JPH0585890A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH0585890A JPH0585890A JP24556591A JP24556591A JPH0585890A JP H0585890 A JPH0585890 A JP H0585890A JP 24556591 A JP24556591 A JP 24556591A JP 24556591 A JP24556591 A JP 24556591A JP H0585890 A JPH0585890 A JP H0585890A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- gas
- pipe
- tube
- material gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製品や電子部品等の製造工程におい
て、気相結晶成長法により被処理体上に薄膜を堆積させ
るのに用いられる薄膜形成装置において、気化された液
体原料の再液化を防止することのできる薄膜形成装置を
提供することを目的とする。 【構成】 原料ガス導入管を原料ガス導入用内管１１と
原料ガス導入用外管１２の二重管とし、原料ガス導入用
外管１２に加熱したガスを流すことにより気化させた液
体原料の再液化を防止する。
て、気相結晶成長法により被処理体上に薄膜を堆積させ
るのに用いられる薄膜形成装置において、気化された液
体原料の再液化を防止することのできる薄膜形成装置を
提供することを目的とする。 【構成】 原料ガス導入管を原料ガス導入用内管１１と
原料ガス導入用外管１２の二重管とし、原料ガス導入用
外管１２に加熱したガスを流すことにより気化させた液
体原料の再液化を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製品や電子部品
等の製造工程において、気相結晶成長法により被処理体
上に薄膜を堆積させるのに用いられる薄膜形成装置に関
するものである。
等の製造工程において、気相結晶成長法により被処理体
上に薄膜を堆積させるのに用いられる薄膜形成装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体結晶の成長法には、液相法，気相
法等多くの種類があるが電子部品等のデバイスの製造方
法としては従来の液相法から制御性の優れた気相法へと
移行しつつある。気相法による結晶成長でＴＥＯＳやア
ルコキシドなど液体原料を加熱気化し使用する方法が採
用されつつある。
法等多くの種類があるが電子部品等のデバイスの製造方
法としては従来の液相法から制御性の優れた気相法へと
移行しつつある。気相法による結晶成長でＴＥＯＳやア
ルコキシドなど液体原料を加熱気化し使用する方法が採
用されつつある。
【０００３】以下に従来の気相結晶成長装置について説
明する。図２は従来の気相結晶成長装置の反応部分を示
すものである。図２において、１は石英製の反応管、２
は反応管１を支持する金属チューブ、３は反応管１と金
属チューブ２をシールするためのＯリング、４はＯリン
グ３を冷却するための管で管内を冷却水が流れる。５は
原料ガス液化防止のためのヒータ、６は原料ガスを反応
管１に導入させるためのガス導入管、７は薄膜を堆積さ
せる基板、８は基板７を支持するボート、９は反応管１
を加熱するためのヒータを示す。
明する。図２は従来の気相結晶成長装置の反応部分を示
すものである。図２において、１は石英製の反応管、２
は反応管１を支持する金属チューブ、３は反応管１と金
属チューブ２をシールするためのＯリング、４はＯリン
グ３を冷却するための管で管内を冷却水が流れる。５は
原料ガス液化防止のためのヒータ、６は原料ガスを反応
管１に導入させるためのガス導入管、７は薄膜を堆積さ
せる基板、８は基板７を支持するボート、９は反応管１
を加熱するためのヒータを示す。
【０００４】以上のように構成された気相結晶成長装置
について、以下その動作について説明する。例えばＴａ
2Ｏ5をＳｉ基板上に堆積させる場合には、原料として常
温で無色の液体のＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5（Ｐｅｎｔａ−ｅ
ｔｈｏｘｙ−Ｔａｎｔａｌｕｍ）を蒸気圧制御のため高
精度の温度調節器で気化させ、キャリアガスにより再液
化防止のため加熱された配管系を用い反応管１内に導入
し、加熱されたＳｉ基板７上に堆積させる。この場合反
応管１と金属チューブ２をシールするためのＯリング３
が高温となり破損しガス漏れを防ぐため一般的に冷却管
４を用いる。
について、以下その動作について説明する。例えばＴａ
2Ｏ5をＳｉ基板上に堆積させる場合には、原料として常
温で無色の液体のＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5（Ｐｅｎｔａ−ｅ
ｔｈｏｘｙ−Ｔａｎｔａｌｕｍ）を蒸気圧制御のため高
精度の温度調節器で気化させ、キャリアガスにより再液
化防止のため加熱された配管系を用い反応管１内に導入
し、加熱されたＳｉ基板７上に堆積させる。この場合反
応管１と金属チューブ２をシールするためのＯリング３
が高温となり破損しガス漏れを防ぐため一般的に冷却管
４を用いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、原料ガス導入管がＯリング破損防止のた
めの冷却管の影響を受け反応管直前で原料ガスが熱を奪
われるので、気化させた液体原料が再液化するため、再
液化をみこんだ過剰の液体原料が必要となるという欠点
を有していた。
来の構成では、原料ガス導入管がＯリング破損防止のた
めの冷却管の影響を受け反応管直前で原料ガスが熱を奪
われるので、気化させた液体原料が再液化するため、再
液化をみこんだ過剰の液体原料が必要となるという欠点
を有していた。
【０００６】また、液化した原料による基板の汚染、反
応管およびその周辺部の汚染のためメンテナンスサイク
ルが短くなり装置の稼働率が低くなるなど原料再液化に
よる問題点があった。
応管およびその周辺部の汚染のためメンテナンスサイク
ルが短くなり装置の稼働率が低くなるなど原料再液化に
よる問題点があった。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、気化された液体原料の再液化を防止し液体原料の節
約および汚染に伴う問題点を解決するための薄膜形成装
置を提供することを目的とする。
で、気化された液体原料の再液化を防止し液体原料の節
約および汚染に伴う問題点を解決するための薄膜形成装
置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の薄膜形成装置は、原料ガス導入管を二重管と
し外管に加熱したガスを流す構成を有している。
に本発明の薄膜形成装置は、原料ガス導入管を二重管と
し外管に加熱したガスを流す構成を有している。
【０００９】
【作用】この構成によって二重管の外管に加熱したガス
を流すことにより気化させた液体原料の再液化が防止す
ることができる。
を流すことにより気化させた液体原料の再液化が防止す
ることができる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。図１は本発明の一実施例における薄
膜形成装置のガス導入部の構成を示すものである。図１
において１〜５，７〜９は図２と同じものを示すが、特
徴的な点は原料ガス導入管で原料ガスを流す内管１１と
原料ガスの液化防止のため加熱したガスを流す外管１２
の二重管の構成となっている点である。
しながら説明する。図１は本発明の一実施例における薄
膜形成装置のガス導入部の構成を示すものである。図１
において１〜５，７〜９は図２と同じものを示すが、特
徴的な点は原料ガス導入管で原料ガスを流す内管１１と
原料ガスの液化防止のため加熱したガスを流す外管１２
の二重管の構成となっている点である。
【００１１】この実施例では、縦型減圧ＣＶＤ装置で圧
力０．２〜０．４Ｔｏｒｒ、４００℃に加熱した反応管
１内に原料ガスを流す内管１１に気化させた液体原料＋
キャリアガス（例えばＮ2）を１５０〜１８０℃にヒー
タ６で保温した配管を通じて流量１５０ｓｓｃｍで導入
すると共に、原料ガスの再液化防止のため２００℃に加
熱したＮ2を原料ガスの液化防止のため加熱したガスを
流す外管１２に５００ｓｃｃｍ流し、同時に反応ガスと
してＯ2の流量を１００ｓｃｃｍとし別途設けた配管よ
り導入し、反応管１内に支持したＳｉ基板上にＴａ2Ｏ5
膜を堆積させた。
力０．２〜０．４Ｔｏｒｒ、４００℃に加熱した反応管
１内に原料ガスを流す内管１１に気化させた液体原料＋
キャリアガス（例えばＮ2）を１５０〜１８０℃にヒー
タ６で保温した配管を通じて流量１５０ｓｓｃｍで導入
すると共に、原料ガスの再液化防止のため２００℃に加
熱したＮ2を原料ガスの液化防止のため加熱したガスを
流す外管１２に５００ｓｃｃｍ流し、同時に反応ガスと
してＯ2の流量を１００ｓｃｃｍとし別途設けた配管よ
り導入し、反応管１内に支持したＳｉ基板上にＴａ2Ｏ5
膜を堆積させた。
【００１２】以上のように本実施例によれば、原料ガス
を流す内管１１と原料ガスの液化防止のため加熱したガ
スを流す外管１２の二重管を設けることにより、液体原
料のＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5が原料ガス導入部で再液化しな
くなるため使用量が必要最小量になり、また再液化した
液体原料での汚染が防止されると共に原料ガス導入部付
近に沈着した液体原料を回収する必要がなくなることか
ら装置の稼働率を大幅にあげることができる。
を流す内管１１と原料ガスの液化防止のため加熱したガ
スを流す外管１２の二重管を設けることにより、液体原
料のＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5が原料ガス導入部で再液化しな
くなるため使用量が必要最小量になり、また再液化した
液体原料での汚染が防止されると共に原料ガス導入部付
近に沈着した液体原料を回収する必要がなくなることか
ら装置の稼働率を大幅にあげることができる。
【００１３】なお実施例では原料ガスの導入管を反応管
１の下部に設けたが、原料ガスの導入管を反応管１の上
部に設けてもよい。また実施例において薄膜形成装置を
縦型減圧ＣＶＤ装置としたが横型ＣＶＤ装置としてもよ
いことはいうまでもない。
１の下部に設けたが、原料ガスの導入管を反応管１の上
部に設けてもよい。また実施例において薄膜形成装置を
縦型減圧ＣＶＤ装置としたが横型ＣＶＤ装置としてもよ
いことはいうまでもない。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明は原料ガス導入管を
原料ガスを流す内管と原料ガスの液化防止のため加熱し
たガスを流す外管の二重管となるように構成すること
で、気化させた液体原料が原料ガス導入部で再液化しな
くなるため使用量が必要最小量になり、また再液化した
液体原料での汚染が防止されると共に原料ガス導入部付
近に沈着した液体原料を回収する必要がなくなることか
ら、装置の稼働率を大幅にあげることができる優れた薄
膜形成装置を実現できるものである。
原料ガスを流す内管と原料ガスの液化防止のため加熱し
たガスを流す外管の二重管となるように構成すること
で、気化させた液体原料が原料ガス導入部で再液化しな
くなるため使用量が必要最小量になり、また再液化した
液体原料での汚染が防止されると共に原料ガス導入部付
近に沈着した液体原料を回収する必要がなくなることか
ら、装置の稼働率を大幅にあげることができる優れた薄
膜形成装置を実現できるものである。
【図１】本発明の一実施例における薄膜形成装置の構成
図
図
【図２】従来の薄膜形成装置の構成図
【符号の説明】 １ 石英製の反応管 ２ 金属チューブ ３ Ｏリング ４ 冷却管 ５ ヒータ ６ ガス導入管 ７ 基板 ８ ボート ９ ヒータ １１ 原料ガス導入用内管 １２ 原料ガス導入用外管
Claims (1)
- 【請求項１】 反応室内にガス導入管により液体原料を
気化させて供給し、基板上に所望の結晶層を成長させる
気相結晶成長装置において、前記原料を含む気体を前記
反応室内に導入し前記基板上に結晶層を成長させる際、
前記ガス導入管を二重管とすることを特徴とする薄膜形
成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24556591A JPH0585890A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24556591A JPH0585890A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0585890A true JPH0585890A (ja) | 1993-04-06 |
Family
ID=17135603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24556591A Pending JPH0585890A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0585890A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999045578A1 (en) * | 1998-03-03 | 1999-09-10 | Applied Materials, Inc. | Uniform heat trace and secondary containment for delivery lines for processing system |
| WO2001073159A1 (fr) * | 2000-03-27 | 2001-10-04 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Procede et appareil permettant de former un film metallique |
| EP1160838A2 (en) * | 2000-05-31 | 2001-12-05 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system and method |
| JP2007081365A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-29 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| WO2010079599A1 (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-15 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 流体搬送装置 |
-
1991
- 1991-09-25 JP JP24556591A patent/JPH0585890A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999045578A1 (en) * | 1998-03-03 | 1999-09-10 | Applied Materials, Inc. | Uniform heat trace and secondary containment for delivery lines for processing system |
| US6202656B1 (en) | 1998-03-03 | 2001-03-20 | Applied Materials, Inc. | Uniform heat trace and secondary containment for delivery lines for processing system |
| US6498898B2 (en) | 1998-03-03 | 2002-12-24 | Applied Materials, Inc. | Uniform heat trace and secondary containment for delivery lines for processing system |
| WO2001073159A1 (fr) * | 2000-03-27 | 2001-10-04 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Procede et appareil permettant de former un film metallique |
| US6656540B2 (en) | 2000-03-27 | 2003-12-02 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Method for forming metallic film and apparatus for forming the same |
| EP1160838A2 (en) * | 2000-05-31 | 2001-12-05 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system and method |
| EP1160838A3 (en) * | 2000-05-31 | 2004-12-01 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system and method |
| JP2007081365A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-29 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| WO2010079599A1 (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-15 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 流体搬送装置 |
| JP5238042B2 (ja) * | 2009-01-08 | 2013-07-17 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 流体搬送装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4421592A (en) | Plasma enhanced deposition of semiconductors | |
| JPS6364993A (ja) | 元素半導体単結晶薄膜の成長方法 | |
| JPH01162326A (ja) | β−炭化シリコン層の製造方法 | |
| WO1997013013A1 (en) | A method for epitaxially growing objects and a device for such a growth | |
| JP2668687B2 (ja) | Ｃ ｖ ｄ 装 置 | |
| JPH04210476A (ja) | 炭化ケイ素膜の成膜方法 | |
| TW201829860A (zh) | 坩堝、坩堝的製備方法及碳化矽晶體（４Ｈ－ＳｉＣ）的生長方法 | |
| US5750195A (en) | Deposition of diamond on oxidizable material | |
| JPH0585890A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0421780A (ja) | 気相成長装置 | |
| EP0311446A2 (en) | Apparatus for producing compound semiconductor | |
| US3235418A (en) | Method for producing crystalline layers of high-boiling substances from the gaseous phase | |
| JPH0526324B2 (ja) | ||
| US4609424A (en) | Plasma enhanced deposition of semiconductors | |
| JPS6010621A (ja) | 減圧エピタキシヤル成長装置 | |
| JPH02190473A (ja) | プラズマｃｖｄ用原料ガス供給装置 | |
| JPH0776090B2 (ja) | ジルコニア薄膜の製造方法 | |
| JPH0648899A (ja) | 炭化ケイ素単結晶の製造方法 | |
| JPS6212697A (ja) | 炭化珪素単結晶膜の製造方法 | |
| JPH047847A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0445973B2 (ja) | ||
| JPH01165774A (ja) | 表面処理装置 | |
| JPH0372076A (ja) | 酸化物薄膜の作製方法 | |
| JPH05144736A (ja) | 減圧気相成長装置 | |
| JPH02239187A (ja) | 気相成長方法および装置 |