JPH06102401A - 反射防止膜の形成方法 - Google Patents
反射防止膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH06102401A JPH06102401A JP4252452A JP25245292A JPH06102401A JP H06102401 A JPH06102401 A JP H06102401A JP 4252452 A JP4252452 A JP 4252452A JP 25245292 A JP25245292 A JP 25245292A JP H06102401 A JPH06102401 A JP H06102401A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- antireflection film
- mgf
- vapor deposition
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は光学部品などに使用される反射防止
膜の形成方法に関するもので、フッ化マグネシウム（Ｍ
ｇＦ2）膜が、従来のような基板加熱なしで高い密着
性，耐久性の得、さらにクラック発生の防止効果を持つ
ことを提供することを目的とする。 【構成】 光学部品の表面にフッ化マグネシウム（Ｍｇ
Ｆ2）からなる反射防止膜を形成する構造を特ち、その
形成方法が、基板となる光学部品は無加熱のまま蒸着部
分に電子線照射を行いながらＭｇＦ2の蒸着膜を形成す
ることを特徴とする反射防止膜の形成方法。
膜の形成方法に関するもので、フッ化マグネシウム（Ｍ
ｇＦ2）膜が、従来のような基板加熱なしで高い密着
性，耐久性の得、さらにクラック発生の防止効果を持つ
ことを提供することを目的とする。 【構成】 光学部品の表面にフッ化マグネシウム（Ｍｇ
Ｆ2）からなる反射防止膜を形成する構造を特ち、その
形成方法が、基板となる光学部品は無加熱のまま蒸着部
分に電子線照射を行いながらＭｇＦ2の蒸着膜を形成す
ることを特徴とする反射防止膜の形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学部品などに使用さ
れる反射防止膜等の薄膜の形成方法に関する。
れる反射防止膜等の薄膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＭｇＦ2は可視光から近赤外まで
の領域で透明であり、可視領域において低い屈折率を持
ち、また蒸着も容易に行えることから光学薄膜、特に反
射防止膜として有用に使用されている光学材料の１つで
ある。またＭｇＦ2は真空中で基板の温度を３００〜４
００℃と高くしておいて蒸着するホットコーティング法
を用いることによりＭｇＦ2膜を硬化し耐久性を持たせ
ていた。以下ガラス基板にＭｇＦ2の単層反射防止膜を
例に用いて、図面を参照しながら従来のＭｇＦ2の反射
防止膜とその形成方法について説明する。
の領域で透明であり、可視領域において低い屈折率を持
ち、また蒸着も容易に行えることから光学薄膜、特に反
射防止膜として有用に使用されている光学材料の１つで
ある。またＭｇＦ2は真空中で基板の温度を３００〜４
００℃と高くしておいて蒸着するホットコーティング法
を用いることによりＭｇＦ2膜を硬化し耐久性を持たせ
ていた。以下ガラス基板にＭｇＦ2の単層反射防止膜を
例に用いて、図面を参照しながら従来のＭｇＦ2の反射
防止膜とその形成方法について説明する。
【０００３】図４はガラス基板８の表面にＭｇＦ2の反
射防止膜７をｎｄ＝λ0／４（ｎｄ：光学的厚み，λ0：
反射防止波長域の中心波長）で形成したときの断面図で
ある。ＭｇＦ2の反射防止膜７は通常真空蒸着法によっ
て形成されるが、その様子を図３に示す。真空に保った
真空蒸着槽１の内にある蒸発源２と基板ホルダ３にそれ
ぞれＭｇＦ2と基板を用意する。ここで基板側を室温
（無加熱）のままで蒸着したＭｇＦ2膜は柔らかく傷つ
き易い。これを避けるため、ヒータ５により基板を約３
００〜４００℃に加熱したまま蒸着をおこなう。この方
法により、強く傷つきにくいＭｇＦ2膜を得ていた。
射防止膜７をｎｄ＝λ0／４（ｎｄ：光学的厚み，λ0：
反射防止波長域の中心波長）で形成したときの断面図で
ある。ＭｇＦ2の反射防止膜７は通常真空蒸着法によっ
て形成されるが、その様子を図３に示す。真空に保った
真空蒸着槽１の内にある蒸発源２と基板ホルダ３にそれ
ぞれＭｇＦ2と基板を用意する。ここで基板側を室温
（無加熱）のままで蒸着したＭｇＦ2膜は柔らかく傷つ
き易い。これを避けるため、ヒータ５により基板を約３
００〜４００℃に加熱したまま蒸着をおこなう。この方
法により、強く傷つきにくいＭｇＦ2膜を得ていた。
【０００４】しかしながら、レンズなどの光学部品には
今まで無機ガラスが多く使用されてきたが、近年、軽量
で加工が容易であり、かつ量産性にすぐれているプラス
チックが光学部品として用いられるようになってきた。
これにあわせて最近ではプラスチック基板表面の反射防
止膜の密着性や耐久性を向上させるために、プラスチッ
ク基板を６０℃〜８０℃に加熱して真空蒸着する方法
や、ＲＦイオンプレーティングする方法を用いて反射防
止膜を形成する方法が行われている。また、イオン源で
生成した不活性ガスイオンを数百〜数ｋＶに加速し、形
成されつつある被膜に照射することにより（以下イオン
ビームアシストと記す）、被膜の内部応力の緩和，密着
力の向上などの効果を得る方法も提言されている。
今まで無機ガラスが多く使用されてきたが、近年、軽量
で加工が容易であり、かつ量産性にすぐれているプラス
チックが光学部品として用いられるようになってきた。
これにあわせて最近ではプラスチック基板表面の反射防
止膜の密着性や耐久性を向上させるために、プラスチッ
ク基板を６０℃〜８０℃に加熱して真空蒸着する方法
や、ＲＦイオンプレーティングする方法を用いて反射防
止膜を形成する方法が行われている。また、イオン源で
生成した不活性ガスイオンを数百〜数ｋＶに加速し、形
成されつつある被膜に照射することにより（以下イオン
ビームアシストと記す）、被膜の内部応力の緩和，密着
力の向上などの効果を得る方法も提言されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】プラスチック基板を使
用した場合、上記した従来のガラス基板を用いたフッ化
マグネシウムからなる反射防止膜を真空蒸着法で形成す
る方法では、プラスチックの流動温度、熱変形温度が低
く、またプラスチック内部からの放出ガスの問題もある
ために、ガラス基板に蒸着膜を形成する際に行う基板加
熱（３００℃〜４００℃）が不可能で、強固な蒸着膜を
得ることができず、６０℃〜８０℃以下の低温でプラス
チック基材に反射防止膜の形成をを行うため膜の密着性
が悪く、耐久性も低いものであった。また上記のように
プラスチック基板を６０℃〜８０℃に加熱したり、ＲＦ
イオンプレーティング方法を用いて形成した反射防止膜
はクラックが生じやすく、また形成時の条件を一定に
し、かつプラスチック表面を一定に保つことは困難であ
り、量産に適するものではない。さらにイオンビームア
シストの方法でもＭｇＦ2がマグネシウムとフッ素に分
解し、フッ素はガスとして散逸し、できた膜はマグネシ
ウムが多量に含まれたものとなる。その結果、非常に吸
収の多い膜となり光学薄膜としての用をなさなくなると
いう欠点を有している。
用した場合、上記した従来のガラス基板を用いたフッ化
マグネシウムからなる反射防止膜を真空蒸着法で形成す
る方法では、プラスチックの流動温度、熱変形温度が低
く、またプラスチック内部からの放出ガスの問題もある
ために、ガラス基板に蒸着膜を形成する際に行う基板加
熱（３００℃〜４００℃）が不可能で、強固な蒸着膜を
得ることができず、６０℃〜８０℃以下の低温でプラス
チック基材に反射防止膜の形成をを行うため膜の密着性
が悪く、耐久性も低いものであった。また上記のように
プラスチック基板を６０℃〜８０℃に加熱したり、ＲＦ
イオンプレーティング方法を用いて形成した反射防止膜
はクラックが生じやすく、また形成時の条件を一定に
し、かつプラスチック表面を一定に保つことは困難であ
り、量産に適するものではない。さらにイオンビームア
シストの方法でもＭｇＦ2がマグネシウムとフッ素に分
解し、フッ素はガスとして散逸し、できた膜はマグネシ
ウムが多量に含まれたものとなる。その結果、非常に吸
収の多い膜となり光学薄膜としての用をなさなくなると
いう欠点を有している。
【０００６】そこで本発明は上記問題点に鑑み、強く傷
つきにくく、クラックの発生を抑え、密着力を向上する
ＭｇＦ2膜の形成方法を提供しようとするものである。
つきにくく、クラックの発生を抑え、密着力を向上する
ＭｇＦ2膜の形成方法を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明では、反射防止膜の形成方法として光学材料
の表面にＭｇＦ2からなる蒸着膜を真空蒸着により任意
の厚さに蒸着，形成する際、その膜に電子線照射をおこ
なう製造工程を備えたものである。
めに本発明では、反射防止膜の形成方法として光学材料
の表面にＭｇＦ2からなる蒸着膜を真空蒸着により任意
の厚さに蒸着，形成する際、その膜に電子線照射をおこ
なう製造工程を備えたものである。
【０００８】
【作用】本発明は上記した構成および形成方法によって
反射防止膜であるＭｇＦ2膜が耐久性を維持しつつ、同
時に内部応力の緩和によりクラックの発生を抑え、密着
力を向上することになる。
反射防止膜であるＭｇＦ2膜が耐久性を維持しつつ、同
時に内部応力の緩和によりクラックの発生を抑え、密着
力を向上することになる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の実施例の反射防止膜とその形成
方法について図面を参照しながら説明する。
方法について図面を参照しながら説明する。
【００１０】図２は本発明の実施例の反射防止膜の断面
図である。構造としては従来のものと変わりはないが、
本実施例では基板はプラスチックである。
図である。構造としては従来のものと変わりはないが、
本実施例では基板はプラスチックである。
【００１１】図１で反射防止膜の形成時の様子を示す。
ＭｇＦ2膜の形成条件は次の通りである。真空蒸着糟１
の内部を２．０×１０-5Ｔｏｒｒまで排気した後、基板
ホルダ３に取り付けた無加熱のガラス基板に対し電子銃
４により電子線を照射しつつ、蒸発源２より蒸発してく
るＭｇＦ2をガラス基板上に光学的膜厚ｎｄ＝λ0／４
（λ0＝５２０ｎｍ）に蒸着速度約８〜１１Å／ｓｅｃ
で形成した。
ＭｇＦ2膜の形成条件は次の通りである。真空蒸着糟１
の内部を２．０×１０-5Ｔｏｒｒまで排気した後、基板
ホルダ３に取り付けた無加熱のガラス基板に対し電子銃
４により電子線を照射しつつ、蒸発源２より蒸発してく
るＭｇＦ2をガラス基板上に光学的膜厚ｎｄ＝λ0／４
（λ0＝５２０ｎｍ）に蒸着速度約８〜１１Å／ｓｅｃ
で形成した。
【００１２】形成中のＭｇＦ2に電子線を照射すること
により、基板を加熱しながら蒸着したときに得られる蒸
着膜の硬化による耐久性の向上の効果が得られる。また
イオンビームアシストと同様、内部応力の緩和が行われ
クラックの発生を抑え、密着力を向上させる効果があ
る。しかし、イオンビームアシストの欠点であったＭｇ
Ｆ2を分解するというようなことはない。
により、基板を加熱しながら蒸着したときに得られる蒸
着膜の硬化による耐久性の向上の効果が得られる。また
イオンビームアシストと同様、内部応力の緩和が行われ
クラックの発生を抑え、密着力を向上させる効果があ
る。しかし、イオンビームアシストの欠点であったＭｇ
Ｆ2を分解するというようなことはない。
【００１３】上記実施例の反射防止膜の密着性，耐久性
を確認するために行った試験は、（１）粘着テープ剥離
試験（温度４０℃，相対湿度８５％の高温・高湿雰囲気
中に１０００時間放置した後、粘着テープを光学部品表
面に密着し、引きはがす。）、（２）耐湿試験（温度４
０℃，相対湿度９５％の高温・高湿雰囲気中に１０００
時間放置）（３）熱衝撃試験（温度−４０℃，１２０℃
の低温・高温雰囲気中に交互に３０分間ずつ放置を約１
００時間）。
を確認するために行った試験は、（１）粘着テープ剥離
試験（温度４０℃，相対湿度８５％の高温・高湿雰囲気
中に１０００時間放置した後、粘着テープを光学部品表
面に密着し、引きはがす。）、（２）耐湿試験（温度４
０℃，相対湿度９５％の高温・高湿雰囲気中に１０００
時間放置）（３）熱衝撃試験（温度−４０℃，１２０℃
の低温・高温雰囲気中に交互に３０分間ずつ放置を約１
００時間）。
【００１４】
【表１】
【００１５】（表１）から分かるように本実施例の反射
防止膜は、密着性，耐久性に優れている。さらに従来は
反射防止膜形成時にクラックの発生が見られるものもあ
ったが、本実施例においては常時安定していた。
防止膜は、密着性，耐久性に優れている。さらに従来は
反射防止膜形成時にクラックの発生が見られるものもあ
ったが、本実施例においては常時安定していた。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の光学部品の反射防止膜は、光学材料の表面にＭｇＦ2
からなる蒸着膜を真空蒸着により任意の厚さに蒸着，形
成する際、その膜に電子線照射をおこなうもので、基板
加熱無しに高い耐久性を得ることができ、クラックの発
生の防止、また密着力の向上も可能である。
の光学部品の反射防止膜は、光学材料の表面にＭｇＦ2
からなる蒸着膜を真空蒸着により任意の厚さに蒸着，形
成する際、その膜に電子線照射をおこなうもので、基板
加熱無しに高い耐久性を得ることができ、クラックの発
生の防止、また密着力の向上も可能である。
【図１】本発明の実施例による蒸着方法を説明する図
【図２】本発明の実施例の光学部品と反射防止膜の断面
図
図
【図３】従来の蒸着方法を説明する図
【図４】従来の光学部品と反射防止膜の断面図
１ 真空蒸着槽 ２ 蒸発源 ３ 基板ホルダ ４ 電子銃 ５ ヒータ ６ プラスチック基板 ７ フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）膜 ８ ガラス基板
Claims (2)
- 【請求項１】光学部品基板の表面にフッ化マグネシウム
（ＭｇＦ2）からなる反射防止膜を形成するにあたり、
前記光学部品基板の表面に電子線照射を行いつつＭｇＦ
2の蒸着を行う反射防止膜の形成方法。 - 【請求項２】ＭｇＦ2の薄膜を形成する際に、蒸着され
る側の光学部品基板は特に加熱することなく１００℃以
下に保ったままＭｇＦ2の蒸着を行う請求項１記載の反
射防止膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4252452A JPH06102401A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 反射防止膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4252452A JPH06102401A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 反射防止膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06102401A true JPH06102401A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17237582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4252452A Pending JPH06102401A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 反射防止膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06102401A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5804255A (en) * | 1993-08-02 | 1998-09-08 | Agency Of Industrial Science And Technology | Method of forming transparent and conductive ultrathin films |
| WO2015097898A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 株式会社シンクロン | 多層反射防止膜の成膜方法 |
-
1992
- 1992-09-22 JP JP4252452A patent/JPH06102401A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5804255A (en) * | 1993-08-02 | 1998-09-08 | Agency Of Industrial Science And Technology | Method of forming transparent and conductive ultrathin films |
| WO2015097898A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 株式会社シンクロン | 多層反射防止膜の成膜方法 |
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