JPH0579821A - 炭素被覆光フアイバの炭素被膜厚さ測定装置 - Google Patents
炭素被覆光フアイバの炭素被膜厚さ測定装置Info
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- JPH0579821A JPH0579821A JP3243284A JP24328491A JPH0579821A JP H0579821 A JPH0579821 A JP H0579821A JP 3243284 A JP3243284 A JP 3243284A JP 24328491 A JP24328491 A JP 24328491A JP H0579821 A JPH0579821 A JP H0579821A
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- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 比較的簡単な構成でもって、製造中の炭素被
覆光ファイバの炭素被膜の厚さをリアルタイムで連続的
に、かつ、精度良く測定できるようにする。 【構成】 平行光照射手段Ｇから炭素被覆光ファイバＡ
に向けて平行光を照射し、この光ファイバＡに対する非
透過の光は、前段光学系Ｌ4a，Ｌ4bで集光した後、後段
光学系Ｌ5a，Ｌ5bの前段に設けた遮光体Ｑa，Ｑbにより
遮断する。一方、炭素被覆光ファイバＡを透過した光
は、前段光学系Ｌ4a，Ｌ4bで略平行光とした後、後段光
学系Ｌ5a，Ｌ5bで集光して受光手段ＰＤa，ＰＤbに入射
させる。このとき、炭素被膜Ｃの厚さに応じて、炭素被
覆光ファイバＡを透過する光量が変化するから、受光手
段ＰＤa，ＰＤbに入射する光強度を測定することで炭素
被膜Ｃの厚さがモニタされる。
覆光ファイバの炭素被膜の厚さをリアルタイムで連続的
に、かつ、精度良く測定できるようにする。 【構成】 平行光照射手段Ｇから炭素被覆光ファイバＡ
に向けて平行光を照射し、この光ファイバＡに対する非
透過の光は、前段光学系Ｌ4a，Ｌ4bで集光した後、後段
光学系Ｌ5a，Ｌ5bの前段に設けた遮光体Ｑa，Ｑbにより
遮断する。一方、炭素被覆光ファイバＡを透過した光
は、前段光学系Ｌ4a，Ｌ4bで略平行光とした後、後段光
学系Ｌ5a，Ｌ5bで集光して受光手段ＰＤa，ＰＤbに入射
させる。このとき、炭素被膜Ｃの厚さに応じて、炭素被
覆光ファイバＡを透過する光量が変化するから、受光手
段ＰＤa，ＰＤbに入射する光強度を測定することで炭素
被膜Ｃの厚さがモニタされる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバの表面に炭
素被膜を被覆してなる炭素被覆光ファイバについて、そ
の炭素被膜の厚さを連続的に測定することができる装置
に関する。
素被膜を被覆してなる炭素被覆光ファイバについて、そ
の炭素被膜の厚さを連続的に測定することができる装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、石英系の光ファイバは、光ファ
イバを単に保護用の樹脂で被覆するだけでは、水素分子
Ｈ2が樹脂被膜を通過して光ファイバの内部にまで侵入
し、この侵入したＨ2が光を吸収するために伝送損失が
増加する。また、光ファイバが大気中の水分Ｈ2Ｏに接
触すると、その表面が腐食するなどしてマイクロクラッ
クが生じ、機械的強度が低下して曲げ応力が加わったよ
うな場合には破損するなどの不具合を生じる。
イバを単に保護用の樹脂で被覆するだけでは、水素分子
Ｈ2が樹脂被膜を通過して光ファイバの内部にまで侵入
し、この侵入したＨ2が光を吸収するために伝送損失が
増加する。また、光ファイバが大気中の水分Ｈ2Ｏに接
触すると、その表面が腐食するなどしてマイクロクラッ
クが生じ、機械的強度が低下して曲げ応力が加わったよ
うな場合には破損するなどの不具合を生じる。
【０００３】このための対策として、従来より、光ファ
イバの表面を炭素で被覆する方法が知られている。この
炭素被膜は、その組成が非常に緻密であるため、Ｈ2の
侵入を阻止するとともに、水分の接触による表面傷の発
生を防止する。
イバの表面を炭素で被覆する方法が知られている。この
炭素被膜は、その組成が非常に緻密であるため、Ｈ2の
侵入を阻止するとともに、水分の接触による表面傷の発
生を防止する。
【０００４】したがって、このような炭素被膜の特性を
発揮するためには、光ファイバの表面に炭素被膜を所定
の厚さで均一に被覆することが必要となる。そのために
は、光ファイバの製造段階において、炭素被膜の厚さを
モニタすることが不可欠となる。
発揮するためには、光ファイバの表面に炭素被膜を所定
の厚さで均一に被覆することが必要となる。そのために
は、光ファイバの製造段階において、炭素被膜の厚さを
モニタすることが不可欠となる。
【０００５】ところで、光ファイバに被覆される炭素被
膜の厚さは数十nmと極めて薄く、通常の機械的方法では
その厚さを測定することは困難である。そのため、従来
は、炭素被膜の電気伝導度を測定することにより、炭素
被膜の厚さを測定する方法が提案されている。しかしな
がら、この方法は、製造中の光ファイバを一部切り出し
たサンプルが必要なため、製造中の光ファイバについ
て、炭素被膜の厚さをリアルタイムで連続的に測定する
ことができない。
膜の厚さは数十nmと極めて薄く、通常の機械的方法では
その厚さを測定することは困難である。そのため、従来
は、炭素被膜の電気伝導度を測定することにより、炭素
被膜の厚さを測定する方法が提案されている。しかしな
がら、この方法は、製造中の光ファイバを一部切り出し
たサンプルが必要なため、製造中の光ファイバについ
て、炭素被膜の厚さをリアルタイムで連続的に測定する
ことができない。
【０００６】そこで、この欠点を改善するために、従来
技術として、特開平２−２６７１４０号公報に示される
ように、光ファイバに炭素被膜を被覆した後、さらにそ
の上から樹脂被膜を形成し、この光ファイバにレーザ光
を照射してスクリーン上に前方散乱パターンを発生さ
せ、この散乱パターンをコンピュータで解析することに
より、炭素被膜の厚さを求める方法が提案されている。
技術として、特開平２−２６７１４０号公報に示される
ように、光ファイバに炭素被膜を被覆した後、さらにそ
の上から樹脂被膜を形成し、この光ファイバにレーザ光
を照射してスクリーン上に前方散乱パターンを発生さ
せ、この散乱パターンをコンピュータで解析することに
より、炭素被膜の厚さを求める方法が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記の特開平２−２６
７１４０号公報に示される炭素被膜の厚さ測定方法は、
製造中の光ファイバについて、炭素被膜の厚さを非破壊
的にリアルタイムで連続して測定することができる利点
があるものの、光ファイバの前方散乱パターンを解析す
るものであるから、パターン解析のためにコンピュータ
が必要となるなど、解析に手間がかかるばかりでなく、
装置も全体的に複雑となる。さらに、樹脂被膜を形成し
た後の光ファイバを測定対象とし、かつ前方散乱パター
ンの認識が必要となるため、樹脂被膜の厚さによっても
解析精度が影響され、炭素被膜の厚さの測定精度が未だ
不十分である等の問題がある。
７１４０号公報に示される炭素被膜の厚さ測定方法は、
製造中の光ファイバについて、炭素被膜の厚さを非破壊
的にリアルタイムで連続して測定することができる利点
があるものの、光ファイバの前方散乱パターンを解析す
るものであるから、パターン解析のためにコンピュータ
が必要となるなど、解析に手間がかかるばかりでなく、
装置も全体的に複雑となる。さらに、樹脂被膜を形成し
た後の光ファイバを測定対象とし、かつ前方散乱パター
ンの認識が必要となるため、樹脂被膜の厚さによっても
解析精度が影響され、炭素被膜の厚さの測定精度が未だ
不十分である等の問題がある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するためになされたものであって、比較的簡単
な構成でもって、製造中の炭素被覆光ファイバの炭素被
膜の厚さをリアルタイムに連続して、かつ、精度良く測
定できるようにするものである。
題を解決するためになされたものであって、比較的簡単
な構成でもって、製造中の炭素被覆光ファイバの炭素被
膜の厚さをリアルタイムに連続して、かつ、精度良く測
定できるようにするものである。
【０００９】そのため、本発明の炭素被膜厚さ測定装置
では、少なくとも炭素被覆光ファイバの線径以上の口径
を有する平行光をこの炭素被覆光ファイバに向けて照射
する平行光照射手段を備える一方、平行光を受ける受光
側には、炭素被覆光ファイバに対して非透過の光を集光
する前段光学系と、炭素被覆光ファイバを透過した光を
集光する後段光学系と、この後段光学系で集光された光
の強度を測定する受光手段とが平行光の光軸上に沿って
順次配置されるとともに、前段光学系と後段光学系との
間には、前段光学系で集光された光を遮断する遮光体が
設けられていることを特徴としている。
では、少なくとも炭素被覆光ファイバの線径以上の口径
を有する平行光をこの炭素被覆光ファイバに向けて照射
する平行光照射手段を備える一方、平行光を受ける受光
側には、炭素被覆光ファイバに対して非透過の光を集光
する前段光学系と、炭素被覆光ファイバを透過した光を
集光する後段光学系と、この後段光学系で集光された光
の強度を測定する受光手段とが平行光の光軸上に沿って
順次配置されるとともに、前段光学系と後段光学系との
間には、前段光学系で集光された光を遮断する遮光体が
設けられていることを特徴としている。
【００１０】
【作用】上記構成において、平行光照射手段からは、炭
素被覆光ファイバの線径と線ぶれ幅との和以上の口径を
有する平行光がこの炭素被覆光ファイバに向けて照射さ
れる。
素被覆光ファイバの線径と線ぶれ幅との和以上の口径を
有する平行光がこの炭素被覆光ファイバに向けて照射さ
れる。
【００１１】炭素被覆光ファイバに対して非透過の光
は、前段光学系で集光され、その集光された光は、後段
光学系の前方に設けられた遮光体により遮光され、受光
手段には入射しない。一方、炭素被覆光ファイバを透過
した光は、この光ファイバのレンズ作用によって屈曲さ
れるが、前段光学系を通過することで略平行光となり、
この光が後段光学系で集光され、この集光された光が受
光手段に入射する。すなわち、受光手段には、炭素被覆
光ファイバを透過した光のみが到達し、非透過の光は遮
光体により遮断されて到達しない。
は、前段光学系で集光され、その集光された光は、後段
光学系の前方に設けられた遮光体により遮光され、受光
手段には入射しない。一方、炭素被覆光ファイバを透過
した光は、この光ファイバのレンズ作用によって屈曲さ
れるが、前段光学系を通過することで略平行光となり、
この光が後段光学系で集光され、この集光された光が受
光手段に入射する。すなわち、受光手段には、炭素被覆
光ファイバを透過した光のみが到達し、非透過の光は遮
光体により遮断されて到達しない。
【００１２】そして、炭素被膜の厚さに応じて、炭素被
覆光ファイバを透過する光量が変化するから、受光手段
に入射する光強度を測定することにより、炭素被膜の厚
さをモニタできることになる。
覆光ファイバを透過する光量が変化するから、受光手段
に入射する光強度を測定することにより、炭素被膜の厚
さをモニタできることになる。
【００１３】
【実施例】図１は本発明の実施例に係る炭素被覆光ファ
イバの炭素被膜厚さ測定装置の構成図、図２は図１の測
定装置の一部を拡大して示す構成図である。
イバの炭素被膜厚さ測定装置の構成図、図２は図１の測
定装置の一部を拡大して示す構成図である。
【００１４】これらの図において、符号Ａは炭素被覆光
ファイバであり、光ファイバＢの表面に炭素被膜Ｃを被
覆してなる。Ｇは所定の口径Ｄ0を有する平行光を炭素
被覆光ファイバＡに向けて照射する平行光照射手段であ
る。
ファイバであり、光ファイバＢの表面に炭素被膜Ｃを被
覆してなる。Ｇは所定の口径Ｄ0を有する平行光を炭素
被覆光ファイバＡに向けて照射する平行光照射手段であ
る。
【００１５】この平行光照射手段Ｇは、本例では、レー
ザ等の光源ＬＤ、この光源ＬＤからの光を所定の口径Ｄ
0をもつ平行光にするための凹レンズＬ1、光の発散角を
規定するための空間フィルタＦ、ビームスプリッタＢＳ
を通過した光を２分岐するためのハーフミラーＨＭ、お
よびハーフミラーＨＭで分岐された各平行光をそれぞれ
反射する２つの全反射ミラーＭa，Ｍbからなる。
ザ等の光源ＬＤ、この光源ＬＤからの光を所定の口径Ｄ
0をもつ平行光にするための凹レンズＬ1、光の発散角を
規定するための空間フィルタＦ、ビームスプリッタＢＳ
を通過した光を２分岐するためのハーフミラーＨＭ、お
よびハーフミラーＨＭで分岐された各平行光をそれぞれ
反射する２つの全反射ミラーＭa，Ｍbからなる。
【００１６】そして、凹レンズＬ1で得られる平行光の
口径Ｄ0は、炭素被覆光ファイバＡの線径Ｄ1、および製
造中での線振れの影響を考慮して、これを十分にカバー
するように設定されている。また、空間フィルタＦは、
同じ焦点距離をもつ一対の凸レンズＬ2，Ｌ3と、中央に
ピンホールを設けた透過板Ｐとで構成され、この透過板
Ｐのピンホールの大きさによって、後述の前段レンズ系
Ｌ4a、Ｌ4bで集光される炭素被覆光ファイバＡに対する
非透過光について、その収差をできるだけ少なくして遮
光体Ｑa，Ｑbで十分に遮断できるように調整される。さ
らに、ハーフミラーＨＭと全反射ミラーＭa，Ｍbとは、
これにより反射された平行光が炭素被覆光ファイバＡに
対して互いに直交して照射されるように４５°の角度に
設定配置されている。このように、ハーフミラーＨＭと
全反射ミラーＭa，Ｍbとによって光を２分岐しているの
は、炭素被膜Ｃの偏肉の有無もモニタできるようにする
ためである。
口径Ｄ0は、炭素被覆光ファイバＡの線径Ｄ1、および製
造中での線振れの影響を考慮して、これを十分にカバー
するように設定されている。また、空間フィルタＦは、
同じ焦点距離をもつ一対の凸レンズＬ2，Ｌ3と、中央に
ピンホールを設けた透過板Ｐとで構成され、この透過板
Ｐのピンホールの大きさによって、後述の前段レンズ系
Ｌ4a、Ｌ4bで集光される炭素被覆光ファイバＡに対する
非透過光について、その収差をできるだけ少なくして遮
光体Ｑa，Ｑbで十分に遮断できるように調整される。さ
らに、ハーフミラーＨＭと全反射ミラーＭa，Ｍbとは、
これにより反射された平行光が炭素被覆光ファイバＡに
対して互いに直交して照射されるように４５°の角度に
設定配置されている。このように、ハーフミラーＨＭと
全反射ミラーＭa，Ｍbとによって光を２分岐しているの
は、炭素被膜Ｃの偏肉の有無もモニタできるようにする
ためである。
【００１７】さらに、この実施例では、光源ＬＤの光量
(パワー)の変動を補償するために、空間フィルタＦとハ
ーフミラＨＭとの間に、ビームスプリッタＢＳが設れら
れるとともに、このビームスプリッタＢＳで一部取り出
された光を受光するフォトダイオードＰＤが配置されて
いる。
(パワー)の変動を補償するために、空間フィルタＦとハ
ーフミラＨＭとの間に、ビームスプリッタＢＳが設れら
れるとともに、このビームスプリッタＢＳで一部取り出
された光を受光するフォトダイオードＰＤが配置されて
いる。
【００１８】一方、炭素被覆光ファイバＡに照射される
平行光を受ける各受光側には、炭素被覆光ファイバＡに
対して非透過の光を集光する前段光学系としての前段凸
レンズＬ4a，Ｌ4bと、炭素被覆光ファイバＡを透過した
光を集光する後段光学系としての後段凸レンズＬ5a，Ｌ
5bと、この後段レンズ系Ｌ5a，Ｌ5bで集光された光の強
度を測定する受光手段としてのフォトダイオードＰＤ
a，ＰＤbとが平行光の光軸上に沿って順次配置されると
ともに、前段凸レンズＬ4a，Ｌ4bと後段凸レンズＬ5a，
Ｌ5bとの間には、前段凸レンズＬ4a，Ｌ4bで集光された
光を遮断する遮光体Ｑa，Ｑbが設けられている。そし
て、炭素被覆光ファイバＡのレンズ作用によって平行光
が屈曲されて集光される集光位置Ｓと前段凸レンズＬ
4a，Ｌ4bの入射側の焦点とが一致するように設定され、
また、この前段凸レンズＬ4a，Ｌ4bの出射側の焦点に遮
光体Ｑa，Ｑbが、さらに、後段凸レンズＬ5a，Ｌ5bの出
射側の焦点にフォトダイオードＰＤa、ＰＤbがそれぞれ
位置するように設定されている。
平行光を受ける各受光側には、炭素被覆光ファイバＡに
対して非透過の光を集光する前段光学系としての前段凸
レンズＬ4a，Ｌ4bと、炭素被覆光ファイバＡを透過した
光を集光する後段光学系としての後段凸レンズＬ5a，Ｌ
5bと、この後段レンズ系Ｌ5a，Ｌ5bで集光された光の強
度を測定する受光手段としてのフォトダイオードＰＤ
a，ＰＤbとが平行光の光軸上に沿って順次配置されると
ともに、前段凸レンズＬ4a，Ｌ4bと後段凸レンズＬ5a，
Ｌ5bとの間には、前段凸レンズＬ4a，Ｌ4bで集光された
光を遮断する遮光体Ｑa，Ｑbが設けられている。そし
て、炭素被覆光ファイバＡのレンズ作用によって平行光
が屈曲されて集光される集光位置Ｓと前段凸レンズＬ
4a，Ｌ4bの入射側の焦点とが一致するように設定され、
また、この前段凸レンズＬ4a，Ｌ4bの出射側の焦点に遮
光体Ｑa，Ｑbが、さらに、後段凸レンズＬ5a，Ｌ5bの出
射側の焦点にフォトダイオードＰＤa、ＰＤbがそれぞれ
位置するように設定されている。
【００１９】なお、遮光体Ｑa，Ｑbとしては、本例で
は、後段凸レンズＬ5a，Ｌ5bの入射側中央表面に黒色塗
料を塗布したり、あるいは、全反射コートすることによ
り形成されている。また、光ファイバＡは円筒レンズと
して作用するので、Ｆナンバーは１であり、したがっ
て、前段凸レンズＬ4a，Ｌ4bについては、そのＦナンバ
ーを１以下のものを使用すれば、光ファイバＡを通過し
た全ての光をこの前段凸レンズＬ4a，Ｌ4bで集光できる
ために測定誤差を少なくできて好ましい。
は、後段凸レンズＬ5a，Ｌ5bの入射側中央表面に黒色塗
料を塗布したり、あるいは、全反射コートすることによ
り形成されている。また、光ファイバＡは円筒レンズと
して作用するので、Ｆナンバーは１であり、したがっ
て、前段凸レンズＬ4a，Ｌ4bについては、そのＦナンバ
ーを１以下のものを使用すれば、光ファイバＡを通過し
た全ての光をこの前段凸レンズＬ4a，Ｌ4bで集光できる
ために測定誤差を少なくできて好ましい。
【００２０】次に、上記構成の炭素被膜厚さ測定装置の
作用について説明する。
作用について説明する。
【００２１】平行光照射手段Ｇを構成する光源ＬＤから
発生された光は、凹レンズＬ1により所定の口径Ｄ0をも
つ平行光にされ、この光がさらに空間フィルタＦによっ
て発散角が規定された後、ハーフミラーＨＭで２つの平
行光に分岐される。そして、各平行光は全反射ミラーＭ
a，Ｍbによってそれぞれ炭素被覆光ファイバＡに対して
互いに直交する方向から照射される。
発生された光は、凹レンズＬ1により所定の口径Ｄ0をも
つ平行光にされ、この光がさらに空間フィルタＦによっ
て発散角が規定された後、ハーフミラーＨＭで２つの平
行光に分岐される。そして、各平行光は全反射ミラーＭ
a，Ｍbによってそれぞれ炭素被覆光ファイバＡに対して
互いに直交する方向から照射される。
【００２２】炭素被覆光ファイバＡに対して照射された
平行光の内、この光ファイバＡを非透過の光は、前段凸
レンズＬ4a，Ｌ4bで集光され、その集光された光は、後
段凸レンズＬ5a，Ｌ5bの前段に設けられた遮光体Ｑa，
Ｑbにより遮光され、フォトダイオードＰＤa，ＰＤbに
は入射しない。
平行光の内、この光ファイバＡを非透過の光は、前段凸
レンズＬ4a，Ｌ4bで集光され、その集光された光は、後
段凸レンズＬ5a，Ｌ5bの前段に設けられた遮光体Ｑa，
Ｑbにより遮光され、フォトダイオードＰＤa，ＰＤbに
は入射しない。
【００２３】一方、炭素被覆光ファイバＡ内に入射され
た光は、この光ファイバＡのレンズ作用によって屈曲さ
れ、集光位置Ｓを通過した後に発散するが、前段凸レン
ズＬ4a，Ｌ4bを通過することで略平行光となり、この光
が後段凸レンズＬ5a，Ｌ5bで集光され、この集光された
光がフォトダイオードＰＤa，ＰＤbに入射する。
た光は、この光ファイバＡのレンズ作用によって屈曲さ
れ、集光位置Ｓを通過した後に発散するが、前段凸レン
ズＬ4a，Ｌ4bを通過することで略平行光となり、この光
が後段凸レンズＬ5a，Ｌ5bで集光され、この集光された
光がフォトダイオードＰＤa，ＰＤbに入射する。
【００２４】結局、フォトダイオードＰＤa，ＰＤbに
は、炭素被覆光ファイバＡを透過した光のみが到達し、
非透過の光は遮光体Ｑa，Ｑbにより遮断されて到達しな
い。
は、炭素被覆光ファイバＡを透過した光のみが到達し、
非透過の光は遮光体Ｑa，Ｑbにより遮断されて到達しな
い。
【００２５】そして、炭素被覆光ファイバＡを透過する
光量は、その表面に被覆された炭素被膜Ｃの厚さに応じ
て変化する。すなわち、炭素被膜Ｃの厚さが薄い場合に
は、光の吸収が少なくて光強度が大きく、逆に、炭素被
膜Ｃの厚さが厚い場合には、光の吸収が大きくなるため
に光強度が小さくなる。したがって、炭素被膜Ｃの厚さ
と光強度との関係を予め求めておけば、フォトダイオー
ドＰＤa，ＰＤbに入射する光強度を測定することによ
り、炭素被膜Ｃの厚さをモニタできることになる。
光量は、その表面に被覆された炭素被膜Ｃの厚さに応じ
て変化する。すなわち、炭素被膜Ｃの厚さが薄い場合に
は、光の吸収が少なくて光強度が大きく、逆に、炭素被
膜Ｃの厚さが厚い場合には、光の吸収が大きくなるため
に光強度が小さくなる。したがって、炭素被膜Ｃの厚さ
と光強度との関係を予め求めておけば、フォトダイオー
ドＰＤa，ＰＤbに入射する光強度を測定することによ
り、炭素被膜Ｃの厚さをモニタできることになる。
【００２６】なお、本例のように、フォトダイオードＰ
Ｄa，ＰＤbの出力に対して、ビームスプリッタＢＳでの
反射光をフォトダイオードＰＤで受光して得られる検出
信号の比をとれば、光源ＬＤの光量の変動の影響を除く
ことができるので、測定精度は一層高まる。
Ｄa，ＰＤbの出力に対して、ビームスプリッタＢＳでの
反射光をフォトダイオードＰＤで受光して得られる検出
信号の比をとれば、光源ＬＤの光量の変動の影響を除く
ことができるので、測定精度は一層高まる。
【００２７】さらに、上記の実施例では、炭素被覆光フ
ァイバＡに対して互いに直交する方向から平行光が照射
されるようにしているが、炭素被膜Ｃの偏肉の恐れがな
い場合には、一方向からのみ平行光を照射するようにし
てもよい。したがって、この場合には、ハーフミラーＨ
Ｍと全反射ミラーＭa，Ｍbは省略可能である。
ァイバＡに対して互いに直交する方向から平行光が照射
されるようにしているが、炭素被膜Ｃの偏肉の恐れがな
い場合には、一方向からのみ平行光を照射するようにし
てもよい。したがって、この場合には、ハーフミラーＨ
Ｍと全反射ミラーＭa，Ｍbは省略可能である。
【００２８】
【発明の効果】本発明の装置は、炭素被膜の厚さに応じ
て、炭素被覆光ファイバを透過する光量が変化すること
を利用して、この光ファイバを透過する光の強度の大小
を非接触で測定するものであるから、比較的簡単な構成
であり、しかも、測定精度が高く、かつ、製造中の炭素
被膜光ファイバの表面を傷付けることもなくリアルタイ
ムで連続的に測定することがでる。さらに、平行光の口
径を適宜設定することにより線ぶれの影響を受けること
なく測定することが可能である。
て、炭素被覆光ファイバを透過する光量が変化すること
を利用して、この光ファイバを透過する光の強度の大小
を非接触で測定するものであるから、比較的簡単な構成
であり、しかも、測定精度が高く、かつ、製造中の炭素
被膜光ファイバの表面を傷付けることもなくリアルタイ
ムで連続的に測定することがでる。さらに、平行光の口
径を適宜設定することにより線ぶれの影響を受けること
なく測定することが可能である。
【００２９】さらに、平行光照射手段の途中にビームス
プリッタを設けて平行光の一部を取り出してこれをモニ
タして受光手段の検出出力を補正するようにすれば、光
源の光量変動の影響を除くことができるので、測定精度
を一層高めることができる。
プリッタを設けて平行光の一部を取り出してこれをモニ
タして受光手段の検出出力を補正するようにすれば、光
源の光量変動の影響を除くことができるので、測定精度
を一層高めることができる。
【図１】本発明の実施例に係る炭素被覆光ファイバの炭
素被膜厚さ測定装置の構成図である。
素被膜厚さ測定装置の構成図である。
【図２】図１の測定装置の一部を拡大して示す構成図で
ある
ある
Ａ…炭素被覆光ファイバ、Ｂ…光ファイバ、Ｃ…炭素被
膜、Ｇ…平行光照射手段、Ｌ4a，Ｌ4b…前段光学系(前
段凸レンズ)、Ｌ5a，Ｌ5b…後段光学系(後段凸レン
ズ)、ＰＤa，ＰＤb…受光手段(フォトダイオード)、Ｑ
a，Ｑb…遮光体、ＢＳ…ビームスプリッタ、ＰＤ…フォ
トダイオード。
膜、Ｇ…平行光照射手段、Ｌ4a，Ｌ4b…前段光学系(前
段凸レンズ)、Ｌ5a，Ｌ5b…後段光学系(後段凸レン
ズ)、ＰＤa，ＰＤb…受光手段(フォトダイオード)、Ｑ
a，Ｑb…遮光体、ＢＳ…ビームスプリッタ、ＰＤ…フォ
トダイオード。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 厨子 敏博 兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内 (72)発明者 田中 紘幸 兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内
Claims (1)
- 【請求項１】 光ファイバ(Ｂ)の表面に炭素被膜(Ｃ)を
被覆してなる炭素被覆光ファイバ(Ａ)の前記炭素被膜
(Ｃ)の厚さを測定するための装置であって、 少なくとも前記炭素被覆光ファイバ(Ａ)の線径以上の口
径を有する平行光をこの炭素被覆光ファイバ(Ａ)に向け
て照射する平行光照射手段(Ｇ)を備える一方、 前記平行光を受ける受光側には、前記炭素被覆光ファイ
バ(Ａ)に対して非透過の光を集光する前段光学系(Ｌ
4a，Ｌ4b)と、炭素被覆光ファイバ(Ａ)を透過した光を
集光する後段光学系(Ｌ5a，Ｌ5b)と、この後段光学系
(Ｌ5a，Ｌ5b)で集光された光の強度を測定する受光手段
(ＰＤa，ＰＤb)とが平行光の光軸上に沿って順次配置さ
れるとともに、前記前段光学系(Ｌ4a，Ｌ4b)と後段光学
系(Ｌ5a，Ｌ5b)との間には、前記前段光学系(Ｌ4a，Ｌ4
b)で集光された光を遮断する遮光体(Ｑa，Ｑb)が設けら
れていることを特徴とする炭素被覆光ファイバの炭素被
膜厚さ測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3243284A JPH0579821A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 炭素被覆光フアイバの炭素被膜厚さ測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3243284A JPH0579821A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 炭素被覆光フアイバの炭素被膜厚さ測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0579821A true JPH0579821A (ja) | 1993-03-30 |
Family
ID=17101567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3243284A Pending JPH0579821A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 炭素被覆光フアイバの炭素被膜厚さ測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0579821A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6055058A (en) * | 1994-11-17 | 2000-04-25 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Method and device for determining the thickness and concentricity of a layer applied to a cylindrical body |
| CN114945541A (zh) * | 2020-01-30 | 2022-08-26 | 住友电气工业株式会社 | 包覆状态检测方法、包覆状态检测装置及光纤制造方法 |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP3243284A patent/JPH0579821A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6055058A (en) * | 1994-11-17 | 2000-04-25 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Method and device for determining the thickness and concentricity of a layer applied to a cylindrical body |
| CN114945541A (zh) * | 2020-01-30 | 2022-08-26 | 住友电气工业株式会社 | 包覆状态检测方法、包覆状态检测装置及光纤制造方法 |
| CN114945541B (zh) * | 2020-01-30 | 2024-02-13 | 住友电气工业株式会社 | 包覆状态检测方法、包覆状态检测装置及光纤制造方法 |
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