JPH058527B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はアナログ液晶表示板やアナログ液晶ス
イツチ等に用いるのに好適な透明導電膜及びその
生成方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a transparent conductive film suitable for use in analog liquid crystal display boards, analog liquid crystal switches, etc., and a method for producing the same.
［従来の技術］
透明導電膜は、液晶表示素子やエレクトロルミ
ネツセンスなどの表示デバイスの透明電極、種々
の部品や装置の電気的に制御される光遮蔽膜、あ
るいは自動車、航空機などの窓ガラスの氷結防止
用ヒータなどに広く使用されているが、従来のこ
の種の透明導電膜の使い方はいずれもデジタル的
なものであつた。[Prior Art] Transparent conductive films are used as transparent electrodes in display devices such as liquid crystal display elements and electroluminescent devices, electrically controlled light shielding films in various parts and devices, and window glasses for automobiles and aircraft. This type of transparent conductive film is widely used in anti-icing heaters, etc., but all conventional uses for this type of transparent conductive film have been digital.
例えば、液晶表示素子の場合、明と暗との２通
りの表示のみを行わせるデジタル的な使い方がさ
れていた。また光遮蔽膜の場合も、光を透過させ
るか遮蔽するかの２通りの動作のみを行わせるデ
ジタル的な使い方がされていた。 For example, in the case of a liquid crystal display element, it has been used digitally to display only two types of display: bright and dark. Also, in the case of light shielding films, digital methods have been used to perform only two operations: transmitting light or blocking light.
従来この種の用途に用いられていた透明導電膜
は、酸化錫SnO2と酸化インジウムIn2O3との混合
物からなつていた。酸化錫SnO2と酸化インジウ
ムIn2O3との混合物を膜生成用組成物として真空
蒸着法により透明導電膜を生成させる場合、酸化
錫と酸化インジウムとの総量に対する酸化錫の含
有比を増大させることにより、生成される透明導
電膜の面抵抗値を増大させることができ、酸化錫
の量と酸化インジウムの量との和に対する酸化錫
の含有比を95％とした場合に最大の面抵抗値７×
105Ω／□が得られている。 Transparent conductive films conventionally used for this type of application were made of a mixture of tin oxide SnO 2 and indium oxide In 2 O 3 . When a transparent conductive film is produced by vacuum evaporation using a mixture of tin oxide SnO 2 and indium oxide In 2 O 3 as a film-forming composition, the content ratio of tin oxide to the total amount of tin oxide and indium oxide is increased. By this, the sheet resistance value of the generated transparent conductive film can be increased, and the sheet resistance value reaches the maximum value when the content ratio of tin oxide to the sum of the amount of tin oxide and the amount of indium oxide is 95%. 7×
10 5 Ω/□ was obtained.
ところで、上記のようなデジタル的な使い方の
外に、諧調（明と暗の中間調）の表現を可能にす
るアナログ表示素子や、光の透過率をアナログ的
にコントロールできる光遮蔽膜の出現が要望され
ている。これらアナログ的な作用をする素子を実
現するためには、光透過性が良好で、かつ面抵抗
値が適当に大きい透明導電膜が必要である。 By the way, in addition to the above-mentioned digital usage, the emergence of analog display elements that make it possible to express gradations (intermediate tones between light and dark) and light shielding films that can control light transmittance in an analog manner are emerging. It is requested. In order to realize an element that functions in an analog manner, a transparent conductive film with good light transmittance and a suitably large sheet resistance value is required.
例えば、アナログ液晶表示板やアナログ液晶ス
イツチ等に用いる透明導電膜は光透過性が良く、
適当な面抵抗を有し、均一性が良好であることが
必要とされる。透明導電膜の面抵抗値が小さすぎ
ると電力損失が大きくなつたり、発熱のため液晶
の寿命が短くなつたりし、逆に面抵抗値が大きす
ぎると素子の高周波特性が悪くなる。この種の用
途では、一般には105〜1010Ω／□程度の高い面
抵抗値が必要である。 For example, transparent conductive films used for analog liquid crystal display boards, analog liquid crystal switches, etc. have good light transmittance.
It is required to have adequate sheet resistance and good uniformity. If the sheet resistance value of the transparent conductive film is too small, power loss will increase or the life of the liquid crystal will be shortened due to heat generation, whereas if the sheet resistance value is too large, the high frequency characteristics of the element will deteriorate. This type of application generally requires a high sheet resistance value of about 10 5 to 10 10 Ω/□.
［発明が解決しようとする課題］
酸化錫と酸化インジウムとの混合物からなる透
明導電膜においては、酸化錫の量と酸化インジウ
ムの量との総和に対する酸化錫の含有比を増大さ
せることにより、生成される透明導電膜の面抵抗
値を増大させることができるが、得られる面抵抗
値の最大値は105のオーダーであり、106以上のオ
ーダーの面抵抗値を有する透明導電膜を得ること
はできなかつた。[Problems to be Solved by the Invention] In a transparent conductive film made of a mixture of tin oxide and indium oxide, by increasing the content ratio of tin oxide to the sum of the amount of tin oxide and the amount of indium oxide, it is possible to However, the maximum value of the obtained sheet resistance value is on the order of 10 5 , and it is impossible to obtain a transparent conductive film having a sheet resistance value on the order of 10 6 or more. I couldn't.
また従来酸化錫と酸化インジウムとの混合物か
らなる透明導電膜では、７×105Ω／□の面抵抗
値を有するものが得られているが、この透明導電
膜は光透過性に問題があり、実用性が乏しかつ
た。 Furthermore, a conventional transparent conductive film made of a mixture of tin oxide and indium oxide has a sheet resistance value of 7×10 5 Ω/□, but this transparent conductive film has a problem with light transmittance. , it lacked practicality.
本発明の目的は、106〜1010Ω／□の範囲の広
範囲の面抵抗値を得ることができ、光透過性が優
れた高抵抗の透明導電膜及びその生成方法を提案
することにある。 An object of the present invention is to propose a high-resistance transparent conductive film that can obtain a wide range of sheet resistance values in the range of 10 6 to 10 10 Ω/□ and has excellent light transmittance, and a method for producing the same. .
［課題を解決するための手段］
特許請求の範囲第１項に記載された本願第１の
発明は、酸化ケイ素と酸化インジウムとの混合酸
化物からなる透明導電膜で、インジウム及びケイ
素の総量に対するインジウムの含有比を25重量パ
ーセント以上とし、かつ面抵抗値を106〜1010
Ω／□としたものである。[Means for Solving the Problems] The first invention of the present application as set forth in claim 1 is a transparent conductive film made of a mixed oxide of silicon oxide and indium oxide, in which the total amount of indium and silicon is The indium content ratio should be 25% by weight or more, and the sheet resistance value should be 10 6 to 10 10
Ω/□.
また特許請求の範囲第２項、第４項、第５項及
び第６項にそれぞれ記載された本願第２ないし第
５の発明は基板上に酸化インジウムを含有する透
明導電膜を生成する方法で、第２の発明の方法に
おいては、酸化ケイ素の量と酸化インジウムの総
量に対する酸化インジウムの含有比を60〜20重量
パーセントとした膜生成用組成物を蒸発材料とし
て用い、電子ビーム加熱蒸着法または電子ビーム
加熱イオンプレーテイング法により基板上に105
〜1010Ω／□の面抵抗値を有する膜を生成させ
る。 Further, the second to fifth inventions of the present application described in claims 2, 4, 5, and 6, respectively, are methods for producing a transparent conductive film containing indium oxide on a substrate. In the method of the second invention, a film forming composition in which the content ratio of indium oxide to the total amount of silicon oxide and indium oxide is 60 to 20% by weight is used as an evaporation material, and electron beam heating evaporation method or 10 5 on the substrate by electron beam heating ion plating method
A film with a sheet resistance value of ~10 10 Ω/□ is produced.
また本願第３の発明においては、上記第２の発
明の方法により基板上に透明導電膜を生成させた
後、基板の耐熱温度以下200℃以上の温度に保た
れた大気炉中で前記膜を熱処理し、106〜1010
Ω／□の面抵抗値を有する膜を生成させる。 Further, in the third invention of the present application, after forming a transparent conductive film on a substrate by the method of the second invention, the film is grown in an atmospheric furnace maintained at a temperature of 200°C or more below the heat-resistant temperature of the substrate. Heat treated, 10 6 ~ 10 10
A film having a sheet resistance value of Ω/□ is produced.
第４の発明においては、酸化ケイ素またはケイ
素からなるペレツトと酸化インジウムまたはイン
ジウムからなるペレツトとを用い、ケイ素原子に
対するインジウム原子の蒸発速度比を0.1以上と
するように制御しつつそれぞれのペレツトを独立
にかつ同時に加熱蒸着させる二元蒸着法により基
板上に106〜1010Ω／□の面抵抗値を有する透明
導電膜を生成させる。 In the fourth invention, silicon oxide or pellets made of silicon and pellets made of indium oxide or indium are used, and each pellet is independently separated while controlling the evaporation rate ratio of indium atoms to silicon atoms to be 0.1 or more. A transparent conductive film having a sheet resistance value of 10 6 to 10 10 Ω/□ is produced on the substrate by a binary evaporation method in which the evaporation is carried out simultaneously with heating.
第５の発明の方法においては、上記第４の発明
の方法により基板上に透明導電膜を生成させた
後、基板の耐熱温度以下200℃以上の温度に保た
れた大気炉中で前記膜を熱処理し、106〜1010
Ω／□の面抵抗値を有する膜を生成させる。 In the method of the fifth invention, after forming a transparent conductive film on a substrate by the method of the fourth invention, the film is grown in an atmospheric furnace maintained at a temperature of 200°C or higher below the heat-resistant temperature of the substrate. Heat treated, 10 6 ~ 10 10
A film having a sheet resistance value of Ω/□ is produced.
［作用］
上記第１の発明によると、酸化ケイ素と酸化イ
ンジウムとの混合酸化物を透明導電膜の成分とし
て、インジウムの量とケイ素の量との総和に対す
るインジウムの含有比を25重量パーセント以上と
し、かつ面抵抗値を106〜1010Ω／□としたこと
により、アナログ的な作用を行わせるのに適した
広範囲の面抵抗値を有する透明導電膜を得ること
ができる。[Operation] According to the first invention, a mixed oxide of silicon oxide and indium oxide is used as a component of the transparent conductive film, and the content ratio of indium to the sum of the amount of indium and the amount of silicon is 25% by weight or more. By setting the sheet resistance value to 10 6 to 10 10 Ω/□, it is possible to obtain a transparent conductive film having a wide range of sheet resistance values suitable for analog action.
また第２及び第４の発明の方法によると、蒸着
条件を適当に選択することにより、種々の面抵抗
値を有する透明導電膜を容易に得ることができ、
アナログ液晶素子に用いる電極のように、面抵抗
値が106〜1010Ω／□の範囲の透明導電膜を容易
に得ることができる。 Further, according to the methods of the second and fourth inventions, transparent conductive films having various sheet resistance values can be easily obtained by appropriately selecting vapor deposition conditions,
A transparent conductive film having a sheet resistance value of 10 6 to 10 10 Ω/□, such as an electrode used in an analog liquid crystal device, can be easily obtained.
更に、第３及び第５の発明のように、基板上に
透明導電膜を生成した後熱処理を行うと、106〜
1010Ω／□の面抵抗値を有する透明導電膜の光透
過率が高くすることができる。 Furthermore, as in the third and fifth inventions, when heat treatment is performed after forming a transparent conductive film on a substrate, 10 6 -
The light transmittance of a transparent conductive film having a sheet resistance value of 10 10 Ω/□ can be increased.
［実施例］
以下添附図面を参照して本発明の実施例を説明
する。[Examples] Examples of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
実施例 １
酸化ケイ素SiOと酸化インジウムIn2O3とを混
合した蒸着材料のペレツトを用い、電子ビーム加
熱蒸着法によりガラス基板（コーニング7059、通
過率92％）上に透明導電膜を生成させた。Example 1 A transparent conductive film was produced on a glass substrate (Corning 7059, pass rate 92 %) by electron beam heating vapor deposition using pellets of a vapor deposition material that was a mixture of silicon oxide SiO and indium oxide In2O3 . .
第１図は電子ビーム加熱蒸着法を実施する蒸着
装置の構成を示したもので、同図において１は真
空チヤンバ、２は真空チヤンバ１内に配置された
基板支持板であり、基板支持板２にはガラス基板
３が取付けられている。基板支持板２は膜の均一
性を得るために回転できる構造となつている。 FIG. 1 shows the configuration of a vapor deposition apparatus for carrying out an electron beam heating vapor deposition method. In the figure, 1 is a vacuum chamber, 2 is a substrate support plate placed in the vacuum chamber 1, and A glass substrate 3 is attached to the. The substrate support plate 2 has a rotatable structure to obtain uniformity of the film.
真空チヤンバ１にはバルブ４及び排気管５を介
して真空ポンプ６が接続され、これによりチヤン
バ１内が10-6Torrまで排気される。 A vacuum pump 6 is connected to the vacuum chamber 1 via a valve 4 and an exhaust pipe 5, whereby the inside of the chamber 1 is evacuated to 10 -6 Torr.
基板支持板２の上方には基板加熱用ヒータ７が
配置され、真空チヤンバ１内の排気が開始される
と同時に、または排気が完了した後にヒータ７に
より基板３が所望の温度まで加熱される。 A substrate heating heater 7 is arranged above the substrate support plate 2, and the substrate 3 is heated to a desired temperature by the heater 7 at the same time as evacuation of the vacuum chamber 1 is started or after evacuation is completed.
真空チヤンバ１にはガス導入管８が設けられて
いて、このガス導入管８にバルブ９を介して酸素
ガス供給源１０が接続されており、真空チヤンバ
１内が排気され、基板３が所望の温度まで加熱さ
れた後に酸素ガスが、所定のガス圧に達するまで
チヤンバ１内に供給される。 The vacuum chamber 1 is provided with a gas introduction pipe 8, and an oxygen gas supply source 10 is connected to this gas introduction pipe 8 via a valve 9, so that the inside of the vacuum chamber 1 is evacuated and the substrate 3 is transferred to a desired location. After being heated to temperature, oxygen gas is supplied into the chamber 1 until a predetermined gas pressure is reached.
１１は電子ビーム蒸着源で、この蒸着源は蒸発
材料のペレツト１２が入れられているハース部
（るつぼ）１１ａと、電子ビーム発生用フイラメ
ント１１ｂと、図示しない直流電源から直流電圧
が印加されている加速電極１１ｃと、加速電極１
１ｃにより加速された電子ビームｅをハース部１
１ａのペレツト１２の上に直接照射するように湾
曲させる磁極１１ｄとからなり、ペレツト１２は
電子ビームにより加熱されて蒸発する。ハース部
１１ａは水冷されており、これによりハース部１
１ａを構成する物質が蒸発するのが防止されてい
る。 11 is an electron beam evaporation source, and this evaporation source includes a hearth part (crucible) 11a containing pellets 12 of evaporation material, a filament 11b for generating an electron beam, and a DC voltage is applied from a DC power source (not shown). Accelerating electrode 11c and accelerating electrode 1
The electron beam e accelerated by 1c is sent to the hearth section 1
It consists of a magnetic pole 11d which is curved so as to directly irradiate onto the pellet 12 of 1a, and the pellet 12 is heated by the electron beam and evaporated. The hearth part 11a is water-cooled, so that the hearth part 1
The substances constituting 1a are prevented from evaporating.
図示してないが、基板３と電子ビーム蒸着源１
１との間にはシヤツタが配設され、ペレツトが蒸
発している状態でこのシヤツタを所定時間開くこ
とにより、蒸着源１１から蒸発させた蒸発物質の
蒸気を基板３の表面に付着させて基板３の表面に
所定の膜厚の透明導電膜を生成させる。 Although not shown, the substrate 3 and the electron beam evaporation source 1
A shutter is disposed between the substrate 1 and the substrate 3, and by opening the shutter for a predetermined period of time while the pellets are evaporating, the vapor of the evaporated substance evaporated from the evaporation source 11 is deposited on the surface of the substrate 3. A transparent conductive film having a predetermined thickness is formed on the surface of 3.
ペレツトを構成する蒸発材料の組合せとして
は、SiとIn、SiOとIn2O3、SiO2とIn2O3等が考え
られるが、蒸発温度、蒸発の仕方（溶解性か昇華
性か）等を考慮すると、２物質を混合して１ペレ
ツトを構成する場合には、共に昇華性の蒸発を行
うSiOとIn2O3との組合せが最適である。 Possible combinations of evaporation materials that make up the pellets include Si and In, SiO and In 2 O 3 , and SiO 2 and In 2 O 3 , but the evaporation temperature, method of evaporation (dissolution or sublimation), etc. Considering this, when two substances are mixed to form one pellet, the optimal combination is SiO and In 2 O 3 , which both perform sublimation evaporation.
この場合膜質に影響を与えるパラメータとして
は、蒸発物質の混合比、基板３の温度、酸素圧
力、蒸着速度等の成膜条件が挙げられる。 In this case, parameters that affect the film quality include film forming conditions such as the mixture ratio of evaporative substances, the temperature of the substrate 3, oxygen pressure, and evaporation rate.
基板３の温度が低すぎたり、酸素圧力が少なす
ぎたり、蒸着速度が速すぎたりすると、酸化が充
分に行われないため、光の透過性が著しく悪くな
る。実用上、透明導電膜つきガラス基板の光透過
率は75％以上あることが必要である。実験の結
果、75％以上の透過率を有する透明導電膜を得る
ためには、基板温度を300℃以上、酸素圧力を１
×10-4Torr以上、蒸着速度を５Å／sec以下に設
定する必要があることが明らかになつた。 If the temperature of the substrate 3 is too low, the oxygen pressure is too low, or the evaporation rate is too fast, oxidation will not be sufficient, resulting in significantly poor light transmittance. For practical purposes, it is necessary that the light transmittance of a glass substrate with a transparent conductive film be 75% or more. As a result of experiments, in order to obtain a transparent conductive film with a transmittance of 75% or more, the substrate temperature should be 300℃ or more and the oxygen pressure should be 1.
It became clear that it was necessary to set the deposition rate to 5 Å/sec or less at ×10 -4 Torr or higher.
上記の様な成膜条件下でIn2O3の含有比αを変
えた種々のペレツトを用意して、約700Åの透明
導電膜を生成させ、その面抵抗値と光透過率とを
測定したところ、第２図及び第３図のような結果
が得られた。ここで含有比αは、SiOの質量Ｘと
In2O3の質量Ｙとの総和に対するIn2O3の質量Ｙの
比（重量％）［α＝｛Ｙ／（Ｘ＋Ｙ）｝×100］であ
る。 Various pellets with different In 2 O 3 content ratios α were prepared under the film formation conditions described above to form transparent conductive films with a thickness of about 700 Å, and their sheet resistance and light transmittance were measured. However, results as shown in FIGS. 2 and 3 were obtained. Here, the content ratio α is the mass of SiO
The ratio (wt%) of the mass Y of In 2 O 3 to the total mass Y of In 2 O 3 is [α={Y/(X+Y)}×100].
第２図より、含有比αを20重量％以上の範囲で
調整することによつて、101〜1010Ω／□の広範
囲の面抵抗値を連続的に得ることができることが
明らかになつた。この場合、最も低い面抵抗値
（数十Ω／□）は従来のSnO2を不純物として用い
たITO膜と同程度の値であり、SiOを不純物とし
て用いてもITO膜と同程度の面抵抗値が得られる
ことが明らかになつた。また本発明のようにSiO
を不純物とした場合、含有比αが約50重量％以下
20重量％以上の範囲で従来のITO膜では得られな
かつた、106〜1010Ω／□の面抵抗を得ることが
でき、しかもその面抵抗値はIn2O3の含有比を変
えることにより制御することが可能である。これ
により、液晶のアナログ応用に適した高抵抗の透
明導電膜を得ることが可能になる。 From Figure 2, it is clear that by adjusting the content ratio α within the range of 20% by weight or more, it is possible to continuously obtain a wide range of sheet resistance values from 10 1 to 10 10 Ω/□. . In this case, the lowest sheet resistance value (several tens of Ω/□) is comparable to that of a conventional ITO film using SnO 2 as an impurity, and even when SiO is used as an impurity, the sheet resistance is similar to that of an ITO film. It became clear that value could be obtained. Also, as in the present invention, SiO
When used as an impurity, the content ratio α is approximately 50% by weight or less
A sheet resistance of 10 6 to 10 10 Ω/□, which could not be obtained with conventional ITO films, can be obtained in the range of 20% by weight or more, and the sheet resistance value can be changed by changing the content ratio of In 2 O 3 . It is possible to control by This makes it possible to obtain a high-resistance transparent conductive film suitable for analog liquid crystal applications.
また第３図より、酸化インジウムの含有比αを
20重量％以上とした場合、得られた透明導電膜つ
きガラス基板の透過率はいずれも75％（波長
500nｍ）以上であることが分る。 Also, from Figure 3, the content ratio α of indium oxide is
When the amount is 20% by weight or more, the transmittance of the obtained glass substrate with transparent conductive film is 75% (wavelength
500nm) or more.
第２の実施例
第２の実施例では、電子ビーム加熱蒸着法に代
えて、電子ビーム加熱イオンプレーテイング法に
より透明導電膜を生成させた。第４図は電子ビー
ム加熱イオンプレーテイング法を実施する装置の
構成を概略的に示したもので、同図において第１
図の各部と同等な部分には同一の符号を付してあ
る。この装置では、基板支持板２と電子ビーム加
熱蒸着源１１との間にイオン化電極１５が配設さ
れ、この電極１５に高周波電源１６から高周波電
力が供給されている。また直流バイアス電源１７
から基板支持板２と接地間に負の直流バイアス電
圧が印加されている。またガス導入管８にはバル
ブ９を介して酸素ガス及びアルゴンガスの供給源
１０′が接続されている。その他の点は第１図の
装置と同様である。Second Example In the second example, a transparent conductive film was produced by an electron beam heated ion plating method instead of an electron beam heated evaporation method. Figure 4 schematically shows the configuration of an apparatus for carrying out the electron beam heated ion plating method.
Parts equivalent to those in the figure are given the same reference numerals. In this apparatus, an ionization electrode 15 is disposed between the substrate support plate 2 and the electron beam heating evaporation source 11, and high frequency power is supplied to this electrode 15 from a high frequency power source 16. Also, the DC bias power supply 17
A negative DC bias voltage is applied between the substrate support plate 2 and ground. Further, a supply source 10' for oxygen gas and argon gas is connected to the gas introduction pipe 8 via a valve 9. Other points are similar to the apparatus shown in FIG.
上記の装置により透明導電膜の生成を行わせる
場合は、例えば真空チヤンバ１内を10-6Torrま
で排気した後、酸素ガスをその分圧が３×
10-4Torrになるまで供給し、更にアルゴンガス
をチヤンバー内の総圧力が４×10-3Torrになる
まで供給する。また高周波電源１６からイオン化
電極１５に100〜300Wの高周波電力を供給し、バ
イアス電源１７から基板支持板２に100〜200Vの
バイアス電圧を印加する。これによりイオン化電
極１５の近傍のガスをイオン化してプラズマ状態
にする。このように電子ビーム加熱蒸着源１１と
基板３との間にプラズマ領域を形成すると、蒸着
源１１から蒸発した蒸着材料の分子はプラズマ領
域を通過する際にその一部がイオン化され、基板
３上での反応が促進されて薄膜の生成が促進され
る。 When producing a transparent conductive film using the above apparatus, for example, after evacuating the inside of the vacuum chamber 1 to 10 -6 Torr, oxygen gas is
Supply until the pressure reaches 10 -4 Torr, and then supply argon gas until the total pressure inside the chamber reaches 4 x 10 -3 Torr. Further, a high frequency power of 100 to 300 W is supplied from the high frequency power source 16 to the ionization electrode 15, and a bias voltage of 100 to 200 V is applied to the substrate support plate 2 from the bias power source 17. This ionizes the gas near the ionization electrode 15 and turns it into a plasma state. When a plasma region is formed between the electron beam heating evaporation source 11 and the substrate 3 in this way, some of the molecules of the evaporation material evaporated from the evaporation source 11 are ionized as they pass through the plasma region, and the molecules are ionized onto the substrate 3. reaction is promoted and the formation of a thin film is promoted.
上記のようなイオンプレーテイング法による
と、蒸着材料の分子及び酸素ガスの一部がイオン
化されて活性となり、基板３上での酸化物薄膜の
生成が促進されるため、第１実施例のような普通
の電子ビーム加熱蒸着法による場合に比べて基板
の温度をより低温にし、蒸着速度をより速くして
も良好な透明導電膜を得ることができる。一例を
挙げると、酸化インジウムIn2O3の含有比αが35
重量％、基板温度が200℃、酸素の分圧が３×
10-4Torr、アルゴンの分圧が3.7×10-3Torr、高
周波電力が200W、直流バイアス電圧が100Vの条
件下で、蒸着速度を10Å／secとして、膜厚700
Å、面抵抗値５×108Ω／□、透過率89％（波長
500nｍ）の透明導電膜を得ることができた。 According to the above-described ion plating method, some of the molecules of the vapor deposition material and oxygen gas are ionized and activated, and the formation of the oxide thin film on the substrate 3 is promoted. A good transparent conductive film can be obtained even if the temperature of the substrate is lowered and the deposition rate is faster than in the case of ordinary electron beam heating evaporation. For example, when the content ratio α of indium oxide In 2 O 3 is 35
Weight%, substrate temperature 200℃, oxygen partial pressure 3×
10 -4 Torr, argon partial pressure 3.7×10 -3 Torr, high frequency power 200 W, DC bias voltage 100 V, deposition rate 10 Å/sec, film thickness 700.
Å, sheet resistance value 5×10 8 Ω/□, transmittance 89% (wavelength
A transparent conductive film with a thickness of 500 nm) was obtained.
同様な条件で第１図の蒸着装置により透明導電
膜を生成したところ、酸化が不十分になるため、
得られた透明導電膜の面抵抗値は1011Ω／□以
上、透過率は53％（波長500nｍ）となり、アナ
ログ液晶デイスプレイ等の電極に用いるには不適
当な膜しか得ることができなかつた。 When a transparent conductive film was produced using the vapor deposition apparatus shown in Figure 1 under similar conditions, oxidation was insufficient.
The obtained transparent conductive film had a sheet resistance value of 10 11 Ω/□ or higher and a transmittance of 53% (wavelength 500 nm), making it unsuitable for use as electrodes in analog liquid crystal displays, etc. .
第３の実施例
第３の実施例では、酸化ケイ素SiOまたはSiO2
単独のペレツトと、酸化インジウムIn2O3単独の
ペレツトとをそれぞれ作成し、これらを独立に加
熱して同時に蒸発させることにより基板に薄膜を
蒸着する二元蒸着法を採用した。Third Example In a third example, silicon oxide SiO or SiO 2
A binary evaporation method was employed in which a single pellet and a single pellet of indium oxide In 2 O 3 were prepared, and these were heated independently and evaporated at the same time to deposit a thin film on the substrate.
第５図は二元蒸着法を実施する装置の構成を概
略的に示したもので、この装置ではハース部１１
ａ、フイラメント１１ｂ、加速電極１１ｃ及び磁
極１１ｄからなる第１の電子ビーム加熱蒸着源１
１と、ハース部１１a′、フイラメント１１b′、加
速電極１１c′及び磁極１１d′からなる第２の電子
ビーム加熱蒸着源１１′とが真空チヤンバ１の下
部に並べて設けられていて、第１の加熱蒸着源１
１のハース部にSiOまたはSiO2単独からなるペレ
ツト１２が、また第２の加熱蒸着源１１′のハー
ス部にIn2O3単独からなるペレツト１２′が入れら
れている。膜質の均一性を得るために、電子ビー
ム加熱蒸着源１１，１１′および基板の位置が適
当に選ばれ、基板は回転される。その他の点は第
１図の装置と同様である。 FIG. 5 schematically shows the configuration of an apparatus for carrying out the binary vapor deposition method. In this apparatus, the hearth part 11
a, a first electron beam heating evaporation source 1 consisting of a filament 11b, an accelerating electrode 11c, and a magnetic pole 11d.
1, and a second electron beam heating evaporation source 11' consisting of a hearth portion 11a', a filament 11b', an accelerating electrode 11c', and a magnetic pole 11d' are arranged side by side in the lower part of the vacuum chamber 1, and the first heating Vapor deposition source 1
Pellets 12 made solely of SiO or SiO 2 are placed in the first hearth portion, and pellets 12 ′ made solely of In 2 O 3 are placed in the hearth portion of the second heated evaporation source 11'. In order to obtain uniform film quality, the positions of the electron beam heating evaporation sources 11, 11' and the substrate are appropriately selected, and the substrate is rotated. Other points are similar to the apparatus shown in FIG.
この場合、蒸着源１１及び１１′にそれぞれ供
給する電力を加減することにより、SiOまたは
SiO2及びIn2O3の蒸発量を調節することができ
る。 In this case, by adjusting the power supplied to the deposition sources 11 and 11', SiO or
The amount of evaporation of SiO 2 and In 2 O 3 can be adjusted.
第１図及び第４図の装置による場合のように、
異なる物質を混合して１ペレツトを構成すると、
蒸着時間の経過に伴つてペレツトの混合比が変化
するおそれがあるが、この第３の実施例によれば
その心配はなく、再現性良く透明導電膜の生成を
行わせることができる。 As with the apparatus of FIGS. 1 and 4,
When different substances are mixed to form a pellet,
Although there is a possibility that the mixing ratio of the pellets may change as the deposition time progresses, this third embodiment eliminates this concern and allows the formation of a transparent conductive film with good reproducibility.
一例として、蒸発材料にSiO2のペレツトと
In2O3のペレツトとを用い、基板温度を400℃、酸
素分圧を３×10-4Torrとし、SiO2の蒸着速度を
2.3Å／sec、In2O3の蒸着速度を0.7Å／secとする
ように電子ビーム加熱蒸着源１１及び１１′への
電力の供給を制御した。その結果、膜厚が700Å、
面抵抗値が３×108Ω／□、透過率が81％（波長
500nｍ）の透明導電膜を得ることができた。 As an example, SiO 2 pellets are used as the evaporation material.
Using In 2 O 3 pellets, the substrate temperature was 400°C, the oxygen partial pressure was 3 × 10 -4 Torr, and the SiO 2 evaporation rate was
The power supply to the electron beam heating vapor deposition sources 11 and 11' was controlled so that the vapor deposition rate of In 2 O 3 was 2.3 Å/sec and 0.7 Å/sec. As a result, the film thickness was 700Å,
The sheet resistance value is 3×10 8 Ω/□, and the transmittance is 81% (wavelength
A transparent conductive film with a thickness of 500 nm) was obtained.
インジウム及びケイ素原子換算の蒸着速度比ｒ
（In／Si）を約0.1以下にすると、面抵抗値は1011
Ω／□以上となり、実用には適さないものとな
る。106〜1010Ω／□の範囲の所望の面抵抗を得
る為には、蒸着速度比ｒ（In／Si）を0.1以上に選
ぶ必要がある。 Vapor deposition rate ratio r in terms of indium and silicon atoms
When (In/Si) is approximately 0.1 or less, the sheet resistance value is 10 11
Ω/□ or more, making it unsuitable for practical use. In order to obtain the desired sheet resistance in the range of 10 6 to 10 10 Ω/□, it is necessary to select the deposition rate ratio r (In/Si) to be 0.1 or more.
また蒸着速度比を0.1として生成した、面抵抗
値が1010Ω／□の膜について、蛍光Ｘ線分析を行
つた結果、膜中のインジウム含有比（インジウム
Inの質量とケイ素Siの質量との総和に対するイン
ジウムInの質量の比）α′は約25〜30重量％の範囲
にあることが明らかになつた。これより、106〜
1010Ω／□の面抵抗値を有する膜を得るために
は、蒸発材料中の酸化インジウムの含有比を60〜
20重量パーセントに設定して膜を生成して、膜中
のインジウム含有比を25重量％以上とする（イン
ジウムの含有比が大きくなるに従つて膜の面抵抗
値が低くなる。）必要があることが分る。 In addition, as a result of fluorescent X-ray analysis of a film with a sheet resistance value of 10 10 Ω/□ produced with a deposition rate ratio of 0.1, the indium content ratio (indium
It was revealed that α' (the ratio of the mass of indium In to the sum of the mass of In and the mass of silicon Si) was in the range of about 25 to 30% by weight. From this, 10 6 ~
In order to obtain a film with a sheet resistance value of 10 10 Ω/□, the content ratio of indium oxide in the evaporation material must be increased from 60 to
It is necessary to generate a film by setting the indium content to 20% by weight so that the indium content ratio in the film is 25% by weight or more (as the indium content ratio increases, the sheet resistance value of the film decreases). I understand.
第５図の装置にイオン化電極を設けるととも
に、基板支持板２に直流バイアス電圧を印加し
て、イオンプレーテイング法により二元蒸着法を
実施するようにしても同様な効果を得ることがで
きる。 Similar effects can be obtained by providing the apparatus shown in FIG. 5 with an ionization electrode and applying a direct current bias voltage to the substrate support plate 2 to carry out the binary evaporation method using the ion plating method.
第４の実施例
第４の実施例では、第６図の装置を用いて斜め
蒸着法により透明導電膜の生成を行つた。Fourth Example In the fourth example, a transparent conductive film was formed by an oblique vapor deposition method using the apparatus shown in FIG.
すなわち、この実施例では、基板３と電子ビー
ム加熱蒸着源１１とを横方向にずらして配置する
とともに基板３を水平方向に対して一定の角度傾
け、基板３の板面に対して角度（鋭角）θ（＝５
〜15度）を成す方向から蒸着を行つた。基板下部
に蒸着窓１４を有したマスク１３を設け、蒸着物
質は蒸着窓１４のみを通過し、基板上に蒸着され
る構造となつている。基板を回転させずに矢印１
５方向に一定速度で移動させることにより、基板
全面に均一な膜が得られるようになつている。 That is, in this embodiment, the substrate 3 and the electron beam heating evaporation source 11 are arranged horizontally offset, and the substrate 3 is tilted at a certain angle with respect to the horizontal direction, so that the substrate 3 is tilted at a certain angle (acute angle) with respect to the plate surface of the substrate 3. )θ(=5
The deposition was performed from a direction forming an angle of ~15 degrees). A mask 13 having an evaporation window 14 is provided below the substrate, and the evaporation material passes only through the evaporation window 14 and is deposited on the substrate. Arrow 1 without rotating the board
By moving at a constant speed in five directions, a uniform film can be obtained over the entire surface of the substrate.
この様な方法によれば、ガラス基板３上に蒸着
方向に沿つた結晶粒成長が起り、配向膜の機能を
兼ね備えた透明導電膜を得ることができる。従つ
て配向膜を形成する工程を必要とする液晶素子等
を製造する場合に、この方法を採用すると、配向
膜を形成する工程を省くことができ、工数の削減
を図ることができる。 According to such a method, crystal grain growth occurs on the glass substrate 3 along the deposition direction, and a transparent conductive film having the function of an alignment film can be obtained. Therefore, when manufacturing a liquid crystal element or the like that requires a step of forming an alignment film, if this method is adopted, the step of forming an alignment film can be omitted, and the number of man-hours can be reduced.
第５の実施例
酸化物透明導電膜の電気的特性および光学的特
性は膜の酸化状態により大きく変化する。酸化が
不十分であると、面抵抗値が不安定になり、透過
率が著しく低下する。前記各実施例においては、
酸化を十分に行わせるように基板の温度や酸素分
圧、蒸着速度、高周波電力等の諸条件が選択され
ているが、蒸着により透明導電膜を生成した後に
熱処理を行うと電気的特性及び光学的特性を更に
改善することができる。また透明導電膜の生成を
行つた後に熱処理を行うと、蒸着時の基板の温度
が低かつたり、蒸着速度が速かつたり、酸素分圧
が低かつたりした場合でも、電気的特性及び光学
的特性が優れた透明導電膜を得ることができる。Fifth Example The electrical and optical properties of an oxide transparent conductive film vary greatly depending on the oxidation state of the film. If oxidation is insufficient, the sheet resistance value becomes unstable and the transmittance decreases significantly. In each of the above embodiments,
Conditions such as substrate temperature, oxygen partial pressure, evaporation rate, and high-frequency power are selected to ensure sufficient oxidation, but if heat treatment is performed after forming a transparent conductive film by evaporation, the electrical properties and optical properties may deteriorate. The physical characteristics can be further improved. In addition, if heat treatment is performed after forming a transparent conductive film, electrical properties and optical A transparent conductive film with excellent properties can be obtained.
第７図は熱処理の効果を示す実験の結果を示し
たもので、同図においてＡは基板のみの透過率を
光の波長に対して示している。またＢは第１の実
施例でIn2O3の含有比を35重量％、基板温度を400
℃、酸素分圧を３×10-4Torr、蒸着速度を３Å
として形成した透明導電膜つきガラス基板の透過
率を示し、ＣはＢの膜を大気炉内に入れて、400
℃で30分熱処理した後の透過率を示している。こ
れらの結果から、蒸着を行つた後に熱処理を行う
ことにより、透過率が大幅に改善され、透明導電
膜つきガラス基板の透過率をガラス基板のみの透
過率92％近くまで改善できることが分る。この92
％という透過率は一般のSnO2とIn2O3との混合膜
つきガラス基板の透過率（約82％）に比べてはる
かに大きな値である。このような高い透過率はペ
レツトのIn2O3含有比を小さい範囲（50重量％以
下）に選定した場合に得られる。このように高い
透過率が得られるのは、SiO2の含有により、膜
の屈折率がガラス基板の屈折率に近付き、基板と
膜の界面での反射が減少するためであると考えら
れる。 FIG. 7 shows the results of an experiment showing the effect of heat treatment. In the figure, A shows the transmittance of only the substrate with respect to the wavelength of light. In addition, B is the first example in which the content ratio of In 2 O 3 is 35% by weight and the substrate temperature is 400%.
℃, oxygen partial pressure 3×10 -4 Torr, deposition rate 3Å
C shows the transmittance of a glass substrate with a transparent conductive film formed as shown in FIG.
It shows the transmittance after heat treatment at ℃ for 30 minutes. These results show that heat treatment after vapor deposition significantly improves the transmittance, and the transmittance of the glass substrate with a transparent conductive film can be improved to nearly 92% of the transmittance of the glass substrate alone. This 92
% is a much larger value than the transmittance of a typical glass substrate with a mixed film of SnO 2 and In 2 O 3 (approximately 82%). Such a high transmittance can be obtained when the In 2 O 3 content of the pellets is selected in a small range (50% by weight or less). The reason why such a high transmittance is obtained is thought to be that the inclusion of SiO 2 causes the refractive index of the film to approach that of the glass substrate, reducing reflection at the interface between the substrate and the film.
次に第８図は第１図に示す電子ビーム加熱蒸着
法により透明導電膜を形成した後、膜を大気炉に
入れて、400℃で熱処理を行つた場合の熱処理時
間に対する面抵抗値の変化を示している。この実
験は、ペレツトのIn2O3含有比αを30、50及び90
重量％とした場合についてそれぞれ行い、これら
の各場合における蒸着条件は、基板温度を200℃、
酸素分圧を１×10-4Torr、蒸着速度を５Å／sec
とした。これらの結果から、熱処理時間が２時間
以上になると面抵抗値がほぼ一定になり、面抵抗
値の安定化を図り得ることが分る。 Next, Figure 8 shows the change in sheet resistance value with respect to heat treatment time when a transparent conductive film is formed by the electron beam heating evaporation method shown in Figure 1, and then the film is placed in an atmospheric furnace and heat treated at 400°C. It shows. In this experiment, the In 2 O 3 content ratio α of the pellets was 30, 50, and 90.
The deposition conditions in each case were as follows: the substrate temperature was 200°C;
Oxygen partial pressure was 1×10 -4 Torr, deposition rate was 5 Å/sec.
And so. These results show that when the heat treatment time is 2 hours or more, the sheet resistance value becomes approximately constant, and it is possible to stabilize the sheet resistance value.
膜に熱処理を施す場合の熱処理温度の好ましい
範囲を求めるため、熱処理温度を種々変えて実験
を行つたところ、透過率に関しては、200℃の温
度で熱処理を行つても第７図と同様な結果が得ら
れることが明らかになつた。従つて熱処理温度は
200℃以上に設定するのが好ましいことが分つて
いる。 In order to determine the preferable range of heat treatment temperature when heat treating the film, we conducted experiments with various heat treatment temperatures and found that the transmittance results were similar to those shown in Figure 7 even when heat treatment was performed at a temperature of 200°C. It became clear that it was possible to obtain Therefore, the heat treatment temperature is
It has been found that it is preferable to set the temperature to 200°C or higher.
尚熱処理温度を低く設定した場合に抵抗値の安
定化を図るためには、熱処理温度を高く設定した
場合に比べて熱処理時間を長くする必要がある。
例えば熱処理温度を200℃とした場合、抵抗値の
安定化を図るためには、熱処理温度を400℃とし
た場合の熱処理必要時間（約２時間）より長い時
間を必要とする。これは、膜の酸化の程度が熱処
理温度と時間との積に関係していることにあると
思われる。蒸着により基板に膜が生成された段階
で膜の酸化の程度がかなり進んでいる場合には、
熱処理温度を低くしても熱処理時間を短くするこ
とができる。実際に熱処理を行うに当つては、蒸
着により得られた膜の酸化状態に応じて適当な熱
処理条件を選ぶことになる。 In order to stabilize the resistance value when the heat treatment temperature is set low, it is necessary to make the heat treatment time longer than when the heat treatment temperature is set high.
For example, when the heat treatment temperature is 200°C, in order to stabilize the resistance value, a longer time is required for the heat treatment (approximately 2 hours) than when the heat treatment temperature is 400°C. This seems to be because the degree of oxidation of the film is related to the product of heat treatment temperature and time. If the degree of oxidation of the film is considerably advanced at the stage when the film is formed on the substrate by vapor deposition,
Even if the heat treatment temperature is lowered, the heat treatment time can be shortened. When actually performing heat treatment, appropriate heat treatment conditions are selected depending on the oxidation state of the film obtained by vapor deposition.
次に熱処理温度の上限は、基板の耐熱性及び膜
の耐熱性により定まるが、一般に基板の耐熱温度
（基板を軟化させたり基板に熱歪みを生じさせた
りすることがない温度の上限）の方が膜の耐熱温
度に比べて低いので、実際には熱処理温度の上限
は基板の耐熱温度により決まる。例えばガラス基
板が用いられる場合の耐熱温度は約500℃であり、
プラスチツク等の有機材料基板が用いられる場合
の耐熱温度は約200℃以下である。熱処理温度は、
これら基板の耐熱温度以下200℃以上の範囲で、
生成された膜の酸化状態に応じて適当な値に設定
すればよい。 Next, the upper limit of the heat treatment temperature is determined by the heat resistance of the substrate and the heat resistance of the film, but generally the upper limit of the heat-resistant temperature of the substrate (the upper limit of the temperature that does not soften the substrate or cause thermal distortion to the substrate) is lower than the heat-resistant temperature of the film, so the upper limit of the heat treatment temperature is actually determined by the heat-resistant temperature of the substrate. For example, when a glass substrate is used, the heat resistance temperature is approximately 500℃,
When an organic material substrate such as plastic is used, the heat resistance temperature is about 200°C or less. The heat treatment temperature is
In the range of 200℃ or more below the heat-resistant temperature of these boards,
It may be set to an appropriate value depending on the oxidation state of the produced film.
［発明の効果］
本願第１の発明によれば、従来は得られなかつ
た広範囲の（106〜1010Ω／□の範囲の）高い面
抵抗値と、高い透過率とを有する膜を得ることが
できるため、アナログ的な作用を行なわせるのに
適した広範囲の面抵抗値を有する高抵抗透明導電
膜を得ることができるという利点がある。[Effects of the Invention] According to the first invention of the present application, a film having a wide range of high sheet resistance values (in the range of 10 6 to 10 10 Ω/□) and high transmittance that could not be obtained conventionally can be obtained. Therefore, there is an advantage that a high-resistance transparent conductive film having a wide range of sheet resistance values suitable for performing an analog action can be obtained.
また特許請求の範囲第２項及び第５項にそれぞ
れ記載された本願第２及び第４の発明によれば、
各蒸着条件を適当に選定することにより、従来の
方法では得られなかつた、面抵抗値が106〜1010
Ω／□の範囲の高抵抗透明導電膜を容易に得るこ
とができる。 Further, according to the second and fourth inventions of the present application described in claims 2 and 5, respectively,
By appropriately selecting each vapor deposition condition, sheet resistance values of 10 6 to 10 10 , which could not be obtained with conventional methods, can be achieved.
A transparent conductive film with high resistance in the range of Ω/□ can be easily obtained.
特に第４の発明によれば、SiOとIn2O3とを混
合して１ペレツトを構成する場合に比べて面抵抗
値の再現性を良くすることができる。 In particular, according to the fourth invention, the reproducibility of the sheet resistance value can be improved compared to the case where one pellet is formed by mixing SiO and In 2 O 3 .
また特許請求の範囲第４項及び第６項にそれぞ
れ記載された第３及び第５の発明によれば、蒸着
により膜を生成した後熱処理を行うため、透明導
電膜の透過率を高くすることができる上に、面抵
抗値の安定化を図ることができる利点がある。 Further, according to the third and fifth inventions described in claims 4 and 6, respectively, the transmittance of the transparent conductive film is increased because heat treatment is performed after the film is formed by vapor deposition. In addition, it has the advantage of being able to stabilize the sheet resistance value.
第１図は本発明の第１の実施例で用いる蒸着装
置の構成を概略的に示す構成図、第２図は第１の
実施例により得られた透明導電膜の面抵抗値と
In2O3含有比との関係を示す線図、第３図は同実
施例により得られた透明導電膜の透過率と酸化イ
ンジウム含有比との関係を示す線図、第４図ない
し第６図はそれぞれ本発明の第２ないし第４の実
施例で用いる蒸着装置の構成を概略的に示す構成
図、第７図はガラス基板と第１の実施例により得
られた透明導電膜と第５の実施例により得られた
透明導電膜とについて透過率と波長との関係を示
す線図、第８図は第５の実施例により得られる透
明導電膜の面抵抗値と熱処理時間との関係を示す
線図である。
１……真空チヤンバ、２……基板支持板、３…
…ガラス基板、８……ガス導入管、１１，１１′
……電子ビーム加熱蒸着源、１２，１２′……ペ
レツト、１３……マスク、１４……蒸着窓、１５
……基板移動方向。
FIG. 1 is a block diagram schematically showing the configuration of a vapor deposition apparatus used in the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows the sheet resistance values and sheet resistance values of the transparent conductive film obtained in the first embodiment.
Figure 3 is a diagram showing the relationship between the In 2 O 3 content ratio and the transmittance of the transparent conductive film obtained in the same example, and Figures 4 to 6 are diagrams showing the relationship between the indium oxide content ratio. The figures are block diagrams schematically showing the configuration of the vapor deposition apparatus used in the second to fourth embodiments of the present invention, respectively, and FIG. 7 shows the glass substrate, the transparent conductive film obtained in the first embodiment, and the FIG. 8 is a diagram showing the relationship between transmittance and wavelength for the transparent conductive film obtained in Example 5, and FIG. 8 shows the relationship between the sheet resistance value and heat treatment time of the transparent conductive film obtained in Example 5. FIG. 1... Vacuum chamber, 2... Substrate support plate, 3...
...Glass substrate, 8...Gas introduction tube, 11, 11'
...Electron beam heating evaporation source, 12, 12'... Pellets, 13... Mask, 14... Vapor deposition window, 15
...board movement direction.
Claims (1)
からなり、インジウム及びケイ素の総量に対する
インジウムの含有比が25重量パーセント以上で、
かつ106〜1010Ω／□の面抵抗値を有することを
特徴とする透明導電膜。 ２ 基板上に酸化インジウムを含有する透明導電
膜を生成させる方法において、 酸化ケイ素及び酸化インジウムの総量に対する
酸化インジウムの含有比を60〜20重量パーセント
とした膜生成用組成物を蒸発材料として用い、電
子ビーム加熱蒸着法または電子ビーム加熱イオン
プレーテイング法により前記基板上に106〜1010
Ω／□の面抵抗値を有する膜を生成させることを
特徴とする透明導電膜の生成方法。 ３ 前記電子ビーム加熱蒸着法または電子ビーム
加熱イオンプレーテイング法は前記基板の板面に
対して傾斜した方向から前記蒸発材料を蒸発させ
る斜め蒸着法である特許請求の範囲第２項に記載
の透明導電膜の生成方法。 ４ 基板上に酸化インジウムを含有する透明導電
膜を生成させる方法において、 酸化ケイ素及び酸化インジウムの総量に対する
酸化インジウムの含有比を60〜20重量パーセント
とした膜生成用組成物を蒸発材料として用い、電
子ビーム加熱蒸着法または電子ビーム加熱イオン
プレーテイング法により前記基板上に膜を生成さ
せ、 次いで基板の耐熱温度以下200℃以上の温度に
保たれた大気炉中で前記膜を熱処理し、106〜
1010Ω／□の面抵抗値を有する膜を生成させるこ
とを特徴とする透明導電膜の生成方法。 ５ 基板上に酸化インジウムを含有する透明導電
膜を生成させる方法において、 酸化ケイ素またはケイ素からなるペレツトと酸
化インジウムまたはインジウムからなるペレツト
とを用い、 ケイ素原子に対するインジウム原子の蒸発速度
比を0.1以上とするように制御しつつそれぞれの
ペレツトを独立にかつ同時に加熱蒸着させて前記
基板上に106〜1010Ω／□の面抵抗値を有する膜
を生成させることを特徴とする透明導電膜の生成
方法。 ６ 基板上に酸化インジウムを含有する透明導電
膜を生成させる方法において、 酸化ケイ素またはケイ素からなるペレツトと酸
化インジウムまたはインジウムからなるペレツト
とを用い、 ケイ素原子に対するインジウム原子の蒸発速度
比を0.1以上とするように制御しつつそれぞれの
蒸発材料を独立にかつ同時に加熱蒸着させて前記
基板上に膜を生成させ、 次いで基板の耐熱温度以下200℃以上の温度に
保たれた大気炉中で前記膜を熱処理し、106〜
1010Ω／□の面抵抗値を有する膜を生成させるこ
とを特徴とする透明導電膜の生成方法。[Claims] 1. Consisting of a mixed oxide of silicon oxide and indium oxide, the content ratio of indium to the total amount of indium and silicon is 25% by weight or more,
A transparent conductive film having a sheet resistance value of 10 6 to 10 10 Ω/□. 2. A method for producing a transparent conductive film containing indium oxide on a substrate, using as an evaporation material a composition for film production in which the content ratio of indium oxide to the total amount of silicon oxide and indium oxide is 60 to 20% by weight, 10 6 to 10 10 on the substrate by electron beam heated evaporation method or electron beam heated ion plating method.
A method for producing a transparent conductive film, the method comprising producing a film having a sheet resistance value of Ω/□. 3. The transparent material according to claim 2, wherein the electron beam heating evaporation method or the electron beam heating ion plating method is an oblique evaporation method in which the evaporation material is evaporated from a direction oblique to the plate surface of the substrate. Method of producing conductive film. 4. A method for producing a transparent conductive film containing indium oxide on a substrate, using as an evaporation material a film-forming composition in which the content ratio of indium oxide to the total amount of silicon oxide and indium oxide is 60 to 20% by weight, A film is formed on the substrate by an electron beam heated evaporation method or an electron beam heated ion plating method, and then the film is heat-treated in an atmospheric furnace maintained at a temperature of 200° C. or higher below the allowable temperature limit of the substrate . ~
10 A method for producing a transparent conductive film, the method comprising producing a film having a sheet resistance value of 10 Ω/□. 5. A method for producing a transparent conductive film containing indium oxide on a substrate, using silicon oxide or pellets made of silicon and indium oxide or pellets made of indium, and setting the evaporation rate ratio of indium atoms to silicon atoms to be 0.1 or more. Production of a transparent conductive film, characterized in that each pellet is heated and vapor-deposited independently and simultaneously while controlling to produce a film having a sheet resistance value of 10 6 to 10 10 Ω/□ on the substrate. Method. 6. A method for producing a transparent conductive film containing indium oxide on a substrate, using silicon oxide or pellets made of silicon and indium oxide or pellets made of indium, and setting the evaporation rate ratio of indium atoms to silicon atoms to be 0.1 or more. The respective evaporation materials are independently and simultaneously heated and evaporated to form a film on the substrate, and the film is then heated in an atmospheric furnace maintained at a temperature of 200°C or higher below the allowable temperature of the substrate. Heat treated, 10 6 ~
10 A method for producing a transparent conductive film, the method comprising producing a film having a sheet resistance value of 10 Ω/□.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61234149A JPS6389656A (en) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | Electrically conductive transparent film and its formation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61234149A JPS6389656A (en) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | Electrically conductive transparent film and its formation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6389656A JPS6389656A (en) | 1988-04-20 |
| JPH058527B2 true JPH058527B2 (en) | 1993-02-02 |
Family
ID=16966413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61234149A Granted JPS6389656A (en) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | Electrically conductive transparent film and its formation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6389656A (en) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP5855948B2 (en) * | 2012-01-12 | 2016-02-09 | ジオマテック株式会社 | Transparent conductive film, substrate with transparent conductive film, IPS liquid crystal cell, capacitive touch panel, and method for manufacturing substrate with transparent conductive film |
| JP5712993B2 (en) | 2012-12-10 | 2015-05-07 | 日立金属株式会社 | Adhesive resin composition, and adhesive film and flat cable using the same |
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| JP2020030435A (en) * | 2019-11-14 | 2020-02-27 | 日亜化学工業株式会社 | Thin film forming material, optical thin film, and optical member |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61136954A (en) * | 1984-12-06 | 1986-06-24 | 三井金属鉱業株式会社 | Indium oxide sintered body |
-
1986
- 1986-10-01 JP JP61234149A patent/JPS6389656A/en active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61136954A (en) * | 1984-12-06 | 1986-06-24 | 三井金属鉱業株式会社 | Indium oxide sintered body |
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| JPS6389656A (en) | 1988-04-20 |
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