JPH0582590A - Tabテープの製造方法 - Google Patents
Tabテープの製造方法Info
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- JPH0582590A JPH0582590A JP26544191A JP26544191A JPH0582590A JP H0582590 A JPH0582590 A JP H0582590A JP 26544191 A JP26544191 A JP 26544191A JP 26544191 A JP26544191 A JP 26544191A JP H0582590 A JPH0582590 A JP H0582590A
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- Japan
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- copper foil
- copper
- base film
- etching
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ピール強度の低下を生ぜず、かつ経済性に優
れ、ベースフィルムのエッチングパターンの根元に銅粒
子が付着、残存することがなく、微細なファインピッチ
パターンを有するTABの製造を可能としたTABテー
プの製造方法を提供する。 【構成】 電解銅箔の光沢面に0.2〜1.0μmの高
さに銅電着物を形成し、さらにこの上に銅メッキを付着
させた後、ベースフィルムと該光沢面で接着し、次いで
該電解銅箔の粗面の表面粗度を(Rz)3.0μm未満
に平滑化させることを特徴とするTABテープの製造方
法。
れ、ベースフィルムのエッチングパターンの根元に銅粒
子が付着、残存することがなく、微細なファインピッチ
パターンを有するTABの製造を可能としたTABテー
プの製造方法を提供する。 【構成】 電解銅箔の光沢面に0.2〜1.0μmの高
さに銅電着物を形成し、さらにこの上に銅メッキを付着
させた後、ベースフィルムと該光沢面で接着し、次いで
該電解銅箔の粗面の表面粗度を(Rz)3.0μm未満
に平滑化させることを特徴とするTABテープの製造方
法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はTAB(Tape Au
tomated Bonding)テープの製造方法に
関し、特にファインピッチパターンを有するTABの製
造に好適に用いられるTABテープの製造方法に関す
る。
tomated Bonding)テープの製造方法に
関し、特にファインピッチパターンを有するTABの製
造に好適に用いられるTABテープの製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】TABの製造に用いられるTABテープ
は、ポリイミド等のベースフィルム(樹脂フィルム)の
片面または両面に導電層である銅箔を接着させることに
より得られ、3層または5層の積層構造となっている。
このベースフィルムと銅箔の接着は、通常、接着剤を介
して行なわれる。
は、ポリイミド等のベースフィルム(樹脂フィルム)の
片面または両面に導電層である銅箔を接着させることに
より得られ、3層または5層の積層構造となっている。
このベースフィルムと銅箔の接着は、通常、接着剤を介
して行なわれる。
【0003】このような銅箔としては一般的に電解銅箔
が用いられる。電解銅箔はドラムに析出した銅箔を剥離
することにより得られるが、ドラムから剥離された面
(光沢面)は比較的平滑であるが、逆の面である析出表
面(粗面)は凹凸を有する。TABテープでは、この粗
面でベースフィルムとの接着が図られている。この粗面
にはベースフィルムとのピール強度向上のために、0.
5〜2.0μmの銅微粒子を付着させている。このため
凹凸の上にさらに銅微粒子が付着することとなり、表面
粗度(Rz:十点平均粗さ)が大きくなる。従って、こ
れをパターンエッチングするとシャープな線を有するエ
ッチングができず、ベースフィルムのエッチングパター
ンの根元に銅粒子が付着、残存した状態となる。
が用いられる。電解銅箔はドラムに析出した銅箔を剥離
することにより得られるが、ドラムから剥離された面
(光沢面)は比較的平滑であるが、逆の面である析出表
面(粗面)は凹凸を有する。TABテープでは、この粗
面でベースフィルムとの接着が図られている。この粗面
にはベースフィルムとのピール強度向上のために、0.
5〜2.0μmの銅微粒子を付着させている。このため
凹凸の上にさらに銅微粒子が付着することとなり、表面
粗度(Rz:十点平均粗さ)が大きくなる。従って、こ
れをパターンエッチングするとシャープな線を有するエ
ッチングができず、ベースフィルムのエッチングパター
ンの根元に銅粒子が付着、残存した状態となる。
【0004】従って、一般的な電解銅箔はファインピッ
チを有するTABの製造には適さず、この用途には高硬
度で表面の凹凸が比較的小さい電解銅箔が用いられてい
る。このような電解銅箔は液組成を調整する等の手段に
よって得られる。この銅箔は比較的凹凸が小さく、表面
粗度(Rz)が2.0〜3.0μmであるため、80μ
mピッチ程度のパターンを形成するには使用可能である
が、しかし50〜60μmというようにパターンピッチ
がさらにファインになってくるとエッチングパターンの
根元に付着、残存した銅電着粒子が導体間の絶縁抵抗の
減少や甚しい場合にはショートの原因となる。
チを有するTABの製造には適さず、この用途には高硬
度で表面の凹凸が比較的小さい電解銅箔が用いられてい
る。このような電解銅箔は液組成を調整する等の手段に
よって得られる。この銅箔は比較的凹凸が小さく、表面
粗度(Rz)が2.0〜3.0μmであるため、80μ
mピッチ程度のパターンを形成するには使用可能である
が、しかし50〜60μmというようにパターンピッチ
がさらにファインになってくるとエッチングパターンの
根元に付着、残存した銅電着粒子が導体間の絶縁抵抗の
減少や甚しい場合にはショートの原因となる。
【0005】また、圧延銅箔にヒゲ状、樹枝状あるいは
コブ状電着物を付着させることで、この用途に使用可能
である。しかしながら、50〜60μm程度のファイン
ピッチパターンを作るには銅箔の厚みを18〜25μm
程度の薄さにしなければならず、圧延によってこの厚み
の銅箔を調製するのは工程を多く必要とし、コストが上
昇することとなる。また、圧延により銅箔の厚みを薄く
すると、圧延時のクーラント液中のゴミ等の巻き込みで
生じた微少な傷が銅箔の特性に悪い影響を与えるという
問題も生じる。
コブ状電着物を付着させることで、この用途に使用可能
である。しかしながら、50〜60μm程度のファイン
ピッチパターンを作るには銅箔の厚みを18〜25μm
程度の薄さにしなければならず、圧延によってこの厚み
の銅箔を調製するのは工程を多く必要とし、コストが上
昇することとなる。また、圧延により銅箔の厚みを薄く
すると、圧延時のクーラント液中のゴミ等の巻き込みで
生じた微少な傷が銅箔の特性に悪い影響を与えるという
問題も生じる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術の課題を解消すべくなされたもので、ピール強度の
低下を生ぜず、かつ経済性に優れ、ベースフィルムのエ
ッチングパターンの根元に銅粒子が付着、残存すること
がなく、微細なファインピッチパターンを有するTAB
の製造を可能としたTABテープの製造方法を提供する
ことを目的とする。
技術の課題を解消すべくなされたもので、ピール強度の
低下を生ぜず、かつ経済性に優れ、ベースフィルムのエ
ッチングパターンの根元に銅粒子が付着、残存すること
がなく、微細なファインピッチパターンを有するTAB
の製造を可能としたTABテープの製造方法を提供する
ことを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、電
解銅箔の光沢面でベースフィルムとの接着をなし、かつ
該電解銅箔の粗面を平滑化することによって達成され
る。
解銅箔の光沢面でベースフィルムとの接着をなし、かつ
該電解銅箔の粗面を平滑化することによって達成され
る。
【0008】すなわち、本発明のTABテープの製造方
法は、電解銅箔の光沢面に0.2〜1.0μmの高さに
銅電着物を形成し、さらにこの上に銅メッキを付着させ
た後、ベースフィルムと該光沢面で接着し、次いで該電
解銅箔の粗面の表面粗度(Rz)を3.0μm未満に平
滑化させることを特徴とする。
法は、電解銅箔の光沢面に0.2〜1.0μmの高さに
銅電着物を形成し、さらにこの上に銅メッキを付着させ
た後、ベースフィルムと該光沢面で接着し、次いで該電
解銅箔の粗面の表面粗度(Rz)を3.0μm未満に平
滑化させることを特徴とする。
【0009】以下、本発明の製造方法をさらに説明す
る。図1(a)〜(c)は本発明のTABテープの製造
方法の製造工程図である。
る。図1(a)〜(c)は本発明のTABテープの製造
方法の製造工程図である。
【0010】図1(a)に示されるように、電解銅箔1
の光沢面1aに銅電着物2を0.2〜1.0μmの高さ
に形成する。この銅電着物2としては、ヒゲ状、樹枝状
あるいはコブ状の銅電着物が例示される。このような銅
電着物2を形成するには高電流密度下で常温にて電気メ
ッキにより形成される。また、この際のメッキ浴として
は、例えばCuSO4・5H2O32g/l、H2SO41
00g/lからなる硫酸銅メッキ浴が好ましく使用され
る。銅電着物の高さが0.2μm未満ではベースフィル
ムとの接着性に劣り、また1.0μmを超えるとエッチ
ングによるファインパターンの形成時にベースフィルム
のエッチングパターンの根元に銅粒子が付着、残存した
状態となる。さらに、この銅電着物2の上に低電流密度
で銅メッキ(図示せず)を施し、銅電着物の銅箔への密
着力を向上させる。また、所望により適当な防錆処理を
施してもよい。
の光沢面1aに銅電着物2を0.2〜1.0μmの高さ
に形成する。この銅電着物2としては、ヒゲ状、樹枝状
あるいはコブ状の銅電着物が例示される。このような銅
電着物2を形成するには高電流密度下で常温にて電気メ
ッキにより形成される。また、この際のメッキ浴として
は、例えばCuSO4・5H2O32g/l、H2SO41
00g/lからなる硫酸銅メッキ浴が好ましく使用され
る。銅電着物の高さが0.2μm未満ではベースフィル
ムとの接着性に劣り、また1.0μmを超えるとエッチ
ングによるファインパターンの形成時にベースフィルム
のエッチングパターンの根元に銅粒子が付着、残存した
状態となる。さらに、この銅電着物2の上に低電流密度
で銅メッキ(図示せず)を施し、銅電着物の銅箔への密
着力を向上させる。また、所望により適当な防錆処理を
施してもよい。
【0011】次に、銅箔1は適当な幅に予めスリットさ
れた後、図1(b)に示されるように、銅電着物2が形
成され、さらに銅メッキされた光沢面1aで銅箔1とベ
ースフィルム3とを接着する。ベースフィルム3は特に
限定されないがポリイミドフィルムが一般的である。こ
の接着には接着剤4を介して行なうのが通常であり、エ
ポキシ系熱硬化型接着剤等が使用される。
れた後、図1(b)に示されるように、銅電着物2が形
成され、さらに銅メッキされた光沢面1aで銅箔1とベ
ースフィルム3とを接着する。ベースフィルム3は特に
限定されないがポリイミドフィルムが一般的である。こ
の接着には接着剤4を介して行なうのが通常であり、エ
ポキシ系熱硬化型接着剤等が使用される。
【0012】このようにして銅箔1とベースフィルム3
とが積層されたTABテープ(銅張積層板)が得られる
が、この銅箔1の露出面は粗面1bであり、表面粗度
(Rz)が3〜12μm程度の凹凸を有しており、この
上にレジストを塗布することはできない。そこで、図1
(c)に図示されるように、エッチング等の化学的研磨
により平滑化する。この化学研磨に用いられるエッチン
グ液としては、塩化第二銅、塩酸および過酸化水素水か
らなるもの等が例示される。この平滑化により表面粗度
(Rz)を3μm未満とすることが必要であり、これよ
りも表面粗度が大きいとレジストの塗布が困難となる。
以上のような工程からTABテープが得られる。
とが積層されたTABテープ(銅張積層板)が得られる
が、この銅箔1の露出面は粗面1bであり、表面粗度
(Rz)が3〜12μm程度の凹凸を有しており、この
上にレジストを塗布することはできない。そこで、図1
(c)に図示されるように、エッチング等の化学的研磨
により平滑化する。この化学研磨に用いられるエッチン
グ液としては、塩化第二銅、塩酸および過酸化水素水か
らなるもの等が例示される。この平滑化により表面粗度
(Rz)を3μm未満とすることが必要であり、これよ
りも表面粗度が大きいとレジストの塗布が困難となる。
以上のような工程からTABテープが得られる。
【0013】このTABテープからファインパターンを
有するTABを製造するには、平滑化された銅箔の露出
面(粗面)の表面にレジストを塗布し、フオトリソグラ
フ法により露光、現像、エッチングという通常の方法に
よって50μmピッチ程度のファインピッチパターンを
得る。
有するTABを製造するには、平滑化された銅箔の露出
面(粗面)の表面にレジストを塗布し、フオトリソグラ
フ法により露光、現像、エッチングという通常の方法に
よって50μmピッチ程度のファインピッチパターンを
得る。
【0014】このようにして得られたTABはベースフ
ィルムのエッチングパターンの根元に銅粒子が付着、残
存することなく、ラインがシャープにエッチングされて
いる。
ィルムのエッチングパターンの根元に銅粒子が付着、残
存することなく、ラインがシャープにエッチングされて
いる。
【0015】
【作用】本発明により得られたTABテープを用いるこ
とにより、シャープにエッチングされたファインピッチ
パターンを有するTABが得られる。また、同じピッチ
でも線幅を太く設計することが可能なため、インナーリ
ードの強度がそれだけ強くなり、工程中のリードの曲
り、折れも少なくてすむこととなる。しかも、種々の銅
箔を使用することが可能で、例えばマット面の凹凸が大
きく通常の方法ではファインピッチパターンができない
が、伸びが大きく、フレキシブル性が良好で、耐折性の
優れた銅箔を使用することも可能となる。さらには、エ
ッチングにより厚みを調整可能なため、抵抗値や強度を
兼ね合わせるといった回路設計の自由度が増すこととな
る。
とにより、シャープにエッチングされたファインピッチ
パターンを有するTABが得られる。また、同じピッチ
でも線幅を太く設計することが可能なため、インナーリ
ードの強度がそれだけ強くなり、工程中のリードの曲
り、折れも少なくてすむこととなる。しかも、種々の銅
箔を使用することが可能で、例えばマット面の凹凸が大
きく通常の方法ではファインピッチパターンができない
が、伸びが大きく、フレキシブル性が良好で、耐折性の
優れた銅箔を使用することも可能となる。さらには、エ
ッチングにより厚みを調整可能なため、抵抗値や強度を
兼ね合わせるといった回路設計の自由度が増すこととな
る。
【0016】
【実施例】以下、実施例等に基づき本発明を具体的に説
明する。
明する。
【0017】実施例1 75μm厚で35mm幅のポリイミド樹脂テープ(ユー
ピレックスS、宇部興産社製)にエポキシ系熱硬化型接
着剤(#5700、東レ社製)を20μm厚に塗布した
ものをパンチングによりデバイスホール等を打抜いた
後、光沢面に針状銅電着物を形成させた電解銅箔の光沢
面側がポリイミド樹脂と接するようにして150℃でラ
ミネートし、その後、最高160℃で約24時間かけて
硬化させた。銅箔の幅は約26.5mmであった。な
お、電解銅箔の光沢面への銅電着物の形成は、H2SO4
100g/lとCuSO4・5H2O32g/lからなる
メッキ溶液を用い、電流密度50A/dm2の条件下、
常温で10分間電気メッキを行ない、0.5〜1.0μ
mの高さになるように形成した。
ピレックスS、宇部興産社製)にエポキシ系熱硬化型接
着剤(#5700、東レ社製)を20μm厚に塗布した
ものをパンチングによりデバイスホール等を打抜いた
後、光沢面に針状銅電着物を形成させた電解銅箔の光沢
面側がポリイミド樹脂と接するようにして150℃でラ
ミネートし、その後、最高160℃で約24時間かけて
硬化させた。銅箔の幅は約26.5mmであった。な
お、電解銅箔の光沢面への銅電着物の形成は、H2SO4
100g/lとCuSO4・5H2O32g/lからなる
メッキ溶液を用い、電流密度50A/dm2の条件下、
常温で10分間電気メッキを行ない、0.5〜1.0μ
mの高さになるように形成した。
【0018】さらにこの上に、H2SO4100g/lと
CuSO4・5H2O150g/lからなるメッキ溶液を
用い、電流密度2A/dm2の条件下、常温で60秒間
電気メッキを行ない、0.5μmのメッキ層を形成し
た。
CuSO4・5H2O150g/lからなるメッキ溶液を
用い、電流密度2A/dm2の条件下、常温で60秒間
電気メッキを行ない、0.5μmのメッキ層を形成し
た。
【0019】次に、デバイスホールおよびスリット部の
裏面の銅を保護するために、ポリイミド樹脂側をポジ型
光硬化性レジストインクでコーティングした。この銅箔
の粗面の粗度(Rz)は6μmであった。また、銅箔の
厚みは35μmであった。次にエッチングマシンにより
塩化第2銅約120g/l、塩酸100g/lの組成の
エッチング液をスプレー圧力0.8Kg/cm2で粗化
面に噴き付けて約1分間エッチングすることにより銅箔
厚みを約18μmまで減少させた。このようにして得ら
れたTABの銅箔の粗面の粗度(Rz)は0.5〜1.
0μmであった。
裏面の銅を保護するために、ポリイミド樹脂側をポジ型
光硬化性レジストインクでコーティングした。この銅箔
の粗面の粗度(Rz)は6μmであった。また、銅箔の
厚みは35μmであった。次にエッチングマシンにより
塩化第2銅約120g/l、塩酸100g/lの組成の
エッチング液をスプレー圧力0.8Kg/cm2で粗化
面に噴き付けて約1分間エッチングすることにより銅箔
厚みを約18μmまで減少させた。このようにして得ら
れたTABの銅箔の粗面の粗度(Rz)は0.5〜1.
0μmであった。
【0020】次に、このTABテープを用い、粗面の上
にポジ型液体レジストを4μm厚程度にコーティング
し、さらにベーキングした。その後、紫外線によりマス
クパターン(50μmピッチ)を焼き付けた。アルカリ
で現像後、再度エッチングマシンを用い、パターンのエ
ッチングを行なった。エッチング後、スズメッキにより
表面を仕上げ、ファインピッチパターンを有するTAB
を得た。
にポジ型液体レジストを4μm厚程度にコーティング
し、さらにベーキングした。その後、紫外線によりマス
クパターン(50μmピッチ)を焼き付けた。アルカリ
で現像後、再度エッチングマシンを用い、パターンのエ
ッチングを行なった。エッチング後、スズメッキにより
表面を仕上げ、ファインピッチパターンを有するTAB
を得た。
【0021】このようにして得られたTABのインナリ
ード部分の模式図を図2に示す。同図において、3はベ
ースフィルム、5はファインピッチパターンを示す。こ
のインナーリードの線幅は15μm、ギャップは35μ
mであり、ベースフィルム(ポリイミド樹脂)上のエッ
チングパターンの根元に銅粒子が全く付着、残存してい
なかった。また、エッチング後のピール強度は11〜1
3g/100μm幅であり、スズメッキ後のピール強度
は7〜8g/100μm幅であった。
ード部分の模式図を図2に示す。同図において、3はベ
ースフィルム、5はファインピッチパターンを示す。こ
のインナーリードの線幅は15μm、ギャップは35μ
mであり、ベースフィルム(ポリイミド樹脂)上のエッ
チングパターンの根元に銅粒子が全く付着、残存してい
なかった。また、エッチング後のピール強度は11〜1
3g/100μm幅であり、スズメッキ後のピール強度
は7〜8g/100μm幅であった。
【0022】比較例1 実施例1と同様に75μm厚のポリイミド樹脂の35m
幅テープにエポキシ系熱硬化型接着剤を20μm厚に塗
布したものをパンチンングによりデバイスホール等を打
抜いた後、粗面に銅電着物を形成させた電解銅箔と粗面
がポリイミド樹脂と接するようにして150℃でラミネ
ートし、その後、最高160℃で約24時間かけて硬化
させた。銅箔の幅は約26.5mmであった。なお、電
解銅箔の粗面への銅電着物の形成条件は実施例1と同様
であり、0.5〜1.0μmの高さになるように形成し
た。また、実施例1と同様にして、銅メッキ皮膜0.5
μmを形成した。
幅テープにエポキシ系熱硬化型接着剤を20μm厚に塗
布したものをパンチンングによりデバイスホール等を打
抜いた後、粗面に銅電着物を形成させた電解銅箔と粗面
がポリイミド樹脂と接するようにして150℃でラミネ
ートし、その後、最高160℃で約24時間かけて硬化
させた。銅箔の幅は約26.5mmであった。なお、電
解銅箔の粗面への銅電着物の形成条件は実施例1と同様
であり、0.5〜1.0μmの高さになるように形成し
た。また、実施例1と同様にして、銅メッキ皮膜0.5
μmを形成した。
【0023】次に、デバイスホールおよびスリット部の
裏面の銅を保護するために、ポリイミド樹脂側をポジ型
光硬化性レジストインクでコーティングした。この銅箔
の粗面の粗度(Rz)は6μmであり、光沢面の粗度
(Rz)は0.4〜0.6μmであった。また、銅箔の
厚みは35μmであった。次にエッチングマシンにより
実施例1と同様の方法で光沢面側をエッチングして厚み
を約18μmとした。このようにしてTAB用ラミネー
トテープを得た。
裏面の銅を保護するために、ポリイミド樹脂側をポジ型
光硬化性レジストインクでコーティングした。この銅箔
の粗面の粗度(Rz)は6μmであり、光沢面の粗度
(Rz)は0.4〜0.6μmであった。また、銅箔の
厚みは35μmであった。次にエッチングマシンにより
実施例1と同様の方法で光沢面側をエッチングして厚み
を約18μmとした。このようにしてTAB用ラミネー
トテープを得た。
【0024】次に、実施例1と同様にファインピッチパ
ターンを有するTABを製造した。なお、符号は図2と
同様である。このようにして得られたTABのインナリ
ード部分の模式図を図3に示す。このインナーリードの
線幅は25μm、ギャップは35μmであり、ベースフ
ィルム(ポリイミド樹脂)面に銅粒子が付着、残存して
いた。また、エッチング後のピール強度は11〜12g
/100μm幅であり、スズメッキ後のピール強度は1
0〜11g/100μm幅であった。
ターンを有するTABを製造した。なお、符号は図2と
同様である。このようにして得られたTABのインナリ
ード部分の模式図を図3に示す。このインナーリードの
線幅は25μm、ギャップは35μmであり、ベースフ
ィルム(ポリイミド樹脂)面に銅粒子が付着、残存して
いた。また、エッチング後のピール強度は11〜12g
/100μm幅であり、スズメッキ後のピール強度は1
0〜11g/100μm幅であった。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により、ピ
ール強度の低下を生ぜず、かつ経済性に優れ、微細なフ
ァインピッチパターンを有するTABの製造を可能とし
たTABテープが得られる。
ール強度の低下を生ぜず、かつ経済性に優れ、微細なフ
ァインピッチパターンを有するTABの製造を可能とし
たTABテープが得られる。
【図1】 本発明のTABテープの製造方法の工程図。
【図2】 実施例1により得られたインナーリード部分
のファインピッチパターンの模式図。
のファインピッチパターンの模式図。
【図3】 比較例1により得られたインナーリード部分
のファインピッチパターンの模式図。
のファインピッチパターンの模式図。
1 銅箔、 1a 光沢面、 1b 粗面、 2 銅電
着物、3 ベースフィルム、 4 接着剤。
着物、3 ベースフィルム、 4 接着剤。
Claims (1)
- 【請求項1】 電解銅箔の光沢面に0.2〜1.0μm
の高さに銅電着物を形成し、さらにこの上に銅メッキを
付着させた後、ベースフィルムと該光沢面で接着し、次
いで該電解銅箔の粗面の表面粗度を(Rz)3.0μm
未満に平滑化させることを特徴とするTABテープの製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26544191A JPH0766933B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | Tabテープの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26544191A JPH0766933B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | Tabテープの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0582590A true JPH0582590A (ja) | 1993-04-02 |
JPH0766933B2 JPH0766933B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=17417199
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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