JPH06106775A - レーザ記録装置 - Google Patents
レーザ記録装置Info
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- JPH06106775A JPH06106775A JP4259524A JP25952492A JPH06106775A JP H06106775 A JPH06106775 A JP H06106775A JP 4259524 A JP4259524 A JP 4259524A JP 25952492 A JP25952492 A JP 25952492A JP H06106775 A JPH06106775 A JP H06106775A
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- semiconductor laser
- laser
- beams
- light emitting
- light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 素子の温度変化によって生じる複数の発光部
の各々の発光量変化をリアルタイムで制御して画像印字
濃度が安定したレーザ記録装置を提供する。 【構成】 n個の発光部10a,10bが所定間隔をも
って配列された半導体レーザアレイチップ10を有する
半導体レーザ11から画像信号に応じて出射されたn本
のレーザビーム10a1,10b1をポリゴンミラー16で
反射させて主走査方向Xに偏向走査させ、これらn本の
偏向走査ビームをfθレンズ系17により感光体18上
に収束結像させてnラインの画像を同時に記録するよう
にしたレーザ記録装置において、半導体レーザ11から
出射された各レーザビーム10a1,10b1の一部を収束
させてn個のビームスポットPa,Pbを結像する収束
光学部材19を設け、この収束光学部材19により収束
結像された各ビームスポット位置Pa,Pbに各々独立
したn個の光量検出部20a,20bを配設した。
の各々の発光量変化をリアルタイムで制御して画像印字
濃度が安定したレーザ記録装置を提供する。 【構成】 n個の発光部10a,10bが所定間隔をも
って配列された半導体レーザアレイチップ10を有する
半導体レーザ11から画像信号に応じて出射されたn本
のレーザビーム10a1,10b1をポリゴンミラー16で
反射させて主走査方向Xに偏向走査させ、これらn本の
偏向走査ビームをfθレンズ系17により感光体18上
に収束結像させてnラインの画像を同時に記録するよう
にしたレーザ記録装置において、半導体レーザ11から
出射された各レーザビーム10a1,10b1の一部を収束
させてn個のビームスポットPa,Pbを結像する収束
光学部材19を設け、この収束光学部材19により収束
結像された各ビームスポット位置Pa,Pbに各々独立
したn個の光量検出部20a,20bを配設した。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザを使用し
たデジタル複写機、レーザプリンタ、レーザファクシミ
リ等に利用されるレーザ記録装置に関する。
たデジタル複写機、レーザプリンタ、レーザファクシミ
リ等に利用されるレーザ記録装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、デジタル複写機等に利用される
レーザ記録装置においては、入力される画像信号に応じ
て変調されたレーザビームを感光体に露光走査すること
により感光体上に画像を記録している。このようなレー
ザ記録装置にあっては、レーザビーム発生手段として半
導体レーザが使用されており、例えば、複数の発光部か
らなる半導体レーザアレイチップを有する半導体レーザ
を用いて複数ラインを同時に記録することにより、発光
部一個当りの画素周波数を下げ、高速化又は高密度化を
実現させる方法が考えられている。
レーザ記録装置においては、入力される画像信号に応じ
て変調されたレーザビームを感光体に露光走査すること
により感光体上に画像を記録している。このようなレー
ザ記録装置にあっては、レーザビーム発生手段として半
導体レーザが使用されており、例えば、複数の発光部か
らなる半導体レーザアレイチップを有する半導体レーザ
を用いて複数ラインを同時に記録することにより、発光
部一個当りの画素周波数を下げ、高速化又は高密度化を
実現させる方法が考えられている。
【0003】ところが、このような半導体レーザは、素
子のバラツキ、素子の温度、及び素子の経時変化により
動作電流が変化する特性をもつ。そこで、レーザ記録装
置の画像品質を良好に保つためには、半導体レーザの光
量を所定の値にするように半導体レーザへの印加電流を
制御する必要がある。例えば、半導体レーザの光量を制
御する方法としては、 非画像部でレーザビームの光量を検出し、所定の光
量になるように半導体レーザへの印加電流を制御し、画
像部ではその電流を保持する方式 画像部でも常にレーザビームの光量を検出し、画像
データによってリアルタイムに印加電流を制御すること
により、1ドット毎、或いはそれ以下の単位で光量を変
化させ、画像の濃度を変化させるパワー変調方式 がある。
子のバラツキ、素子の温度、及び素子の経時変化により
動作電流が変化する特性をもつ。そこで、レーザ記録装
置の画像品質を良好に保つためには、半導体レーザの光
量を所定の値にするように半導体レーザへの印加電流を
制御する必要がある。例えば、半導体レーザの光量を制
御する方法としては、 非画像部でレーザビームの光量を検出し、所定の光
量になるように半導体レーザへの印加電流を制御し、画
像部ではその電流を保持する方式 画像部でも常にレーザビームの光量を検出し、画像
データによってリアルタイムに印加電流を制御すること
により、1ドット毎、或いはそれ以下の単位で光量を変
化させ、画像の濃度を変化させるパワー変調方式 がある。
【0004】ここに、従来の半導体レーザの一例を図7
に示す。なお、ここでは2ビームの半導体レーザ1につ
いて説明する。まず、本体基盤2の上面には、放熱性を
もつ取付け台3が固定されている。この取付け台3に
は、その先端部に配置された2個の発光部4a,4bを
有する半導体レーザアレイチップ4と、この半導体レー
ザアレイチップ4の後方に配置された1個のモニタ用の
フォトダイオード5とが取付けられている。ここで、前
記半導体レーザアレイチップ4の前記発光部4a,4b
は、2個の発光素子からなり、前方及び後方に発光する
ように設定されている。そして、前記取付け台3と前記
半導体レーザアレイチップ4と前記フォトダイオード5
とは、窓ガラス6が取付けられたキャップ7と前記本体
基盤2とで囲まれたパッケージ8内に密閉されている。
に示す。なお、ここでは2ビームの半導体レーザ1につ
いて説明する。まず、本体基盤2の上面には、放熱性を
もつ取付け台3が固定されている。この取付け台3に
は、その先端部に配置された2個の発光部4a,4bを
有する半導体レーザアレイチップ4と、この半導体レー
ザアレイチップ4の後方に配置された1個のモニタ用の
フォトダイオード5とが取付けられている。ここで、前
記半導体レーザアレイチップ4の前記発光部4a,4b
は、2個の発光素子からなり、前方及び後方に発光する
ように設定されている。そして、前記取付け台3と前記
半導体レーザアレイチップ4と前記フォトダイオード5
とは、窓ガラス6が取付けられたキャップ7と前記本体
基盤2とで囲まれたパッケージ8内に密閉されている。
【0005】このような構成において、半導体レーザア
レイチップ4から出射されるレーザビームの光量の制御
には、個々の発光部4a,4bに対して時分割で前述の
の方式が用いられる。即ち、まず、非画像部で一個の
発光素子のみに電流を流して発光させ、他の発光素子に
は電流を流さずに消灯した状態で、半導体アレイチップ
4の後方に発光部4a(又は発光部4b)から出射され
たモニタ用レーザビームの光量をフォトダイオード5で
受光検出し、このフォトダイオード5の出力に基づいて
該当の発光素子の印加電流を制御し決定する。ついで、
他の一個の発光素子に対して同様に印加電流の制御を行
う。このようしてレーザビームの光量検出を発光素子の
数だけ(図7の例では2回)繰り返して全ての発光素子
の印加電流を決定し、画像部では決定された各々の発光
素子に対する印加電流を保持することにより、発光部4
a,4bから一定の発光量が得られるようにしている。
レイチップ4から出射されるレーザビームの光量の制御
には、個々の発光部4a,4bに対して時分割で前述の
の方式が用いられる。即ち、まず、非画像部で一個の
発光素子のみに電流を流して発光させ、他の発光素子に
は電流を流さずに消灯した状態で、半導体アレイチップ
4の後方に発光部4a(又は発光部4b)から出射され
たモニタ用レーザビームの光量をフォトダイオード5で
受光検出し、このフォトダイオード5の出力に基づいて
該当の発光素子の印加電流を制御し決定する。ついで、
他の一個の発光素子に対して同様に印加電流の制御を行
う。このようしてレーザビームの光量検出を発光素子の
数だけ(図7の例では2回)繰り返して全ての発光素子
の印加電流を決定し、画像部では決定された各々の発光
素子に対する印加電流を保持することにより、発光部4
a,4bから一定の発光量が得られるようにしている。
【0006】しかし、前述したように、半導体レーザに
は、特に素子の温度により動作電流が変化する特性があ
るため、上述の制御方式では、同じ印加電流で発光素子
を駆動しても素子の温度変動により発光量が変化するこ
とがある。また、非画像部で決定した電流を画像部で保
持するので、半導体レーザのドゥループや温度変化の影
響で、記録紙の上下、或いは、画像濃度の濃い領域と画
像濃度の薄い領域とで画像印字濃度にバラツキを生じる
ことがある。さらに、半導体レーザアレイチップ4にお
いては、隣接する発光部4a,4bの各発光素子のオン
−オフ動作により該当発光素子の温度が変化して発光量
が影響を受けることにもなる。
は、特に素子の温度により動作電流が変化する特性があ
るため、上述の制御方式では、同じ印加電流で発光素子
を駆動しても素子の温度変動により発光量が変化するこ
とがある。また、非画像部で決定した電流を画像部で保
持するので、半導体レーザのドゥループや温度変化の影
響で、記録紙の上下、或いは、画像濃度の濃い領域と画
像濃度の薄い領域とで画像印字濃度にバラツキを生じる
ことがある。さらに、半導体レーザアレイチップ4にお
いては、隣接する発光部4a,4bの各発光素子のオン
−オフ動作により該当発光素子の温度が変化して発光量
が影響を受けることにもなる。
【0007】そこで、このような問題点を解決した半導
体レーザの一例として、図8に示すようなものがある。
なお、ここでは、図7において説明した部分と同一部分
は同一符号で示し、説明も省略する。この半導体レーザ
9は、半導体レーザアレイチップ4の後方に、前後方向
に発光する2個の発光部4a,4bに対して各々独立し
た2個のフォトダイオード5a,5bを内蔵し、前記発
光部4a,4bの各々から後方に出射されるモニタ用レ
ーザビームを別々に受光するようにしたものである。
体レーザの一例として、図8に示すようなものがある。
なお、ここでは、図7において説明した部分と同一部分
は同一符号で示し、説明も省略する。この半導体レーザ
9は、半導体レーザアレイチップ4の後方に、前後方向
に発光する2個の発光部4a,4bに対して各々独立し
た2個のフォトダイオード5a,5bを内蔵し、前記発
光部4a,4bの各々から後方に出射されるモニタ用レ
ーザビームを別々に受光するようにしたものである。
【0008】この場合、各々の発光部4a,4b対して
各々のフォトダイオード5a,5bによってリアルタイ
ムで独立した光量検出が行えるため、前述したのパワ
ー変調方式が適用可能となる。このパワー変調方式によ
れば、素子の温度変動に対する各々の発光部4a,4b
の発光量の変化を抑えることが可能となる。
各々のフォトダイオード5a,5bによってリアルタイ
ムで独立した光量検出が行えるため、前述したのパワ
ー変調方式が適用可能となる。このパワー変調方式によ
れば、素子の温度変動に対する各々の発光部4a,4b
の発光量の変化を抑えることが可能となる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところが、各々の発光
部4a,4bに対して独立のフォトダイオード5a,5
bを半導体レーザ9に内蔵しても、半導体レーザアレイ
チップ4の発光点間隔は約100μmと非常に小さいた
め、図9に示すように、発光部4a,4bから後方に出
射された各々のモニタ用レーザビーム4a1,4b1が、隣
接するフォトダイオード5a,5bに入射してクロスト
ークが発生したり、このクロストークを防ぐために光路
を分離する部材が必要になるため半導体レーザ9の構造
が複雑になったりといった問題が生じてしまう。
部4a,4bに対して独立のフォトダイオード5a,5
bを半導体レーザ9に内蔵しても、半導体レーザアレイ
チップ4の発光点間隔は約100μmと非常に小さいた
め、図9に示すように、発光部4a,4bから後方に出
射された各々のモニタ用レーザビーム4a1,4b1が、隣
接するフォトダイオード5a,5bに入射してクロスト
ークが発生したり、このクロストークを防ぐために光路
を分離する部材が必要になるため半導体レーザ9の構造
が複雑になったりといった問題が生じてしまう。
【0010】また、フォトダイオード5a,5bは、半
導体レーザアレイチップ4の後方のモニタ用レーザビー
ム4a1,4b1を受光するため、半導体レーザアレイチッ
プ4の前方にレーザビーム4a2,4b2を出射するだけで
なく後方へもモニタ用レーザビーム4a1,4b1を出射す
る必要があり、半導体レーザ9の効率を低下させること
になる。しかも、半導体レーザアレイチップ4の後方の
モニタ用レーザビーム4a1,4b1が半導体レーザ9のパ
ッケージ8内部やフォトダイオード5a,5bで反射し
て前方に漏れ、この漏れたビームがフレアとなって感光
体に到達して画像に悪影響を及ぼすおそれがある。
導体レーザアレイチップ4の後方のモニタ用レーザビー
ム4a1,4b1を受光するため、半導体レーザアレイチッ
プ4の前方にレーザビーム4a2,4b2を出射するだけで
なく後方へもモニタ用レーザビーム4a1,4b1を出射す
る必要があり、半導体レーザ9の効率を低下させること
になる。しかも、半導体レーザアレイチップ4の後方の
モニタ用レーザビーム4a1,4b1が半導体レーザ9のパ
ッケージ8内部やフォトダイオード5a,5bで反射し
て前方に漏れ、この漏れたビームがフレアとなって感光
体に到達して画像に悪影響を及ぼすおそれがある。
【0011】
【課題を解決するための手段】n個の発光部が所定間隔
をもって配列された半導体レーザアレイチップを有する
半導体レーザから画像信号に応じて出射されたn本のレ
ーザビームをポリゴンミラーで反射させて主走査方向に
偏向走査させ、これらn本の偏向走査ビームをfθレン
ズ系により感光体上に収束結像させてnラインの画像を
同時に記録するようにしたレーザ記録装置において、請
求項1記載の発明では、前記半導体レーザから出射され
た前記各レーザビームの一部を収束させてn個のビーム
スポットを結像する収束光学部材を設け、この収束光学
部材により収束結像された各ビームスポット位置に各々
独立したn個の光量検出部を配設した。
をもって配列された半導体レーザアレイチップを有する
半導体レーザから画像信号に応じて出射されたn本のレ
ーザビームをポリゴンミラーで反射させて主走査方向に
偏向走査させ、これらn本の偏向走査ビームをfθレン
ズ系により感光体上に収束結像させてnラインの画像を
同時に記録するようにしたレーザ記録装置において、請
求項1記載の発明では、前記半導体レーザから出射され
た前記各レーザビームの一部を収束させてn個のビーム
スポットを結像する収束光学部材を設け、この収束光学
部材により収束結像された各ビームスポット位置に各々
独立したn個の光量検出部を配設した。
【0012】具体的に、請求項2記載の発明では、半導
体レーザとポリゴンミラーとの間に前記半導体レーザか
ら出射されたn本のレーザビームをn本の平行ビームに
変えるコリメートレンズと前記各平行ビームの一部を分
離させるビームスプリッタとを配設し、このビームスプ
リッタで分離されたn本の分離ビームの光路中にこれら
の分離ビームを分離収束させて発光部の発光点間隔より
広い間隔でn個のビームスポットを結像する収束光学部
材を配設し、この収束光学部材により収束結像された各
ビームスポット位置に各々独立したn個の光量検出部を
配設した。
体レーザとポリゴンミラーとの間に前記半導体レーザか
ら出射されたn本のレーザビームをn本の平行ビームに
変えるコリメートレンズと前記各平行ビームの一部を分
離させるビームスプリッタとを配設し、このビームスプ
リッタで分離されたn本の分離ビームの光路中にこれら
の分離ビームを分離収束させて発光部の発光点間隔より
広い間隔でn個のビームスポットを結像する収束光学部
材を配設し、この収束光学部材により収束結像された各
ビームスポット位置に各々独立したn個の光量検出部を
配設した。
【0013】また、請求項3記載の発明では、半導体レ
ーザとポリゴンミラーとの間に、前記半導体レーザから
出射されたn本のレーザビームをn本の平行ビームに変
えるコリメートレンズと、前記各平行ビームの光軸に垂
直な面に対して傾けて配置されるとともにこれらの各平
行ビームの一部を前記コリメートレンズ側に反射させる
ハーフミラーとを備え、このハーフミラーで反射された
n本の反射ビームを前記コリメートレンズにより前記半
導体レーザ内部の半導体レーザアレイチップの近傍に分
離収束させてn個のビームスポットを結像する収束光学
部材を設け、この収束光学部材により収束結像された各
ビームスポット位置に各々独立したn個の光量検出部を
配設した。
ーザとポリゴンミラーとの間に、前記半導体レーザから
出射されたn本のレーザビームをn本の平行ビームに変
えるコリメートレンズと、前記各平行ビームの光軸に垂
直な面に対して傾けて配置されるとともにこれらの各平
行ビームの一部を前記コリメートレンズ側に反射させる
ハーフミラーとを備え、このハーフミラーで反射された
n本の反射ビームを前記コリメートレンズにより前記半
導体レーザ内部の半導体レーザアレイチップの近傍に分
離収束させてn個のビームスポットを結像する収束光学
部材を設け、この収束光学部材により収束結像された各
ビームスポット位置に各々独立したn個の光量検出部を
配設した。
【0014】さらに、請求項4記載の発明では、半導体
レーザとポリゴンミラーとの間に、前記半導体レーザか
ら出射されたn本のレーザビームをn本の平行ビームに
変えるコリメートレンズと、前記各平行ビームの光軸に
垂直な面に対して傾けて配置されるとともにこれらの各
平行ビームをn本の一定形状のビームに整形し通過させ
る窓とこの窓を通過しない前記各平行ビームを前記コリ
メートレンズ側に反射させる反射鏡とよりなるアパーチ
ャとを備え、前記反射鏡で反射されたn本の反射ビーム
を前記コリメートレンズにより前記半導体レーザ内部の
半導体レーザアレイチップの近傍に分離収束させてn個
のビームスポットを結像させる収束光学部材を設け、こ
の収束光学部材により収束結像された各ビームスポット
位置に各々独立したn個の光量検出部を配設した。
レーザとポリゴンミラーとの間に、前記半導体レーザか
ら出射されたn本のレーザビームをn本の平行ビームに
変えるコリメートレンズと、前記各平行ビームの光軸に
垂直な面に対して傾けて配置されるとともにこれらの各
平行ビームをn本の一定形状のビームに整形し通過させ
る窓とこの窓を通過しない前記各平行ビームを前記コリ
メートレンズ側に反射させる反射鏡とよりなるアパーチ
ャとを備え、前記反射鏡で反射されたn本の反射ビーム
を前記コリメートレンズにより前記半導体レーザ内部の
半導体レーザアレイチップの近傍に分離収束させてn個
のビームスポットを結像させる収束光学部材を設け、こ
の収束光学部材により収束結像された各ビームスポット
位置に各々独立したn個の光量検出部を配設した。
【0015】一方、請求項5記載の発明では、前後方向
に発光するn個の発光部が所定間隔を持って配列された
半導体レーザアレイチップを有する半導体レーザから画
像信号に応じて前方に出射されたn本のレーザビームを
ポリゴンミラーで反射させて主走査方向に偏向走査さ
せ、これらn本の偏向走査ビームをfθレンズ系により
感光体上に収束結像させてnラインの画像を同時に記録
するようにしたレーザ記録装置において、前記半導体レ
ーザ内部の半導体レーザアレイチップの後方に配置され
るとともに前記各発光部から後方に出射されたn本のモ
ニタ用レーザビームの発散角を絞ってn個のビームスポ
ットを結像するn個の収束光学部材を設け、これらの収
束光学部材により絞られた各ビームスポット位置に各々
独立したn個の光量検出部を配設した。
に発光するn個の発光部が所定間隔を持って配列された
半導体レーザアレイチップを有する半導体レーザから画
像信号に応じて前方に出射されたn本のレーザビームを
ポリゴンミラーで反射させて主走査方向に偏向走査さ
せ、これらn本の偏向走査ビームをfθレンズ系により
感光体上に収束結像させてnラインの画像を同時に記録
するようにしたレーザ記録装置において、前記半導体レ
ーザ内部の半導体レーザアレイチップの後方に配置され
るとともに前記各発光部から後方に出射されたn本のモ
ニタ用レーザビームの発散角を絞ってn個のビームスポ
ットを結像するn個の収束光学部材を設け、これらの収
束光学部材により絞られた各ビームスポット位置に各々
独立したn個の光量検出部を配設した。
【0016】
【作用】請求項1記載の発明においては、n個の発光部
から出射されたn本のレーザビームの一部を収束光学部
材で収束させてn個のビームスポットを結像し、これら
の各ビームスポット位置でn個の光量検出部によって各
発光部毎に独立した発光量を検出することにより、発光
部の各々の発光量をリアルタイムに検出し得るものとな
り、これにより、素子の温度変化による発光部の発光量
の変化を抑え、画像印字濃度を安定させることが可能と
なる。
から出射されたn本のレーザビームの一部を収束光学部
材で収束させてn個のビームスポットを結像し、これら
の各ビームスポット位置でn個の光量検出部によって各
発光部毎に独立した発光量を検出することにより、発光
部の各々の発光量をリアルタイムに検出し得るものとな
り、これにより、素子の温度変化による発光部の発光量
の変化を抑え、画像印字濃度を安定させることが可能と
なる。
【0017】請求項2記載の発明においては、n個の発
光部から出射されたn本のレーザビームをコリメートレ
ンズによりn本の平行ビームに変え、これらの平行ビー
ムの一部をビームスプリッタにより分離させ、これらの
分離ビームを収束光学部材により収束させて発光部の発
光点間隔より広げた間隔でn個のビームスポットを結像
させ、これらの各ビームスポット位置でn個の光量検出
部によって各発光部毎に独立した発光量を検出すること
により、発光部の各々の発光量をリアルタイムに検出し
得るものとなり、これにより、素子の温度変化による発
光部の発光量の変化を抑え、画像印字濃度を安定させる
ことが可能となる。この際、各光量検出部で受光するレ
ーザビームの間隔が収束光学部材により発光部の発光点
間隔より広げられているため、光量検出時のクロストー
クを抑え、良好な発光量制御を行い得るものとなる。
光部から出射されたn本のレーザビームをコリメートレ
ンズによりn本の平行ビームに変え、これらの平行ビー
ムの一部をビームスプリッタにより分離させ、これらの
分離ビームを収束光学部材により収束させて発光部の発
光点間隔より広げた間隔でn個のビームスポットを結像
させ、これらの各ビームスポット位置でn個の光量検出
部によって各発光部毎に独立した発光量を検出すること
により、発光部の各々の発光量をリアルタイムに検出し
得るものとなり、これにより、素子の温度変化による発
光部の発光量の変化を抑え、画像印字濃度を安定させる
ことが可能となる。この際、各光量検出部で受光するレ
ーザビームの間隔が収束光学部材により発光部の発光点
間隔より広げられているため、光量検出時のクロストー
クを抑え、良好な発光量制御を行い得るものとなる。
【0018】請求項3記載の発明においては、n個の発
光部から出射されるn本のレーザビームをコリメートレ
ンズによりn本の平行ビームに変え、これらの平行ビー
ムの一部をハーフミラーでコリメートレンズに向けて反
射させ、これらの反射ビームをコリメートレンズで収束
させて半導体レーザ内部の半導体レーザアレイチップの
近傍にn個のビームスポットを結像させ、これらの各ビ
ームスポット位置でn個の光量検出部によって各発光部
毎に独立した発光量を検出することにより、発光部の各
々の発光量をリアルタイムに検出し得るものとなり、こ
れにより、素子の温度変化による発光部の発光量の変化
を抑え、画像印字濃度を安定させることが可能となる。
この際、各光量検出部で受光するレーザビームがコリメ
ートレンズにより収束されているため、光量検出時のク
ロストークを抑え、良好な発光量制御を行い得るものと
なる。
光部から出射されるn本のレーザビームをコリメートレ
ンズによりn本の平行ビームに変え、これらの平行ビー
ムの一部をハーフミラーでコリメートレンズに向けて反
射させ、これらの反射ビームをコリメートレンズで収束
させて半導体レーザ内部の半導体レーザアレイチップの
近傍にn個のビームスポットを結像させ、これらの各ビ
ームスポット位置でn個の光量検出部によって各発光部
毎に独立した発光量を検出することにより、発光部の各
々の発光量をリアルタイムに検出し得るものとなり、こ
れにより、素子の温度変化による発光部の発光量の変化
を抑え、画像印字濃度を安定させることが可能となる。
この際、各光量検出部で受光するレーザビームがコリメ
ートレンズにより収束されているため、光量検出時のク
ロストークを抑え、良好な発光量制御を行い得るものと
なる。
【0019】請求項4記載の発明においては、n個の発
光部から出射されるn本のレーザビームをコリメートレ
ンズによりn本の平行ビームに変え、これらの平行ビー
ムの一部をアパーチャの反射鏡でコリメートレンズに向
けて反射させ、これらの反射ビームをコリメートレンズ
で収束させて半導体レーザ内部の半導体レーザアレイチ
ップの近傍にn個のビームスポットを結像させ、これら
の各ビームスポット位置でn個の光量検出部によって各
発光部毎に独立した発光量を検出することにより、発光
部の各々の発光量をリアルタイムに検出し得るものとな
り、これにより、素子の温度変化による発光部の発光量
の変化を抑え、画像印字濃度を安定させることが可能と
なる。この際、各光量検出部で受光するレーザビームが
コリメートレンズにより収束されているため、光量検出
時のクロストークを抑え、良好な発光量制御を行い得る
ものとなる。
光部から出射されるn本のレーザビームをコリメートレ
ンズによりn本の平行ビームに変え、これらの平行ビー
ムの一部をアパーチャの反射鏡でコリメートレンズに向
けて反射させ、これらの反射ビームをコリメートレンズ
で収束させて半導体レーザ内部の半導体レーザアレイチ
ップの近傍にn個のビームスポットを結像させ、これら
の各ビームスポット位置でn個の光量検出部によって各
発光部毎に独立した発光量を検出することにより、発光
部の各々の発光量をリアルタイムに検出し得るものとな
り、これにより、素子の温度変化による発光部の発光量
の変化を抑え、画像印字濃度を安定させることが可能と
なる。この際、各光量検出部で受光するレーザビームが
コリメートレンズにより収束されているため、光量検出
時のクロストークを抑え、良好な発光量制御を行い得る
ものとなる。
【0020】請求項5記載の発明においては、n個の発
光部から後方に出射されたn本のモニタ用レーザビーム
の各々の発散角を収束光学部材で絞ってn個のビームス
ポットを結像させ、これらの各ビームスポット位置で半
導体レーザに内蔵されたn個の光量検出部によって各発
光部毎に独立した発光量を検出することにより、発光部
の各々の発光量をリアルタイムに検出し得るものとな
り、これにより、素子の温度変化による発光部の発光量
の変化を抑え、画像印字濃度を安定させることが可能と
なる。この際、各光量検出部で受光するモニタ用レーザ
ビームの発散角が各収束光学部材により絞られているた
め、光量検出時のクロストークを抑え、良好な発光量制
御を行い得るものとなる。
光部から後方に出射されたn本のモニタ用レーザビーム
の各々の発散角を収束光学部材で絞ってn個のビームス
ポットを結像させ、これらの各ビームスポット位置で半
導体レーザに内蔵されたn個の光量検出部によって各発
光部毎に独立した発光量を検出することにより、発光部
の各々の発光量をリアルタイムに検出し得るものとな
り、これにより、素子の温度変化による発光部の発光量
の変化を抑え、画像印字濃度を安定させることが可能と
なる。この際、各光量検出部で受光するモニタ用レーザ
ビームの発散角が各収束光学部材により絞られているた
め、光量検出時のクロストークを抑え、良好な発光量制
御を行い得るものとなる。
【0021】
【実施例】本実施例の第一の実施例を図1に基づいて説
明する。なお、本実施例では2ビームのレーザ記録装置
に適用した例を示すが、3ビーム以上のものについても
応用可能である(以下の実施例についても同様とす
る)。本実施例は請求項1及び2記載の発明に相当する
もので、まず、図1(b)に平面図で示すように、前方
のみに発光する2個の発光部10a,10bが所定間隔
をもって配列された半導体レーザアレイチップ10を有
する半導体レーザ11が設けられている。この半導体レ
ーザ11の前記発光部10a,10bから前方に出射さ
れる2本のレーザビーム10a1,10b1の光路上には、
図1(a)に示すように、コリメートレンズ12と、ビ
ームスプリッタ13と、窓14aを有するアパーチャ1
4と、シリンダレンズ15と、ポリゴンミラー16と、
fθレンズ系17とがドラム状の感光体18に向けて順
に配設されている。そして、前記半導体レーザ11から
出射された2本のレーザビーム10a1,10b1を前記コ
リメートレンズ12により2本の平行なビームに変え、
これらの平行ビームを前記ビームスプリッタ13により
透過又は反射させて2つ光路に分離させ、このビームス
プリッタ13を透過した2本の透過ビームをアパーチャ
14の窓14aにより2本の一定形状のビームに整形
し、これらの一定形状ビームの各々を前記シリンダレン
ズ15により副走査方向Yに圧縮した形で前記ポリゴン
ミラー16に入射させ、このポリゴンミラー16で反射
させることにより主走査方向Xに偏向走査させ、これら
2本の偏向走査ビームを前記fθレンズ系17により前
記感光体18上に収束結像させて2ラインの画像を同時
に記録する構造とされている。
明する。なお、本実施例では2ビームのレーザ記録装置
に適用した例を示すが、3ビーム以上のものについても
応用可能である(以下の実施例についても同様とす
る)。本実施例は請求項1及び2記載の発明に相当する
もので、まず、図1(b)に平面図で示すように、前方
のみに発光する2個の発光部10a,10bが所定間隔
をもって配列された半導体レーザアレイチップ10を有
する半導体レーザ11が設けられている。この半導体レ
ーザ11の前記発光部10a,10bから前方に出射さ
れる2本のレーザビーム10a1,10b1の光路上には、
図1(a)に示すように、コリメートレンズ12と、ビ
ームスプリッタ13と、窓14aを有するアパーチャ1
4と、シリンダレンズ15と、ポリゴンミラー16と、
fθレンズ系17とがドラム状の感光体18に向けて順
に配設されている。そして、前記半導体レーザ11から
出射された2本のレーザビーム10a1,10b1を前記コ
リメートレンズ12により2本の平行なビームに変え、
これらの平行ビームを前記ビームスプリッタ13により
透過又は反射させて2つ光路に分離させ、このビームス
プリッタ13を透過した2本の透過ビームをアパーチャ
14の窓14aにより2本の一定形状のビームに整形
し、これらの一定形状ビームの各々を前記シリンダレン
ズ15により副走査方向Yに圧縮した形で前記ポリゴン
ミラー16に入射させ、このポリゴンミラー16で反射
させることにより主走査方向Xに偏向走査させ、これら
2本の偏向走査ビームを前記fθレンズ系17により前
記感光体18上に収束結像させて2ラインの画像を同時
に記録する構造とされている。
【0022】また、前記ビームスプリッタ13で反射さ
れた2本の反射ビームの光路中には、これらの反射ビー
ムを分離収束させて前記発光部10a,10bの発光点
間隔より広い間隔で2個のビームスポットPa,Pbを
結像する収束レンズ(収束光学部材)19が配設されて
いる。この収束レンズ19により収束結像された各ビー
ムスポットPa,Pb位置には、各々独立した2個のフ
ォトダイオード(光量検出部)20a,20bが配設さ
れている。
れた2本の反射ビームの光路中には、これらの反射ビー
ムを分離収束させて前記発光部10a,10bの発光点
間隔より広い間隔で2個のビームスポットPa,Pbを
結像する収束レンズ(収束光学部材)19が配設されて
いる。この収束レンズ19により収束結像された各ビー
ムスポットPa,Pb位置には、各々独立した2個のフ
ォトダイオード(光量検出部)20a,20bが配設さ
れている。
【0023】このような構成において、半導体レーザ1
1の発光部10a,10bから出射された2本のレーザ
ビーム10a1,10b1は、コリメートレンズ12により
2本の平行なビームに変えられる。これらの平行なレー
ザビームはビームスプリッタ13に入射し、透過又は反
射されて2つの光路に分離される。片方の光路のレーザ
ビーム、即ち、ビームスプリッタ13を透過した2本の
レーザビームはアパーチャ14の窓14aにより一定形
状のビームに整形され、シリンダレンズ15により副走
査方向Yに圧縮された形でポリゴンミラー16に入射す
る。ここで、ポリゴンミラー16は正確な多角形に形成
されて複数の反射面を有しており、ポリゴンモータ(図
示せず)により一定方向に一定速度で回転している。よ
って、ポリゴンミラー16に入射した2本のレーザビー
ムはその各々の反射面で反射され、これらの反射された
2本のレーザビームはポリゴンミラー16の回転により
一定の角速度で主走査方向Xに偏向走査されてfθレン
ズ系17に入射する。このfθレンズ系17では、角速
度一定の2本のレーザビームを感光体18上で等速走査
するように変換するとともに、感光体18上で最小光点
となるようにビームスポットを結像し、さらにポリゴン
ミラー16の各反射面の面倒れ補正も行う。そして、感
光体18上を等速走査する2本のビームスポットは画像
データに基づいて光量の大小、オン・オフ制御がなさ
れ、感光体18上に画像を形成する。このようにして、
半導体レーザ11から出射された2本のレーザビーム1
0a1,10b1は、感光体18上で2個のビームスポット
となり、各々のビームスポットを独立して変調すること
により2ラインの画像が同時に記録されるようになって
いる。
1の発光部10a,10bから出射された2本のレーザ
ビーム10a1,10b1は、コリメートレンズ12により
2本の平行なビームに変えられる。これらの平行なレー
ザビームはビームスプリッタ13に入射し、透過又は反
射されて2つの光路に分離される。片方の光路のレーザ
ビーム、即ち、ビームスプリッタ13を透過した2本の
レーザビームはアパーチャ14の窓14aにより一定形
状のビームに整形され、シリンダレンズ15により副走
査方向Yに圧縮された形でポリゴンミラー16に入射す
る。ここで、ポリゴンミラー16は正確な多角形に形成
されて複数の反射面を有しており、ポリゴンモータ(図
示せず)により一定方向に一定速度で回転している。よ
って、ポリゴンミラー16に入射した2本のレーザビー
ムはその各々の反射面で反射され、これらの反射された
2本のレーザビームはポリゴンミラー16の回転により
一定の角速度で主走査方向Xに偏向走査されてfθレン
ズ系17に入射する。このfθレンズ系17では、角速
度一定の2本のレーザビームを感光体18上で等速走査
するように変換するとともに、感光体18上で最小光点
となるようにビームスポットを結像し、さらにポリゴン
ミラー16の各反射面の面倒れ補正も行う。そして、感
光体18上を等速走査する2本のビームスポットは画像
データに基づいて光量の大小、オン・オフ制御がなさ
れ、感光体18上に画像を形成する。このようにして、
半導体レーザ11から出射された2本のレーザビーム1
0a1,10b1は、感光体18上で2個のビームスポット
となり、各々のビームスポットを独立して変調すること
により2ラインの画像が同時に記録されるようになって
いる。
【0024】一方、ビームスプリッタ13で分離された
他方の光路のレーザビーム、即ち、ビームスプリッタ1
3で反射された2本のレーザビームは収束レンズ19に
より分離収束されてフォトダイオード20a,20b上
に2個のビームスポットPa,Pbを結像する。この
時、これらのビームスポットPa,Pbの間隔は、収束
レンズ19により半導体レーザアレイチップ10の発光
部10a,10bの間隔よりも広げられているので、発
光部10a,10bに対応する各々のレーザビームの光
量が受光素子20a,20bで独立して検出されること
になる。
他方の光路のレーザビーム、即ち、ビームスプリッタ1
3で反射された2本のレーザビームは収束レンズ19に
より分離収束されてフォトダイオード20a,20b上
に2個のビームスポットPa,Pbを結像する。この
時、これらのビームスポットPa,Pbの間隔は、収束
レンズ19により半導体レーザアレイチップ10の発光
部10a,10bの間隔よりも広げられているので、発
光部10a,10bに対応する各々のレーザビームの光
量が受光素子20a,20bで独立して検出されること
になる。
【0025】このように、本実施例では、発光部10
a,10bから出射されたレーザビーム10a1,10b1
の各々に対して独立したフォトダイオード20a,20
bを配置することにより、発光部10a,10bの発光
量をリアルタイムに検出することが可能となる。これに
より、素子の温度変化による発光量の変化を抑え、印字
画像濃度を安定させることが可能となる。
a,10bから出射されたレーザビーム10a1,10b1
の各々に対して独立したフォトダイオード20a,20
bを配置することにより、発光部10a,10bの発光
量をリアルタイムに検出することが可能となる。これに
より、素子の温度変化による発光量の変化を抑え、印字
画像濃度を安定させることが可能となる。
【0026】また、受光素子20a,20b上に各々収
束結像されるビームスポットPa,Pbの間隔を半導体
レーザアレイチップ10の発光部10a,10bの間隔
よりも広げることで、光量検出時のクロストーク(図9
参照)を抑え、良好な発光量制御が可能となる。
束結像されるビームスポットPa,Pbの間隔を半導体
レーザアレイチップ10の発光部10a,10bの間隔
よりも広げることで、光量検出時のクロストーク(図9
参照)を抑え、良好な発光量制御が可能となる。
【0027】さらに、従来のように半導体レーザ11に
光量検出用のフォトダイオードを内蔵していないので、
半導体レーザアレイチップ10の後方にモニタ用レーザ
ビームを出射する必要がなくなる。よって、半導体レー
ザアレイチップ10の後方に出射されたモニタ用レーザ
ビームが前方に漏れてフレアが発生することがなくな
り、しかも、全てのレーザビームを半導体レーザアレイ
チップ10の前方に取出せるため、半導体レーザ11の
効率を上げることが可能となる。
光量検出用のフォトダイオードを内蔵していないので、
半導体レーザアレイチップ10の後方にモニタ用レーザ
ビームを出射する必要がなくなる。よって、半導体レー
ザアレイチップ10の後方に出射されたモニタ用レーザ
ビームが前方に漏れてフレアが発生することがなくな
り、しかも、全てのレーザビームを半導体レーザアレイ
チップ10の前方に取出せるため、半導体レーザ11の
効率を上げることが可能となる。
【0028】次に、本発明の第二の実施例を図2に基づ
いて説明する。なお、図1,図8及び図9において説明
した部分と同一部分は同一符号で示し、説明も省略す
る。本実施例は請求項1及び5記載の発明に相当するも
ので、図1に示したビームスプリッタ13と収束レンズ
19とフォトダイオード20a,20bとを無くすると
ともに、半導体レーザ11に代えて、図8に示した半導
体レーザ9を基本構造とする半導体レーザ21を用いる
ようにしたものである。即ち、図2は本実施例に用いる
半導体レーザ21の構造を示すもので、半導体レーザ2
1には、半導体レーザアレイチップ4の後方に位置させ
て、前後方向に発光する発光部4a,4bに対して各々
独立した2個のマイクロレンズ(収束光学部材)22
a,22bが内蔵されている。そして、これらのマイク
ロレンズ22a,22bにより前記発光部4a,4bか
ら後方に出射された2本のモニタ用レーザビーム4a1,
4b1の各々の発散角を絞って2個のビームスポットP
a,Pbを結像させ、これらのビームスポットPa,P
b位置に各々独立したフォトダイオード(光量検出部)
5a,5bを配置した構造とされている。
いて説明する。なお、図1,図8及び図9において説明
した部分と同一部分は同一符号で示し、説明も省略す
る。本実施例は請求項1及び5記載の発明に相当するも
ので、図1に示したビームスプリッタ13と収束レンズ
19とフォトダイオード20a,20bとを無くすると
ともに、半導体レーザ11に代えて、図8に示した半導
体レーザ9を基本構造とする半導体レーザ21を用いる
ようにしたものである。即ち、図2は本実施例に用いる
半導体レーザ21の構造を示すもので、半導体レーザ2
1には、半導体レーザアレイチップ4の後方に位置させ
て、前後方向に発光する発光部4a,4bに対して各々
独立した2個のマイクロレンズ(収束光学部材)22
a,22bが内蔵されている。そして、これらのマイク
ロレンズ22a,22bにより前記発光部4a,4bか
ら後方に出射された2本のモニタ用レーザビーム4a1,
4b1の各々の発散角を絞って2個のビームスポットP
a,Pbを結像させ、これらのビームスポットPa,P
b位置に各々独立したフォトダイオード(光量検出部)
5a,5bを配置した構造とされている。
【0029】このような構成において、半導体レーザア
レイチップ4から前方に出射された2本のレーザビーム
4a2,4b2は、コリメートレンズ12により2本の平行
なビームに変えられる。これらの平行なレーザビームは
アパーチャ14の窓14aにより一定形状のビームに整
形されてシリンダレンズ15に入射する。このシリンダ
レンズ15に入射した2本のレーザビームは、図1に示
した前記実施例と同様の過程を経て感光体18上に収束
結像し、感光体18上に2ラインの画像を同時に記録す
る。
レイチップ4から前方に出射された2本のレーザビーム
4a2,4b2は、コリメートレンズ12により2本の平行
なビームに変えられる。これらの平行なレーザビームは
アパーチャ14の窓14aにより一定形状のビームに整
形されてシリンダレンズ15に入射する。このシリンダ
レンズ15に入射した2本のレーザビームは、図1に示
した前記実施例と同様の過程を経て感光体18上に収束
結像し、感光体18上に2ラインの画像を同時に記録す
る。
【0030】一方、半導体レーザアレイチップ4の各発
光部4a,4bから後方に出射された2本のモニタ用レ
ーザビーム4a1,4b1は、マイクロレンズ22a,22
bを透過して各フォトダイオード5a,5bに入射す
る。この時、これらのモニタ用レーザビーム4a1,4b1
は、マイクロレンズ22a,22bにより発散角が絞ら
れてフォトダイオード5a,5b上にビームスポットP
a,Pbを結像するので、隣接するフォトダイオード5
a,5bにモニタ用レーザビーム4a1,4b1が漏れるこ
となく、モニタ用レーザビーム4a1,4b1を別々に受光
することが可能となる。
光部4a,4bから後方に出射された2本のモニタ用レ
ーザビーム4a1,4b1は、マイクロレンズ22a,22
bを透過して各フォトダイオード5a,5bに入射す
る。この時、これらのモニタ用レーザビーム4a1,4b1
は、マイクロレンズ22a,22bにより発散角が絞ら
れてフォトダイオード5a,5b上にビームスポットP
a,Pbを結像するので、隣接するフォトダイオード5
a,5bにモニタ用レーザビーム4a1,4b1が漏れるこ
となく、モニタ用レーザビーム4a1,4b1を別々に受光
することが可能となる。
【0031】このように、本実施例では、発光部4a,
4bから後方に出射されたモニタ用レーザビーム4a1,
4b1の各々に対して独立したフォトダイオード5a,5
bをを半導体レーザ21に内蔵しているので、発光部4
a,4bの発光量をリアルタイムに検出することが可能
となる。これにより、素子の温度変化による発光量の変
化を抑え、画像印字濃度を安定させることが可能とな
る。
4bから後方に出射されたモニタ用レーザビーム4a1,
4b1の各々に対して独立したフォトダイオード5a,5
bをを半導体レーザ21に内蔵しているので、発光部4
a,4bの発光量をリアルタイムに検出することが可能
となる。これにより、素子の温度変化による発光量の変
化を抑え、画像印字濃度を安定させることが可能とな
る。
【0032】この際、フォトダイオード5a,5bで受
光するモニタ用レーザビーム4a1,4b1がマイクロレン
ズ22a,22bで絞られているため、フォトダイオー
ド5a,5bの受光効率が上がりフォトダイオード5
a,5bの小型化を図り得るものとなり、しかも、光量
検出時のクロストークを抑え、良好な発光量制御を行う
ことが可能となる。
光するモニタ用レーザビーム4a1,4b1がマイクロレン
ズ22a,22bで絞られているため、フォトダイオー
ド5a,5bの受光効率が上がりフォトダイオード5
a,5bの小型化を図り得るものとなり、しかも、光量
検出時のクロストークを抑え、良好な発光量制御を行う
ことが可能となる。
【0033】次に、本発明の第三の実施例を図3及び図
4に基づいて説明する。なお、図1において説明した部
分と同一部分については同一符号で示し、説明も省略す
る。本実施例は請求項1及び3記載の発明に相当するも
ので、図1(b)に示した2個の発光部10a,10b
からなる半導体レーザアレイチップ10に加え、図4に
示すように、この半導体レーザアレイチップ10の近傍
に前記各発光部10a,10bに対応した2個のフォト
ダイオード(図示せず)を有する光量検出部23が内蔵
された半導体レーザ24を用いるようにしたものであ
る。そして、図3に示すように、前記半導体レーザ24
から出射された2本のレーザビーム10a1,10b1の光
路上には、収束光学部材25と、窓14aを有するアパ
ーチャ14と、シリンダレンズ15と、ポリゴンミラー
16と、fθレンズ系17とがドラム状の感光体18に
向けて順に配設されている。この場合、前記収束光学部
材25は、図4に示すように、半導体レーザ24から出
射された2本のレーザビーム(10a1,10b1)C1を
2本の平行なビームに変えるコリメートレンズ12と、
このコリメートレンズ12により平行とされた各平行ビ
ームC1の光路中にこれらの各平行ビームC1の光軸に
垂直な面に対して傾けて配置されるとともに前記各平行
ビームC1の一部を前記コリメートレンズ12側に反射
させる平面状のハーフミラー26とからなっている。こ
こに、前記ハーフミラー26で前記各平行ビームC1の
一部を反射させ、これらn本の反射ビームC2を前記コ
リメートレンズ12により半導体レーザアレイチップ1
0の近傍に収束させて前記光量検出部23内の2個のフ
ォトダイオードの各々に対して独立した2個のビームス
ポットPを結像する構造とされている。
4に基づいて説明する。なお、図1において説明した部
分と同一部分については同一符号で示し、説明も省略す
る。本実施例は請求項1及び3記載の発明に相当するも
ので、図1(b)に示した2個の発光部10a,10b
からなる半導体レーザアレイチップ10に加え、図4に
示すように、この半導体レーザアレイチップ10の近傍
に前記各発光部10a,10bに対応した2個のフォト
ダイオード(図示せず)を有する光量検出部23が内蔵
された半導体レーザ24を用いるようにしたものであ
る。そして、図3に示すように、前記半導体レーザ24
から出射された2本のレーザビーム10a1,10b1の光
路上には、収束光学部材25と、窓14aを有するアパ
ーチャ14と、シリンダレンズ15と、ポリゴンミラー
16と、fθレンズ系17とがドラム状の感光体18に
向けて順に配設されている。この場合、前記収束光学部
材25は、図4に示すように、半導体レーザ24から出
射された2本のレーザビーム(10a1,10b1)C1を
2本の平行なビームに変えるコリメートレンズ12と、
このコリメートレンズ12により平行とされた各平行ビ
ームC1の光路中にこれらの各平行ビームC1の光軸に
垂直な面に対して傾けて配置されるとともに前記各平行
ビームC1の一部を前記コリメートレンズ12側に反射
させる平面状のハーフミラー26とからなっている。こ
こに、前記ハーフミラー26で前記各平行ビームC1の
一部を反射させ、これらn本の反射ビームC2を前記コ
リメートレンズ12により半導体レーザアレイチップ1
0の近傍に収束させて前記光量検出部23内の2個のフ
ォトダイオードの各々に対して独立した2個のビームス
ポットPを結像する構造とされている。
【0034】このような構成において、図4に示すよう
に、半導体レーザアレイチップ10から前方に出射され
た2本のレーザビームC1は、コリメートレンズ12に
より2本の平行なビームに変えられる。これらの平行な
レーザビームC1は平面状のハーフミラー26に入射
し、一部のレーザビームC2はハーフミラー26で反射
されて入射方向に戻る。また、ハーフミラー26を透過
したレーザビームC1はアパーチャ14に入射し、アパ
ーチャ14の窓14aにより一定形状のビームに整形さ
れてシリンダレンズ15に入射する。このシリンダレン
ズ15に入射した2本のレーザビームC1は、図1に示
した前記実施例と同様の過程を経て感光体18上に収束
結像し、感光体18上に2ラインの画像を同時に記録す
る。
に、半導体レーザアレイチップ10から前方に出射され
た2本のレーザビームC1は、コリメートレンズ12に
より2本の平行なビームに変えられる。これらの平行な
レーザビームC1は平面状のハーフミラー26に入射
し、一部のレーザビームC2はハーフミラー26で反射
されて入射方向に戻る。また、ハーフミラー26を透過
したレーザビームC1はアパーチャ14に入射し、アパ
ーチャ14の窓14aにより一定形状のビームに整形さ
れてシリンダレンズ15に入射する。このシリンダレン
ズ15に入射した2本のレーザビームC1は、図1に示
した前記実施例と同様の過程を経て感光体18上に収束
結像し、感光体18上に2ラインの画像を同時に記録す
る。
【0035】ここで、仮に、コリメートレンズ12を透
過した2本の平行なレーザビームC1の光軸に対して垂
直にハーフミラー26を配置したとすれば、コリメート
レンズ12を透過した2本の平行なレーザビームC1は
ハーフミラー26で反射されてコリメートレンズ12を
もう一度透過し、半導体レーザアレイチップ10の2個
の発光部10a,10bに収束され、各々の発光部10
a,10bの位置にビームスポットを結ぶことになる。
そこで、本実施例では、コリメートレンズ12を透過し
た2本の平行なレーザビームC1の光軸に垂直な面に対
してハーフミラー26を傾けることにより、ハーフミラ
ー26で反射された一部のレーザビームC2がコリメー
トレンズ12で収束結像するビームスポットの位置を変
え、半導体レーザアレイチップ10の近傍に2個のビー
ムスポットPを結像させるようにしている。よって、こ
れらのビームスポットP位置で光量検出部23によって
発光部10a,10b毎に独立した発光量を検出するこ
とにより、2個の発光部10a,10bから出射される
レーザビームC1の光量を独立に検出することが可能と
なる。
過した2本の平行なレーザビームC1の光軸に対して垂
直にハーフミラー26を配置したとすれば、コリメート
レンズ12を透過した2本の平行なレーザビームC1は
ハーフミラー26で反射されてコリメートレンズ12を
もう一度透過し、半導体レーザアレイチップ10の2個
の発光部10a,10bに収束され、各々の発光部10
a,10bの位置にビームスポットを結ぶことになる。
そこで、本実施例では、コリメートレンズ12を透過し
た2本の平行なレーザビームC1の光軸に垂直な面に対
してハーフミラー26を傾けることにより、ハーフミラ
ー26で反射された一部のレーザビームC2がコリメー
トレンズ12で収束結像するビームスポットの位置を変
え、半導体レーザアレイチップ10の近傍に2個のビー
ムスポットPを結像させるようにしている。よって、こ
れらのビームスポットP位置で光量検出部23によって
発光部10a,10b毎に独立した発光量を検出するこ
とにより、2個の発光部10a,10bから出射される
レーザビームC1の光量を独立に検出することが可能と
なる。
【0036】このように、本実施例では、発光部10
a,10bから出射されたレーザビームC1の各々に対
して独立したフォトダイオードを有する光量検出部23
を半導体レーザ24に内蔵しているので、発光部10
a,10bの発光量をリアルタイムに検出することが可
能となる。これにより、素子の温度変化による発光量の
変化を抑え、画像印字濃度を安定させることが可能とな
る。
a,10bから出射されたレーザビームC1の各々に対
して独立したフォトダイオードを有する光量検出部23
を半導体レーザ24に内蔵しているので、発光部10
a,10bの発光量をリアルタイムに検出することが可
能となる。これにより、素子の温度変化による発光量の
変化を抑え、画像印字濃度を安定させることが可能とな
る。
【0037】この際、光量検出部23で受光するレーザ
ビームC2がコリメートレンズ12で収束結像されてい
るため、光量検出部23の小型化を図り得るものとな
り、しかも、光量検出時のクロストークを抑え、良好な
発光量制御を行うことが可能となる。
ビームC2がコリメートレンズ12で収束結像されてい
るため、光量検出部23の小型化を図り得るものとな
り、しかも、光量検出時のクロストークを抑え、良好な
発光量制御を行うことが可能となる。
【0038】また、半導体レーザ24に光量検出部23
を内蔵していても半導体レーザアレイチップ10の後方
にモニタ用レーザビームを出射する必要がなく、半導体
レーザアレイチップ10の後方に出射されたモニタ用レ
ーザビームが前方に漏れてフレアが発生することを防止
することが可能となる。しかも、全てのレーザビームを
半導体レーザアレイチップ10の前方に取出せるため、
半導体レーザ24の効率を上げることが可能となる。
を内蔵していても半導体レーザアレイチップ10の後方
にモニタ用レーザビームを出射する必要がなく、半導体
レーザアレイチップ10の後方に出射されたモニタ用レ
ーザビームが前方に漏れてフレアが発生することを防止
することが可能となる。しかも、全てのレーザビームを
半導体レーザアレイチップ10の前方に取出せるため、
半導体レーザ24の効率を上げることが可能となる。
【0039】さらに、コリメートレンズ12を収束レン
ズ(集光レンズ)と兼用することで、レーザ記録装置の
構造が簡単となる。
ズ(集光レンズ)と兼用することで、レーザ記録装置の
構造が簡単となる。
【0040】次に、本発明の第四の実施例を図5及び図
6に基づいて説明する。なお、図3及び図4において説
明した部分と同一部分は同一符号で示し、説明も省略す
る。本実施例は請求項1及び4記載の発明に相当するも
ので、図4に示した半導体レーザ24を用いるようにし
たものである。そして、図5に示すように、前記半導体
レーザ24から出射された2本のレーザビーム10a1,
10b1の光路上には、収束光学部材27と、シリンダレ
ンズ15と、ポリゴンミラー16と、fθレンズ系17
とがドラム状の感光体18に向けて順に配設されてい
る。この場合、前記収束光学部材27は、図6に示すよ
うに、半導体レーザ24から出射された2本のレーザビ
ーム(10a1,10b1)C1を2本の平行なビームに変
えるコリメートレンズ12と、このコリメートレンズ1
2により平行とされた前記各平行ビームC1の光路中に
これらの各平行ビームC1の光軸に垂直な面に対して傾
けて配置されるとともに窓28aと前記コリメートレン
ズ12側の反射鏡28bとを有するアパーチャ28とか
らなっている。これにより、図6に示すように、前記ア
パーチャ28の反射鏡28bで前記コリメートレンズ1
2を透過した2本の平行ビームC1の一部を反射させ、
これら2本の反射ビームC2を再び前記コリメートレン
ズ12を透過させることにより半導体レーザアレイチッ
プ10の近傍に収束させて前記光量検出部23の2個の
フォトダイオード(図示せず)の各々に対して独立した
2個のビームスポットPを結像する構造とされている。
6に基づいて説明する。なお、図3及び図4において説
明した部分と同一部分は同一符号で示し、説明も省略す
る。本実施例は請求項1及び4記載の発明に相当するも
ので、図4に示した半導体レーザ24を用いるようにし
たものである。そして、図5に示すように、前記半導体
レーザ24から出射された2本のレーザビーム10a1,
10b1の光路上には、収束光学部材27と、シリンダレ
ンズ15と、ポリゴンミラー16と、fθレンズ系17
とがドラム状の感光体18に向けて順に配設されてい
る。この場合、前記収束光学部材27は、図6に示すよ
うに、半導体レーザ24から出射された2本のレーザビ
ーム(10a1,10b1)C1を2本の平行なビームに変
えるコリメートレンズ12と、このコリメートレンズ1
2により平行とされた前記各平行ビームC1の光路中に
これらの各平行ビームC1の光軸に垂直な面に対して傾
けて配置されるとともに窓28aと前記コリメートレン
ズ12側の反射鏡28bとを有するアパーチャ28とか
らなっている。これにより、図6に示すように、前記ア
パーチャ28の反射鏡28bで前記コリメートレンズ1
2を透過した2本の平行ビームC1の一部を反射させ、
これら2本の反射ビームC2を再び前記コリメートレン
ズ12を透過させることにより半導体レーザアレイチッ
プ10の近傍に収束させて前記光量検出部23の2個の
フォトダイオード(図示せず)の各々に対して独立した
2個のビームスポットPを結像する構造とされている。
【0041】このような構成において、図6に示すよう
に、半導体レーザアレイチップ10から前方に出射され
た2本のレーザビームC1は、コリメートレンズ12に
より2本の平行なビームに変えられる。これらの平行な
レーザビームC1はアパーチャ28に入射し、アパーチ
ャ28の窓28aにより一定形状のビームに整形されて
シリンダレンズ15に入射する。このシリンダレンズ1
5に入射した2本のレーザビームC1は、図1に示した
前記実施例と同様の過程を経て感光体18上に収束結像
し、感光体18上に2ラインの画像を同時に記録する。
に、半導体レーザアレイチップ10から前方に出射され
た2本のレーザビームC1は、コリメートレンズ12に
より2本の平行なビームに変えられる。これらの平行な
レーザビームC1はアパーチャ28に入射し、アパーチ
ャ28の窓28aにより一定形状のビームに整形されて
シリンダレンズ15に入射する。このシリンダレンズ1
5に入射した2本のレーザビームC1は、図1に示した
前記実施例と同様の過程を経て感光体18上に収束結像
し、感光体18上に2ラインの画像を同時に記録する。
【0042】一方、アパーチャ28の入射側の面は反射
鏡28bになっているため、コリメートレンズ12を透
過した2本の平行なレーザビームC1の内、窓28aを
通らないレーザビームC2は、反射鏡28bで反射され
て入射方向に戻る。この場合、アパーチャ28の窓28
aを通るレーザビームC1は、装置によって異なるが、
50%程度であり、残りの約50%のレーザビームC2
が反射されることになる。今、コリメートレンズ12を
透過した2本の平行なレーザビームC1の光軸に対して
垂直にアパーチャ28を配置したとすれば、反射鏡28
bで反射された一部のレーザビームC2はコリメートレ
ンズ12をもう一度透過し、半導体レーザアレイチップ
10の2個の発光部10a,10bに収束され、各々の
発光部10a,10bの位置にビームスポットを結ぶこ
とになる。そこで、本実施例では、コリメートレンズ1
2を透過した2本の平行なレーザビームC1の光軸に垂
直な面に対してアパーチャ28を傾けることにより、反
射鏡28bで反射されたレーザビームC2がコリメート
レンズ12で収束結像するビームスポットの位置を変
え、半導体レーザアレイチップ10の近傍に2個のビー
ムスポットPを結像させるようにしている。よって、こ
れらのビームスポットP位置で光量検出部23によって
発光部10a,10b毎に独立した発光量を検出するこ
とにより、2個の発光部10a,10bから出射される
レーザビームC1の光量を独立に検出することが可能と
なる。
鏡28bになっているため、コリメートレンズ12を透
過した2本の平行なレーザビームC1の内、窓28aを
通らないレーザビームC2は、反射鏡28bで反射され
て入射方向に戻る。この場合、アパーチャ28の窓28
aを通るレーザビームC1は、装置によって異なるが、
50%程度であり、残りの約50%のレーザビームC2
が反射されることになる。今、コリメートレンズ12を
透過した2本の平行なレーザビームC1の光軸に対して
垂直にアパーチャ28を配置したとすれば、反射鏡28
bで反射された一部のレーザビームC2はコリメートレ
ンズ12をもう一度透過し、半導体レーザアレイチップ
10の2個の発光部10a,10bに収束され、各々の
発光部10a,10bの位置にビームスポットを結ぶこ
とになる。そこで、本実施例では、コリメートレンズ1
2を透過した2本の平行なレーザビームC1の光軸に垂
直な面に対してアパーチャ28を傾けることにより、反
射鏡28bで反射されたレーザビームC2がコリメート
レンズ12で収束結像するビームスポットの位置を変
え、半導体レーザアレイチップ10の近傍に2個のビー
ムスポットPを結像させるようにしている。よって、こ
れらのビームスポットP位置で光量検出部23によって
発光部10a,10b毎に独立した発光量を検出するこ
とにより、2個の発光部10a,10bから出射される
レーザビームC1の光量を独立に検出することが可能と
なる。
【0043】このように、本実施例では、発光部10
a,10bから出射されたレーザビームC1の各々に対
して独立したフォトダイオードを有する光量検出部23
を半導体レーザ24に内蔵しているので、発光部10
a,10bの発光量をリアルタイムに検出することが可
能となる。これにより、素子の温度変化による発光量の
変化を抑え、画像印字濃度を安定させることが可能とな
る。
a,10bから出射されたレーザビームC1の各々に対
して独立したフォトダイオードを有する光量検出部23
を半導体レーザ24に内蔵しているので、発光部10
a,10bの発光量をリアルタイムに検出することが可
能となる。これにより、素子の温度変化による発光量の
変化を抑え、画像印字濃度を安定させることが可能とな
る。
【0044】この際、光量検出部23で受光するレーザ
ビームC2がコリメートレンズ12で収束されているた
め、光量検出部23の小型化を図り得るものとなり、し
かも、光量検出時のクロストークを抑え、良好な発光量
制御を行うことが可能となる。
ビームC2がコリメートレンズ12で収束されているた
め、光量検出部23の小型化を図り得るものとなり、し
かも、光量検出時のクロストークを抑え、良好な発光量
制御を行うことが可能となる。
【0045】また、半導体レーザ24に光量検出部23
を内蔵していても従来のように半導体レーザアレイチッ
プ10の後方にモニタ用レーザビームを出射する必要が
なく、半導体レーザアレイチップ10の後方に出射され
たモニタ用レーザビームが前方に漏れてフレアが発生す
ることを防止することが可能となり、しかも、全てのレ
ーザビームを半導体レーザアレイチップ10の前方に取
出せるため、半導体レーザ24の効率を上げることが可
能となる。
を内蔵していても従来のように半導体レーザアレイチッ
プ10の後方にモニタ用レーザビームを出射する必要が
なく、半導体レーザアレイチップ10の後方に出射され
たモニタ用レーザビームが前方に漏れてフレアが発生す
ることを防止することが可能となり、しかも、全てのレ
ーザビームを半導体レーザアレイチップ10の前方に取
出せるため、半導体レーザ24の効率を上げることが可
能となる。
【0046】さらに、コリメートレンズ12を収束レン
ズ(集光レンズ)と兼用するとともにアパーチャ28と
反射鏡28bとを一体化することで、図3及び図4に示
した前記実施例に比べ、レーザ記録装置の構造が一層簡
単となる。しかも、従来では使用しなかったアパーチャ
28の窓28aで切られたレーザビームC2をモニタ用
のビームとして使用することで、レーザビームの利用効
率を上げることが可能となる。
ズ(集光レンズ)と兼用するとともにアパーチャ28と
反射鏡28bとを一体化することで、図3及び図4に示
した前記実施例に比べ、レーザ記録装置の構造が一層簡
単となる。しかも、従来では使用しなかったアパーチャ
28の窓28aで切られたレーザビームC2をモニタ用
のビームとして使用することで、レーザビームの利用効
率を上げることが可能となる。
【0047】
【発明の効果】n個の発光部が所定間隔をもって配列さ
れた半導体レーザアレイチップを有する半導体レーザか
ら画像信号に応じて出射されたn本のレーザビームをポ
リゴンミラーで反射させて主走査方向に偏向走査させ、
これらn本の偏向走査ビームをfθレンズ系により感光
体上に収束結像させてnラインの画像を同時に記録する
ようにしたレーザ記録装置において、請求項1記載の発
明によれば、前記半導体レーザから出射された前記各レ
ーザビームの一部を収束させてn個のビームスポットを
結像する収束光学部材を設け、この収束光学部材により
収束結像された各ビームスポット位置に各々独立したn
個の光量検出部を配設し、これらの光量検出部によって
各発光部毎に独立した発光量を検出するようにしたの
で、発光部の各々の発光量をリアルタイムに検出するこ
とができ、これにより、素子の温度変化による発光部の
発光量の変化を抑え、画像印字濃度を安定させることが
できるものである。
れた半導体レーザアレイチップを有する半導体レーザか
ら画像信号に応じて出射されたn本のレーザビームをポ
リゴンミラーで反射させて主走査方向に偏向走査させ、
これらn本の偏向走査ビームをfθレンズ系により感光
体上に収束結像させてnラインの画像を同時に記録する
ようにしたレーザ記録装置において、請求項1記載の発
明によれば、前記半導体レーザから出射された前記各レ
ーザビームの一部を収束させてn個のビームスポットを
結像する収束光学部材を設け、この収束光学部材により
収束結像された各ビームスポット位置に各々独立したn
個の光量検出部を配設し、これらの光量検出部によって
各発光部毎に独立した発光量を検出するようにしたの
で、発光部の各々の発光量をリアルタイムに検出するこ
とができ、これにより、素子の温度変化による発光部の
発光量の変化を抑え、画像印字濃度を安定させることが
できるものである。
【0048】具体的に、請求項2記載の発明によれば、
半導体レーザとポリゴンミラーとの間に前記半導体レー
ザから出射されたn本のレーザビームをn本の平行ビー
ムに変えるコリメートレンズと前記各平行ビームの一部
を分離させるビームスプリッタとを配設し、このビーム
スプリッタで分離されたn本の分離ビームの光路中にこ
れらの分離ビームを分離収束させて発光部の発光点間隔
より広い間隔でn個のビームスポットを結像する収束光
学部材を配設し、この収束光学部材により収束結像され
た各ビームスポット位置に各々独立したn個の光量検出
部を配設し、n個の発光部の発光点間隔より広げた間隔
で配置されたn個の光量検出部によって各発光部毎に独
立した発光量を検出するようにしたので、発光部の各々
の発光量をリアルタイムに検出することができ、これに
より、素子の温度変化による発光部の発光量の変化を抑
え、画像印字濃度を安定させることができ、この際、各
光量検出部で受光するレーザビームの間隔が収束光学部
材により発光部の発光点間隔より広げられているため、
光量検出時のクロストークを抑え、良好な発光量制御を
行い得るものとなり、また、従来のように半導体レーザ
11に光量検出部を内蔵していないので、半導体レーザ
アレイチップの後方にモニタ用レーザビームを出射する
必要がなく、半導体レーザアレイチップの後方に出射さ
れたモニタ用レーザビームが前方に漏れてフレアが発生
することを防止でき、しかも、全てのレーザビームを半
導体レーザアレイチップの前方に取出せるため、半導体
レーザの効率を上げることができるものである。
半導体レーザとポリゴンミラーとの間に前記半導体レー
ザから出射されたn本のレーザビームをn本の平行ビー
ムに変えるコリメートレンズと前記各平行ビームの一部
を分離させるビームスプリッタとを配設し、このビーム
スプリッタで分離されたn本の分離ビームの光路中にこ
れらの分離ビームを分離収束させて発光部の発光点間隔
より広い間隔でn個のビームスポットを結像する収束光
学部材を配設し、この収束光学部材により収束結像され
た各ビームスポット位置に各々独立したn個の光量検出
部を配設し、n個の発光部の発光点間隔より広げた間隔
で配置されたn個の光量検出部によって各発光部毎に独
立した発光量を検出するようにしたので、発光部の各々
の発光量をリアルタイムに検出することができ、これに
より、素子の温度変化による発光部の発光量の変化を抑
え、画像印字濃度を安定させることができ、この際、各
光量検出部で受光するレーザビームの間隔が収束光学部
材により発光部の発光点間隔より広げられているため、
光量検出時のクロストークを抑え、良好な発光量制御を
行い得るものとなり、また、従来のように半導体レーザ
11に光量検出部を内蔵していないので、半導体レーザ
アレイチップの後方にモニタ用レーザビームを出射する
必要がなく、半導体レーザアレイチップの後方に出射さ
れたモニタ用レーザビームが前方に漏れてフレアが発生
することを防止でき、しかも、全てのレーザビームを半
導体レーザアレイチップの前方に取出せるため、半導体
レーザの効率を上げることができるものである。
【0049】また、請求項3記載の発明によれば、半導
体レーザとポリゴンミラーとの間に、前記半導体レーザ
から出射されたn本のレーザビームをn本の平行ビーム
に変えるコリメートレンズと、前記各平行ビームの光軸
に垂直な面に対して傾けて配置されるとともにこれらの
各平行ビームの一部を前記コリメートレンズ側に反射さ
せるハーフミラーとを備え、このハーフミラーで反射さ
れたn本の反射ビームを前記コリメートレンズにより前
記半導体レーザ内部の半導体レーザアレイチップの近傍
に分離収束させてn個のビームスポットを結像する収束
光学部材を設け、この収束光学部材により収束結像され
た各ビームスポット位置に各々独立したn個の光量検出
部を配設し、半導体レーザに内蔵されたn個の光量検出
部によって各発光部毎に独立した発光量を検出するよう
にしたので、発光部の各々の発光量をリアルタイムに検
出することができ、これにより、素子の温度変化による
発光部の発光量の変化を抑え、画像印字濃度を安定させ
ることができ、この際、各光量検出部で受光するレーザ
ビームがコリメートレンズで収束されているため、光量
検出部の小型化を図り得るものとなり、しかも、光量検
出時のクロストークを抑え、良好な発光量制御を行うこ
とができ、また、半導体レーザに光量検出部を内蔵して
いても半導体レーザアレイチップの後方にモニタ用レー
ザビームを出射する必要がないため、半導体レーザアレ
イチップの後方に出射されたモニタ用レーザビームが前
方に漏れてフレアが発生することを防止することが可能
となり、しかも、全てのレーザビームを半導体レーザア
レイチップの前方に取出せるため、半導体レーザの効率
を上げることができ、さらに、コリメートレンズを収束
レンズと兼用することで、レーザ記録装置を簡単な構造
にすることができるものである。
体レーザとポリゴンミラーとの間に、前記半導体レーザ
から出射されたn本のレーザビームをn本の平行ビーム
に変えるコリメートレンズと、前記各平行ビームの光軸
に垂直な面に対して傾けて配置されるとともにこれらの
各平行ビームの一部を前記コリメートレンズ側に反射さ
せるハーフミラーとを備え、このハーフミラーで反射さ
れたn本の反射ビームを前記コリメートレンズにより前
記半導体レーザ内部の半導体レーザアレイチップの近傍
に分離収束させてn個のビームスポットを結像する収束
光学部材を設け、この収束光学部材により収束結像され
た各ビームスポット位置に各々独立したn個の光量検出
部を配設し、半導体レーザに内蔵されたn個の光量検出
部によって各発光部毎に独立した発光量を検出するよう
にしたので、発光部の各々の発光量をリアルタイムに検
出することができ、これにより、素子の温度変化による
発光部の発光量の変化を抑え、画像印字濃度を安定させ
ることができ、この際、各光量検出部で受光するレーザ
ビームがコリメートレンズで収束されているため、光量
検出部の小型化を図り得るものとなり、しかも、光量検
出時のクロストークを抑え、良好な発光量制御を行うこ
とができ、また、半導体レーザに光量検出部を内蔵して
いても半導体レーザアレイチップの後方にモニタ用レー
ザビームを出射する必要がないため、半導体レーザアレ
イチップの後方に出射されたモニタ用レーザビームが前
方に漏れてフレアが発生することを防止することが可能
となり、しかも、全てのレーザビームを半導体レーザア
レイチップの前方に取出せるため、半導体レーザの効率
を上げることができ、さらに、コリメートレンズを収束
レンズと兼用することで、レーザ記録装置を簡単な構造
にすることができるものである。
【0050】さらに、請求項4記載の発明によれば、半
導体レーザとポリゴンミラーとの間に、前記半導体レー
ザから出射されたn本のレーザビームをn本の平行ビー
ムに変えるコリメートレンズと、前記各平行ビームの光
軸に垂直な面に対して傾けて配置されるとともにこれら
の各平行ビームをn本の一定形状のビームに整形し通過
させる窓とこの窓を通過しない前記各平行ビームを前記
コリメートレンズ側に反射させる反射鏡とよりなるアパ
ーチャとを備え、前記反射鏡で反射されたn本の反射ビ
ームを前記コリメートレンズにより前記半導体レーザ内
部の半導体レーザアレイチップの近傍に分離収束させて
n個のビームスポットを結像させる収束光学部材を設
け、この収束光学部材により収束結像された各ビームス
ポット位置に各々独立したn個の光量検出部を配設し、
半導体レーザに内蔵されたn個の光量検出部によって各
発光部毎に独立した発光量を検出するようにしたので、
発光部の各々の発光量をリアルタイムに検出することが
でき、これにより、素子の温度変化による発光部の発光
量の変化を抑え、画像印字濃度を安定させることがで
き、この際、各光量検出部で受光するレーザビームがコ
リメートレンズで収束されているため、光量検出部の小
型化を図り得るものとなり、しかも、光量検出時のクロ
ストークを抑え、良好な発光量制御を行うことができ、
また、半導体レーザに光量検出部を内蔵していても半導
体レーザアレイチップの後方にモニタ用レーザビームを
出射する必要がなく、半導体レーザアレイチップの後方
に出射されたモニタ用レーザビームが前方に漏れてフレ
アが発生することを防止することが可能となり、しか
も、全てのレーザビームを半導体レーザアレイチップの
前方に取出せるため、半導体レーザの効率を上げること
ができ、さらに、コリメートレンズを収束レンズと兼用
するとともにアパーチャと反射鏡とを一体化すること
で、レーザ記録装置を一層簡単な構造にすることがで
き、しかも、従来では使用しなかったアパーチャの窓で
切られたレーザビームをモニタ用のビームとして使用す
ることで、レーザビームの利用効率を上げることができ
るものである。
導体レーザとポリゴンミラーとの間に、前記半導体レー
ザから出射されたn本のレーザビームをn本の平行ビー
ムに変えるコリメートレンズと、前記各平行ビームの光
軸に垂直な面に対して傾けて配置されるとともにこれら
の各平行ビームをn本の一定形状のビームに整形し通過
させる窓とこの窓を通過しない前記各平行ビームを前記
コリメートレンズ側に反射させる反射鏡とよりなるアパ
ーチャとを備え、前記反射鏡で反射されたn本の反射ビ
ームを前記コリメートレンズにより前記半導体レーザ内
部の半導体レーザアレイチップの近傍に分離収束させて
n個のビームスポットを結像させる収束光学部材を設
け、この収束光学部材により収束結像された各ビームス
ポット位置に各々独立したn個の光量検出部を配設し、
半導体レーザに内蔵されたn個の光量検出部によって各
発光部毎に独立した発光量を検出するようにしたので、
発光部の各々の発光量をリアルタイムに検出することが
でき、これにより、素子の温度変化による発光部の発光
量の変化を抑え、画像印字濃度を安定させることがで
き、この際、各光量検出部で受光するレーザビームがコ
リメートレンズで収束されているため、光量検出部の小
型化を図り得るものとなり、しかも、光量検出時のクロ
ストークを抑え、良好な発光量制御を行うことができ、
また、半導体レーザに光量検出部を内蔵していても半導
体レーザアレイチップの後方にモニタ用レーザビームを
出射する必要がなく、半導体レーザアレイチップの後方
に出射されたモニタ用レーザビームが前方に漏れてフレ
アが発生することを防止することが可能となり、しか
も、全てのレーザビームを半導体レーザアレイチップの
前方に取出せるため、半導体レーザの効率を上げること
ができ、さらに、コリメートレンズを収束レンズと兼用
するとともにアパーチャと反射鏡とを一体化すること
で、レーザ記録装置を一層簡単な構造にすることがで
き、しかも、従来では使用しなかったアパーチャの窓で
切られたレーザビームをモニタ用のビームとして使用す
ることで、レーザビームの利用効率を上げることができ
るものである。
【0051】一方、請求項5記載の発明によれば、前後
方向に発光するn個の発光部が所定間隔を持って配列さ
れた半導体レーザアレイチップを有する半導体レーザか
ら画像信号に応じて前方に出射されたn本のレーザビー
ムをポリゴンミラーで反射させて主走査方向に偏向走査
させ、これらn本の偏向走査ビームをfθレンズ系によ
り感光体上に収束結像させてnラインの画像を同時に記
録するようにしたレーザ記録装置において、前記半導体
レーザ内部の半導体レーザアレイチップの後方に配置さ
れるとともに前記各発光部から後方に出射されたn本の
モニタ用レーザビームの発散角を絞ってn個のビームス
ポットを結像するn個の収束光学部材を設け、これらの
収束光学部材により絞られた各ビームスポット位置に各
々独立したn個の光量検出部を配設し、半導体レーザに
内蔵されたn個の光量検出部によって各発光部毎に独立
してモニタ用レーザビームの発光量を検出するようにし
たので、発光部の各々の発光量をリアルタイムに検出す
ることができ、これにより、素子の温度変化による発光
部の発光量の変化を抑え、画像印字濃度を安定させるこ
とができ、この際、各光量検出部で受光するモニタ用レ
ーザビームの発散角が各収束光学部材により絞られてい
るため、光量検出部の受光効率が上がり、光量検出部の
小型化を図り得るものとなり、しかも、光量検出時のク
ロストークを抑え、良好な発光量制御を行うことができ
るものである。
方向に発光するn個の発光部が所定間隔を持って配列さ
れた半導体レーザアレイチップを有する半導体レーザか
ら画像信号に応じて前方に出射されたn本のレーザビー
ムをポリゴンミラーで反射させて主走査方向に偏向走査
させ、これらn本の偏向走査ビームをfθレンズ系によ
り感光体上に収束結像させてnラインの画像を同時に記
録するようにしたレーザ記録装置において、前記半導体
レーザ内部の半導体レーザアレイチップの後方に配置さ
れるとともに前記各発光部から後方に出射されたn本の
モニタ用レーザビームの発散角を絞ってn個のビームス
ポットを結像するn個の収束光学部材を設け、これらの
収束光学部材により絞られた各ビームスポット位置に各
々独立したn個の光量検出部を配設し、半導体レーザに
内蔵されたn個の光量検出部によって各発光部毎に独立
してモニタ用レーザビームの発光量を検出するようにし
たので、発光部の各々の発光量をリアルタイムに検出す
ることができ、これにより、素子の温度変化による発光
部の発光量の変化を抑え、画像印字濃度を安定させるこ
とができ、この際、各光量検出部で受光するモニタ用レ
ーザビームの発散角が各収束光学部材により絞られてい
るため、光量検出部の受光効率が上がり、光量検出部の
小型化を図り得るものとなり、しかも、光量検出時のク
ロストークを抑え、良好な発光量制御を行うことができ
るものである。
【図1】本発明の第一の実施例を示すもので、(a)は
平面図、(b)はその要部の拡大平面図である。
平面図、(b)はその要部の拡大平面図である。
【図2】本発明の第二の実施例を示す部分正面図であ
る。
る。
【図3】本発明の第三の実施例を示す平面図である。
【図4】その拡大平面図である。
【図5】本発明の第四の実施例を示す平面図である。
【図6】その拡大平面図である。
【図7】従来例を示す斜視図である。
【図8】別の従来例を示す斜視図である。
【図9】その要部の拡大正面図である。
4 半導体レーザアレイチップ 4a,4b 発光部 4a1,4b1 モニタ用レーザビーム 4a2,4b2 レーザビーム 5a,5b 光量検出部 10 半導体レーザアレイチップ 10a,10b 発光部 10a1,10b1 レーザビーム 11 半導体レーザ 12 コリメートレンズ 13 ビームスプリッタ 16 ポリゴンミラー 17 fθレンズ系 18 感光体 19 収束光学部材 20a,20b 光量検出部 21 半導体レーザ 22a,22b 収束光学部材 23 光量検出部 24 半導体レーザ 25 収束光学部材 26 ハーフミラー 27 収束光学部材 28 アパーチャ 28a 窓 28b 反射鏡 P ビームスポット Pa,Pb ビームスポット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤岡 尚亘 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 吉田 佳樹 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 中川 日出男 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内
Claims (5)
- 【請求項1】 n個の発光部が所定間隔をもって配列さ
れた半導体レーザアレイチップを有する半導体レーザか
ら画像信号に応じて出射されたn本のレーザビームをポ
リゴンミラーで反射させて主走査方向に偏向走査させ、
これらn本の偏向走査ビームをfθレンズ系により感光
体上に収束結像させてnラインの画像を同時に記録する
ようにしたレーザ記録装置において、前記半導体レーザ
から出射された前記各レーザビームの一部を収束させて
n個のビームスポットを結像する収束光学部材を設け、
この収束光学部材により収束結像された各ビームスポッ
ト位置に各々独立したn個の光量検出部を配設したこと
を特徴とするレーザ記録装置。 - 【請求項2】 n個の発光部が所定間隔をもって配列さ
れた半導体レーザアレイチップを有する半導体レーザか
ら画像信号に応じて出射されたn本のレーザビームをポ
リゴンミラーで反射させて主走査方向に偏向走査させ、
これらn本の偏向走査ビームをfθレンズ系により感光
体上に収束結像させてnラインの画像を同時に記録する
ようにしたレーザ記録装置において、前記半導体レーザ
と前記ポリゴンミラーとの間に前記半導体レーザから出
射された前記各レーザビームをn本の平行ビームに変え
るコリメートレンズと前記各平行ビームの一部を分離さ
せるビームスプリッタとを配設し、このビームスプリッ
タで分離されたn本の分離ビームの光路中にこれらの分
離ビームを分離収束させて前記発光部の発光点間隔より
広い間隔でn個のビームスポットを結像する収束光学部
材を配設し、この収束光学部材により収束結像された各
ビームスポット位置に各々独立したn個の光量検出部を
配設したことを特徴とするレーザ記録装置。 - 【請求項3】 n個の発光部が所定間隔をもって配列さ
れた半導体レーザアレイチップを有する半導体レーザか
ら画像信号に応じて出射されたn本のレーザビームをポ
リゴンミラーで反射させて主走査方向に偏向走査させ、
これらn本の偏向走査ビームをfθレンズ系により感光
体上に収束結像させてnラインの画像を同時に記録する
ようにしたレーザ記録装置において、前記半導体レーザ
と前記ポリゴンミラーとの間に、前記半導体レーザから
出射された前記各レーザビームをn本の平行ビームに変
えるコリメートレンズと、前記各平行ビームの光軸に垂
直な面に対して傾けて配置されるとともにこれらの各平
行ビームの一部を前記コリメートレンズ側に反射させる
ハーフミラーとを備え、このハーフミラーで反射された
n本の反射ビームを前記コリメートレンズにより前記半
導体レーザ内部の前記半導体レーザアレイチップの近傍
に分離収束させてn個のビームスポットを結像する収束
光学部材を設け、この収束光学部材により収束結像され
た各ビームスポット位置に各々独立したn個の光量検出
部を配設したことを特徴とするレーザ記録装置。 - 【請求項4】 n個の発光部が所定間隔をもって配列さ
れた半導体レーザアレイチップを有する半導体レーザか
ら画像信号に応じて出射されたn本のレーザビームをポ
リゴンミラーで反射させて主走査方向に偏向走査させ、
これらn本の偏向走査ビームをfθレンズ系により感光
体上に収束結像させてnラインの画像を同時に記録する
ようにしたレーザ記録装置において、前記半導体レーザ
と前記ポリゴンミラーとの間に、前記半導体レーザから
出射された前記各レーザビームをn本の平行ビームに変
えるコリメートレンズと、前記各平行ビームの光軸に垂
直な面に対して傾けて配置されるとともにこれらの各平
行ビームをn本の一定形状のビームに整形し通過させる
窓とこの窓を通過しない前記各平行ビームを前記コリメ
ートレンズ側に反射させる反射鏡とよりなるアパーチャ
とを備え、前記反射鏡で反射されたn本の反射ビームを
前記コリメートレンズにより前記半導体レーザ内部の前
記半導体レーザアレイチップの近傍に分離収束させてn
個のビームスポットを結像させる収束光学部材を設け、
この収束光学部材により収束結像された各ビームスポッ
ト位置に各々独立したn個の光量検出部を配設したこと
を特徴とするレーザ記録装置。 - 【請求項5】 前後方向に発光するn個の発光部が所定
間隔を持って配列された半導体レーザアレイチップを有
する半導体レーザから画像信号に応じて前方に出射され
たn本のレーザビームをポリゴンミラーで反射させて主
走査方向に偏向走査させ、これらn本の偏向走査ビーム
をfθレンズ系により感光体上に収束結像させてnライ
ンの画像を同時に記録するようにしたレーザ記録装置に
おいて、前記半導体レーザ内部の半導体レーザアレイチ
ップの後方に配置されるとともに前記各発光部から後方
に出射されたn本のモニタ用レーザビームの発散角を絞
ってn個のビームスポットを結像するn個の収束光学部
材を設け、これらの収束光学部材により絞られた各ビー
ムスポット位置に各々独立したn個の光量検出部を配設
したことを特徴とするレーザ記録装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4259524A JPH06106775A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | レーザ記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4259524A JPH06106775A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | レーザ記録装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06106775A true JPH06106775A (ja) | 1994-04-19 |
Family
ID=17335303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4259524A Pending JPH06106775A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | レーザ記録装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06106775A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007298563A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Ricoh Co Ltd | 光源システム、光走査装置、画像形成装置、光量制御方法、光走査方法、及び画像形成方法 |
US7400664B1 (en) | 2002-03-28 | 2008-07-15 | Fujitsu Limited | Laser array device and laser array control method |
JP2008225160A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Ricoh Co Ltd | 光走査装置及び画像形成装置 |
JP2008225058A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Ricoh Co Ltd | モニタ装置、光源装置、光走査装置及び画像形成装置 |
JP2008242196A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Ricoh Co Ltd | 光源装置、光走査装置及び画像形成装置 |
JP2008268683A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Ricoh Co Ltd | 光走査装置及び画像形成装置 |
JP2009020203A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Ricoh Co Ltd | 光走査装置及び画像形成装置 |
EP2405306A1 (en) * | 2010-07-06 | 2012-01-11 | Ricoh Company, Ltd. | Optical device, control method for the same, and image forming apparatus |
-
1992
- 1992-09-29 JP JP4259524A patent/JPH06106775A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US8085457B2 (en) | 2006-04-27 | 2011-12-27 | Ricoh Company, Ltd. | Light source system, optical scanner, image forming apparatus, and light-amount control method |
JP2008225058A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Ricoh Co Ltd | モニタ装置、光源装置、光走査装置及び画像形成装置 |
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US8259379B2 (en) | 2007-07-10 | 2012-09-04 | Ricoh Company, Ltd. | Optical scanning device and image forming apparatus |
EP2405306A1 (en) * | 2010-07-06 | 2012-01-11 | Ricoh Company, Ltd. | Optical device, control method for the same, and image forming apparatus |
US8817060B2 (en) | 2010-07-06 | 2014-08-26 | Ricoh Company, Limited | Optical device, control method for the same, and image forming apparatus |
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