圧電ひず
み定数１３０ｐＣ／Ｎと優れた特性を示した。実施例１
と同様にフォトエッチングにより容易に素子化すること
ができ、強誘電体薄膜素子としての特性も優れていた。
【００１８】（実施例３）気相反応による乾式法によ
り、平均粒径０．０２μｍのＰＺＴ微粒子を得た。
り、平均粒径０．０２μｍのＰＺＴ微粒子を得た。
【００１９】それとは別に、鉛ジイソプロポキシド０．
１モル、ジルコニウムテトラブトキシド０．０５２モ
ル、チタンテトライソプロポキシド０．０４８モルをプ
ロパノールとアセチルアセトンの混合溶媒に溶解させ、
９５℃で１０時間攪拌した。そこに水とプロパノールの
混合溶液を滴下し、充分に攪拌して加水分解させた。平
均粒径０．０２μｍのＰＺＴ微粒子を添加し、超音波照
射により均質なゾルとした。
１モル、ジルコニウムテトラブトキシド０．０５２モ
ル、チタンテトライソプロポキシド０．０４８モルをプ
ロパノールとアセチルアセトンの混合溶媒に溶解させ、
９５℃で１０時間攪拌した。そこに水とプロパノールの
混合溶液を滴下し、充分に攪拌して加水分解させた。平
均粒径０．０２μｍのＰＺＴ微粒子を添加し、超音波照
射により均質なゾルとした。
【００２０】シリコン基板上に白金電極を形成し、その
上に調製したゾルをスピンコートで塗布し、４００℃に
加熱した。３μｍの膜厚で、クラックを生じることなく
成膜できた。７５０℃の酸素雰囲気中で５時間アニール
し、ペロブスカイト構造を得た。微粒子の界面は消失し
ており、結晶粒が成長していた。膜厚は約２．５μｍに
なったが、表面にクラックは発生せず無色の鏡面であっ
た。
上に調製したゾルをスピンコートで塗布し、４００℃に
加熱した。３μｍの膜厚で、クラックを生じることなく
成膜できた。７５０℃の酸素雰囲気中で５時間アニール
し、ペロブスカイト構造を得た。微粒子の界面は消失し
ており、結晶粒が成長していた。膜厚は約２．５μｍに
なったが、表面にクラックは発生せず無色の鏡面であっ
た。
【００２１】強誘電体薄膜上にアルミニウム電極を形成
し、物性を測定したところ比誘電率１０００、圧電ひず
み定数８０ｐＣ／Ｎと優れた特性を示した。実施例１と
同様にフォトエッチングにより容易に素子化することが
でき、強誘電体薄膜素子としての特性も良好であった。
絶縁性が優れているため、ＤＲＡＭのキャパシタ絶縁膜
にも応用が可能である。
し、物性を測定したところ比誘電率１０００、圧電ひず
み定数８０ｐＣ／Ｎと優れた特性を示した。実施例１と
同様にフォトエッチングにより容易に素子化することが
でき、強誘電体薄膜素子としての特性も良好であった。
絶縁性が優れているため、ＤＲＡＭのキャパシタ絶縁膜
にも応用が可能である。
【００２２】（実施例４）実施例１に示したような複合
アルコキシド法の、加水分解条件を変えることにより、
平均粒径の異なるＰＺＴ微粒子を各種用意した。各種Ｐ
ＺＴ微粒子を鉛ジイソプロポキシド、ジルコニウムテト
ラブトキシド、チタンテトライソプロポキシドを加水分
解させたゾルに適当量添加し、超音波照射により均質な
ゾルとした。成膜した際の塗膜の均質性と、加熱した際
のクラックの有無を表１に示す。
アルコキシド法の、加水分解条件を変えることにより、
平均粒径の異なるＰＺＴ微粒子を各種用意した。各種Ｐ
ＺＴ微粒子を鉛ジイソプロポキシド、ジルコニウムテト
ラブトキシド、チタンテトライソプロポキシドを加水分
解させたゾルに適当量添加し、超音波照射により均質な
ゾルとした。成膜した際の塗膜の均質性と、加熱した際
のクラックの有無を表１に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】塗布方法はバーコート、ディップコート、
ロールコート、スピンコートなど、ゾルの性質により各
種の方法が可能であった。表面にクラックの発生しない
無色の鏡面を有する均質な膜を得るためには、ＰＺＴ微
粒子の大きさが、０．０１μｍ以上１０μｍ以下である
必要がある。また強誘電体薄膜の物性は、ＰＺＴ微粒子
の平均粒径より、化学組成やアニール条件、基板の状態
の方が支配的であることがわかった。
ロールコート、スピンコートなど、ゾルの性質により各
種の方法が可能であった。表面にクラックの発生しない
無色の鏡面を有する均質な膜を得るためには、ＰＺＴ微
粒子の大きさが、０．０１μｍ以上１０μｍ以下である
必要がある。また強誘電体薄膜の物性は、ＰＺＴ微粒子
の平均粒径より、化学組成やアニール条件、基板の状態
の方が支配的であることがわかった。
【００２５】以上実施例を挙げて述べてきたが、本発明
は強誘電体酸化物の組成比や原料の種類になんら限定さ
れるものでは無い。原料を加水分解したゾルと、強誘電
体酸化物微粒子の混合比も種々可能である。
は強誘電体酸化物の組成比や原料の種類になんら限定さ
れるものでは無い。原料を加水分解したゾルと、強誘電
体酸化物微粒子の混合比も種々可能である。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたように本発明の圧電体として
も使用可能な強誘電体薄膜素子の製造方法は、金属アル
コキシドを主原料とするゾルゲル法による強誘電体薄膜
の製造において、原料を加水分解したゾルに強誘電体酸
化物微粒子を添加し、均一に混合して塗布液とすること
により、厚膜化が容易で、高い圧電ひずみ定数を持つ圧
電素子を歩留まりよく提供できた。容易なプロセスで作
製することができるため、低コストで微細化が求められ
る高性能の圧電体又は、強誘電体薄膜素子として広く応
用することができる。
も使用可能な強誘電体薄膜素子の製造方法は、金属アル
コキシドを主原料とするゾルゲル法による強誘電体薄膜
の製造において、原料を加水分解したゾルに強誘電体酸
化物微粒子を添加し、均一に混合して塗布液とすること
により、厚膜化が容易で、高い圧電ひずみ定数を持つ圧
電素子を歩留まりよく提供できた。容易なプロセスで作
製することができるため、低コストで微細化が求められ
る高性能の圧電体又は、強誘電体薄膜素子として広く応
用することができる。
【図１】 本発明における結晶化させる前の強誘電体薄
膜の内部構造を表す模式図である。
膜の内部構造を表す模式図である。
【図２】 本発明の実施例１における、インクジェット
記録装置に用いる圧電体薄膜素子の概念を模式的に表す
断面図である。
記録装置に用いる圧電体薄膜素子の概念を模式的に表す
断面図である。
１１‥‥‥‥強誘電体酸化物微粒子 １２‥‥‥‥高次に架橋した強誘電体酸化物重合体 ２１‥‥‥‥シリコン基板 ２２‥‥‥‥振動板 ２３‥‥‥‥下電極 ２４‥‥‥‥圧電体薄膜 ２５‥‥‥‥上電極 ２６‥‥‥‥インク流路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ４１Ｊ 2/045 2/055 Ｈ０１Ｌ 27/108 9170−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 27/10 ３２５ Ｊ
Claims (4)
- 【請求項１】 金属アルコキシドを主原料とするゾルゲ
ル法による強誘電体薄膜の製造において、原料を加水分
解したゾルに強誘電体酸化物微粒子を添加し、均一に混
合して塗布液とすることを特徴とする強誘電体薄膜素子
の製造方法。 - 【請求項２】 添加する前記強誘電体酸化物微粒子の大
きさが、０．０１μｍ以上１０μｍ以下であることを特
徴とする請求項１記載の強誘電体薄膜素子の製造方法。 - 【請求項３】 添加する前記強誘電体酸化物微粒子が、
複合金属アルコキシドから製造した均一組成の単分散微
粒子であることを特徴とする請求項１記載の強誘電体薄
膜素子の製造方法。 - 【請求項４】 添加する前記強誘電体酸化物微粒子が、
乾式法、共沈法、キレート法、多段湿式法いずれかの方
法で製造した微粒子であることを特徴とする請求項１記
載の強誘電体薄膜素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26760792A JP3477724B2 (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 強誘電体膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26760792A JP3477724B2 (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 強誘電体膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06119811A true JPH06119811A (ja) | 1994-04-28 |
| JP3477724B2 JP3477724B2 (ja) | 2003-12-10 |
Family
ID=17447075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26760792A Expired - Lifetime JP3477724B2 (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 強誘電体膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3477724B2 (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0667324A1 (en) * | 1994-02-14 | 1995-08-16 | Hughes Aircraft Company | Ferroelectric aerogel composites for voltage-variable dielectric tuning, and method for making the same |
| EP0913359A4 (en) * | 1996-07-17 | 1999-10-20 | Citizen Watch Co Ltd | FERROELECTRIC ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
| FR2788167A1 (fr) * | 1998-12-30 | 2000-07-07 | Samsung Electro Mech | Procede de fabrication d'un film epais piezoelectrique electrostrictif utilisant une couche d'ensemencement |
| JP2001322286A (ja) * | 2000-05-18 | 2001-11-20 | Konica Corp | インクジェットヘッド及びインクジェットヘッドプリンタ並びにインクジェットヘッドの製造方法 |
| JP2002047011A (ja) * | 2000-08-02 | 2002-02-12 | Mitsubishi Materials Corp | 緻密質ペロブスカイト型金属酸化物薄膜の形成方法及び緻密質ペロブスカイト型金属酸化物薄膜 |
| JP2004149391A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Nippon Shokubai Co Ltd | 金属酸化物膜形成用組成物 |
| WO2004097854A1 (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-11 | Asahi Glass Company, Limited | 強誘電体薄膜形成用液状組成物および強誘電体薄膜の製造方法 |
| WO2005010895A1 (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-03 | Asahi Glass Company, Limited | 強誘電体薄膜形成用液状組成物および強誘電体薄膜の製造方法 |
| JP2006160600A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
| WO2007020971A1 (ja) * | 2005-08-19 | 2007-02-22 | Asahi Glass Co., Ltd. | 強誘電体層付き基体の製造方法 |
| JP2007516821A (ja) * | 2003-11-06 | 2007-06-28 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | モノリシック成形品の製造方法 |
| JP2008078669A (ja) * | 2001-02-09 | 2008-04-03 | Seiko Epson Corp | 圧電体素子及びインクジェットヘッド |
| JP2009007247A (ja) * | 2001-08-03 | 2009-01-15 | Nippon Soda Co Ltd | 金属−酸素を有する分散質 |
| JP2010103556A (ja) * | 2009-12-28 | 2010-05-06 | Fujitsu Ltd | 回路基板、電子装置、及び回路基板の製造方法 |
| JP2013079157A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-02 | Nippon Tungsten Co Ltd | 膜状の無機材料 |
| JP2013197541A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 超音波厚みセンサの製造方法 |
| JP2014060282A (ja) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Ricoh Co Ltd | 電気機械変換膜の製造方法、電気機械変換膜、電気機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び画像形成装置 |
| JP2021012942A (ja) * | 2019-07-05 | 2021-02-04 | 本多電子株式会社 | 超音波振動子及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-10-06 JP JP26760792A patent/JP3477724B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0667324A1 (en) * | 1994-02-14 | 1995-08-16 | Hughes Aircraft Company | Ferroelectric aerogel composites for voltage-variable dielectric tuning, and method for making the same |
| EP0913359A4 (en) * | 1996-07-17 | 1999-10-20 | Citizen Watch Co Ltd | FERROELECTRIC ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
| US6255762B1 (en) | 1996-07-17 | 2001-07-03 | Citizen Watch Co., Ltd. | Ferroelectric element and process for producing the same |
| US6316866B1 (en) | 1996-07-17 | 2001-11-13 | Citizen Watch Co., Ltd. | Ferroelectric element and process for producing the same |
| US6350486B2 (en) | 1996-07-17 | 2002-02-26 | Citizen Watch Co., Ltd. | Ferroelectric element and process for producing the same |
| FR2788167A1 (fr) * | 1998-12-30 | 2000-07-07 | Samsung Electro Mech | Procede de fabrication d'un film epais piezoelectrique electrostrictif utilisant une couche d'ensemencement |
| JP2001322286A (ja) * | 2000-05-18 | 2001-11-20 | Konica Corp | インクジェットヘッド及びインクジェットヘッドプリンタ並びにインクジェットヘッドの製造方法 |
| JP2002047011A (ja) * | 2000-08-02 | 2002-02-12 | Mitsubishi Materials Corp | 緻密質ペロブスカイト型金属酸化物薄膜の形成方法及び緻密質ペロブスカイト型金属酸化物薄膜 |
| JP2008078669A (ja) * | 2001-02-09 | 2008-04-03 | Seiko Epson Corp | 圧電体素子及びインクジェットヘッド |
| JP2009007247A (ja) * | 2001-08-03 | 2009-01-15 | Nippon Soda Co Ltd | 金属−酸素を有する分散質 |
| JP2004149391A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Nippon Shokubai Co Ltd | 金属酸化物膜形成用組成物 |
| JPWO2004097854A1 (ja) * | 2003-04-30 | 2006-07-13 | 旭硝子株式会社 | 強誘電体薄膜形成用液状組成物および強誘電体薄膜の製造方法 |
| WO2004097854A1 (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-11 | Asahi Glass Company, Limited | 強誘電体薄膜形成用液状組成物および強誘電体薄膜の製造方法 |
| US7208324B2 (en) | 2003-04-30 | 2007-04-24 | Asahi Glass Company, Limited | Liquid composition for forming ferroelectric thin film and process for producing ferroelectric thin film |
| WO2005010895A1 (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-03 | Asahi Glass Company, Limited | 強誘電体薄膜形成用液状組成物および強誘電体薄膜の製造方法 |
| JPWO2005010895A1 (ja) * | 2003-07-28 | 2006-09-14 | 旭硝子株式会社 | 強誘電体薄膜形成用液状組成物および強誘電体薄膜の製造方法 |
| JP2007516821A (ja) * | 2003-11-06 | 2007-06-28 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | モノリシック成形品の製造方法 |
| JP2006160600A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
| WO2007020971A1 (ja) * | 2005-08-19 | 2007-02-22 | Asahi Glass Co., Ltd. | 強誘電体層付き基体の製造方法 |
| JP5029363B2 (ja) * | 2005-08-19 | 2012-09-19 | 旭硝子株式会社 | 強誘電体層付き基体の製造方法 |
| JP2010103556A (ja) * | 2009-12-28 | 2010-05-06 | Fujitsu Ltd | 回路基板、電子装置、及び回路基板の製造方法 |
| JP2013079157A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-02 | Nippon Tungsten Co Ltd | 膜状の無機材料 |
| JP2013197541A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 超音波厚みセンサの製造方法 |
| JP2014060282A (ja) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Ricoh Co Ltd | 電気機械変換膜の製造方法、電気機械変換膜、電気機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び画像形成装置 |
| JP2021012942A (ja) * | 2019-07-05 | 2021-02-04 | 本多電子株式会社 | 超音波振動子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3477724B2 (ja) | 2003-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3477724B2 (ja) | 強誘電体膜の形成方法 | |
| JP3209082B2 (ja) | 圧電体薄膜素子及びその製造方法、並びにこれを用いたインクジェット式記録ヘッド | |
| JP3207206B2 (ja) | 強誘電体素子及びその製造方法 | |
| JP3487068B2 (ja) | 圧電体薄膜およびその製造法ならびにそれを用いたインクジェット記録ヘッド | |
| JP3254750B2 (ja) | 強誘電体薄膜素子、インクジェット記録装置および強誘電体薄膜素子の製造方法 | |
| JP2004107181A (ja) | 圧電体素子形成用組成物、圧電体膜の製造方法、圧電体素子及びインクジェット記録ヘッド | |
| JP2004107179A (ja) | 圧電体前駆体ゾル、圧電体膜の製造方法、圧電体素子およびインクジェット記録ヘッド | |
| JPH06112550A (ja) | 圧電体、強誘電体薄膜素子の製造方法 | |
| JPH06297720A (ja) | インクジェット記録ヘッドの製造方法 | |
| US7036915B2 (en) | Composition for forming piezoelectric film, producing method for piezoelectric film, piezoelectric element and ink jet recording head | |
| JP4795633B2 (ja) | 基材上に圧電性厚膜を製造する方法 | |
| JP3451700B2 (ja) | インクジェット記録ヘッド及びその製造方法 | |
| JP3213295B2 (ja) | 電気泳動成膜法を利用した圧電／電歪膜型素子の低温形成方法及びその圧電／電歪膜型素子 | |
| JP4237967B2 (ja) | ゾルゲル工程を用いたジルコン酸−チタン酸鉛厚膜の製造方法 | |
| JP3592053B2 (ja) | インクジェットプリンタヘッド及びその製造方法 | |
| JP2004111835A (ja) | 圧電体素子の製造方法、圧電体素子及びインクジェット式記録ヘッド | |
| JPH10211705A (ja) | 電気機械変換素子及びその製造方法並びにインクジェットヘッド | |
| JP2000124514A (ja) | 強誘電体素子の製造方法 | |
| JPH1126833A (ja) | 強誘電体素子 | |
| JPH10278261A (ja) | 強誘電体素子 | |
| JP2000058935A (ja) | 強誘電体素子の製造方法 | |
| JPH10270772A (ja) | 強誘電体薄膜素子 | |
| US6432238B1 (en) | Method for fabricating piezoelectric/electrostrictive thick film using seeding layer | |
| JP2000124515A (ja) | 強誘電体素子の製造方法 | |
| JPH1086365A (ja) | 強誘電体薄膜素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081003 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091003 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101003 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101003 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111003 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121003 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121003 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131003 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131003 Year of fee payment: 10 |