JPH06110035A - 液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents
液晶表示装置の駆動方法Info
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- JPH06110035A JPH06110035A JP25840392A JP25840392A JPH06110035A JP H06110035 A JPH06110035 A JP H06110035A JP 25840392 A JP25840392 A JP 25840392A JP 25840392 A JP25840392 A JP 25840392A JP H06110035 A JPH06110035 A JP H06110035A
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- Japan
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- waveform
- transistor
- display device
- scanning signal
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3674—Details of drivers for scan electrodes
- G09G3/3677—Details of drivers for scan electrodes suitable for active matrices only
-
- G—PHYSICS
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-
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- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0404—Matrix technologies
- G09G2300/0417—Special arrangements specific to the use of low carrier mobility technology
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Theoretical Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アクティブマトリックス液晶表示装置におい
て、フリッカーは表示品質を落とす原因となる。又高密
度化においてゲートラインの容量増加に供なうフリッカ
ーの画面内のむらは技術的課題として挙げられる。この
様なフリッカーのレベルを下げ、高解像でキメ細かい画
像を実現することを目的とする。 【構成】 走査線波形の立ち下がり波形をランプ状波形
又は指数関数波形又は階段状波形とする。 【効果】 この様にして高周波成分を小さくすること
で、トランジスタと走査線間の寄生容量とトランジスタ
を可変抵抗と見なした抵抗で構成されるハイパスフィル
ター出力の画素電位波形における電位降下を小さくする
ことが可能となる。これによりフリッカーを低く押える
ことが可能となり、高品位の画像が実現できる。
て、フリッカーは表示品質を落とす原因となる。又高密
度化においてゲートラインの容量増加に供なうフリッカ
ーの画面内のむらは技術的課題として挙げられる。この
様なフリッカーのレベルを下げ、高解像でキメ細かい画
像を実現することを目的とする。 【構成】 走査線波形の立ち下がり波形をランプ状波形
又は指数関数波形又は階段状波形とする。 【効果】 この様にして高周波成分を小さくすること
で、トランジスタと走査線間の寄生容量とトランジスタ
を可変抵抗と見なした抵抗で構成されるハイパスフィル
ター出力の画素電位波形における電位降下を小さくする
ことが可能となる。これによりフリッカーを低く押える
ことが可能となり、高品位の画像が実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】液晶表示装置に関するものであ
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のアクティブマトリックス液晶表示
体における走査線の信号は図６に示す矩形波をしてい
た。走査線に順次パルス幅分遅延させた走査信号を入力
することで走査線にある各画素のトランジスタのゲート
をオンさせ、各画素へ信号線より映像信号を書き込む動
作をしていた。ＮＴＳＣ方式のＴＶ信号の場合では水平
走査期間分の６３．５μｓｅｃのパルス幅で走査信号を
各ゲートラインに与え、その期間ずっと走査線に通ずる
トランジスタのゲートはオンした状態である。
体における走査線の信号は図６に示す矩形波をしてい
た。走査線に順次パルス幅分遅延させた走査信号を入力
することで走査線にある各画素のトランジスタのゲート
をオンさせ、各画素へ信号線より映像信号を書き込む動
作をしていた。ＮＴＳＣ方式のＴＶ信号の場合では水平
走査期間分の６３．５μｓｅｃのパルス幅で走査信号を
各ゲートラインに与え、その期間ずっと走査線に通ずる
トランジスタのゲートはオンした状態である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の走査線信号では
立ち下がり波形も矩形波の状態であるから、高周波成分
が高い信号である。一方図４に示す画素等価回路におい
てトランジスタ３のドレインとゲートで構成される寄生
容量６とトランジスタ３を可変抵抗と見なした場合の抵
抗で構成されるハイパスフィルター回路の出口が画素電
位である。つまり走査線の信号は高周波成分を持っため
減衰することなく、寄生容量６を介して画素電位に通じ
る。このため大きな電位降下ΔＶ（図５のΔＶ）が生
じ、フリッカーの原因となっている。又アクティブマト
リックス基板を用いて高密度化が可能ではあるが、この
画素電位の電位降下のため特に高密度の仕様ではゲート
ラインの容量が大きいため面内においてフリッカーのレ
ベルが異なる現象が生じる。
立ち下がり波形も矩形波の状態であるから、高周波成分
が高い信号である。一方図４に示す画素等価回路におい
てトランジスタ３のドレインとゲートで構成される寄生
容量６とトランジスタ３を可変抵抗と見なした場合の抵
抗で構成されるハイパスフィルター回路の出口が画素電
位である。つまり走査線の信号は高周波成分を持っため
減衰することなく、寄生容量６を介して画素電位に通じ
る。このため大きな電位降下ΔＶ（図５のΔＶ）が生
じ、フリッカーの原因となっている。又アクティブマト
リックス基板を用いて高密度化が可能ではあるが、この
画素電位の電位降下のため特に高密度の仕様ではゲート
ラインの容量が大きいため面内においてフリッカーのレ
ベルが異なる現象が生じる。
【０００４】これは共通電極電位を画面内のある位置に
おいてフリッカーの最小となる位置に合わせても、別の
位置ではフリッカーが生じるという現象が生じ、適正な
共通電極電位が存在しない状態になる。高密度化技術の
大きな課題点となっていた。
おいてフリッカーの最小となる位置に合わせても、別の
位置ではフリッカーが生じるという現象が生じ、適正な
共通電極電位が存在しない状態になる。高密度化技術の
大きな課題点となっていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】マトリックス状にデータ
線と走査線が配置され、その交点部近くに少なくとも１
つ以上のスイッチングトランジスタを有し、該トランジ
スタのゲートが走査線に接続し又該トランジスタのソー
スがデータ線に接続され、さらに該トランジスタのドレ
インが透面画素電極に接続されたアクティブマトリック
ス基板を有する液晶表示装置において、その走査信号の
駆動方法での走査信号の立ち下がり波形がランプ波形又
は指数関数波形又は階段状波形であることを特徴とす
る。
線と走査線が配置され、その交点部近くに少なくとも１
つ以上のスイッチングトランジスタを有し、該トランジ
スタのゲートが走査線に接続し又該トランジスタのソー
スがデータ線に接続され、さらに該トランジスタのドレ
インが透面画素電極に接続されたアクティブマトリック
ス基板を有する液晶表示装置において、その走査信号の
駆動方法での走査信号の立ち下がり波形がランプ波形又
は指数関数波形又は階段状波形であることを特徴とす
る。
【０００６】
【作用】液晶表示体の中でアクティブマトリックス基板
を有する液晶表示体は画素数を増やして、同一画面サイ
ズに高密度に画素を配置させることができる。これによ
ってキメ細かな高解像度の鮮明な画面を実現できる。こ
うした高密度化技術の課題としてゲートラインに帰生す
る容量が増加し、画面内特に画面の左右で適正な共通電
極電位が異なる現象が生じる。これは面内で直流成分の
バラツキが生じることでフリッカーの分布が発生するこ
とを意味する。こうした画像はチラツキが多く大変見づ
らいものである。
を有する液晶表示体は画素数を増やして、同一画面サイ
ズに高密度に画素を配置させることができる。これによ
ってキメ細かな高解像度の鮮明な画面を実現できる。こ
うした高密度化技術の課題としてゲートラインに帰生す
る容量が増加し、画面内特に画面の左右で適正な共通電
極電位が異なる現象が生じる。これは面内で直流成分の
バラツキが生じることでフリッカーの分布が発生するこ
とを意味する。こうした画像はチラツキが多く大変見づ
らいものである。
【０００７】このフリッカーの原因として考えられるも
のに画素の保持状態におけるゲートラインによる電位降
下が画面の左右で異なる事が挙げられる。図４はアクテ
ィブマトリックス基板の１画素の等価図であるがトラン
ジスタのドレイン部とゲートライン間の寄生容量６によ
って、図５に示す画素電位波形中の電位降下ΔＶが生じ
ている。
のに画素の保持状態におけるゲートラインによる電位降
下が画面の左右で異なる事が挙げられる。図４はアクテ
ィブマトリックス基板の１画素の等価図であるがトラン
ジスタのドレイン部とゲートライン間の寄生容量６によ
って、図５に示す画素電位波形中の電位降下ΔＶが生じ
ている。
【０００８】前述のフリッカーの面内分布を防止するた
めにはこの電位降下ΔＶの効果を小さくすることが考え
られる。電位降下ΔＶはゲートラインの電圧、つまり走
査信号と電圧と図４における画素容量と寄生容量の比に
よって決まる値である。画素容量と寄生容量はアクティ
ブマトリックス基板の仕様と構造で決ってくるので大き
な効果は期待できない。とすると走査信号の電圧によっ
て電位降下ΔＶの値を小さくするわけであるが、走査信
号の電圧のハイレベルの電圧を低く押えることは画素へ
の書き込み能力を下げることになるので当然制約が生じ
る。ここで図４におけるトランジスタ３を一種の可変抵
抗と考えると画素電位は入力がゲートライン１の走査信
号で寄生容量６とトランジスタ（可変抵抗）３を介した
ハイパスフィルターの出口と考えられる。つまり走査信
号の高周波成分は電圧降下なく通す回路となっている。
めにはこの電位降下ΔＶの効果を小さくすることが考え
られる。電位降下ΔＶはゲートラインの電圧、つまり走
査信号と電圧と図４における画素容量と寄生容量の比に
よって決まる値である。画素容量と寄生容量はアクティ
ブマトリックス基板の仕様と構造で決ってくるので大き
な効果は期待できない。とすると走査信号の電圧によっ
て電位降下ΔＶの値を小さくするわけであるが、走査信
号の電圧のハイレベルの電圧を低く押えることは画素へ
の書き込み能力を下げることになるので当然制約が生じ
る。ここで図４におけるトランジスタ３を一種の可変抵
抗と考えると画素電位は入力がゲートライン１の走査信
号で寄生容量６とトランジスタ（可変抵抗）３を介した
ハイパスフィルターの出口と考えられる。つまり走査信
号の高周波成分は電圧降下なく通す回路となっている。
【０００９】寄生容量６による電位降下ΔＶを小さくす
るには走査信号の立ち下がり波形の高周波成分を無くす
る方法が考えられる。具体的には立ち下がり波形をラン
プ状又は指数関数波形にして緩やかな立ち下がりにする
ことである。又他には立ち下がり波形を階段状波形にす
ることでも同様の効果が期待できる。これらの形状の波
形にすることによって、走査信号による電位降下ΔＶは
ハイパスフィルター回路の効果によって通常に比べ小さ
く押えることができる。ひいてはフリッカーのレベルを
押えることで面内の分布もめだたない程度に小さくする
ことが可能となる。
るには走査信号の立ち下がり波形の高周波成分を無くす
る方法が考えられる。具体的には立ち下がり波形をラン
プ状又は指数関数波形にして緩やかな立ち下がりにする
ことである。又他には立ち下がり波形を階段状波形にす
ることでも同様の効果が期待できる。これらの形状の波
形にすることによって、走査信号による電位降下ΔＶは
ハイパスフィルター回路の効果によって通常に比べ小さ
く押えることができる。ひいてはフリッカーのレベルを
押えることで面内の分布もめだたない程度に小さくする
ことが可能となる。
【００１０】
【実施例】本発明における走査信号電位波形を図１、図
２、図３に示す。図２は指数関数立ち下がり波形で、図
７に示す用に走査線入力部に抵抗８と容量７を付加する
ことで実現できる。液晶表示装置が外付けドライバー集
積回路を用いる場合は、ドライバーＩＣの最終段に前述
の抵抗と容量を入れて実現できるし、又アクティブマト
リックス基板上で走査線入力部に抵抗と容量を入れても
可能である。これらの抵抗と容量の値を最適化して水平
帰線区間以内の時定数で立ち下げる様にする。但し立ち
上がりも同じ時定数で立ち上がるので、画素容量とデー
タ線への書き込みは充分速くできる能力は前提として必
要になる。立ち上がりの時定数の影響がない範囲内で走
査線の立ち下がり波形を指数関数波形にすることで、走
査線波形の高周波成分を無くし画素電位波形の電位降下
を緩和することが可能となる。
２、図３に示す。図２は指数関数立ち下がり波形で、図
７に示す用に走査線入力部に抵抗８と容量７を付加する
ことで実現できる。液晶表示装置が外付けドライバー集
積回路を用いる場合は、ドライバーＩＣの最終段に前述
の抵抗と容量を入れて実現できるし、又アクティブマト
リックス基板上で走査線入力部に抵抗と容量を入れても
可能である。これらの抵抗と容量の値を最適化して水平
帰線区間以内の時定数で立ち下げる様にする。但し立ち
上がりも同じ時定数で立ち上がるので、画素容量とデー
タ線への書き込みは充分速くできる能力は前提として必
要になる。立ち上がりの時定数の影響がない範囲内で走
査線の立ち下がり波形を指数関数波形にすることで、走
査線波形の高周波成分を無くし画素電位波形の電位降下
を緩和することが可能となる。
【００１１】さらに指数関数波形を実現する他の方法と
して図８に示す様にバッファーとしてのインバーターを
入れてそのトランジスタサイズを最適化する方法があ
る。ドライバー回路が内蔵されたアクティブマトリック
ス基板では最終段バッファー回路のインバーターのサイ
ズ及び電流特性を最適化することで同様の効果が得られ
る。
して図８に示す様にバッファーとしてのインバーターを
入れてそのトランジスタサイズを最適化する方法があ
る。ドライバー回路が内蔵されたアクティブマトリック
ス基板では最終段バッファー回路のインバーターのサイ
ズ及び電流特性を最適化することで同様の効果が得られ
る。
【００１２】又前述の抵抗の材料としてはポリシリコン
ＴＦＴでは、ゲート電極材料のドープされたポリシリコ
ンが考えられ、アモルファスシリコンＴＦＴではＮ+ ア
モルファスシリコン等を利用することが考えられる。
ＴＦＴでは、ゲート電極材料のドープされたポリシリコ
ンが考えられ、アモルファスシリコンＴＦＴではＮ+ ア
モルファスシリコン等を利用することが考えられる。
【００１３】図１に示すのが本発明の走査信号の立ち下
がり波形の中のランプ波形で、図９に示すオペアンプを
利用した回路を走査線の入力前に入れることで実現が可
能となる。ランプ波にすることによって図４のハイパス
フイルターにおける可変抵抗とみなしたトランジスタ３
を通って逃げる電荷の量が、矩形波に比べ多くなり、振
幅が小さくなる。つまり画素の電位降下の量は小さくな
り、フリッカーも押えられることになる。
がり波形の中のランプ波形で、図９に示すオペアンプを
利用した回路を走査線の入力前に入れることで実現が可
能となる。ランプ波にすることによって図４のハイパス
フイルターにおける可変抵抗とみなしたトランジスタ３
を通って逃げる電荷の量が、矩形波に比べ多くなり、振
幅が小さくなる。つまり画素の電位降下の量は小さくな
り、フリッカーも押えられることになる。
【００１４】又ランプ波立ち下がりの時間は水平帰線区
間内である必要があり、ＮＴＳＣ方式のビデオ信号であ
れば１０．９μ秒以内ということになる。
間内である必要があり、ＮＴＳＣ方式のビデオ信号であ
れば１０．９μ秒以内ということになる。
【００１５】さらに図３に示すのが本発明の走査信号の
立ち下がり波形の中の階段状波形である。図１０に示す
ブロック図がこの実施例の回路であり、前述の立ち下が
りランプ波形発生回路の後にアナログスイッチ１２を設
け、そのゲートパルスとして階段波発生タイミングパル
スを入力する。図１１にそれらの波形を示す。１３がゲ
ート立ち下がりランプ波電圧波形で、１４が階段波発生
用タイミングパルスの電圧波形である。この時のアナロ
グスイッチ１２の出力である走査信号波形を図１２に示
す。１５が本発明の階段波形で、タイミングパルス１４
のデューティー比を最適化することで図３に示す波形に
近付けることが可能となる。他の方法としては図１３の
ブロック回路図に示すサンプルホールド回路を利用し階
段波を作成する方法がある。サンプリングスイッチＳを
閉じるとランプ波形回路からの出力ランプ波形の振幅値
に等しい電圧でコンデンサＣに充電し、次にサンプリン
グスイッチＳを開くとコンデンサの充電電圧が保持され
出力される。サンプリングスイッチＳのサンプリング時
間のタイミングを最適化し所定の階段波を発生させるこ
とが可能となる。
立ち下がり波形の中の階段状波形である。図１０に示す
ブロック図がこの実施例の回路であり、前述の立ち下が
りランプ波形発生回路の後にアナログスイッチ１２を設
け、そのゲートパルスとして階段波発生タイミングパル
スを入力する。図１１にそれらの波形を示す。１３がゲ
ート立ち下がりランプ波電圧波形で、１４が階段波発生
用タイミングパルスの電圧波形である。この時のアナロ
グスイッチ１２の出力である走査信号波形を図１２に示
す。１５が本発明の階段波形で、タイミングパルス１４
のデューティー比を最適化することで図３に示す波形に
近付けることが可能となる。他の方法としては図１３の
ブロック回路図に示すサンプルホールド回路を利用し階
段波を作成する方法がある。サンプリングスイッチＳを
閉じるとランプ波形回路からの出力ランプ波形の振幅値
に等しい電圧でコンデンサＣに充電し、次にサンプリン
グスイッチＳを開くとコンデンサの充電電圧が保持され
出力される。サンプリングスイッチＳのサンプリング時
間のタイミングを最適化し所定の階段波を発生させるこ
とが可能となる。
【００１６】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置の駆動方法におい
て走査信号を図１に示すランプ波、又は図２に示す指数
関数波、又は図３に示す階段波の立ち下がり波形にする
ことによって、走査信号の高周波成分を小さくすること
ができる。図４に示すハイパスフィルター出口が画素電
位であることから、走査線波形による画素電位降下を小
さくすることができ、フリッカーを低く押えることが可
能となる。さらにアクティブ液晶表示装置においては画
素の高密度化におけるフリッカー画面内ムラを回避する
ことが可能となり、キメ細かな高解像度の画像を実現す
ることが可能となる。
て走査信号を図１に示すランプ波、又は図２に示す指数
関数波、又は図３に示す階段波の立ち下がり波形にする
ことによって、走査信号の高周波成分を小さくすること
ができる。図４に示すハイパスフィルター出口が画素電
位であることから、走査線波形による画素電位降下を小
さくすることができ、フリッカーを低く押えることが可
能となる。さらにアクティブ液晶表示装置においては画
素の高密度化におけるフリッカー画面内ムラを回避する
ことが可能となり、キメ細かな高解像度の画像を実現す
ることが可能となる。
【図１】 本発明の走査信号ランプ波立ち下がり波形
図。
図。
【図２】 本発明の走査信号指数関数波立ち下がり波形
図。
図。
【図３】 本発明の走査信号階段波立ち下がり波形図。
【図４】 本発明の１画素等価回路路図。
【図５】 従来の技術の画素電位波形図。
【図６】 従来の技術の走査信号電位波形図。
【図７】 本発明の走査信号指数関数波立ち下がり波発
生回路ブロック図。
生回路ブロック図。
【図８】 本発明の走査信号指数関数波立ち下がり波発
生回路ブロック図。
生回路ブロック図。
【図９】 本発明の走査信号ランプ波立ち下がり波形発
生回路ブロック図。
生回路ブロック図。
【図１０】 本発明の走査信号階段波立ち下がり波形発
生回路ブロック図。
生回路ブロック図。
【図１１】 本発明の走査信号階段波立ち下がり波形発
生回路ブロックの電圧波形図。
生回路ブロックの電圧波形図。
【図１２】 本発明の走査信号階段波立ち下がり波形
図。
図。
【図１３】 本発明の走査信号階段波発生回路ブロック
図。
図。
１ 走査線 ２ データ線 ３ トランジスタ ４ 画素容量 ５ 共通電極電位 ６ トランジスタと走査線間の寄生容量 ７ 指数関数立ち下がり波発生容量 ８ 指数関数立ち下がり波発生抵抗 ９ 指数関数立ち下がり波発生インバーター １０ オペアンプ １１ インバーター １２ アナログスイッチ １３ ランプ立ち下がり波形 １４ 階段波発生用タイミングパルス １５ 階段状立ち下がり走査信号波形 １６ サンプルホールド回路中のオペアンプ １７ サンプリングスイッチ
Claims (3)
- 【請求項１】 マトリックス状にデータ線と走査線が配
置され、その交点部近くに少なくとも１つ以上のスイッ
チングトランジスタを有し、該トランジスタのゲートが
走査線に接続し、又該トランジスタのソースがデータ線
に接続され、さらに該トランジスタのドレインが透明画
素電極に接続されたアクティブマトリックス基板を有す
る液晶表示装置において、走査信号の電圧波形における
パルスの立ち下がり波形がランプ波形となっていること
を特徴とする液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の液晶表示装置において走
査信号の電圧波形におけるパルスの立ち下がり波形が指
数関数波形となっていることを特徴とする液晶表示装置
の駆動方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の液晶表示装置において走
査信号の電圧波形におけるパルスの立ち下がり波形が階
段状波形となっていることを特徴とする液晶表示装置の
駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25840392A JPH06110035A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 液晶表示装置の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25840392A JPH06110035A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 液晶表示装置の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06110035A true JPH06110035A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17319751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25840392A Pending JPH06110035A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 液晶表示装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06110035A (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2783629A1 (fr) * | 1998-09-19 | 2000-03-24 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Afficheur a cristal liquide a matrice active |
| EP1139329A2 (en) * | 2000-03-28 | 2001-10-04 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Display device of active matrix type |
| KR20020091451A (ko) * | 2001-05-30 | 2002-12-06 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 박막트랜지스터 액정표시장치의 멀티 레벨 게이트구동전압발생회로 |
| KR100374375B1 (ko) * | 1999-07-02 | 2003-03-04 | 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 | 액티브 매트릭스형 액정디스플레이 구동제어장치 |
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