JPH0587664A - Semiconductor differential-pressure transmitter - Google Patents
Semiconductor differential-pressure transmitterInfo
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- JPH0587664A JPH0587664A JP24998491A JP24998491A JPH0587664A JP H0587664 A JPH0587664 A JP H0587664A JP 24998491 A JP24998491 A JP 24998491A JP 24998491 A JP24998491 A JP 24998491A JP H0587664 A JPH0587664 A JP H0587664A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は差圧伝送器に関し、特
に、過大保護機構を有する半導体差圧伝送器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a differential pressure transmitter, and more particularly to a semiconductor differential pressure transmitter having an excessive protection mechanism.
【０００２】[0002]
【従来の技術】次に図面を用いて従来例を説明する。図
４は従来の第１の過大圧保護機構を説明する構成図、図
５は従来の第２の過大圧保護機構を説明する構成図であ
る。2. Description of the Related Art Next, a conventional example will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a configuration diagram illustrating a first conventional overpressure protection mechanism, and FIG. 5 is a configuration diagram illustrating a second conventional overpressure protection mechanism.
【０００３】先ず図４を用いて従来の第１の過大圧保護
機構の説明を行う。図において、１，２は受圧部ボディ
である。この受圧部ボディ１，２の対向面には、金属性
のセンタダイアフラム３を介して、第１室４及び第２室
５が形成されている。又、受圧部ボディ１，２には、シ
ールダイアフラム６，７によって、第３室８，第４室９
が形成されている。又、第３室８と第１室４とは導圧孔
１０によって、第４室９と第２室５とは導圧孔１１によ
って、それぞれ連絡されている。First, a conventional first overpressure protection mechanism will be described with reference to FIG. In the figure, 1 and 2 are pressure receiving body. A first chamber 4 and a second chamber 5 are formed on the facing surfaces of the pressure receiving bodies 1 and 2 with a metal center diaphragm 3 interposed therebetween. In addition, the pressure receiving body 1, 2 is provided with a third diaphragm 8 and a fourth chamber 9 by means of seal diaphragms 6, 7.
Are formed. Further, the third chamber 8 and the first chamber 4 are connected by a pressure guiding hole 10, and the fourth chamber 9 and the second chamber 5 are connected by a pressure guiding hole 11, respectively.
【０００４】そして、第１室４，第３室８及び導圧孔１
０はシリコンオイル１２によって充填され、同様に、第
２室５，第４室９及び導圧孔１１はシリコンオイル１３
によって充填されている。Then, the first chamber 4, the third chamber 8 and the pressure guiding hole 1
0 is filled with silicone oil 12, and similarly, the second chamber 5, the fourth chamber 9 and the pressure guiding hole 11 are filled with the silicone oil 13.
Is filled by.
【０００５】このような構成において、シールダイアフ
ラム６又はシールダイアフラム７に過大な圧力が作用す
ると、センタダイアフラム３が受圧ボディ１又は２に着
座し、それ以上の圧力が図示しないセンサに伝達されな
いようにしている。In such a structure, when an excessive pressure is applied to the seal diaphragm 6 or the seal diaphragm 7, the center diaphragm 3 is seated on the pressure receiving body 1 or 2 so that any further pressure is not transmitted to a sensor (not shown). ing.
【０００６】次に、図５を用いて従来の第２の過大圧保
護機構の説明を行う。図において、２１は印加面の一方
の面が周縁部に対して凹部に形成されたシリコンダイア
フラムである。このシリコンダイアフラム２１の両方の
印加面上には、第１及び第２のベースプレート２２，２
３がこのシリコンダイアフラム２１を挟持するように接
合されている。そして、これら第１及び第２のベースプ
レート２２，２３には、導圧孔２４，２５が穿設され、
更に、シリコンダイアフラム２１の印加面方向に延出す
る凸部２６，２７が形成されている。Next, the second conventional overpressure protection mechanism will be described with reference to FIG. In the figure, 21 is a silicon diaphragm in which one surface of the application surface is formed as a recess with respect to the peripheral portion. The first and second base plates 22, 2 are formed on both application surfaces of the silicon diaphragm 21.
3 are joined so as to sandwich the silicon diaphragm 21. Then, pressure guiding holes 24 and 25 are formed in the first and second base plates 22 and 23, respectively.
Furthermore, convex portions 26 and 27 extending in the direction of the application surface of the silicon diaphragm 21 are formed.
【０００７】次に、上記構成の作動を説明する。導圧孔
２４，２５を介して過大な圧力がシリコンダイアフラム
２１へ作用すると、シリコンダイアフラム２１は、第１
及び第２のベースプレート２２，２３の凸部２６，２７
へ当接し、過度なダイアフラム２１の変形を防止する。Next, the operation of the above configuration will be described. When an excessive pressure acts on the silicon diaphragm 21 via the pressure guiding holes 24, 25, the silicon diaphragm 21 will move to the first position.
And the convex portions 26, 27 of the second base plates 22, 23.
To prevent excessive deformation of the diaphragm 21.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記構成の従
来例において、先ず図４に示すタイプにおいては、金属
性のセンタダイアフラム３は、ヒステリシスをある値以
上には、小さくできないという問題点がある。However, in the conventional example having the above-mentioned structure, first, in the type shown in FIG. 4, the metal center diaphragm 3 has a problem that the hysteresis cannot be made smaller than a certain value. ..
【０００９】次に、図５に示すタイプにおいては、シリ
コンダイアフラム２１に過大圧が作用したときに、シリ
コンダイアフラム２１と第１及び第２のベースプレート
２２，２３との接合面の強度小さく実用に到っていない
という問題点がある。又、過大圧作用時に、シリコンダ
イアフラム２１が突部２６，２７に当接し、素子等が設
けられているシリコンダイアフラム２１に傷が着きやす
く、動作が安定しないという問題点もある。Next, in the type shown in FIG. 5, when an excessive pressure is applied to the silicon diaphragm 21, the strength of the joint surface between the silicon diaphragm 21 and the first and second base plates 22 and 23 is reduced to practical use. There is a problem that it does not. In addition, when the excessive pressure is applied, the silicon diaphragm 21 comes into contact with the protrusions 26 and 27, and the silicon diaphragm 21 provided with the elements and the like is easily scratched, resulting in unstable operation.
【００１０】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、高性能で、小型，軽量，低価格で高
信頼性の半導体差圧伝送器を提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a semiconductor differential pressure transmitter having high performance, small size, light weight, low cost and high reliability.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明は、一面が開放された第１室と、一面が開放された第
２室と、前記第１室及び第４室との間で、前記第１室に
連設された第２室と、該第２室及び前記第４室との間に
設けられる第３室と、前記第１室及び第２室を連絡する
第１の導圧孔と、前記第２室及び第３室を連絡する第２
の導圧孔と、前記第３室及び第４室を連絡する第３の導
圧孔と、前記第１室の前記第１の導圧孔の開口上に設け
られた第１のシリコンダイアフラムと、前記第４室の前
記第３の導圧孔の開口上に設けられた第２のシリコンダ
イアフラムと、前記第２室の前記第２の導圧孔の開口上
に設けられたシリコン差圧センサと、前記第２及び第３
室に封入された封液とを具備し、前記第１及び第２のシ
リコンダイアフラムの印加面の両面は、周縁部に対して
凹部となっているものである。According to the present invention for solving the above-mentioned problems, a first chamber having one open surface, a second chamber having one open surface, and the first chamber and the fourth chamber are provided. A second chamber connected to the first chamber, a third chamber provided between the second chamber and the fourth chamber, and a first guide connecting the first chamber and the second chamber. A second connecting the pressure hole and the second chamber and the third chamber
Pressure guiding hole, a third pressure guiding hole that connects the third chamber and the fourth chamber, and a first silicon diaphragm provided on the opening of the first pressure guiding hole of the first chamber. A second silicon diaphragm provided on the opening of the third pressure guiding hole of the fourth chamber, and a silicon differential pressure sensor provided on the opening of the second pressure guiding hole of the second chamber. And the second and third
A sealing liquid sealed in the chamber is provided, and both surfaces of the application surface of the first and second silicon diaphragms are recessed with respect to the peripheral edge portion.
【００１２】[0012]
【作用】本発明の半導体差圧伝送器において、第１及び
第２のダイアフラムは、過大圧が作用したときには、印
加面が第１又は第３の導圧孔を塞ぎ、シリコン差圧セン
サに圧力が伝達されず、シリコン差圧センサの破壊を防
止する。In the semiconductor differential pressure transmitter according to the present invention, the first and second diaphragms have an application surface that blocks the first or third pressure guiding hole when the overpressure acts, and the silicon differential pressure sensor receives a pressure. Is not transmitted, preventing damage to the silicon differential pressure sensor.
【００１３】[0013]
【実施例】次に図面を用いて本発明の一実施例を説明す
る。図１は本発明の一実施例を説明する構成図、図２は
図１におけるシリコンダイアフラムの説明図で（ａ）は
平面図、（ｂ）は側面図、図３は作動を説明する図であ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 is a configuration diagram illustrating an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram of the silicon diaphragm in FIG. 1, (a) is a plan view, (b) is a side view, and FIG. 3 is a diagram illustrating operation. is there.
【００１４】先ず、図１を用いて本実施例の構成を説明
する。図において、３１は一面が開放され、第１室３２
が形成された第１のボディ、３３は一面が開放され、内
部に第４室３４が形成された第４のボディである。First, the configuration of this embodiment will be described with reference to FIG. In the figure, 31 is open on one side, and the first chamber 32
Is a first body in which is formed, and one surface of the body 33 is open, and a fourth chamber 34 is formed therein.
【００１５】第１のボディ３１と第４のボディ３３との
間には、両端面が開放され、内部に第２室３５が形成さ
れた第２のボディ３６が第１のボディ３１に連設されて
いる。第２のボディ３６と第４のボディ３３との間に
は、両端面が開放され、内部に第３室３７が形成された
第３のボディ３８が第４のボディ３３に連設されてい
る。又、第２のボディ３６と第３のボディ３８との間に
は、第２のボディ３６側が開放され、内部に中間室３０
が形成された中間ボディ３９が設けられている。そし
て、第１乃至第４のボディ３１，３６，３８及び３３と
中間ボディ３９とは、溶接によって接合されている。Between the first body 31 and the fourth body 33, a second body 36 having both end surfaces open and having a second chamber 35 formed therein is connected to the first body 31. Has been done. Both end surfaces are open between the second body 36 and the fourth body 33, and a third body 38 having a third chamber 37 formed therein is connected to the fourth body 33. .. Further, the second body 36 side is opened between the second body 36 and the third body 38, and the intermediate chamber 30 is provided inside.
The intermediate body 39 in which is formed is provided. The first to fourth bodies 31, 36, 38 and 33 and the intermediate body 39 are joined by welding.
【００１６】第１のボディ３１の底面には、貫通孔４
０，４１が穿設されている。そして、第１のボディ３１
の底面の貫通孔４０の開口上には、ガラスベース４２を
介して、第１のシリコンダイアフラム４３が設けられて
いる。そして、ガラスベース４２には、貫通穴４０に対
向する貫通孔４４が穿設され、貫通穴４０と貫通穴４４
とで、第１の導圧孔４５が形成されている。又、第１の
ボディ３１の開放面には、第１の接液ダイアフラム４６
が設けられ、第１室３２内には封液として、シリコンオ
イル４７が封入されている。The bottom surface of the first body 31 has a through hole 4
0 and 41 are drilled. And the first body 31
A first silicon diaphragm 43 is provided on the opening of the through-hole 40 on the bottom surface of the via a glass base 42. The glass base 42 is provided with a through hole 44 facing the through hole 40, and the through hole 40 and the through hole 44 are formed.
Thus, the first pressure guiding hole 45 is formed. In addition, on the open surface of the first body 31, the first wetted diaphragm 46
Is provided, and silicone oil 47 is sealed in the first chamber 32 as a sealing liquid.
【００１７】次に、第２のボディ３６の中間ボディ３９
側開放面には、ハーメチック端子５０が嵌合している。
このハーメチック端子５０の略中間部分は、第３のボデ
ィ３８方向に延出し、中間ボディ３９の底面に穿設され
た貫通孔５１を挿通して、先端部は第３のボディ３８の
第３室３７内へ到っている。さらに、ハーメチック端子
５０の略中間部分には、一方の開口が第２室３５で他方
の開口が第３室であるような貫通孔５２が穿設されてい
る。Next, the intermediate body 39 of the second body 36.
The hermetic terminal 50 is fitted to the side open surface.
A substantially middle portion of the hermetic terminal 50 extends in the direction of the third body 38 and is inserted through a through hole 51 formed in the bottom surface of the middle body 39 so that the tip portion is the third chamber of the third body 38. It is within 37. Further, a through hole 52 having one opening as the second chamber 35 and the other opening as the third chamber is formed in a substantially middle portion of the hermetic terminal 50.
【００１８】ハーメチック端子５０には、ガラスベース
５３を介してシリコン差圧センサ５４が設けられてい
る。又、ガラスベース５３には、貫通孔５２に対向する
貫通孔５５が穿設され、これら貫通孔５２，５５で第２
の導圧孔５６を形成している。The hermetic terminal 50 is provided with a silicon differential pressure sensor 54 via a glass base 53. Further, a through hole 55 facing the through hole 52 is formed in the glass base 53, and the second through the through holes 52, 55.
The pressure guiding hole 56 is formed.
【００１９】又、このハーメチック端子５０には、複数
のリードピン５７，５８等が穿設され、更に、中間ボデ
ィ３９の周面には、貫通孔５９が設けられ、リードピン
５７，５８及び５９を介して、シリコン差圧センサ５４
の信号線６０が外部へ取り出されている。このシリコン
差圧センサ５４上には、半導体ゲージが形成されてい
る。The hermetic terminal 50 is provided with a plurality of lead pins 57, 58 and the like, and a through hole 59 is provided in the peripheral surface of the intermediate body 39 so that the lead pins 57, 58 and 59 are interposed therebetween. Silicon differential pressure sensor 54
Signal line 60 is taken out to the outside. A semiconductor gauge is formed on the silicon differential pressure sensor 54.
【００２０】更に、第２室には、封液として、シリコン
オイル６１が封入され、第３の導圧孔としての貫通孔４
１に対向するように、第１の封液吸収体としての第１の
ベローズ６２が溶接にて取り付けられている。Further, the second chamber is filled with silicone oil 61 as a sealing liquid, and the through hole 4 serving as a third pressure guiding hole.
The first bellows 62 as the first sealing liquid absorber is attached by welding so as to face No. 1.
【００２１】第３のボディ３８の第３室３７には、封液
としてのシリコンオイル６３が封入されている。第４の
ボディ３３の底面には、貫通孔６４，６５が穿設されて
いる。そして、第３のボディ３３の底面の貫通孔６４の
開口上には、ガラスベース６６を介して、第２のシリコ
ンダイアフラム６７が設けられている。そして、ガラス
ベース６６には、貫通穴６４に対向する貫通孔６８が穿
設され、貫通穴６４と貫通穴６８とで、第３の導圧孔６
９が形成されている。又、第４のボディ３３の開放面に
は、第２の接液ダイアフラム７０が設けられ、第４室３
４内には封液として、シリコンオイル７１が封入されて
いる。Silicon oil 63 as a sealing liquid is sealed in the third chamber 37 of the third body 38. Through holes 64 and 65 are formed in the bottom surface of the fourth body 33. A second silicon diaphragm 67 is provided on the opening of the through hole 64 on the bottom surface of the third body 33 via the glass base 66. The glass base 66 is provided with a through hole 68 facing the through hole 64, and the through hole 64 and the through hole 68 form a third pressure guiding hole 6
9 is formed. In addition, a second liquid contact diaphragm 70 is provided on the open surface of the fourth body 33, and
Silicon oil 71 is sealed in the container 4 as a sealing liquid.
【００２２】又、第３室３７内には、第５の貫通孔とし
ての貫通孔６５に対向するように、第２の封液吸収体と
しての第２のベローズ７２が溶接で取り付けられてい
る。次に、図２を用いて本実施例のシリコンダイアフラ
ムを説明する。尚、本実施例の第１及び第２のシリコン
ダイアフラム４３，６７は同一構造なので、第１のシリ
コンダイアフラム４３を用いて説明を行い、第２のシリ
コンダイアフラム６７の説明は省略する。In the third chamber 37, a second bellows 72 as a second liquid absorbent is attached by welding so as to face the through hole 65 as a fifth through hole. .. Next, the silicon diaphragm of this embodiment will be described with reference to FIG. Since the first and second silicon diaphragms 43 and 67 of this embodiment have the same structure, the description will be given using the first silicon diaphragm 43, and the description of the second silicon diaphragm 67 will be omitted.
【００２３】図において、第１のシリコンダイアフラム
４３は、エッチング等の手法で製造され、圧力印加面Ａ
の両面は、周縁部Ｂに対して凹部となるように形成され
ている。又、ガラスベース４２とは陽極接合等の手法で
接合される。In the figure, the first silicon diaphragm 43 is manufactured by a method such as etching, and the pressure applying surface A
Both surfaces are formed so as to be recessed with respect to the peripheral portion B. Further, it is joined to the glass base 42 by a method such as anodic joining.
【００２４】ここで、圧力は、図２（ｂ）にて矢印方向
に作用する。第１のシリコンダイアフラム４３の移動距
離ｈは、過大圧の大きさやダイアフラム径ｄ，ダイアフ
ラム厚さｔ等により決定されるものである。Here, the pressure acts in the direction of the arrow in FIG. 2 (b). The moving distance h of the first silicon diaphragm 43 is determined by the magnitude of the overpressure, the diaphragm diameter d, the diaphragm thickness t, and the like.
【００２５】次に、上記構成の作動を説明する。 図２に示すように、第１の接液ダイアフラム４６側に
圧力ＰL、第２の接液ダイアフラム６７側に圧力ＰH（Ｐ
H＞ＰL）が作用し、ＰH−ＰL（差圧）が測定範囲内であ
る時には、各圧力は、シリコンオイル４７，７１、シリ
コンダイアフラム４３，６７、シリコンオイル６１，６
３を介してシリコン差圧センサ５４に作用し、このシリ
コン差圧センサ５４は差圧信号を送出する。この時、第
１及び第２のシリコンダイアフラム４３，６７は印加圧
によって弾性変形するが、ガラスベース４２，６６へ当
接（着座）しない。Next, the operation of the above configuration will be described. As shown in FIG. 2, the pressure PL on the first liquid contact diaphragm 46 side and the pressure PH (P on the second liquid contact diaphragm 67 side).
H> PL) and when PH-PL (differential pressure) is within the measurement range, the respective pressures are silicon oil 47, 71, silicon diaphragms 43, 67, silicon oil 61, 6
3, acting on the silicon differential pressure sensor 54, which sends out a differential pressure signal. At this time, the first and second silicon diaphragms 43 and 67 are elastically deformed by the applied pressure, but do not abut (seat) the glass bases 42 and 66.
【００２６】第１の接液ダイアフラム４６側、第２の
接液ダイアフラム６７側共に、静圧が作用している時に
は、静圧同志でキャンセルし、と同様に作動し、シリ
コン差圧センサ５４は、差圧信号を送出する。When static pressure is acting on both the first liquid contact diaphragm 46 side and the second liquid contact diaphragm 67 side, they are canceled by the same static pressure, and the silicon differential pressure sensor 54 operates in the same manner. , Send out a differential pressure signal.
【００２７】ＰH，ＰLのどちらか一方が一定値（おお
よそ測定差圧の３倍程度）以上の静圧が作用した時に
は、図３（図には、第１のボディ３１側を示す）に示す
ように、静圧の作用した側の過大圧保護機構が作用す
る。すなわち、第１のシリコンダイアフラム４３及び第
２のシリコンダイアフラム６７のどちらか弾性変形し、
一方がガラスベース４２，６６のどちらか一方に着座
し、貫通孔４４，６８（第１の導圧孔４５，第３の導圧
孔６９）のどちらか一方を塞ぎ、シリコン差圧センサ５
４への圧力の伝達を禁止し、シリコン差圧センサ５４の
過大圧による破壊を防止する。FIG. 3 (the first body 31 side is shown in FIG. 3) when a static pressure of at least one of PH and PL acts above a certain value (about three times the measured differential pressure). Thus, the overpressure protection mechanism on the side where the static pressure acts acts. That is, either the first silicon diaphragm 43 or the second silicon diaphragm 67 is elastically deformed,
One of them is seated on one of the glass bases 42, 66, and one of the through holes 44, 68 (first pressure guiding hole 45, third pressure guiding hole 69) is closed, and the silicon differential pressure sensor 5
4 is prohibited from being transmitted, and the silicon differential pressure sensor 54 is prevented from being broken due to excessive pressure.
【００２８】この時、過大静圧による、第１の接液ダイ
アフラム４６又は第２の接液ダイアフラム７０の破壊を
防止するため、第１又は第２のベローズ６０，７２が第
１又は第４室３２，３４内のシリコンオイル６１，７１
を吸収するようになっている。第１又は第２のベローズ
６０，７２はＰH′−ＰH″（ＰH′＞ＰH″）の力で図３
の破線で示したように伸び、その伸びで必要なシリコン
オイル６１，７１量Ｑ′を吸収する。過大圧作用時に
は、過大圧保護機構が作用することにより、Ｑ′はＰH
の略比例して増加する。これにより、第１又は第２の接
液ダイアフラム４６，７０への過大な応力の作用を防止
している。At this time, in order to prevent the first wetted diaphragm 46 or the second wetted diaphragm 70 from being broken due to excessive static pressure, the first or second bellows 60, 72 are provided in the first or fourth chamber. Silicon oil 61,71 in 32,34
Is designed to absorb. The first or second bellows 60, 72 are driven by the force of PH'-PH "(PH '>PH"), as shown in FIG.
As indicated by the broken line in FIG. 3, the amount of silicon oil 61, 71 required for the extension Q'is absorbed. At the time of excessive pressure, Q'is PH
Increases almost in proportion. This prevents the action of excessive stress on the first or second liquid contact diaphragms 46, 70.
【００２９】上記構成によれば、過大圧保護機構のシリ
コンダイアフラム４３，６７には、素子等がないので、
動作が安定し、ヒステリシスも小さい。４室構造として
いるので、過大圧保護機構の構成部品には、圧縮力しか
作用しない。このため、過大圧保護機構の安定性が高
い。又、シリコンセンサを採用しているので、封入液
（シリコンオイル）が小量で済み、ベローズ６０，７２
が吸収する封入液量Ｑ′も少なく、ベローズ６０，７２
の伸縮量も小さく、ベローズ６０，７２が圧力検出性能
に与える影響も十分に小さい。According to the above construction, since the silicon diaphragms 43 and 67 of the overpressure protection mechanism have no element or the like,
The operation is stable and the hysteresis is small. Since it has a four-chamber structure, only compressive force acts on the components of the overpressure protection mechanism. Therefore, the stability of the overpressure protection mechanism is high. Also, since a silicon sensor is used, a small amount of fill liquid (silicon oil) is required, and bellows 60, 72
The amount Q'of the enclosed liquid absorbed by the bellows is small and the bellows 60, 72
The amount of expansion and contraction is small, and the influence of the bellows 60, 72 on the pressure detection performance is sufficiently small.
【００３０】又、過大圧保護機構はシリコンやガラス等
で構成されているので、小型，軽量，低価格とすること
ができる。過大圧保護用と差圧検出用にシリコンダイア
フラムを使い分けることにより、前者については、引張
力が接合部に作用せず、後者においては、差圧検出のみ
行うので、全体として安定性，信頼性が高い。Further, since the overpressure protection mechanism is made of silicon, glass or the like, it can be made compact, lightweight and inexpensive. By using different silicon diaphragms for overpressure protection and differential pressure detection, the tensile force does not act on the joint in the former case, and only the differential pressure is detected in the latter case, so overall stability and reliability are improved. high.
【００３１】尚、本発明は、上記実施例に限定するもの
ではない。シリコンダイアフラム及びこのベースは単結
晶シリコンで製造してもよい。又、第１室に設けられる
接液ダイアフラム４６，第４室に設けられる接液ダイア
フラム７０はなくてもよい。この場合、封液吸収体（ベ
ローズ）が不要となり、過大圧保護機構のシリコンダイ
アフラム４３，６７の接液部分には、保護膜を塗布等で
形成してもよい。The present invention is not limited to the above embodiment. The silicon diaphragm and its base may be made of single crystal silicon. Further, the liquid contact diaphragm 46 provided in the first chamber and the liquid contact diaphragm 70 provided in the fourth chamber may be omitted. In this case, the sealing liquid absorber (bellows) is not required, and a protective film may be formed by coating or the like on the liquid contact portions of the silicon diaphragms 43 and 67 of the overpressure protection mechanism.
【００３２】封液吸収体はベローズに限るものではな
い。他に金属ダイアフラムやシリコンダイアフラム等で
あってもよい。シリコン差圧センサ５４上に、演算処理
回路を形成してもよい。又、シリコン差圧センサ５４上
には、ゲージ式に限らず、容量式など差圧を検出できる
ものであればよい。The sealing liquid absorber is not limited to the bellows. Alternatively, a metal diaphragm, a silicon diaphragm, or the like may be used. An arithmetic processing circuit may be formed on the silicon differential pressure sensor 54. Further, the silicon differential pressure sensor 54 is not limited to the gauge type, but may be a capacitive type as long as it can detect the differential pressure.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、高性
能で、小型，軽量，低価格で高信頼性の半導体差圧伝送
器を実現することができる。As described above, according to the present invention, it is possible to realize a semiconductor differential pressure transmitter having high performance, small size, light weight, low cost and high reliability.
【図１】本発明の一実施例を説明する構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram illustrating an embodiment of the present invention.
【図２】図１におけるシリコンダイアフラムの説明図で
（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。2A and 2B are explanatory views of the silicon diaphragm in FIG. 1, where FIG. 2A is a plan view and FIG. 2B is a side view.
【図３】作動を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating an operation.
【図４】従来の第１の過大圧保護機構を説明する構成図
である。FIG. 4 is a configuration diagram illustrating a first conventional overpressure protection mechanism.
【図５】従来の第２の過大圧保護機構を説明する構成図
である。FIG. 5 is a configuration diagram illustrating a second conventional overpressure protection mechanism.
３２ 第１室 ３３ 第４室 ３５ 第２室 ３７ 第３室 ４３ 第１のシリコンダイアフラム ４５ 第１の導圧孔 ５４ シリコン差圧センサ ５６ 第２の導圧孔 ６１，６３ シリコンオイル ６７ 第２のシリコンダイアフラム ６９ 第３の導圧孔 32 1st chamber 33 4th chamber 35 2nd chamber 37 3rd chamber 43 1st silicon diaphragm 45 1st pressure guide hole 54 Silicon differential pressure sensor 56 2nd pressure guide hole 61,63 Silicon oil 67 2nd Silicon diaphragm 69 Third pressure guide hole
Claims (1)
第１室（３２）に連設された第２室（３５）と、 該第２室（３５）及び前記第４室（３４）との間に設け
られる第３室（３７）と、 前記第１室（３２）及び第２室（３５）を連絡する第１
の導圧孔（４５）と、 前記第２室（３５）及び第３室（３７）を連絡する第２
の導圧孔（５６）と、 前記第３室（３７）及び第４室（３４）を連絡する第３
の導圧孔（６９）と、 前記第１室（３２）の前記第１の導圧孔（４５）の開口
上に設けられた第１のシリコンダイアフラム（４３）
と、 前記第４室（３４）の前記第３の導圧孔（６９）の開口
上に設けられた第２のシリコンダイアフラム（６７）
と、 前記第２室（３５）の前記第２の導圧孔（５６）の開口
上に設けられたシリコン差圧センサ（５４）と、 前記第２及び第３室（３７）に封入された封液（６１，
６３）とを具備し、 前記第１及び第２のシリコンダイアフラム（４３，６
７）の印加面の両面は、周縁部に対して凹部となってい
ることを特徴とする半導体差圧伝送器。1. A first chamber (32) having an open surface, a fourth chamber (34) having an open surface, and between the first chamber (32) and the fourth chamber (34), A second chamber (35) connected to the first chamber (32), a third chamber (37) provided between the second chamber (35) and the fourth chamber (34), First connecting the first chamber (32) and the second chamber (35)
A second pressure communication hole (45) for connecting the second chamber (35) and the third chamber (37)
The pressure guiding hole (56) of the third chamber for connecting the third chamber (37) and the fourth chamber (34)
Pressure guiding hole (69) and a first silicon diaphragm (43) provided on the opening of the first pressure guiding hole (45) of the first chamber (32).
And a second silicon diaphragm (67) provided on the opening of the third pressure guiding hole (69) of the fourth chamber (34).
And a silicon differential pressure sensor (54) provided on the opening of the second pressure guide hole (56) of the second chamber (35), and enclosed in the second and third chambers (37). Sealing liquid (61,
63), and the first and second silicon diaphragms (43, 6)
The semiconductor differential pressure transmitter according to claim 7, wherein both surfaces of the application surface of 7) are recessed with respect to the peripheral portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24998491A JPH0587664A (en) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Semiconductor differential-pressure transmitter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24998491A JPH0587664A (en) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Semiconductor differential-pressure transmitter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0587664A true JPH0587664A (en) | 1993-04-06 |
Family
ID=17201103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24998491A Pending JPH0587664A (en) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Semiconductor differential-pressure transmitter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0587664A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103728086A (en) * | 2012-10-15 | 2014-04-16 | 阿自倍尔株式会社 | Pressure sensor chip |
| CN106840508A (en) * | 2017-03-30 | 2017-06-13 | 上海洛丁森工业自动化设备有限公司 | A kind of little differential pressure sensor of silicon differential pressure chip and the built-in silicon differential pressure chip |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP24998491A patent/JPH0587664A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103728086A (en) * | 2012-10-15 | 2014-04-16 | 阿自倍尔株式会社 | Pressure sensor chip |
| US9360387B2 (en) | 2012-10-15 | 2016-06-07 | Azbil Corporation | Pressure sensor chip |
| CN106840508A (en) * | 2017-03-30 | 2017-06-13 | 上海洛丁森工业自动化设备有限公司 | A kind of little differential pressure sensor of silicon differential pressure chip and the built-in silicon differential pressure chip |
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