JPH0578843A - 銅薄膜の化学気相成長法 - Google Patents
銅薄膜の化学気相成長法Info
- Publication number
- JPH0578843A JPH0578843A JP31559091A JP31559091A JPH0578843A JP H0578843 A JPH0578843 A JP H0578843A JP 31559091 A JP31559091 A JP 31559091A JP 31559091 A JP31559091 A JP 31559091A JP H0578843 A JPH0578843 A JP H0578843A
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- JP
- Japan
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- chemical vapor
- copper
- film
- raw material
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Abstract
(57)【要約】
【目的】取り扱いやすい原料を用いて、腐食性のガスを
発生することなく、銅の膜を容易に合成し得る新たな化
学気相成長法を提供する。 【構成】ジピバロイルメタナト銅を原料として用い、反
応ガス、例えば、水素を原料ガスに加えることにより、
被処理物表面に銅の膜を成長させることを特徴とする化
学気相成長方法による。
発生することなく、銅の膜を容易に合成し得る新たな化
学気相成長法を提供する。 【構成】ジピバロイルメタナト銅を原料として用い、反
応ガス、例えば、水素を原料ガスに加えることにより、
被処理物表面に銅の膜を成長させることを特徴とする化
学気相成長方法による。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化学気相成長方法に関
し、さらに詳しくは、銅の膜の製造方法に関する。
し、さらに詳しくは、銅の膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】化学気相成長（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａ
ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）法は、高性能
膜を量産できる方法として広く実用化されている。銅の
膜の化学気相成長法の原料として塩化銅が広く用いられ
ている。
ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）法は、高性能
膜を量産できる方法として広く実用化されている。銅の
膜の化学気相成長法の原料として塩化銅が広く用いられ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、薄膜合成時に
反応器材料に対する腐食性の強い塩化水素ガスを発生す
る。本発明は上記難点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、取り扱いやすい原料を用いて、
腐食性のガスを発生することなく、銅の膜を容易に合成
し得る新たな化学気相成長法の提供にある。
反応器材料に対する腐食性の強い塩化水素ガスを発生す
る。本発明は上記難点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、取り扱いやすい原料を用いて、
腐食性のガスを発生することなく、銅の膜を容易に合成
し得る新たな化学気相成長法の提供にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】ジピバロイルメタナト銅
を原料として用い、反応ガス、例えば、水素を原料ガス
に加えることにより、被処理物表面に銅の膜を成長させ
ることを特徴とする化学気相成長方法。
を原料として用い、反応ガス、例えば、水素を原料ガス
に加えることにより、被処理物表面に銅の膜を成長させ
ることを特徴とする化学気相成長方法。
【０００５】
【作用】本発明方法によるときは、取り扱い上も安全な
原料を用いて、少ない工程で、腐食性のガスを発生する
ことなく、優れた銅の膜を容易にに成長させることがで
きる。
原料を用いて、少ない工程で、腐食性のガスを発生する
ことなく、優れた銅の膜を容易にに成長させることがで
きる。
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１に成膜装置の模式図を示す。原料としてジピバロイル
メタナト銅を用い、これを２２０〜２４０℃に保った気
化器内で気化し、窒素ガス（流量３００ｃｍ３／ｍｉ
ｎ）をキャリアガスとしてこれを反応器内に導入した。
反応ガスとして水素ガス（流量１００〜９００ｃｍ３／
ｍｉｎ）を用い、これをノズル中で原料ガスと混合し、
大気圧下で成膜した。基板として、硼珪酸ガラスを用い
た。反応温度２２０〜４００℃で反応させたところ、金
属光沢を持ち高い導電性を示す結晶性の銅膜が得られ
た。図２に合成された薄膜のＸ線回折パターンの１例を
示す。図３に薄膜の成膜速度を反応温度に対して示す。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明した
が、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発
明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るの
はもちろんのことである。
１に成膜装置の模式図を示す。原料としてジピバロイル
メタナト銅を用い、これを２２０〜２４０℃に保った気
化器内で気化し、窒素ガス（流量３００ｃｍ３／ｍｉ
ｎ）をキャリアガスとしてこれを反応器内に導入した。
反応ガスとして水素ガス（流量１００〜９００ｃｍ３／
ｍｉｎ）を用い、これをノズル中で原料ガスと混合し、
大気圧下で成膜した。基板として、硼珪酸ガラスを用い
た。反応温度２２０〜４００℃で反応させたところ、金
属光沢を持ち高い導電性を示す結晶性の銅膜が得られ
た。図２に合成された薄膜のＸ線回折パターンの１例を
示す。図３に薄膜の成膜速度を反応温度に対して示す。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明した
が、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発
明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るの
はもちろんのことである。
【図１】装置の概略図である。
【図２】合成された膜のＸ線回折パターンの１例を示す
図である。
図である。
【図３】薄膜の成膜速度を反応温度に対して示した図で
ある。
ある。
１ キャリアガスボンベ ２ 反応ガスボンベ ３ ガス流量制御器 ４ 温度検出器 ５ 気化器 ６ 原料 ７ 反応器 ８ ヒーター ９ 被処理物
Claims (2)
- 【請求項１】 ジピバロイルメタナト銅を原料として用
い、反応ガスを原料ガスに加えることにより、被処理物
表面に銅の膜を成長させることを特徴とする化学気相成
長方法。 - 【請求項２】 反応ガスが水素である特許請求範囲第１
項記載の化学気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31559091A JPH0578843A (ja) | 1991-09-21 | 1991-09-21 | 銅薄膜の化学気相成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31559091A JPH0578843A (ja) | 1991-09-21 | 1991-09-21 | 銅薄膜の化学気相成長法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0578843A true JPH0578843A (ja) | 1993-03-30 |
Family
ID=18067187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31559091A Pending JPH0578843A (ja) | 1991-09-21 | 1991-09-21 | 銅薄膜の化学気相成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0578843A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7501475B2 (en) | 2004-05-07 | 2009-03-10 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | Aqueous resin dispersion for adhesive and composition thereof |
-
1991
- 1991-09-21 JP JP31559091A patent/JPH0578843A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7501475B2 (en) | 2004-05-07 | 2009-03-10 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | Aqueous resin dispersion for adhesive and composition thereof |
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