JPH0582876A - レーザダイオードユニツトの駆動方法 - Google Patents
レーザダイオードユニツトの駆動方法Info
- Publication number
- JPH0582876A JPH0582876A JP3268443A JP26844391A JPH0582876A JP H0582876 A JPH0582876 A JP H0582876A JP 3268443 A JP3268443 A JP 3268443A JP 26844391 A JP26844391 A JP 26844391A JP H0582876 A JPH0582876 A JP H0582876A
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- JP
- Japan
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- voltage
- diode
- laser diode
- laser
- pin diode
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06832—Stabilising during amplitude modulation
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、レーザプリンタ装置などの光源と
して用いられるレーザダイオードユニットの駆動方法に
関し、ピンダイオードに印加する逆バイアス電圧を高く
し、ピンダイオードの応答性を向上させることを目的と
する。 【構成】 レーザダイオードＬＤと、当該レーザダイオ
ードＬＤの発光量を検出するためのピンダイオードＰＤ
とからなるレーザダイオードユニットＬＤＵの駆動方法
であって、レーザダイオードＬＤのカソード側に電圧定
電圧ダイオード１４を直列接続し、当該レーザダイオー
ドＬＤのアノード側とピンダイオードＰＤのカソード側
とに共通に印加する電圧を、定電圧ダイオード１４のシ
フト電圧に相当する分だけ高くし、これによってピンダ
イオードＰＤに印加される逆バイアス電圧を高くする。
して用いられるレーザダイオードユニットの駆動方法に
関し、ピンダイオードに印加する逆バイアス電圧を高く
し、ピンダイオードの応答性を向上させることを目的と
する。 【構成】 レーザダイオードＬＤと、当該レーザダイオ
ードＬＤの発光量を検出するためのピンダイオードＰＤ
とからなるレーザダイオードユニットＬＤＵの駆動方法
であって、レーザダイオードＬＤのカソード側に電圧定
電圧ダイオード１４を直列接続し、当該レーザダイオー
ドＬＤのアノード側とピンダイオードＰＤのカソード側
とに共通に印加する電圧を、定電圧ダイオード１４のシ
フト電圧に相当する分だけ高くし、これによってピンダ
イオードＰＤに印加される逆バイアス電圧を高くする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザプリンタ装置な
どの光源として用いられるレーザダイオードユニットの
駆動方法に関する。
どの光源として用いられるレーザダイオードユニットの
駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のレーザダイオードユニットの駆動
方法について、本発明の実施例を示す図１を参照して説
明する。
方法について、本発明の実施例を示す図１を参照して説
明する。
【０００３】図１において、レーザダイオードＬＤとそ
の発光出力を受けて発光量を検出するためのピンダイオ
ードＰＤとは、１つの容器に封入されてレーザダイオー
ドユニットＬＤＵとなっている。レーザダイオードユニ
ットＬＤＵからは、レーザダイオードＬＤのカソード側
端子ＴＬＣ及びピンダイオードＰＤのアノード側端子Ｔ
ＰＡがそれぞれ引き出され、且つレーザダイオードＬＤ
のアノード側とピンダイオードＰＤのカソード側とが共
通に接続されてコモン端子ＴＣＭとして引き出されてい
る。コモン端子ＴＣＭには、従来は５ボルト程度の正の
電圧が供給されている。
の発光出力を受けて発光量を検出するためのピンダイオ
ードＰＤとは、１つの容器に封入されてレーザダイオー
ドユニットＬＤＵとなっている。レーザダイオードユニ
ットＬＤＵからは、レーザダイオードＬＤのカソード側
端子ＴＬＣ及びピンダイオードＰＤのアノード側端子Ｔ
ＰＡがそれぞれ引き出され、且つレーザダイオードＬＤ
のアノード側とピンダイオードＰＤのカソード側とが共
通に接続されてコモン端子ＴＣＭとして引き出されてい
る。コモン端子ＴＣＭには、従来は５ボルト程度の正の
電圧が供給されている。
【０００４】駆動装置１は、一定の大きさの直流電流Ｉ
ＤＣを流すための定電流部１１、入力信号に応じて電流
値が変化する交流電流ＩＡＣを流すための変調部１２、
及び、レーザダイオードＬＤの発光出力を安定化させる
ための検出部１３から構成されている。
ＤＣを流すための定電流部１１、入力信号に応じて電流
値が変化する交流電流ＩＡＣを流すための変調部１２、
及び、レーザダイオードＬＤの発光出力を安定化させる
ための検出部１３から構成されている。
【０００５】定電流部１１と変調部１２とは、互いに並
列に接続されており、その接続点Ｐ１とレーザダイオー
ドＬＤのカソード側端子ＴＬＣとは、図１に示される定
電圧ダイオード１４が設けられていないため、それらが
直接に接続されている。
列に接続されており、その接続点Ｐ１とレーザダイオー
ドＬＤのカソード側端子ＴＬＣとは、図１に示される定
電圧ダイオード１４が設けられていないため、それらが
直接に接続されている。
【０００６】変調部１２には、入力信号に応じて出力電
圧が正負にわたって変化するバッファアンプ３２が設け
られており、バッファアンプ３２の出力端子と接続点Ｐ
１（つまりカソード側端子ＴＬＣ）との間には、電流制
限用の抵抗器Ｒ１が接続されている。したがって、例え
ば定電流部１１によって、レーザ電流ＩＬＤの約半分の
大きさの直流電流ＩＤＣが流され、これに変調部１２の
交流電流ＩＡＣが重畳されることになる。
圧が正負にわたって変化するバッファアンプ３２が設け
られており、バッファアンプ３２の出力端子と接続点Ｐ
１（つまりカソード側端子ＴＬＣ）との間には、電流制
限用の抵抗器Ｒ１が接続されている。したがって、例え
ば定電流部１１によって、レーザ電流ＩＬＤの約半分の
大きさの直流電流ＩＤＣが流され、これに変調部１２の
交流電流ＩＡＣが重畳されることになる。
【０００７】検出部１３は、抵抗器５１の両端に発生す
るピンダイオードＰＤの検出信号出力電圧を、アンプ５
２によって適切な増幅率で増幅し、その出力をフィード
バック信号Ｓ２として差動アンプ３１に入力する。
るピンダイオードＰＤの検出信号出力電圧を、アンプ５
２によって適切な増幅率で増幅し、その出力をフィード
バック信号Ｓ２として差動アンプ３１に入力する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の駆動方法では、ピンダイオードＰＤの応答性が遅いと
いう問題があった。
の駆動方法では、ピンダイオードＰＤの応答性が遅いと
いう問題があった。
【０００９】すなわち、ピンダイオードＰＤの応答性
は、ピンダイオードＰＤに印加される逆バイアス電圧が
大きいほど良くなるのであるが、従来の駆動方法では、
定電流部１１及び変調部１２の特性によってカソード側
端子ＴＬＣの電圧を数ボルト程度の低い電圧に抑える必
要があるため、コモン端子ＴＣＭには５ボルト程度の低
い電圧しか印加することができなかった。
は、ピンダイオードＰＤに印加される逆バイアス電圧が
大きいほど良くなるのであるが、従来の駆動方法では、
定電流部１１及び変調部１２の特性によってカソード側
端子ＴＬＣの電圧を数ボルト程度の低い電圧に抑える必
要があるため、コモン端子ＴＣＭには５ボルト程度の低
い電圧しか印加することができなかった。
【００１０】本発明は、上述の問題に鑑み、ピンダイオ
ードに印加する逆バイアス電圧を高くし、ピンダイオー
ドの応答性を向上させることを目的としている。
ードに印加する逆バイアス電圧を高くし、ピンダイオー
ドの応答性を向上させることを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る装
置は、上述の課題を解決するため、レーザダイオード
と、当該レーザダイオードの発光量を検出するためのピ
ンダイオードとからなるレーザダイオードユニットの駆
動方法であって、前記レーザダイオードのカソード側に
電圧シフト素子を直列接続し、当該レーザダイオードの
アノード側と前記ピンダイオードのカソード側とに共通
に印加する電圧を、前記電圧シフト素子のシフト電圧に
相当する分だけ高くし、これによって前記ピンダイオー
ドに印加される逆バイアス電圧を高くする。
置は、上述の課題を解決するため、レーザダイオード
と、当該レーザダイオードの発光量を検出するためのピ
ンダイオードとからなるレーザダイオードユニットの駆
動方法であって、前記レーザダイオードのカソード側に
電圧シフト素子を直列接続し、当該レーザダイオードの
アノード側と前記ピンダイオードのカソード側とに共通
に印加する電圧を、前記電圧シフト素子のシフト電圧に
相当する分だけ高くし、これによって前記ピンダイオー
ドに印加される逆バイアス電圧を高くする。
【００１２】
【作用】電圧シフト素子によって、定電流部と変調部と
の接続点の電圧は、レーザダイオードのカソード側端子
の電圧よりもシフト電圧に相当する分だけ低下する。し
たがって、その分だけレーザダイオードのアノード側と
ピンダイオードのカソード側とに印加する電圧を高くす
ることができ、その結果、ピンダイオードに印加する逆
バイアス電圧を高くすることができる。
の接続点の電圧は、レーザダイオードのカソード側端子
の電圧よりもシフト電圧に相当する分だけ低下する。し
たがって、その分だけレーザダイオードのアノード側と
ピンダイオードのカソード側とに印加する電圧を高くす
ることができ、その結果、ピンダイオードに印加する逆
バイアス電圧を高くすることができる。
【００１３】
【実施例】図１は本発明に係る駆動装置１の回路図であ
る。なお、駆動装置１について従来の技術の項において
説明した事項はここでの説明を省略し又は簡略化する。
る。なお、駆動装置１について従来の技術の項において
説明した事項はここでの説明を省略し又は簡略化する。
【００１４】変調部１２は、入力信号Ｓ１とフィードバ
ック信号Ｓ２とを入力とする差動アンプ３１、電流バッ
ファとして動作するバッファアンプ３２、これらを接続
する抵抗器３４、及び電流制限用の抵抗器Ｒ１からなっ
ている。
ック信号Ｓ２とを入力とする差動アンプ３１、電流バッ
ファとして動作するバッファアンプ３２、これらを接続
する抵抗器３４、及び電流制限用の抵抗器Ｒ１からなっ
ている。
【００１５】差動アンプ３１及びバッファアンプ３２に
は、それぞれプラスマイナス１２ボルトの電圧Ｖｃ，−
Ｖｃが動作用電源として供給されており、バッファアン
プ３２の出力端子からは、入力信号Ｓ１に応じて最大プ
ラスマイナス１０ボルトの出力が得られる。
は、それぞれプラスマイナス１２ボルトの電圧Ｖｃ，−
Ｖｃが動作用電源として供給されており、バッファアン
プ３２の出力端子からは、入力信号Ｓ１に応じて最大プ
ラスマイナス１０ボルトの出力が得られる。
【００１６】検出部１３は、可変調整可能な抵抗器５１
の両端に発生するピンダイオードＰＤの検出信号出力電
圧を、アンプ５２によって適切な増幅率で増幅し、その
出力をフィードバック信号Ｓ２として差動アンプ３１に
入力する。
の両端に発生するピンダイオードＰＤの検出信号出力電
圧を、アンプ５２によって適切な増幅率で増幅し、その
出力をフィードバック信号Ｓ２として差動アンプ３１に
入力する。
【００１７】定電圧ダイオード１４は、定電流部１１と
変調部１２との接続点Ｐ１の電圧を、レーザダイオード
ＬＤのカソード側端子ＴＬＣの電圧よりも一定の値だけ
低下させるためのものであり、本実施例では約１０ボル
トのシフト電圧（降下電圧）Ｖｓを生じるものが使用さ
れている。
変調部１２との接続点Ｐ１の電圧を、レーザダイオード
ＬＤのカソード側端子ＴＬＣの電圧よりも一定の値だけ
低下させるためのものであり、本実施例では約１０ボル
トのシフト電圧（降下電圧）Ｖｓを生じるものが使用さ
れている。
【００１８】レーザダイオードＬＤのコモン端子ＴＣＭ
には、バッファアンプ３２などに供給している電圧Ｖｃ
と同じ電源ラインから１２ボルトの電圧Ｖｅが供給され
ている。したがって、ピンダイオードＰＤには、１２ボ
ルトに近い逆バイアス電圧が印加されることとなり、高
周波特性が改善されて応答性が良好となる。
には、バッファアンプ３２などに供給している電圧Ｖｃ
と同じ電源ラインから１２ボルトの電圧Ｖｅが供給され
ている。したがって、ピンダイオードＰＤには、１２ボ
ルトに近い逆バイアス電圧が印加されることとなり、高
周波特性が改善されて応答性が良好となる。
【００１９】一方、レーザダイオードＬＤの順方向降下
電圧は約２ボルトであるから、接続点Ｐ１の電圧ＶＰ１
はほぼ０ボルト（１２−２−１０）となる。なお、レー
ザダイオードＬＤに流すレーザ電流ＩＬＤの適正範囲は
１０ｍＡ〜１００ｍＡ、定電流部１１による直流電流Ｉ
ＤＣは５０ｍＡである。
電圧は約２ボルトであるから、接続点Ｐ１の電圧ＶＰ１
はほぼ０ボルト（１２−２−１０）となる。なお、レー
ザダイオードＬＤに流すレーザ電流ＩＬＤの適正範囲は
１０ｍＡ〜１００ｍＡ、定電流部１１による直流電流Ｉ
ＤＣは５０ｍＡである。
【００２０】次に、上述のように構成された駆動装置１
の動作を説明する。入力信号Ｓ１が正負の最大値にわた
り変化すると、バッファアンプ３２の出力はプラスマイ
ナス１０ボルトの間で変化する。この出力電圧と接続点
Ｐ１の電圧ＶＰ１との差によって抵抗器Ｒ１に電流が流
れ、これが交流電流ＩＡＣとなる。接続点Ｐ１の電圧Ｖ
Ｐ１はほぼ０ボルトであるから、交流電流ＩＡＣは正負
方向でほぼ対称となる。
の動作を説明する。入力信号Ｓ１が正負の最大値にわた
り変化すると、バッファアンプ３２の出力はプラスマイ
ナス１０ボルトの間で変化する。この出力電圧と接続点
Ｐ１の電圧ＶＰ１との差によって抵抗器Ｒ１に電流が流
れ、これが交流電流ＩＡＣとなる。接続点Ｐ１の電圧Ｖ
Ｐ１はほぼ０ボルトであるから、交流電流ＩＡＣは正負
方向でほぼ対称となる。
【００２１】したがって、例えば交流電流ＩＡＣが、吐
き出し方向（負方向）及び吸い込み方向（正方向）にそ
れぞれ４８ｍＡまで流れた場合には、レーザダイオード
ＬＤに実際に流れるレーザ電流ＩＬＤは、直流電流ＩＤ
Ｃの５０ｍＡと加算して、２ｍＡ〜９８ｍＡとなる。
き出し方向（負方向）及び吸い込み方向（正方向）にそ
れぞれ４８ｍＡまで流れた場合には、レーザダイオード
ＬＤに実際に流れるレーザ電流ＩＬＤは、直流電流ＩＤ
Ｃの５０ｍＡと加算して、２ｍＡ〜９８ｍＡとなる。
【００２２】この場合には、最低電流が２ｍＡと充分に
小さくなるため、レーザダイオードＬＤの暗出力が充分
に低下し、プリンタ装置に使用した場合にプリント出力
に黒いカブリの発生することがない。最大電流が９８ｍ
Ａであり、これはレーザダイオードＬＤの適正電流の最
大値１００ｍＡに極めて近く且つそれを越えないので、
レーザダイオードＬＤの最大出力を得ることができ且つ
レーザダイオードＬＤを破壊することがない。
小さくなるため、レーザダイオードＬＤの暗出力が充分
に低下し、プリンタ装置に使用した場合にプリント出力
に黒いカブリの発生することがない。最大電流が９８ｍ
Ａであり、これはレーザダイオードＬＤの適正電流の最
大値１００ｍＡに極めて近く且つそれを越えないので、
レーザダイオードＬＤの最大出力を得ることができ且つ
レーザダイオードＬＤを破壊することがない。
【００２３】また、バッファアンプ３２の能力を充分に
生かしてレーザダイオードＬＤの駆動電流範囲を広くと
ることができるので、効率がよい。このように、従来で
は定電圧ダイオード１４が設けられていないためにピン
ダイオードＰＤへの逆バイアス電圧を高くできなかった
が、本実施例では、定電圧ダイオード１４を設けること
によって、そのシフト電圧Ｖｓに相当する分だけ高い逆
バイアス電圧を印加することができるのである。
生かしてレーザダイオードＬＤの駆動電流範囲を広くと
ることができるので、効率がよい。このように、従来で
は定電圧ダイオード１４が設けられていないためにピン
ダイオードＰＤへの逆バイアス電圧を高くできなかった
が、本実施例では、定電圧ダイオード１４を設けること
によって、そのシフト電圧Ｖｓに相当する分だけ高い逆
バイアス電圧を印加することができるのである。
【００２４】これによって、ピンダイオードＰＤの応答
性が向上するとともに、コモン端子ＴＣＭに印加する電
圧を他の電源ラインと共用することができるので、専用
の電源が不要となってコスト低減を図ることができる。
性が向上するとともに、コモン端子ＴＣＭに印加する電
圧を他の電源ラインと共用することができるので、専用
の電源が不要となってコスト低減を図ることができる。
【００２５】なお、定電圧ダイオード１４を挿入する前
後において定電流部１１及び変調部１２などの動作条件
が変化しないことが好ましいので、コモン端子ＴＣＭに
印加される電圧Ｖｅの値がどのようなものであっても、
その電圧Ｖｅは定電圧ダイオード１４のシフト電圧Ｖｓ
に相当する分だけ高くなっていると考えることができ
る。
後において定電流部１１及び変調部１２などの動作条件
が変化しないことが好ましいので、コモン端子ＴＣＭに
印加される電圧Ｖｅの値がどのようなものであっても、
その電圧Ｖｅは定電圧ダイオード１４のシフト電圧Ｖｓ
に相当する分だけ高くなっていると考えることができ
る。
【００２６】上述の実施例において、接続点Ｐ１の電圧
は任意に設定することができ、定電流部１１、変調部１
２、検出部１３、定電圧ダイオード１４などの仕様又は
回路構成を上述した以外に種々変更することができる。
は任意に設定することができ、定電流部１１、変調部１
２、検出部１３、定電圧ダイオード１４などの仕様又は
回路構成を上述した以外に種々変更することができる。
【００２７】例えば、接続点Ｐ１が約３ボルトとなるよ
うに定電流部１１及び変調部１２が設計されている場合
には、シフト電圧Ｖｓが約７ボルトの定電圧ダイオード
１４を用いればよい。
うに定電流部１１及び変調部１２が設計されている場合
には、シフト電圧Ｖｓが約７ボルトの定電圧ダイオード
１４を用いればよい。
【００２８】上述の実施例において、電圧シフト素子と
して定電圧ダイオード１４を用いたが、複数のダイオー
ドを順方向に直列接続し、その順方向電圧降下を利用し
てもよい。その他、種々の素子又は回路を用いることが
可能である。レーザダイオードユニットＬＤＵとして、
レーザダイオードＬＤのアノード側端子とピンダイオー
ドＰＤのカソード側端子とが別々に引き出されているも
のでもよい。
して定電圧ダイオード１４を用いたが、複数のダイオー
ドを順方向に直列接続し、その順方向電圧降下を利用し
てもよい。その他、種々の素子又は回路を用いることが
可能である。レーザダイオードユニットＬＤＵとして、
レーザダイオードＬＤのアノード側端子とピンダイオー
ドＰＤのカソード側端子とが別々に引き出されているも
のでもよい。
【００２９】
【発明の効果】本発明によると、ピンダイオードに印加
する逆バイアス電圧を高くし、ピンダイオードの応答性
を向上させることができる。
する逆バイアス電圧を高くし、ピンダイオードの応答性
を向上させることができる。
【図１】本発明に係る駆動装置の回路図である。
ＬＤＵ レーザダイオードユニット ＬＤ レーザダイオード ＰＤ ピンダイオード １４ 定電圧ダイオード（電圧シフト素子）
Claims (1)
- 【請求項１】レーザダイオードと、当該レーザダイオー
ドの発光量を検出するためのピンダイオードとからなる
レーザダイオードユニットの駆動方法であって、 前記レーザダイオードのカソード側に電圧シフト素子を
直列接続し、当該レーザダイオードのアノード側と前記
ピンダイオードのカソード側とに共通に印加する電圧
を、前記電圧シフト素子のシフト電圧に相当する分だけ
高くし、これによって前記ピンダイオードに印加される
逆バイアス電圧を高くすることを特徴とするレーザダイ
オードユニットの駆動方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3268443A JPH0582876A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | レーザダイオードユニツトの駆動方法 |
| US07/944,663 US5285464A (en) | 1991-09-18 | 1992-09-14 | Driving apparatus of a laser diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3268443A JPH0582876A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | レーザダイオードユニツトの駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582876A true JPH0582876A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17458578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3268443A Pending JPH0582876A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | レーザダイオードユニツトの駆動方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5285464A (ja) |
| JP (1) | JPH0582876A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07174629A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Mitsubishi Electric Corp | 光劣化検出回路 |
| US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| US6947458B2 (en) * | 2001-06-07 | 2005-09-20 | Alcatel Communications, Inc. | Power control circuit for laser diode having wavelength compensation |
| US6826210B2 (en) * | 2001-06-07 | 2004-11-30 | Alcatel Communications, Inc. | Power control circuit for laser diode having wavelength compensation |
| DE10235562A1 (de) * | 2002-08-03 | 2004-02-19 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur optischen Distanzmessung |
| KR100970722B1 (ko) * | 2003-08-08 | 2010-07-16 | 삼성전자주식회사 | 레이저 다이오드 구동 회로 및 그를 포함하는 레이저다이오드 제어 장치 |
| US7684452B1 (en) * | 2005-11-01 | 2010-03-23 | Mindspeed Technologies, Inc. | Enhancing the transition rate of a laser |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2575614B2 (ja) * | 1985-03-15 | 1997-01-29 | オリンパス光学工業株式会社 | 光出力安定化装置 |
| NZ218022A (en) * | 1985-10-22 | 1991-01-29 | Fujitsu Ltd | Compensated regulation of light output from semiconductor laser |
| JPH0296936A (ja) * | 1988-06-01 | 1990-04-09 | Canon Inc | レーザダイオード駆動回路 |
| US5068545A (en) * | 1989-04-20 | 1991-11-26 | Elsag International B.V. | Digital/frequency input for industrial control applications |
| JP2945042B2 (ja) * | 1989-11-22 | 1999-09-06 | 株式会社リコー | レーザダイオード駆動装置 |
| JPH03219685A (ja) * | 1990-01-25 | 1991-09-27 | Topcon Corp | 半導体レーザ駆動装置 |
| US5163063A (en) * | 1990-02-07 | 1992-11-10 | Copal Co., Ltd. | Semiconductor laser driving circuit |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP3268443A patent/JPH0582876A/ja active Pending
-
1992
- 1992-09-14 US US07/944,663 patent/US5285464A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5285464A (en) | 1994-02-08 |
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