JPH06116722A - Sputtering method, sputtering device, vacuum treatment device and thermocouple - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To provide the sputtering method which can uniformly form films by preventing the back flow and diffusion of reactive gases. CONSTITUTION:The pressure P1 in a first film forming chamber 20 is maintained always higher than the pressure P2 in a second film forming chamber 30 by a first automatic pressure controller 28 and second automatic pressure controller 38 of the sputtering device 1. The reactive gases R are injected from an orifice 39 toward the side opposite from a gate part 50. The reactive gases R are discharged from a discharge port 341 provided in the position facing the orifice 39 to each other.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング方法，
スパッタリング装置，真空処理装置および熱電対に関す
る。The present invention relates to a sputtering method,
The present invention relates to a sputtering device, a vacuum processing device and a thermocouple.

【０００２】[0002]

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】[Prior Art and Problems to be Solved by the Invention]

Ａ．本発明のスパッタリング方法およびスパッタリング
装置について 〔従来の技術〕アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）太陽
電池は、結晶と比べて変換効率が低いという問題があ
る。アモルファスシリコン太陽電池の変換効率を向上さ
せる一方法として、スパッタリング装置を用いて太陽電
池用裏面反射層を堆積する方法が提案されている。ここ
で、太陽電池用裏面反射層とは、光に対する反射率の高
い金属膜の上に、光透過率および導電性の高い透明導電
膜を形成してなるものである。しかし、太陽電池用裏面
反射層をロールツーロール方式で連続成膜する際に、反
応性ガスを用いない通常のスパッタリング装置（以下、
「通常のスパッタリング装置」と称する。）を用いて金
属膜および透明導電膜を堆積すると、酸化物を必要とす
る透明導電膜の堆積に時間がかかるという問題がある。A. Regarding the sputtering method and sputtering apparatus of the present invention [Prior Art] Amorphous silicon (a-Si) solar cells have a problem of lower conversion efficiency than crystals. As a method for improving the conversion efficiency of an amorphous silicon solar cell, a method of depositing a back reflective layer for a solar cell using a sputtering device has been proposed. Here, the solar cell back surface reflection layer is formed by forming a transparent conductive film having high light transmittance and conductivity on a metal film having high light reflectance. However, when continuously forming a back surface reflection layer for a solar cell by a roll-to-roll method, a normal sputtering apparatus that does not use a reactive gas (hereinafter,
It is called a "normal sputtering device". When the metal film and the transparent conductive film are deposited by using (1), there is a problem that it takes time to deposit the transparent conductive film which requires an oxide.

【０００３】この問題を解決する一手段として、図２０
に示すようなスパッタリング装置が提案されている。As one means for solving this problem, FIG.
A sputtering apparatus as shown in 1 has been proposed.

【０００４】スパッタリング装置100 は、送出しチャン
バー110 と第１の成膜室120 と第２の成膜室130 と巻取
りチャンバー140 との４つのチャンバーから構成されて
いる。第１の成膜室120 と第２の成膜室130 とは、ゲー
ト部150 を介して接続されている。第１の成膜室120 内
には、送出しチャンバー110 から搬送されてくる長尺基
板200 を所定の温度に保つ第１のヒータ121 と、長尺基
板200 上に金属膜を堆積するための第１のターゲット12
2 とがそれぞれ設けられている。なお、第１のターゲッ
ト122 は第１の電源123 と電気的に接続されており、第
１の電源122 から直流電圧が印加される。第１の成膜室
120 は、第１の排気ポンプ125 と第１の排気管124 を介
して連通されているとともに、第１の成膜室120 内に第
１のスパッタリングガスＳ₁ を供給する第１のスパッタ
リングガス供給手段（不図示）と第１のガス供給管126
を介して連通されている。また、第２の成膜室130 内に
は、第１の成膜室120 からゲート部150 を介して搬送さ
れてくる長尺基板200 を所定の温度に保つ第２のヒータ
131 と、長尺基板200 の金属膜上に透明導電膜を堆積す
るための第２のターゲット132 とがそれぞれ設けられて
いる。なお、第２のターゲット132 は第２の電源133 と
電気的に接続されており、第２の電源133 から直流電圧
が印加される。第２の成膜室130 は、第２の排気ポンプ
135 と第２の排気管134 を介して連通されているととも
に、第２の成膜室130 内に第２のスパッタリングガスＳ
₂ を供給する第２のスパッタリングガス供給手段（不図
示）と第２のガス供給管136 を介して連通されているほ
か、第２の成膜室130 内に反応性ガスＲを供給する反応
性ガス供給手段（不図示）と反応性ガス供給管137 を介
して連通されている。The sputtering apparatus 100 is composed of four chambers, a delivery chamber 110, a first film forming chamber 120, a second film forming chamber 130, and a winding chamber 140. The first film forming chamber 120 and the second film forming chamber 130 are connected via a gate unit 150. In the first film forming chamber 120, there is provided a first heater 121 for keeping the long substrate 200 conveyed from the delivery chamber 110 at a predetermined temperature, and a metal film for depositing a metal film on the long substrate 200. First target 12
2 and 2 are provided respectively. The first target 122 is electrically connected to the first power source 123, and a DC voltage is applied from the first power source 122. First film forming chamber
The first sputtering gas supply 120 is connected to the first exhaust pump 125 via the first exhaust pipe 124 and supplies the first sputtering gas S ₁ into the first film forming chamber 120. Means (not shown) and first gas supply pipe 126
Are communicated via. In addition, in the second film forming chamber 130, a second heater that keeps the long substrate 200 conveyed from the first film forming chamber 120 through the gate unit 150 at a predetermined temperature.
131 and a second target 132 for depositing a transparent conductive film on the metal film of the long substrate 200 are provided, respectively. The second target 132 is electrically connected to the second power source 133, and a DC voltage is applied from the second power source 133. The second film forming chamber 130 is a second exhaust pump.
The second sputtering gas S is communicated with the second film forming chamber 130 while being communicated with the second exhaust pipe 134.
_{In addition to being connected} to the second sputtering gas supply means (not shown) for supplying 2 through the second gas supply pipe 136, the reactivity for supplying the reactive gas R into the second film forming chamber 130 It communicates with a gas supply means (not shown) through a reactive gas supply pipe 137.

【０００５】スパッタリング装置100 では、第１の成膜
室120 で通常のスパッタリングが行われて長尺基板200
上に金属膜が堆積されたのち、第２の成膜室130 で反応
性ガスＲを用いたリアクティブスパッタ（以下、「リア
クティブスパッタ」と称する。）が行われて長尺基板20
0 の金属膜上に透明導電膜が堆積される。すなわち、ス
パッタリング装置100 は、通常のスパッタリングとリア
クティブスパッタを組み合わせることにより、酸化物を
必要とする透明導電膜の堆積時間を早くし、ロールツー
ロール方式による連続成膜を容易とするものである。In the sputtering apparatus 100, normal sputtering is performed in the first film forming chamber 120 and the long substrate 200
After the metal film is deposited thereon, reactive sputtering using reactive gas R (hereinafter referred to as “reactive sputtering”) is performed in the second film forming chamber 130 to perform the long substrate 20.
A transparent conductive film is deposited on the 0 metal film. That is, the sputtering apparatus 100 combines normal sputtering and reactive sputtering to shorten the deposition time of a transparent conductive film that requires an oxide and facilitate continuous film formation by a roll-to-roll method. .

【０００６】〔発明が解決しようとする課題〕しかしな
がら、上述した従来のスパッタリング装置100 では、以
下に示す問題がある。[Problems to be Solved by the Invention] However, the conventional sputtering apparatus 100 described above has the following problems.

【０００７】（１）反応性ガスＲの第１の成膜室120 内
への逆流により生じる問題 スパッタリング装置100 では、第１の成膜室120 内で第
１のスパッタリングガスＳ₁ を用いて金属膜が堆積さ
れ、第２の成膜室130 内で第２のスパッタリングガスＳ
₂ と反応性ガスＲとを用いて透明導電膜が堆積される
が、第２の成膜室130 内に供給された反応性ガスＲがゲ
ート部150 を介して第１の成膜室120 内に逆流して、第
１の成膜室120 で堆積される金属膜に悪影響を及ぼし、
アモルファスシリコン太陽電池の変換効率の低下をもた
らすという問題がある。たとえば、第１の成膜室120 で
アルミニウム層を堆積し、堆積されたアルミニウム層の
膜質評価を行ったところ、酸素（Ｏ₂ ）などの反応性ガ
スＲによって酸化されており、高抵抗，反射率低下など
の悪影響が生じ、アモルファスシリコン太陽電池の変換
効率の低下をもたらしていた。(1) Problem Caused by Backflow of Reactive Gas R into First Film Forming Chamber 120 In the sputtering apparatus 100, the first sputtering gas S ₁ is used in the first film forming chamber 120 to remove metal. The film is deposited, and the second sputtering gas S in the second film forming chamber 130 is deposited.
₂ and the reactive gas R are used to deposit the transparent conductive film, but the reactive gas R supplied into the second film forming chamber 130 is supplied to the inside of the first film forming chamber 120 via the gate portion 150. To adversely affect the metal film deposited in the first film forming chamber 120,
There is a problem that the conversion efficiency of the amorphous silicon solar cell is reduced. For example, when an aluminum layer was deposited in the first film forming chamber 120 and the film quality of the deposited aluminum layer was evaluated, it was found that the aluminum layer was oxidized by a reactive gas R such as oxygen (O ₂ ), and had high resistance and reflection. A negative effect such as a decrease in the rate has occurred, resulting in a decrease in the conversion efficiency of the amorphous silicon solar cell.

【０００８】（２）反応性ガスＲの拡散により生じる問
題 第２の成膜室130 内で堆積される透明導電膜の膜質を均
一にするためには、第２のターゲット132 上において長
尺基板200 の表面全体に均一に分布するように反応性ガ
スＲを供給する必要がある。しかし、スパッタリング装
置100 では、反応性ガスＲは、第２の成膜室130 の図示
左側面に排出口を有する反応性ガス供給管137 から第２
の成膜室130 内に供給されるため、透明導電膜が長尺基
板200 上に堆積される第２のターゲット132 上において
反応性ガスＲを均一に分布させることはできなかった。
その結果、堆積された透明導電膜の膜質は不均一なもの
となり、透明導電膜の透過率および抵抗などの不均一に
伴うアモルファスシリコン太陽電池の変換効率の低下を
もたらすという問題がある。(2) Problem Caused by Diffusion of Reactive Gas R In order to make the film quality of the transparent conductive film deposited in the second film forming chamber 130 uniform, a long substrate is formed on the second target 132. It is necessary to supply the reactive gas R so that it is uniformly distributed over the entire surface of 200. However, in the sputtering apparatus 100, the reactive gas R is discharged from the reactive gas supply pipe 137 having the outlet on the left side surface of the second film forming chamber 130 in the drawing to the second side.
Since the transparent conductive film is supplied into the film forming chamber 130, the reactive gas R cannot be uniformly distributed on the second target 132 on which the transparent conductive film is deposited on the long substrate 200.
As a result, the quality of the deposited transparent conductive film becomes non-uniform, which causes a problem that the conversion efficiency of the amorphous silicon solar cell is reduced due to the non-uniformity of the transmittance and resistance of the transparent conductive film.

【０００９】本発明の第１の目的は、反応性ガスの逆流
および拡散を防止し、均一な成膜が行えるスパッタリン
グ方法およびスパッタリング装置を提供することにあ
る。It is a first object of the present invention to provide a sputtering method and a sputtering apparatus capable of preventing backflow and diffusion of a reactive gas and forming a uniform film.

【００１０】Ｂ．本発明の第１の真空処理装置について 〔従来の技術〕従来、真空中で基板の表面を処理するア
ッシャー，エッチャーおよび薄膜形成装置などの真空処
理装置では、ロール状の長尺基板を投入するなど基板を
連続して投入する場合には、基板を挟みながら所定の真
空度を保持するゲートバルブが提案され（特開平３−３
０４１９号公報）、実用レベルに達している。B. First Vacuum Processing Apparatus of the Present Invention [Prior Art] Conventionally, in a vacuum processing apparatus such as an asher, an etcher, and a thin film forming apparatus for processing the surface of a substrate in a vacuum, a roll-shaped long substrate is put in. When the substrates are continuously loaded, a gate valve is proposed which holds a predetermined degree of vacuum while sandwiching the substrates (Japanese Patent Laid-Open No. 3-3).
No. 0419) has reached a practical level.

【００１１】〔発明が解決しようとする課題〕しかしな
がら、上述した従来の真空処理装置では、近年の半導体
の集積化の進歩により、反応時のガスの不純物成分を下
げる必要性や真空処理装置の休止時間（真空処理装置の
メンテナンスや立ち上げに要する時間）を下げる必要性
から、真空対大気のより高い遮断性能が求められている
という問題がある。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the above-described conventional vacuum processing apparatus, it is necessary to lower the impurity component of the gas at the time of reaction and the suspension of the vacuum processing apparatus due to the recent progress in semiconductor integration. There is a problem that a higher vacuum-to-atmosphere shutoff performance is required due to the need to reduce the time (time required for maintenance and startup of the vacuum processing apparatus).

【００１２】本発明の第２の目的は、より高い真空遮断
性能を有するゲートバルブを備えた真空処理装置を提供
することにある。A second object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus equipped with a gate valve having a higher vacuum shutoff performance.

【００１３】Ｃ．本発明の第２の真空処理装置について 〔従来の技術および発明が解決しようとする課題〕従
来、真空容器内に置かれた部材（特に、絶縁物からなる
部材）または基体（特に、絶縁物からなる基体）に所定
の処理を施す真空処理装置では、真空容器内で帯電した
部材または基体に導電処理を施すことにより該部材また
は該基体の除電を行う除電手段を含んでいないため、以
下に示すような問題がある。 （１）部材または基体が真空容器内で帯電することによ
り、真空中における集塵効果をもたらし、部材または基
体の帯電部分へゴミが付着する。 （２）上記ゴミの付着を避けるため、処理する部材また
は基体として、真空中においては帯電しない材料からな
るものを使用する必要があり、処理可能な部材または基
体が限定される。C. Second Vacuum Processing Apparatus of the Present Invention [Prior Art and Problems to be Solved by the Invention] Conventionally, a member (particularly a member made of an insulator) or a base (particularly made of an insulator) placed in a vacuum container. In the vacuum processing apparatus for performing a predetermined treatment on a substrate), a member or a substrate charged in a vacuum container is not provided with a charge removing unit for removing a charge of the member or the substrate by conducting a conductive treatment. There is such a problem. (1) When the member or the base body is charged in the vacuum container, a dust collecting effect in a vacuum is brought about, and dust adheres to the charged portion of the member or the base body. (2) In order to avoid the adhesion of the above dust, it is necessary to use a member or substrate that is made of a material that is not charged in a vacuum as the member or substrate to be treated, and the members or substrates that can be treated are limited.

【００１４】本発明の第３の目的は、部材または基体が
帯電しても、除電を行って所定の処理を施すことができ
る真空処理装置を提供することにある。A third object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus capable of removing a charge and performing a predetermined process even if a member or a base body is charged.

【００１５】Ｄ．本発明の熱電対について 〔従来の技術〕熱電対を用いて被測定物体の温度測定を
行う場合には、一般に、熱電対の測定接点を粘着テープ
などの補助的部材で被測定物体の所望の位置に固定して
いる。また、熱電対を被測定物体の近くの物体に固定
し、熱電対自体の応力または熱電対の自重を利用して、
熱電対の測定接点を被測定物体の所望の位置に設定する
こともある。D. Regarding Thermocouple of the Present Invention [Prior Art] When measuring the temperature of an object to be measured using a thermocouple, generally, the measurement contact point of the thermocouple is a desired member of the object to be measured with an auxiliary member such as an adhesive tape. It is fixed in position. Also, by fixing the thermocouple to an object near the object to be measured, using the stress of the thermocouple itself or the weight of the thermocouple,
The measurement contact of the thermocouple may be set at a desired position on the measured object.

【００１６】〔発明が解決しようとする課題〕しかしな
がら、上述した従来の熱電対では、熱電対の測定接点を
被測定物体の所望の位置に適度な力で簡便に固定する機
能を熱電対自体が有しないため、次のような問題があ
る。 （１）被測定物体が、測定位置に対して移動している被
測定固体である場合には、その表面温度を精度よく測定
することが困難である。すなわち、この場合には、熱電
対の先端を粘着テープで被測定固体に固定することはで
きないし、熱電対を被測定固体の近くの物体に固定して
熱電対自体の応力または熱電対の自重で熱電対の測定接
点を被測定固体に接触させようとしても、取り付けが複
雑になり、また、接触状態の変化から所望の測定精度が
得られないことが多い。 （２）被測定物体または測定環境に異物が付着または混
入することを避けつつ真空系で温度測定を行う場合に
は、粘着テープを使用したくない。 （３）熱電対の取り付けを行う作業空間が狭い場合（た
とえば径２ｃｍ，長さ２０ｃｍの穴の奥に置かれた被測
定固体の表面温度を測定する場合）には、熱電対の測定
接点を被測定物体に固定するのは容易でなく、また、測
定再現性も得にくい。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the above-described conventional thermocouple, the thermocouple itself has a function of simply fixing the measurement contact of the thermocouple to a desired position of the object to be measured with an appropriate force. Since it does not have it, there are the following problems. (1) When the object to be measured is a solid to be measured which is moving with respect to the measurement position, it is difficult to measure the surface temperature of the object with high accuracy. That is, in this case, the tip of the thermocouple cannot be fixed to the solid to be measured with an adhesive tape, and the thermocouple is fixed to an object near the solid to be measured and the stress of the thermocouple itself or the weight of the thermocouple itself. Even if an attempt is made to bring the measurement contact of the thermocouple into contact with the solid to be measured, the mounting becomes complicated, and the desired measurement accuracy is often not obtained due to the change in the contact state. (2) When temperature measurement is performed in a vacuum system while avoiding foreign matter from adhering to or mixing with the object to be measured or the measurement environment, it is not necessary to use an adhesive tape. (3) If the working space for installing the thermocouple is small (for example, when measuring the surface temperature of the solid to be measured placed inside the hole with a diameter of 2 cm and a length of 20 cm), use the thermocouple measurement contact. It is not easy to fix it to the object to be measured, and it is difficult to obtain measurement reproducibility.

【００１７】本発明の第４の目的は、製造が容易であ
り、取り扱いの作業性がよく、より高い測定精度および
測定再現性が得られる熱電対を提供することにある。A fourth object of the present invention is to provide a thermocouple which is easy to manufacture, has good workability in handling, and has higher measurement accuracy and measurement reproducibility.

【００１８】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
方法は、長尺基板をその長手方向に搬送しながら第１の
成膜室，ゲート部および第２の成膜室を順次通過させ、
前記第１の成膜室で第１のスパッタリングガスを用いて
前記長尺基板上に第１の膜を堆積し、前記第２の成膜室
で第２のスパッタリングガスおよび反応性ガスを用いて
前記長尺基板上に第２の膜を堆積するスパッタリング方
法において、前記第１の成膜室内の圧力を前記第２の成
膜室内の圧力よりも高く保ち、前記第２の成膜室の前記
ゲート部側から該ゲート部と反対側に向けて前記反応性
ガスを噴射させ、前記第２の成膜室の前記ゲート部と反
対側の、前記反応性ガスを噴射させる位置と互いに対向
する位置から前記第２の成膜室内を排気する。According to the sputtering method of the present invention, a long substrate is conveyed in its longitudinal direction while sequentially passing through a first film forming chamber, a gate portion and a second film forming chamber,
A first film is deposited on the long substrate using a first sputtering gas in the first film forming chamber, and a second sputtering gas and a reactive gas are used in the second film forming chamber. In the sputtering method for depositing a second film on the long substrate, the pressure in the first film forming chamber is kept higher than the pressure in the second film forming chamber, and the pressure in the second film forming chamber is increased. A position on the opposite side of the gate portion of the second film forming chamber from which the reactive gas is jetted, the position where the reactive gas is jetted from the gate portion side to the side opposite to the gate portion, and a position facing each other. The second film forming chamber is evacuated.

【００１９】ここで、前記第１の膜が、光に対する反射
率の高い金属膜であり、前記第２の膜が、光透過率およ
び導電性の高い透明導電膜であってもよい。Here, the first film may be a metal film having a high reflectance for light, and the second film may be a transparent conductive film having a high light transmittance and conductivity.

【００２０】本発明のスパッタリング装置は、第１の成
膜室と、第２の成膜室と、前記第１の成膜室と前記第２
の成膜室とを接続するゲート部と、前記第１の成膜室内
を排気する第１の排気手段と、該第１の排気手段と前記
第１の成膜室とを連通する第１の排気管と、前記第２の
成膜室内を排気する第２の排気手段と、該第２の排気手
段と前記第２の成膜室とを連通する第２の排気管と、前
記第１の成膜室内に第１のスパッタリングガスを供給す
る第１のスパッタリングガス供給手段と、前記第２の成
膜室内に第２のスパッタリングガスを供給する第２のス
パッタリングガス供給手段と、前記第２の成膜室内に反
応性ガスを供給する反応性ガス供給手段と、前記第２の
成膜室と前記反応性ガス供給手段とを連通する反応性ガ
ス供給管とを含み、長尺基板をその長手方向に搬送しな
がら前記第１の成膜室，前記ゲート部および前記第２の
成膜室を順次通過させ、前記第１の成膜室で前記第１の
スパッタリングガスを用いて前記長尺基板上に第１の膜
を堆積し、前記第２の成膜室で前記第２のスパッタリン
グガスおよび前記反応性ガスを用いて前記長尺基板上に
第２の膜を堆積するスパッタリング装置において、前記
第１の成膜室内の圧力を前記第２の成膜室内の圧力より
も高く保つ、前記第１の排気管に介在された第１の圧力
制御手段および前記第２の排気管に介在された第２の圧
力制御手段と、前記反応性ガス供給管の先端に設けられ
た、前記第２の成膜室の前記ゲート部側から該ゲート部
と反対側に向けて前記反応性ガスを噴射させるオリフィ
スとを含み、前記第２の排気管の前記第２の成膜室側の
排気口が、該第２の成膜室の前記ゲート部と反対側の、
前記オリフィスと互いに対向する位置に設けられてい
る。The sputtering apparatus of the present invention comprises a first film forming chamber, a second film forming chamber, the first film forming chamber and the second film forming chamber.
The film forming chamber, a first exhaust unit for exhausting the first film forming chamber, and a first exhaust unit for communicating the first exhaust unit with the first film forming chamber. An exhaust pipe, a second exhaust unit for exhausting the inside of the second film forming chamber, a second exhaust pipe for connecting the second exhaust unit with the second film forming chamber, and the first exhaust unit. A first sputtering gas supply means for supplying a first sputtering gas into the film forming chamber, a second sputtering gas supply means for supplying a second sputtering gas into the second film forming chamber, and the second A reactive gas supply means for supplying a reactive gas into the film forming chamber, and a reactive gas supply pipe for connecting the second film forming chamber and the reactive gas supplying means are provided, and a long substrate is provided with its long side. The first film formation chamber, the gate portion, and the second film formation chamber while sequentially conveying Then, a first film is deposited on the long substrate using the first sputtering gas in the first film forming chamber, and the second sputtering gas and the reaction are deposited in the second film forming chamber. In a sputtering apparatus for depositing a second film on the long substrate using a reactive gas, the pressure in the first film forming chamber is kept higher than the pressure in the second film forming chamber. First pressure control means interposed in the exhaust pipe, second pressure control means interposed in the second exhaust pipe, and the second film formation provided at the tip of the reactive gas supply pipe. An orifice for injecting the reactive gas from the gate portion side of the chamber toward the side opposite to the gate portion, and the exhaust port of the second exhaust pipe on the second film forming chamber side is 2 on the side opposite to the gate part of the film forming chamber,
It is provided at a position facing the orifice.

【００２１】ここで、前記第１の膜が、光に対する反射
率の高い金属膜であり、前記第２の膜が、光透過率およ
び導電性の高い透明導電膜であってもよい。Here, the first film may be a metal film having a high reflectance with respect to light, and the second film may be a transparent conductive film having a high light transmittance and conductivity.

【００２２】本発明の第１の真空処理装置は、内部が繰
り返し大気圧と真空とにされる第１の真空室と、内部が
真空にされた、連続的に投入される長尺基板または基板
支持体上に載置されて投入される基板に所定の処理を施
す第２の真空室と、支持部材を有する、前記第１の真空
室と前記第２の真空室とを仕切るゲート部とを含む真空
処理装置において、前記ゲート部が、前記支持部材側に
移動されると該支持部材とともに前記長尺基板または前
記基板支持体を挟む弁座を有するゲート可動部および該
ゲート可動部を前記支持部材と垂直方向に移動させるゲ
ート駆動機構を少なくとも二組備えている。A first vacuum processing apparatus according to the present invention comprises a first vacuum chamber in which the inside is repeatedly brought to atmospheric pressure and a vacuum, and a continuously charged long substrate or substrate in which the inside is evacuated. A second vacuum chamber for performing a predetermined process on a substrate placed on a support and input, and a gate portion having a support member for partitioning the first vacuum chamber and the second vacuum chamber. In a vacuum processing apparatus including, when the gate part is moved to the support member side, a gate movable part having a valve seat that sandwiches the long substrate or the substrate support together with the support member, and the gate movable part are supported. At least two sets of gate driving mechanisms for moving the members in the vertical direction are provided.

【００２３】ここで、前記弁座の前記長尺基板または前
記基板支持体に接する部位の材質が弾性体であってもよ
い。Here, the material of the portion of the valve seat that is in contact with the elongated substrate or the substrate support may be an elastic body.

【００２４】また、前記支持部材の長尺基板または前記
基板支持体に接する部位の材質が弾性体であってもよ
い。The material of the portion of the supporting member that contacts the long substrate or the substrate support may be an elastic body.

【００２５】さらに、前記各ゲート部間の空間を排気す
る排気機構または該空間内に不活性ガスを所定圧力で封
入する封入機構をさらに備えていてもよい。Further, an exhaust mechanism for exhausting the space between the gate portions or a sealing mechanism for sealing an inert gas at a predetermined pressure in the space may be further provided.

【００２６】本発明の第２の真空処理装置は、真空容器
内に置かれた部材または基体に所定の処理を施す真空処
理装置において、前記部材または前記基体の除電を前記
真空容器内で行う除電手段を含む。A second vacuum processing apparatus according to the present invention is a vacuum processing apparatus for subjecting a member or a substrate placed in a vacuum container to a predetermined process, in which charge is removed from the member or the substrate in the vacuum container. Including means.

【００２７】ここで、前記所定の処理が、前記真空容器
内で前記基体に膜形成を行う処理であってもよい。Here, the predetermined process may be a process of forming a film on the substrate in the vacuum container.

【００２８】また、前記除電手段が、前記部材または前
記基体に、該部材または該基体が帯電している電荷と反
対極性のプラズマを照射させるプラズマ照射手段であっ
てもよく、または、前記除電手段が、前記部材または前
記基体を前記真空容器内で電気的に接地させる接地手段
であってもよい。Further, the charge eliminating means may be plasma irradiating means for irradiating the member or the substrate with plasma having a polarity opposite to the electric charge charged on the member or the substrate, or the charge eliminating means. However, a grounding means for electrically grounding the member or the substrate in the vacuum container may be used.

【００２９】本発明の熱電対は、両端が接合された、互
いに異なる第１の導体および第２の導体を含む熱電対に
おいて、前記第１の導体の一端と前記第２の導体の一端
とが接合された測定接点または該測定接点の近傍に設け
られた磁石を含む。The thermocouple of the present invention is a thermocouple having a first conductor and a second conductor which are joined at both ends and are different from each other. One end of the first conductor and one end of the second conductor are It includes a bonded measurement contact or a magnet provided in the vicinity of the measurement contact.

【００３０】ここで、前記磁石が、磁力線の方向が前記
第１の導体および前記第２の導体と平行になるよう設け
られていてもよい。Here, the magnet may be provided such that the direction of magnetic force lines is parallel to the first conductor and the second conductor.

【００３１】[0031]

【作用】本発明のスパッタリング方法では、第１の成膜
室内の圧力を第２の成膜室内の圧力よりも高く保つこと
により、第２の成膜室から第１の成膜室への反応性ガス
の逆流を起こしにくくすることができる。In the sputtering method of the present invention, the reaction from the second film forming chamber to the first film forming chamber is performed by keeping the pressure in the first film forming chamber higher than the pressure in the second film forming chamber. It is possible to make it difficult for the backflow of the sex gas to occur.

【００３２】また、第２の成膜室のゲート部側からゲー
ト部と反対側に向けて反応性ガスを噴射させ、第２の成
膜室のゲート部と反対側の、反応性ガスを噴射させる位
置と互いに対向する位置から第２の成膜室内を排気する
ことにより、反応性ガスは第１の成膜室と反対側に強制
的に流されるため、第２の成膜室から第１の成膜室への
反応性ガスの逆流をさらに起こしにくくすることができ
るとともに、長尺基板の表面に沿って反応性ガスを均一
に分布させることができるため、長尺基板上に堆積され
る透明導電膜の膜質を均一にすることができる。Further, the reactive gas is injected from the gate side of the second film forming chamber toward the side opposite to the gate part, and the reactive gas on the opposite side of the gate of the second film forming chamber is injected. By exhausting the second film formation chamber from a position opposite to the position where the reaction is performed, the reactive gas is forced to flow to the side opposite to the first film formation chamber. It is possible to further prevent the reactive gas from flowing back into the film forming chamber and to evenly distribute the reactive gas along the surface of the long substrate, so that it is deposited on the long substrate. The film quality of the transparent conductive film can be made uniform.

【００３３】本発明のスパッタリング装置は、第１の成
膜室内の圧力を第２の成膜室内の圧力よりも高く保つ、
第１の排気管に介在された第１の圧力制御手段および第
２の排気管に介在された第２の圧力制御手段と、反応性
ガス供給管の先端に設けられた、第２の成膜室のゲート
部側からゲート部と反対側に向けて反応性ガスを噴射さ
せるオリフィスとを含み、第２の排気管の第２の成膜室
側の排気口が、第２の成膜室のゲート部と反対側の、オ
リフィスと互いに対向する位置に設けられていることに
より、本発明のスパッタリング方法を実現することがで
きる。The sputtering apparatus of the present invention keeps the pressure inside the first film forming chamber higher than the pressure inside the second film forming chamber.
First pressure control means interposed in the first exhaust pipe, second pressure control means interposed in the second exhaust pipe, and second film formation provided at the tip of the reactive gas supply pipe. An outlet for injecting a reactive gas from the gate portion side of the chamber toward the side opposite to the gate portion, and the exhaust port of the second exhaust pipe on the second film forming chamber side is The sputtering method of the present invention can be realized by being provided at the position opposite to the gate portion and opposite to the orifice.

【００３４】本発明の第１の真空処理装置は、ゲート部
が、支持部材側に移動されると支持部材とともに長尺基
板または基板支持体を挟む弁座を有するゲート可動部お
よびゲート可動部を支持部材と垂直方向に移動させるゲ
ート駆動機構を少なくとも二組備えていることにより、
第１の真空室内を繰り返し大気圧と真空とにしても、第
２の真空室内を真空に保つことができる。また、弁座の
長尺基板または基板支持体に接する部位および支持部材
の長尺基板または基板支持体に接する部位の少なくとも
一方の材質を弾性体とすることにより、第２の真空室内
をより真空に保つことができる。さらに、各ゲート部間
の空間を排気する排気機構または該空間内に不活性ガス
を所定圧力で封入する封入機構をさらに備えることによ
り、第２の真空室内をより真空に保つことができる。According to the first vacuum processing apparatus of the present invention, when the gate portion is moved to the support member side, the gate movable portion and the gate movable portion having the valve seat, which sandwiches the long substrate or the substrate support together with the support member, are provided. By including at least two sets of gate drive mechanisms that move in the vertical direction with the support member,
Even if the first vacuum chamber is repeatedly brought to atmospheric pressure and vacuum, the second vacuum chamber can be kept in vacuum. In addition, the material of at least one of the portion of the valve seat that contacts the long substrate or the substrate support and the portion of the support member that contacts the long substrate or the substrate support is made of an elastic body, so that the second vacuum chamber is made more vacuum. Can be kept at Furthermore, the second vacuum chamber can be kept more vacuum by further including an exhaust mechanism for exhausting the space between the gate portions or a sealing mechanism for sealing an inert gas in the space at a predetermined pressure.

【００３５】本発明の第２の真空処理装置は、部材また
は基体の除電を真空容器内で行う除電手段を含むことに
より、部材または基体が真空容器内で帯電しても、その
除電を行うことができる。The second vacuum processing apparatus of the present invention includes a charge removing means for removing charge from the member or the substrate in the vacuum container, so that the charge can be removed even if the member or the substrate is charged in the vacuum container. You can

【００３６】本発明の熱電対は、第１の導体の一端と第
２の導体の一端とが接合された測定接点または測定接点
の近傍に設けられた磁石を含むことにより、磁石と吸着
する被測定物体または被測定物体の近くに設けられた磁
石と吸着する物体に磁石を吸着させるだけで熱電対を固
定することができる。このとき、適当な力を磁石に加え
ることにより、熱電対に対して相対的に移動する被測定
物体の温度測定も行うことができる。また、磁石の吸着
力以上の力を磁石に加えることにより、熱電対を被測定
物体から取りはずすことができる。The thermocouple of the present invention includes a measurement contact formed by joining one end of the first conductor and one end of the second conductor, or a magnet provided in the vicinity of the measurement contact. The thermocouple can be fixed only by adsorbing the magnet to an object that is attached to the magnet provided near the object to be measured or the object to be measured. At this time, by applying an appropriate force to the magnet, it is possible to measure the temperature of the object to be measured that moves relative to the thermocouple. Further, the thermocouple can be removed from the object to be measured by applying a force to the magnet that is equal to or greater than the attraction force of the magnet.

【００３７】[0037]

【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【００３８】Ａ．本発明のスパッタリング方法およびス
パッタリング装置について 図１は、本発明のスパッタリング装置の一実施例を示す
概略構成図である。A. About Sputtering Method and Sputtering Apparatus of the Present Invention FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of the sputtering apparatus of the present invention.

【００３９】スパッタリング装置１は、以下に示す点
で、図２０に示した従来のスパッタリング装置100 と異
なる。 （１）第１の成膜室２０内の圧力を第２の成膜室３０内
の圧力よりも高く保つ、第１の排気管２４に介在された
第１の自動圧力制御器２８および第２の排気管３４に介
在された第２の自動圧力制御器３８を含む。 （２）図２に示すように、反応性ガス供給管３７の先端
に設けられた、第２の成膜室３０のゲート部５０（図１
参照）側からゲート部５０と反対側に向けて反応性ガス
Ｒを噴射させるオリフィス３９を含む。 （３）図２に示すように、第２の排気管３４の第２の成
膜室３０側の排気口３４ ₁ が、第２の成膜室３０のゲー
ト部５０と反対側の、オリフィス３９と互いに対向する
位置に設けられている。The sputtering apparatus 1 has the following points.
Is different from the conventional sputtering apparatus 100 shown in FIG.
Become. (1) Adjust the pressure in the first film forming chamber 20 to the pressure in the second film forming chamber 30.
Intervening in the first exhaust pipe 24, which keeps higher than the pressure of
Via the first automatic pressure controller 28 and the second exhaust pipe 34
A second automatic pressure controller 38 is included. (2) As shown in FIG. 2, the tip of the reactive gas supply pipe 37
The gate portion 50 of the second film forming chamber 30 (see FIG.
From the reference) side toward the side opposite to the gate part 50
An orifice 39 for injecting R is included. (3) As shown in FIG. 2, a second component of the second exhaust pipe 34 is formed.
Exhaust port 34 on the side of the membrane chamber 30 ₁ However, in the second film forming chamber 30,
Facing the orifice 39 on the opposite side of the tongue 50.
It is provided in the position.

【００４０】したがって、スパッタリング装置１では、
以下に示す効果が得られる。 （１）反応性ガスＲの逆流防止 第１の自動圧力制御器２８および第２の自動圧力制御器
３８により、第１の成膜室２０内の圧力Ｐ₁ は第２の成
膜室３０内の圧力Ｐ₂ よりも常に高く（すなわち、Ｐ₁
＞Ｐ₂ ）保たれているため、第２の成膜室３０から第１
の成膜室２０への反応性ガスＲの逆流を起こしにくくす
ることができる。また、反応性ガスＲをオリフィス３９
からゲート部５０と反対側に向けて噴射するとともに、
オリフィス３９と互いに対向する位置に設けられた排気
口３４₁ から反応性ガスＲを排気することにより、反応
性ガスＲは第１の成膜室２０と反対側に強制的に流され
るため、第２の成膜室３０から第１の成膜室２０への反
応性ガスＲの逆流をさらに起こしにくくすることができ
る。 （２）反応性ガスＲの拡散防止 反応性ガスＲをオリフィス３９からゲート部５０と反対
側に向けて噴射するとともに、オリフィス３９と互いに
対向する位置に設けられた排気口３４₁ から反応性ガス
Ｒを排気することにより、第２のターゲット３２と互い
に対向する長尺基板200 の表面に沿って反応性ガスＲを
均一に分布させることができるため、長尺基板200 上に
堆積される透明導電膜の膜質を均一にすることができ
る。Therefore, in the sputtering apparatus 1,
The following effects can be obtained. (1) Prevention of Backflow of Reactive Gas R Due to the first automatic pressure controller 28 and the second automatic pressure controller 38, the pressure P ₁ in the _first film forming chamber 20 is kept in the second film forming chamber 30. Always higher than the pressure P ₂ (ie P ₁
> P ₂ ) from the second film deposition chamber 30 to the first
It is possible to prevent the reactive gas R from flowing back into the film forming chamber 20. In addition, the reactive gas R is supplied to the orifice 39.
From the other side of the gate 50,
By exhausting the reactive gas R from the exhaust port 34 ₁ provided at a position opposed to the orifice 39, the reactive gas R is forcibly flowed to the side opposite to the first film forming chamber 20. It is possible to further prevent the backflow of the reactive gas R from the second film forming chamber 30 to the first film forming chamber 20. (2) Prevention of Diffusion of Reactive Gas R The reactive gas R is injected from the orifice 39 toward the side opposite to the gate portion 50, and the reactive gas R is exhausted from the exhaust port 34 ₁ provided at a position opposed to the orifice 39. By exhausting R, the reactive gas R can be uniformly distributed along the surface of the long substrate 200 facing the second target 32, so that the transparent conductive material deposited on the long substrate 200 can be transparent. The film quality of the film can be made uniform.

【００４１】なお、図１に示したスパッタリング装置１
では、オリフィス３９を１個だけ設けたが、複数のオリ
フィスを長尺基板200 の幅方向（図１の紙面と垂直方
向）に並べて設けることにより、さらに上記効果を高め
ることができる。また、第１の自動圧力制御器２８およ
び第２の自動圧力制御器３８を設けることにより、第１
の成膜室２０内の圧力Ｐ₁ を第２の成膜室３０内の圧力
Ｐ₂ よりも常に高く保ったが、第１の排気ポンプ２５お
よび第２の排気ポンプ３５にこの機能をもたせてもよ
い。The sputtering apparatus 1 shown in FIG.
In the above, only one orifice 39 is provided. However, the above effect can be further enhanced by arranging a plurality of orifices side by side in the width direction of the long substrate 200 (the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 1). Further, by providing the first automatic pressure controller 28 and the second automatic pressure controller 38,
Although the pressure P ₁ in the film forming chamber 20 is always kept higher than the pressure P ₂ in the second film forming chamber 30, the first exhaust pump 25 and the second exhaust pump 35 are provided with this function. Good.

【００４２】次に、図１に示したスパッタリング装置１
および図３に示す高周波プラズマＣＶＤ装置（以下、
「ＲＦプラズマＣＶＤ装置」と称する。）６０を用いて
アモルファスシリコン太陽電池を試作した例について説
明する。なお、試作したアモルファスシリコン太陽電池
９０は、図４に示すように、基板９１と、基板９１上に
堆積された金属膜９２と、金属膜９２上に堆積された透
明導電膜９３と、透明導電膜９３上に形成されたｎ型ａ
−Ｓｉ層９４と、ｎ型ａ−Ｓｉ層９４上に形成されたｉ
型ａ−Ｓｉ層９５と、ｉ型ａ−Ｓｉ層９５上に形成され
たｐ型微結晶ａ−Ｓｉ層９６と、ｐ型微結晶ａ−Ｓｉ層
９６上に形成された透明電極９７と、透明電極９７上に
形成された集電電極９８とを含むものである。Next, the sputtering apparatus 1 shown in FIG.
And a high-frequency plasma CVD apparatus shown in FIG.
It is called an "RF plasma CVD apparatus". ) 60 is used to manufacture an amorphous silicon solar cell as a prototype. As shown in FIG. 4, the prototype amorphous silicon solar cell 90 includes a substrate 91, a metal film 92 deposited on the substrate 91, a transparent conductive film 93 deposited on the metal film 92, and a transparent conductive film. N-type a formed on the film 93
-Si layer 94 and i formed on the n-type a-Si layer 94
A-type a-Si layer 95, a p-type microcrystalline a-Si layer 96 formed on the i-type a-Si layer 95, a transparent electrode 97 formed on the p-type microcrystalline a-Si layer 96, And a collector electrode 98 formed on the transparent electrode 97.

【００４３】〔試作例Ａ１〕図１に示したスパッタリン
グ装置１を用いて、表Ａ１に示す作成条件で、金属膜９
２として厚さ０．３μｍのＡｇ膜を第１の成膜室２０に
おいて長尺基板200（基板９１）上に堆積した。[Prototype Example A1] Using the sputtering apparatus 1 shown in FIG. 1, the metal film 9 was formed under the preparation conditions shown in Table A1.
As No. 2, an Ag film having a thickness of 0.3 μm was deposited on the long substrate 200 (substrate 91) in the first film forming chamber 20.

【００４４】[0044]

【表１】 続いて、表Ａ２に示す作成条件で、透明導電膜９３とし
て厚さ１μｍのＺｎＯ膜を第２の成膜室３０において金
属膜９２上に堆積した。[Table 1] Subsequently, under the preparation conditions shown in Table A2, a ZnO film having a thickness of 1 μm was deposited as the transparent conductive film 93 on the metal film 92 in the second film forming chamber 30.

【００４５】[0045]

【表２】 なお、第１の成膜室２０内の反応性ガスＲ（Ｏ₂ ）の濃
度をＱ−ｍａｓｓによって分析したところ、Ｏ₂ ＝１ｐ
ｐｍであった。[Table 2] When the concentration of the reactive gas R (O ₂ ) in the first film forming chamber 20 was analyzed by Q-mass, O ₂ = 1p
It was pm.

【００４６】続いて、金属膜９２および透明導電膜９３
が堆積された基板９１を図３に示したＲＦプラズマＣＶ
Ｄ装置６０の堆積室６１内にセットしたのち、堆積室６
１内を排気用ポンプ６２で排気した。その後、ガス供給
手段６３で堆積室６１内に原料ガスを供給したのち、Ｒ
Ｆ電源６４からＲＦ電極６５に高周波電力を供給し、電
気的に接地された基板９１とＲＦ電極６５との間に放電
を発生させて原料ガスを分解することにより、ｎ型ａ−
Ｓｉ層９４，ｉ型ａ−Ｓｉ層９５およびｐ型微結晶ａ−
Ｓｉ層９６を透明導電膜９３上に順次形成した。なお、
ｎ型ａ−Ｓｉ層９４の形成は、原料ガスとしてＳｉＨ₄
およびＰＨ₃ を使用するとともにヒータ６６で基板９１
の温度を３００度に保ちながら、グロー放電分解法によ
り厚さ１００Åほど堆積することにより行った。また、
ｉ型ａ−Ｓｉ層９５の形成は、原料ガスとしてＳｉＨ₄
を使用した以外はｎ型ａ−Ｓｉ層９４と同様にして厚さ
４００Åほど堆積することにより行った。さらに、ｐ型
微結晶ａ−Ｓｉ層９６の形成は、原料ガスとしてＳｉＨ
₄ ，ＢＦ₃ およびＨ₂ を使用した以外はｎ型ａ−Ｓｉ層
９４と同様にして厚さ１００Åほど堆積することにより
行った。なお、グロー放電分解法により形成したｎ型ａ
−Ｓｉ層９４などには１０％程度の水素原子（Ｈ）が含
まれるため、一般的には、「ａ−Ｓｉ：Ｈ」と表記され
るが、ここでは簡単のため、単に「ａ−Ｓｉ」と表記す
る。Subsequently, the metal film 92 and the transparent conductive film 93.
The RF plasma CV shown in FIG.
After being set in the deposition chamber 61 of the D device 60, the deposition chamber 6
The inside of 1 was exhausted by the exhaust pump 62. Thereafter, the gas supply means 63 supplies the source gas into the deposition chamber 61, and then R
High-frequency power is supplied from the F power source 64 to the RF electrode 65 to generate a discharge between the electrically grounded substrate 91 and the RF electrode 65 to decompose the raw material gas, thereby n-type a-
Si layer 94, i-type a-Si layer 95 and p-type microcrystal a-
The Si layer 96 was sequentially formed on the transparent conductive film 93. In addition,
The n-type a-Si layer 94 is formed by using SiH ₄ as a source gas.
And PH ₃ are used and the substrate 66 is provided by the heater 66.
While keeping the temperature at 300 degrees Celsius, a glow discharge decomposition method was used to deposit a thickness of about 100 liters. Also,
The i-type a-Si layer 95 is formed by using SiH ₄ as a source gas.
Was performed in the same manner as the n-type a-Si layer 94 except that the above was used. Further, the p-type microcrystalline a-Si layer 96 is formed by using SiH as a source gas.
_{The same} procedure as the n-type a-Si layer 94 except that ₄ , BF ₃ and H ₂ were used was carried out by depositing a thickness of 100 Å. The n-type a formed by the glow discharge decomposition method
Since the -Si layer 94 and the like contain about 10% of hydrogen atoms (H), it is generally expressed as "a-Si: H", but here it is simply "a-Si: H" for simplicity. ".

【００４７】続いて、透明電極９７として、抵抗加熱蒸
着法によりＩＴＯ膜を厚さ８００Åほどｐ型微結晶ａ−
Ｓｉ層９６上に形成したのち、ＥＢ蒸着法により透明電
極９７上に厚さ１μｍの集電電極９８を形成して、アモ
ルファスシリコン太陽電池９０を完成した。Subsequently, an ITO film having a thickness of 800 Å is formed as a transparent electrode 97 by a resistance heating vapor deposition method so that the p-type microcrystal a-
After being formed on the Si layer 96, a collector electrode 98 having a thickness of 1 μm was formed on the transparent electrode 97 by the EB vapor deposition method to complete the amorphous silicon solar cell 90.

【００４８】以上の方法によりアモルファスシリコン太
陽電池９０を１０個作成し、各アモルファスシリコン太
陽電池９０についてＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ² ）
の光照射下における特性評価を行ったところ、光電変換
効率η＝９．８±０．３％であり、優れた変換効率が再
現性よく得られた。Ten amorphous silicon solar cells 90 were prepared by the above method, and AM1.5 (100 mW / cm ² ) was applied to each amorphous silicon solar cell 90.
When the characteristics were evaluated under light irradiation, the photoelectric conversion efficiency was η = 9.8 ± 0.3%, and excellent conversion efficiency was obtained with good reproducibility.

【００４９】〔比較例Ａ１〕第２の成膜室３０のオリフ
ィス３９を用いなかった以外は試作例Ａ１と同様にし
て、アモルファスシリコン太陽電池９０を作成した。こ
のときの第１の成膜室２０内の反応性ガスＲ（Ｏ₂ ）の
濃度をＱ−ｍａｓｓによって分析したところ、Ｏ₂ ＝１
００ｐｐｍであった。また、アモルファスシリコン太陽
電池９０の特性評価を行ったところ、光電変換効率η＝
７．２±０．５％であった。[Comparative Example A1] An amorphous silicon solar cell 90 was prepared in the same manner as in Prototype Example A1 except that the orifice 39 of the second film forming chamber 30 was not used. When the concentration of the reactive gas R (O ₂ ) in the first film forming chamber 20 at this time was analyzed by Q-mass, O ₂ = 1
It was 00 ppm. Further, when the characteristics of the amorphous silicon solar cell 90 were evaluated, the photoelectric conversion efficiency η =
It was 7.2 ± 0.5%.

【００５０】〔比較例Ａ２〕第１の成膜室２０内の圧力
Ｐ₁ と第２の成膜室３０内の圧力Ｐ₂ とをそれぞれ５
（ｍＴｏｒｒ）とし、第２の成膜室３０のオリフィス３
９を用いなかった以外は試作例Ａ１と同様にして、アモ
ルファスシリコン太陽電池９０を作成した。このときの
第１の成膜室２０内の反応性ガスＲ（Ｏ₂ ）の濃度をＱ
−ｍａｓｓによって分析したところ、Ｏ₂ ＝１％であっ
た。また、アモルファスシリコン太陽電池９０の特性評
価を行ったところ、光電変換効率η＝２．５±０．８％
であった。[0050] [Comparative Example A2] and the pressure P ₁ in the first film forming chamber 20 and the pressure P ₂ of the second film forming chamber 30, respectively 5
(MTorr) and the orifice 3 of the second film forming chamber 30.
An amorphous silicon solar cell 90 was prepared in the same manner as in Prototype Example A1 except that 9 was not used. At this time, the concentration of the reactive gas R (O ₂ ) in the first film forming chamber 20 is Q
O ₂ = 1% as analyzed by -mass. Moreover, when the characteristics of the amorphous silicon solar cell 90 were evaluated, the photoelectric conversion efficiency η = 2.5 ± 0.8%
Met.

【００５１】次に、図１に示したスパッタリング装置１
を用いて磁気記録媒体を試作した例について説明する。Next, the sputtering apparatus 1 shown in FIG.
An example in which a magnetic recording medium is trial-produced by using will be described.

【００５２】本試作例では、第１の成膜室２０におい
て、第１のスパッタリングガスＳ₁ としてＡｒガスを用
いて、Ｃｏ／Ｃｒ磁性膜を長尺基板200 上に堆積したの
ち、第２の成膜室３０において、第２のターゲット３２
としてＳｉターゲットを用いるとともに第２のスパッタ
リングガスＳ₂ としてＡｒガスおよび反応性ガスＲとし
てＯ₂ ガスを用いて、ＳｉＯ中間層をＣｏ／Ｃｒ磁性膜
上に堆積した。その後、Ｃｏ／Ｃｒ磁性膜およびＳｉＯ
中間層が堆積された長尺基板200 を送出しチャンバー１
０に再度セットしたのち、第１の成膜室２０において、
第１のスパッタリングガスＳ₁ としてＡｒガスを用い
て、パーマロイ膜をＳｉＯ中間層上に堆積した。このよ
うにして作成した磁気記録媒体の周波数特性を周波数解
析器を用いて測定したところ、周波数特性が良好である
ことが確認できた。In this prototype example, a Co / Cr magnetic film was deposited on the long substrate 200 in the first film forming chamber 20 using Ar gas as the first sputtering gas S ₁ , and then the second film was formed. In the film forming chamber 30, the second target 32
An Si intermediate layer was deposited on the Co / Cr magnetic film by using a Si target as a target and a second sputtering gas S ₂ as an Ar gas and a reactive gas R as an O ₂ gas. After that, Co / Cr magnetic film and SiO
Chamber 1 for delivering long substrate 200 on which the intermediate layer is deposited
After being set to 0 again, in the first film forming chamber 20,
A permalloy film was deposited on the SiO intermediate layer using Ar gas as the first sputtering gas S ₁ . The frequency characteristics of the magnetic recording medium thus prepared were measured using a frequency analyzer, and it was confirmed that the frequency characteristics were good.

【００５３】次に、図１に示したスパッタリング装置１
を用いて建材用鋼板のコーティングを行った例について
説明する。Next, the sputtering apparatus 1 shown in FIG.
An example in which a steel sheet for building materials is coated by using will be described.

【００５４】長尺基板200 に代わりに鋼板を送出しチャ
ンバー１０にセットしたのち、第１の成膜室２０におい
て、第１のターゲット２２としてアルミニウムターゲッ
トを用いるとともに第１のスパッタリングガスＳ₁ とし
てＡｒガスを用いて、鋼板上にアルミニウム膜を堆積し
た。その後、第２の成膜室３０において、第２のターゲ
ット３２としてＳｉターゲットを用いるとともに第２の
スパッタリングガスＳ ₂ としてＡｒガスおよび反応性ガ
スＲとしてＯ₂ ガスを用いて、ＳｉＯ₂ 膜をアルミニウ
ム膜上に堆積した。このようにして製造した建材用鋼板
を温度８０℃および湿度９０％の容器内に入れて、１０
００時間の耐久テストを行った結果、腐食した部分は見
あたらなかった。その結果、一般に、建材用鋼板は環境
媒質の中で雨，風および大気中のダストなどの外的作用
を受けるが、スパッタリング装置１を用いてアルミニウ
ム膜およびＳｉＯ₂ 膜をコーティングすることにより、
建材用鋼板の劣化を抑え、耐久性を強化して、外的作用
による影響を抑えられることが確認できた。Instead of the long substrate 200, a steel plate is sent out and
The first film forming chamber 20 after being set in the chamber 10
The aluminum target as the first target 22.
And the first sputtering gas S₁ age
Ar gas is used to deposit an aluminum film on the steel plate.
It was After that, in the second film forming chamber 30, the second target is formed.
The Si target is used as the unit 32 and the second
Sputtering gas S ₂ Ar gas and reactive gas
O as R₂ Using gas, SiO₂ Aluminium membrane
Deposited on the membrane. Steel plates for building materials manufactured in this way
Place in a container at a temperature of 80 ° C and a humidity of 90% for 10
As a result of the 00-hour durability test, no corroded parts were found.
It didn't work. As a result, steel sheets for building materials are generally
External effects such as rain, wind and atmospheric dust in the medium
, But using the sputtering system 1
Film and SiO₂ By coating the membrane,
Prevents deterioration of steel sheets for building materials, enhances durability, and acts externally
It was confirmed that the effect of

【００５５】Ｂ．本発明の第１の真空処理装置について 図５は、本発明の第１の真空処理装置の第１の実施例を
示す概略構成図である。B. First Vacuum Processing Apparatus of the Present Invention FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of the first vacuum processing apparatus of the present invention.

【００５６】真空処理装置1000は、内部が繰り返し大気
圧と真空とにされる第１の真空室（チャンバ）1010と、
内部が真空にされた、連続的に投入される長尺基板1001
に所定の処理を施す第２の真空室（チャンバ）1020と、
第１の真空室1010と第２の真空室1020とを仕切るゲート
部1030とを含む点については、従来の真空処理装置と同
様である。しかし、真空処理装置1000は、ゲート部1030
が以下のように構成されている点で、従来の真空処理装
置と異なる。The vacuum processing apparatus 1000 includes a first vacuum chamber (chamber) 1010 whose interior is repeatedly evacuated to atmospheric pressure and vacuum,
Continuously loaded long substrate 1001 with a vacuum inside
A second vacuum chamber (chamber) 1020 for performing a predetermined treatment on
A point including a gate portion 1030 for partitioning the first vacuum chamber 1010 and the second vacuum chamber 1020 is the same as the conventional vacuum processing apparatus. However, in the vacuum processing apparatus 1000, the gate unit 1030
Is different from the conventional vacuum processing apparatus in that it is configured as follows.

【００５７】ゲート部1030は、ハウジング1031と、ハウ
ジング1031の図示下面に設けられた支持部材1032と、ハ
ウジング1031の第１の真空室1010側に設けられた第１の
ゲート可動部1033と、ハウジング1031の第２の真空室10
20側に設けられた第２のゲート可動部1034と、第１のゲ
ート可動部1033を支持部材1032と垂直方向（図示上下方
向）に移動させる第１のゲート駆動機構1035と、第２の
ゲート可動部1034を支持部材1032と垂直方向に移動させ
る第２のゲート駆動機構1036を含み、第１のゲート駆動
機構1035により第１のゲート可動部1033が支持部材1032
側に移動させられると、弁座1033₁ （図２１参照）と支
持部材1032とにより長尺基板1001を挟み、また、第２の
ゲート駆動機構1036により第２のゲート可動部1034が支
持部材1032側に移動させられると、弁座1034₁ （不図
示）と支持部材1032とにより長尺基板1001を挟むように
構成されている。なお、ゲート部1030のハウジング1031
は、第１の真空バルブ1041を介して不活性ガス導入源10
42と連通されているとともに、第２の真空バルブ1043を
介して真空ポンプ1044と連通されている。また、ゲート
部1030のハウジング1031には、圧力調整バルブ1045が設
けられている。The gate portion 1030 includes a housing 1031, a support member 1032 provided on the lower surface of the housing 1031 in the figure, a first gate movable portion 1033 provided on the first vacuum chamber 1010 side of the housing 1031, and a housing. 1031 second vacuum chamber 10
A second gate movable part 1034 provided on the 20 side, a first gate drive mechanism 1035 for moving the first gate movable part 1033 in a direction (vertical direction in the drawing) perpendicular to the support member 1032, and a second gate It includes a second gate drive mechanism 1036 for moving the movable portion 1034 in a direction perpendicular to the support member 1032, and the first gate movable mechanism 1035 causes the first gate movable portion 1033 to move to the support member 1032.
When moved to the side, pinching the long substrate 1001 by the valve seat 1033 ₁ (see FIG. 21) and the support member 1032, also by the second gate driving mechanism 1036 second gate movable portion 1034 supporting member 1032 When moved to the side, and is configured so as to sandwich the long substrate 1001 by a valve seat 1034 ₁ (not shown) and the support member 1032. The housing 1031 of the gate portion 1030
Is the inert gas introduction source 10 via the first vacuum valve 1041.
42, and also communicates with the vacuum pump 1044 via the second vacuum valve 1043. A pressure adjusting valve 1045 is provided in the housing 1031 of the gate portion 1030.

【００５８】ここで、第１のゲート可動部1033の弁座10
33₁ および第２のゲート可動部1034の弁座1034₁ の材料
と支持部材1032の材料としては弾性体と金属とが考えら
れ、また、その組合せとしては、表Ｂ１に示す４通りの
組合せが考えられる。Here, the valve seat 10 of the first gate movable portion 1033.
33 ₁ and a material of the second valve seat 1034 _first material and the support member 1032 of the gate movable portion 1034 is considered the elastic body and the metal, also, as the combination thereof, the combination of four types shown in Table B1 Conceivable.

【００５９】[0059]

【表３】 弾性体の例としては、たとえばバイトン，ネオプレンゴ
ム，テフロン，ポリプロピレン，ポリスチレンおよびＡ
ＢＳ樹脂などが挙げられる。また、金属の例としては、
たとえばアルミニウム，ステンレス，チタニウム，アル
ミニウムの表面処理品およびステンレスの表面処理品な
どが挙げられる。[Table 3] Examples of elastic bodies include Viton, neoprene rubber, Teflon, polypropylene, polystyrene and A
BS resin etc. are mentioned. Also, as an example of metal,
Examples include aluminum, stainless steel, titanium, surface treated products of aluminum, and surface treated products of stainless steel.

【００６０】表Ｂ１に示した第１の組合せおよび第２の
組合せでは、第１のゲート可動部1033の弁座1033₁ およ
び第２のゲート可動部1034の弁座1034₁ と支持部材1032
とにより長尺基板1001をそれぞれ挟んだときの密閉度を
保つためには、使用する長尺基板1001の厚さが弾性体の
つぶれしろより小さいことが必要である。図６は、第１
のゲート可動部1033の弁座1033₁ および第２のゲート可
動部1034の弁座1034₁と支持部材1032とにより種々の厚
みの長尺基板1001をそれぞれ挟んだときの、弾性体のつ
ぶれ量とゲート部1030を介して漏れる空気の漏れ量との
関係を測定した一測定結果を示すグラフである。図示○
印は、第１のゲート可動部1033の弁座1033₁ と支持部材
1032とにより長尺基板1001を挟んだときの測定結果を示
す。また、図示◇印は、第１のゲート可動部1033の弁座
1033₁ および第２のゲート可動部1034の弁座1034₁ と支
持部材1032とにより長尺基板1001をそれぞれ挟んだとき
の測定結果を示す。この測定結果より、以下のことがわ
かった。 （１）実用上の排気特性を考慮して第１のゲート可動部
1033および第２のゲート可動部1034のいずれか一方のみ
を使用する場合には、長尺基板1001の厚さを弾性体のつ
ぶれしろの２／３以下とすることが望ましいことがわか
った。 （２）第１のゲート可動部1033および第２のゲート可動
部1034の両方を使用する場合には、長尺基板1001の厚さ
を弾性体のつぶれしろと同じにしても実使用に耐え得
る。[0060] Table in the first combination and the second combination shown in B1, the first valve seat 1034 ₁ of the valve seat 1033 ₁ and the second gate movable portion 1034 of a gate movable portion 1033 supporting member 1032
In order to maintain the tightness when the long substrates 1001 are sandwiched by and, the thickness of the long substrate 1001 to be used needs to be smaller than the collapsing margin of the elastic body. FIG. 6 shows the first
When sandwiching the valve seat 1033 ₁ and the second long substrate 1001 of various thicknesses by the valve seat 1034 ₁ and the support member 1032 of the gate movable portion 1034 of a gate movable portion 1033 respectively, the amount collapse of the elastic member 7 is a graph showing one measurement result of measuring the relationship with the amount of air leaked through the gate portion 1030. Illustration ○
The mark indicates the valve seat 10331 of the _first gate movable portion 1033 and the supporting member.
1032 shows a measurement result when the long substrate 1001 is sandwiched by 1032. Also, the symbol ⋄ in the figure indicates the valve seat of the first gate movable portion 1033.
1033 ₁ and the measurement results when the long substrate 1001 is sandwiched between the valve seat 1034 _{1 of} the second movable gate portion 1034 and the support member 1032 are shown. From this measurement result, the following was found. (1) First gate movable part in consideration of practical exhaust characteristics
It has been found that when only one of 1033 and the second movable gate portion 1034 is used, it is desirable to set the thickness of the long substrate 1001 to 2/3 or less of the crushed margin of the elastic body. (2) When both the first gate movable portion 1033 and the second gate movable portion 1034 are used, even if the thickness of the long substrate 1001 is made the same as that of the elastic member, it can withstand actual use. .

【００６１】なお、シール性に関しては、表Ｂ１に示し
た第３の組合せ，第１および第４の組合せ，第２の組合
せの順番でよく、また、耐久性に関しては、第２の組合
せ，第１および第４の組合せ，第３の組合せの順番でよ
い。The sealability may be in the order of the third combination, the first and fourth combinations, and the second combination shown in Table B1, and the durability may be the second combination and the second combination. The order of 1st, 4th, and 3rd combinations may be sufficient.

【００６２】ゲート部1030において、第１のゲート可動
部1033と第２のゲート可動部1034との間のハウジング10
31内を排気する場合には、第１のゲート可動部1033の弁
座1033₁ および第２のゲート可動部1034の弁座1034₁ と
支持部材1032とにより長尺基板1001をそれぞれ挟んだの
ち、第２の真空バルブ1043を開いて真空ポンプ1044で排
気する。また、第１のゲート可動部1033と第２のゲート
可動部1034との間のハウジング1031内に不活性ガスを導
入する場合には、第２の真空バルブ1043を閉じるととも
に第１の真空バルブ1041および圧力調整バルブ1045を開
いて、不活性ガス導入源1042から不活性ガスをハウジン
グ1031内に導入して、所定の余圧状態とする。なお、不
活性ガスの種類としては、たとえばアルゴンガス，ヘリ
ウムガスおよび窒素ガスなどが挙げられる。In the gate portion 1030, the housing 10 between the first gate movable portion 1033 and the second gate movable portion 1034 is provided.
When evacuating the 31, after sandwiching the long substrate 1001, respectively by the first valve seat 1034 ₁ and the support member 1032 of the valve seat 1033 ₁ and the second gate movable portion 1034 of a gate movable portion 1033, The second vacuum valve 1043 is opened and the vacuum pump 1044 evacuates. When introducing an inert gas into the housing 1031 between the first movable gate portion 1033 and the second movable gate portion 1034, the second vacuum valve 1043 is closed and the first vacuum valve 1041 is closed. Also, the pressure control valve 1045 is opened, and the inert gas is introduced from the inert gas introduction source 1042 into the housing 1031 so as to be in a predetermined residual pressure state. The types of inert gas include, for example, argon gas, helium gas and nitrogen gas.

【００６３】第１の真空室1010内を大気圧状態とすると
ともに第２の真空室1020内を真空状態にして、第１の真
空室1010側からヘリウムを導入することにより、第２の
真空室1020内へのヘリウムの侵入量を、第２の真空室10
20内に取付けたヘリウムリークディテクターで測定し
た。第１のゲート可動部1033と第２のゲート可動部1034
との間のハウジング1031内を排気した場合と、第１のゲ
ート可動部1033と第２のゲート可動部1034との間のハウ
ジング1031内に不活性ガスである窒素ガスを導入した場
合とのいずれにおいても、第２の真空室1020内へのヘリ
ウムガスの侵入量は、ヘリウムリークディテクターの測
定限界値（１．０×１０^-8Ｔｏｒｒ ｌ／ｓｅｃ）以下
であった。The inside of the first vacuum chamber 1010 is set to the atmospheric pressure state, the inside of the second vacuum chamber 1020 is set to a vacuum state, and helium is introduced from the side of the first vacuum chamber 1010. The amount of helium invading the inside of 1020
It was measured with a helium leak detector installed in 20. First gate movable portion 1033 and second gate movable portion 1034
Between the case where the inside of the housing 1031 between the first gate movable portion 1033 and the second gate movable portion 1034 is introduced into the housing 1031 between the first gate movable portion 1033 and the second gate movable portion 1034. Also in the above, the amount of helium gas that entered the second vacuum chamber 1020 was less than or equal to the measurement limit value of the helium leak detector (1.0 × 10 ⁻⁸ Torr 1 / sec).

【００６４】本実施例の真空処理装置1000では、ゲート
部1030は２つのゲート可動部（第１のゲート可動部1033
および第２のゲート可動部1034）を有したが、ゲート可
動部の個数は１個でも３個以上であっても、同様の効果
が得られる。In the vacuum processing apparatus 1000 of this embodiment, the gate portion 1030 has two gate movable portions (first gate movable portion 1033).
Although the second gate movable portion 1034) is provided, the same effect can be obtained even if the number of gate movable portions is one or three or more.

【００６５】図７は、本発明の第１の真空処理装置の第
２の実施例である光ディスク成膜装置を示す概略構成図
である。FIG. 7 is a schematic block diagram showing an optical disk film forming apparatus which is a second embodiment of the first vacuum processing apparatus of the present invention.

【００６６】光ディスク成膜装置1100は、内部が繰り返
し大気圧と真空とにされる基板投入室1110と、内部が真
空にされた第１乃至第４の成膜室1121〜1124と、内部が
繰り返し大気圧と真空とにされる基板取出室1130と、基
板投入室1110と第１の成膜室1121とを仕切る第１のゲー
ト部1140と、第４の成膜室1124と基板取出室1130とを仕
切る第２のゲート部1150とを含む点については、従来の
光ディスク成膜装置と同様である。しかし、光ディスク
成膜装置1100は、第１のゲート部1140と第２のゲート部
1150とが図１に示したゲート部1030と同様の構成をして
いる点で、従来の光ディスク成膜装置と異なる。The optical disk film forming apparatus 1100 has a substrate loading chamber 1110 whose inside is repeatedly evacuated to atmospheric pressure and a vacuum, first to fourth film forming chambers 1121 to 1124 whose inside is evacuated, and the inside of which is repeated. A substrate taking-out chamber 1130 that is set to atmospheric pressure and a vacuum, a first gate portion 1140 that partitions the substrate loading chamber 1110 and the first film forming chamber 1121, a fourth film forming chamber 1124, and a substrate taking-out chamber 1130. The point including the second gate portion 1150 for partitioning the optical disk is the same as that of the conventional optical disk film forming apparatus. However, the optical disk film forming apparatus 1100 has a first gate unit 1140 and a second gate unit.
1150 differs from the conventional optical disk film forming apparatus in that it has the same structure as the gate unit 1030 shown in FIG.

【００６７】なお、基板投入室1110は第１の真空バルブ
1162を介して真空ポンプ1161と連通されており、第１の
ゲート部1140は第２の真空バルブ1163を介して真空ポン
プ1161と連通されており、第１乃至第４の成膜室1121〜
1124は、第３の真空バルブ1164を介して真空ポンプ1161
と連通されており、第２のゲート部1150は第４の真空バ
ルブ1165を介して真空ポンプ1161と連通されており、基
板取出室1130は第５の真空バルブ1166を介して真空ポン
プ1161と連通されている。また、光ディスク成膜装置11
00では、基板1101は、支持体であるキャリヤベルト1170
に載置されて、基板投入室1110，第１のゲート部1140，
第１の成膜室1121，第２の成膜室1122，第３の成膜室11
23，第４の成膜室1124，第２のゲート部1150および基板
取出室1130の順に搬送される。The substrate loading chamber 1110 is the first vacuum valve.
The first gate portion 1140 is in communication with the vacuum pump 1161 via the 1162, and the first gate portion 1140 is in communication with the vacuum pump 1161 via the second vacuum valve 1163.
1124 is a vacuum pump 1161 via a third vacuum valve 1164.
The second gate portion 1150 is in communication with the vacuum pump 1161 via the fourth vacuum valve 1165, and the substrate unloading chamber 1130 is in communication with the vacuum pump 1161 via the fifth vacuum valve 1166. Has been done. In addition, the optical disk film forming apparatus 11
At 00, the substrate 1101 is a carrier belt 1170 that is a support.
Mounted on the substrate loading chamber 1110, the first gate unit 1140,
First film forming chamber 1121, second film forming chamber 1122, third film forming chamber 11
23, the fourth film forming chamber 1124, the second gate portion 1150, and the substrate unloading chamber 1130 are carried in this order.

【００６８】次に、光ディスク成膜装置1100の動作につ
いて説明する。Next, the operation of the optical disk film forming apparatus 1100 will be described.

【００６９】基板投入室1110の内部が大気圧にされてい
る状態で、複数枚の基板1101が基板投入室1110内にセッ
トされる。このとき、第１乃至第４の成膜室1121〜1124
の内部はそれぞれ、第１のゲート部1140の第１のゲート
可動部1143のみが閉じられるとともに第３の真空バルブ
1164が開かれて真空ポンプ1161により排気されたのち、
第１のゲート部1140の第２のゲート可動部1144が閉じら
れて所定の真空度に保たれている。続いて、第１の真空
バルブ1162が開かれて、基板投入室1110の内部が真空ポ
ンプ1161により真空に引かれる。基板投入室1110内が所
定の圧力に達したのち、第１のゲート部1140の第１のゲ
ート可動部1143と第２のゲート可動部1144とが開かれる
とともに、基板1101がキャリヤベルト1170に順次載置さ
れることにより、基板1101が第１乃至第４の成膜室1121
〜1124に連続的に搬送される。A plurality of substrates 1101 are set in the substrate loading chamber 1110 while the inside of the substrate loading chamber 1110 is at atmospheric pressure. At this time, the first to fourth film formation chambers 1121 to 1124
The inside of each is closed by only the first gate movable part 1143 of the first gate part 1140 and the third vacuum valve.
After 1164 is opened and exhausted by the vacuum pump 1161,
The second gate movable portion 1144 of the first gate portion 1140 is closed and kept at a predetermined vacuum level. Then, the first vacuum valve 1162 is opened, and the inside of the substrate loading chamber 1110 is evacuated by the vacuum pump 1161. After the inside of the substrate loading chamber 1110 reaches a predetermined pressure, the first gate movable portion 1143 and the second gate movable portion 1144 of the first gate portion 1140 are opened, and the substrate 1101 is sequentially transferred to the carrier belt 1170. By being placed, the substrate 1101 is formed into the first to fourth film formation chambers 1121.
~ 1124 continuously transported.

【００７０】第１の成膜室1121では、下地の保護層であ
る窒化シリコン膜（膜厚８００Å）がスパッタリングに
より基板1101上に成膜される。第２の成膜室1122では、
記録層であるＴｂＦｅＣｏ膜（膜厚３００Å）がスパッ
タリングにより基板1101上に成膜される。第３の成膜室
1123では、上地の保護層である窒化シリコン膜（膜厚８
００Å）がスパッタリングにより基板1101上に成膜され
る。第４の成膜室1124では、反射層であるアルミニウム
膜（膜厚５００Å）がスパッタリングにより基板1101上
に成膜される。In the first film forming chamber 1121, a silicon nitride film (film thickness 800 Å) which is an underlying protective layer is formed on the substrate 1101 by sputtering. In the second film forming chamber 1122,
A TbFeCo film (film thickness 300Å) which is a recording layer is formed on the substrate 1101 by sputtering. Third film forming chamber
In 1123, the silicon nitride film (thickness 8
00Å) is deposited on the substrate 1101 by sputtering. In the fourth film forming chamber 1124, an aluminum film (film thickness 500Å) which is a reflective layer is formed on the substrate 1101 by sputtering.

【００７１】キャリヤベルト1170が終端に近づいた時
点、または、基板1101がなくなった時点で、第１のゲー
ト部1140の第１のゲート可動部1143の弁座および第２の
ゲート可動部1144の弁座と第１のゲート部1140の支持部
材（不図示）とでキャリヤベルト1170が挟まれたのち、
第１の真空バルブ1162が閉じられ、基板投入室1110の内
部が大気圧にされる。その後、新しいキャリヤベルト11
70または新しい基板1101が基板投入室1110内にセットさ
れたのち、上述した手順が繰り返される。When the carrier belt 1170 approaches the end, or when the substrate 1101 disappears, the valve seat of the first gate movable portion 1143 of the first gate portion 1140 and the valve of the second gate movable portion 1144. After the carrier belt 1170 is sandwiched between the seat and the support member (not shown) of the first gate portion 1140,
The first vacuum valve 1162 is closed and the inside of the substrate loading chamber 1110 is brought to atmospheric pressure. Then the new carrier belt 11
After 70 or a new substrate 1101 is set in the substrate loading chamber 1110, the above procedure is repeated.

【００７２】光ディスク成膜装置1100における基板1101
および巻取られたキャリヤベルト1170の取出しは、第２
のゲート部1150の第１のゲート可動部1153の弁座および
第２のゲート可動部1154の弁座と第２のゲート部1150の
支持部材（不図示）とでキャリヤベルト1170が挟まれた
のち、第５の真空バルブ1166が閉じられ、基板取出室11
30の内部が大気圧にされることにより行われる。Substrate 1101 in optical disk film forming apparatus 1100
And the removal of the wound carrier belt 1170 is
After the carrier belt 1170 is sandwiched between the valve seat of the first gate movable portion 1153 and the valve seat of the second gate movable portion 1154 of the gate portion 1150 of the above and the support member (not shown) of the second gate portion 1150. , The fifth vacuum valve 1166 is closed, and the substrate unloading chamber 11
The inside of 30 is made atmospheric pressure.

【００７３】表Ｂ２に、本実施例の光ディスク成膜装置
1100を使用した場合と従来の光ディスク成膜装置を使用
した場合との稼働率の比較結果を示す。なお、各ゲート
可動部1143，1144，1153，1154の弁座の材料と各支持部
材の材料とはともに、弾性体とした。その理由は、光磁
気ディスクの成膜では酸素や水分に敏感なターゲットの
酸化を防止するために、高い真空度のシール性が要求さ
れるからである。また、従来の光ディスク成膜装置にお
ける稼働率の測定は、本実施例の光ディスク成膜装置11
00における第１のゲート部1140の第１のゲート可動部11
43と第２のゲート部1150の第２のゲート可動部1144のみ
を閉じることにより行った。Table B2 shows the optical disk film forming apparatus of this embodiment.
The results of comparison of operating rates between the case where 1100 is used and the case where a conventional optical disk film forming apparatus is used are shown. The material of the valve seats of the movable gate parts 1143, 1144, 1153, 1154 and the material of the support members were both elastic bodies. The reason is that in the film formation of the magneto-optical disk, a high vacuum degree sealing property is required in order to prevent the oxidation of the target sensitive to oxygen and moisture. Further, the operation rate of the conventional optical disk film forming apparatus is measured by the optical disk film forming apparatus 11 of this embodiment.
First gate movable part 11 of first gate part 1140 at 00
It was performed by closing only 43 and the second gate movable portion 1144 of the second gate portion 1150.

【００７４】[0074]

【表４】 注１）休止時間＝リークから真空度出しまでの時間 注２）稼働率＝成膜時間／（成膜時間＋休止時間）×１
００％ 表Ｂ２に示した比較結果より、本実施例の光ディスク成
膜装置1100では、第１乃至第４の成膜室1121〜1124を真
空に保持することができるため、休止時間を従来の光デ
ィスク成膜装置の８１％に短縮できることがわかる。そ
の結果、稼働率も従来の光ディスク成膜装置の８８％か
ら９０％に向上することができる。[Table 4] Note 1) Pause time = Time from leak to vacuum level Note 2) Operation rate = Film formation time / (Film formation time + Pause time) x 1
00% From the comparison result shown in Table B2, in the optical disk film forming apparatus 1100 of the present embodiment, the first to fourth film forming chambers 1121 to 1124 can be maintained in vacuum, so that the down time is shortened. It can be seen that it can be shortened to 81% of the film forming apparatus. As a result, the operating rate can be improved from 88% of the conventional optical disk film forming apparatus to 90%.

【００７５】表Ｂ３は、本実施例の光ディスク成膜装置
1100において、第１のゲート部1140の第１のゲート可動
部1143と第２のゲート可動部1144とを閉じたときに、第
２の真空バルブ1163を開いて、第１のゲート部1140の第
１のゲート可動部1143と第２のゲート可動部1144との間
の空間内を真空ポンプ1161で排気することにより、該空
間内を排気しない場合との比較を行った結果を示すもの
である。Table B3 shows the optical disk film forming apparatus of this embodiment.
In 1100, when the first gate movable portion 1143 and the second gate movable portion 1144 of the first gate portion 1140 are closed, the second vacuum valve 1163 is opened to open the first gate portion 1140. The result of performing a comparison with the case where the space between the first movable gate portion 1143 and the second movable gate portion 1144 is evacuated by the vacuum pump 1161 is shown.

【００７６】[0076]

【表５】 注１）休止時間＝リークから真空度出しまでの時間 注２）稼働率＝成膜時間／（成膜時間＋休止時間）×１
００％ 表Ｂ３に示した比較結果より、第１のゲート部1140の第
１のゲート可動部1143と第２のゲート可動部1144との間
の空間内を排気をすることにより、休止時間を８０％短
縮することができることがわかる。したがって、要求さ
れる光ディスク成膜装置の仕様によって、排気機構の有
無を選択することができる。[Table 5] Note 1) Pause time = Time from leak to vacuum level Note 2) Operation rate = Film formation time / (Film formation time + Pause time) x 1
00% From the comparison result shown in Table B3, the dwell time is set to 80 by exhausting the space between the first gate movable portion 1143 and the second gate movable portion 1144 of the first gate portion 1140. You can see that it can be shortened by%. Therefore, the presence or absence of the exhaust mechanism can be selected according to the required specifications of the optical disk film forming apparatus.

【００７７】本実施例の光ディスク成膜装置1100では、
キャリヤベルト1170は終端を有するものを用いたが、こ
れに限定されるわけではなく、ループ状のキャリヤベル
トを使用して、キャリヤベルトの追加または交換を不要
にしてもよい。In the optical disk film forming apparatus 1100 of this embodiment,
Although the carrier belt 1170 used has a terminal end, it is not limited thereto, and a loop-shaped carrier belt may be used so that addition or replacement of the carrier belt is unnecessary.

【００７８】図８は、本発明の第１の真空処理装置の第
３の実施例であるエッチング装置を示す概略構成図であ
る。FIG. 8 is a schematic block diagram showing an etching apparatus which is a third embodiment of the first vacuum processing apparatus of the present invention.

【００７９】エッチング装置1200は、ロール状の長尺基
板1201を真空中でエッチング処理するものである。エッ
チング装置1200は、内部が繰り返し大気圧と真空とにさ
れる基板投入室1210と、内部が真空にされた処理室1220
と、内部が繰り返し大気圧と真空とにされる基板取出室
1230と、基板投入室1210と処理室1220とを仕切る第１の
ゲート部1240と、処理室1220と基板取出室1230とを仕切
る第２のゲート部1250とを含む点については、従来のエ
ッチング装置と同様である。しかし、エッチング装置12
00は、第１のゲート部1240と第２のゲート部1250とが図
１に示したゲート部1030と同様の構成をしている点で、
従来のエッチング装置と異なる。The etching apparatus 1200 is for etching a roll-shaped long substrate 1201 in a vacuum. The etching apparatus 1200 includes a substrate loading chamber 1210 whose interior is repeatedly evacuated to atmospheric pressure and a processing chamber 1220 whose interior is evacuated.
And the inside of the substrate extraction chamber where the inside is repeatedly evacuated to atmospheric pressure and vacuum
1230, a first gate unit 1240 for partitioning the substrate loading chamber 1210 and the processing chamber 1220, and a second gate unit 1250 for partitioning the processing chamber 1220 and the substrate unloading chamber 1230 are included in the conventional etching apparatus. Is the same as. However, the etching device 12
00 is that the first gate portion 1240 and the second gate portion 1250 have the same configuration as the gate portion 1030 shown in FIG.
Different from conventional etching equipment.

【００８０】なお、基板投入室1210は第１の真空バルブ
1262を介して真空ポンプ1261と連通されており、処理室
1220は第２の真空バルブ1263を介して真空ポンプ1261と
連通されており、基板取出室1230は第３の真空バルブ12
64を介して真空ポンプ1261と連通されている。The substrate loading chamber 1210 is the first vacuum valve.
It communicates with the vacuum pump 1261 through 1262,
1220 is connected to the vacuum pump 1261 through the second vacuum valve 1263, and the substrate unloading chamber 1230 is connected to the third vacuum valve 1213.
It is connected to the vacuum pump 1261 via 64.

【００８１】次に、エッチング装置1200の動作について
説明する。Next, the operation of the etching apparatus 1200 will be described.

【００８２】基板投入室1210の内部が大気圧にされてい
る状態で、長尺基板1201が基板投入室1210内にセットさ
れる。このとき、処理室1220の内部は、第１のゲート部
1240の第１のゲート可動部1143のみが閉じられるととも
に第２の真空バルブ1263が開かれて真空ポンプ1261によ
り排気されたのち、第１のゲート部1240の第２のゲート
可動部1244が閉じられて所定の真空度に保たれている。
続いて、第１の真空バルブ1262が開かれて、基板投入室
1210の内部が真空ポンプ1261により真空に引かれる。基
板投入室1210内が所定の圧力に達したのち、第１のゲー
ト部1240の第１のゲート可動部1243と第２のゲート可動
部1244とが開かれることにより、長尺基板1201が処理室
1220に搬送されて、エッチング処理がなされる。エッチ
ング処理がされた長尺基板1201は、第２のゲート部1250
を介して基板取出室1260に搬送されて巻き取られる。The long substrate 1201 is set in the substrate loading chamber 1210 in a state where the inside of the substrate loading chamber 1210 is at atmospheric pressure. At this time, the inside of the processing chamber 1220 is the first gate unit.
Only the first movable gate portion 1143 of 1240 is closed and the second vacuum valve 1263 is opened to be evacuated by the vacuum pump 1261. Then, the second movable gate portion 1244 of the first gate portion 1240 is closed. Is maintained at a predetermined vacuum level.
Then, the first vacuum valve 1262 is opened, and the substrate loading chamber is opened.
The inside of 1210 is evacuated by a vacuum pump 1261. After the inside pressure of the substrate loading chamber 1210 reaches a predetermined pressure, the first gate moving part 1243 and the second gate moving part 1244 of the first gate part 1240 are opened, so that the long substrate 1201 is transferred to the processing chamber.
It is transported to 1220 and is subjected to etching processing. The long substrate 1201 that has been subjected to the etching process has a second gate portion 1250.
It is conveyed to the substrate take-out chamber 1260 via the and is wound up.

【００８３】基板投入室1210内にセットされた長尺基板
1201が終端に近づいた時点で、第１のゲート部1240の第
１のゲート可動部1243の弁座および第２のゲート可動部
1244の弁座と第１のゲート部1240の支持部材（不図示）
とで長尺基板1201が挟まれたのち、第１の真空バルブ12
62が閉じられ、基板投入室1210の内部が大気圧にされ
る。その後、新しい長尺基板1201が基板投入室1210内に
セットされ、前の長尺基板1201の残りと連結されたの
ち、上述した手順が繰り返されることにより、新しい長
尺基板1201にエッチング処理がなされる。Long substrate set in the substrate loading chamber 1210
When 1201 approaches the end, the valve seat of the first gate movable portion 1243 of the first gate portion 1240 and the second gate movable portion.
A valve seat of 1244 and a support member of the first gate portion 1240 (not shown)
After the long substrate 1201 is sandwiched between and, the first vacuum valve 12
62 is closed and the inside of the substrate loading chamber 1210 is brought to atmospheric pressure. After that, a new long substrate 1201 is set in the substrate loading chamber 1210, connected to the rest of the previous long substrate 1201, and the above-described procedure is repeated, so that the new long substrate 1201 is subjected to etching treatment. It

【００８４】すべての長尺基板1201のエッチング処理が
終了すると、第２のゲート部1250の第１のゲート可動部
1253の弁座および第２のゲート可動部1254の弁座と第２
のゲート部1250の支持部材（不図示）とで長尺基板1201
が挟まれたのち、第３の真空バルブ1264が閉じられ、基
板取出室1230の内部が大気圧にされる。その後、すべて
の長尺基板1201が基板取出室1230から取り出されたの
ち、第３の真空バルブ1264が開かれて基板取出室1230の
内部が真空ポンプ1261により真空に引かれる。その後、
第２のゲート部1250の第１のゲート可動部1253および第
２のゲート可動部1254が開かれる。When the etching processing of all the long substrates 1201 is completed, the first gate movable portion of the second gate portion 1250 is
1253 valve seat and second gate movable part 1254 valve seat and second
A long substrate 1201 with a support member (not shown) for the gate portion 1250 of
After being sandwiched, the third vacuum valve 1264 is closed and the inside of the substrate extraction chamber 1230 is brought to atmospheric pressure. Then, after all the long substrates 1201 have been taken out of the substrate unloading chamber 1230, the third vacuum valve 1264 is opened and the inside of the substrate unloading chamber 1230 is evacuated by the vacuum pump 1261. afterwards,
The first gate movable portion 1253 and the second gate movable portion 1254 of the second gate portion 1250 are opened.

【００８５】表Ｂ４に、本実施例のエッチング装置1200
を使用した場合と従来のエッチング装置を使用した場合
との稼働率の比較結果を示す。なお、各ゲート可動部12
43，1244，1253，1254の弁座の材料と各支持部材の材料
とはともに、金属とした。その理由は、常温のエッチン
グ処理では高い真空度が要求されないからである。ま
た、従来のエッチング装置における稼働率の測定は、本
実施例のエッチング装置1200における第１のゲート部12
40の第２のゲート可動部1244と第２のゲート部1250の第
１のゲート可動部1143を閉いたままにすることにより行
った。Table B4 shows the etching apparatus 1200 of this embodiment.
The results of comparison of the operating rates of the case of using and the case of using the conventional etching apparatus are shown. In addition, each gate movable part 12
The material of the valve seats 43, 1244, 1253, 1254 and the material of each support member were both metal. The reason is that a high degree of vacuum is not required in the etching process at room temperature. In addition, the operation rate of the conventional etching apparatus is measured by the first gate unit 12 in the etching apparatus 1200 of this embodiment.
This was done by keeping the second gate movable part 1244 of 40 and the first gate movable part 1143 of the second gate part 1250 closed.

【００８６】[0086]

【表６】 注１）休止時間＝リークから真空度出しまでの時間 注２）稼働率＝エッチング時間／（エッチング時間＋休
止時間）×１００％ 表Ｂ４に示した比較結果より、本実施例のエッチング装
置1200では、処理室1220を真空に保持することができる
ため、真空度出しのための時間を従来のエッチング装置
の２０％に短縮でき、休止時間も従来のエッチング装置
の４７％に短縮できることがわかる。その結果、稼働率
も従来のエッチング装置の８４％から９２％に向上する
ことができる。[Table 6] Note 1) Pause time = time from leak to vacuum level Note 2) Operating rate = etching time / (etching time + pause time) x 100% From the comparison results shown in Table B4, the etching apparatus 1200 of this example Since the processing chamber 1220 can be maintained in a vacuum, it can be seen that the time for vacuuming can be reduced to 20% of that of the conventional etching apparatus, and the down time can be reduced to 47% of that of the conventional etching apparatus. As a result, the operating rate can be improved from 84% of the conventional etching apparatus to 92%.

【００８７】なお、第１のゲート部1240の第１のゲート
可動部1243と第２のゲート可動部1244との間の空間を排
気する代わりに、該空間に不活性ガスを導入して余圧状
態にしても、同様の結果を得ることができた。It should be noted that instead of exhausting the space between the first gate moving part 1243 and the second gate moving part 1244 of the first gate part 1240, an inert gas is introduced into the space to allow the residual pressure. Even in the state, the same result could be obtained.

【００８８】Ｃ．本発明の第２の真空処理装置について 図９は、本発明の第２の真空処理装置の第１の実施例を
示す概略構成図である。C. Second Vacuum Processing Apparatus of the Present Invention FIG. 9 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of the second vacuum processing apparatus of the present invention.

【００８９】真空処理装置2000は、電気的に接地された
真空容器2001と、真空容器2001内に設けられた、基体20
10が帯電している電荷と反対極性のプラズマＰｍを真空
容器2001内に発生させるためのプラズマ発生用電極2002
と、真空容器2001外に設けられた、プラズマ発生用電極
2002に電力を供給するためのプラズマ発生用電源2003
と、真空容器2001外に設けられた、真空容器2001内を排
気するための真空ポンプ2004と、真空容器2001と真空ポ
ンプ2004とを連通する排気管2005と、排気管2005に介在
されたバルブ2006とを含む。なお、絶縁体からなる基体
2010は、真空容器2001内のプラズマ発生用電極2002と相
対して置かれる。The vacuum processing apparatus 2000 includes a vacuum container 2001 that is electrically grounded, and a substrate 20 provided in the vacuum container 2001.
Electrode for plasma generation 2002 for generating plasma Pm having the opposite polarity to the charged electric charge in the vacuum chamber 2001
And a plasma generating electrode provided outside the vacuum container 2001.
Power supply for plasma generation 2003 to supply power to 2002
And a vacuum pump 2004 provided outside the vacuum container 2001 for exhausting the inside of the vacuum container 2001, an exhaust pipe 2005 connecting the vacuum container 2001 and the vacuum pump 2004, and a valve 2006 interposed in the exhaust pipe 2005. Including and A base made of an insulator
2010 is placed facing the plasma generating electrode 2002 in the vacuum container 2001.

【００９０】次に、帯電した基体2010の除電を行うとき
の真空処理装置2000の動作について説明する。Next, the operation of the vacuum processing apparatus 2000 when removing the static electricity from the charged substrate 2010 will be described.

【００９１】真空容器2001内のプラズマ発生用電極2002
と相対して、基体2010を置く。このとき、基体2010が帯
電して電位Ｖ₀ （通常は、数千ボルトの電位）となって
いるとすると、基体2010を介した、接地された真空容器
2001とプラズマ発生用電極2002との間の電位分布は、た
とえば図１０に示すように、電位が”０”の真空容器20
01から電位Ｖ₀ が基体2010までは、真空容器2001から基
体2010までの距離に比例して電位が大きくなり、また、
電位Ｖ₀ が基体2010から電位が”０”のプラズマ発生用
電極2002までは、基体2010からプラズマ発生用電極2002
までの距離に比例して電位が小さくなる。Plasma generation electrode 2002 in vacuum container 2001
Place the substrate 2010, opposite to. At this time, assuming that the base body 2010 is charged to have a potential V ₀ (normally, a potential of several thousand volts), the vacuum container grounded via the base body 2010.
The potential distribution between 2001 and the plasma generation electrode 2002 is, for example, as shown in FIG.
From 01 to the electric potential V ₀ to the substrate 2010, the electric potential increases in proportion to the distance from the vacuum container 2001 to the substrate 2010, and
From the base body 2010 having the potential V ₀ to the plasma generation electrode 2002 having the potential “0”, the base body 2010 is changed to the plasma generation electrode 2002.
The potential decreases in proportion to the distance to.

【００９２】帯電した基体2010の除電を行うため、真空
ポンプ2004を起動したのちバルブ2006を開くことによ
り、基体2010が置かれた真空容器2001内を排気する。真
空容器2001内が所定の圧力になった時点で、プラズマ発
生用電源2003をオンして、プラズマ発生用電源2003から
プラズマ発生用電極2002へ電力を供給することにより、
基体2010が帯電している電荷と反対極性のプラズマＰｍ
をプラズマ発生用電極2002から発生させて、基体2010に
照射させる。このときのプラズマ発生用電極2002の電位
をＶ₂ とすると、真空容器2001の近傍からプラズマ発生
用電極2002の近傍までの電位は、たとえば図１１に示す
ように、ほぼ一定となる。なお、電位Ｖ₁は数十ボルト
程度のものである。したがって、基体2010が帯電してい
る電荷と反対極性のプラズマＰｍを基体2010に照射させ
ることにより、基体2010の電位は、数千ボルト程度の電
位Ｖ₀ から数十ボルト程度の電位Ｖ₁ となるため、基体
2010の除電を行うことができる。In order to remove the static electricity from the charged substrate 2010, the vacuum pump 2004 is started and then the valve 2006 is opened to evacuate the inside of the vacuum container 2001 in which the substrate 2010 is placed. When the inside of the vacuum container 2001 reaches a predetermined pressure, the plasma generation power source 2003 is turned on, and power is supplied from the plasma generation power source 2003 to the plasma generation electrode 2002.
Plasma Pm having the opposite polarity to the electric charge on the base 2010
Are generated from the plasma generation electrode 2002 and are irradiated to the base 2010. When the potential of the plasma generating electrode 2002 at this time is V ₂ , the potential from the vicinity of the vacuum chamber 2001 to the vicinity of the plasma generating electrode 2002 is substantially constant as shown in FIG. 11, for example. The potential V ₁ is about several tens of volts. Therefore, by irradiating the base body 2010 with plasma Pm having a polarity opposite to the electric charge charged on the base body 2010, the potential of the base body 2010 changes from a potential V _{0 of} about several thousand volts to a potential V _{1 of} about several tens of volts. For the base
It is possible to remove static electricity in 2010.

【００９３】除電後の基体2010の電位Ｖ₁ は、 Ｖ₁＝Ｖ₂（Ｓ_E／Ｓ₀）⁴ （Ｃ１） ここで、Ｓ_E＝プラズマ発生用電極2002の電極面積 Ｓ₀＝接地面積（真空容器2001の接地されているすべて
の面の面積） で表されることから、電極面積Ｓ_E に対して接地面積Ｓ
₀ をより大きくすることにより、除電後の基体2010の電
位Ｖ₁ をほとんど”０”とすることができる。The electric potential V ₁ of the substrate 2010 after static elimination is V ₁ = V ₂ (S _E / S ₀ ) ⁴ (C1) where S _E = electrode area of the plasma generation electrode 2002 S ₀ = ground area ( from being represented in a vacuum area of all surfaces that are grounded containers 2001), the ground contact area S relative to the electrode area S _E
By increasing ₀ , the potential V ₁ of the substrate 2010 after static elimination can be almost "0".

【００９４】図１２は、本発明の第２の真空処理装置の
第２の実施例を示す概略構成図である。FIG. 12 is a schematic configuration diagram showing a second embodiment of the second vacuum processing apparatus of the present invention.

【００９５】真空処理装置2100は、真空容器2101と、真
空容器2001内に設けられた、電気的に接地されたブラシ
状導電体2102と、真空容器2101外に設けられた、真空容
器2101内を排気するための真空ポンプ2104と、真空容器
2101と真空ポンプ2104とを連通する排気管2105と、排気
管2105に介在されたバルブ2106とを含む。ここで、ブラ
シ状導電体2102を用いる理由は、基体2010を部分的かつ
局所的に、電気的に接地するためである。なお、絶縁体
からなる基体2010は、通常は、ブラシ状導電体2102と相
対して置かれる。The vacuum processing apparatus 2100 includes a vacuum container 2101, an electrically grounded brush-shaped conductor 2102 provided in the vacuum container 2001, and a vacuum container 2101 provided outside the vacuum container 2101. Vacuum pump 2104 for evacuating, and vacuum container
It includes an exhaust pipe 2105 that connects 2101 and the vacuum pump 2104, and a valve 2106 interposed in the exhaust pipe 2105. Here, the reason why the brush-shaped conductor 2102 is used is to electrically ground the substrate 2010 partially and locally. Note that the base body 2010 made of an insulator is usually placed so as to face the brush-shaped conductor 2102.

【００９６】次に、帯電した基体2010の除電を行うとき
の真空処理装置2100の動作について説明する。Next, the operation of the vacuum processing apparatus 2100 when the static charge on the charged substrate 2010 is removed will be described.

【００９７】真空容器2101内のブラシ状導電体2102と相
対して、基体2010を置く。このとき、基体2010が帯電し
ているとすると、帯電した基体2010の除電を行うため、
真空ポンプ2104を起動したのちバルブ2106を開くことに
より、基体2010が置かれた真空容器2101内を排気する。
真空容器2101内が所定の圧力になった時点で、基体2010
とブラシ状導電体2102とを接触させる。このとき、ブラ
シ状導電体2102は電気的に接地されているため、基体20
10のブラシ状導電体2102との接触部分の電位が”０”と
なる。その結果、基体2010の除電が行われる。The substrate 2010 is placed facing the brush-shaped conductor 2102 in the vacuum container 2101. At this time, if the base body 2010 is charged, in order to remove the charge of the charged base body 2010,
After activating the vacuum pump 2104 and opening the valve 2106, the inside of the vacuum container 2101 in which the substrate 2010 is placed is evacuated.
When the inside of the vacuum container 2101 reaches a predetermined pressure, the substrate 2010
And the brush-shaped conductor 2102 are brought into contact with each other. At this time, since the brush-shaped conductor 2102 is electrically grounded, the base 20
The potential of the contact portion of 10 with the brush-shaped conductor 2102 becomes “0”. As a result, the base 2010 is removed.

【００９８】Ｄ．本発明の熱電対について 図１３は、本発明の熱電対の第１の実施例を示す概略構
成図である。D. Regarding Thermocouple of the Present Invention FIG. 13 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of the thermocouple of the present invention.

【００９９】熱電対1300は、両端が接合された、互いに
異なる第１の導体1301および第２の導体1302と、第１の
導体1301の一端と第２の導体1302の一端とが接合された
測定接点Ｐに設けられた磁石1303とを含み、磁力により
磁石1303と吸着する被測定固体1310の温度測定に使用さ
れるものである。The thermocouple 1300 is a measurement in which the first conductor 1301 and the second conductor 1302, both ends of which are joined together, and one end of the first conductor 1301 and one end of the second conductor 1302 are joined together. It is used for measuring the temperature of the solid 1310 to be measured which includes the magnet 1303 provided at the contact point P and is attracted to the magnet 1303 by magnetic force.

【０１００】熱電対1300を用いて被測定固体1310の温度
測定を行う際には、磁石1303が被測定固体1310の所望の
位置に吸着されることにより、位置調整された熱電対13
00の測定接点Ｐが、被測定固体1310の所望の位置に接
触，固定される。したがって、本実施例の熱電対1300で
は、磁石1303を被測定固体1310の所望の位置に吸着させ
ることにより熱電対1300の測定接点Ｐを被測定固体1310
の所望の位置に正確に固定させることができるため、熱
電対1300を被測定固体1310へ取り付ける際の作業性およ
び繰返し再現性を向上させることができ、再現性のよい
温度測定が行える。When the temperature of the solid 1310 to be measured is measured using the thermocouple 1300, the magnet 1303 is attracted to a desired position of the solid 1310 to be measured to adjust the position of the thermocouple 1310.
The measurement contact P of 00 is brought into contact with and fixed to a desired position of the solid 1310 to be measured. Therefore, in the thermocouple 1300 of the present embodiment, the measurement contact P of the thermocouple 1300 is fixed to the measured solid 1310 by adsorbing the magnet 1303 to a desired position of the measured solid 1310.
Since it can be accurately fixed at a desired position in (1), workability and reproducibility when attaching the thermocouple 1300 to the solid 1310 to be measured can be improved, and temperature measurement with good reproducibility can be performed.

【０１０１】図１４は、本発明の熱電対の第２の実施例
を示す概略構成図である。FIG. 14 is a schematic constitutional view showing a second embodiment of the thermocouple of the present invention.

【０１０２】本実施例の熱電対1320は、磁石1323が第１
の導体1321の一端と第２の導体1322の一端とが接合され
た測定接点Ｐの近傍に設けられている点で、図１３に示
した第１の実施例の熱電対1300と異なる。本実施例の熱
電対1320は、細い管1332で外部と通じている容器1331内
に収容された被測定気体1330の温度測定に使用されるも
のである。なお、容器1331は、磁力により磁石と吸着す
る材料からなるものである。In the thermocouple 1320 of this embodiment, the magnet 1323 is the first.
1 is different from the thermocouple 1300 of the first embodiment shown in FIG. 13 in that one end of the conductor 1321 and one end of the second conductor 1322 are provided in the vicinity of the measurement contact P. The thermocouple 1320 of the present embodiment is used for measuring the temperature of the gas to be measured 1330 contained in the container 1331 communicating with the outside by the thin tube 1332. The container 1331 is made of a material that is attracted to the magnet by magnetic force.

【０１０３】熱電対1320を用いて被測定気体1330の温度
測定を行う際には、磁石1323が容器1331の所望の位置に
吸着されることにより、位置調整された熱電対1321の測
定接点Ｐが、熱電対1320自体の応力または熱電対1320の
自重により、被測定気体1330の所望の位置に設定され
る。このとき、容器1331の所望の位置に磁石1323を吸着
させる方法としては、たとえば容器1331の管1332の入口
に磁石1323を吸着させたのち棒状の物体で磁石1323を押
し込む方法などを用いればよい。したがって、本実施例
の熱電対1320では、磁石1323を容器1331の所望の位置に
吸着させることにより熱電対1320の測定接点Ｐを被測定
気体1330の所望の位置に正確に設定させることができる
ため、熱電対1320を被測定気体1330へ設定する際の作業
性および繰返し再現性を向上させることができ、再現性
のよい温度測定が行える。When the temperature of the gas to be measured 1330 is measured using the thermocouple 1320, the magnet 1323 is attracted to the desired position of the container 1331 so that the measuring contact P of the thermocouple 1321 whose position is adjusted. The desired position of the gas to be measured 1330 is set by the stress of the thermocouple 1320 itself or the weight of the thermocouple 1320. At this time, as a method of attracting the magnet 1323 to a desired position of the container 1331, for example, a method of adsorbing the magnet 1323 at the inlet of the tube 1332 of the container 1331 and then pushing the magnet 1323 with a rod-shaped object may be used. Therefore, in the thermocouple 1320 of the present embodiment, the measurement contact P of the thermocouple 1320 can be accurately set to the desired position of the measured gas 1330 by adsorbing the magnet 1323 to the desired position of the container 1331. The workability and repeatability when setting the thermocouple 1320 to the gas to be measured 1330 can be improved, and temperature measurement with good reproducibility can be performed.

【０１０４】次に、本発明による熱電対と従来の熱電対
との測定精度を比較した一実験結果について、図１５を
参照して説明する。Next, an experimental result comparing the measurement accuracy of the thermocouple according to the present invention with that of the conventional thermocouple will be described with reference to FIG.

【０１０５】本実験例においては、真空チャンバ1350内
を移動するＳＵＳ基板1340を加熱するランプヒータ1351
の加熱能力を本発明による熱電対1360と従来の熱電対13
70を用いてそれぞれ測定したものである。なお、本発明
による熱電対1360は図１３に示した第１の実施例の熱電
対1300と同様の構成を有するものである。ここで、２つ
の熱電対1360，1370は、シース熱電対からなり、実験目
的よりＳＵＳ基板1340の下側から温度測定を行った。ま
た、２つの熱電対1360，1370は、フランジ1352を介して
真空チャンバ1350から外部に取り出されている。真空チ
ャンバ1350内には、２つの熱電対1360，1370の巻き付け
に使用される網状物体1353が設けられている。In this experimental example, a lamp heater 1351 for heating the SUS substrate 1340 moving in the vacuum chamber 1350.
The heating capacity of the thermocouple 1360 according to the present invention and the conventional thermocouple 13
70 was used for each measurement. The thermocouple 1360 according to the present invention has the same structure as the thermocouple 1300 of the first embodiment shown in FIG. Here, the two thermocouples 1360 and 1370 are sheath thermocouples, and the temperature was measured from the lower side of the SUS substrate 1340 for the purpose of experiment. Further, the two thermocouples 1360 and 1370 are taken out from the vacuum chamber 1350 via the flange 1352. In the vacuum chamber 1350, a reticulated object 1353 used for winding the two thermocouples 1360 and 1370 is provided.

【０１０６】ＳＵＳ基板1340は、真空チャンバ1350内を
６００ｍｍ／分の速度で図示矢印方向に移動させた。従
来の熱電対1370を網状物体1353に巻き付けることによ
り、それ自身の応力で従来の熱電対1370の測定接点Ｑを
ＳＵＳ基板1340の下面に接触させた。ここで、網状物体
1353とＳＵＳ基板1340の下面との間の距離は、約１５０
ｍｍである。本発明による熱電対1360の測定接点Ｐは、
本発明による熱電対1360を網状物体1353に巻き付けたの
ち磁石1363をＳＵＳ基板1340の下面に吸着させることに
より、ＳＵＳ基板1340の下面に接触させた。The SUS substrate 1340 was moved in the vacuum chamber 1350 at a speed of 600 mm / min in the direction of the arrow shown. By winding the conventional thermocouple 1370 around the reticulated object 1353, the measurement contact Q of the conventional thermocouple 1370 was brought into contact with the lower surface of the SUS substrate 1340 by its own stress. Where the net object
The distance between the 1353 and the bottom surface of the SUS substrate 1340 is about 150.
mm. The measuring contact P of the thermocouple 1360 according to the present invention is
The thermocouple 1360 according to the present invention was wound around the reticulated object 1353, and then the magnet 1363 was attracted to the lower surface of the SUS substrate 1340 to bring it into contact with the lower surface of the SUS substrate 1340.

【０１０７】図１６および図１７はそれぞれ、本発明に
よる熱電対1360および従来の熱電対1370により一回目の
ＳＵＳ基板1340の温度測定を行った結果を示すグラフで
ある。図１８および図１９はそれぞれ、一回目の温度測
定後にＳＵＳ基板1340を取り外したのち再度取り付けて
本発明による熱電対1360および従来の熱電対1370により
二回目のＳＵＳ基板1340の温度測定を行った結果を示す
グラフである。なお、各グラフの横軸で示す時間”０”
分においてランプヒータ1351をオンし、静止状態のＳＵ
Ｓ基板1340を２０分間初期加熱したのち、ＳＵＳ基板13
40の移動を開始させた。16 and 17 are graphs showing the results of the first temperature measurement of the SUS substrate 1340 by the thermocouple 1360 according to the present invention and the conventional thermocouple 1370, respectively. FIG. 18 and FIG. 19 show the results of removing the SUS substrate 1340 after the first temperature measurement, reattaching it, and performing the second temperature measurement of the SUS substrate 1340 with the thermocouple 1360 according to the present invention and the conventional thermocouple 1370. It is a graph which shows. Note that the time "0" shown on the horizontal axis of each graph
Lamp heater 1351 is turned on for
S substrate 1340 is initially heated for 20 minutes and then SUS substrate 13
40 moves have started.

【０１０８】図１６および図１７に示した一回目の測定
結果より、従来の熱電対1370では、初期加熱時の誤測定
および基板移動時の測定値のフレ・シフトが生じている
ことがわかる。また、図１８および図１９に示した二回
目の測定結果より、従来の熱電対1370では、基板移動時
の測定値のフレ・シフトが生じていることがわかる。し
たがって、本発明による熱電対1360を用いることによ
り、従来の熱電対1370では測定が困難であった被測定物
体に対して測定精度の向上が図れる。From the first measurement results shown in FIGS. 16 and 17, it can be seen that in the conventional thermocouple 1370, erroneous measurement at the time of initial heating and fluctuating shift of the measured value at the time of moving the substrate occurred. Further, from the second measurement results shown in FIGS. 18 and 19, it can be seen that in the conventional thermocouple 1370, the measured value has a flare shift when the substrate is moved. Therefore, by using the thermocouple 1360 according to the present invention, it is possible to improve the measurement accuracy for the object to be measured, which was difficult to measure with the conventional thermocouple 1370.

【０１０９】なお、本発明による熱電対では、使用範囲
および使用方法によっては磁石の磁力による測定誤差が
若干生じる場合があるが、この問題は、磁力線の方向が
第１の導体および第２の導体と平行になるように、磁石
を設けられていることことにより解決することができ
る。また、あらかじめ他の温度測定機によって較正して
おいてもよい。In the thermocouple according to the present invention, there may be some measurement error due to the magnetic force of the magnet depending on the range of use and the method of use. This problem is that the direction of the lines of magnetic force is the first conductor and the second conductor. The problem can be solved by providing the magnet so as to be parallel to. Further, it may be calibrated by another temperature measuring device in advance.

【０１１０】以上、本発明の熱電対を実施例によって説
明したが、本発明の範囲を逸脱することなく多くの修
正，変形および変更を実施できることは明らかである。
たとえば、磁石を熱電対に設ける方法としては、接着剤
による接着や熱による溶着などの方法，締めネジなどを
用いて着脱可能にしておく方法およびバネなどを用いて
接合する方法などがあり、また、磁石の加工としては、
面取りおよび光反射コーティングなどがある。Although the thermocouple of the present invention has been described with reference to the embodiments, it is obvious that many modifications, variations and changes can be made without departing from the scope of the present invention.
For example, as a method of providing a magnet on a thermocouple, there are a method of adhering with an adhesive or a method of welding with heat, a method of making it removable by using a tightening screw, a method of joining using a spring, and the like. For magnet processing,
There are chamfers and light reflective coatings.

【０１１１】[0111]

【発明の効果】請求項１および請求項２記載の発明（本
発明のスパッタリング方法）は、通常のスパッタリング
とリアクティブスパッタを組み合わせたスパッタリング
方法において生じる反応性ガスの逆流および拡散を防止
することができるため、均一な成膜を行うことができ
る。According to the inventions of claims 1 and 2 (the sputtering method of the present invention), it is possible to prevent the reverse flow and the diffusion of the reactive gas generated in the sputtering method in which the ordinary sputtering and the reactive sputtering are combined. Therefore, uniform film formation can be performed.

【０１１２】請求項３および請求項４記載の発明（本発
明のスパッタリング装置）は、本発明のスパッタリング
方法を実現することができるため、通常のスパッタリン
グとリアクティブスパッタを組み合わせたスパッタリン
グ方法において生じる反応性ガスの逆流および拡散を防
止することができるため、均一な成膜を行うことができ
る。Since the inventions (sputtering apparatus of the present invention) according to claims 3 and 4 can realize the sputtering method of the present invention, a reaction that occurs in a sputtering method in which ordinary sputtering and reactive sputtering are combined. Since it is possible to prevent backflow and diffusion of the volatile gas, it is possible to perform uniform film formation.

【０１１３】請求項５乃至請求項８記載の発明（本発明
の第１の真空処理装置）は、真空遮断性能を向上させる
ことができるため、真空度出しに必要な時間を短縮でき
ることから真空処理装置の休止時間を短縮することがで
きる。The invention according to claim 5 to claim 8 (the first vacuum processing apparatus of the present invention) can improve the vacuum breaking performance, and therefore the time required for vacuuming can be shortened. The down time of the device can be shortened.

【０１１４】請求項９乃至請求項１２記載の発明（本発
明の第２の真空処理装置）は、部材または基体が真空容
器内で帯電しても、その除電を行うことができるため、
部材または基体の帯電部分へのゴミの付着、および、部
材または基体の限定を考慮することなく、部材または基
体へ所定の処理を施すことができる。In the inventions according to claims 9 to 12 (the second vacuum processing apparatus of the invention), even if the member or the substrate is charged in the vacuum container, the charge can be removed.
The predetermined treatment can be applied to the member or the base without considering the adhesion of dust to the charged portion of the member or the base and the limitation of the member or the base.

【０１１５】請求項１３および請求項１４記載の発明
（本発明の熱電対）は、磁石と吸着する被測定物体また
は被測定物体の近くに設けられた磁石と吸着する物体に
磁石を吸着させるだけで熱電対を固定することができ、
また、適当な力を磁石に加えると、熱電対に対して相対
的に移動する被測定物体の温度測定も行うことができ、
さらに、磁石の吸着力以上の力を磁石に加えるだけで熱
電対を被測定物体から取りはずすことができるため、取
り扱いの作業性がよく、また、より高い測定精度および
測定再現性が得られる。The invention described in claim 13 and claim 14 (thermocouple of the present invention) is such that the magnet is attracted to the object to be measured which attracts the magnet or the object provided near the object to be measured and the object to be attracted. You can fix the thermocouple with
Also, by applying an appropriate force to the magnet, it is possible to measure the temperature of the measured object that moves relative to the thermocouple.
Furthermore, since the thermocouple can be removed from the object to be measured by simply applying a force greater than the attraction force of the magnet to the magnet, the workability of handling is good, and higher measurement accuracy and measurement reproducibility can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明のスパッタリング装置の一実施例を示す
概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a sputtering apparatus of the present invention.

【図２】図１に示した第２の成膜室内の構成を説明する
ための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining a configuration of a second film forming chamber shown in FIG.

【図３】アモルファスシリコン太陽電池を試作する際
に、図１に示したスパッタリング装置とともに用いたＲ
ＦプラズマＣＶＤ装置の概略構成図である。[FIG. 3] R used with the sputtering apparatus shown in FIG. 1 when making an amorphous silicon solar cell prototype
It is a schematic block diagram of an F plasma CVD apparatus.

【図４】図１に示したスパッタリング装置および図３に
示したＲＦプラズマＣＶＤ装置を用いて試作したアモル
ファスシリコン太陽電池の構成を説明するための図であ
る。FIG. 4 is a diagram for explaining the configuration of an amorphous silicon solar cell prototyped using the sputtering apparatus shown in FIG. 1 and the RF plasma CVD apparatus shown in FIG.

【図５】本発明の第１の真空処理装置の第１の実施例を
示す概略構成図である。FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of the first vacuum processing apparatus of the present invention.

【図６】図５に示した第１のゲート可動部の弁座および
第２のゲート可動部の弁座と支持部材とにより種々の厚
みの長尺基板を挟んだときの、弾性体のつぶれ量とゲー
トバルブを介して漏れる空気の漏れ量との関係を測定し
た一測定結果を示すグラフである。FIG. 6 is a view of the elastic body collapsed when a long substrate having various thicknesses is sandwiched between the valve seat of the first movable gate portion and the valve seat of the second movable gate portion and the support member shown in FIG. It is a graph which shows one measurement result which measured the relation between the amount and the amount of leak of air which leaks through a gate valve.

【図７】本発明の第１の真空処理装置の第２の実施例で
ある光ディスク成膜装置を示す概略構成図である。FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing an optical disk film forming apparatus that is a second embodiment of the first vacuum processing apparatus of the present invention.

【図８】本発明の第１の真空処理装置の第３の実施例で
あるエッチング装置を示す概略構成図である。FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing an etching apparatus that is a third embodiment of the first vacuum processing apparatus of the present invention.

【図９】本発明の第２の真空処理装置の第１の実施例を
示す概略構成図である。FIG. 9 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of a second vacuum processing apparatus of the present invention.

【図１０】図９に示した基体の除電をする前の真空容器
2001とプラズマ発生用電極2002との間の電位分布を示す
図である。10 is a vacuum container before static elimination of the substrate shown in FIG. 9;
FIG. 3 is a diagram showing a potential distribution between 2001 and a plasma generation electrode 2002.

【図１１】図９に示した基体の除電をした後の真空容器
2001とプラズマ発生用電極2002との間の電位分布を示す
図である。FIG. 11 is a vacuum container after static elimination of the substrate shown in FIG.
FIG. 3 is a diagram showing a potential distribution between 2001 and a plasma generation electrode 2002.

【図１２】本発明の第２の真空処理装置の第２の実施例
を示す概略構成図である。FIG. 12 is a schematic configuration diagram showing a second embodiment of the second vacuum processing apparatus of the present invention.

【図１３】本発明の熱電対の第１の実施例を示す概略構
成図である。FIG. 13 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of a thermocouple of the present invention.

【図１４】本発明の熱電対の第２の実施例を示す概略構
成図である。FIG. 14 is a schematic configuration diagram showing a second embodiment of the thermocouple of the present invention.

【図１５】本発明による熱電対と従来の熱電対との測定
精度を比較した一実験結果に用いた装置の概略構成図で
ある。FIG. 15 is a schematic configuration diagram of an apparatus used for one experimental result comparing the measurement accuracy of the thermocouple according to the present invention with that of the conventional thermocouple.

【図１６】本発明による熱電対により一回目のＳＵＳ基
板の温度測定を行った結果を示すグラフである。FIG. 16 is a graph showing the results of the first temperature measurement of the SUS substrate with the thermocouple according to the present invention.

【図１７】従来の熱電対により一回目のＳＵＳ基板の温
度測定を行った結果を示すグラフである。FIG. 17 is a graph showing the results of the first temperature measurement of the SUS substrate using a conventional thermocouple.

【図１８】一回目の温度測定後にＳＵＳ基板を取り外し
たのち再度取り付けて本発明による熱電対により二回目
のＳＵＳ基板の温度測定を行った結果を示すグラフであ
る。FIG. 18 is a graph showing the results of second temperature measurement of the SUS substrate by the thermocouple according to the present invention after removing the SUS substrate after the first temperature measurement and reattaching it.

【図１９】一回目の温度測定後にＳＵＳ基板を取り外し
たのち再度取り付けて従来の熱電対により二回目のＳＵ
Ｓ基板の温度測定を行った結果を示すグラフである。FIG. 19: After removing the SUS substrate after the first temperature measurement, reattaching it and using the conventional thermocouple for the second SU
It is a graph which shows the result of having measured the temperature of an S substrate.

【図２０】透明導電膜の堆積時間の問題を解決する一手
段として提案されているスパッタリング装置の一従来例
を示す概略構成図である。FIG. 20 is a schematic configuration diagram showing a conventional example of a sputtering apparatus proposed as a means for solving the problem of the deposition time of a transparent conductive film.

【図２１】図５に示した第１のゲート可動部の構成を示
す概略構成図であり、（Ａ）は第１のゲート可動部の正
面図、（Ｂ）は第１のゲート可動部の側面図、（Ｃ）は
第１のゲート可動部の背面図、（Ｄ）は第１のゲート可
動部の底面図である。21 is a schematic configuration diagram showing a configuration of a first movable gate portion shown in FIG. 5, FIG. 21 (A) is a front view of the movable first gate portion, and FIG. 21 (B) is a schematic diagram of the movable first gate portion. A side view, (C) is a rear view of the first movable gate part, and (D) is a bottom view of the first movable part.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ スパッタリング装置 １０ 送出しチャンバー ２０ 第１の成膜室 ２１ 第１のヒータ ２２ 第１のターゲット ２３ 第１の電源 ２４ 第１の排気管 ２５ 第１の排気ポンプ ２６ 第１のガス供給管 ２８ 第１の自動圧力制御器 ３０ 第２の成膜室 ３１ 第２のヒータ ３２ 第２のターゲット ３３ 第２の電源 ３４ 第２の排気管 ３４₁ 排気口 ３５ 第２の排気ポンプ ３６ 第２のガス供給管 ３７ 反応性ガス供給管 ３８ 第２の自動圧力制御器 ３９ オリフィス ４０ 巻取りチャンバー ５０ ゲート部 ６０ ＲＦプラズマＣＶＤ装置 ６１ 堆積室 ６２ 排気用ポンプ ６３ ガス供給手段 ６４ ＲＦ電源 ６５ ＲＦ電極 ６６ ヒータ ９０ アモルファスシリコン太陽電池 ９１ 基板 ９２ 金属膜 ９３ 透明導電層 ９４ ｎ型ａ−Ｓｉ層 ９５ ｉ型ａ−Ｓｉ層 ９６ ｐ型微結晶ａ−Ｓｉ層 ９７ 透明電極 ９８ 集電電極 200 長尺基板 Ｓ₁ 第１のスパッタリングガス Ｓ₂ 第２のスパッタリングガス Ｒ 反応性ガス 1000 真空処理装置 1001，1201 長尺基板 1010 第１の真空室 1020 第２の真空室 1030 ゲートバルブ 1031 ハウジング 1032 支持部材 1033，1143，1153，1243，1253 第１のゲート可動部 1033₁ 弁座 1034，1144，1154，1244，1254 第２のゲート可動部 1035 第１のゲート駆動機構 1036 第２のゲート駆動機構 1041 第１の真空バルブ 1042 不活性ガス導入源 1043 第２の真空バルブ 1044 真空ポンプ 1045 圧力調整バルブ 1100 光ディスク成膜装置 1110，1210 基板投入室 1121 第１の成膜室 1122 第２の成膜室 1123 第３の成膜室 1124 第４の成膜室 1130，1230 基板取出室 1140，1240 第１のゲート部 1150，1250 第２のゲート部 1161，1261 真空ポンプ 1162，1262 第１の真空バルブ 1163，1263 第２の真空バルブ 1164，1264 第３の真空バルブ 1165 第４の真空バルブ 1166 第５の真空バルブ 1170 キャリヤベルト 1200 エッチング装置 1220 処理室 2000，2100 真空処理装置 2001，2101 真空容器 2002 プラズマ発生用電極 2003 プラズマ発生用電源 2004，2104 真空ポンプ 2005，2105 排気管 2006，2106 バルブ 2010 基体 2102 ブラシ状導電体 Ｐｍ プラズマ 1300，1320，1360，1370 熱電対 1301，1321 第１の導体 1302，1322 第２の導体 1303，1323，1363 磁石 1310 被測定固体 1330 被測定気体 1331 容器 1332 管 1340 ＳＵＳ基板 1350 真空チャンバ 1351 ランプヒータ 1352 フランジ 1353 網状物体 Ｐ，Ｑ 測定接点DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Sputtering apparatus 10 Delivery chamber 20 1st film-forming chamber 21 1st heater 22 1st target 23 1st power supply 24 1st exhaust pipe 25 1st exhaust pump 26 1st gas supply pipe 28 1st 1 automatic pressure controller 30 second film forming chamber 31 second heater 32 second target 33 second power source 34 second exhaust pipe 34 ₁ exhaust port 35 second exhaust pump 36 second gas supply Pipe 37 Reactive Gas Supply Pipe 38 Second Automatic Pressure Controller 39 Orifice 40 Winding Chamber 50 Gate 60 RF Plasma CVD Device 61 Deposition Chamber 62 Exhaust Pump 63 Gas Supply Means 64 RF Power Supply 65 RF Electrode 66 Heater 90 Amorphous Silicon solar cell 91 Substrate 92 Metal film 93 Transparent conductive layer 94 n-type a-Si layer 95 i-type a-Si layer 96 p Microcrystalline a-Si layer 97 transparent electrode 98 collector electrode 200 elongated substrate S ₁ first sputtering gas S ₂ second sputtering gas R reactive gas 1000 vacuum processing apparatus 1001,1201 long substrate 1010 first vacuum Chamber 1020 Second vacuum chamber 1030 Gate valve 1031 Housing 1032 Support member 1033, 1143, 1153, 1243, 1253 _1st gate moving part 1033 ₁ Valve seat 1034, 1144, 1154, 1244, 1254 2nd gate moving part 1035 First gate drive mechanism 1036 Second gate drive mechanism 1041 First vacuum valve 1042 Inert gas introduction source 1043 Second vacuum valve 1044 Vacuum pump 1045 Pressure control valve 1100 Optical disk deposition apparatus 1110, 1210 Substrate loading chamber 1121 First film formation chamber 1122 Second film formation chamber 1123 Third film formation chamber 1124 Fourth film formation chamber 1130, 1230 Substrate ejection chamber 1140, 1240 First gate portion 1150, 1250 Second gate portion 1161 , 1261 Vacuum pump 1162, 1262 First vacuum Valve 1163, 1263 Second vacuum valve 1164, 1264 Third vacuum valve 1165 Fourth vacuum valve 1166 Fifth vacuum valve 1170 Carrier belt 1200 Etching apparatus 1220 Processing chamber 2000, 2100 Vacuum processing apparatus 2001, 2101 Vacuum container 2002 Electrode for plasma generation 2003 Power supply for plasma generation 2004, 2104 Vacuum pump 2005, 2105 Exhaust pipe 2006, 2106 Valve 2010 Base 2102 Brush conductor Pm Plasma 1300, 1320, 1360, 1370 Thermocouple 1301, 1321 First conductor 1302, 1322 Second conductor 1303, 1323, 1363 Magnet 1310 Measured solid 1330 Measured gas 1331 Container 1332 Tube 1340 SUS substrate 1350 Vacuum chamber 1351 Lamp heater 1352 Flange 1353 Reticulated object P, Q Measuring contact

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 雅也 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 黒川 岳 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 高津 和正 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 菅原 徳仁 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 徳武 伸郎 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Masaya Kobayashi 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Takeshi Kurokawa 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon (72) Inventor Kazumasa Takatsu 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Tokujin Sugawara 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. ( 72) Inventor Shinro Tokutake 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc.

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 長尺基板をその長手方向に搬送しながら
第１の成膜室，ゲート部および第２の成膜室を順次通過
させ、 前記第１の成膜室で第１のスパッタリングガスを用いて
前記長尺基板上に第１の膜を堆積し、 前記第２の成膜室で第２のスパッタリングガスおよび反
応性ガスを用いて前記長尺基板上に第２の膜を堆積する
スパッタリング方法において、 前記第１の成膜室内の圧力を前記第２の成膜室内の圧力
よりも高く保ち、 前記第２の成膜室の前記ゲート部側から該ゲート部と反
対側に向けて前記反応性ガスを噴射させ、 前記第２の成膜室の前記ゲート部と反対側の、前記反応
性ガスを噴射させる位置と互いに対向する位置から前記
第２の成膜室内を排気することを特徴とするスパッタリ
ング方法。1. A long substrate is conveyed in the longitudinal direction of the long substrate while sequentially passing through a first film forming chamber, a gate portion and a second film forming chamber, and a first sputtering gas is supplied in the first film forming chamber. To deposit a first film on the long substrate, and to deposit a second film on the long substrate using a second sputtering gas and a reactive gas in the second film forming chamber. In the sputtering method, the pressure inside the first film forming chamber is kept higher than the pressure inside the second film forming chamber, and the pressure is increased from the gate portion side of the second film forming chamber toward the opposite side of the gate portion. Injecting the reactive gas, and evacuating the second film forming chamber from a position opposite to the gate portion of the second film forming chamber and facing a position where the reactive gas is injected. Characteristic sputtering method. 【請求項２】 前記第１の膜が、光に対する反射率の高
い金属膜であり、 前記第２の膜が、光透過率および導電性の高い透明導電
膜であることを特徴とする請求項１記載のスパッタリン
グ方法。2. The first film is a metal film having a high reflectance to light, and the second film is a transparent conductive film having a high light transmittance and a high conductivity. 1. The sputtering method according to 1. 【請求項３】 第１の成膜室と、 第２の成膜室と、 前記第１の成膜室と前記第２の成膜室とを接続するゲー
ト部と、 前記第１の成膜室内を排気する第１の排気手段と、 該第１の排気手段と前記第１の成膜室とを連通する第１
の排気管と、 前記第２の成膜室内を排気する第２の排気手段と、 該第２の排気手段と前記第２の成膜室とを連通する第２
の排気管と、 前記第１の成膜室内に第１のスパッタリングガスを供給
する第１のスパッタリングガス供給手段と、 前記第２の成膜室内に第２のスパッタリングガスを供給
する第２のスパッタリングガス供給手段と、 前記第２の成膜室内に反応性ガスを供給する反応性ガス
供給手段と、 前記第２の成膜室と前記反応性ガス供給手段とを連通す
る反応性ガス供給管とを含み、 長尺基板をその長手方向に搬送しながら前記第１の成膜
室，前記ゲート部および前記第２の成膜室を順次通過さ
せ、前記第１の成膜室で前記第１のスパッタリングガス
を用いて前記長尺基板上に第１の膜を堆積し、前記第２
の成膜室で前記第２のスパッタリングガスおよび前記反
応性ガスを用いて前記長尺基板上に第２の膜を堆積する
スパッタリング装置において、 前記第１の成膜室内の圧力を前記第２の成膜室内の圧力
よりも高く保つ、前記第１の排気管に介在された第１の
圧力制御手段および前記第２の排気管に介在された第２
の圧力制御手段と、 前記反応性ガス供給管の先端に設けられた、前記第２の
成膜室の前記ゲート部側から該ゲート部と反対側に向け
て前記反応性ガスを噴射させるオリフィスとを含み、 前記第２の排気管の前記第２の成膜室側の排気口が、該
第２の成膜室の前記ゲート部と反対側の、前記オリフィ
スと互いに対向する位置に設けられていることを特徴と
するスパッタリング装置。3. A first film forming chamber, a second film forming chamber, a gate unit connecting the first film forming chamber and the second film forming chamber, and the first film forming chamber. A first exhaust means for exhausting the interior of the chamber, and a first exhaust means for communicating the first exhaust means with the first film forming chamber
Exhaust pipe, a second exhaust unit for exhausting the inside of the second film forming chamber, and a second exhaust unit for communicating the second exhaust unit with the second film forming chamber.
Exhaust pipe, first sputtering gas supply means for supplying a first sputtering gas into the first film forming chamber, and second sputtering for supplying a second sputtering gas into the second film forming chamber. A gas supply unit, a reactive gas supply unit that supplies a reactive gas into the second film forming chamber, and a reactive gas supply pipe that connects the second film forming chamber and the reactive gas supply unit. The first film forming chamber, the gate portion, and the second film forming chamber are sequentially passed through the long substrate while being conveyed in the longitudinal direction thereof, and the first film forming chamber is used for the first film forming chamber. Depositing a first film on the long substrate using a sputtering gas,
In the sputtering apparatus for depositing a second film on the long substrate using the second sputtering gas and the reactive gas in the film forming chamber, the pressure in the first film forming chamber is set to the second film. A first pressure control means interposed in the first exhaust pipe and a second pressure interposed in the second exhaust pipe for keeping the pressure higher than the pressure in the film forming chamber.
Pressure control means, and an orifice provided at the tip of the reactive gas supply pipe for injecting the reactive gas from the gate portion side of the second film forming chamber toward the opposite side of the gate portion. An exhaust port on the second film forming chamber side of the second exhaust pipe is provided at a position opposite to the gate part of the second film forming chamber and opposite to the orifice. A sputtering device characterized by being 【請求項４】 前記第１の膜が、光に対する反射率の高
い金属膜であり、 前記第２の膜が、光透過率および導電性の高い透明導電
膜であることを特徴とする請求項３記載のスパッタリン
グ装置。4. The first film is a metal film having a high reflectance for light, and the second film is a transparent conductive film having a high light transmittance and conductivity. 3. The sputtering apparatus according to item 3. 【請求項５】 内部が繰り返し大気圧と真空とにされる
第１の真空室と、 内部が真空にされた、連続的に投入される長尺基板また
は基板支持体上に載置されて投入される基板に所定の処
理を施す第２の真空室と、 支持部材を有する、前記第１の真空室と前記第２の真空
室とを仕切るゲート部とを含む真空処理装置において、 前記ゲート部が、前記支持部材側に移動されると該支持
部材とともに前記長尺基板または前記基板支持体を挟む
弁座を有するゲート可動部および該ゲート可動部を前記
支持部材と垂直方向に移動させるゲート駆動機構を少な
くとも二組備えていることを特徴とする真空処理装置。5. A first vacuum chamber whose inside is repeatedly evacuated to atmospheric pressure and a vacuum, and an inside which is evacuated and placed on a continuous substrate or a substrate support which is continuously introduced. A vacuum processing apparatus that includes a second vacuum chamber that performs a predetermined process on a substrate to be processed, and a gate unit that has a support member and separates the first vacuum chamber and the second vacuum chamber, the gate unit A gate movable part having a valve seat sandwiching the long substrate or the substrate support together with the support member when moved to the support member side, and a gate drive for moving the gate movable part in a direction perpendicular to the support member. A vacuum processing apparatus comprising at least two sets of mechanisms. 【請求項６】 前記弁座の前記長尺基板または前記基板
支持体に接する部位の材質が弾性体であることを特徴と
する請求項５記載の真空処理装置。6. The vacuum processing apparatus according to claim 5, wherein a material of a portion of the valve seat which is in contact with the elongated substrate or the substrate support is an elastic body. 【請求項７】 前記支持部材の長尺基板または前記基板
支持体に接する部位の材質が弾性体であることを特徴と
する請求項６記載の真空処理装置。7. The vacuum processing apparatus according to claim 6, wherein a material of a portion of the supporting member which is in contact with the long substrate or the substrate support is an elastic body. 【請求項８】 前記各ゲート部間の空間を排気する排気
機構または該空間内に不活性ガスを所定圧力で封入する
封入機構をさらに備えることを特徴とする請求項５乃至
請求項７のいずれかに記載の真空処理装置。8. The method according to claim 5, further comprising an exhaust mechanism for exhausting a space between the gate portions or a sealing mechanism for sealing an inert gas in the space at a predetermined pressure. The vacuum processing apparatus according to claim 1. 【請求項９】 真空容器内に置かれた部材または基体に
所定の処理を施す真空処理装置において、 前記部材または前記基体の除電を前記真空容器内で行う
除電手段を含むことを特徴とする真空処理装置。9. A vacuum processing apparatus for subjecting a member or a base placed in a vacuum container to a predetermined process, the vacuum processing device including a charge removing means for removing charge from the member or the base in the vacuum container. Processing equipment. 【請求項１０】 前記所定の処理が、前記真空容器内で
前記基体に膜形成を行う処理であることを特徴とする請
求項９記載の真空処理装置。10. The vacuum processing apparatus according to claim 9, wherein the predetermined process is a process for forming a film on the substrate in the vacuum container. 【請求項１１】 前記除電手段が、 前記部材または前記基体に、該部材または該基体が帯電
している電荷と反対極性のプラズマを照射させるプラズ
マ照射手段であることを特徴とする請求項９または請求
項１０記載の真空処理装置。11. The discharger is a plasma irradiator that irradiates the member or the base with plasma having a polarity opposite to the electric charge charged on the member or the base. The vacuum processing apparatus according to claim 10. 【請求項１２】 前記除電手段が、 前記部材または前記基体を前記真空容器内で電気的に接
地させる接地手段であることを特徴とする請求項９また
は請求項１０記載の真空処理装置。12. The vacuum processing apparatus according to claim 9, wherein the charge removing unit is a grounding unit that electrically grounds the member or the substrate in the vacuum container. 【請求項１３】 両端が接合された、互いに異なる第１
の導体および第２の導体を含む熱電対において、 前記第１の導体の一端と前記第２の導体の一端とが接合
された測定接点または該測定接点の近傍に設けられた磁
石を含むことを特徴とする熱電対。13. A first device which is joined to both ends and is different from each other.
A thermocouple including a conductor and a second conductor, the thermocouple including a measurement contact in which one end of the first conductor and one end of the second conductor are joined or a magnet provided in the vicinity of the measurement contact. Characteristic thermocouple. 【請求項１４】 前記磁石が、磁力線の方向が前記第１
の導体および前記第２の導体と平行になるよう設けられ
ていることを特徴とする請求項１３記載の熱電対。14. The magnet has a direction of a magnetic force line that is the first direction.
14. The thermocouple according to claim 13, wherein the thermocouple is provided so as to be parallel to the conductor and the second conductor.