JPH06101439B2 - Gas flow method for CVD apparatus - Google Patents
Gas flow method for CVD apparatusInfo
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はCVD装置のガスフロー方法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a gas flow method for a CVD apparatus.
従来のCVD装置のガスフロー方法では、例えば第９図
（Ａ）〜（Ｇ）に示されるように単管（１）、多孔管
（３）又は多孔板（４）を通して単一方向から、反応ガ
ス又はキヤリヤガスで希釈した反応ガスが真空槽、もし
くは反応炉内に導入されている。なお、第９図におい
て、（２）は排気口、（５）はウェハー支持台及び
（６）はウェハー（基板）を表わしている。In the conventional gas flow method of a CVD apparatus, for example, as shown in FIGS. 9 (A) to (G), the reaction is performed from a single direction through a single tube (1), a perforated tube (3) or a perforated plate (4). A gas or a reaction gas diluted with a carrier gas is introduced into a vacuum chamber or a reaction furnace. In FIG. 9, (2) is an exhaust port, (5) is a wafer support, and (6) is a wafer (substrate).
第９図において、（Ａ）では加熱基板（６）の鉛直上方
から単管（１）を通してガスを吹きつけている。（Ｂ）
では単管（１）から反応ガスを送り込んで流出側での低
い堆積速度を補償する為、傾斜した支持台（５）が用い
られている。（Ｃ）では浮力の影響が無視できる程度の
減圧状態（＜10Torr）では（Ｂ）と本質的に同じガスフ
ロー方式である。（Ｄ）は直接、反応ガスに基板（６）
を曝さず、熱対流による再循環流を利用している。
（Ｅ）では縦型拡散炉方式で各基板（６）の隙間に反応
ガスを吹き込んでいる。（Ｆ）では最も一般的な拡散炉
方式で、（Ｄ）の場合と同じく基板表面は直接、反応ガ
ス流と接触しない。そして（Ｇ）ではプラズマCVDで良
く用いられる方法で多孔板（４）を通して反応ガスを基
板（６）に吹きつけている。In FIG. 9, in (A), gas is blown through the single tube (1) from above the heating substrate (6) in the vertical direction. (B)
In order to compensate the low deposition rate on the outflow side by feeding the reaction gas from the single tube (1), an inclined support table (5) is used. In (C), the gas flow system is essentially the same as in (B) in a depressurized state (<10 Torr) where the influence of buoyancy can be ignored. (D) is a substrate (6) directly on the reaction gas
The recirculation flow by thermal convection is used without exposing
In (E), the reaction gas is blown into the gap between the substrates (6) by the vertical diffusion furnace method. In (F), the most general diffusion furnace method is used, and the substrate surface does not come into direct contact with the reaction gas flow as in (D). Then, in (G), the reaction gas is blown to the substrate (6) through the porous plate (4) by a method often used in plasma CVD.
以上の従来のいづれの方法でも、流れの制御パラメータ
としては圧力と反応ガス流量と云う二つの内部パラメー
タのみであり、乱流発生の抑止、自然対流の抑止等のた
めに外部的にコントロールする事は不可能である。従っ
て広い圧力、流量領域で再現性、制御性、均一性に優れ
た成膜を行えない問題点がある。また従来のいずれの方
法でも、反応成分は炉内全域に拡散するので、炉壁、覗
き窓等への反応成分の付着は不可避である。これにより
ダストの発生、薄膜内への不純物の混入などの問題点が
ある。In any of the above-mentioned conventional methods, there are only two internal parameters such as pressure and reaction gas flow rate as flow control parameters, and they must be controlled externally to prevent turbulence generation, natural convection, etc. Is impossible. Therefore, there is a problem that a film having excellent reproducibility, controllability, and uniformity cannot be formed in a wide pressure and flow rate region. Further, in any of the conventional methods, the reaction components are diffused throughout the furnace, so that the reaction components are inevitably attached to the furnace wall, the viewing window, and the like. This causes problems such as generation of dust and mixing of impurities in the thin film.
本発明は上記各従来方式の欠点を除去し、反応ガス流の
安定性を外部的に制御することができ、反応成分を基板
近傍のみに集中させることにより、すぐれた再現性、制
御性を得て良質の薄膜を成長させ得るCVD装置のガスフ
ロー方法を提供することを目的とする。The present invention eliminates the drawbacks of each of the above conventional methods and can externally control the stability of the reaction gas flow, and by concentrating the reaction components only near the substrate, excellent reproducibility and controllability are obtained. It is an object of the present invention to provide a gas flow method for a CVD apparatus capable of growing a high quality thin film.
上記の目的は、密閉槽内に配設された基板の表面にほゞ
平行に反応ガスを主体とするガス流をシート状で第２次
元ジェット状に導入し、かつ前記基板の表面に対向する
ように不活性ガスを主体とするガス流を導入して、前記
基板の表面の近傍に前記反応ガスを主体とするガス流の
層流状態を保持するようにしたことを特徴とするCVD装
置のガスフロー方法によって達成される。The above object is to introduce a gas flow mainly composed of a reaction gas into a sheet-like second-dimensional jet in a substantially parallel manner to the surface of the substrate arranged in the closed tank, and to face the surface of the substrate. As described above, by introducing a gas flow mainly composed of an inert gas, a laminar flow state of the gas flow mainly composed of the reaction gas is maintained in the vicinity of the surface of the substrate. This is achieved by the gas flow method.
反応ガスを主体とするガス流を基板近傍全域に於いて制
御性の良い層流状態に保つ事ができる。即ち不活性ガス
を主体とするガス流は基板近傍で反応ガスを主体とする
ガス流の舞い上がり力学的に押え込むと共に反応ガスを
主体とするガスの成分の乱流拡散を防止する。その結
果、 １） 反応ガスを主体とするガスの流れが層流状態であ
る為、制御性、再現性に優れている。It is possible to maintain a laminar flow state with good controllability in the gas flow mainly composed of the reaction gas in the whole region near the substrate. That is, the gas flow mainly composed of the inert gas rises and is mechanically pushed up by the gas flow mainly composed of the reaction gas in the vicinity of the substrate and prevents the turbulent diffusion of the components of the gas mainly composed of the reaction gas. As a result, 1) Since the gas flow mainly composed of the reaction gas is in a laminar state, the controllability and reproducibility are excellent.
２） 反応ガスを主体とするガスの成分が基板近傍のみ
に押さえ込まれる為炉壁、覗き窓の汚染を防止できる。2) Since the components of the gas mainly composed of the reaction gas are suppressed only in the vicinity of the substrate, it is possible to prevent the furnace wall and the sight glass from being contaminated.
３） 不活性ガスを主体とするガス流の流量制御により
基板上の膜厚分布を制御する事が可能になる。3) It is possible to control the film thickness distribution on the substrate by controlling the flow rate of the gas flow mainly composed of the inert gas.
以下、本発明の方式が適用されるCVD装置について、第
１図〜第８図を参照して説明する。Hereinafter, a CVD apparatus to which the method of the present invention is applied will be described with reference to FIGS. 1 to 8.
第１図〜第３図は第１実施例を示すものであるが、真空
槽（10）において一方の側壁部には反応ガス噴出ノズル
（11）が気密に取り付けられ、その先端部（11a）は薄
くなっていてスリット状の開口を有する。外部導管（2
4）から導入される反応ガスがこのスリット状の開口か
ら真空槽（10）の内空間（13）に噴出されるようになっ
ている。また、真空槽（10）の底壁部の端部に排気口
（12）が形成されている。1 to 3 show the first embodiment, a reaction gas injection nozzle (11) is airtightly attached to one side wall portion of a vacuum chamber (10), and a tip portion (11a) thereof is provided. Is thin and has a slit-shaped opening. External conduit (2
The reaction gas introduced from 4) is ejected from the slit-shaped opening into the inner space (13) of the vacuum chamber (10). An exhaust port (12) is formed at the end of the bottom wall of the vacuum chamber (10).
真空槽（10）内でノズル先端部（11a）より下方に位置
して円形の基板支持台（17）が配設されており、これは
シール部材（16）により気密にシールされ、真空槽（1
0）の外部から突出する回転軸（15）と一体的であり、 これにより矢印で示すように所定速度で回転させられる
ようになっている。基板支持台（17）はヒータ（14）を
内蔵し、これによりこの上に載置せる基板（18）を加熱
するようになっている。A circular substrate support (17) is arranged below the nozzle tip (11a) in the vacuum chamber (10) and is hermetically sealed by a seal member (16) to form a vacuum chamber ( 1
It is integral with the rotary shaft (15) protruding from the outside of (0), so that it can be rotated at a predetermined speed as shown by the arrow. The substrate support base (17) has a heater (14) built therein, which heats the substrate (18) to be placed thereon.
真空槽（10）内において、基板支持台（17）の上方に
は、これと対向して不活性ガス噴出板（19）が配設さ
れ、これは中空部（21）を有し、こゝにシール部材（2
3）によりシールされて真空槽（10）の上壁部に取り付
けられている導管（22）から不活性ガスが導入される。
不活性ガス噴出板（19）の底壁部には小さな多数の孔
（20）が形成されており、こゝから不活性ガスが下方へ
と噴出されるようになっている。In the vacuum chamber (10), an inert gas ejection plate (19) is arranged above the substrate support table (17) so as to face the substrate support table (17) and has a hollow portion (21). Seal member (2
Inert gas is introduced from a conduit (22) that is sealed by 3) and is attached to the upper wall of the vacuum chamber (10).
A large number of small holes (20) are formed in the bottom wall portion of the inert gas ejection plate (19), and the inert gas is ejected downward from this hole.
ノズル先端部（11a）（反応ガスの噴出方向）は基板支
持台（17）の基板（18）を載置させている上面にほゞ平
行に延びており、またそのスリット状開口も同上面に平
行に延びている。ノズル先端部（11a）すなわちスリッ
ト状開口の長さｌに比べて、この開口の巾ｄは充分に小
さく、レイノズル数が10以上の流速にてこゝから反応ガ
スが噴出されるものとする。また基板支持台（17）の上
面からノズル先端部（11a）のレベルまでの距離は基板
支持台（17）の上面から不活性ガス噴出板（19）までの
距離の約40％のところにあるものとする。The nozzle tip part (11a) (reaction gas ejection direction) extends almost parallel to the upper surface of the substrate support table (17) on which the substrate (18) is placed, and the slit-shaped opening is also on the upper surface. It extends in parallel. It is assumed that the width d of the nozzle tip (11a), that is, the length l of the slit-shaped opening is sufficiently small, and the reaction gas is ejected from this at a flow velocity of the Rey nozzle number of 10 or more. The distance from the upper surface of the substrate support (17) to the level of the nozzle tip (11a) is about 40% of the distance from the upper surface of the substrate support (17) to the inert gas ejection plate (19). I shall.
本発明の実施例は以上のように構成されるが、次にこの
作用につき説明する。The embodiment of the present invention is constructed as described above. Next, this operation will be described.
ノズル先端部（11a）から２次元ジェット状に反応ガス
Ｒが真空槽（10）内の空間（13）に噴出される。なお、
空間（13）は予め真空状態にされているものとする。他
方、上方の不活性ガス噴出板（19）からは不活性ガスＱ
が下方へと噴出される。反応ガスＲ及び不活性ガスＱの
噴出流量は外部から制御可能であるが、例えば後者は前
者の３倍の流量とされる。基板支持台（17）は所定速度
で回転し、かつヒータ（14）で加熱されている。The reaction gas R is jetted into the space (13) in the vacuum chamber (10) from the nozzle tip (11a) in the form of a two-dimensional jet. In addition,
It is assumed that the space (13) is previously evacuated. On the other hand, from the upper inert gas jet plate (19), the inert gas Q
Is ejected downward. The ejection flow rates of the reaction gas R and the inert gas Q can be controlled from the outside. For example, the latter flow rate is three times that of the former. The substrate support base (17) rotates at a predetermined speed and is heated by the heater (14).
第3A図に示されるように反応ガスＲの流れは基板（18）
の近傍に限られ、しかも層流状態が保たれる。これは不
活性ガスＱの流れが反応ガスＲの流れを上方から抑圧す
るためであると思われるが、このような安定化作用はコ
ンピュータによる数値シュミレーション並びに四塩化チ
タン法可視化実験によって確認されている。なお、流れ
を全体として見れば、第3C図に示すように反応ガスＲの
流れ（ハッチングしてある）は局限化された層流となっ
ており、不活性ガスＱの流れがこの範囲を定めている。
換言すれば、不活性ガスＱの流量を制御することによ
り、ハッチングの部分の形状、大きさ、もしくは領域を
制御することができる。As shown in FIG. 3A, the flow of the reaction gas R is the substrate (18).
It is limited to the vicinity of, and the laminar flow state is maintained. This seems to be because the flow of the inert gas Q suppresses the flow of the reaction gas R from above, but such a stabilizing action has been confirmed by numerical simulation by a computer and a titanium tetrachloride method visualization experiment. . When the flow is viewed as a whole, as shown in FIG. 3C, the flow (hatched) of the reaction gas R is a localized laminar flow, and the flow of the inert gas Q defines this range. ing.
In other words, by controlling the flow rate of the inert gas Q, the shape, size, or area of the hatched portion can be controlled.
第3B図は上方からの不活性ガスＱの流れがない場合を示
すが、この場合には反応ガスＲの流れは図示するように
拡散し、空間ｒの領域では乱流状態となる。このような
流れによって従来方式のように炉壁、のぞき窓などが汚
染されることになる。FIG. 3B shows the case where there is no flow of the inert gas Q from above, but in this case, the flow of the reaction gas R diffuses as shown in the figure and becomes a turbulent state in the region of the space r. Such a flow pollutes the furnace wall, the peephole, etc. as in the conventional method.
然しながら、本実施例によれば、反応ガスＲの流れは第
3A図又は第3C図に示すように安定化されるので、反応成
分は基板（18）の近傍のみに限定され、炉壁、のぞき窓
などの汚染が防止される。従って、基板（18）に形成さ
れる膜質の向上とダストパーティクルの低減が可能とな
る。However, according to this embodiment, the flow of the reaction gas R is
Since it is stabilized as shown in FIG. 3A or FIG. 3C, the reaction components are limited only to the vicinity of the substrate (18), and the contamination of the furnace wall, peep window, etc. is prevented. Therefore, it is possible to improve the quality of the film formed on the substrate (18) and reduce dust particles.
また反応ガスＲの流れが層流とされるため制御性、再現
性にすぐれ、不活性ガスＱの流量制御により基板（18）
に形成される膜厚分布制御が可能となってくる。Further, since the flow of the reaction gas R is a laminar flow, the controllability and reproducibility are excellent, and the flow rate control of the inert gas Q controls the substrate (18).
It becomes possible to control the film thickness distribution formed on the substrate.
例えば、本ガスフロー方法で一枚の基板を基板支持台と
同心的に配置しこの支持台を回転させながら成長温度35
0℃でタングステン・シリサイド膜の成長を実施した
（タングステン・シリサイド膜の成長は供給律速である
ため、流れの様子を忠実に反映しているものと考えられ
る）が理論と実験との一致は極めて良好であり、５イン
チウェハー内で±3.8％の高い均一性をもった抵抗値分
布を得た。理論的には８インチ内で±8.6％の均一性が
予測される。For example, by using this gas flow method, one substrate is placed concentrically with the substrate support, and the growth temperature 35
The growth of the tungsten-silicide film was carried out at 0 ° C (the growth of the tungsten-silicide film is rate-controlled, so it is believed that it faithfully reflects the flow state), but the agreement between theory and experiment is extremely high. The resistance value distribution was good and had a high uniformity of ± 3.8% within a 5-inch wafer. Theoretically, a uniformity of ± 8.6% is expected within 8 inches.
第４図は本発明の第２実施例を示すが、本実施例では反
応ガスの噴出用ノズル（30）の形状が第１実施例と異な
り、他は全く同一である。対応する部分については同一
の符号を付すものとする。FIG. 4 shows a second embodiment of the present invention. In this embodiment, the shape of the reaction gas injection nozzle (30) is different from that of the first embodiment, and the rest is exactly the same. Corresponding parts are designated by the same reference numerals.
すなわち、本実施例ではノズル（30）のスリット状開口
端（30a）は円弧状となっており、基板支持台（14）と
同心的であって、その径は少し大きい。That is, in this embodiment, the slit-shaped opening end (30a) of the nozzle (30) has an arc shape, is concentric with the substrate support (14), and has a slightly larger diameter.
第５図は本発明の第３実施例を示すが、本実施例では装
置全体が第１実施例とは90゜偏位した形態とされる。な
お、第１実施例と対応する部分には同一の符号を付すも
のとする。FIG. 5 shows a third embodiment of the present invention. In this embodiment, the entire apparatus is deviated from the first embodiment by 90 °. The parts corresponding to those in the first embodiment are designated by the same reference numerals.
すなわち第１実施例では基板支持台（17）は水平状態に
おかれているが、本実施例では鉛直状態におかれる。こ
れに対応してノズル先端部（11a）、不活性ガス噴出板
（19）なども図示の如く鉛直状態に配設される。このよ
うな構成でも第１実施例と同様な作用な行ない、同様な
効果を奏することは明らかである。なお、基板（18）が
基板支持台（17）から滑落しないための手段は公知の手
段を用いるものとする。That is, the substrate support base (17) is in the horizontal state in the first embodiment, but is in the vertical state in the present embodiment. Correspondingly, the nozzle tip portion (11a), the inert gas ejection plate (19), etc. are also arranged vertically as shown in the figure. It is clear that such a configuration also performs the same operation as the first embodiment and has the same effect. A known means is used to prevent the substrate (18) from slipping off the substrate support (17).
以上、本発明の各実施例について説明したが、勿論、本
発明はこれらに限定されることなく本発明の技術的思想
に基づいて種々の変形が可能である。Although the respective embodiments of the present invention have been described above, needless to say, the present invention is not limited to these, and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention.
例えば、以上の実施例では、いわゆる熱CVDによる薄膜
形成が説明されたが、プラズマCVDや光CVDなどにもまだ
ドライエッチングなどにも本発明は適用可能である。For example, although the thin film formation by so-called thermal CVD has been described in the above embodiments, the present invention can be applied to plasma CVD, optical CVD and the like as well as dry etching.
また以上の実施例では真空槽内での処理が説明された
が、真空を必要としない常圧でも基板への表面加工が可
能なCVD装置にも本発明は適用可能である。Further, although the processing in the vacuum tank has been described in the above embodiments, the present invention can be applied to a CVD apparatus capable of processing the surface of a substrate even under normal pressure that does not require vacuum.
また以上の実施例では基板（18）の材質について特に言
及しなかったが、例えば、Siウェハーや、ウェハープロ
セスにおいて、すでにその表面に一定の薄膜形成、不純
物拡散、微細加工等の処理を施されたものであってもよ
い。あるいは、ガラスSiO2、Al2O3、各種金属、合金等
を素材とする基板にも本発明は適用可能である。Further, although no particular reference was made to the material of the substrate (18) in the above examples, for example, in a Si wafer or a wafer process, a certain thin film formation, impurity diffusion, fine processing, or the like has already been performed on the surface thereof. It may be Alternatively, the present invention can be applied to substrates made of glass SiO 2 , Al 2 O 3 , various metals, alloys, etc.
また以上の実施例では反応ガスＲを噴出するノズル（11
a）（30）はスリット状開口を有するものであったが、
第６図に示すように上述の実施例のような偏平な中空管
体（40）の端壁に多数の小孔（41）を形成させたもので
あってもよい。あるいは、第７図及び第８図に示すよう
に偏平な中空管体（50）（60）の端壁に横方向に並ぶス
リット（51）（52）又は上下方向に並ぶスリット（61）
（62）を形成させるようにしてもよい。また、これらの
場合には各スリット（51）（52）又は（61）（62）から
は異なる反応ガスが噴出されるようにしてもよい。この
場合には管体（50）（60）内に仕切壁が設けられている
が、一つのスリットを有する２つの別の管体を左右又は
上下に並設するようにしてもよい。Further, in the above embodiment, the nozzle (11
a) (30) had a slit-shaped opening,
As shown in FIG. 6, a large number of small holes (41) may be formed in the end wall of the flat hollow tube (40) as in the above embodiment. Alternatively, as shown in FIGS. 7 and 8, slits (51) (52) arranged in the lateral direction or slits (61) arranged in the vertical direction on the end wall of the flat hollow tube body (50) (60).
(62) may be formed. In these cases, different reaction gases may be ejected from the slits (51) (52) or (61) (62). In this case, the partition walls are provided in the pipes (50) (60), but two separate pipes having one slit may be arranged side by side or vertically.
また以上の実施例では不活性ガス噴出板（19）にいわゆ
る多孔板が用いられたが、これに代えて適当なアスペク
ト比をもつストレイナー又はハネカム（honeycomb）を
用いてもよい。あるいはこれと多孔板とを併用するよう
にしてもよい。In the above embodiments, the so-called perforated plate is used as the inert gas ejection plate (19), but a strainer or a honeycomb having an appropriate aspect ratio may be used instead. Alternatively, this may be used in combination with a perforated plate.
また以上の実施例では反応ガスＲが用いられたが、これ
に代えて反応ガスを主体とするガスを含むガスであって
もよい。Although the reaction gas R is used in the above embodiments, a gas containing a gas mainly containing the reaction gas may be used instead of the reaction gas R.
また、以上の実施例では基板の表面に対向するガスとし
て不活性ガスを用いたが、これに代えて一部反応性ガス
を含んでいるガスであってもよい。その場合、この反応
性ガスはダストパーティクルを発生させないガス種であ
ることが必要である。例えば、H2、N2、O2などで含まれ
ていてもよい。Further, in the above embodiments, the inert gas was used as the gas facing the surface of the substrate, but a gas containing a part of the reactive gas may be used instead. In that case, this reactive gas needs to be a gas species that does not generate dust particles. For example, it may be contained in H 2 , N 2 , O 2 and the like.
以上述べたように本発明のCVD装置のガスフロー方法に
よれば、反応ガスを主体とするガスの流れが層流である
為、その制御性、再現性に優れている。反応ガスを主体
とするガスの反応成分が基板近傍空間にのみ限定される
為、炉壁、窓等の汚染が防止できる。従って膜質の向上
とダストパーティクルの低減が可能である。As described above, according to the gas flow method of the CVD apparatus of the present invention, the flow of the gas mainly composed of the reaction gas is a laminar flow, so that its controllability and reproducibility are excellent. Since the reaction components of the gas mainly containing the reaction gas are limited only to the space near the substrate, it is possible to prevent the contamination of the furnace wall, the window and the like. Therefore, it is possible to improve the film quality and reduce dust particles.
不活性ガスを主体とするガスの流量制御により基板上の
膜厚分布制御が可能になる。基板回転機構を組み合わせ
て、大面積で、高均一性のある成膜が可能となるなど種
々の効果を奏することができる。It is possible to control the film thickness distribution on the substrate by controlling the flow rate of the gas mainly containing the inert gas. By combining the substrate rotating mechanism, it is possible to achieve various effects such as a film having a large area and high uniformity.
第１図は本発明のガスフロー方法を具体化するCVD装置
の第１実施例の断面図、第２図は第１図に於けるII−II
線方向断面図、第3A図、第3B図、第3C図は本実施例の作
用を説明するための第１図と同様の断面図、第４図は本
発明の第２実施例のCVD装置の第２図と同様な断面図、
第５図は本発明の第３実施例のCVD装置の第１図と同様
の断面図、第６図、第７図、第８図は各変形例を示す要
部の正面図、及び第９図は従来の各種のガスフロー方法
を示す概略図である。 なお図において、 （10）……真空槽 （11）（30）（40）（50）（60）……反応ガス噴出ノズ
ル （18）……基板 （19）……不活性ガス噴出多孔板FIG. 1 is a sectional view of a first embodiment of a CVD apparatus embodying the gas flow method of the present invention, and FIG. 2 is II-II in FIG.
FIG. 3A, FIG. 3B, and FIG. 3C are sectional views similar to FIG. 1 for explaining the operation of the present embodiment, and FIG. 4 is a CVD apparatus according to the second embodiment of the present invention. 2 is a sectional view similar to FIG.
FIG. 5 is a sectional view similar to FIG. 1 of a CVD apparatus of a third embodiment of the present invention, FIG. 6, FIG. 7 and FIG. 8 are front views of essential parts showing respective modifications, and FIG. The figure is a schematic view showing various conventional gas flow methods. In the figure, (10) -vacuum chamber (11) (30) (40) (50) (60) -reactive gas ejection nozzle (18) -substrate (19) -inert gas ejection porous plate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 泉 神奈川県平塚市董平12−12−２−707 パ レ平塚すみれ平 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Izumi Nakayama 12-12-2-707 Kanpei Hiratsuka-shi Kanagawa Pare Sumire Hiratsuka
Claims (3)
行に反応ガスを主体とするガス流をシート状で２次元ジ
ェット状に導入し、かつ前記基板の表面に対向するよう
に不活性ガスを主体とするガス流を導入して、前記基板
の表面の近傍に前記反応ガスを主体とするガス流の層流
状態を保持するようにしたことを特徴とするCVD装置の
ガスフロー方法。1. A sheet-like two-dimensional jet of a gas flow mainly composed of a reaction gas is introduced almost parallel to the surface of a substrate disposed in a closed tank, and the gas flow is opposed to the surface of the substrate. A gas flow mainly composed of an inert gas is introduced to maintain the laminar flow state of the gas flow mainly composed of the reaction gas in the vicinity of the surface of the substrate. Flow method.
第１項に記載のCVD装置のガスフロー方法。2. The gas flow method for a CVD apparatus according to claim 1, wherein the closed tank is a vacuum tank.
基板の表面に平行な少なくとも一つのスリット開口から
噴出される特許請求の範囲第１項又は第２項に記載のCV
D装置のガスフロー方法。3. The CV according to claim 1, wherein the gas flow mainly composed of the reaction gas is ejected from at least one slit opening parallel to the surface of the substrate.
D equipment gas flow method.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15212386A JPH06101439B2 (en) | 1986-06-28 | 1986-06-28 | Gas flow method for CVD apparatus |
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