JPH0611358A - 位置測定装置 - Google Patents
位置測定装置Info
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- JPH0611358A JPH0611358A JP5008584A JP858493A JPH0611358A JP H0611358 A JPH0611358 A JP H0611358A JP 5008584 A JP5008584 A JP 5008584A JP 858493 A JP858493 A JP 858493A JP H0611358 A JPH0611358 A JP H0611358A
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- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
- G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
- G01D5/145—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices influenced by the relative movement between the Hall device and magnetic fields
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P13/00—Indicating or recording presence, absence, or direction, of movement
- G01P13/02—Indicating direction only, e.g. by weather vane
- G01P13/04—Indicating positive or negative direction of a linear movement or clockwise or anti-clockwise direction of a rotational movement
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- Vehicle Body Suspensions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 周期的な測定目盛をそれぞれ4つの磁気抵抗
素子An 〜Dn (n= 1,2, 3, 4)から成る4つのブルー
プA〜Dを有する走査ユニットで走査して最適信号パラ
メータの位置依存出力信号を求める位置測定装置を提供
する。 【構成】 各グループA〜Dは測定目盛の1つの目盛周
期tにわたって延びている。磁気抵抗素子An 〜Dn は
直・並列回路にして二つの半ブリッジ回路に結線されて
いる。上部ブリッジ分岐部の各グループA〜Dの磁気抵
抗素子An 〜Dnは下部ブリッジ分岐部のグループA〜
Dの対応する磁気抵抗素子An 〜Dn に対して値 t/2ほ
どずれている。
素子An 〜Dn (n= 1,2, 3, 4)から成る4つのブルー
プA〜Dを有する走査ユニットで走査して最適信号パラ
メータの位置依存出力信号を求める位置測定装置を提供
する。 【構成】 各グループA〜Dは測定目盛の1つの目盛周
期tにわたって延びている。磁気抵抗素子An 〜Dn は
直・並列回路にして二つの半ブリッジ回路に結線されて
いる。上部ブリッジ分岐部の各グループA〜Dの磁気抵
抗素子An 〜Dnは下部ブリッジ分岐部のグループA〜
Dの対応する磁気抵抗素子An 〜Dn に対して値 t/2ほ
どずれている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、位置に依存する出力
信号を形成する走査ユニットの磁気抵抗素子によって周
期的な測定目盛を走査し、出力信号から評価装置中で位
置測定値を形成する、二つの相対移動する物体の相対位
置を測定する位置測定装置に関する。
信号を形成する走査ユニットの磁気抵抗素子によって周
期的な測定目盛を走査し、出力信号から評価装置中で位
置測定値を形成する、二つの相対移動する物体の相対位
置を測定する位置測定装置に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の位置測定装置は、特に工作機械
で加工すべき品物に対する工具の相対位置を測定するた
めに使用される。
で加工すべき品物に対する工具の相対位置を測定するた
めに使用される。
【0003】欧州特許第 0 151 002号明細書には、互い
に相対運動する物体の相対位置を測定する磁気位置測定
装置が開示されている。この装置では、測定目盛に磁性
領域と非磁性領域がある。これ等の領域は永久磁石を備
えた図19の走査ユニットによって、位置に依存する出
力信号を発生するそれぞれ4つのから成る2つのグルー
プの磁気抵抗素子を用いて走査される。各グループの4
つの磁気抵抗素子はそれぞれ直列回路にして半ブリッジ
回路に結線されている。しかし、この測定装置には測定
目盛の2つの部分周期をそれぞれ4つの磁気抵抗素子か
ら成る二つのグループで走査しているので、得られた位
置依存出力信号は測定目盛の分割精度の不正のため一般
に最適な信号パラメータ(振幅、相対位相角)を保有し
ていないと言う難点がある。磁気抵抗素子を直列回路に
して二つの半ブリッジ回路に結線しているので、測定目
盛の付加的な目盛周期を走査するので、各グループの磁
気抵抗素子の数を多くすることを簡単に行えない。つま
り、通常両方の半ブリッジ回路のブリッジ抵抗が異常に
大きくなるからである。この場合、一定の電流強度を供
給するため半ブリッジ回路に高い電圧を印加する必要が
ある。
に相対運動する物体の相対位置を測定する磁気位置測定
装置が開示されている。この装置では、測定目盛に磁性
領域と非磁性領域がある。これ等の領域は永久磁石を備
えた図19の走査ユニットによって、位置に依存する出
力信号を発生するそれぞれ4つのから成る2つのグルー
プの磁気抵抗素子を用いて走査される。各グループの4
つの磁気抵抗素子はそれぞれ直列回路にして半ブリッジ
回路に結線されている。しかし、この測定装置には測定
目盛の2つの部分周期をそれぞれ4つの磁気抵抗素子か
ら成る二つのグループで走査しているので、得られた位
置依存出力信号は測定目盛の分割精度の不正のため一般
に最適な信号パラメータ(振幅、相対位相角)を保有し
ていないと言う難点がある。磁気抵抗素子を直列回路に
して二つの半ブリッジ回路に結線しているので、測定目
盛の付加的な目盛周期を走査するので、各グループの磁
気抵抗素子の数を多くすることを簡単に行えない。つま
り、通常両方の半ブリッジ回路のブリッジ抵抗が異常に
大きくなるからである。この場合、一定の電流強度を供
給するため半ブリッジ回路に高い電圧を印加する必要が
ある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】それ故、この発明の課
題は、冒頭に述べた種類の磁気測定装置にあって、最適
な信号パラメータを有する位置依存出力信号を簡単に求
めることのできる磁気抵抗素子の配置と結線を提供する
ことにある。
題は、冒頭に述べた種類の磁気測定装置にあって、最適
な信号パラメータを有する位置依存出力信号を簡単に求
めることのできる磁気抵抗素子の配置と結線を提供する
ことにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、この発明
により、冒頭に述べた種類の磁気測定装置にあって、最
適信号パラメータを有する位置依存出力信号を求める下
記構成、 a) 前記走査ユニット(5)がそれぞれ少なくとも4つ
の磁気抵抗素子(An 〜Hn)(n= 1, 2, 3, 4 ・・・)
から成る少なくとも4つのグループ(A〜H)を有し、 b) 少なくとも4つの磁気抵抗素子(An −Hn)から成
る各グループ(A〜H)が測定目盛(3)の目盛周期t
にわたって延びていて、 c) 前記磁気抵抗素子(An 〜Hn)が直・並列回路にし
て半ブリッジ回路(H1,H2)あるいは全ブリッジ回
路(V1,V2)に結線され、 d) 全ブリッジ回路(V1,V2)の場合、上部ブリッ
ジ分岐部の各グループ(A〜H)の磁気抵抗素子(An
〜Hn)が下部ブリッジ分岐部のグループ(A〜H)の磁
気抵抗素子(An 〜Hn)に対して、あるいは左のブリッ
ジ分岐部の各グループ(A〜H)の磁気抵抗素子(An
〜Hn)が右のブリッジ分岐部のグループ(A〜H)の磁
気抵抗素子(An 〜Hn)に対して値 t/2ほどずれてい
て、 e) 半ブリッジ回路(H1,H2)の場合、上部ブリッ
ジ分岐部の各グループ(A〜D)の磁気抵抗素子(An
〜Dn)が下部ブリッジ分岐部のグループ(A〜D)の磁
気抵抗素子(An 〜Dn)に対して値 t/2ほどずれてい
る、を有することによって解決されている。
により、冒頭に述べた種類の磁気測定装置にあって、最
適信号パラメータを有する位置依存出力信号を求める下
記構成、 a) 前記走査ユニット(5)がそれぞれ少なくとも4つ
の磁気抵抗素子(An 〜Hn)(n= 1, 2, 3, 4 ・・・)
から成る少なくとも4つのグループ(A〜H)を有し、 b) 少なくとも4つの磁気抵抗素子(An −Hn)から成
る各グループ(A〜H)が測定目盛(3)の目盛周期t
にわたって延びていて、 c) 前記磁気抵抗素子(An 〜Hn)が直・並列回路にし
て半ブリッジ回路(H1,H2)あるいは全ブリッジ回
路(V1,V2)に結線され、 d) 全ブリッジ回路(V1,V2)の場合、上部ブリッ
ジ分岐部の各グループ(A〜H)の磁気抵抗素子(An
〜Hn)が下部ブリッジ分岐部のグループ(A〜H)の磁
気抵抗素子(An 〜Hn)に対して、あるいは左のブリッ
ジ分岐部の各グループ(A〜H)の磁気抵抗素子(An
〜Hn)が右のブリッジ分岐部のグループ(A〜H)の磁
気抵抗素子(An 〜Hn)に対して値 t/2ほどずれてい
て、 e) 半ブリッジ回路(H1,H2)の場合、上部ブリッ
ジ分岐部の各グループ(A〜D)の磁気抵抗素子(An
〜Dn)が下部ブリッジ分岐部のグループ(A〜D)の磁
気抵抗素子(An 〜Dn)に対して値 t/2ほどずれてい
る、を有することによって解決されている。
【0006】この発明による他の有利な構成は、特許請
求の範囲の従属請求項に記載されている。
求の範囲の従属請求項に記載されている。
【0007】
【実施例】以下では、添付図面を参照しながら好適実施
例に基づき、この発明をより詳しく説明する。
例に基づき、この発明をより詳しく説明する。
【0008】図1に第一位置測定装置の縦側面が示して
ある。この装置では、磁性材料の測定目盛板1が何らか
の方法で第一物体2に固定されている。目盛板1の表面
には測定方向Xに向けて交互に逆極の磁化領域NSを有
する周期的な測定目盛3がある。前記領域の境には、そ
れぞれ二つのN極NNと二つのS極SSが隣接してい
る。測定目盛3は各領域NSの極間隔によって決まる目
盛周期tを有する。第二物体4には走査ユニット5が連
結している。このユニットは二つの物体2,4の相対位
置の位置測定値を求めるため、測定目盛板1の測定目盛
3を走査する。これ等の二つの物体2,4は図示してい
ない工作機械の二つの機械部品によって構成されてい
る。走査ユニット5には走査板6が設けてある。走査板
の表面には、それぞれ4個の磁気抵抗素子An,Bn,C
n, Dn (n= 1, 2, 3, 4)から成る4つのグループA,
B,C,Dが配設されている。
ある。この装置では、磁性材料の測定目盛板1が何らか
の方法で第一物体2に固定されている。目盛板1の表面
には測定方向Xに向けて交互に逆極の磁化領域NSを有
する周期的な測定目盛3がある。前記領域の境には、そ
れぞれ二つのN極NNと二つのS極SSが隣接してい
る。測定目盛3は各領域NSの極間隔によって決まる目
盛周期tを有する。第二物体4には走査ユニット5が連
結している。このユニットは二つの物体2,4の相対位
置の位置測定値を求めるため、測定目盛板1の測定目盛
3を走査する。これ等の二つの物体2,4は図示してい
ない工作機械の二つの機械部品によって構成されてい
る。走査ユニット5には走査板6が設けてある。走査板
の表面には、それぞれ4個の磁気抵抗素子An,Bn,C
n, Dn (n= 1, 2, 3, 4)から成る4つのグループA,
B,C,Dが配設されている。
【0009】図2によれば、上記板状の磁気抵抗素子A
n 〜Dn が測定方向Xに垂直に延びていて、測定方向X
に平行に互いに相対間隔 t/4に配置されている。従っ
て、4つの磁気抵抗素子An 〜Dn から成る各グループ
A〜Dは測定目盛3の一目盛周期にわたって測定方向X
に延びている。
n 〜Dn が測定方向Xに垂直に延びていて、測定方向X
に平行に互いに相対間隔 t/4に配置されている。従っ
て、4つの磁気抵抗素子An 〜Dn から成る各グループ
A〜Dは測定目盛3の一目盛周期にわたって測定方向X
に延びている。
【0010】図3aと図3bによれば、磁気抵抗素子A
n 〜Dn は直・並列回路にして二つの半ブリッジ回路H
1,H2に結線されている。これ等の半ブリッジ回路は
それぞれ一方の極に電圧Uが、また他方の極に大地電位
Mが印加している。走査ユニット5が測定目盛3に対し
て運動すると、第一半ブリッジ回路の中間タップに位相
角0°の第一周期出力信号S1が、また第二半ブリッジ
回路の中間タップに位相角 90 °の第二周期出力信号S
2が出力する。これ等の出力信号の信号周期は測定目盛
3の測定周期tに一致している。両方の周期出力信号S
1,S2の位相差が 90 °であることによって、測定方
向Xを判別できる。両方の周期出力信号S1,S2は位
置測定値を求めるため、内挿ユニットを有する図示して
いない評価装置に導入される。両方の出力信号S1,S
2は、測定目盛3の4つの目盛周期tを所謂単視野走査
するため、最適な信号パラメータ(高零点安定性、同一
振幅および一定の相対位相差)を有するので、これ等の
出力信号は内挿ユニット内で高分割度でもって分割され
る。その結果、測定目盛3の分割精度が不正確であって
も高い測定精度と測定分解能を得ることができる。
n 〜Dn は直・並列回路にして二つの半ブリッジ回路H
1,H2に結線されている。これ等の半ブリッジ回路は
それぞれ一方の極に電圧Uが、また他方の極に大地電位
Mが印加している。走査ユニット5が測定目盛3に対し
て運動すると、第一半ブリッジ回路の中間タップに位相
角0°の第一周期出力信号S1が、また第二半ブリッジ
回路の中間タップに位相角 90 °の第二周期出力信号S
2が出力する。これ等の出力信号の信号周期は測定目盛
3の測定周期tに一致している。両方の周期出力信号S
1,S2の位相差が 90 °であることによって、測定方
向Xを判別できる。両方の周期出力信号S1,S2は位
置測定値を求めるため、内挿ユニットを有する図示して
いない評価装置に導入される。両方の出力信号S1,S
2は、測定目盛3の4つの目盛周期tを所謂単視野走査
するため、最適な信号パラメータ(高零点安定性、同一
振幅および一定の相対位相差)を有するので、これ等の
出力信号は内挿ユニット内で高分割度でもって分割され
る。その結果、測定目盛3の分割精度が不正確であって
も高い測定精度と測定分解能を得ることができる。
【0011】第一半ブリッジ回路の上部ブリッジ分岐部
の各グループA〜Dの磁気抵抗素子A1,B1,C1,D1 は
下部ブリッジ分岐部の相手側の磁気抵抗素子A3,B3,C
3,D 3 に対して値 t/2ほどずれている。同様に、第二半
ブリッジ回路の上部ブリッジ分岐部の各グループA〜D
の磁気抵抗素子A2,B2,C4,D4 は下部ブリッジ分岐部
の相手側の磁気抵抗素子A4,B4,C2,D2 に対して値 t
/2ほどずれている。
の各グループA〜Dの磁気抵抗素子A1,B1,C1,D1 は
下部ブリッジ分岐部の相手側の磁気抵抗素子A3,B3,C
3,D 3 に対して値 t/2ほどずれている。同様に、第二半
ブリッジ回路の上部ブリッジ分岐部の各グループA〜D
の磁気抵抗素子A2,B2,C4,D4 は下部ブリッジ分岐部
の相手側の磁気抵抗素子A4,B4,C2,D2 に対して値 t
/2ほどずれている。
【0012】図4では、走査ユニット5の走査板6にそ
れぞれ4つの磁気抵抗素子An −H n (n= 1, 2, 3, 4)
から成る8つのグループA〜Hが配設されている。これ
等の磁気抵抗素子は直・並列回路にして二つの全ブリッ
ジ回路V1,V2(図5aと図5b)に結線されてい
る。これ等のブリッジ回路の一方の極に電圧Uが、また
他方の極に大地電圧が印加している。走査ユニット5が
測定目盛3に対して移動すると、第一全ブリッジ回路V
1の両方の中間タップに位相0°の第一周期出力信号S
1が、また第二全ブリッジ回路V2の両方の中間タップ
に位相角度 90 °の第二周期出力信号S2が出力する。
これ等の出力信号の信号周期は測定目盛3の目盛周期t
に等しい。両方の周期出力信号S1,S2の間の位相差
90 °によって測定方向Xが判別できる。これ等の両出
力信号S1,S2も同じように位置測定値を求めるため
内挿ユニットを備えた評価ユニットに導入される。両方
の出力信号S1,S2は測定目盛3の8個の目盛周期t
にわたって所謂単視野走査するため最適な信号パラメー
タ(高零点安定性、同一振幅および一定の相互位相差)
を有するため、内挿ユニット中で高分割度で分割され
る。その結果、測定目盛3の目盛に不正確があっても高
い測定精度と測定分解能が得られる。
れぞれ4つの磁気抵抗素子An −H n (n= 1, 2, 3, 4)
から成る8つのグループA〜Hが配設されている。これ
等の磁気抵抗素子は直・並列回路にして二つの全ブリッ
ジ回路V1,V2(図5aと図5b)に結線されてい
る。これ等のブリッジ回路の一方の極に電圧Uが、また
他方の極に大地電圧が印加している。走査ユニット5が
測定目盛3に対して移動すると、第一全ブリッジ回路V
1の両方の中間タップに位相0°の第一周期出力信号S
1が、また第二全ブリッジ回路V2の両方の中間タップ
に位相角度 90 °の第二周期出力信号S2が出力する。
これ等の出力信号の信号周期は測定目盛3の目盛周期t
に等しい。両方の周期出力信号S1,S2の間の位相差
90 °によって測定方向Xが判別できる。これ等の両出
力信号S1,S2も同じように位置測定値を求めるため
内挿ユニットを備えた評価ユニットに導入される。両方
の出力信号S1,S2は測定目盛3の8個の目盛周期t
にわたって所謂単視野走査するため最適な信号パラメー
タ(高零点安定性、同一振幅および一定の相互位相差)
を有するため、内挿ユニット中で高分割度で分割され
る。その結果、測定目盛3の目盛に不正確があっても高
い測定精度と測定分解能が得られる。
【0013】第一全ブリッジ回路V1の左のブリッジ分
岐部の各グループA−Hの磁気抵抗素子A1,B1,C3,D
3,E1,F1,G3,H3 が右のブリッジ分岐部の各グループ
A−Hの磁気抵抗素子A3,B3,C1,D1,E3,F3,G1,H
1 に対して値 t/2ほどずれている。同様に、第二全ブリ
ッジ回路V1の左のブリッジ分岐部の各グループA−H
の磁気抵抗素子A2,B2,C4,D4,E2,F2,G44H3 が右
のブリッジ分岐部の各グループA−Hの磁気抵抗素子A
4,B4,C2,D2,E4,F4,G2,H2 に対して値 t/2ほどず
れている。
岐部の各グループA−Hの磁気抵抗素子A1,B1,C3,D
3,E1,F1,G3,H3 が右のブリッジ分岐部の各グループ
A−Hの磁気抵抗素子A3,B3,C1,D1,E3,F3,G1,H
1 に対して値 t/2ほどずれている。同様に、第二全ブリ
ッジ回路V1の左のブリッジ分岐部の各グループA−H
の磁気抵抗素子A2,B2,C4,D4,E2,F2,G44H3 が右
のブリッジ分岐部の各グループA−Hの磁気抵抗素子A
4,B4,C2,D2,E4,F4,G2,H2 に対して値 t/2ほどず
れている。
【0014】図6によれば、走査ユニット5の走査板6
にも同じようにそれぞれ4つの磁気抵抗素子An −Hn
(n=1, 2, 3, 4) から成る8つのグループA−Hが配設
されている。これ等の素子は直・並列回路にして二つの
全ブリッジ回路V1,V2(図7aと図7b)に結線さ
れている。これ等の全ブリッジ回路のそれぞれ一方の極
に電圧Uが、また他方の極に大地電位が印加している。
走査ユニット5が測定目盛3に対して移動すると、第一
全ブリッジ回路V1の両方の中間タップに位相角0°の
第一周期出力信号S1が、また第二全ブリッジ回路V2
の両方の中間タップに位相角 90 °の第二周期出力信号
が出力する。これ等の出力信号の信号周期は測定目盛3
の測定目盛周期tに相当する。二つの周期出力信号S
1,S2の間の位相差 90 °によって測定方向Xの識別
ができる。両方の周期出力信号S1,S2も同じように
位置測定値を得るための内挿ユニットを備えた評価装置
に導入される。両方の出力信号S1,S2は測定目盛3
の8つの目盛周期tにわたって所謂単視野走査を行うた
め最適な信号パラメータ(高零点安定性、同じ振幅およ
び一定の相互位相差)を有するので、内挿ユニット中で
高分割度で分割される。その結果、測定目盛3の目盛に
不正があっても高い測定精度と測定分解能を得ることが
できる。
にも同じようにそれぞれ4つの磁気抵抗素子An −Hn
(n=1, 2, 3, 4) から成る8つのグループA−Hが配設
されている。これ等の素子は直・並列回路にして二つの
全ブリッジ回路V1,V2(図7aと図7b)に結線さ
れている。これ等の全ブリッジ回路のそれぞれ一方の極
に電圧Uが、また他方の極に大地電位が印加している。
走査ユニット5が測定目盛3に対して移動すると、第一
全ブリッジ回路V1の両方の中間タップに位相角0°の
第一周期出力信号S1が、また第二全ブリッジ回路V2
の両方の中間タップに位相角 90 °の第二周期出力信号
が出力する。これ等の出力信号の信号周期は測定目盛3
の測定目盛周期tに相当する。二つの周期出力信号S
1,S2の間の位相差 90 °によって測定方向Xの識別
ができる。両方の周期出力信号S1,S2も同じように
位置測定値を得るための内挿ユニットを備えた評価装置
に導入される。両方の出力信号S1,S2は測定目盛3
の8つの目盛周期tにわたって所謂単視野走査を行うた
め最適な信号パラメータ(高零点安定性、同じ振幅およ
び一定の相互位相差)を有するので、内挿ユニット中で
高分割度で分割される。その結果、測定目盛3の目盛に
不正があっても高い測定精度と測定分解能を得ることが
できる。
【0015】第一全ブリッジ回路V1の上部ブリッジ分
岐の各々のグループA−Hの磁気抵抗素子A1,B1,C3,
D3,E1,F1,G3,H3 は、下部ブリッジ分岐のグループ
A−Hの対応する磁気抵抗素子A3,B3,C1,D1,E3,F
3,G1,H1 に対して、値 t/2ほどずれている。同様に、
第二全ブリッジ回路V2の上部ブリッジ分岐の各々のグ
ループA−Hの磁気抵抗素子A2,B2,C4,D4,E2,F2,
G4,H4 も、下部ブリッジ分岐のグループA−Hの対応
する磁気抵抗素子A4,B4,C2,D2,E4,F4,G 2,H2 に
対して、値 t/2ほどずれている。
岐の各々のグループA−Hの磁気抵抗素子A1,B1,C3,
D3,E1,F1,G3,H3 は、下部ブリッジ分岐のグループ
A−Hの対応する磁気抵抗素子A3,B3,C1,D1,E3,F
3,G1,H1 に対して、値 t/2ほどずれている。同様に、
第二全ブリッジ回路V2の上部ブリッジ分岐の各々のグ
ループA−Hの磁気抵抗素子A2,B2,C4,D4,E2,F2,
G4,H4 も、下部ブリッジ分岐のグループA−Hの対応
する磁気抵抗素子A4,B4,C2,D2,E4,F4,G 2,H2 に
対して、値 t/2ほどずれている。
【0016】測定目盛3の少なくとも4つの目盛周期t
にわたる単一視野走査は、全走査距離より小さい目盛不
正確が全く、あるいは少なくとも一部除去されることを
もたらす。更に、 m 2t (m= 2, 3,・・・) の走査距離
によって、例えば測定目盛3の交番磁界に一様磁界が重
畳している場合、あるいは磁気抵抗素子AN −Hn が磁
束方向に敏感に反応する場合に生じる 2t の周期の誤差
を完全に除去できる。従って、この一様磁界は一方の磁
束の方向に対して加算され、他方の磁束方向に対して減
算される。
にわたる単一視野走査は、全走査距離より小さい目盛不
正確が全く、あるいは少なくとも一部除去されることを
もたらす。更に、 m 2t (m= 2, 3,・・・) の走査距離
によって、例えば測定目盛3の交番磁界に一様磁界が重
畳している場合、あるいは磁気抵抗素子AN −Hn が磁
束方向に敏感に反応する場合に生じる 2t の周期の誤差
を完全に除去できる。従って、この一様磁界は一方の磁
束の方向に対して加算され、他方の磁束方向に対して減
算される。
【0017】図8には、第二位置測定装置の縦側面図が
模式的に示してある。この装置では、磁性材料の目盛本
体1aが何らかの方法で第一物体2aに固定されてい
る。この目盛本体1aは、表面に測定方向Xに向けて順
次交互に変わるウェブSと同じ幅の窪みVを有する周期
測定目盛3aを保有する。測定目盛3aはウェブSと隣
の窪みVによって決まる目盛周期tを有する。第二物体
4aには走査ユニット5aに接続されている。このユニ
ットは、二つの物体2a,4aの相対位置の二つの位置
測定値を求めるため、目盛板1aの測定目盛3aを走査
する。走査ユニット5aには、永久磁石PMと走査板6
aが設けてある。これ等の走査板の自由表面に磁気素子
An 〜Dn あるいはAn 〜Hn から成る群A−Dないし
はA−Hが配設されている。
模式的に示してある。この装置では、磁性材料の目盛本
体1aが何らかの方法で第一物体2aに固定されてい
る。この目盛本体1aは、表面に測定方向Xに向けて順
次交互に変わるウェブSと同じ幅の窪みVを有する周期
測定目盛3aを保有する。測定目盛3aはウェブSと隣
の窪みVによって決まる目盛周期tを有する。第二物体
4aには走査ユニット5aに接続されている。このユニ
ットは、二つの物体2a,4aの相対位置の二つの位置
測定値を求めるため、目盛板1aの測定目盛3aを走査
する。走査ユニット5aには、永久磁石PMと走査板6
aが設けてある。これ等の走査板の自由表面に磁気素子
An 〜Dn あるいはAn 〜Hn から成る群A−Dないし
はA−Hが配設されている。
【0018】図9には、第三の位置測定装置の側面が模
式的に示してある。この装置では、絶縁材料製の測定目
盛板1bが何らかの方法で第一物体2bに固定されてい
る。測定目盛板1bの表面には、迷路状の導体軌跡を有
する周期的な測定目盛 3bがあり、測定方向Xに向けて
隣接する等間隔の導体Lに電流が反対に流れる。測定目
盛 3bは二つの隣接する導体Lの間の間隔によって規定
される測定周期tを有する。第二物体4bには走査ユニ
ット5bが連結している。この走査ユニットは、二つの
物体2b,4bの相対位置の位置測定値を求めるため、
目盛板1bの測定目盛 3bを走査する。走査装置5bに
は走査板6bがあり、この走査板の自由表面の上には磁
性に敏感な素子An 〜Dn あるいはAn 〜Hn から成る
グループA−Dが配設されている。
式的に示してある。この装置では、絶縁材料製の測定目
盛板1bが何らかの方法で第一物体2bに固定されてい
る。測定目盛板1bの表面には、迷路状の導体軌跡を有
する周期的な測定目盛 3bがあり、測定方向Xに向けて
隣接する等間隔の導体Lに電流が反対に流れる。測定目
盛 3bは二つの隣接する導体Lの間の間隔によって規定
される測定周期tを有する。第二物体4bには走査ユニ
ット5bが連結している。この走査ユニットは、二つの
物体2b,4bの相対位置の位置測定値を求めるため、
目盛板1bの測定目盛 3bを走査する。走査装置5bに
は走査板6bがあり、この走査板の自由表面の上には磁
性に敏感な素子An 〜Dn あるいはAn 〜Hn から成る
グループA−Dが配設されている。
【0019】半ブリッジ回路H1,H2あるいは全ブリ
ッジ回路V1,V2の4分の1ブリッジの少なくとも4
つの磁気抵抗素子An −Hn は互いに任意に結線でき
る。特に4分の1ブリッジ内での中間接続も可能であ
る。
ッジ回路V1,V2の4分の1ブリッジの少なくとも4
つの磁気抵抗素子An −Hn は互いに任意に結線でき
る。特に4分の1ブリッジ内での中間接続も可能であ
る。
【0020】各グループA−Hは、2以上の次数の高調
波を濾波するため、4つ以上の磁気抵抗素子An −Hn
(n= 1, 2, 3, 4,・・・・) を有する。
波を濾波するため、4つ以上の磁気抵抗素子An −Hn
(n= 1, 2, 3, 4,・・・・) を有する。
【0021】
【発明の効果】この発明によって得られる利点は、特に
磁気抵抗素子の直列接続配置と結線によって得られる位
置依存出力信号がその最適信号パラメータにより高い分
割度を有する以下の内挿に使用できるため、測定精度と
測定分解能が更に向上する点にある。更に、磁気抵抗素
子の直・並列回路を有する半ブリッジ回路あるいは全ブ
リッジ回路のブリッジ抵抗値が比較的低いため、一定電
流強度を供給するのに必要な電圧が低い範囲となる点に
もある。
磁気抵抗素子の直列接続配置と結線によって得られる位
置依存出力信号がその最適信号パラメータにより高い分
割度を有する以下の内挿に使用できるため、測定精度と
測定分解能が更に向上する点にある。更に、磁気抵抗素
子の直・並列回路を有する半ブリッジ回路あるいは全ブ
リッジ回路のブリッジ抵抗値が比較的低いため、一定電
流強度を供給するのに必要な電圧が低い範囲となる点に
もある。
【図1】第一実施例の位置測定装置の縦側面図である。
【図2】磁気抵抗素子を二つの半ブリッジ回路に結線し
た第一配置の図面である。
た第一配置の図面である。
【図3】図2の配置の個別結線図(a,b)である。
【図4】磁気抵抗素子を二つの半ブリッジ回路に結線し
た第二配置の図面である。
た第二配置の図面である。
【図5】図4の配置の個別結線図(a,b)である。
【図6】磁気抵抗素子を二つの半ブリッジ回路に結線し
た第三配置の図面である。
た第三配置の図面である。
【図7】図6の配置の個別結線図(a,b)である。
【図8】第二実施例の位置測定装置の縦側面図である。
【図9】第三実施例の位置測定装置の縦側面図である。
1,1a,1b 目盛板 2,2a,2b,4,4a,4b 相対移動する物体 3,3a,3b 目盛 5,5a,5b 走査ユニット 6,6a,6b 走査板 An,Bn,Cn,Dn,En,Fn,Gn,Hn 磁気抵抗素子 A,B,C,D,E,F,G,H 磁気抵抗素子の
グループ X 測定方向 U 電圧 M 大地電位 PM 永久磁石 NS 磁気領域 SS 二つのS極 NN 二つのN極 L 導体 H1,H2 半ブリッジ回路 S ウェブ S1,S2 周期出力信号 V 窪み V1,V2 全ブリッジ回路 t 目盛周期
グループ X 測定方向 U 電圧 M 大地電位 PM 永久磁石 NS 磁気領域 SS 二つのS極 NN 二つのN極 L 導体 H1,H2 半ブリッジ回路 S ウェブ S1,S2 周期出力信号 V 窪み V1,V2 全ブリッジ回路 t 目盛周期
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アルフオンス・シユピース ドイツ連邦共和国、ゼーブルック、ヴォプ フナーシユトラーセ、2 (72)発明者 ゲラルト・メッツ ドイツ連邦共和国、ザンクト・ゲオルゲ ン、ライフアイゼンシユトラーセ、8
Claims (8)
- 【請求項1】 位置に依存する出力信号を形成する走査
ユニットの磁気抵抗素子によって周期的な測定目盛を走
査し、出力信号から評価装置中で位置測定値を形成す
る、二つの相対移動する物体の相対位置を測定する位置
測定装置において、最適信号パラメータを有する位置依
存出力信号を求める下記構成、 a) 前記走査ユニット(5)がそれぞれ少なくとも4つ
の磁気抵抗素子(An 〜Hn)(n= 1, 2, 3, 4 ・・・)
から成る少なくとも4つのグループ(A〜H)を有し、 b) 少なくとも4つの磁気抵抗素子(An −Hn)から成
る各グループ(A〜H)が測定目盛(3)の目盛周期t
にわたって延びていて、 c) 前記磁気抵抗素子(An 〜Hn)が直・並列回路にし
て半ブリッジ回路(H1,H2)あるいは全ブリッジ回
路(V1,V2)に結線され、 d) 全ブリッジ回路(V1,V2)の場合、上部ブリッ
ジ分岐部の各グループ(A〜H)の磁気抵抗素子(An
〜Hn)が下部ブリッジ分岐部のグループ(A〜H)の磁
気抵抗素子(An 〜Hn)に対して、あるいは左のブリッ
ジ分岐部の各グループ(A〜H)の磁気抵抗素子(An
〜Hn)が右のブリッジ分岐部のグループ(A〜H)の磁
気抵抗素子(An 〜Hn)に対して値 t/2ほどずれてい
て、 e) 半ブリッジ回路(H1,H2)の場合、上部ブリッ
ジ分岐部の各グループ(A〜D)の磁気抵抗素子(An
〜Dn)が下部ブリッジ分岐部のグループ(A〜D)の磁
気抵抗素子(An 〜Dn)に対して値 t/2ほどずれてい
る、を有することを特徴とする測定装置。 - 【請求項2】 4つの磁気抵抗素子(An 〜Dn)の場合
には、各グループ(A〜D)はそれぞれ相互間隔 t/4を
有することを特徴とする請求項1に記載の測定装置。 - 【請求項3】 半ブリッジ回路(H1,H2)、あるい
は全ブリッジ回路(V1,V2)の4分の1ブリッジの
少なくとも4つの磁気抵抗素子(An 〜Hn)は、互いに
任意に結線されていることを特徴とする請求項1に記載
の測定装置。 - 【請求項4】 周期的な測定目盛(3)は測定方向
(X)に交番する磁化領域(NS)を有することを特徴
とする請求項1に記載の測定装置。 - 【請求項5】 周期的な測定目盛(3a)は測定方向
(X)に交互に良磁性領域と非磁性領域を有し、走査ユ
ニット(5a)が永久磁石(PM)を有することを特徴
とする請求項1に記載の測定装置。 - 【請求項6】 磁性材料から成る周期的な測定目盛(3
a)は測定方向(X)に交互に続くウェブ(S)と窪み
(V)を有することを特徴とする請求項1に記載の測定
装置。 - 【請求項7】 周期的な測定目盛(3b)は測定方向に
向けて交互に逆向きの電流を流す導体(L)を有し、こ
の導体は測定方向(X)に垂直で、互いに平行に延びて
いることを特徴とする請求項1に記載の測定装置。 - 【請求項8】 評価ユニットは内挿ユニットを保有する
ことを特徴とする請求項1に記載の測定装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4203073A DE4203073C2 (de) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | Positionsmeßeinrichtung |
DE4203073:0 | 1992-02-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0611358A true JPH0611358A (ja) | 1994-01-21 |
JP2619593B2 JP2619593B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=6450891
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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EP (1) | EP0554518B1 (ja) |
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AT (1) | ATE140314T1 (ja) |
DE (2) | DE4203073C2 (ja) |
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EP0896206B1 (de) | 1997-08-07 | 2002-12-11 | Dr. Johannes Heidenhain GmbH | Abtasteinheit für eine optische Positionsmesseinrichtung |
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- 1993-02-04 US US08/013,704 patent/US5386642A/en not_active Expired - Fee Related
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