JPH0587976U - レーザキャビティハウジング - Google Patents

レーザキャビティハウジング

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JPH0587976U
JPH0587976U JP2837692U JP2837692U JPH0587976U JP H0587976 U JPH0587976 U JP H0587976U JP 2837692 U JP2837692 U JP 2837692U JP 2837692 U JP2837692 U JP 2837692U JP H0587976 U JPH0587976 U JP H0587976U
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富美男 小林
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富士写真光機株式会社
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 外部の温度変化に影響されることなく高精度
でレーザ結晶を温度コントロールするために、その共振
器を熱伝導部材と、この熱伝導部材を被覆する断熱部材
とで2重に被覆し温度コントロールする。 【構成】 このレーザキャビティハウジングは、YVO
4 レーザ結晶2とKTP素子4を保持する結晶ホルダ11
および反射ミラー5を保持するミラーホルダ12を接した
状態で、速やかに温度の均一化を図る熱伝導筒14内に収
納保持するようになっており、また、この熱伝導筒14の
中空小径部14Aの孔部には集光レンズ3を収容したレン
ズホルダ6の一部を嵌挿することができるようになって
いる。また、これら半導体レーザ素子1、レンズホルダ
6および熱伝導筒14は各光学部材がアライメントされて
いる状態で、外部との熱の流入・流出を遮断する断熱部
材15A,Bにより被覆されるようになっている。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は励起光を入射されて所定波長のレーザ光を出射するレーザ結晶を被覆 するレーザキャビティハウジングに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般にレーザ光源は微小な温度の変化によって波長、モードあるいはパワーが 大幅に変化する。したがって、特に、これら波長等の高い安定性が要求される場 合には、上記レーザ光源の温度をコントロールする必要がある。
【0003】 ところで、近年種々の用途にYAGレーザ等の半導体励起固体レード光源が使 用されるようになっている。このような半導体励起固体レーザ光源は励起光源か らの励起光を集光レンズによりYAGロッド等のレーザ結晶に入射せしめ、この レーザ結晶の両側に配した共振器ミラーによってレーザ結晶からの出射光を増幅 して出力するような構成となっている。
【0004】 このような半導体励起固体レーザ光源も上記一般のレーザ光源と同様に温度を コントロールする必要があるが、特に縦モードの、パワーが安定したレーザ出力 を得るためにはレーザ結晶の特性(複屈折性、非線形常数値等)が安定するよう にこのレーザ結晶を含んだ共振器全体の温度コントロールを高精度で行なう必要 がある。
【0005】 特に、第2高調波を得るように構成したレーザ光源では温度に対する要求はか なり厳格なものとなる。
【0006】 このレーザ結晶の温度コントロールを行なうためには、図4,5の従来技術 (YAGレーザ光源)に示すように、まずレーザ結晶をキャビティ内に収容し、 しかる後、キャビティハウジング内の温度をコントロールするのが望ましい。
【0007】 図4に示すYAGレーザ光源は、励起ランプ31とYAGロッド32を収容した石 英、インバー等からなる温度特性の安定したキャビティハウジング33を3本の支 柱34に支持された載置台35上に固設してなり、YAGロッド32から出射されたレ ーザ光を、3本の支柱34に支持された2つのミラーホルダ36A,Bにより保持さ れてなる入射ミラー37Aおよび出射ミラー37Bによって共振せしめ、これにより 増幅したレーザ光を出射ミラー37Bから出力するようにしたものである。
【0008】 また図5に示すYAGレーザ光源は、基本的には図4に示すYAGレーザ光源 と同様の構成とされているが、励起ランプ41とYAGロッド42を収容したキャビ ティハウジング43、および入射ミラー47Aと出射ミラー47Bを保持した2つのミ ラーホルダ46A,Bがレール38上に固設されたランナー39A,B,C上に取り付 けられている点で異なっている。
【0009】 これら図4,5に示す従来技術にはキャビティハウジング内の温度コントロー ルを行なう制御部が設けられていないが、一般のレーザ光源の場合と同様にキャ ビティハウジング内を所定の温度にコントロールする制御部を設けるようにすれ ばYAGロッド等のレーザ結晶の温度をある程度コントロールすることが可能と なる。
【0010】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したキャビティハウジングは励起ランプ41とYAGロッド 42を配する空洞部を形成した金属等からなるブロックであり、外気の温度が大き く変化した場合に外部との熱の流入・流出を遮断することができないので、この キャビティハウジング内の温度をコントロールする制御部を設けたとしても、そ の温度制御に遅れが生じ、レーザ結晶を高精度で温度コントロールすることが困 難となる。特に最近では、キャビティハウジングの内部を0.01℃以下の誤差範囲 内で温度コントロールする高精度のレーザ光源も必要とされており、上述した如 きレーザキャビティハウジングを用いていてはこのような要求に対応することが 困難であった。
【0011】 本考案はこのような事情に鑑みなされたもので、外部の温度変化に影響される ことなく高精度でレーザ結晶を温度コントロールし得るレーザキャビティハウジ ングを提供することを目的とするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本考案のレーザキャビティハウジングは、少なくともレーザ結晶、レーザミラ ーおよび非線形結晶(以下レーザ結晶等という)を被覆する熱伝導部材と、この 熱伝導部材を被覆する断熱部材の2重構造に構成され、該レーザ結晶等を励起す るための外部からの励起光の入射、および該レーザ結晶から外部へのレーザ光の 出射を許容するキャビティ部を備えてなることを特徴とするものである。
【0013】 すなわち、このレーザキャビティハウジングはレーザ結晶等を熱伝導部材と断 熱部材により2重に被覆してなることを特徴とするものである。
【0014】 ここで、熱伝導部材とは熱伝導が良好な部材、一般には金属等をいうが、レー ザ結晶全体を精密に温度コントロールできる程度にこの熱伝導部材全体を迅速に 均一な温度とし得るものであれば金属等に限られるものではない。
【0015】 また、断熱部材とは上記熱伝導部材に比べて熱伝導率が大幅に低いものであっ て、例えばプラスチック、セラミック等をいうが、上記レーザ結晶等を精密に温 度コントロールできる程度に外部と熱の流入、流出を遮断し得るものであれば上 記プラスチック、セラミック等に限られるものではない。
【0016】 なお、本考案のレーザキャビティハウジングでは上記レーザ結晶等以外の部材 もハウジング内に配設するような構成とすることも可能である。
【0017】
【作用】 上記構成によれば、レーザ結晶等を熱伝導部材により、さらにその外部を断熱 部材により2重に被覆している。
【0018】 したがって、外部との熱の流入・流出は断熱部材により略遮断され、この断熱 部材内の温度は急激な温度変化を示さないような環境となる。
【0019】 しかも、この断熱部材内にはレーザ結晶等を被覆する熱伝導部材が配されてい るので、この断熱部材内に温度の偏りが生じてもこの熱伝導部材によって速やか に熱の伝達がなされ、レーザ結晶等の温度が均一となる。
【0020】 このようにキャビティハウジング外部との熱の流入・流出を略遮断するととも にレーザ結晶等の温度を均一化することにより、レーザ結晶等を所定の温度に設 定する場合の温度コントロールも極めて容易となる。
【0021】
【実施例】
以下、本考案の実施例について図面を用いて説明する。
【0022】 図1は本考案の実施例に係るレーザキャビティハウジングを示す一部断面図で ある。このレーザキャビティハウジングは波長532nm のレーザ光を出力するレー ザ光源の各部材を収容固定するものである。
【0023】 すなわち、このレーザ光源は、波長809nm の出力レーザ光16を出力する半導体 レーザ素子1と、この半導体レーザ素子1から出力されたレーザ励起光により励 起され、波長1064nmのレーザ光を射出するYVO4 (yttrium vanadium oxide)レ ーザ結晶(ネオジウムがドープされている)2と、上記レーザ励起光をこのYV O4 レーザ結晶2上に集光する2つの集光レンズ3と、YVO4 レーザ結晶2か ら出力された波長1064nmのレーザ光を波長532nm のレーザ光に波長変換するKT P(potassium titanyle phosphate)素子4とを備えている。また、KTP素子4 からのレーザ光の一部を透過し、残りを反射する反射ミラー5と、上記YVO4 レーザ結晶2のレーザ励起光入射端面に蒸着により形成された半透鏡部2Aとに より構成される光共振部を備えている。
【0024】 なお、上記2つの集光レンズ3はアライメントされた状態でレンズホルダ6内 に収容固定され、また上述したYVO4 レーザ結晶2とKTP素子4とは端面を 互いに接合された状態に構成されている。
【0025】 以上に説明したレーザ光源が、図1に示す如く本考案の実施例に係るレーザキ ャビティハウジングに収容されることとなる。すなわち、このレーザキャビティ ハウジングは、YVO4 レーザ結晶2とKTP素子4を保持する結晶ホルダ11、 反射ミラー5を保持するミラーホルダ12およびワッシャ13の3部材を接した状態 で熱伝導筒14内に収納保持するようになっており、また、この熱伝導筒14の半導 体レーザ素子1側に突設された中空小径部14Aの孔部にはレンズホルダ6の一部 を嵌挿することができるようになっている。また、これら半導体レーザ素子1、 レンズホルダ6および熱伝導筒14は各光学部材がアライメントされている状態で 断熱部材15A,Bにより被覆されるようになっており、またこの断熱部材15B、 ミラーホルダ12およびワッシャ13には出力レーザ光16が通過する孔が穿設されて いる。
【0026】 なお、半導体レーザ素子1の底部にはこの素子1を冷却するためのヒートシン ク17が取り付けられており、一方熱伝導筒14の外面に接合するよう、断熱部材15 Aの切欠部に温度制御用のペルチェ素子18が埋設されており、このペルチェ素子 18の熱伝導筒14側とは反対側にペルチェ素子冷却用のヒートシンク19が取り付け られている。
【0027】 図2は上記熱伝導筒14内に配された上記各部材を分解して示す斜視図である。 この図2に示すように、角筒状の熱伝導筒14内には円柱状の空洞14Aが形成され ており、この空洞14A内に円柱状の結晶ホルダ11およびミラーホルダ12が嵌挿さ れるようになっている。この結晶ホルダ11の中心部には角片状のYVO4 レーザ 結晶2とKTP素子4が密に嵌合される角型状の透孔11Aが穿設されており、ミ ラーホルダ12には反射ミラー5が保持される凹部(図2には示されていない)が 設けられている。なお、これら2つのホルダ11,12および熱伝導筒14の端面には これらの部材を保持するため各々複数個のねじ止め用穴が設けられている。
【0028】 また、この熱伝導筒14は図3に示す如く、高さAが23.5mm、幅Bが23.5mm、長 さCが23mm、さらに空洞部の直径Dが19mmとなるように構成されている。この熱 伝導筒14はYVO4 レーザ結晶2とKTP素子4を結晶ホルダ11を介して均一な 温度とするためAl,Cu,ステンレス鋼等の金属で形成することが可能である が、この熱伝導筒14にヒートキャパシティを持たせたい場合には熱伝導率のやや 低い金属を用いることが望ましい。例えば熱伝導率の高いAl(2.38 J/cm・s ・k )やCu(3.85 J/cm・s ・k )に比べて熱伝導率のやや低いステンレス鋼 (0.245 J/cm・s ・k )の方が望ましい。
【0029】 なお、上記結晶ホルダ11は例えば熱伝導筒14と同様の材料であるAl,Cu, ステンレス鋼等で形成する。
【0030】 また、上記断熱部材15A,Bはキャビティハウジング外部との熱の流入・流出 を略遮断することができる材料で形成されており、機械加工性等をも考慮すると プラスチック樹脂を用いるのが望ましいが、その他セラミックス等を用いること も可能である。このときの断熱部材15A,Bの熱伝導率は例えば7×10-4 cal/ (cm・s/cm2 ・℃・cm)とする。
【0031】 このように上記実施例のレーザキャビティハウジングにおいては外部との熱の 流入・流出を断熱部材15A,Bにより略遮断するとともに、この断熱部材15A, B内の温度を熱伝導筒14によって急速に均一化し得る環境下にYVO4 レーザ結 晶2およびKTP素子4を配設し、ペルチェ素子18を用いて精密な温度コントロ ールを行なうようにしている。これにより、レーザ結晶の温度ドリフトが従来の レーザキャビティハウジングを用いた場合には0.1 ℃程度であったものが、上記 実施例のレーザキャビティハウジングを用いた場合には0.01℃以下とすることが 可能となった。
【0032】 また、キャビティハウジング部分をユニット化することで組立調整が極めて容 易となった。
【0033】 本考案のレーザキャビティハウジングとしては上記実施例のものに限られるも のではなく、形状、寸法や材料等について種々の態様の変更が可能である。例え ば、上記実施例において結晶ホルダ11に保持されるYVO4 レーザ結晶2に代え てYAGレーザロッドとすることも可能である。
【0034】 また、上述した実施例では熱伝導筒14を熱伝導部材として機能させるとともに 熱容量部材として機能させるようにしている。この熱伝導筒14に所望の熱容量を 持たせるためには、レーザキャビティハウジングの材質(比熱)や形状(長さ、 径)として適宜所望の値を選択することが可能である。
【0035】
【考案の効果】
以上説明したように本考案のレーザキャビティハウジングによれば、断熱部材 と熱伝導部材によりレーザ結晶を2重に被覆して、外部との熱の流入・流出を遮 断するとともにレーザ結晶の温度を速やかに均一化するようにしているので精度 の高い温度コントロールが容易で、出力レーザ光の波長、モード、パワーを高精 度でコントロールすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の実施例に係るレーザキャビティハウジ
ングをレーザ光源とともに示す一部断面図
【図2】図1に示すハウジングの主要部分を分解して示
す斜視図
【図3】図2に示す熱伝導筒の大きさを説明するための
斜視図
【図4】従来のレーザキャビティハウジングを示す斜視
【図5】図4とは異なる従来のレーザキャビティハウジ
ングを示す斜視図
【符号の説明】
1 半導体レーザ素子 2 YVO4 レーザ結晶 3 集光レンズ 4 KTP素子 5 反射ミラー 6 レンズホルダ 11 結晶ホルダ 12 ミラーホルダ 13 ワッシャ 14 熱伝導筒 15A,B 断熱部材 16 出力レーザ光 17,19 ヒートシンク 18 ペルチェ素子

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくともレーザ結晶、レーザミラーお
    よび非線形結晶を被覆する熱伝導部材と、この熱伝導部
    材を被覆する断熱部材の2重構造に構成され、該レーザ
    結晶を励起するための外部からの励起光の入射、および
    このレーザ結晶から外部へのレーザ光の出射を許容する
    キャビティ部を備えてなることを特徴とするレーザキャ
    ビティハウジング。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007013608A1 (ja) * 2005-07-28 2007-02-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. レーザ光源およびディスプレイ装置
JP2007027236A (ja) * 2005-07-13 2007-02-01 Nippon Soken Inc レーザ発振装置
WO2007032402A1 (ja) * 2005-09-14 2007-03-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. レーザ光源、およびそれを用いたディスプレイ装置
JP2008177444A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Megaopto Co Ltd 固体レーザー発振装置
JP2009054838A (ja) * 2007-08-28 2009-03-12 Japan Science & Technology Agency 固体レーザーモジュール
WO2014157119A1 (ja) * 2013-03-29 2014-10-02 ウシオ電機株式会社 ファイバーレーザー光源装置
CN109888601A (zh) * 2019-04-08 2019-06-14 北京理工大学 一种用于频差可调谐的双频微片激光器的夹持装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007027236A (ja) * 2005-07-13 2007-02-01 Nippon Soken Inc レーザ発振装置
WO2007013608A1 (ja) * 2005-07-28 2007-02-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. レーザ光源およびディスプレイ装置
WO2007032402A1 (ja) * 2005-09-14 2007-03-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. レーザ光源、およびそれを用いたディスプレイ装置
JP5231806B2 (ja) * 2005-09-14 2013-07-10 パナソニック株式会社 レーザ光源、およびそれを用いたディスプレイ装置
JP2008177444A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Megaopto Co Ltd 固体レーザー発振装置
JP2009054838A (ja) * 2007-08-28 2009-03-12 Japan Science & Technology Agency 固体レーザーモジュール
WO2014157119A1 (ja) * 2013-03-29 2014-10-02 ウシオ電機株式会社 ファイバーレーザー光源装置
CN109888601A (zh) * 2019-04-08 2019-06-14 北京理工大学 一种用于频差可调谐的双频微片激光器的夹持装置

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