JPH06108272A - プラズマエッチング方法 - Google Patents
プラズマエッチング方法Info
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- JPH06108272A JPH06108272A JP4262309A JP26230992A JPH06108272A JP H06108272 A JPH06108272 A JP H06108272A JP 4262309 A JP4262309 A JP 4262309A JP 26230992 A JP26230992 A JP 26230992A JP H06108272 A JPH06108272 A JP H06108272A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ａｌ合金層とＷ層またはＷ合金層とを有する
金属膜に対して、均一に再現性良くプラズマエッチング
処理を実施する。 【構成】 パターン化されたフォトレジスト15をマスク
として、塩素ガスと窒素ガスとの混合ガスを用いたＡｌ
合金層14のプラズマエッチング処理と、塩素ガスと酸素
ガスとの混合ガスを用いたＷ層13のプラズマエッチング
処理とを同一チャンバ内にて連続的に実行する。
金属膜に対して、均一に再現性良くプラズマエッチング
処理を実施する。 【構成】 パターン化されたフォトレジスト15をマスク
として、塩素ガスと窒素ガスとの混合ガスを用いたＡｌ
合金層14のプラズマエッチング処理と、塩素ガスと酸素
ガスとの混合ガスを用いたＷ層13のプラズマエッチング
処理とを同一チャンバ内にて連続的に実行する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属膜をプラズマエッ
チングする方法に関し、特にＡｌ合金層とＷ層またはＷ
合金層とを含む金属膜のプラズマエッチング方法に関す
る。
チングする方法に関し、特にＡｌ合金層とＷ層またはＷ
合金層とを含む金属膜のプラズマエッチング方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体集積回路の配線材料と
しては、主にＡｌ合金が用いられている。集積度が16Ｍ
ビット以上である高集積ＬＳＩにおいては、パターンサ
イズの微細化に伴って配線密度が増大する。配線密度が
増大すると、Ａｌ合金製の配線にエレクトロマイグレー
ションが発生し、配線の断線等の素子不良の原因とな
る。このエレクトロマイグレーションを防ぐために、Ａ
ｌ合金層と下地との間にＷまたはＴｉＷ等のＷ合金から
なる金属層を挿入した多層膜構造が採用されている。
しては、主にＡｌ合金が用いられている。集積度が16Ｍ
ビット以上である高集積ＬＳＩにおいては、パターンサ
イズの微細化に伴って配線密度が増大する。配線密度が
増大すると、Ａｌ合金製の配線にエレクトロマイグレー
ションが発生し、配線の断線等の素子不良の原因とな
る。このエレクトロマイグレーションを防ぐために、Ａ
ｌ合金層と下地との間にＷまたはＴｉＷ等のＷ合金から
なる金属層を挿入した多層膜構造が採用されている。
【０００３】このようなＡｌ合金層とＷ層またはＷ合金
層とからなる金属膜を所定パターンにプラズマエッチン
グする場合、それぞれの金属層に適した別の混合ガスが
使用される。Ａｌ合金層のプラズマエッチングには、塩
素ガスとＢＣｌ3 ガス等との塩素系混合ガスが使用さ
れ、Ｗ層またはＷ合金層のプラズマエッチングには、Ｓ
Ｆ6 ガスまたはＣＦ4 ガス等のフッ素系ガスを含む混合
ガスあるいは塩素ガスと酸素ガス等との塩素系混合ガス
が使用される。
層とからなる金属膜を所定パターンにプラズマエッチン
グする場合、それぞれの金属層に適した別の混合ガスが
使用される。Ａｌ合金層のプラズマエッチングには、塩
素ガスとＢＣｌ3 ガス等との塩素系混合ガスが使用さ
れ、Ｗ層またはＷ合金層のプラズマエッチングには、Ｓ
Ｆ6 ガスまたはＣＦ4 ガス等のフッ素系ガスを含む混合
ガスあるいは塩素ガスと酸素ガス等との塩素系混合ガス
が使用される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、塩素系混合
ガスによるＡｌ合金層のプラズマエッチングと、フッ素
系混合ガスによるＷ層またはＷ合金層のプラズマエッチ
ングとを、単一チャンバ内にて交互に行うと、エッチン
グの再現性が低下する。
ガスによるＡｌ合金層のプラズマエッチングと、フッ素
系混合ガスによるＷ層またはＷ合金層のプラズマエッチ
ングとを、単一チャンバ内にて交互に行うと、エッチン
グの再現性が低下する。
【０００５】また、Ａｌ合金層を塩素ガスとＢＣｌ3 ガ
スとの混合ガスにてプラズマエッチングした後、Ｗ層ま
たはＷ合金層を塩素ガスと酸素ガスとの混合ガスにてプ
ラズマエッチングすると、チャンバ内に残留したＢと導
入されたＯとが反応して、生成物（Ｂm Ｏn ）が発生す
る。従って、多数枚の試料にプラズマエッチング処理を
施すと、この生成物がチャンバの壁面に堆積しパーティ
クルの原因となったり、壁面からの剥離物がエッチング
対象の試料の表面に付着し、エッチング速度の低下また
はエッチング不良が生じる。
スとの混合ガスにてプラズマエッチングした後、Ｗ層ま
たはＷ合金層を塩素ガスと酸素ガスとの混合ガスにてプ
ラズマエッチングすると、チャンバ内に残留したＢと導
入されたＯとが反応して、生成物（Ｂm Ｏn ）が発生す
る。従って、多数枚の試料にプラズマエッチング処理を
施すと、この生成物がチャンバの壁面に堆積しパーティ
クルの原因となったり、壁面からの剥離物がエッチング
対象の試料の表面に付着し、エッチング速度の低下また
はエッチング不良が生じる。
【０００６】このような事態を回避するためには、Ａｌ
合金層とＷ層またはＷ合金層とを別々のチャンバ内にて
プラズマエッチングするか、または、反応室の壁面に多
くの生成物が堆積する前にその壁面を清掃する必要があ
る。しかしながら、このような方法では、ＬＳＩ作製に
長時間を要する、装置稼働率が低下する等の問題点があ
る。
合金層とＷ層またはＷ合金層とを別々のチャンバ内にて
プラズマエッチングするか、または、反応室の壁面に多
くの生成物が堆積する前にその壁面を清掃する必要があ
る。しかしながら、このような方法では、ＬＳＩ作製に
長時間を要する、装置稼働率が低下する等の問題点があ
る。
【０００７】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、Ａｌ合金層とＷ層またはＷ合金層とを含む金属
多層膜が形成された多数枚の試料に対して、これらの各
金属層を単一チャンバ内にて再現性良く連続的に短時間
にてプラズマエッチングできるプラズマエッチング方法
を提供することを目的とする。
であり、Ａｌ合金層とＷ層またはＷ合金層とを含む金属
多層膜が形成された多数枚の試料に対して、これらの各
金属層を単一チャンバ内にて再現性良く連続的に短時間
にてプラズマエッチングできるプラズマエッチング方法
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係るプラズマエ
ッチング方法は、Ａｌ合金層とＷ層またはＷ合金層とを
有する金属膜を単一チャンバ内にてプラズマエッチング
する方法において、前記Ａｌ合金層のプラズマエッチン
グには塩素ガスと窒素ガスとを含む混合ガスを用い、前
記Ｗ層またはＷ合金層のプラズマエッチングには塩素ガ
スと酸素ガスとを含む混合ガスを用いることを特徴とす
る。
ッチング方法は、Ａｌ合金層とＷ層またはＷ合金層とを
有する金属膜を単一チャンバ内にてプラズマエッチング
する方法において、前記Ａｌ合金層のプラズマエッチン
グには塩素ガスと窒素ガスとを含む混合ガスを用い、前
記Ｗ層またはＷ合金層のプラズマエッチングには塩素ガ
スと酸素ガスとを含む混合ガスを用いることを特徴とす
る。
【０００９】
【作用】本発明のプラズマエッチング方法では、塩素ガ
スと窒素ガスとの混合ガスを用いてＡｌ合金層をプラズ
マエッチングし、塩素ガスと酸素ガスとの混合ガスを用
いてＷ層またはＷ合金層をプラズマエッチングする。塩
素ガスと窒素ガスとの混合ガスを用いてＡｌ合金層をプ
ラズマエッチングしても、塩素ガスとＢＣｌ3 ガスとの
混合ガスを用いてエッチングした場合とほぼ同様のエッ
チング形状が得られる。Ａｌ合金層を塩素ガスと窒素ガ
スとの混合ガスにてプラズマエッチングした後、連続し
て同一チャンバ内でＷ層またはＷ合金層を塩素ガスと酸
素ガスとの混合ガスにてプラズマエッチングしても、残
留する窒素ガスは酸素ガスと反応せず反応したとしても
窒素酸化物ガスとなるだけであって、チャンバの壁面に
生成物は堆積せず、再現性が良好なエッチング形状が得
られる。
スと窒素ガスとの混合ガスを用いてＡｌ合金層をプラズ
マエッチングし、塩素ガスと酸素ガスとの混合ガスを用
いてＷ層またはＷ合金層をプラズマエッチングする。塩
素ガスと窒素ガスとの混合ガスを用いてＡｌ合金層をプ
ラズマエッチングしても、塩素ガスとＢＣｌ3 ガスとの
混合ガスを用いてエッチングした場合とほぼ同様のエッ
チング形状が得られる。Ａｌ合金層を塩素ガスと窒素ガ
スとの混合ガスにてプラズマエッチングした後、連続し
て同一チャンバ内でＷ層またはＷ合金層を塩素ガスと酸
素ガスとの混合ガスにてプラズマエッチングしても、残
留する窒素ガスは酸素ガスと反応せず反応したとしても
窒素酸化物ガスとなるだけであって、チャンバの壁面に
生成物は堆積せず、再現性が良好なエッチング形状が得
られる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明をその実施例について具体的に
説明する。
説明する。
【００１１】まず、本発明のプラズマエッチング方法の
実施に使用する装置について説明する。図１は、プラズ
マエッチング装置の例として電子・サイクロトロン共鳴
を利用したＥＣＲプラズマエッチング装置の縦断面図で
ある。図中、１はプラズマ室、２は導波管、３は反応
室、４は励磁コイルを示している。
実施に使用する装置について説明する。図１は、プラズ
マエッチング装置の例として電子・サイクロトロン共鳴
を利用したＥＣＲプラズマエッチング装置の縦断面図で
ある。図中、１はプラズマ室、２は導波管、３は反応
室、４は励磁コイルを示している。
【００１２】プラズマ室１は、周囲壁を２重構造として
冷却水の通流室1aを備える中空円筒形をなし、マイクロ
波に対して空洞共振器を構成するように形成されてい
る。通流室1aには、冷却水の給水系1f, 排水系1gが連通
されている。プラズマ室１の上部壁中央には石英ガラス
板1bで閉鎖されたマイクロ波導入口1cが設けられ、また
その下部壁中央にはマイクロ波導入口1cと対向する位置
にプラズマ引出し窓1dが設けられている。プラズマ室１
の下部壁を貫通する態様で、反応室３側からプラズマ室
１内に向けて、エッチングガスを導入するためのガス導
入管1eが設けられている。
冷却水の通流室1aを備える中空円筒形をなし、マイクロ
波に対して空洞共振器を構成するように形成されてい
る。通流室1aには、冷却水の給水系1f, 排水系1gが連通
されている。プラズマ室１の上部壁中央には石英ガラス
板1bで閉鎖されたマイクロ波導入口1cが設けられ、また
その下部壁中央にはマイクロ波導入口1cと対向する位置
にプラズマ引出し窓1dが設けられている。プラズマ室１
の下部壁を貫通する態様で、反応室３側からプラズマ室
１内に向けて、エッチングガスを導入するためのガス導
入管1eが設けられている。
【００１３】マイクロ波導入口1cには導波管２の一端部
が接続され、また、プラズマ引出し窓1dにはこれに臨ま
せて反応室３が配設されている。プラズマ室１及びこれ
に連結された導波管２の一端部の周囲には、励磁コイル
４が配設されている。導波管２の他端部は、マイクロ波
発振器（図示せず）（周波数：2.45ＧＨｚ）に接続さ
れ、発生したマイクロ波がプラズマ室１に導入されるよ
うになっている。励磁コイル４は直流電源（図示せず）
に接続されており、直流電源の通流によって磁界を発生
させ、プラズマ室１にマイクロ波を導入させることによ
ってプラズマを生成させる。また、励磁コイル４によっ
て、反応室３側に向けて磁束密度が低くなる発散磁界を
発生させ、この発散磁界によって、プラズマ室１内に生
成されたプラズマを反応室３内に投射せしめるようにな
っている。
が接続され、また、プラズマ引出し窓1dにはこれに臨ま
せて反応室３が配設されている。プラズマ室１及びこれ
に連結された導波管２の一端部の周囲には、励磁コイル
４が配設されている。導波管２の他端部は、マイクロ波
発振器（図示せず）（周波数：2.45ＧＨｚ）に接続さ
れ、発生したマイクロ波がプラズマ室１に導入されるよ
うになっている。励磁コイル４は直流電源（図示せず）
に接続されており、直流電源の通流によって磁界を発生
させ、プラズマ室１にマイクロ波を導入させることによ
ってプラズマを生成させる。また、励磁コイル４によっ
て、反応室３側に向けて磁束密度が低くなる発散磁界を
発生させ、この発散磁界によって、プラズマ室１内に生
成されたプラズマを反応室３内に投射せしめるようにな
っている。
【００１４】反応室３には、プラズマ引出し窓1dと対向
する底壁に、排気装置（図示せず）に連なる排気口3aが
開口している。また、反応室３の内部にはプラズマ引出
し窓1dの直下にこれと対向させて試料台５が配設され、
この試料台５上にプラズマ引出し窓1dと対向させてエッ
チング対象の試料Ｓが載置されている。試料台５は、マ
ッチングボックス７を介して高周波電源６（周波数：1
3.56 ＭＨｚ）と接続されている。反応室３の側壁に
は、反応室３に連なるガス供給系3bが貫通している。
する底壁に、排気装置（図示せず）に連なる排気口3aが
開口している。また、反応室３の内部にはプラズマ引出
し窓1dの直下にこれと対向させて試料台５が配設され、
この試料台５上にプラズマ引出し窓1dと対向させてエッ
チング対象の試料Ｓが載置されている。試料台５は、マ
ッチングボックス７を介して高周波電源６（周波数：1
3.56 ＭＨｚ）と接続されている。反応室３の側壁に
は、反応室３に連なるガス供給系3bが貫通している。
【００１５】このような構成のプラズマエッチング装置
において、プラズマ室１，反応室３を所定の真空度に設
定した後、ガス導入管1eを介してプラズマ室１内にエッ
チングガスを導入し、試料台５に高周波電源６にて高周
波電圧を印可し、励磁コイル４にて磁界を形成しつつマ
イクロ波導入口1cを通じてプラズマ室１内にマイクロ波
を導入し、プラズマ室１を空洞共振器としてエッチング
ガスを共鳴励起させてプラズマを生成させる。生成され
たプラズマは、励磁コイル４にて形成された反応室３に
向かうに従って磁束密度が低下する発散磁界によって、
試料台５上の試料Ｓ周辺に投射され、試料Ｓに対するエ
ッチング処理が行われる。
において、プラズマ室１，反応室３を所定の真空度に設
定した後、ガス導入管1eを介してプラズマ室１内にエッ
チングガスを導入し、試料台５に高周波電源６にて高周
波電圧を印可し、励磁コイル４にて磁界を形成しつつマ
イクロ波導入口1cを通じてプラズマ室１内にマイクロ波
を導入し、プラズマ室１を空洞共振器としてエッチング
ガスを共鳴励起させてプラズマを生成させる。生成され
たプラズマは、励磁コイル４にて形成された反応室３に
向かうに従って磁束密度が低下する発散磁界によって、
試料台５上の試料Ｓ周辺に投射され、試料Ｓに対するエ
ッチング処理が行われる。
【００１６】次に、本発明の具体的な実施例について説
明する。図２（ａ）は、図１の試料台５上に載置するエ
ッチング対象の試料Ｓの構造を示す断面図である。この
試料Ｓは、シリコン基板11上に、下地のＳｉＯ2 層12
（膜厚：0.3 μｍ）、Ｗ層13（膜厚：0.2 μｍ）、Ａｌ
−Ｓｉ−Ｃｕ合金（Ｓｉ：１％，Ｃｕ：0.5 ％）からな
るＡｌ合金層14（膜厚：1.0 μｍ）をこの順に積層し、
更にフォトリソグラフィの手法を用いてマスクパターン
としてのフォトレジスト15（膜厚：1.5 μｍ，線幅：0.
5 μｍ）を形成した構成をなす。
明する。図２（ａ）は、図１の試料台５上に載置するエ
ッチング対象の試料Ｓの構造を示す断面図である。この
試料Ｓは、シリコン基板11上に、下地のＳｉＯ2 層12
（膜厚：0.3 μｍ）、Ｗ層13（膜厚：0.2 μｍ）、Ａｌ
−Ｓｉ−Ｃｕ合金（Ｓｉ：１％，Ｃｕ：0.5 ％）からな
るＡｌ合金層14（膜厚：1.0 μｍ）をこの順に積層し、
更にフォトリソグラフィの手法を用いてマスクパターン
としてのフォトレジスト15（膜厚：1.5 μｍ，線幅：0.
5 μｍ）を形成した構成をなす。
【００１７】このような構成をなす試料Ｓを試料台５上
に載置し、ガス導入管1eから塩素ガスと窒素ガスとの混
合ガスを導入して、試料ＳのＡｌ合金層14をプラズマエ
ッチングする。この際のプラズマ発生条件は、ガス圧力
が５ｍＴｏｒｒ、マイクロ波パワーが1000Ｗである。ま
た、導入する混合ガスの流量は、塩素ガス75ｓｃｃｍ、
窒素ガス25ｓｃｃｍであり、トータルのガス流量が100
ｓｃｃｍである。なお、塩素ガスと窒素ガスとの混合割
合の好ましい例は、Ｎ2 ／（Ｃｌ2 ＋Ｎ2 ）＝２〜40％
である。
に載置し、ガス導入管1eから塩素ガスと窒素ガスとの混
合ガスを導入して、試料ＳのＡｌ合金層14をプラズマエ
ッチングする。この際のプラズマ発生条件は、ガス圧力
が５ｍＴｏｒｒ、マイクロ波パワーが1000Ｗである。ま
た、導入する混合ガスの流量は、塩素ガス75ｓｃｃｍ、
窒素ガス25ｓｃｃｍであり、トータルのガス流量が100
ｓｃｃｍである。なお、塩素ガスと窒素ガスとの混合割
合の好ましい例は、Ｎ2 ／（Ｃｌ2 ＋Ｎ2 ）＝２〜40％
である。
【００１８】Ａｌ合金層14のエッチングが終了すると、
ガス導入管1eから導入するガスを、塩素ガスと窒素ガス
との混合ガスから塩素ガスと酸素ガスとの混合ガスに切
り換える。なおここで、光学的な手法によりＡｌＣｌの
発光波長の強度をモニタし、その強度が減少して変化し
なくなった時点をＡｌ合金層14のエッチング終了時点と
判定する。そして、Ａｌ合金層14のエッチング終了を確
認した後、エッチングガスを切り換える。このエッチン
グガスの切り換え方法には、マイクロ波の導入と高周波
電圧の印可とを停止した後、窒素ガスを止めて酸素ガス
を導入してマイクロ波の導入と高周波電圧の印可とを再
開する方法と、マイクロ波の導入と高周波電圧の印可と
はそのままにしておき、窒素ガスのみを止めて酸素ガス
を導入する方法との２通りの方法がある。
ガス導入管1eから導入するガスを、塩素ガスと窒素ガス
との混合ガスから塩素ガスと酸素ガスとの混合ガスに切
り換える。なおここで、光学的な手法によりＡｌＣｌの
発光波長の強度をモニタし、その強度が減少して変化し
なくなった時点をＡｌ合金層14のエッチング終了時点と
判定する。そして、Ａｌ合金層14のエッチング終了を確
認した後、エッチングガスを切り換える。このエッチン
グガスの切り換え方法には、マイクロ波の導入と高周波
電圧の印可とを停止した後、窒素ガスを止めて酸素ガス
を導入してマイクロ波の導入と高周波電圧の印可とを再
開する方法と、マイクロ波の導入と高周波電圧の印可と
はそのままにしておき、窒素ガスのみを止めて酸素ガス
を導入する方法との２通りの方法がある。
【００１９】塩素ガスと酸素ガスとの混合ガスを用い
て、Ｗ層13をプラズマエッチングする。この際のプラズ
マ発生条件は、ガス圧力が５ｍＴｏｒｒ、マイクロ波パ
ワーが1000Ｗである。また、導入する混合ガスの流量
は、塩素ガス60ｓｃｃｍ、酸素ガス40ｓｃｃｍであり、
トータルのガス流量が100 ｓｃｃｍである。なお、塩素
ガスと酸素ガスとの混合割合の好ましい例は、Ｏ2 ／
（Ｃｌ2 ＋Ｏ2 ）＝20〜60％である。
て、Ｗ層13をプラズマエッチングする。この際のプラズ
マ発生条件は、ガス圧力が５ｍＴｏｒｒ、マイクロ波パ
ワーが1000Ｗである。また、導入する混合ガスの流量
は、塩素ガス60ｓｃｃｍ、酸素ガス40ｓｃｃｍであり、
トータルのガス流量が100 ｓｃｃｍである。なお、塩素
ガスと酸素ガスとの混合割合の好ましい例は、Ｏ2 ／
（Ｃｌ2 ＋Ｏ2 ）＝20〜60％である。
【００２０】このようなエッチングに従って、図２
（ｂ）に示すように、フォトレジスト15も多少エッチン
グされて、その膜厚は減少するが、Ａｌ合金層14及びＷ
層13がパターンエッチングされて、そのエッチング側面
が垂直な形状となる。
（ｂ）に示すように、フォトレジスト15も多少エッチン
グされて、その膜厚は減少するが、Ａｌ合金層14及びＷ
層13がパターンエッチングされて、そのエッチング側面
が垂直な形状となる。
【００２１】図３は、本発明のプラズマエッチング方法
を用いて、図２に示すような構成の多数枚（1000枚）の
試料にプラズマエッチング処理を施した場合のエッチン
グ速度の変化（図中●−●）を示している。図３では、
１枚目の試料におけるエッチング速度を１とし、各枚数
目の試料におけるＡｌ合金層14のエッチング速度を規格
化した結果を示している。また、図３には、同一の試料
に対して、Ａｌ合金層14のプラズマエッチングには塩素
ガスとＢＣｌ3 との混合ガスを用い、Ｗ層13のプラズマ
エッチングには塩素ガスと酸素ガスとの混合ガスを用い
てプラズマエッチング処理を施した従来例におけるエッ
チング速度の変化（図中○−○）も併せて示している。
を用いて、図２に示すような構成の多数枚（1000枚）の
試料にプラズマエッチング処理を施した場合のエッチン
グ速度の変化（図中●−●）を示している。図３では、
１枚目の試料におけるエッチング速度を１とし、各枚数
目の試料におけるＡｌ合金層14のエッチング速度を規格
化した結果を示している。また、図３には、同一の試料
に対して、Ａｌ合金層14のプラズマエッチングには塩素
ガスとＢＣｌ3 との混合ガスを用い、Ｗ層13のプラズマ
エッチングには塩素ガスと酸素ガスとの混合ガスを用い
てプラズマエッチング処理を施した従来例におけるエッ
チング速度の変化（図中○−○）も併せて示している。
【００２２】従来例の場合には、処理枚数の増加に伴っ
てＡｌ合金層14のエッチング速度が顕著に低下する（10
00枚後に18％程度減少）のに対して、本発明のプラズマ
エッチング方法では、1000枚の処理後のエッチング速度
は、エッチング初期に比較して数％低下するに過ぎな
い。
てＡｌ合金層14のエッチング速度が顕著に低下する（10
00枚後に18％程度減少）のに対して、本発明のプラズマ
エッチング方法では、1000枚の処理後のエッチング速度
は、エッチング初期に比較して数％低下するに過ぎな
い。
【００２３】なお、本実施例では、電子・サイクロトロ
ン共鳴を利用したＥＣＲプラズマエッチング装置を使用
した場合について説明したが、高周波電圧を利用した平
行平板型の他のプラズマエッチング装置を使用しても良
いことは勿論である。また、プラズマの安定化, エッチ
ング速度の向上等のため、Ｈｅ，Ａｒ等のガスを添加し
ても良いことは勿論である。
ン共鳴を利用したＥＣＲプラズマエッチング装置を使用
した場合について説明したが、高周波電圧を利用した平
行平板型の他のプラズマエッチング装置を使用しても良
いことは勿論である。また、プラズマの安定化, エッチ
ング速度の向上等のため、Ｈｅ，Ａｒ等のガスを添加し
ても良いことは勿論である。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明のプラズマエッチン
グ方法では、Ａｌ合金層のプラズマエッチングには塩素
ガスと窒素ガスとの混合ガスを用い、Ｗ層またはＷ合金
層のプラズマエッチングには塩素ガスと酸素ガスとの混
合ガスを用いることにしたので、単一チャンバ内にて連
続的にＡｌ合金層とＷ層またはＷ合金層とをプラズマエ
ッチングする場合にあっても、チャンバ内の壁面に反応
生成物が堆積せず、均一にかつ再現性良く多数枚の試料
に対してプラズマエッチングを施すことが可能である。
グ方法では、Ａｌ合金層のプラズマエッチングには塩素
ガスと窒素ガスとの混合ガスを用い、Ｗ層またはＷ合金
層のプラズマエッチングには塩素ガスと酸素ガスとの混
合ガスを用いることにしたので、単一チャンバ内にて連
続的にＡｌ合金層とＷ層またはＷ合金層とをプラズマエ
ッチングする場合にあっても、チャンバ内の壁面に反応
生成物が堆積せず、均一にかつ再現性良く多数枚の試料
に対してプラズマエッチングを施すことが可能である。
【図１】本発明のプラズマエッチング方法を実施するた
めのＥＣＲプラズマエッチング装置の構成を示す縦断面
図である。
めのＥＣＲプラズマエッチング装置の構成を示す縦断面
図である。
【図２】本発明のプラズマエッチング方法の実施対象の
試料のエッチング処理前及びエッチング処理後の形状を
示す断面図である。
試料のエッチング処理前及びエッチング処理後の形状を
示す断面図である。
【図３】複数枚の試料をプラズマエッチングエッチング
処理した際のエッチング速度の変化を示すグラフであ
る。
処理した際のエッチング速度の変化を示すグラフであ
る。
１ プラズマ室 1e ガス導入管 ２ 導波管 ３ 反応室 ４ 励磁コイル ５ 試料台 ６ 高周波電源 11 Ｓｉ基板 12 ＳｉＯ2 層 13 Ｗ層 14 Ａｌ合金層 15 フォトレジスト Ｓ 試料
Claims (1)
- 【請求項１】 Ａｌ合金層とＷ層またはＷ合金層とを有
する金属膜を単一チャンバ内にてプラズマエッチングす
る方法において、前記Ａｌ合金層のプラズマエッチング
には塩素ガスと窒素ガスとを含む混合ガスを用い、前記
Ｗ層またはＷ合金層のプラズマエッチングには塩素ガス
と酸素ガスとを含む混合ガスを用いることを特徴とする
プラズマエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4262309A JPH06108272A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | プラズマエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4262309A JPH06108272A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | プラズマエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06108272A true JPH06108272A (ja) | 1994-04-19 |
Family
ID=17373996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4262309A Pending JPH06108272A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | プラズマエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06108272A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997036322A1 (en) * | 1996-03-26 | 1997-10-02 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for minimizing etch rate loading |
| US5849641A (en) * | 1997-03-19 | 1998-12-15 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for etching a conductive layer to improve yield |
| JP2004080045A (ja) * | 2002-08-20 | 2004-03-11 | Samsung Electronics Co Ltd | マスクを利用した金属膜エッチング方法、半導体素子の配線形成方法、金属膜エッチング方法及びエッチングガス |
| CN110504935A (zh) * | 2018-05-17 | 2019-11-26 | 三星电机株式会社 | 体声波谐振器及制造该体声波谐振器的方法 |
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-
1992
- 1992-09-30 JP JP4262309A patent/JPH06108272A/ja active Pending
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