JPH06112345A - 高周波集積回路の実装方法および実装構造 - Google Patents
高周波集積回路の実装方法および実装構造Info
- Publication number
- JPH06112345A JPH06112345A JP12695992A JP12695992A JPH06112345A JP H06112345 A JPH06112345 A JP H06112345A JP 12695992 A JP12695992 A JP 12695992A JP 12695992 A JP12695992 A JP 12695992A JP H06112345 A JPH06112345 A JP H06112345A
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- JP
- Japan
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- integrated circuit
- case
- substrate
- frequency integrated
- frequency
- Prior art date
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】高周波集積回路用ケースにおいて、蓋を閉じる
と特性が変化してしまうことを防ぐ。 【構成】高周波の集積回路７及びそれを載せる基板２を
収容する金属ケース１の内部に、導体の金属ブロック又
は半田などからなる塊状の突起５を設けてケース１，集
積回路７，基板２の接地回路とを接続することにより、
ケース１内の接地面を変化させ、ケース１に蓋８をして
も、その特性変化がわずかであるようにする。
と特性が変化してしまうことを防ぐ。 【構成】高周波の集積回路７及びそれを載せる基板２を
収容する金属ケース１の内部に、導体の金属ブロック又
は半田などからなる塊状の突起５を設けてケース１，集
積回路７，基板２の接地回路とを接続することにより、
ケース１内の接地面を変化させ、ケース１に蓋８をして
も、その特性変化がわずかであるようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波集積回路の実装方
法および実装構造に関し、特にマイクロ波によるケース
構造に関する。
法および実装構造に関し、特にマイクロ波によるケース
構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高周波集積回路の実装構造は、図
３（ａ），（ｂ）に示すように、伝送線路や部品用の配
線を有する基板２と、この基板２に配置される集積回路
７と、この集積回路７の電源端子に接続するチップコン
デンサ４及び貫通コンデンサ３と、基板２を収容するケ
ース１と、このケース１に取り付けて電磁遮蔽を行なう
蓋８と、ケース１の内部と外部を接続するＲＦコネクタ
６とを有してなっている。接地は集積回路７を配置した
基板２に開けたスルーホール２ｃを通して、ケース１と
接続して行っている。次に特性例を示す。この従来の実
装構造によるＳパラメータ特性を図４に示す。実線が蓋
８がない時のＳ２１特性で、破線が蓋８がある時の特性
である。
３（ａ），（ｂ）に示すように、伝送線路や部品用の配
線を有する基板２と、この基板２に配置される集積回路
７と、この集積回路７の電源端子に接続するチップコン
デンサ４及び貫通コンデンサ３と、基板２を収容するケ
ース１と、このケース１に取り付けて電磁遮蔽を行なう
蓋８と、ケース１の内部と外部を接続するＲＦコネクタ
６とを有してなっている。接地は集積回路７を配置した
基板２に開けたスルーホール２ｃを通して、ケース１と
接続して行っている。次に特性例を示す。この従来の実
装構造によるＳパラメータ特性を図４に示す。実線が蓋
８がない時のＳ２１特性で、破線が蓋８がある時の特性
である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の実装構造で
は、基板のスルーホールによる接地が完全でない、また
入出力間の絶縁が不完全であるなどの理由から、蓋を閉
めて電磁遮蔽を行なうと、蓋を閉める前の特性からの変
化を生じてしまうといった問題があった。
は、基板のスルーホールによる接地が完全でない、また
入出力間の絶縁が不完全であるなどの理由から、蓋を閉
めて電磁遮蔽を行なうと、蓋を閉める前の特性からの変
化を生じてしまうといった問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、伝送線路や部
品用の配線が作られている基板上に高周波信号を入出力
する集積回路を搭載し、これらを包括して外部の電磁界
との相関をなくするケースに収納する高周波集積回路の
実装方法において、前記ケースと前記集積回路の前記基
板の接地パターンとを接続するごとき導体の塊状部材を
設けて前記集積回路の入出力の電磁界結合を減少させる
ようにしたものである。
品用の配線が作られている基板上に高周波信号を入出力
する集積回路を搭載し、これらを包括して外部の電磁界
との相関をなくするケースに収納する高周波集積回路の
実装方法において、前記ケースと前記集積回路の前記基
板の接地パターンとを接続するごとき導体の塊状部材を
設けて前記集積回路の入出力の電磁界結合を減少させる
ようにしたものである。
【０００５】また本発明は伝送線路や部品用の配線が作
られている基板と、この基板上に搭載され高周波信号を
入出力する集積回路と、前記基板と前記集積回路を包括
し外部の電磁界との相関をなくするケースとからなる高
周波集積回路の実装構造において、導体からなって前記
ケースの内部に設けられ前記ケースと前記集積回路と前
記基板の接地パターンとに接続する塊状部材を備えてい
る。
られている基板と、この基板上に搭載され高周波信号を
入出力する集積回路と、前記基板と前記集積回路を包括
し外部の電磁界との相関をなくするケースとからなる高
周波集積回路の実装構造において、導体からなって前記
ケースの内部に設けられ前記ケースと前記集積回路と前
記基板の接地パターンとに接続する塊状部材を備えてい
る。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例を示す（ａ）は平面図、
（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図、図２は本発明の
一実施例のＳ２１特性を示すグラフである。
る。図１は本発明の一実施例を示す（ａ）は平面図、
（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図、図２は本発明の
一実施例のＳ２１特性を示すグラフである。
【０００７】本実施例の構成は図１に示すように、金属
製でブロック状のケース１の中に、伝送線路や部品用の
電気配線を施したセラミックの基板２を配置し、ケース
１と半田で接続する。更にこのケース１に、高周波信号
入出力用のＲＦコネクタ６と、電源の雑音を取り除くた
めの貫通コンデンサ３を接続する。セラミックの基板２
上には集積回路７を配置し、この集積回路７の電源端子
にチップコンデンサ４を取り付ける。基板２上にはマイ
クロストリップライン，電源端子用配線及び接地面を設
け、且つ基板２の表面にはパターン２ａを設けて一部が
裏面とスルーホール２ｂで接続されている。
製でブロック状のケース１の中に、伝送線路や部品用の
電気配線を施したセラミックの基板２を配置し、ケース
１と半田で接続する。更にこのケース１に、高周波信号
入出力用のＲＦコネクタ６と、電源の雑音を取り除くた
めの貫通コンデンサ３を接続する。セラミックの基板２
上には集積回路７を配置し、この集積回路７の電源端子
にチップコンデンサ４を取り付ける。基板２上にはマイ
クロストリップライン，電源端子用配線及び接地面を設
け、且つ基板２の表面にはパターン２ａを設けて一部が
裏面とスルーホール２ｂで接続されている。
【０００８】このケース１の内部に、導体で出来て直方
体をなす金属ブロック状の突起５を設ける。突起５の下
方の一部は基板２上の接地用のパターン２ａに接し、突
起５の上方二辺はケース１の二壁面と接するように設置
される。
体をなす金属ブロック状の突起５を設ける。突起５の下
方の一部は基板２上の接地用のパターン２ａに接し、突
起５の上方二辺はケース１の二壁面と接するように設置
される。
【０００９】つまり、ケース１，突起５，基板２のパタ
ーン２ａ及び集積回路７の下パターンがすべて電気的に
接続することとなる。最後に蓋８をケース１の上面にね
じで固定する。
ーン２ａ及び集積回路７の下パターンがすべて電気的に
接続することとなる。最後に蓋８をケース１の上面にね
じで固定する。
【００１０】以上のような突起５を設けることにより、
接地グランドが強化され、蓋８をした時にできる導波管
（キャビディ）の形を小さくし、導波管のカットオフ周
波数を上げることができる。この結果、図２に本実施例
によるＳ２１特性を示すように、実線が蓋なし、破線が
蓋ありの場合であるが、両者とも特性に殆んど変化がな
いことがわかる。なお本実施例ては、突起５を金属ブロ
ック状のものと例示したが、これは半田の塊状のもので
あってもよい。
接地グランドが強化され、蓋８をした時にできる導波管
（キャビディ）の形を小さくし、導波管のカットオフ周
波数を上げることができる。この結果、図２に本実施例
によるＳ２１特性を示すように、実線が蓋なし、破線が
蓋ありの場合であるが、両者とも特性に殆んど変化がな
いことがわかる。なお本実施例ては、突起５を金属ブロ
ック状のものと例示したが、これは半田の塊状のもので
あってもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ケース内
に導体からなる塊状の突起を設けて接地部分を変えるこ
とにより、蓋の有る無しによる特性の変化を小さくでき
るという効果を有する。
に導体からなる塊状の突起を設けて接地部分を変えるこ
とにより、蓋の有る無しによる特性の変化を小さくでき
るという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を示す（ａ）は平面図、
（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図２】本発明の一実施例のＳ２１特性を示すグラフで
ある。
ある。
【図３】従来の実装構造の一例を示す（ａ）は平面図、
（ｂ）は断面図である。
（ｂ）は断面図である。
【図４】従来例によるＳ２１特性を示すグラフである。
１ ケース ２ 基板 ３ 貫通コンデンサ ４ チップコンデンサ ５ 突起 ６ ＲＦコネクタ ７ 集積回路 ８ 蓋
Claims (3)
- 【請求項１】 伝送線路や部品用の配線が作られている
基板上に高周波信号を入出力する集積回路を搭載し、こ
れらを包括して外部の電磁界との相関をなくするケース
に収納する高周波集積回路の実装方法において、前記ケ
ースと前記集積回路の前記基板の接地パターンとを接続
するごとき導体の塊状部材を設けて前記集積回路の入出
力の電磁界結合を減少させるようにしたことを特徴とす
る高周波集積回路の実装方法。 - 【請求項２】 伝送線路や部品用の配線が作られている
基板と、この基板上に搭載され高周波信号を入出力する
集積回路と、前記基板と前記集積回路を包括し外部の電
磁界との相関をなくするケースとからなる高周波集積回
路の実装構造において、導体からなって前記ケースの内
部に設けられ前記ケースと前記集積回路と前記基板の接
地パターンとに接続する塊状部材を備えることを特徴と
する高周波集積回路の実装構造。 - 【請求項３】 前記塊状部材が金属ブロックもしくは半
田塊であることを特徴とする請求項１および２記載の高
周波集積回路の実装方法および実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12695992A JPH06112345A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 高周波集積回路の実装方法および実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12695992A JPH06112345A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 高周波集積回路の実装方法および実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112345A true JPH06112345A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=14948136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12695992A Withdrawn JPH06112345A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 高周波集積回路の実装方法および実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112345A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6163072A (en) * | 1997-07-15 | 2000-12-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device package and semiconductor device module |
| JP2012064743A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Fujitsu Optical Components Ltd | 通信モジュール |
-
1992
- 1992-05-20 JP JP12695992A patent/JPH06112345A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6163072A (en) * | 1997-07-15 | 2000-12-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device package and semiconductor device module |
| JP2012064743A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Fujitsu Optical Components Ltd | 通信モジュール |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |