JPH06112345A - 高周波集積回路の実装方法および実装構造 - Google Patents
高周波集積回路の実装方法および実装構造Info
- Publication number
- JPH06112345A JPH06112345A JP12695992A JP12695992A JPH06112345A JP H06112345 A JPH06112345 A JP H06112345A JP 12695992 A JP12695992 A JP 12695992A JP 12695992 A JP12695992 A JP 12695992A JP H06112345 A JPH06112345 A JP H06112345A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- case
- substrate
- frequency integrated
- frequency
- Prior art date
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- Withdrawn
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】高周波集積回路用ケースにおいて、蓋を閉じる
と特性が変化してしまうことを防ぐ。 【構成】高周波の集積回路7及びそれを載せる基板2を
収容する金属ケース1の内部に、導体の金属ブロック又
は半田などからなる塊状の突起5を設けてケース1,集
積回路7,基板2の接地回路とを接続することにより、
ケース1内の接地面を変化させ、ケース1に蓋8をして
も、その特性変化がわずかであるようにする。
と特性が変化してしまうことを防ぐ。 【構成】高周波の集積回路7及びそれを載せる基板2を
収容する金属ケース1の内部に、導体の金属ブロック又
は半田などからなる塊状の突起5を設けてケース1,集
積回路7,基板2の接地回路とを接続することにより、
ケース1内の接地面を変化させ、ケース1に蓋8をして
も、その特性変化がわずかであるようにする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高周波集積回路の実装方
法および実装構造に関し、特にマイクロ波によるケース
構造に関する。
法および実装構造に関し、特にマイクロ波によるケース
構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の高周波集積回路の実装構造は、図
3(a),(b)に示すように、伝送線路や部品用の配
線を有する基板2と、この基板2に配置される集積回路
7と、この集積回路7の電源端子に接続するチップコン
デンサ4及び貫通コンデンサ3と、基板2を収容するケ
ース1と、このケース1に取り付けて電磁遮蔽を行なう
蓋8と、ケース1の内部と外部を接続するRFコネクタ
6とを有してなっている。接地は集積回路7を配置した
基板2に開けたスルーホール2cを通して、ケース1と
接続して行っている。次に特性例を示す。この従来の実
装構造によるSパラメータ特性を図4に示す。実線が蓋
8がない時のS21特性で、破線が蓋8がある時の特性
である。
3(a),(b)に示すように、伝送線路や部品用の配
線を有する基板2と、この基板2に配置される集積回路
7と、この集積回路7の電源端子に接続するチップコン
デンサ4及び貫通コンデンサ3と、基板2を収容するケ
ース1と、このケース1に取り付けて電磁遮蔽を行なう
蓋8と、ケース1の内部と外部を接続するRFコネクタ
6とを有してなっている。接地は集積回路7を配置した
基板2に開けたスルーホール2cを通して、ケース1と
接続して行っている。次に特性例を示す。この従来の実
装構造によるSパラメータ特性を図4に示す。実線が蓋
8がない時のS21特性で、破線が蓋8がある時の特性
である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この従来の実装構造で
は、基板のスルーホールによる接地が完全でない、また
入出力間の絶縁が不完全であるなどの理由から、蓋を閉
めて電磁遮蔽を行なうと、蓋を閉める前の特性からの変
化を生じてしまうといった問題があった。
は、基板のスルーホールによる接地が完全でない、また
入出力間の絶縁が不完全であるなどの理由から、蓋を閉
めて電磁遮蔽を行なうと、蓋を閉める前の特性からの変
化を生じてしまうといった問題があった。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、伝送線路や部
品用の配線が作られている基板上に高周波信号を入出力
する集積回路を搭載し、これらを包括して外部の電磁界
との相関をなくするケースに収納する高周波集積回路の
実装方法において、前記ケースと前記集積回路の前記基
板の接地パターンとを接続するごとき導体の塊状部材を
設けて前記集積回路の入出力の電磁界結合を減少させる
ようにしたものである。
品用の配線が作られている基板上に高周波信号を入出力
する集積回路を搭載し、これらを包括して外部の電磁界
との相関をなくするケースに収納する高周波集積回路の
実装方法において、前記ケースと前記集積回路の前記基
板の接地パターンとを接続するごとき導体の塊状部材を
設けて前記集積回路の入出力の電磁界結合を減少させる
ようにしたものである。
【0005】また本発明は伝送線路や部品用の配線が作
られている基板と、この基板上に搭載され高周波信号を
入出力する集積回路と、前記基板と前記集積回路を包括
し外部の電磁界との相関をなくするケースとからなる高
周波集積回路の実装構造において、導体からなって前記
ケースの内部に設けられ前記ケースと前記集積回路と前
記基板の接地パターンとに接続する塊状部材を備えてい
る。
られている基板と、この基板上に搭載され高周波信号を
入出力する集積回路と、前記基板と前記集積回路を包括
し外部の電磁界との相関をなくするケースとからなる高
周波集積回路の実装構造において、導体からなって前記
ケースの内部に設けられ前記ケースと前記集積回路と前
記基板の接地パターンとに接続する塊状部材を備えてい
る。
【0006】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の一実施例を示す(a)は平面図、
(b)は同図(a)のA−A線断面図、図2は本発明の
一実施例のS21特性を示すグラフである。
る。図1は本発明の一実施例を示す(a)は平面図、
(b)は同図(a)のA−A線断面図、図2は本発明の
一実施例のS21特性を示すグラフである。
【0007】本実施例の構成は図1に示すように、金属
製でブロック状のケース1の中に、伝送線路や部品用の
電気配線を施したセラミックの基板2を配置し、ケース
1と半田で接続する。更にこのケース1に、高周波信号
入出力用のRFコネクタ6と、電源の雑音を取り除くた
めの貫通コンデンサ3を接続する。セラミックの基板2
上には集積回路7を配置し、この集積回路7の電源端子
にチップコンデンサ4を取り付ける。基板2上にはマイ
クロストリップライン,電源端子用配線及び接地面を設
け、且つ基板2の表面にはパターン2aを設けて一部が
裏面とスルーホール2bで接続されている。
製でブロック状のケース1の中に、伝送線路や部品用の
電気配線を施したセラミックの基板2を配置し、ケース
1と半田で接続する。更にこのケース1に、高周波信号
入出力用のRFコネクタ6と、電源の雑音を取り除くた
めの貫通コンデンサ3を接続する。セラミックの基板2
上には集積回路7を配置し、この集積回路7の電源端子
にチップコンデンサ4を取り付ける。基板2上にはマイ
クロストリップライン,電源端子用配線及び接地面を設
け、且つ基板2の表面にはパターン2aを設けて一部が
裏面とスルーホール2bで接続されている。
【0008】このケース1の内部に、導体で出来て直方
体をなす金属ブロック状の突起5を設ける。突起5の下
方の一部は基板2上の接地用のパターン2aに接し、突
起5の上方二辺はケース1の二壁面と接するように設置
される。
体をなす金属ブロック状の突起5を設ける。突起5の下
方の一部は基板2上の接地用のパターン2aに接し、突
起5の上方二辺はケース1の二壁面と接するように設置
される。
【0009】つまり、ケース1,突起5,基板2のパタ
ーン2a及び集積回路7の下パターンがすべて電気的に
接続することとなる。最後に蓋8をケース1の上面にね
じで固定する。
ーン2a及び集積回路7の下パターンがすべて電気的に
接続することとなる。最後に蓋8をケース1の上面にね
じで固定する。
【0010】以上のような突起5を設けることにより、
接地グランドが強化され、蓋8をした時にできる導波管
(キャビディ)の形を小さくし、導波管のカットオフ周
波数を上げることができる。この結果、図2に本実施例
によるS21特性を示すように、実線が蓋なし、破線が
蓋ありの場合であるが、両者とも特性に殆んど変化がな
いことがわかる。なお本実施例ては、突起5を金属ブロ
ック状のものと例示したが、これは半田の塊状のもので
あってもよい。
接地グランドが強化され、蓋8をした時にできる導波管
(キャビディ)の形を小さくし、導波管のカットオフ周
波数を上げることができる。この結果、図2に本実施例
によるS21特性を示すように、実線が蓋なし、破線が
蓋ありの場合であるが、両者とも特性に殆んど変化がな
いことがわかる。なお本実施例ては、突起5を金属ブロ
ック状のものと例示したが、これは半田の塊状のもので
あってもよい。
【0011】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ケース内
に導体からなる塊状の突起を設けて接地部分を変えるこ
とにより、蓋の有る無しによる特性の変化を小さくでき
るという効果を有する。
に導体からなる塊状の突起を設けて接地部分を変えるこ
とにより、蓋の有る無しによる特性の変化を小さくでき
るという効果を有する。
【図1】本発明の一実施例を示す(a)は平面図、
(b)は同図(a)のA−A線断面図である。
(b)は同図(a)のA−A線断面図である。
【図2】本発明の一実施例のS21特性を示すグラフで
ある。
ある。
【図3】従来の実装構造の一例を示す(a)は平面図、
(b)は断面図である。
(b)は断面図である。
【図4】従来例によるS21特性を示すグラフである。
1 ケース 2 基板 3 貫通コンデンサ 4 チップコンデンサ 5 突起 6 RFコネクタ 7 集積回路 8 蓋
Claims (3)
- 【請求項1】 伝送線路や部品用の配線が作られている
基板上に高周波信号を入出力する集積回路を搭載し、こ
れらを包括して外部の電磁界との相関をなくするケース
に収納する高周波集積回路の実装方法において、前記ケ
ースと前記集積回路の前記基板の接地パターンとを接続
するごとき導体の塊状部材を設けて前記集積回路の入出
力の電磁界結合を減少させるようにしたことを特徴とす
る高周波集積回路の実装方法。 - 【請求項2】 伝送線路や部品用の配線が作られている
基板と、この基板上に搭載され高周波信号を入出力する
集積回路と、前記基板と前記集積回路を包括し外部の電
磁界との相関をなくするケースとからなる高周波集積回
路の実装構造において、導体からなって前記ケースの内
部に設けられ前記ケースと前記集積回路と前記基板の接
地パターンとに接続する塊状部材を備えることを特徴と
する高周波集積回路の実装構造。 - 【請求項3】 前記塊状部材が金属ブロックもしくは半
田塊であることを特徴とする請求項1および2記載の高
周波集積回路の実装方法および実装構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12695992A JPH06112345A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 高周波集積回路の実装方法および実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12695992A JPH06112345A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 高周波集積回路の実装方法および実装構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06112345A true JPH06112345A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=14948136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12695992A Withdrawn JPH06112345A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 高周波集積回路の実装方法および実装構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06112345A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6163072A (en) * | 1997-07-15 | 2000-12-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device package and semiconductor device module |
JP2012064743A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Fujitsu Optical Components Ltd | 通信モジュール |
-
1992
- 1992-05-20 JP JP12695992A patent/JPH06112345A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6163072A (en) * | 1997-07-15 | 2000-12-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device package and semiconductor device module |
JP2012064743A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Fujitsu Optical Components Ltd | 通信モジュール |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |