JPH0585702A - 水素分離膜の製造方法 - Google Patents
水素分離膜の製造方法Info
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- JPH0585702A JPH0585702A JP27641891A JP27641891A JPH0585702A JP H0585702 A JPH0585702 A JP H0585702A JP 27641891 A JP27641891 A JP 27641891A JP 27641891 A JP27641891 A JP 27641891A JP H0585702 A JPH0585702 A JP H0585702A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 混合ガス中の水素を分離するための水素分離
膜の製造方法に関する。 【構成】 細孔を有する金属多孔体の表面に、Ｐｄまた
はＰｄを含有する薄膜を形成させる方法において、めっ
きまたはイオンプレーティングなどの途中で封孔処理
（金属などによりしごくか、ブラスト処理によって行
う）を行う水素分離膜の製造方法。
膜の製造方法に関する。 【構成】 細孔を有する金属多孔体の表面に、Ｐｄまた
はＰｄを含有する薄膜を形成させる方法において、めっ
きまたはイオンプレーティングなどの途中で封孔処理
（金属などによりしごくか、ブラスト処理によって行
う）を行う水素分離膜の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は混合ガス中の水素を分離
するための水素分離膜の製造方法に関する。
するための水素分離膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】省エネルギ型分離技術として、近年、膜
による気体の分離法が注目を集めている。水素含有気体
から水素を分離し、９９．９９％以上の高純度の水素を
得る方法としてＰｄを主体とする膜を使用する方法が知
られている。
による気体の分離法が注目を集めている。水素含有気体
から水素を分離し、９９．９９％以上の高純度の水素を
得る方法としてＰｄを主体とする膜を使用する方法が知
られている。
【０００３】従来はＰｄ又はＰｄを主体とする合金を伸
延し、薄膜とすることによって製造され、この膜は支持
枠で支持して使用されていた。しかし、この方法は６０
〜１００μｍ程度の比較的厚いものを使用しなくてはな
らず、高価なＰｄの使用量が増大し、又水素の透過速度
が小さい。
延し、薄膜とすることによって製造され、この膜は支持
枠で支持して使用されていた。しかし、この方法は６０
〜１００μｍ程度の比較的厚いものを使用しなくてはな
らず、高価なＰｄの使用量が増大し、又水素の透過速度
が小さい。
【０００４】また、セラミックスなど無機質材料からな
る多孔質体の表面にＰｄを含有する薄膜を形成させた水
素分離膜が提案されているが、この水素分離膜は脆性
材料であり、機械的強度、振動・衝撃に弱いため、基材
を破損しないように保持することが困難であり、特別な
容器や支持法の設計を要する。硬いため加工性が悪く
長尺のパイプ状の成形体を得ることが難しいので設計の
自由度も小さい。溶接ができないため、シール部の構
造が複雑になる。
る多孔質体の表面にＰｄを含有する薄膜を形成させた水
素分離膜が提案されているが、この水素分離膜は脆性
材料であり、機械的強度、振動・衝撃に弱いため、基材
を破損しないように保持することが困難であり、特別な
容器や支持法の設計を要する。硬いため加工性が悪く
長尺のパイプ状の成形体を得ることが難しいので設計の
自由度も小さい。溶接ができないため、シール部の構
造が複雑になる。
【０００５】さらに、また、セラミックスなど無機質材
料に代わる０．１〜２０μｍの細孔を有する多孔質金属
体を基材とし、表面にＰｄを含有する薄膜を形成させた
水素分離膜が提案されている。この多孔質金属多孔体の
製造方法としては、発泡（多孔質）金属をプレス成形
し細孔径を制御したもの。粒径の小さい金属微粉末
（５０μｍ以下）を焼結成形したもの。化学反応によ
り除去可能な粉末を金属粉末に混合又は溶融した金属に
添加した後、粉末を化学反応により除去し細孔を生成さ
せたものなどが提案されているが、何れも加工性が悪く
薄肉で長尺のパイプを製造することが難しいので製造で
きるとしても耐圧強度を大きくするためには厚肉が必要
で通気抵抗が大きくなり、水素分離膜の基材として適さ
ない。
料に代わる０．１〜２０μｍの細孔を有する多孔質金属
体を基材とし、表面にＰｄを含有する薄膜を形成させた
水素分離膜が提案されている。この多孔質金属多孔体の
製造方法としては、発泡（多孔質）金属をプレス成形
し細孔径を制御したもの。粒径の小さい金属微粉末
（５０μｍ以下）を焼結成形したもの。化学反応によ
り除去可能な粉末を金属粉末に混合又は溶融した金属に
添加した後、粉末を化学反応により除去し細孔を生成さ
せたものなどが提案されているが、何れも加工性が悪く
薄肉で長尺のパイプを製造することが難しいので製造で
きるとしても耐圧強度を大きくするためには厚肉が必要
で通気抵抗が大きくなり、水素分離膜の基材として適さ
ない。
【０００６】そこで、我々は、上記従来技術の問題点を
解決する手段として、以下の方法により製作した水素分
離膜を提案した。（特願平３〜１１５８１１号） ５０μｍ以下のＰｄを含有する薄膜を容易に形成させる
ために繊維径の小さい金属繊維不織布を圧延、焼結する
ことにより０．１〜２０μｍと表面細孔が小さく、かつ
通気抵抗を大きくしないために０．０５〜０．１５mmと
薄肉とした多孔質金属薄膜と、耐圧強度を保持するため
に必要な強度・寸法に応じて積層状態を変えた１００μ
ｍ以上の細孔を有する複数枚の金網とを積層焼結した金
属多孔体を製作する。この通気抵抗が小さく高い強度を
有すると共に、長尺のパイプ曲げ加工などの加工が可能
な金属多孔体の多孔質金属薄膜側表面に、（ａ）めっき
などの湿式のコーティング法、（ｂ）真空蒸着法、イオ
ンプレーティング、気相反応法（ＣＶＤ）などのドライ
コーティング法により、Ｐｄを含有する薄膜を薄く形成
させた水素分離膜を製作する。この既提案の水素分離膜
は溶接が可能なため、モジュール化が容易となる効果も
有している。
解決する手段として、以下の方法により製作した水素分
離膜を提案した。（特願平３〜１１５８１１号） ５０μｍ以下のＰｄを含有する薄膜を容易に形成させる
ために繊維径の小さい金属繊維不織布を圧延、焼結する
ことにより０．１〜２０μｍと表面細孔が小さく、かつ
通気抵抗を大きくしないために０．０５〜０．１５mmと
薄肉とした多孔質金属薄膜と、耐圧強度を保持するため
に必要な強度・寸法に応じて積層状態を変えた１００μ
ｍ以上の細孔を有する複数枚の金網とを積層焼結した金
属多孔体を製作する。この通気抵抗が小さく高い強度を
有すると共に、長尺のパイプ曲げ加工などの加工が可能
な金属多孔体の多孔質金属薄膜側表面に、（ａ）めっき
などの湿式のコーティング法、（ｂ）真空蒸着法、イオ
ンプレーティング、気相反応法（ＣＶＤ）などのドライ
コーティング法により、Ｐｄを含有する薄膜を薄く形成
させた水素分離膜を製作する。この既提案の水素分離膜
は溶接が可能なため、モジュール化が容易となる効果も
有している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】Ｐｄ膜による水素の分
離においても、通常の膜分離と同様に気体の透過速度は
膜の厚さに逆比例する。したがって、水素透過速度の大
きな水素分離膜を製作するにはＰｄを含有する薄膜をで
きる限り薄くすることが有効である。
離においても、通常の膜分離と同様に気体の透過速度は
膜の厚さに逆比例する。したがって、水素透過速度の大
きな水素分離膜を製作するにはＰｄを含有する薄膜をで
きる限り薄くすることが有効である。
【０００８】しかし、Ｐｄを含有する薄膜を形成させる
方法として挙げられるめっきやイオンプレーティングに
おいて、例えばＰｄを含有する薄膜を１０μｍ以下に形
成するためには金属多孔体の表面細孔径が最大でも１０
μｍ以下である必要があるが、既提案の金属多孔体は平
均細孔径が５〜７μｍで最大１５μｍ程度の表面細孔を
有している。
方法として挙げられるめっきやイオンプレーティングに
おいて、例えばＰｄを含有する薄膜を１０μｍ以下に形
成するためには金属多孔体の表面細孔径が最大でも１０
μｍ以下である必要があるが、既提案の金属多孔体は平
均細孔径が５〜７μｍで最大１５μｍ程度の表面細孔を
有している。
【０００９】したがって、現状の金属多孔体の表面細孔
をめっきあるいはイオンプレーティングなどによりＰｄ
を含有する薄膜にて完全に封孔するためには多くの処理
時間を要し、Ｐｄを含有する薄膜の厚みが最低１５〜２
０μｍ必要である。その結果として水素透過速度が小さ
く、また、高価なＰｄの使用量が多くなるという問題が
ある。
をめっきあるいはイオンプレーティングなどによりＰｄ
を含有する薄膜にて完全に封孔するためには多くの処理
時間を要し、Ｐｄを含有する薄膜の厚みが最低１５〜２
０μｍ必要である。その結果として水素透過速度が小さ
く、また、高価なＰｄの使用量が多くなるという問題が
ある。
【００１０】また、水素透過速度の大きな水素分離膜と
するためには金属多孔体そのものの通気抵抗が小さく開
孔率の大きなことも必要であるが、表面細孔径を小さく
すると通気抵抗が上昇し開孔率が低下するという問題が
ある。それを解決する手段としては非常に線径の細い金
属繊維不織布を用いればよいが、焼結や加工条件が厳し
くなり、また費用が多くかかるなどの問題がある。
するためには金属多孔体そのものの通気抵抗が小さく開
孔率の大きなことも必要であるが、表面細孔径を小さく
すると通気抵抗が上昇し開孔率が低下するという問題が
ある。それを解決する手段としては非常に線径の細い金
属繊維不織布を用いればよいが、焼結や加工条件が厳し
くなり、また費用が多くかかるなどの問題がある。
【００１１】本発明は上記技術水準に鑑み、通気抵抗が
小さく、かつＰｄ使用量も少なくてすむ水素分離膜の製
造方法を提供しようとするものである。
小さく、かつＰｄ使用量も少なくてすむ水素分離膜の製
造方法を提供しようとするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は （１）細孔を有する金属多孔体の表面に、ＰｄまたはＰ
ｄを含有する薄膜を形成させる方法において、めっきま
たはインプレーティングなどの途中で封孔処理を行うこ
とを特徴とする水素分離膜の製造方法。
ｄを含有する薄膜を形成させる方法において、めっきま
たはインプレーティングなどの途中で封孔処理を行うこ
とを特徴とする水素分離膜の製造方法。
【００１３】（２）封孔処理を、ＰｄまたはＰｄを含有
する薄膜表面を金属などによりしごくかブラスト処理に
よって行うことを特徴とする上記（１）記載の水素分離
膜の製造方法。である。
する薄膜表面を金属などによりしごくかブラスト処理に
よって行うことを特徴とする上記（１）記載の水素分離
膜の製造方法。である。
【００１４】本発明において封孔処理に当って、しごく
材料として使用される金属はＰｄより硬さが大きい（ビ
ッカース硬さ：Ｈｖ１２０以上）ものであればどのよう
なものでも使用でき、ブラスト処理材料はシリカ系のガ
ラスビーズなどが使用される。ガラスビーズは球形であ
ることが重要で、Ｐｄ膜を伸延するが削りとらない方が
よい。また、鋼球のように質量が大きいものは金属多孔
体を変形させるおそれがあるので好ましくない。
材料として使用される金属はＰｄより硬さが大きい（ビ
ッカース硬さ：Ｈｖ１２０以上）ものであればどのよう
なものでも使用でき、ブラスト処理材料はシリカ系のガ
ラスビーズなどが使用される。ガラスビーズは球形であ
ることが重要で、Ｐｄ膜を伸延するが削りとらない方が
よい。また、鋼球のように質量が大きいものは金属多孔
体を変形させるおそれがあるので好ましくない。
【００１５】
【作用】以下、本発明を更に具体的に説明し、本発明の
作用を併せて明らかにする。
作用を併せて明らかにする。
【００１６】（１）水素分離膜の基材として、繊維径の
小さい金属繊維不織布を圧延、焼結して薄肉とした多孔
質金属薄膜と、耐圧強度を保持するために必要な強度・
寸法に応じて積層状態を変えた細孔を有する複数枚の金
網とを積層焼結した金属多孔体を製作する。
小さい金属繊維不織布を圧延、焼結して薄肉とした多孔
質金属薄膜と、耐圧強度を保持するために必要な強度・
寸法に応じて積層状態を変えた細孔を有する複数枚の金
網とを積層焼結した金属多孔体を製作する。
【００１７】（２）その金属多孔体の多孔質金属薄膜側
表面にめっきあるいはイオンプレーティングなどにより
Ｐｄを含有する薄膜を形成させる。
表面にめっきあるいはイオンプレーティングなどにより
Ｐｄを含有する薄膜を形成させる。
【００１８】（３）完全に表明細孔を封孔するには最低
１５〜２０μｍ必要であるが、本発明では表面細孔が完
全に封孔されていないめっきあるいはイオンプレーティ
ングの途中段階において、Ｐｄを含有する薄膜の表面を
金属などによるしごきあるいはブラスト処理などを実施
する。この処理によりＰｄを含有する薄膜の表面が潰れ
完全に封孔していない開孔が小さくなる。
１５〜２０μｍ必要であるが、本発明では表面細孔が完
全に封孔されていないめっきあるいはイオンプレーティ
ングの途中段階において、Ｐｄを含有する薄膜の表面を
金属などによるしごきあるいはブラスト処理などを実施
する。この処理によりＰｄを含有する薄膜の表面が潰れ
完全に封孔していない開孔が小さくなる。
【００１９】（４）その後、さらに表面細孔がＰｄを含
有する薄膜にて完全に封孔するまでめっきあるいはイオ
ンプレーティングなどの処理を行う。この処理はＰｄを
含有する薄膜の表面細孔が小さくなっているため短時間
で行うことができ、その結果として、非常に薄いＰｄを
含有する薄膜をもつ水素分離膜の製造が可能となる。
有する薄膜にて完全に封孔するまでめっきあるいはイオ
ンプレーティングなどの処理を行う。この処理はＰｄを
含有する薄膜の表面細孔が小さくなっているため短時間
で行うことができ、その結果として、非常に薄いＰｄを
含有する薄膜をもつ水素分離膜の製造が可能となる。
【００２０】
（実施例１）本発明の金属多孔体パイプにＰｄを含有す
る薄膜を形成させたものの断面構造の模式図を図１に示
し、図１によって本発明の一実施例を説明する。
る薄膜を形成させたものの断面構造の模式図を図１に示
し、図１によって本発明の一実施例を説明する。
【００２１】線径２μｍの多孔質金属薄膜となるＳＵＳ
３１６Ｌ金属繊維不織布２と２００、１００、４０メッ
シュの金網（ＳＵＳ３１６）を重ねたもの３とを１２０
０℃×３時間の条件で積層焼結した金属多孔体を巻き加
工→溶接して２０φ×３００Ｌのパイプを製作した。こ
のパイプの全厚みは約０．６mmであり、多孔質金属薄膜
の厚みは０．１０mmである。又、表面細孔径は平均で約
６〜７μｍ、開孔率は約３０％であるが、最大１５μｍ
の細孔をある程度有している。この金属多孔体パイプ外
表面の状況の走査型電子顕微鏡写真（１０００倍）を図
２に示す。
３１６Ｌ金属繊維不織布２と２００、１００、４０メッ
シュの金網（ＳＵＳ３１６）を重ねたもの３とを１２０
０℃×３時間の条件で積層焼結した金属多孔体を巻き加
工→溶接して２０φ×３００Ｌのパイプを製作した。こ
のパイプの全厚みは約０．６mmであり、多孔質金属薄膜
の厚みは０．１０mmである。又、表面細孔径は平均で約
６〜７μｍ、開孔率は約３０％であるが、最大１５μｍ
の細孔をある程度有している。この金属多孔体パイプ外
表面の状況の走査型電子顕微鏡写真（１０００倍）を図
２に示す。
【００２２】この金属多孔体パイプの外表面に、本発明
を用いないで表面細孔が完全に封孔されるまで無電解め
っき（Ｐｄの化合物と還元剤を含有する液に浸漬）にて
Ｐｄをめっきした。完全に封孔できるまでに要しためっ
き時間は２０時間であり、Ｐｄめっきの膜厚は約１８μ
ｍであった。（比較例１）
を用いないで表面細孔が完全に封孔されるまで無電解め
っき（Ｐｄの化合物と還元剤を含有する液に浸漬）にて
Ｐｄをめっきした。完全に封孔できるまでに要しためっ
き時間は２０時間であり、Ｐｄめっきの膜厚は約１８μ
ｍであった。（比較例１）
【００２３】また、同一条件の無電解めっきにて６時間
めっき後の金属多孔体パイプの表面をガラスビーズによ
るブラスト処理（平均ビーズ径：１１５μｍ、圧力：５
kg／cm2 ）を実施した。６時間めっき後のブラスト処理
前後の通気抵抗測定結果を図３に、Ｐｄめっき膜の表面
状況の走査型電子顕微鏡写真（１０００倍）を図４、図
５に示す。ブラスト処理により表面の細孔が潰されて小
さくなり、その結果通気抵抗が約２００倍上昇してい
る。
めっき後の金属多孔体パイプの表面をガラスビーズによ
るブラスト処理（平均ビーズ径：１１５μｍ、圧力：５
kg／cm2 ）を実施した。６時間めっき後のブラスト処理
前後の通気抵抗測定結果を図３に、Ｐｄめっき膜の表面
状況の走査型電子顕微鏡写真（１０００倍）を図４、図
５に示す。ブラスト処理により表面の細孔が潰されて小
さくなり、その結果通気抵抗が約２００倍上昇してい
る。
【００２４】上記ブラスト処理後のパイプは、さらに４
時間の同一条件の無電解めっきにて完全に封孔でき、そ
のＰｄめっきの膜１の厚さは約８．５μｍであった。
（実施例１）
時間の同一条件の無電解めっきにて完全に封孔でき、そ
のＰｄめっきの膜１の厚さは約８．５μｍであった。
（実施例１）
【００２５】本発明を用いないでＰｄめっきしたもの
（比較例１）及び本発明の方法でＰｄめっきしたもの
（実施例１）の各々のパイプにつき、Ｈ2 混合ガスの圧
力を３kg／cm2 Ｇ、流量を２００Ｎｌ／min で、５００
℃で実施した水素透過試験結果を表１に示す。
（比較例１）及び本発明の方法でＰｄめっきしたもの
（実施例１）の各々のパイプにつき、Ｈ2 混合ガスの圧
力を３kg／cm2 Ｇ、流量を２００Ｎｌ／min で、５００
℃で実施した水素透過試験結果を表１に示す。
【００２６】表１から明らかなように、本発明の方法に
よりＰｄめっきしたもの（実施例１）の水素透過速度は
４２cm3 ／cm2・min であり、本発明を用いない方法
（比較例１）の２．１倍、従来のＰｄまたはＰｄを含有
する合金を伸延したＰｄ膜の約１１倍である。
よりＰｄめっきしたもの（実施例１）の水素透過速度は
４２cm3 ／cm2・min であり、本発明を用いない方法
（比較例１）の２．１倍、従来のＰｄまたはＰｄを含有
する合金を伸延したＰｄ膜の約１１倍である。
【表１】
【００２７】また、本発明の方法（実施例１）でのＰｄ
めっき液の使用量は、本発明を用いない方法（比較例
１）の半分であり、時間短縮のみでなく、費用節減から
も効果がある。
めっき液の使用量は、本発明を用いない方法（比較例
１）の半分であり、時間短縮のみでなく、費用節減から
も効果がある。
【００２８】（実施例２）実施例１で製作した図２に示
す外表面を有する金属多孔体パイプの外表面に、本発明
を用いないで表面細孔が完全に封孔されるまでイオンプ
レーティングを実施した。完全に封孔できるまでに要し
たイオンプレーティング時間は１８０分であり、Ｐｄの
膜厚は約２５μｍであった。（比較例２）
す外表面を有する金属多孔体パイプの外表面に、本発明
を用いないで表面細孔が完全に封孔されるまでイオンプ
レーティングを実施した。完全に封孔できるまでに要し
たイオンプレーティング時間は１８０分であり、Ｐｄの
膜厚は約２５μｍであった。（比較例２）
【００２９】また、同一のイオンプレーティング条件に
て５０分イオンプレーティング後の金属多孔体パイプの
表面を金属製の箆にてしごき処理を実施した。５０分イ
オンプレーティング処理後のしごき処理前後の通気抵抗
測定結果を図６に、Ｐｄイオンプレーティング膜の表面
状況の走査型電子顕微鏡写真（１０００倍）を図７、図
８に示す。しごき処理により表面の細孔が潰されて小さ
くなり、通気抵抗は約３００倍上昇している。
て５０分イオンプレーティング後の金属多孔体パイプの
表面を金属製の箆にてしごき処理を実施した。５０分イ
オンプレーティング処理後のしごき処理前後の通気抵抗
測定結果を図６に、Ｐｄイオンプレーティング膜の表面
状況の走査型電子顕微鏡写真（１０００倍）を図７、図
８に示す。しごき処理により表面の細孔が潰されて小さ
くなり、通気抵抗は約３００倍上昇している。
【００３０】上記のしごき処理後のパイプは、さらに３
０分の同一条件のイオンプレーティング処理にて完全に
封孔でき、そのＰｄイオンプレーティングの膜厚は約１
０μｍであった。（実施例２）
０分の同一条件のイオンプレーティング処理にて完全に
封孔でき、そのＰｄイオンプレーティングの膜厚は約１
０μｍであった。（実施例２）
【００３１】本発明を用いないでイオンプレーティング
したもの（比較例２）及び本発明の方法でイオンプレー
ティングしたもの（実施例２）の各々のパイプにつき、
Ｈ2 混合ガスの圧力を３kg／cm2 Ｇ、流量を２０Ｎｌ／
min で、５００℃で実施した水素透過試験結果を表２に
示す。
したもの（比較例２）及び本発明の方法でイオンプレー
ティングしたもの（実施例２）の各々のパイプにつき、
Ｈ2 混合ガスの圧力を３kg／cm2 Ｇ、流量を２０Ｎｌ／
min で、５００℃で実施した水素透過試験結果を表２に
示す。
【００３２】表２から明らかなように、本発明の方法に
よりイオンプレーティングしたもの（実施例２）の水素
透過速度は３４cm3 ／cm2 ・min であり、本発明を用い
ない方法（比較例２）の約２．８倍、従来のＰｄまたは
Ｐｄを含有する合金を伸延したＰｄ膜の約８．５倍であ
る。
よりイオンプレーティングしたもの（実施例２）の水素
透過速度は３４cm3 ／cm2 ・min であり、本発明を用い
ない方法（比較例２）の約２．８倍、従来のＰｄまたは
Ｐｄを含有する合金を伸延したＰｄ膜の約８．５倍であ
る。
【表２】 また、本発明の方法（実施例２）でのＰｄの使用量
は、本発明を用いない方法（比較例２）の半分以下であ
り、時間短縮のみでなく、費用節減からも効果がある。
は、本発明を用いない方法（比較例２）の半分以下であ
り、時間短縮のみでなく、費用節減からも効果がある。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば非常に薄いＰｄまたはＰ
ｄ合金膜を形成でき、水素透過量の大きい水素分離膜が
提供でき、しかも作業時間の短縮および高価なＰｄの使
用量も少なくてすむという利点がある。
ｄ合金膜を形成でき、水素透過量の大きい水素分離膜が
提供でき、しかも作業時間の短縮および高価なＰｄの使
用量も少なくてすむという利点がある。
【図１】本発明の金属多孔体パイプにＰｄを含有する薄
膜を形成させたものの断面構造の模式図。
膜を形成させたものの断面構造の模式図。
【図２】実施例１，２における金属多孔体パイプ外表面
（めっき及びイオンプレーティング前）の微細金属組織
を示す走査型電子顕微鏡写真。
（めっき及びイオンプレーティング前）の微細金属組織
を示す走査型電子顕微鏡写真。
【図３】実施例１における金属多孔体パイプへの６時間
めっき後のブラスト処理前後の通気抵抗測定結果を示す
図表。
めっき後のブラスト処理前後の通気抵抗測定結果を示す
図表。
【図４】実施例１における金属多孔体パイプへの６時間
めっき後のブラスト処理前のＰｄめっき膜の表面状況の
微細金属組織を示す走査型電子顕微鏡写真。
めっき後のブラスト処理前のＰｄめっき膜の表面状況の
微細金属組織を示す走査型電子顕微鏡写真。
【図５】図４のＰｄめっき膜表面状況のものをブラスト
処理した後のＰｄめっき膜の表面状況の微細金属組織を
示す走査型電子顕微鏡写真。
処理した後のＰｄめっき膜の表面状況の微細金属組織を
示す走査型電子顕微鏡写真。
【図６】実施例２における金属多孔体パイプへの５０分
イオンプレーティング処理後のしごき処理前後の通気抵
抗測定結果を示す図表。
イオンプレーティング処理後のしごき処理前後の通気抵
抗測定結果を示す図表。
【図７】実施例２における金属多孔体パイプへの５０分
イオンプレーティング処理後のしごき処理前のＰｄイオ
ンプレーティング膜の表面状況の微細金属組織を示す走
査型電子顕微鏡写真。
イオンプレーティング処理後のしごき処理前のＰｄイオ
ンプレーティング膜の表面状況の微細金属組織を示す走
査型電子顕微鏡写真。
【図８】図７のＰｄイオンプレーティング膜表面状況の
ものをしごき処理した後のＰｄイオンプレーティング表
面状況の微細金属組織を示す走査型電子顕微鏡写真。
ものをしごき処理した後のＰｄイオンプレーティング表
面状況の微細金属組織を示す走査型電子顕微鏡写真。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 船田 徹 広島市西区観音新町四丁目６番22号 三菱 重工業株式会社広島研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 細孔を有する金属多孔体の表面に、Ｐｄ
またはＰｄを含有する薄膜を形成させる方法において、
めっきまたはインプレーティングなどの途中で封孔処理
を行うことを特徴とする水素分離膜の製造方法。 - 【請求項２】 封孔処理を、ＰｄまたはＰｄを含有する
薄膜表面を金属などによりしごくかブラスト処理によっ
て行うことを特徴とする請求項１記載の水素分離膜の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27641891A JPH0585702A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 水素分離膜の製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP27641891A JPH0585702A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 水素分離膜の製造方法 |
Publications (1)
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| JPH0585702A true JPH0585702A (ja) | 1993-04-06 |
Family
ID=17569136
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP27641891A Withdrawn JPH0585702A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 水素分離膜の製造方法 |
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| JP (1) | JPH0585702A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1991
- 1991-09-30 JP JP27641891A patent/JPH0585702A/ja not_active Withdrawn
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