JPH06112509A - マイクロマシンの製造方法 - Google Patents
マイクロマシンの製造方法Info
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- JPH06112509A JPH06112509A JP25829192A JP25829192A JPH06112509A JP H06112509 A JPH06112509 A JP H06112509A JP 25829192 A JP25829192 A JP 25829192A JP 25829192 A JP25829192 A JP 25829192A JP H06112509 A JPH06112509 A JP H06112509A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多結晶シリコン薄膜を利用して製造されるマ
イクロマシン例えばマイクロ圧力センサを従来より低温
プロセスで製造すること。 【構成】 マイクロ圧力ゲージの空洞部形成のために使
用する犠牲層用の多結晶シリコン薄膜４３と、歪みゲー
ジ用の多結晶シリコン薄膜４７とを、ガラス基板４１を
３００℃の温度に加熱した状態で、ＳｉＦ4 の流量を４
００ＳＣＣＭ、ＳｉＨ4 の流量を１０ＳＣＣＭ、Ｈ2 の
流量を５００ＳＣＣＭ、ＲＦパワー密度を０．１Ｗ／ｃ
ｍ2 、成膜時での反応室の上記原料ガスによる全圧を３
００Ｐａ（約２．２５Ｔｏｒｒ）とした条件のプラズマ
ＣＶＤ法により形成する。
イクロマシン例えばマイクロ圧力センサを従来より低温
プロセスで製造すること。 【構成】 マイクロ圧力ゲージの空洞部形成のために使
用する犠牲層用の多結晶シリコン薄膜４３と、歪みゲー
ジ用の多結晶シリコン薄膜４７とを、ガラス基板４１を
３００℃の温度に加熱した状態で、ＳｉＦ4 の流量を４
００ＳＣＣＭ、ＳｉＨ4 の流量を１０ＳＣＣＭ、Ｈ2 の
流量を５００ＳＣＣＭ、ＲＦパワー密度を０．１Ｗ／ｃ
ｍ2 、成膜時での反応室の上記原料ガスによる全圧を３
００Ｐａ（約２．２５Ｔｏｒｒ）とした条件のプラズマ
ＣＶＤ法により形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、マイクロマシーニン
グ技術と多結晶シリコン薄膜とを利用したマイクロセン
サを製造する方法に関するものである。
グ技術と多結晶シリコン薄膜とを利用したマイクロセン
サを製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、微細加工技術を駆使して微細な機
能装置例えば圧力センサ、歯車などを作製する試みがな
されている。この種の装置はマイクロマシンと称され、
そして、これを作製する技術はマイクロマシーニング技
術と称されている。
能装置例えば圧力センサ、歯車などを作製する試みがな
されている。この種の装置はマイクロマシンと称され、
そして、これを作製する技術はマイクロマシーニング技
術と称されている。
【０００３】シリコンを用いたマイクロマシーニング技
術は、大別すると、二つの方法がある。その一方は、シ
リコンバルクを加工しマイクロマシンを得る方法、他方
は下地上にシリコン薄膜例えば多結晶シリコン薄膜を形
成しこれを加工してマイクロマシンを得る方法である。
これらの方法により、マイクロマシンとしての例えばマ
イクロ圧力センサを作製する例が、例えば文献（月刊Se
micnductor world（セミコンダクタワールド），１９９
０，１２，ｐ２０１ー２０５）に開示されている。
術は、大別すると、二つの方法がある。その一方は、シ
リコンバルクを加工しマイクロマシンを得る方法、他方
は下地上にシリコン薄膜例えば多結晶シリコン薄膜を形
成しこれを加工してマイクロマシンを得る方法である。
これらの方法により、マイクロマシンとしての例えばマ
イクロ圧力センサを作製する例が、例えば文献（月刊Se
micnductor world（セミコンダクタワールド），１９９
０，１２，ｐ２０１ー２０５）に開示されている。
【０００４】この文献によれば、シリコンのバルクを用
いる場合は、単結晶シリコン基板の裏面側から異方性エ
ッチングによってこの基板を所定量エッチングすること
により、基板表面側にシリコン残存部より成る薄肉の受
圧ダイヤフラムが形成される。その後、歪み応力を検出
するためのピエゾ抵抗がこのダイヤフラム上に形成さ
れ、また、このピエゾ抵抗と共にホイートストンブリッ
ジを構成する補償用抵抗がダイヤフラム周囲のシリコン
基板部分上に形成される。一方、シリコン多結晶を用い
るマイクロマシーニング技術の場合は、マイクロ圧力セ
ンサは、以下に図２（Ａ）〜（Ｃ）、図３（Ａ）及び
（Ｂ）、図４（Ａ）及び（Ｂ）を参照して説明するよう
な方法によって作製されていた。
いる場合は、単結晶シリコン基板の裏面側から異方性エ
ッチングによってこの基板を所定量エッチングすること
により、基板表面側にシリコン残存部より成る薄肉の受
圧ダイヤフラムが形成される。その後、歪み応力を検出
するためのピエゾ抵抗がこのダイヤフラム上に形成さ
れ、また、このピエゾ抵抗と共にホイートストンブリッ
ジを構成する補償用抵抗がダイヤフラム周囲のシリコン
基板部分上に形成される。一方、シリコン多結晶を用い
るマイクロマシーニング技術の場合は、マイクロ圧力セ
ンサは、以下に図２（Ａ）〜（Ｃ）、図３（Ａ）及び
（Ｂ）、図４（Ａ）及び（Ｂ）を参照して説明するよう
な方法によって作製されていた。
【０００５】先ず、基板１１としてこの場合シリコン基
板１１上にＬＰＣＶＤ（減圧ＣＶＤ）法により厚さ５０
ｎｍのシリコン窒化膜１３が形成される。このシリコン
窒化膜１３は後に行なわれるアルカリ液によるエッチン
グ工程（詳細は後述する。）で基板１１をそのエッチャ
ントから保護するためである。次に、このシリコン窒化
膜１３上にＬＰＣＶＤ法により犠牲層となる厚さ２００
ｎｍの多結晶シリコン膜が形成され（図示せず。）、そ
して、この多結晶シリコン膜がフォトリソグラフィ技術
及びエッチング技術によってパターニングされて、直径
が１００μｍの多結晶シリコン領域１５とされる。次
に、この多結晶シリコン領域１５を覆うためのシリコン
窒化膜１７がＬＰＣＶＤ法により形成される（図２
（Ａ））。
板１１上にＬＰＣＶＤ（減圧ＣＶＤ）法により厚さ５０
ｎｍのシリコン窒化膜１３が形成される。このシリコン
窒化膜１３は後に行なわれるアルカリ液によるエッチン
グ工程（詳細は後述する。）で基板１１をそのエッチャ
ントから保護するためである。次に、このシリコン窒化
膜１３上にＬＰＣＶＤ法により犠牲層となる厚さ２００
ｎｍの多結晶シリコン膜が形成され（図示せず。）、そ
して、この多結晶シリコン膜がフォトリソグラフィ技術
及びエッチング技術によってパターニングされて、直径
が１００μｍの多結晶シリコン領域１５とされる。次
に、この多結晶シリコン領域１５を覆うためのシリコン
窒化膜１７がＬＰＣＶＤ法により形成される（図２
（Ａ））。
【０００６】次に、このシリコン窒化膜１７上にＬＰＣ
ＶＤ法により多結晶シリコン膜１９が形成される（図２
（Ｂ）。その後、この多結晶シリコン膜１９にボロンが
イオン注入法により導入される。次に、この多結晶シリ
コン膜１９がフォトリソグラフィ技術及びリアクティブ
イオンエッチング技術によりパターニングされて、歪み
ゲージ１９ａが形成される（図２（Ｃ））。
ＶＤ法により多結晶シリコン膜１９が形成される（図２
（Ｂ）。その後、この多結晶シリコン膜１９にボロンが
イオン注入法により導入される。次に、この多結晶シリ
コン膜１９がフォトリソグラフィ技術及びリアクティブ
イオンエッチング技術によりパターニングされて、歪み
ゲージ１９ａが形成される（図２（Ｃ））。
【０００７】次に、この歪みゲージ１９ａを保護するた
めに、これを覆うように、ＬＰＣＶＤ法によりシリコン
窒化膜２１が形成される（図３（Ａ））。次に、このシ
リコン窒化膜２１の一部表面から多結晶シリコン領域１
５に至るような開口部２３が、フォトリソグラフィ技術
及びリアクティブイオンエッチング技術によって形成さ
れる。次に、この開口部２３を介して多結晶シリコン領
域１５にＫＯＨ水溶液を接触させる。これにより、この
多結晶シリコン領域１５がエッチングされるので、シリ
コン窒化膜１７から成るダイヤフラム１７ａとエッチン
グ跡に空洞２５がそれぞれ形成される（図３（Ｂ））。
めに、これを覆うように、ＬＰＣＶＤ法によりシリコン
窒化膜２１が形成される（図３（Ａ））。次に、このシ
リコン窒化膜２１の一部表面から多結晶シリコン領域１
５に至るような開口部２３が、フォトリソグラフィ技術
及びリアクティブイオンエッチング技術によって形成さ
れる。次に、この開口部２３を介して多結晶シリコン領
域１５にＫＯＨ水溶液を接触させる。これにより、この
多結晶シリコン領域１５がエッチングされるので、シリ
コン窒化膜１７から成るダイヤフラム１７ａとエッチン
グ跡に空洞２５がそれぞれ形成される（図３（Ｂ））。
【０００８】次に、歪みゲージ１９ａを保護するために
形成されたシリコン窒化膜２１の所定部分に、歪みゲー
ジに配線を接続するためのコンタクトホール２７が、フ
ォトリソグラフィ技術及びリアクティブイオンエッチン
グ技術により形成される。そして、公知の方法により配
線２９が形成される（図４（Ａ））。その後、この試料
表面上にプラズマＣＶＤ法によりシリコン窒化膜３１が
形成される。このシリコン窒化膜３１により、上述の開
口部２３は塞がれるので、上述の空洞２５は真空室とな
る。
形成されたシリコン窒化膜２１の所定部分に、歪みゲー
ジに配線を接続するためのコンタクトホール２７が、フ
ォトリソグラフィ技術及びリアクティブイオンエッチン
グ技術により形成される。そして、公知の方法により配
線２９が形成される（図４（Ａ））。その後、この試料
表面上にプラズマＣＶＤ法によりシリコン窒化膜３１が
形成される。このシリコン窒化膜３１により、上述の開
口部２３は塞がれるので、上述の空洞２５は真空室とな
る。
【０００９】この多結晶シリコン薄膜を利用した上述の
製造方法は、バルクのシリコンを加工する方法に比べ、
標準的な半導体製造プロセスが使用でき、然も、微細か
つ高精度にマイクロマシンを形成できるという利点を有
していた。
製造方法は、バルクのシリコンを加工する方法に比べ、
標準的な半導体製造プロセスが使用でき、然も、微細か
つ高精度にマイクロマシンを形成できるという利点を有
していた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、多結晶
シリコン薄膜を利用した上述の従来の製造方法では、犠
牲層用、歪みゲージ形成用などの多結晶シリコンをＬＰ
ＣＶＤ法により形成していたため、成膜温度は低くても
６００℃は必要であった。また、結晶性を高めるにはさ
らに高い温度が必要であった。このため、マイクロマシ
ンを形成する基板として例えばガラス基板を用いた場合
は多結晶シリコンの成膜温度によって基板の変形や変質
が生じるので、基板は耐熱性を有するもの例えばシリコ
ン基板等に限られてしまうという問題点があった。
シリコン薄膜を利用した上述の従来の製造方法では、犠
牲層用、歪みゲージ形成用などの多結晶シリコンをＬＰ
ＣＶＤ法により形成していたため、成膜温度は低くても
６００℃は必要であった。また、結晶性を高めるにはさ
らに高い温度が必要であった。このため、マイクロマシ
ンを形成する基板として例えばガラス基板を用いた場合
は多結晶シリコンの成膜温度によって基板の変形や変質
が生じるので、基板は耐熱性を有するもの例えばシリコ
ン基板等に限られてしまうという問題点があった。
【００１１】マイクロマシンを安価に製造すること、ま
た、大型のセンサアレイを製造することを考えると、シ
リコン基板に比べ安価でありまた大型なもののの供給が
可能な例えばガラス基板が使用できる技術が望まれる。
た、大型のセンサアレイを製造することを考えると、シ
リコン基板に比べ安価でありまた大型なもののの供給が
可能な例えばガラス基板が使用できる技術が望まれる。
【００１２】この発明はこのような点に鑑みなされたも
のであり従ってこの発明の目的は、多結晶シリコンを利
用してマイクロマシンを製造する際により低温な製造プ
ロセスを提供することにある。
のであり従ってこの発明の目的は、多結晶シリコンを利
用してマイクロマシンを製造する際により低温な製造プ
ロセスを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明によれば、マイクロマーシニング技術によ
り製造されその製造において多結晶シリコン薄膜が使用
されるマイクロマシンを製造するに当たり、多結晶シリ
コン薄膜を、該薄膜が形成される下地の温度を最高でも
３５０℃としたプラズマＣＶＤ法により、形成すること
を特徴とする。
め、この発明によれば、マイクロマーシニング技術によ
り製造されその製造において多結晶シリコン薄膜が使用
されるマイクロマシンを製造するに当たり、多結晶シリ
コン薄膜を、該薄膜が形成される下地の温度を最高でも
３５０℃としたプラズマＣＶＤ法により、形成すること
を特徴とする。
【００１４】この発明の実施に当たり、前述のプラズマ
ＣＶＤ法での原料ガスを、四フッ化シラン（Ｓｉ
Ｆ4 ）、シラン（ＳｉＨ4 ）及び水素（Ｈ2 ）の混合ガ
スとしたことを特徴とする。
ＣＶＤ法での原料ガスを、四フッ化シラン（Ｓｉ
Ｆ4 ）、シラン（ＳｉＨ4 ）及び水素（Ｈ2 ）の混合ガ
スとしたことを特徴とする。
【００１５】ここで、プラズマＣＶＤ法の実施条件であ
るが、例えば、この出願の出願人に係る特開平３−２５
０６２４号公報に開示の下記の（ａ）〜（ｄ）を満たす
条件が好適であると思われる。
るが、例えば、この出願の出願人に係る特開平３−２５
０６２４号公報に開示の下記の（ａ）〜（ｄ）を満たす
条件が好適であると思われる。
【００１６】（ａ）四フッ化シラン（ＳｉＦ4 ）、シラ
ン（ＳｉＨ4 ）及び水素（Ｈ2 ）の混合ガスの流量比
を、ＳｉＦ4 ／ＳｉＨ4 ＞５及び２０＞Ｈ2 ／ＳｉＦ4
＞１の範囲内の値とする。
ン（ＳｉＨ4 ）及び水素（Ｈ2 ）の混合ガスの流量比
を、ＳｉＦ4 ／ＳｉＨ4 ＞５及び２０＞Ｈ2 ／ＳｉＦ4
＞１の範囲内の値とする。
【００１７】（ｂ）薄膜形成時におけるパワー密度を
０．５Ｗ／ｃｍ2 より小さく０．０５Ｗ／ｃｍ2 より大
きな値とする。
０．５Ｗ／ｃｍ2 より小さく０．０５Ｗ／ｃｍ2 より大
きな値とする。
【００１８】（ｃ）薄膜形成時における成膜室での前記
混合ガスの全圧を０．５〜３．０Ｔｏｒｒの範囲内の値
とする。
混合ガスの全圧を０．５〜３．０Ｔｏｒｒの範囲内の値
とする。
【００１９】（ｄ）薄膜形成時における下地の温度を２
５０〜３５０℃の範囲内の値とする。
５０〜３５０℃の範囲内の値とする。
【００２０】このような条件であれば、低温であって
も、ガラス基板や絶縁膜等の下地上に結晶性に優れる多
結晶シリコン薄膜を密着性良く形成できると考えられる
ので、マイクロマシンで利用するに支障のない多結晶シ
リコン薄膜が得られると考えられるからである。
も、ガラス基板や絶縁膜等の下地上に結晶性に優れる多
結晶シリコン薄膜を密着性良く形成できると考えられる
ので、マイクロマシンで利用するに支障のない多結晶シ
リコン薄膜が得られると考えられるからである。
【００２１】なお、この発明において、マイクロマシン
とは、マイクロ圧力センサや歪みゲージ、歯車やアクチ
ュエータなど種々のものをいうものとする。
とは、マイクロ圧力センサや歪みゲージ、歯車やアクチ
ュエータなど種々のものをいうものとする。
【００２２】
【作用】この発明の構成によれば、耐熱性がシリコン基
板に比べ劣る例えばガラス基板などにマイクロマシンを
作製することができる。また、低温化により試料の昇温
時間や温度降下時間の短縮が図れるから、製造プロセス
の短縮が可能になる。
板に比べ劣る例えばガラス基板などにマイクロマシンを
作製することができる。また、低温化により試料の昇温
時間や温度降下時間の短縮が図れるから、製造プロセス
の短縮が可能になる。
【００２３】
【実施例】以下、この発明のマイクロマシンの製造方法
の実施例について、図４（Ｂ）に示したマイクロ圧力セ
ンサを製造する例によって説明する。なお、この実施例
では、基板としてガラス基板を用いる点、基板上にはこ
れを保護するためのシリコン窒化膜（図２（Ａ）のシリ
コン窒化膜１３に相当するもの）は設けない点、多結晶
シリコン薄膜の成膜温度を約３００℃とした点（詳細は
後述する。）、歪みゲージ形成用多結晶シリコン薄膜へ
の不純物導入をこの膜の原料ガスにドーピングガスを添
加して行なう点、保護膜などの成膜を低温成膜が可能な
方法（この場合スパッタ法）とした点以外は、図２〜図
４を用いて説明した方法及び工程順序と同様な方法及び
工程順序をとる。また、図１（Ａ）〜（Ｄ）はこの実施
例の要部の説明に供する工程図である。いずれも試料の
断面図によって示してある。
の実施例について、図４（Ｂ）に示したマイクロ圧力セ
ンサを製造する例によって説明する。なお、この実施例
では、基板としてガラス基板を用いる点、基板上にはこ
れを保護するためのシリコン窒化膜（図２（Ａ）のシリ
コン窒化膜１３に相当するもの）は設けない点、多結晶
シリコン薄膜の成膜温度を約３００℃とした点（詳細は
後述する。）、歪みゲージ形成用多結晶シリコン薄膜へ
の不純物導入をこの膜の原料ガスにドーピングガスを添
加して行なう点、保護膜などの成膜を低温成膜が可能な
方法（この場合スパッタ法）とした点以外は、図２〜図
４を用いて説明した方法及び工程順序と同様な方法及び
工程順序をとる。また、図１（Ａ）〜（Ｄ）はこの実施
例の要部の説明に供する工程図である。いずれも試料の
断面図によって示してある。
【００２４】先ず、基板４１としてこの実施例の場合ガ
ラス基板を用いる。この実施例では、コーニング社製の
商品番号コーニング７０５９を用いる。このガラス基板
４１をフッ酸水溶液（１％）に１〜２秒浸漬し、その
後、充分に水洗する。
ラス基板を用いる。この実施例では、コーニング社製の
商品番号コーニング７０５９を用いる。このガラス基板
４１をフッ酸水溶液（１％）に１〜２秒浸漬し、その
後、充分に水洗する。
【００２５】次に、この基板４１をプラズマＣＶＤ装置
の反応室（図示せず）に入れ、この基板４１を３００℃
の温度に加熱した状態で、ＳｉＦ4 の流量を４００ＳＣ
ＣＭ、ＳｉＨ4 の流量を１０ＳＣＣＭ、Ｈ2 の流量を５
００ＳＣＣＭ、ＲＦパワー密度を０．１Ｗ／ｃｍ2 、成
膜時での反応室の上記原料ガスによる全圧を３００Ｐａ
（約２．２５Ｔｏｒｒ）とした条件で、この基板４１上
に犠牲層としての多結晶シリコン薄膜４３を２００ｎｍ
の膜厚で形成する（図１（Ａ））。なお、この多結晶シ
リコン薄膜４３は犠牲層であり後に除去されるので結晶
性はさほど重要でないから、基板温度はさらに低くても
良い。
の反応室（図示せず）に入れ、この基板４１を３００℃
の温度に加熱した状態で、ＳｉＦ4 の流量を４００ＳＣ
ＣＭ、ＳｉＨ4 の流量を１０ＳＣＣＭ、Ｈ2 の流量を５
００ＳＣＣＭ、ＲＦパワー密度を０．１Ｗ／ｃｍ2 、成
膜時での反応室の上記原料ガスによる全圧を３００Ｐａ
（約２．２５Ｔｏｒｒ）とした条件で、この基板４１上
に犠牲層としての多結晶シリコン薄膜４３を２００ｎｍ
の膜厚で形成する（図１（Ａ））。なお、この多結晶シ
リコン薄膜４３は犠牲層であり後に除去されるので結晶
性はさほど重要でないから、基板温度はさらに低くても
良い。
【００２６】次に、この多結晶シリコン薄膜４３をフォ
トリソグラフィ技術及びエッチング技術によってパター
ニングして、直径が１００μｍの多結晶シリコン領域４
３とする。次に、この多結晶領域シリコン領域４３を覆
うためのシリコン窒化膜４５をスパッタ法により形成す
る（図１（Ｂ））。
トリソグラフィ技術及びエッチング技術によってパター
ニングして、直径が１００μｍの多結晶シリコン領域４
３とする。次に、この多結晶領域シリコン領域４３を覆
うためのシリコン窒化膜４５をスパッタ法により形成す
る（図１（Ｂ））。
【００２７】次に、このシリコン窒化膜４５上に、今度
は歪みゲージ形成用としてのこの場合ｐ型の多結晶シリ
コン薄膜４７を例えば２００ｎｍの膜厚に形成する（図
１（Ｃ））。このｐ型多結晶シリコン薄膜４７は、基板
４１を３００℃の温度に加熱した状態で、ＳｉＦ4 の流
量を４００ＳＣＣＭ、ＳｉＨ4 の流量を１０ＳＣＣＭ、
Ｈ2 の流量を５００ＳＣＣＭ、ＲＦパワー密度を０．１
Ｗ／ｃｍ2 、成膜時での反応室の上記原料ガスによる全
圧を３００Ｐａ（約２．２５Ｔｏｒｒ）とし、かつ、ジ
ボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）などのドーピングガスを添加した条
件で、形成する。この場合の多結晶シリコン４７はある
程度結晶性が良いことが要求されるので成膜温度は基板
の変質、変形を招かない限り高温（３５０℃程度まで）
が良いが、３００℃でも目的の結晶性は確保される。
は歪みゲージ形成用としてのこの場合ｐ型の多結晶シリ
コン薄膜４７を例えば２００ｎｍの膜厚に形成する（図
１（Ｃ））。このｐ型多結晶シリコン薄膜４７は、基板
４１を３００℃の温度に加熱した状態で、ＳｉＦ4 の流
量を４００ＳＣＣＭ、ＳｉＨ4 の流量を１０ＳＣＣＭ、
Ｈ2 の流量を５００ＳＣＣＭ、ＲＦパワー密度を０．１
Ｗ／ｃｍ2 、成膜時での反応室の上記原料ガスによる全
圧を３００Ｐａ（約２．２５Ｔｏｒｒ）とし、かつ、ジ
ボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）などのドーピングガスを添加した条
件で、形成する。この場合の多結晶シリコン４７はある
程度結晶性が良いことが要求されるので成膜温度は基板
の変質、変形を招かない限り高温（３５０℃程度まで）
が良いが、３００℃でも目的の結晶性は確保される。
【００２８】次に、このｐ型多結晶シリコン膜４７をフ
ォトリソグラフィ技術及びリアクティブイオンエッチン
グ技術によりパターニングして、歪みゲージ４７ａを得
る（図１（Ｄ））。
ォトリソグラフィ技術及びリアクティブイオンエッチン
グ技術によりパターニングして、歪みゲージ４７ａを得
る（図１（Ｄ））。
【００２９】その後は、図３（Ａ）〜図４（Ｂ）を用い
て説明した従来方法に準じた方法により成膜やエッチン
グなどを行ないダイヤフラムや真空室を形成して、目的
のマイクロ圧力センサを得る。ただし、保護膜として使
用される各シリコン窒化膜（図３中のシリコン窒化膜２
１や図４中のシリコン窒化膜３１に相当するもの。）の
形成は低温成膜が可能な方法例えばスパッタ法やプラズ
マＣＶＤ法により行なう。
て説明した従来方法に準じた方法により成膜やエッチン
グなどを行ないダイヤフラムや真空室を形成して、目的
のマイクロ圧力センサを得る。ただし、保護膜として使
用される各シリコン窒化膜（図３中のシリコン窒化膜２
１や図４中のシリコン窒化膜３１に相当するもの。）の
形成は低温成膜が可能な方法例えばスパッタ法やプラズ
マＣＶＤ法により行なう。
【００３０】なお、歪みゲージ４７ａ形成用の多結晶シ
リコン薄膜４７をガラス基板４１の他の部分に残存させ
ておき、この部分に周辺回路を形成しても良い。
リコン薄膜４７をガラス基板４１の他の部分に残存させ
ておき、この部分に周辺回路を形成しても良い。
【００３１】上述においては、この発明のマイクロマシ
ンの製造方法の実施例について説明したが、この発明は
この実施例に限られない。
ンの製造方法の実施例について説明したが、この発明は
この実施例に限られない。
【００３２】例えば、多結晶シリコン薄膜の上述の形成
条件はこの発明の範囲内の一例にすぎず他の条件でも良
い。また、多結晶シリコンの形成工程以外の工程は他の
好適な方法に変更できることは明らかである。また、こ
の発明の方法はマイクロ圧力センサ以外のマイクロマシ
ンで多結晶シリコンを利用するものに広く適用できるこ
とは明らかである。
条件はこの発明の範囲内の一例にすぎず他の条件でも良
い。また、多結晶シリコンの形成工程以外の工程は他の
好適な方法に変更できることは明らかである。また、こ
の発明の方法はマイクロ圧力センサ以外のマイクロマシ
ンで多結晶シリコンを利用するものに広く適用できるこ
とは明らかである。
【００３３】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明のマイクロマシンの製造方法によれば、マイクロ
マシン製造に用いられる多結晶シリコン薄膜を３５０℃
より低い成膜温度で形成できるので、耐熱性があまり高
くない基板も使用することができる。したがって、ガラ
ス基板も基板として使用可能になるため、マイクロマシ
ンの低価格化が期待できる。また、低温化プロセスの実
現により工程の簡略化も期待できる。
の発明のマイクロマシンの製造方法によれば、マイクロ
マシン製造に用いられる多結晶シリコン薄膜を３５０℃
より低い成膜温度で形成できるので、耐熱性があまり高
くない基板も使用することができる。したがって、ガラ
ス基板も基板として使用可能になるため、マイクロマシ
ンの低価格化が期待できる。また、低温化プロセスの実
現により工程の簡略化も期待できる。
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は、実施例の説明に供する要部
工程図である。
工程図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、従来の方法の説明に供する
工程図である。
工程図である。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は、従来及びこの発明の説明
に供する図２に続く工程図である。
に供する図２に続く工程図である。
【図４】（Ａ）及び（Ｂ）は、従来及びこの発明の説明
に供する図３に続く工程図である。
に供する図３に続く工程図である。
４１：ガラス基板 ４３：低温成長による多結晶シリコン薄膜 ４３ａ：円形の多結晶シリコン領域 ４５：シリコン窒化膜 ４７：低温成長によるｐ型多結晶シリコン薄膜 ４７ａ：歪みゲージ
Claims (2)
- 【請求項１】 マイクロマーシニング技術により製造さ
れその製造において多結晶シリコン薄膜が使用されるマ
イクロマシンを製造するに当たり、 多結晶シリコン薄膜を、該薄膜が形成される下地の温度
を最高でも３５０℃としたプラズマＣＶＤ法により、形
成することを特徴とするマイクロマシンの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のマイクロマシンの製造
方法において、 前記プラズマＣＶＤ法での原料ガスを、四フッ化シラン
（ＳｉＦ4 ）、シラン（ＳｉＨ4 ）及び水素（Ｈ2 ）の
混合ガスとしたことを特徴とするマイクロマシンの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25829192A JPH06112509A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | マイクロマシンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25829192A JPH06112509A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | マイクロマシンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112509A true JPH06112509A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17318218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25829192A Withdrawn JPH06112509A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | マイクロマシンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112509A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10300610A (ja) * | 1997-04-17 | 1998-11-13 | Commiss Energ Atom | 圧力センサのための可撓膜を備えたマイクロシステムとその製造法 |
| US5930595A (en) * | 1996-10-18 | 1999-07-27 | Institute Of Microelectronics National University Of Singapore | Isolation process for surface micromachined sensors and actuators |
| JP2004223708A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Akustica Inc | マルチメタルレイヤｍｅｍｓ構造及びこれを作製するプロセス |
| EP1160879A3 (en) * | 2000-05-31 | 2006-05-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of forming silicon-based thin film, silicon-based thin film and photovoltaic element |
| JP2009527750A (ja) * | 2006-02-24 | 2009-07-30 | コミシリア ア レネルジ アトミック | 抵抗式ひずみゲージを有する圧力センサ |
| CN109081302A (zh) * | 2018-07-13 | 2018-12-25 | 歌尔股份有限公司 | 一种微通道加工方法、微通道 |
-
1992
- 1992-09-28 JP JP25829192A patent/JPH06112509A/ja not_active Withdrawn
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| US8393223B2 (en) | 2006-02-24 | 2013-03-12 | Commissariat A L'energie Atomique | Pressure sensor with resistance strain gages |
| CN109081302A (zh) * | 2018-07-13 | 2018-12-25 | 歌尔股份有限公司 | 一种微通道加工方法、微通道 |
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|---|---|---|---|
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