JPH0595141A - 金属原子細線成長方法及び原子細線デバイス - Google Patents
金属原子細線成長方法及び原子細線デバイスInfo
- Publication number
- JPH0595141A JPH0595141A JP3255088A JP25508891A JPH0595141A JP H0595141 A JPH0595141 A JP H0595141A JP 3255088 A JP3255088 A JP 3255088A JP 25508891 A JP25508891 A JP 25508891A JP H0595141 A JPH0595141 A JP H0595141A
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- JP
- Japan
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- metal
- step line
- thin films
- thin
- wires
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/962—Quantum dots and lines
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板に接しない金属原子細線を簡単かつ短時
間で作る。 【構成】 ＭｇＯ単結晶基板１２を劈開して（１１１）
面にステップライン１３を得、その上にＡｕを蒸着して
金属薄膜１４，１５を方位成長させる。金属薄膜１４，
１５はステップライン１３の延長方向において１〜１０
μｍ離されてあり、金属薄膜１４，１５にも同様のステ
ップライン１７を保持させる。２２０〜２８０℃とした
基板１２の金属薄膜１４，１５上に０．１〜０．４ｎｍ
／分の低速度でＡｕを蒸着させ、ステップライン１７に
沿った細線２２，２３を成長させ、互いに接続させる。
間で作る。 【構成】 ＭｇＯ単結晶基板１２を劈開して（１１１）
面にステップライン１３を得、その上にＡｕを蒸着して
金属薄膜１４，１５を方位成長させる。金属薄膜１４，
１５はステップライン１３の延長方向において１〜１０
μｍ離されてあり、金属薄膜１４，１５にも同様のステ
ップライン１７を保持させる。２２０〜２８０℃とした
基板１２の金属薄膜１４，１５上に０．１〜０．４ｎｍ
／分の低速度でＡｕを蒸着させ、ステップライン１７に
沿った細線２２，２３を成長させ、互いに接続させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は太さが１００ｎｍ以下
のように細い金属原子細線の成長方法及びその原子細線
を備えた原子細線デバイスに関する。
のように細い金属原子細線の成長方法及びその原子細線
を備えた原子細線デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】太さが１００ｎｍ以下のような細い金属
原子細線は、量子伝導現象と呼ばれる、ａ、伝導電子の
位相情報が生き残り、電子波干渉効果が現われる。ｂ、
オームの法則が成立せず電気伝導度（従って熱伝導度
も）が金属の太さ、長さだけでなく、形状に依存する。
ｃ、伝導度のゆらぎが大きくなり、試料の形状、不純物
原子の位置に依存して雑音が観測される。ｄ、強い表面
効果が現われる。ｅ、可視光が細線全体に侵入して伝導
度を減少させる。など特異な現象を示す。
原子細線は、量子伝導現象と呼ばれる、ａ、伝導電子の
位相情報が生き残り、電子波干渉効果が現われる。ｂ、
オームの法則が成立せず電気伝導度（従って熱伝導度
も）が金属の太さ、長さだけでなく、形状に依存する。
ｃ、伝導度のゆらぎが大きくなり、試料の形状、不純物
原子の位置に依存して雑音が観測される。ｄ、強い表面
効果が現われる。ｅ、可視光が細線全体に侵入して伝導
度を減少させる。など特異な現象を示す。
【０００３】従来の金属原子細線の作製方法は、二つ知
られている。第１はグラファイトの表面にＡｕの蒸着膜
を形成し、そのＡｕ蒸着膜上を電子線で、目的の細線を
描き、電子線で周囲の有機物ＣＨ4 などがたたかれ、分
解し、炭素が電子線で描かれた所に付着する。その電子
線の描きを同一個所に繰返し、ある程度の厚さに炭素を
付着させた後、ＡｒガスでスパッタリングしてＡｕ蒸着
膜を除去し、同時に付着した炭素も除去し、その除去さ
れた炭素の下のＡｕが残り、電子線で描いた線と同一形
状の金属細線を得る。第２はガラス基板表面にＡｒガス
スパッタリングにより１本のステップラインを作り、そ
のステップライン形成面上に金属薄膜を蒸着形成し、そ
の後再びＡｒガススパッタリングを斜め方向より行っ
て、ステップの影に金属線を残す方法である。
られている。第１はグラファイトの表面にＡｕの蒸着膜
を形成し、そのＡｕ蒸着膜上を電子線で、目的の細線を
描き、電子線で周囲の有機物ＣＨ4 などがたたかれ、分
解し、炭素が電子線で描かれた所に付着する。その電子
線の描きを同一個所に繰返し、ある程度の厚さに炭素を
付着させた後、ＡｒガスでスパッタリングしてＡｕ蒸着
膜を除去し、同時に付着した炭素も除去し、その除去さ
れた炭素の下のＡｕが残り、電子線で描いた線と同一形
状の金属細線を得る。第２はガラス基板表面にＡｒガス
スパッタリングにより１本のステップラインを作り、そ
のステップライン形成面上に金属薄膜を蒸着形成し、そ
の後再びＡｒガススパッタリングを斜め方向より行っ
て、ステップの影に金属線を残す方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の金属細線の作製
方法では背景のＡｕ蒸着膜を除去すると同時に付着した
炭素を除去し、しかもその炭素の下のＡｕが残るように
するためには、炭素の方がＡｕより飛び易いから付着炭
素を厚くする必要があり、電子線の描きを同一個所を何
回も繰返さなければならず、時間がかかり、量産するこ
とが難かしく、また高価なものとなる。
方法では背景のＡｕ蒸着膜を除去すると同時に付着した
炭素を除去し、しかもその炭素の下のＡｕが残るように
するためには、炭素の方がＡｕより飛び易いから付着炭
素を厚くする必要があり、電子線の描きを同一個所を何
回も繰返さなければならず、時間がかかり、量産するこ
とが難かしく、また高価なものとなる。
【０００５】従来技術の第２の方法は、細線の結晶成長
がガラス基板に影響されて均一に成長しない事、及びＡ
ｒイオンによるスパッタリングの際、金属細線が汚染
（不純物が入る）される、更に表面が荒れるなどの問題
があった。従来の金属細線は基板上に接触して形成され
ているため、基板と金属細線との相互作用により金属細
線が物理的に影響されるおそれがある。また基板と金属
細線との合金を作り、つまり基板の原子が金属細線に入
り込み、汚染され、金属細線が化学的に影響されるおそ
れがある。更に基板から金属細線を取出すことができな
いなどの問題があった。
がガラス基板に影響されて均一に成長しない事、及びＡ
ｒイオンによるスパッタリングの際、金属細線が汚染
（不純物が入る）される、更に表面が荒れるなどの問題
があった。従来の金属細線は基板上に接触して形成され
ているため、基板と金属細線との相互作用により金属細
線が物理的に影響されるおそれがある。また基板と金属
細線との合金を作り、つまり基板の原子が金属細線に入
り込み、汚染され、金属細線が化学的に影響されるおそ
れがある。更に基板から金属細線を取出すことができな
いなどの問題があった。
【０００６】例えば非常に大規模なＬＳＩは大変高価な
ものとなる。従ってそのＬＳＩの導通欠損を金属細線で
接続して良品のＬＳＩにすることが考えられる。この場
合、従来の金属細線の作製法により、その導通欠損を接
続させようとすると、高価な装置を必要とし、しかもそ
の接続線の形成作業が著しく大変なものとなる。
ものとなる。従ってそのＬＳＩの導通欠損を金属細線で
接続して良品のＬＳＩにすることが考えられる。この場
合、従来の金属細線の作製法により、その導通欠損を接
続させようとすると、高価な装置を必要とし、しかもそ
の接続線の形成作業が著しく大変なものとなる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれば
結晶劈開法により形成された表面ステップラインを有す
る単結晶基板に、そのステップライン方向にμｍオーダ
の間隔をあけて配列された一対の金属薄膜を、そのステ
ップラインを保持した状態で方位成長させ、その後、こ
れら金属薄膜のステップラインに沿ってそれぞれ金属原
子細線を結晶成長させて、相互に連結させる。
結晶劈開法により形成された表面ステップラインを有す
る単結晶基板に、そのステップライン方向にμｍオーダ
の間隔をあけて配列された一対の金属薄膜を、そのステ
ップラインを保持した状態で方位成長させ、その後、こ
れら金属薄膜のステップラインに沿ってそれぞれ金属原
子細線を結晶成長させて、相互に連結させる。
【０００８】請求項２の発明によれば、一面に直線のス
テップラインが形成された単結晶基板上に、方位成長さ
れた一対の金属薄膜が、ステップラインの延長方向にお
いて間隔をもって配列され、かつこれら金属薄膜には上
記ステップラインにもとづくステップラインが形成され
ており、これら金属薄膜のステップラインに沿って延長
されて両者を橋渡ししている金属原子細線が設けられい
る。
テップラインが形成された単結晶基板上に、方位成長さ
れた一対の金属薄膜が、ステップラインの延長方向にお
いて間隔をもって配列され、かつこれら金属薄膜には上
記ステップラインにもとづくステップラインが形成され
ており、これら金属薄膜のステップラインに沿って延長
されて両者を橋渡ししている金属原子細線が設けられい
る。
【０００９】
【実施例】以下この発明の実施例を説明する。ＭｇＯ単
結晶を（１１１）面に平行に、ナイフェッジを使った治
具により劈開して、図１Ａに示すように一面１１を（１
１１）面とする単結晶基板１２を用意する。単結晶基板
１２の面（この例では上面）１１には直線のステップラ
イン１３が形成されている。ステップライン１３は面に
直角の段差であり、その段差は直線である。このステッ
プライン１３のステップの高さは１０ｎｍ以上好ましく
は１００ｎｍ以下とする。ステップライン１３の間隔は
約３０μｍで平行に多数形成される。
結晶を（１１１）面に平行に、ナイフェッジを使った治
具により劈開して、図１Ａに示すように一面１１を（１
１１）面とする単結晶基板１２を用意する。単結晶基板
１２の面（この例では上面）１１には直線のステップラ
イン１３が形成されている。ステップライン１３は面に
直角の段差であり、その段差は直線である。このステッ
プライン１３のステップの高さは１０ｎｍ以上好ましく
は１００ｎｍ以下とする。ステップライン１３の間隔は
約３０μｍで平行に多数形成される。
【００１０】図１Ｂに示すようにこの単結晶基板１２の
面１１上に一対の金属薄膜１４，１５を（１１１）面に
方位成長させる。金属薄膜１４，１５はステップライン
１３の延長方向において間隔ｄが設けられ、かつステッ
プライン１３にもとづくステップライン１７が金属薄膜
１４，１５に形成する。このためＰｔの遮蔽線１８をス
テップライン１３と直角に面１１上に配し、図２Ａに示
すように、遮蔽線１８を単結晶基板１２に配した状態で
図に示していないホルダに保持し、そのホルダごと高真
空（２×１０-8Ｔｏｒｒ）の蒸着容器内の試料保持部１
９に取付け、単結晶基板１２を２２０℃にて脱ガスした
後、蒸着源２１のＡｕを加熱し、Ａｕを蒸発させて、２
０〜１００℃とした単結晶基板１２の面１１に蒸着させ
る。この蒸着速度を２〜４ｎｍ／分、例えば３ｎｍ／分
とし、膜厚を１００〜１０００ｎｍとする。遮蔽線１８
の部分にはＡｕが蒸着されず、この部分が間隔ｄとな
る。膜厚が厚過ぎると金属薄膜１４，１５にステップラ
イン１７が生じなくなる。またステップライン１３のス
テップの高さが低過ぎてもステップライン１７が生じな
くなる。ステップが高過ぎたり、膜厚が薄過ぎると、ス
テップライン１３の部分で金属薄膜１４，１５がそれぞ
れ連続せず切れてしまい、同様にステップライン１７が
生じない。
面１１上に一対の金属薄膜１４，１５を（１１１）面に
方位成長させる。金属薄膜１４，１５はステップライン
１３の延長方向において間隔ｄが設けられ、かつステッ
プライン１３にもとづくステップライン１７が金属薄膜
１４，１５に形成する。このためＰｔの遮蔽線１８をス
テップライン１３と直角に面１１上に配し、図２Ａに示
すように、遮蔽線１８を単結晶基板１２に配した状態で
図に示していないホルダに保持し、そのホルダごと高真
空（２×１０-8Ｔｏｒｒ）の蒸着容器内の試料保持部１
９に取付け、単結晶基板１２を２２０℃にて脱ガスした
後、蒸着源２１のＡｕを加熱し、Ａｕを蒸発させて、２
０〜１００℃とした単結晶基板１２の面１１に蒸着させ
る。この蒸着速度を２〜４ｎｍ／分、例えば３ｎｍ／分
とし、膜厚を１００〜１０００ｎｍとする。遮蔽線１８
の部分にはＡｕが蒸着されず、この部分が間隔ｄとな
る。膜厚が厚過ぎると金属薄膜１４，１５にステップラ
イン１７が生じなくなる。またステップライン１３のス
テップの高さが低過ぎてもステップライン１７が生じな
くなる。ステップが高過ぎたり、膜厚が薄過ぎると、ス
テップライン１３の部分で金属薄膜１４，１５がそれぞ
れ連続せず切れてしまい、同様にステップライン１７が
生じない。
【００１１】遮蔽線１８の太さと金属薄膜１４，１５の
厚さとにより間隔ｄが決まる。間隔ｄは例えば０．５〜
１５μｍとされ、遮蔽線１８の太さは例えば１０μｍと
される。このようにして金属薄膜１４，１５はＭｇＯ単
結晶基板１２のＭｇＯ原子の間隔の影響により、方位成
長（エピタキシー）されたものとなる。金属薄膜１４，
１５のステップライン１７に沿ってそれぞれ金属原子細
線２２，２３を成長させて相互に連結させる。即ち図２
において遮蔽線１８を外し、図２Ｂに示すように試料保
持部１９に保持させ、単結晶基板１２を２２０〜２８０
℃とし、Ａｕを０．１〜０．４ｎｍ／分の遅い蒸着速度
で金属薄膜１４，１５上に蒸着させる。金属薄膜１４，
１５のＡｕ（１１１）面上に飛来したＡｕ原子は拡散し
ながらステップライン１７に沿って配列してＡｕ（１１
１）面上に細線２２，２３が生じ、これら細線２２，２
３はウイスカ成長のように次第に間隔ｄの方向に伸びて
ゆき、間隔ｄの中央部で細線２２，２３は互いに接続さ
れる。金属薄膜１４，１５間に電圧を印加し、細線２
２，２３に流れる電流を観察して細線２２，２３の接
続、成長の状態を知ることができる。細線２２，２３が
連結し、金属薄膜１４，１５を橋渡す金属細線が完了し
た後、２２０℃程度で１２時間程度のアニールを行う。
厚さとにより間隔ｄが決まる。間隔ｄは例えば０．５〜
１５μｍとされ、遮蔽線１８の太さは例えば１０μｍと
される。このようにして金属薄膜１４，１５はＭｇＯ単
結晶基板１２のＭｇＯ原子の間隔の影響により、方位成
長（エピタキシー）されたものとなる。金属薄膜１４，
１５のステップライン１７に沿ってそれぞれ金属原子細
線２２，２３を成長させて相互に連結させる。即ち図２
において遮蔽線１８を外し、図２Ｂに示すように試料保
持部１９に保持させ、単結晶基板１２を２２０〜２８０
℃とし、Ａｕを０．１〜０．４ｎｍ／分の遅い蒸着速度
で金属薄膜１４，１５上に蒸着させる。金属薄膜１４，
１５のＡｕ（１１１）面上に飛来したＡｕ原子は拡散し
ながらステップライン１７に沿って配列してＡｕ（１１
１）面上に細線２２，２３が生じ、これら細線２２，２
３はウイスカ成長のように次第に間隔ｄの方向に伸びて
ゆき、間隔ｄの中央部で細線２２，２３は互いに接続さ
れる。金属薄膜１４，１５間に電圧を印加し、細線２
２，２３に流れる電流を観察して細線２２，２３の接
続、成長の状態を知ることができる。細線２２，２３が
連結し、金属薄膜１４，１５を橋渡す金属細線が完了し
た後、２２０℃程度で１２時間程度のアニールを行う。
【００１２】蒸着速度を０．１ｎｍ／分以下としたり、
０．４ｎｍ／分以上とすると金属細線２２，２３が下に
さがり、間隔ｄの単結晶基板１２と接触する。単結晶基
板１２の温度を２５０℃とし、蒸着速度を０．３ｎｍ／
分とし、１００ｋΩの電流制限抵抗器を介して４０ｍＶ
を金属薄膜１４，１５間に印加した時の細線形成用の蒸
着開始からの電流変化状態を図３に示す。１７分ぐらい
経過すると、両細線２２，２３が互いに接触して電流が
流れ始め、かつその接触部が成長して電流が時間と共に
増加し、細線２２，２３の接続状態が良好になってゆく
状態がわかる。２５分程度で電流が飽和し、２７分で蒸
着を停止した。
０．４ｎｍ／分以上とすると金属細線２２，２３が下に
さがり、間隔ｄの単結晶基板１２と接触する。単結晶基
板１２の温度を２５０℃とし、蒸着速度を０．３ｎｍ／
分とし、１００ｋΩの電流制限抵抗器を介して４０ｍＶ
を金属薄膜１４，１５間に印加した時の細線形成用の蒸
着開始からの電流変化状態を図３に示す。１７分ぐらい
経過すると、両細線２２，２３が互いに接触して電流が
流れ始め、かつその接触部が成長して電流が時間と共に
増加し、細線２２，２３の接続状態が良好になってゆく
状態がわかる。２５分程度で電流が飽和し、２７分で蒸
着を停止した。
【００１３】細線２２，２３が互いに接続されたものの
直流の電流−電圧特性の例を図４Ａに示す。非直線的と
なっており、オームの法則から外れている。交流の電流
−電圧特性の例を図４Ｂに示す。この場合も非直線的と
なりオームの法則から外れている。これらの特性は原子
細線の特徴を示している。図５にこの細線に電流を流さ
ない時と、９．０μＡの電流を流した時との雑音の発生
状態を示す。図において小さく上下しているのが雑音で
あり、電流を流した方が雑音レベルが大となり、原子細
線の特徴を示している。
直流の電流−電圧特性の例を図４Ａに示す。非直線的と
なっており、オームの法則から外れている。交流の電流
−電圧特性の例を図４Ｂに示す。この場合も非直線的と
なりオームの法則から外れている。これらの特性は原子
細線の特徴を示している。図５にこの細線に電流を流さ
ない時と、９．０μＡの電流を流した時との雑音の発生
状態を示す。図において小さく上下しているのが雑音で
あり、電流を流した方が雑音レベルが大となり、原子細
線の特徴を示している。
【００１４】上述において、単結晶基板１２としてはＭ
ｇＯ単結晶に限らない、酸化物単結晶、一般の単結晶で
もよく、要は表面にステップラインが形成されるもので
あればよい。金属薄膜１４，１５としてはＡｕに限らな
い。同様に金属細線２２，２３もＡｕに限らず、また金
属薄膜１４，１５と金属細線２２，２３とは同一金属で
なくてもよい。金属細線２２，２３を成長させて互いに
接続された後、その成長条件を持続させることにより、
金属薄膜を形成することもできる。
ｇＯ単結晶に限らない、酸化物単結晶、一般の単結晶で
もよく、要は表面にステップラインが形成されるもので
あればよい。金属薄膜１４，１５としてはＡｕに限らな
い。同様に金属細線２２，２３もＡｕに限らず、また金
属薄膜１４，１５と金属細線２２，２３とは同一金属で
なくてもよい。金属細線２２，２３を成長させて互いに
接続された後、その成長条件を持続させることにより、
金属薄膜を形成することもできる。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば単結
晶基板と接触しない金属原子細線を一度に複数、例えば
２０本程度も作製することができる。しかも蒸着により
比較的簡単に、かつ短時間に作ることができる。この金
属原子細線は基板と接触していないため、基板による物
理的影響、化学的影響を受けない。また基板から離れて
いるため、金属原子細線を容易に切取ることができる。
従って先に述べたようにＬＳＩの導通欠損部にこの切取
った金属原子細線を配して、レーザ又は電子線などで接
続することにより簡単に修復することができる。
晶基板と接触しない金属原子細線を一度に複数、例えば
２０本程度も作製することができる。しかも蒸着により
比較的簡単に、かつ短時間に作ることができる。この金
属原子細線は基板と接触していないため、基板による物
理的影響、化学的影響を受けない。また基板から離れて
いるため、金属原子細線を容易に切取ることができる。
従って先に述べたようにＬＳＩの導通欠損部にこの切取
った金属原子細線を配して、レーザ又は電子線などで接
続することにより簡単に修復することができる。
【図１】Ａは単結晶基板の例を示す斜視図、Ｂはそれに
金属薄膜を形成した状態を示す斜視図、Ｃは金属原子細
線が形成された状態を示す拡大斜視図である。
金属薄膜を形成した状態を示す斜視図、Ｃは金属原子細
線が形成された状態を示す拡大斜視図である。
【図２】Ａは金属薄膜の蒸着を示す図、Ｂは金属細線の
蒸着を示す図である。
蒸着を示す図である。
【図３】金属細線蒸着時における金属薄膜１４，１５間
の電流変化状態を示す図。
の電流変化状態を示す図。
【図４】この発明で得られた金属原子細線の電流−電圧
特性例を示す図。
特性例を示す図。
【図５】この発明で得られた金属原子細線の電流による
雑音変化の状態を示す図。
雑音変化の状態を示す図。
Claims (2)
- 【請求項１】 結晶劈開法により形成された表面ステッ
プラインを有する単結晶基板上に、そのステップライン
を保持した状態で方位成長させた一対の金属薄膜を、そ
のステップラインの方向にμｍオーダの間隔をおいて配
列形成し、 その後、これら金属薄膜のステップラインに沿ってそれ
ぞれ金属原子細線を結晶成長させて、相互に連結させる
ことを特徴とする金属原子細線成長方法。 - 【請求項２】 一面に直線のステップラインが形成され
た単結晶基板と、 その単結晶基板の上記ステップラインが形成された面上
に方位成長され、上記ステップラインにもとずくステッ
プラインが形成され、そのステップラインの延長方向に
おいて間隔をもって配された一対の金属薄膜と、 これら金属薄膜のステップラインに沿って延長されて両
者を橋渡ししている金属原子細線と、 を具備する原子細線デバイス。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3255088A JP2976995B2 (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 金属原子細線成長方法及び原子細線デバイス |
| US07/953,974 US5330612A (en) | 1991-10-02 | 1992-09-30 | Method of fabricating nano-size thin wires and devices made of such thin wires |
| DE69209205T DE69209205T2 (de) | 1991-10-02 | 1992-09-30 | Verfahren zum Herstellung Nano-Dimenzion dünner Drähte und diese dünner Drähten enthaltenden Vorrichtungen |
| EP92116731A EP0535633B1 (en) | 1991-10-02 | 1992-09-30 | Method of fabricating nano-size thin wires and devices made of such thin wires |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3255088A JP2976995B2 (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 金属原子細線成長方法及び原子細線デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0595141A true JPH0595141A (ja) | 1993-04-16 |
| JP2976995B2 JP2976995B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=17273963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3255088A Expired - Fee Related JP2976995B2 (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 金属原子細線成長方法及び原子細線デバイス |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5330612A (ja) |
| EP (1) | EP0535633B1 (ja) |
| JP (1) | JP2976995B2 (ja) |
| DE (1) | DE69209205T2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6359288B1 (en) | 1997-04-24 | 2002-03-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Nanowire arrays |
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