JPH06112167A - プラズマ装置 - Google Patents
プラズマ装置Info
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- JPH06112167A JPH06112167A JP4260287A JP26028792A JPH06112167A JP H06112167 A JPH06112167 A JP H06112167A JP 4260287 A JP4260287 A JP 4260287A JP 26028792 A JP26028792 A JP 26028792A JP H06112167 A JPH06112167 A JP H06112167A
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- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】各外部機器へのノイズの発生がなく、再現性よ
く処理を行うことのできるプラズマ処理装置を得るこ
と。 【構成】処理室１と高周波電源３との間に処理室１のイ
ンピーダンスより高いインピーダンスのコイル９０を介
挿する。高周波電源３から処理室１の電極板２に載置さ
れた半導体ウェハＷに印加される高周波電流Ｉ1が処理
室のシャーシ１ａを通ってリターン電流Ｉ2となると
き、同相電流がコイル９０によって抑制される。これに
よりセンサ７等の外部機器のアースを通してグランドＧ
へ流れる漏れ電流をなくすことができ、外部機器におけ
るノイズの発生をなくすことができる。また同相電流Ｉ
Gによる高周波電流Ｉ1の乱れをなくすことができ、再現
性のよい処理を行なうことができる。
く処理を行うことのできるプラズマ処理装置を得るこ
と。 【構成】処理室１と高周波電源３との間に処理室１のイ
ンピーダンスより高いインピーダンスのコイル９０を介
挿する。高周波電源３から処理室１の電極板２に載置さ
れた半導体ウェハＷに印加される高周波電流Ｉ1が処理
室のシャーシ１ａを通ってリターン電流Ｉ2となると
き、同相電流がコイル９０によって抑制される。これに
よりセンサ７等の外部機器のアースを通してグランドＧ
へ流れる漏れ電流をなくすことができ、外部機器におけ
るノイズの発生をなくすことができる。また同相電流Ｉ
Gによる高周波電流Ｉ1の乱れをなくすことができ、再現
性のよい処理を行なうことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はプラズマエッチング
（アッシング）、プラズマＣＶＤ、プラズマスパッタリ
ング等の高周波を利用して被処理体のプラズマ処理を行
なうためのプラズマ装置に関する。
（アッシング）、プラズマＣＶＤ、プラズマスパッタリ
ング等の高周波を利用して被処理体のプラズマ処理を行
なうためのプラズマ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程において、プラズマエッ
チング、プラズマＣＶＤ等のプラズマ処理が行なわれて
いる。例えばドライエッチングは微細なパターンを形成
するために欠くことのできない技術であり、真空中に導
入された反応ガスに高周波を印加することによりプラズ
マを生成し、プラズマ中のイオン、中性ラジカルなどを
用いて対象物を除去していく反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）が最も一般的方法である。
チング、プラズマＣＶＤ等のプラズマ処理が行なわれて
いる。例えばドライエッチングは微細なパターンを形成
するために欠くことのできない技術であり、真空中に導
入された反応ガスに高周波を印加することによりプラズ
マを生成し、プラズマ中のイオン、中性ラジカルなどを
用いて対象物を除去していく反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）が最も一般的方法である。
【０００３】このようなプラズマ装置は、図３に示すよ
うに、図示しない真空系に接続された処理室１００と、
処理室１００内に設置される電極板１０１と、処理室１
００にＨＢｒ、ＨＣｌ、ＳＦ6、ＣＣｌ4、Ｃｌ2、Ａｒ
等の反応ガスを導入するためのガス供給系１０２と、電
極板１０１に高周波を印加するための高周波電源１０３
とを備え、排気系１０４により所定の真空度に真空引き
された処理室に被処理体例えばウェハを搬入し、電極板
１０１に載置した後、処理室１００内に反応ガスを導入
するとともに高周波電源１０３により電極板に所定の高
周波例えば１３．５６ＭＨｚを印加してプラズマを発生
させる。ここで、電極板１０１と高周波電源１０３との
間には処理室１００と高周波電源１０３とのインピーダ
ンスマッチングを行うためのマッチング回路１０５が介
挿されている。
うに、図示しない真空系に接続された処理室１００と、
処理室１００内に設置される電極板１０１と、処理室１
００にＨＢｒ、ＨＣｌ、ＳＦ6、ＣＣｌ4、Ｃｌ2、Ａｒ
等の反応ガスを導入するためのガス供給系１０２と、電
極板１０１に高周波を印加するための高周波電源１０３
とを備え、排気系１０４により所定の真空度に真空引き
された処理室に被処理体例えばウェハを搬入し、電極板
１０１に載置した後、処理室１００内に反応ガスを導入
するとともに高周波電源１０３により電極板に所定の高
周波例えば１３．５６ＭＨｚを印加してプラズマを発生
させる。ここで、電極板１０１と高周波電源１０３との
間には処理室１００と高周波電源１０３とのインピーダ
ンスマッチングを行うためのマッチング回路１０５が介
挿されている。
【０００４】このようなプラズマ装置においては、処理
室１００側へ流れる電流Ｉ1は処理室１００のシャーシ
を経て、グランド側からリターン電流Ｉ2としてマッチ
ング回路１０５、高周波電源１０３へと戻る。この電流
Ｉ1とリターン電流Ｉ2は理論的には同じ大きさの差動電
流であるので、互に打消し合い外界に影響を何等与える
ことがない。
室１００側へ流れる電流Ｉ1は処理室１００のシャーシ
を経て、グランド側からリターン電流Ｉ2としてマッチ
ング回路１０５、高周波電源１０３へと戻る。この電流
Ｉ1とリターン電流Ｉ2は理論的には同じ大きさの差動電
流であるので、互に打消し合い外界に影響を何等与える
ことがない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、通常プ
ラズマ装置においては処理室内の温度、圧力等を監視す
るための各種センサ１０６が設置されており、これらの
センサ１０６には測定機器の各ユニット１０７が接続さ
れている。ＡＣ電源ライン１０８は、高周波電源１０
３、処理室１００のインピーダンス変動に応じて高周波
電源１０３とのインピーダンスマッチングを行うための
マッチング回路１０５、ユニット１０７にそれぞれ接続
されている。センサ１０６などのアースは各ユニット１
０７に配線されてグランドＧにアースされている。更に
高周波電源１０３、マッチング回路１０５のアースは電
源ライン１０８に入っているアースに接続されグランド
Ｇに接地され、それらの筐体はアース線で接続されてい
る。一方、上述のように処理室１００のアースは、安全
性及びコスト的要請から処理室１００のシャーシに落と
してグランドＧに接地されている。このように、グラン
ドＧには種々の機器からのアース線が接続されているた
め、グランドＧを介して各機器１０７が接続されたグラ
ンド回路が複雑に形成されている。このため、処理装置
１００から高周波電源１０３へ戻るリターン電流Ｉ2は
Ｉ2＝Ｉ1とならず、Ｉ1＝Ｉ2＋ＩGとなる（ＩGはグラン
ド回路に漏れる電流）。この電流ＩGは、外部機器１０
７に対してノイズ源となり、センサ等に悪影響を及ぼ
す。一方、電流ＩGは、グランド回路を経て処理室１０
０へ流れる同相電流となり、外界に不必要な電磁波を発
生するとともに、高周波電源１０３からの電流Ｉ1に影
響を及ぼす。従って、処理室１００において一定の高周
波出力が得られない、その結果エッチングレートが一定
しない、処理効率が下がる、処理の再現性が悪い等の結
果を招くおそれがある。
ラズマ装置においては処理室内の温度、圧力等を監視す
るための各種センサ１０６が設置されており、これらの
センサ１０６には測定機器の各ユニット１０７が接続さ
れている。ＡＣ電源ライン１０８は、高周波電源１０
３、処理室１００のインピーダンス変動に応じて高周波
電源１０３とのインピーダンスマッチングを行うための
マッチング回路１０５、ユニット１０７にそれぞれ接続
されている。センサ１０６などのアースは各ユニット１
０７に配線されてグランドＧにアースされている。更に
高周波電源１０３、マッチング回路１０５のアースは電
源ライン１０８に入っているアースに接続されグランド
Ｇに接地され、それらの筐体はアース線で接続されてい
る。一方、上述のように処理室１００のアースは、安全
性及びコスト的要請から処理室１００のシャーシに落と
してグランドＧに接地されている。このように、グラン
ドＧには種々の機器からのアース線が接続されているた
め、グランドＧを介して各機器１０７が接続されたグラ
ンド回路が複雑に形成されている。このため、処理装置
１００から高周波電源１０３へ戻るリターン電流Ｉ2は
Ｉ2＝Ｉ1とならず、Ｉ1＝Ｉ2＋ＩGとなる（ＩGはグラン
ド回路に漏れる電流）。この電流ＩGは、外部機器１０
７に対してノイズ源となり、センサ等に悪影響を及ぼ
す。一方、電流ＩGは、グランド回路を経て処理室１０
０へ流れる同相電流となり、外界に不必要な電磁波を発
生するとともに、高周波電源１０３からの電流Ｉ1に影
響を及ぼす。従って、処理室１００において一定の高周
波出力が得られない、その結果エッチングレートが一定
しない、処理効率が下がる、処理の再現性が悪い等の結
果を招くおそれがある。
【０００６】本発明はこのような従来の問題点を解決す
るためになされたもので、グランド回路に生じる同相電
流による外部機器へのノイズを除去するとともに、一定
のエッチングレートが得られ安定した処理を行うことが
できるプラズマ装置を提供することを目的とする。
るためになされたもので、グランド回路に生じる同相電
流による外部機器へのノイズを除去するとともに、一定
のエッチングレートが得られ安定した処理を行うことが
できるプラズマ装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
る本発明のプラズマ装置は、処理室内に高周波を印加し
てプラズマを発生させるプラズマ装置において、高周波
を印加するための高周波電源と処理室との配線の間に供
給電流とリターン電流の差電流を減衰するインピーダン
ス手段を備えたものである。
る本発明のプラズマ装置は、処理室内に高周波を印加し
てプラズマを発生させるプラズマ装置において、高周波
を印加するための高周波電源と処理室との配線の間に供
給電流とリターン電流の差電流を減衰するインピーダン
ス手段を備えたものである。
【０００８】
【作用】高周波電源と処理室との間に高インピーダンス
のインピーダンス手段を挿入することにより、処理装置
から高周波電源へ戻るリターン電流Ｉ2と同相の同相電
流ＩGが流れなくなる。従って、電流ＩGによる外部機器
におけるノイズの発生を防止できるとともに、高周波電
源から電流Ｉ1とリターン電流Ｉ2がＩ1＝Ｉ2となり、一
定の高周波出力を得ることができ、再現性よくプラズマ
処理を行うことができる。
のインピーダンス手段を挿入することにより、処理装置
から高周波電源へ戻るリターン電流Ｉ2と同相の同相電
流ＩGが流れなくなる。従って、電流ＩGによる外部機器
におけるノイズの発生を防止できるとともに、高周波電
源から電流Ｉ1とリターン電流Ｉ2がＩ1＝Ｉ2となり、一
定の高周波出力を得ることができ、再現性よくプラズマ
処理を行うことができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明のプラズマ装置による好ましい
実施例について図面を参照して説明する。図１は本発明
のプラズマ装置が適用される反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）装置１０を示す図で、主として反応ガスの中
性ラジカル及び反応ガスイオンの相乗効果により被処理
体例えば半導体ウェハＷに形成された酸化シリコン膜、
ポリシリコン膜、Ａｌ等のメタル膜等をエッチング処理
するための処理室即ち反応室１と、反応室１内に設置さ
れ半導体ウェハＷを載置するための電極板２と、電極板
２に高周波を印加するための高周波電源３とを備える。
実施例について図面を参照して説明する。図１は本発明
のプラズマ装置が適用される反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）装置１０を示す図で、主として反応ガスの中
性ラジカル及び反応ガスイオンの相乗効果により被処理
体例えば半導体ウェハＷに形成された酸化シリコン膜、
ポリシリコン膜、Ａｌ等のメタル膜等をエッチング処理
するための処理室即ち反応室１と、反応室１内に設置さ
れ半導体ウェハＷを載置するための電極板２と、電極板
２に高周波を印加するための高周波電源３とを備える。
【００１０】反応室１は、例えばステンレス鋼等により
円筒状に形成された密閉容器（シャーシ）１ａから成
り、装置本体４に固定されたシャーシ１ａが装置本体４
に連結されたグランドＧに接続されアースがとられてい
る。反応室１の一方の端部には高周波によりプラズマ化
する反応ガス例えばＨＢｒ、Ｈｃｌ、ＳＦ6、ＣＣｌ4、
Ｃｌ2、Ａｒガス等を導入するためのガス導入口５が形
成され、ガス導入口５は図示しないガス供給系に接続さ
れている。また、反応室１は被処理体である半導体ウェ
ハＷを電極板２上に搬入、搬出するための開口（図示せ
ず）を有しており、この開口はロードロック室等とゲー
トバルブを介して連結され、ウェハ搬送系に接続され
る。
円筒状に形成された密閉容器（シャーシ）１ａから成
り、装置本体４に固定されたシャーシ１ａが装置本体４
に連結されたグランドＧに接続されアースがとられてい
る。反応室１の一方の端部には高周波によりプラズマ化
する反応ガス例えばＨＢｒ、Ｈｃｌ、ＳＦ6、ＣＣｌ4、
Ｃｌ2、Ａｒガス等を導入するためのガス導入口５が形
成され、ガス導入口５は図示しないガス供給系に接続さ
れている。また、反応室１は被処理体である半導体ウェ
ハＷを電極板２上に搬入、搬出するための開口（図示せ
ず）を有しており、この開口はロードロック室等とゲー
トバルブを介して連結され、ウェハ搬送系に接続され
る。
【００１１】更に、反応室１には図示しない排気系に接
続された排気管６が連結されており、反応室１内を所定
の真空度、例えばプラズマ処理前であれば１×１０-6〜
１×１０-7Torr、プラズマ処理時に１×１０-4〜１×１
０-3Torrに維持するするように構成される。また、反応
室１のシャーシ１ａには反応室内の圧力や温度を監視す
る圧力計、温度計等のセンサ７（図では１つのみを示
す）が取り付けられている。これらセンサ７は測定機器
７１に連結され、その電源ライン１１のアース線を介し
てグランドＧに接地されている。
続された排気管６が連結されており、反応室１内を所定
の真空度、例えばプラズマ処理前であれば１×１０-6〜
１×１０-7Torr、プラズマ処理時に１×１０-4〜１×１
０-3Torrに維持するするように構成される。また、反応
室１のシャーシ１ａには反応室内の圧力や温度を監視す
る圧力計、温度計等のセンサ７（図では１つのみを示
す）が取り付けられている。これらセンサ７は測定機器
７１に連結され、その電源ライン１１のアース線を介し
てグランドＧに接地されている。
【００１２】高周波電源３は電極板２に数ＭＨｚ〜数１
０ＭＨｚの高周波を印加するもので、高周波としては通
常１３．５６ＭＨｚのものが利用されるが、２７．１２
ＭＨｚ、４０．６８ＭＨｚ等上記範囲の比較的広い範囲
のものが利用可能である。高周波電源３には反応室１と
のインピーダンスマッチングをとるためのマッチング回
路８を備えられている。マッチング回路９はコイル８１
及び直並列接続された２つの可変コンデンサ８２、８３
から成り、コイル８１と一方の可変コンデンサ８２との
直列回路が高周波が印加される電極板２に接続され、他
方の可変コンデンサ８３がシャーシ１ａからの戻りライ
ン側との間に接続されている。一般に、反応室１は電気
的にも動的な系で反応の進行に伴い常時インピーダンス
ＺR(例えば、ＺR=20-j50 Ω)が微細に変化しているが、
マッチング回路８はこのインピーダンスの変化を測定
し、これをフィィードバックし、インピーダンス変化に
対応して可変コンデンサ８２、８３を自動調整すること
により高周波電源３と反応室１とのインピーダンスマッ
チングをとっている。
０ＭＨｚの高周波を印加するもので、高周波としては通
常１３．５６ＭＨｚのものが利用されるが、２７．１２
ＭＨｚ、４０．６８ＭＨｚ等上記範囲の比較的広い範囲
のものが利用可能である。高周波電源３には反応室１と
のインピーダンスマッチングをとるためのマッチング回
路８を備えられている。マッチング回路９はコイル８１
及び直並列接続された２つの可変コンデンサ８２、８３
から成り、コイル８１と一方の可変コンデンサ８２との
直列回路が高周波が印加される電極板２に接続され、他
方の可変コンデンサ８３がシャーシ１ａからの戻りライ
ン側との間に接続されている。一般に、反応室１は電気
的にも動的な系で反応の進行に伴い常時インピーダンス
ＺR(例えば、ＺR=20-j50 Ω)が微細に変化しているが、
マッチング回路８はこのインピーダンスの変化を測定
し、これをフィィードバックし、インピーダンス変化に
対応して可変コンデンサ８２、８３を自動調整すること
により高周波電源３と反応室１とのインピーダンスマッ
チングをとっている。
【００１３】このマッチング回路８と電極板２との間に
はインピーダンス手段９が介挿される。インピーダンス
手段９は図１に摸式的に示すように１対のコイル９０か
ら成り、差動電流には何の影響も与えずにこれを通過さ
せ、一方同相電流に対しては高周波チョークの性質を示
してこれの電流経路を切り、センサ等のアースからグラ
ンドＧへと漏れる漏れ電流ＩGの発生を防止する。この
ような目的のためコイル９０のインピーダンスＺは、反
応室１のインピーダンスＺRの数倍程度、好適には５倍
以上あればよく、Ｚ＝２πｆＬ（ｆは周波数、Ｌはコイ
ルのインダクタンス）であるから、Ｚが反応室１のイン
ピーダンスＺRの数倍となるようにコイルのインダクタ
ンスを選べばよい。
はインピーダンス手段９が介挿される。インピーダンス
手段９は図１に摸式的に示すように１対のコイル９０か
ら成り、差動電流には何の影響も与えずにこれを通過さ
せ、一方同相電流に対しては高周波チョークの性質を示
してこれの電流経路を切り、センサ等のアースからグラ
ンドＧへと漏れる漏れ電流ＩGの発生を防止する。この
ような目的のためコイル９０のインピーダンスＺは、反
応室１のインピーダンスＺRの数倍程度、好適には５倍
以上あればよく、Ｚ＝２πｆＬ（ｆは周波数、Ｌはコイ
ルのインダクタンス）であるから、Ｚが反応室１のイン
ピーダンスＺRの数倍となるようにコイルのインダクタ
ンスを選べばよい。
【００１４】このようなコイルの構成としてはフェライ
ト、Ｆｅ系非晶質合金等の透磁率が１００以上、好適に
は２５０以上の高透磁率材料から成るコアに高周波電流
Ｉ1のラインとリターン電流Ｉ2のラインの２本の導線を
所定ターン巻きつけてコイルを構成することができる
が、通常これら高周波電流ラインは同軸ケーブル構成と
なっているので、製造上は図２に示すように同軸ケーブ
ルの外周に高透磁率材料から成るコアを同軸上に設けた
ものが好適である。即ち、図２に示す実施例では、高周
波電流ラインはＡｌ等から成る所定直径例えば５０〜６
０ｍｍ程度のパイプ状の導体９１内を高周波電源３と電
極板２とを接続する導線９２が通る同軸ケーブル型にな
っており、前述のように高透磁率材料から成るコア９３
がそのパイプ状導体９１の外側に同軸状に１又は複数配
置される。コア９３一個でコイルの１ターンと等価であ
るから、所定のインダクタンスを得るために必要な数の
コア９３を積み重ねればよい。
ト、Ｆｅ系非晶質合金等の透磁率が１００以上、好適に
は２５０以上の高透磁率材料から成るコアに高周波電流
Ｉ1のラインとリターン電流Ｉ2のラインの２本の導線を
所定ターン巻きつけてコイルを構成することができる
が、通常これら高周波電流ラインは同軸ケーブル構成と
なっているので、製造上は図２に示すように同軸ケーブ
ルの外周に高透磁率材料から成るコアを同軸上に設けた
ものが好適である。即ち、図２に示す実施例では、高周
波電流ラインはＡｌ等から成る所定直径例えば５０〜６
０ｍｍ程度のパイプ状の導体９１内を高周波電源３と電
極板２とを接続する導線９２が通る同軸ケーブル型にな
っており、前述のように高透磁率材料から成るコア９３
がそのパイプ状導体９１の外側に同軸状に１又は複数配
置される。コア９３一個でコイルの１ターンと等価であ
るから、所定のインダクタンスを得るために必要な数の
コア９３を積み重ねればよい。
【００１５】次に以上のような構成におけるプラズマエ
ッチング装置の動作を説明する。まず、反応室１の開口
を開けてウェハＷを搬送し、電極板２に載置した後、開
口を閉じ排気管６を介して反応室１内を所定の真空度に
真空引きした後、ガス導入口５から反応ガスとしてCl2
ガスを所定の流量で導入して所定の圧力、例えば反応室
１が５×１０-3Torrとなるように維持する。次いで電極
板２に所定周波数例えば１３．５０ＭＨｚ、所定電力値
例えば数百〜２ｋＷの高周波電力を印加しながら、反応
室１内にプラズマを発生させる。このプラズマにより反
応ガスが解離して中性ラジカル、イオン等の多種類の活
性種を発生し、例えば以下のような反応によってウェハ
をエッチング処理する。
ッチング装置の動作を説明する。まず、反応室１の開口
を開けてウェハＷを搬送し、電極板２に載置した後、開
口を閉じ排気管６を介して反応室１内を所定の真空度に
真空引きした後、ガス導入口５から反応ガスとしてCl2
ガスを所定の流量で導入して所定の圧力、例えば反応室
１が５×１０-3Torrとなるように維持する。次いで電極
板２に所定周波数例えば１３．５０ＭＨｚ、所定電力値
例えば数百〜２ｋＷの高周波電力を印加しながら、反応
室１内にプラズマを発生させる。このプラズマにより反
応ガスが解離して中性ラジカル、イオン等の多種類の活
性種を発生し、例えば以下のような反応によってウェハ
をエッチング処理する。
【００１６】 Ｓｉ＋４Ｃｌ-→ＳｉＣｌ4 ＳｉＯ2＋４Ｃｌ-→ＳｉＣｌ4＋Ｏ2 反応室１における反応は、各センサ７により圧力、温度
等反応系の監視が行われ進行する。反応の進行に伴い、
反応室１のインピーダンスが変化するがこの変化もセン
サによって検出され、マッチング回路８の可変コンデン
サ８２、８３を自動的に変化させて高周波電源とのイン
ピーダンスのマッチングを図る。
等反応系の監視が行われ進行する。反応の進行に伴い、
反応室１のインピーダンスが変化するがこの変化もセン
サによって検出され、マッチング回路８の可変コンデン
サ８２、８３を自動的に変化させて高周波電源とのイン
ピーダンスのマッチングを図る。
【００１７】この際、例えば高周波電力が２ｋＷ、電圧
が５００Ｖであるとすると電極板２には４Ａ程度の高周
波電流Ｉ1が印加され、シャーシ１ａを通る電流Ｉ2とし
て高周波電源側へ戻る。ここで反応室１のインピーダン
スに比べインピーダンス手段９のインピーダンスが充分
高く設定されているので、同相電流が断ち切られ、或い
は低減され、Ｉ1＝Ｉ2となる。従って、同相電流による
外界への電磁波の発生等の影響がなくなり、又安定した
高周波電流Ｉ1が供給される。一方、同相電流がなくな
ることにより各センサのアースを介してグランドＧへと
向う漏れ電流Ｉ Gの発生が抑えられ、その結果各センサ
へノイズが発生することもない。
が５００Ｖであるとすると電極板２には４Ａ程度の高周
波電流Ｉ1が印加され、シャーシ１ａを通る電流Ｉ2とし
て高周波電源側へ戻る。ここで反応室１のインピーダン
スに比べインピーダンス手段９のインピーダンスが充分
高く設定されているので、同相電流が断ち切られ、或い
は低減され、Ｉ1＝Ｉ2となる。従って、同相電流による
外界への電磁波の発生等の影響がなくなり、又安定した
高周波電流Ｉ1が供給される。一方、同相電流がなくな
ることにより各センサのアースを介してグランドＧへと
向う漏れ電流Ｉ Gの発生が抑えられ、その結果各センサ
へノイズが発生することもない。
【００１８】なお、以上の実施例ではＲＩＥ装置に適用
した例について説明したが、本発明のプラズマ装置はプ
ラズマエッチング装置のみならず、プラズマＣＶＤ、プ
ラズマスパッタエッチング、レジスト除去のためのプラ
ズマアッシャ等にも適用できる。
した例について説明したが、本発明のプラズマ装置はプ
ラズマエッチング装置のみならず、プラズマＣＶＤ、プ
ラズマスパッタエッチング、レジスト除去のためのプラ
ズマアッシャ等にも適用できる。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように本発明
のプラズマ装置によれば、処理室内に高周波を印加して
プラズマを発生させるプラズマ装置において、高周波電
源と処理室との配線の間に供給電流とリターン電流の差
電流を減衰するインピーダンス手段を設けることによ
り、高周波ラインにおいて同相電流の発生を抑制するこ
とができる。従って、同相電流による外界への悪影響、
外部機器へのノイズの発生等を防止するとともに、高周
波電源から常に一定の高周波出力を得ることができ、安
定したエッチングレートで再現性よくプラズマ処理を行
うことができる。
のプラズマ装置によれば、処理室内に高周波を印加して
プラズマを発生させるプラズマ装置において、高周波電
源と処理室との配線の間に供給電流とリターン電流の差
電流を減衰するインピーダンス手段を設けることによ
り、高周波ラインにおいて同相電流の発生を抑制するこ
とができる。従って、同相電流による外界への悪影響、
外部機器へのノイズの発生等を防止するとともに、高周
波電源から常に一定の高周波出力を得ることができ、安
定したエッチングレートで再現性よくプラズマ処理を行
うことができる。
【図１】本発明のプラズマ装置を適用したエッチング装
置の一実施例を示す図。
置の一実施例を示す図。
【図２】図１のプラズマ装置の要部を示す斜視図。
【図３】従来のプラズマ装置を示す図。
１・・・・・・反応室 ３・・・・・・高周波電源 ８・・・・・・インピーダンス手段 Ｗ・・・・・・ウェハ（被処理体）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｈ 1/46 9014−2Ｇ
Claims (1)
- 【請求項１】処理室内に高周波を印加してプラズマを発
生させるプラズマ装置において、高周波を印加するため
の高周波電源と前記処理室との配線の間に供給電流とリ
ターン電流の差電流を減衰するインピーダンス手段を備
えたことを特徴とするプラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4260287A JPH06112167A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4260287A JPH06112167A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | プラズマ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112167A true JPH06112167A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17345953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4260287A Withdrawn JPH06112167A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112167A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100476460B1 (ko) * | 2001-11-05 | 2005-03-17 | 주성엔지니어링(주) | 플라즈마 공정챔버 모니터링 방법 및 그 시스템 |
| KR100525961B1 (ko) * | 1996-11-04 | 2005-12-21 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마시스에서발생하는고주파를필터링하는플라즈마처리장치및방법 |
| KR100589051B1 (ko) * | 2000-07-25 | 2006-06-13 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마를 사용하는 반도체 제조 장치 |
| KR100636052B1 (ko) * | 2000-08-28 | 2006-10-18 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 챔버의 부하 측정 장치 |
| US8251011B2 (en) * | 2002-07-12 | 2012-08-28 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
-
1992
- 1992-09-29 JP JP4260287A patent/JPH06112167A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100525961B1 (ko) * | 1996-11-04 | 2005-12-21 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마시스에서발생하는고주파를필터링하는플라즈마처리장치및방법 |
| KR100589051B1 (ko) * | 2000-07-25 | 2006-06-13 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마를 사용하는 반도체 제조 장치 |
| KR100636052B1 (ko) * | 2000-08-28 | 2006-10-18 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 챔버의 부하 측정 장치 |
| KR100476460B1 (ko) * | 2001-11-05 | 2005-03-17 | 주성엔지니어링(주) | 플라즈마 공정챔버 모니터링 방법 및 그 시스템 |
| US8251011B2 (en) * | 2002-07-12 | 2012-08-28 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |