JPH06108248A - スパッタリング源 - Google Patents
スパッタリング源Info
- Publication number
- JPH06108248A JPH06108248A JP4262030A JP26203092A JPH06108248A JP H06108248 A JPH06108248 A JP H06108248A JP 4262030 A JP4262030 A JP 4262030A JP 26203092 A JP26203092 A JP 26203092A JP H06108248 A JPH06108248 A JP H06108248A
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- JP
- Japan
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- plate
- annular anode
- target
- backing plate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】板状ターゲットの側面を覆って、環状アノード
に形成する突出部に積もる堆積物が剥離して、その小片
がバッキングプレートなどに付着して絶縁破壊を引き起
こすことを防止する点。 【構成】 板状ターゲットと環状アノード間に設ける空
隙の距離を、スパッタリング工程で生ずるイオンのミー
ンフリーパスより十分小さくして、バッキングプレート
などに到達させず、更に環状アノードに突出部を設けな
い。しかも板状ターゲットの表面を環状アノード表面と
同一平面に位置させるか、上方に位置させる構造とす
る。
に形成する突出部に積もる堆積物が剥離して、その小片
がバッキングプレートなどに付着して絶縁破壊を引き起
こすことを防止する点。 【構成】 板状ターゲットと環状アノード間に設ける空
隙の距離を、スパッタリング工程で生ずるイオンのミー
ンフリーパスより十分小さくして、バッキングプレート
などに到達させず、更に環状アノードに突出部を設けな
い。しかも板状ターゲットの表面を環状アノード表面と
同一平面に位置させるか、上方に位置させる構造とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング装置特
にプレーナ型マグネトロンスパッタリング装置に使用す
るスパッタリング源の改良に関する。
にプレーナ型マグネトロンスパッタリング装置に使用す
るスパッタリング源の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１に示すプレーナ型マグネトロンスパ
ッタリング装置により、厚膜スパッタリングを行う時に
は、特に、基板２以外の成膜室１の内壁にもターゲット
３を構成する成分から成る堆積層を形成し、厚くなると
しばしば部分的に剥離して、小片１９が下方に位置する
ターゲット３に落下することがある。
ッタリング装置により、厚膜スパッタリングを行う時に
は、特に、基板２以外の成膜室１の内壁にもターゲット
３を構成する成分から成る堆積層を形成し、厚くなると
しばしば部分的に剥離して、小片１９が下方に位置する
ターゲット３に落下することがある。
【０００３】このために、落下した小片１９の内、ター
ゲット３上の外側縁部Ｅ（図１参照）に吸着付着したも
のは、隣接して位置しかつ外側に傾斜する環状アノード
６と接触して絶縁破壊を引起こして、放電を停止するこ
とがあった。
ゲット３上の外側縁部Ｅ（図１参照）に吸着付着したも
のは、隣接して位置しかつ外側に傾斜する環状アノード
６と接触して絶縁破壊を引起こして、放電を停止するこ
とがあった。
【０００４】更に、ターゲット３、バッキングプレート
４及び環状アノード６の関係を図１により説明する。即
ち、ターゲット３より長大なバッキングプレート４の外
側には、環状アノード６を配置するが、両者間には、２
ｍｍ程度の隙間ｅを設けると共に、この隙間ｅを覆う環
状アノード６の突出部２０を形成する。この突出部２０
により、スパッタリング工程によるアルゴンイオンが隙
間ｅを通ってバッキングプレート４をエッチングするの
を防止する構造を採っている。従ってターゲット３の表
面より上部に突出部２０が位置し、タ−ゲット３の外側
縁部Ｅを覆っていることになる。
４及び環状アノード６の関係を図１により説明する。即
ち、ターゲット３より長大なバッキングプレート４の外
側には、環状アノード６を配置するが、両者間には、２
ｍｍ程度の隙間ｅを設けると共に、この隙間ｅを覆う環
状アノード６の突出部２０を形成する。この突出部２０
により、スパッタリング工程によるアルゴンイオンが隙
間ｅを通ってバッキングプレート４をエッチングするの
を防止する構造を採っている。従ってターゲット３の表
面より上部に突出部２０が位置し、タ−ゲット３の外側
縁部Ｅを覆っていることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】バッキングプレート４
のエッチング防止用に設置する環状アノード６の突出部
２０の形成は、ここに堆積物が積もる結果を招き、図１
に示すような小片１９の落下を招く。
のエッチング防止用に設置する環状アノード６の突出部
２０の形成は、ここに堆積物が積もる結果を招き、図１
に示すような小片１９の落下を招く。
【０００６】本発明は、このような事情により成された
もので、新規なスパッタリング源を提供することを目的
とする。
もので、新規なスパッタリング源を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】冷却可能なバッキングプ
レートと，このバッキングプレートに接して配置する板
状ターゲットと，この板状ターゲットの周囲から離して
配置する環状アノードと，前記板状ターゲット表面と等
しいかまたは低く位置する前記板状ターゲットの厚さ方
向に交差する環状アノード表面と，前記環状アノード端
と板状ターゲット端間に位置する空隙とに本発明に係わ
るスパッタリング源の特徴がある。
レートと，このバッキングプレートに接して配置する板
状ターゲットと，この板状ターゲットの周囲から離して
配置する環状アノードと，前記板状ターゲット表面と等
しいかまたは低く位置する前記板状ターゲットの厚さ方
向に交差する環状アノード表面と，前記環状アノード端
と板状ターゲット端間に位置する空隙とに本発明に係わ
るスパッタリング源の特徴がある。
【０００８】
【作用】このように環状アノードと板状ターゲットの側
面には、空隙を設けて、バッキングプレートが外部から
見える状態とすると共に、板状ターゲットの表面を環状
アノード表面と同一平面もしくは高く位置させる。しか
も、スパッタリングは、０．１〜１０Ｐａ程度の圧力下
で行われるので、空隙がミーンフリーパス（平均自由行
程）に対して十分小さければイオンがバッキングプレー
トまで到達せず、エッチングされないことが判明した。
本発明は、このような知見を基に完成したものである。
面には、空隙を設けて、バッキングプレートが外部から
見える状態とすると共に、板状ターゲットの表面を環状
アノード表面と同一平面もしくは高く位置させる。しか
も、スパッタリングは、０．１〜１０Ｐａ程度の圧力下
で行われるので、空隙がミーンフリーパス（平均自由行
程）に対して十分小さければイオンがバッキングプレー
トまで到達せず、エッチングされないことが判明した。
本発明は、このような知見を基に完成したものである。
【０００９】
【実施例】本発明に係わる一実施例を図２乃至図３を参
照して説明する。図２は、本発明のスパッタリング源を
備えたプレーナ型スパッタリング装置の概略を示す断面
図、図３にアノードより厚さの大きいターゲットの例を
示した断面図であり、これらの図の番号は従来の技術欄
で使用したものを引継ぐ。
照して説明する。図２は、本発明のスパッタリング源を
備えたプレーナ型スパッタリング装置の概略を示す断面
図、図３にアノードより厚さの大きいターゲットの例を
示した断面図であり、これらの図の番号は従来の技術欄
で使用したものを引継ぐ。
【００１０】図２に示すようにスパッタリングに必要な
磁界装置５、板状ターゲット３及び基板２を設置する。
成膜室１は、板状ターゲット３とこれに対向して被処理
物例えばポリカーボネイトから成る基板２を配置し、更
に板状ターゲット３を囲んだアノードなどで構成する。
磁界装置５、板状ターゲット３及び基板２を設置する。
成膜室１は、板状ターゲット３とこれに対向して被処理
物例えばポリカーボネイトから成る基板２を配置し、更
に板状ターゲット３を囲んだアノードなどで構成する。
【００１１】板状ターゲット３をスパッタリングするの
に有効な磁界装置５は、成膜室１の中心ひいては板状タ
ーゲット３の中心から偏心して配置する。磁界装置５を
構成する外側磁石５b と内側磁石５a から生ずる磁力線
（図示せず）と平行になる板状ターゲット３の表面部分
が最もスパッタリングされる。このために、永久磁石で
構成する内側磁石５a を外側磁石５b を円形に配置して
取囲む。成膜室１の中心軸Ａを図示しない例えばモータ
に連結して板状ターゲット３の中心から偏心して回転す
る。また約２５Ｗ／ｃｍ2 以下の放電電力が投入される
板状ターゲット３には、バッキングプレート４を重ねた
状態で取付けると共に、内部に空洞８を設けて給水管２
１に連結する。これにより冷却水を循環させて、板状タ
ーゲット３の表面温度を１００℃程度に維持する。
に有効な磁界装置５は、成膜室１の中心ひいては板状タ
ーゲット３の中心から偏心して配置する。磁界装置５を
構成する外側磁石５b と内側磁石５a から生ずる磁力線
（図示せず）と平行になる板状ターゲット３の表面部分
が最もスパッタリングされる。このために、永久磁石で
構成する内側磁石５a を外側磁石５b を円形に配置して
取囲む。成膜室１の中心軸Ａを図示しない例えばモータ
に連結して板状ターゲット３の中心から偏心して回転す
る。また約２５Ｗ／ｃｍ2 以下の放電電力が投入される
板状ターゲット３には、バッキングプレート４を重ねた
状態で取付けると共に、内部に空洞８を設けて給水管２
１に連結する。これにより冷却水を循環させて、板状タ
ーゲット３の表面温度を１００℃程度に維持する。
【００１２】これにより板状ターゲット３の変形を防止
したり、バッキングプレート４との間に隙間が形成され
るのを防止できる。
したり、バッキングプレート４との間に隙間が形成され
るのを防止できる。
【００１３】スパッタリング工程に必要なアルコンガス
は、導入部７より供給後、スパッタ電力を供給してアル
ゴンイオンがターゲット表面を衝撃してターゲット材料
例えばＡｌをスパッタリングして、基板２にＡｌを堆積
する。このようなスパッタリング工程により生じるガス
などを排気するには、排気口２２を利用する。
は、導入部７より供給後、スパッタ電力を供給してアル
ゴンイオンがターゲット表面を衝撃してターゲット材料
例えばＡｌをスパッタリングして、基板２にＡｌを堆積
する。このようなスパッタリング工程により生じるガス
などを排気するには、排気口２２を利用する。
【００１４】このような構造のプレーナ型マグネトロン
スパッタリング装置でのスパッタリング工程は、０．１
Ｐａ〜１０Ｐａ程度の圧力下で行うが、環状アノード６
と板状ターゲット３の表面は同一平面に位置する場合
と、板状ターゲット３の表面が環状アノード６の表面よ
り上方に位置する場合があり、後者を図３に示した。
スパッタリング装置でのスパッタリング工程は、０．１
Ｐａ〜１０Ｐａ程度の圧力下で行うが、環状アノード６
と板状ターゲット３の表面は同一平面に位置する場合
と、板状ターゲット３の表面が環状アノード６の表面よ
り上方に位置する場合があり、後者を図３に示した。
【００１５】また、板状ターゲット３と環状アノード６
の間には、図３に示すように１ｍｍ程度の空隙２３を形
成する。この距離は、スパッタリング工程に必要な０．
１Ｐａ〜１０Ｐａ程度の圧力下で生ずるイオンのミーン
フリーパスに対して十分に小さい値である。
の間には、図３に示すように１ｍｍ程度の空隙２３を形
成する。この距離は、スパッタリング工程に必要な０．
１Ｐａ〜１０Ｐａ程度の圧力下で生ずるイオンのミーン
フリーパスに対して十分に小さい値である。
【００１６】従ってバッキングプレート４がこのイオン
によってエッチングされることがなく基板２に形成され
る被覆にバッキングプレ−ト４の材料が混入することは
ない。
によってエッチングされることがなく基板２に形成され
る被覆にバッキングプレ−ト４の材料が混入することは
ない。
【００１７】
【発明の効果】本発明に係わるスパッタリング源は、板
状ターゲット３と環状アノード６間に空隙２３を設け、
その距離をスパッタリング工程により生ずるイオンのミ
ーンフリーパスに対して十分に小さい値に維持する。こ
れにより、バッキングプレート４がエッチングされるこ
ともなく、従来のように環状アノード６に形成する突出
部２０に堆積する小片の剥離もなくなる。
状ターゲット３と環状アノード６間に空隙２３を設け、
その距離をスパッタリング工程により生ずるイオンのミ
ーンフリーパスに対して十分に小さい値に維持する。こ
れにより、バッキングプレート４がエッチングされるこ
ともなく、従来のように環状アノード６に形成する突出
部２０に堆積する小片の剥離もなくなる。
【図１】従来のスパッタリング装置の要部を示す断面図
であり、堆積物の剥離及び付着状態を示す図である。
であり、堆積物の剥離及び付着状態を示す図である。
【図２】本発明に係わるスパッタリング源を適用するス
パッタリング装置の要部を示す断面図である。
パッタリング装置の要部を示す断面図である。
【図３】スパッタリング装置に適用可能なスパッタリン
グ源であり、板状ターゲット３の表面が、環状アノード
６の表面より上方に位置する例の断面図である。
グ源であり、板状ターゲット３の表面が、環状アノード
６の表面より上方に位置する例の断面図である。
１：成膜室、 ２：基板、 ３：板状ターゲット、 ４：バッキングプレート、 ５：磁界装置、 ６：環状アノード、 ２３：空隙。
Claims (1)
- 【請求項１】 冷却可能なバッキングプレートと，この
バッキングプレートに接して配置する板状ターゲット
と，この板状ターゲットの周囲から離して配置する環状
アノードと，前記板状ターゲット表面と等しいかまたは
低く位置する前記板状ターゲットの厚さ方向に交差する
環状アノード表面と，前記環状アノード端と板状ターゲ
ット端間に位置する空隙とを具備することを特徴とする
スパッタリング源
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4262030A JP2750058B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4262030A JP2750058B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06108248A true JPH06108248A (ja) | 1994-04-19 |
| JP2750058B2 JP2750058B2 (ja) | 1998-05-13 |
Family
ID=17370056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4262030A Expired - Lifetime JP2750058B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2750058B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110066980A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-07-30 | 德淮半导体有限公司 | 环状靶材部件、半导体工艺设备及其工作方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57160114A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-02 | Ulvac Corp | High speed sputtering apparatus for ferromagnetic body |
| JPS57160113A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-02 | Ulvac Corp | High speed sputtering apparatus for ferromagnetic body |
| JPS5996266A (ja) * | 1982-11-22 | 1984-06-02 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
| JPH01263272A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-19 | Arubatsuku Seimaku Kk | マグネトロン型スパッタ装置 |
| JPH04272172A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-09-28 | Shibaura Eng Works Co Ltd | スパッタリング装置 |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP4262030A patent/JP2750058B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57160114A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-02 | Ulvac Corp | High speed sputtering apparatus for ferromagnetic body |
| JPS57160113A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-02 | Ulvac Corp | High speed sputtering apparatus for ferromagnetic body |
| JPS5996266A (ja) * | 1982-11-22 | 1984-06-02 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
| JPH01263272A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-19 | Arubatsuku Seimaku Kk | マグネトロン型スパッタ装置 |
| JPH04272172A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-09-28 | Shibaura Eng Works Co Ltd | スパッタリング装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110066980A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-07-30 | 德淮半导体有限公司 | 环状靶材部件、半导体工艺设备及其工作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2750058B2 (ja) | 1998-05-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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